Sistemas electrónicos de potencia

Transistores bipolares y amplificadores

Arroyo Martínez Rubén Aarón

Resumen- En esta práctica se obtuvieron las curvas características de un transistor bipolar

npn (2N2222) en la configuración de emisor común, posteriormente se polarizó el transistor
de una manera adecuada para que pueda ser utilizado como amplificador.
Introducción
El transistor de unión bipolar, conocido también por BJT (por sus siglas en inglés, Bipolar
Junction Transistor), es un dispositivo de tres terminales denominados emisor, base y
colector, sus símbolos se muestra en la Figura 1.

Figura 1. Símbolos de transistor bipolar npn y pnp.

Hay dos tipos de transistores bipolares: el NPN y el PNP. Estos nombres proceden de la
descripción de su estructura física. En el transistor NPN el emisor es un semiconductor tipo
N, la base es tipo P y el colector es tipo N. La estructura física del transistor PNP es dual a la
anterior cambiando las regiones P por regiones N, y las N por P.
Polarización del transistor bipolar
Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las corrientes y tensiones continuas que
aparecen en el mismo queden fijadas a unos valores previamente decididos. Es posible
polarizar el transistor en zona activa, en saturación o en corte, cambiando las tensiones y
componentes del circuito en el que se engloba.
Corte
Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales.
Concretamente, y a efectos de cálculo, decimos que el transistor se encuentra en corte cuando
se cumple la condición: IE = 0 ó IE < 0 (Esta última condición indica que la corriente por el
emisor lleva sentido contrario al que llevaría en funcionamiento normal). Para polarizar el
transistor en corte basta con no polarizar en directa la unión base-emisor de este, es decir,
basta con que VBE=0.
Activa
La región activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes en todos
sus terminales y se cumple que la unión base-emisor se encuentra polarizada en directa y la
colector-base en inversa.
Saturación
En la región de saturación se verifica que tanto la unión base-emisor como la base-colector
se encuentran en directa. Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y se verifica sólo lo
siguiente:
donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturación suelen tener valores
determinados (0,8 y 0,2 voltios habitualmente).
Es de señalar especialmente que cuando el transistor se encuentra en saturación circula
también corriente por sus tres terminales, pero ya no se cumple la relación: II CB = ⋅ β

Procedimiento
Se obtuvieron curvas características a diferentes corrientes de base, en configuración emisor
común, para hacer mas mediciones se construyó en circuito que se muestra en la Figura 2.
Se midió la corriente de colector variando el voltaje PS2 desde 0 V hasta 10 V. las mediciones
se hicieron aplicando diferentes corrientes de base, los resultados se muestran en la Tabla 1
y las curvas obtenidas se pueden observar en la Figura 3.

Figura 2. Circuito para tomar las mediciones.

 Vce
IB 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
10 µA 0 1.96 1.99 2.02 2.05 2.07 2.10 2.13 2.16 2.19 2.21
20 µA 0 3.84 3.89 3.95 4.00 4.06 4.11 4.17 4.22 4.28 4.33
30 µA 0 5.66 5.74 5.82 5.91 5.99 6.07 6.15 6.23 6.31 6.39
40 µA 0 7.43 7.54 7.64 7.75 7.85 7.96 8.07 8.17 8.28 8.38
Tabla 1. Corrientes de colector medidas [mA].

Figura 3. Gráfica con los valores de corriente de colector medidos.

El valor aproximado de la ganancia 𝛽 es el siguiente

𝑖𝑐 2.2 𝑚𝐴
𝛽= = ≈ 200
𝑖𝐵 10 𝜇𝐴
Se construyó el circuito de la Figura 4, se midieron 𝑉𝐶𝐸 𝑦 𝑉𝐵𝐸 , los voltajes obtenidos se
muestran en la Tabla 2 y la gráfica se puede ver en la Figura 5.

Figura 4. Circuito para tomar mediciones.

 𝑉𝐵𝐸 [V] 0 0.65 0.68 0.7 0.71 0.71 0.72 0.72 0.72 0.72
𝑉𝐶𝐸 [V] 9 8.22 6.23 4.37 2.64 1.05 0.42 0.40 0.38 0.37
Tabla 2. Voltajes medidos.

Figura 5. Gráfica con los datos obtenidos.

Por ultimo se construyó el circuito de la Figura 6, se le conectó un generador de funciones

con una señal sinusoidal de 1 kHz y aproximadamente 200 mV, las formas de onda se
muestran en la Figura 6.

Figura 6. Formas de onda en el amplificador.

Conclusiones
En esta práctica comprobamos que un transistor bipolar se comporta según las curvas
características que aparecen en los libros. Con el segundo circuito de observaron algunos
modos de operación de un inversor simple, se observo que si no existe un voltaje de entrada,
el transistor opera en la región de corte, si el voltaje de entrada se aumenta hasta
aproximadamente 0.7 V el transistor cambia de la región de corte a la región activa y si se
sigue aumentando el voltaje, el transistor entrará en saturación. El ultimo circuito es un
amplificador simple que aumenta el voltaje de la señal de entrada, para que esto suceda, las
terminales del transistor deben polarizarse de la siguiente manera: emisor-base en directa y
base-colector en inversa.

Bibliografía
[1] Y. Tsividis, A first lab in circuits and electronics, 1st ed. California: J. Wiley, 2001,
2001.
[2] "Transistor Bipolar - EcuRed", Ecured.cu, 2019. [Online]. Available:
https://www.ecured.cu/Transistor_Bipolar#Tipos. [Accessed: 03- Apr- 2019].