2 Semiconductores

1.
Introducción a los semiconductores de potencia

2. Diodos de potencia.
3. Tiristores.
4. Transistores de potencia.
5. Disparo de semiconductores.
6. Cálculos térmicos.
7. Protecciones.
Facultad de Ingeniería – Ingeniería Eléctrica y Electrónica

1. Introducción a los semiconductores de potencia

Características ideales
 Dos estados:
 Bloqueo (OFF)
• IS(OFF)=0
• VS(OFF): Depende del circuito; VS(OFF)_máxima: Infinita
PS(OFF)=0
 Conducción (ON)
• VS(ON)=0
• IS(ON): Depende del circuito; IS(ON)_máxima: Infinita
• PS(ON)=0
 Conmutación:
• Instantánea: tc=0
• Sin pérdidas: Ps(c)=0

Características reales
 Bloqueo: ROFF ≠ ∞
 Corriente de fugas.
 Máxima tensión que puede soportar entre terminales
 PS(OFF) ≠ 0
 Conducción: RON ≠ 0
 Caída de tensión
 Máxima corriente de conducción
 PS(ON) ≠ 0
 Conmutación: No instantánea
 Tiempos de conmutación
 Tiempos de retardo
 PS(c) ≠ 0

Características de conmutación: Carga resistiva (1)

 Circuito  Formas de onda


 Conmutación a ON: Zoom en la conmutación a ON
Tiempos de retardo y de
conmutación a ON
• td(td(ON)): Tiempo de retardo (delay)
• tr: Tiempo de subida (rise)


 Conmutación a OFF: Zoom en la conmutación a OFF
Tiempos de retardo y de
conmutación a OFF
• ts(ts(OFF)): Tiempo de almacenamiento
(storage)
• tf: Tiempo de caida (fall)

Características de conmutación: Carga R – L↑↑ (1)

 Circuito  Formas de onda


 Conmutación a ON:
• Td(ON): Tiempo de retardo en la conmutación

• tri: Tiempo de subida de la corriente.
• tfv: Tiempo de bajada de la tensión.


 Conmutación a OFF:
• td(OFF): Tiempo de retardo en la conmutación

a OFF
• trv: Tiempo de subida de la tensión.
• tfi: Tiempo de bajada de la corriente.


 Potencia disipada en el
semiconductor
 Frecuencia máxima de conmutación: (Ley práctica)

td(ON)+tri+tfv+td(OFF)+tfi≤0.001T
Hojas de datos (1)
 Las Magnitudes: y su nomenclatura habitualmente utilizadas

para determinar las características de los semiconductores son:
 V, v = Tensión o voltaje.
 I, i = Intensidad o corriente.
 P, p = Potencia.
 T = Temperatura.
 t = Tiempo.
 Rth = Resistencia térmica.
(minúscula  Valores Instantáneos)

Hojas de datos (2)
 Los Subíndices de uso más común en las características de

los semiconductores son:
 AV = Valor medio (Average value).

 RMS = Valor eficaz.
 W = Valor de trabajo (Work).
 R = Valor repetitivo (repetitive) o inverso (reverse).
 S = Valor no repetitivo, único (single).
 M = Valor máximo (maximum).
- Por ejemplo: IAV  Corriente media

Hojas de datos (3)

 Absolute Maximum Ratings
o valores máximos absolutos.
Indican los valores máximos
que puede soportar el
semiconductor (dispositivo) sin
deterioro de sus
características.

Hojas de datos (4)
 Termal Data o datos

térmicos, donde se incluyen
las resistencias térmicas del
semiconductor (dispositivo).

Hojas de datos (5)

 Electrical Characteristics:
Características eléctricas. Son
valores que presenta la magnitud
correspondiente cuando el
semiconductor trabaja en las
condiciones de test que se
especifican. Se suelen indicar los
valores mínimos, típicos y máximos.

Hojas de datos (6)

Switching Characteristics
Características de conmutación.

Hojas de datos (7)

Curvas de características de
distintas magnitudes.

Elección de un semiconductor

Tipos de semiconductores de potencia
 Diodos de potencia
Tiristores
SCR (Rectificador Controlado de Silicio)
TRIAC
GTO
Transistores de potencia
Transistor Bipolar de Potencia (BJT)
Transistor MOSFET de Potencia
IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor)

Potencia frente a frecuencia de conmutación en

semiconductores de potencia

2. Diodos de potencia

Características generales
 Dispositivo unidireccional.  Estructura:
 No dispone de terminal de
control.
 Puede conducir corrientes
elevadas.
 Puede bloquear tensiones
elevadas.
 Aplicaciones:
 Rectificación
 Libre circulación de corriente.
 Símbolo:

Característica estática
Zonas de trabajo
 Conducción (V > 0): Puede conducir corriente elevada, con caída de

tensión pequeña: VAK ≈ VT +Ron ·IA (VT : tensión de codo≈1V)
 Bloqueo (VAK < 0, |VAK| < VBD): Puede soportar tensión elevada, con
corriente de fugas pequeña.
 Ruptura inversa (VAK < 0, |VAK| > VBD): Como VR, IR son altas puede
destruirse el diodo.
Características de catalogo (1)
Subíndices empleados por los fabricantes de semiconductores
Primer subíndice Segundo subíndice Tercer subíndice
T=Dir. Polarizado y conduce W=De trabajo M=Valor Máximo
D=Dir. Polarizado y no conduce R=Repetitivo (AV)=Valor Medio
R=Inversamente Polarizado S=No Repetitivo (RMS)=Valor Eficaz
F=Directamente Polarizado
Características de Catálogo en Polarización Inversa:

 Tensión inversa de trabajo, VRWM: Máxima tensión inversa que puede
soportar de forma continuada sin peligro de avalancha.
 Tensión inversa de pico repetitivo, VRRM: Máxima tensión inversa que
puede soportar por tiempo indefinido si la duración del pico es
inferior a 1ms y su frecuencia de repetición inferior a 100 Hz.
 • Tensión inversa de pico único, VRSM: Máxima tensión inversa que
puede soportar por una sola vez cada 10 ó más minutos si la
duración del pico es inferior a 10 ms.
Características de catalogo (2)
Características de Catálogo en Polarización Inversa (Cont):
 Tensión de ruptura, VBD: Valor de la tensión capaz de provocar la
avalancha aunque solo se aplique una vez por un tiempo superior a
10 ms.
Características de Catálogo en Polarización Directa:

 Corriente media nominal, IFW(AV): Valor medio de la máxima corriente
de pulsos senoidales que es capaz de soportar el dispositivo en
forma continuada con la cápsula mantenida a una determinada
temperatura (típicamente 100º C).
 Corriente de pico repetitivo, IFRM: Corriente máxima que puede ser
soportada cada 20ms con duración de pico 1ms.
 Corriente de pico único, IFSM: Corriente máxima que puede ser
soportada por una sola vez cada 10 ó más minutos siempre que la
duración del pico sea inferior a 10ms.

Características dinámicas (1)
El tiempo de recuperación inversa es el mayor de los dos tiempos de
conmutación y el responsable de la mayor parte de las pérdidas de conmutación.
La carga almacenada que se
elimina por arrastre es:
Aproximando el área bajo la

corriente a un triangulo será:
La derivada de la corriente
durante ta depende del
circuito externo, y
normalmente será: ta>> tb es
decir: ta≅ trr .
Si se resuelve el circuito y se conoce el valor de la derivada de iD:
El valor de Qrr puede obtenerse del
catálogo del fabricante.
Características dinámicas (2)

Los factores que influyen en el tiempo de recuperación inversa son:
 IF; cuanto mayor sea, mayor será trr. Esto se debe a que la carga
almacenada será mayor.
 VR; cuanto mayor sea, menor será trr. En este caso si la tensión
inversa es mayor se necesita menos tiempo para evacuar los
portadores almacenados.
 diF/dt; cuanto mayor sea, menor será trr. No obstante, el aumento de

esta pendiente aumentará el valor de la carga almacenada Q. Esto
producirá mayores pérdidas.
 T; cuanto mayor sea la temperatura, aumentarán tanto Q como trr.

Pérdidas en los diodos

 Bloqueo: Se suelen despreciar.
 En Conmutación: Son función de la frecuencia de trabajo. (Además
de las corrientes, tensiones y la forma como evolucionan). Siguen la
siguiente expresión:
 En Conducción: Dichos cálculos se realizan a partir de la siguiente

expresión:
También pueden ser calculadas a partir del uso de catálogos.

 Las pérdidas aumentan con:
 La corriente directa.
 La pendiente de la corriente.
 La frecuencia de conmutación.
 La tensión inversa aplicada.
 La temperatura de la unión.

Principales características de los diodos de potencia

Tiempo de
Tensión en Corriente en
Tipo de diodo recuperación Aplicaciones
inversa directa
inversa
Diodos de Rectificadores a
propósito 50V→5kV 1A→1000’sA 25µseg frecuencias
general inferiores 1kHz
Diodos de
recuperación 50V→3kV 1A→100’sA <5µseg
rápida Circuitos
Diodos de conmutados
recuperación 50V→3kV 1A→100’sA <5µseg

suave
Diodos Fuentes de
alimentación de
Schottky <100V 10A→300A 20nseg
baja tensión y
alta frecuencia

3. Tiristores

3. Tiristores
3.1 Rectificadores controlados de silicio SCR

 Características generales  Estructura:
 Dispositivo unidireccional de
potencia
 Disparo sencillo
 Bloqueo no controlado
 Aplicaciones:
 Rectificación controlada de la
red eléctrica.
 Símbolo:

3. Tiristores
Característica estática
Zonas de trabajo
 Bloqueo inverso: VAK < 0; IA ≈ 0.

 Bloqueo directo: VAK > 0, y no ha habido señal de disparo; IA ≈ 0.
 Conducción: VAK > 0 y ha habido señal de disparo:
VAK ≈ 1.2V, IA = IL > IH (Latching current, corriente de enclavamiento).
La conducción se mantiene mientras IL > IH (Holding current,
corriente de mantenimiento).
3. Tiristores
Características de disparo y apagado de los SCR (1)
 Disparo por puerta. Condiciones.
 La tensión vAK debe ser positiva.
 El pulso se aplica siempre entre puerta
y cátodo.
 El ancho del impulso (valor de catálogo
tG) debe ser mayor que el tiempo
requerido para que la corriente anódica
alcance el valor IL (latching current).
 Es conveniente retirar el impulso
 Disparos no deseados de los SCR.
después del disparo del SCR, para
 Disparo por dv/dt.
evitar perdidas de potencia en el
 Disparo por tensiones altas.
terminal de puerta.
 Disparo por exceso de temperatura.
 Aplicación de tensión Ánodo-Cátodo
positiva antes de que el proceso de
bloqueo haya terminado.
 Radiación luminosa. Sólo se ocurre en
los dispositivos especialmente
construidos para funcionar de esta
forma (LASCR).

3. Tiristores
Características de disparo y apagado de los SCR (2)
Dependiendo del proceso interno
Bloqueo por fuente inversa de tensión.
 El bloqueo estático.
 El bloqueo dinámico.
Dependiendo del circuito externo
 El bloqueo natural.
 El bloqueo forzado.
• Fuente inversa de tensión.
• Fuente inversa de corriente.
Bloqueo por fuente inversa de

corriente.

3. Tiristores
Características dinámicas

3. Tiristores
3.2 TRIAC  Estructura:
 Características generales
 Semiconductor de potencia
Bidireccional
 Similar a dos SCR conectados
en antiparalelo
 Un terminal de disparo para los
dos sentidos de conducción
 Aplicaciones:
 Interruptor estático.  Característica
estática :
 Símbolo:

3. Tiristores
3.3 Tipo de tiristores

 Tiristor de control de fase (SCR)
 Tiristor rápido (“Fast Switching Thyristor”)
 Tiristor de triodo bidireccional (TRIAC)
 Tiristor de conducción inversa (RCT)
 Rectificadores controlados de silicio activados por luz (LASCR)
 Tiristor de desactivación por compuerta (GTO)
 Tiristor controlado por MOS (MCT)

4. Transistores de potencia

4.1 Transistor BJT
 Características generales  Estructura:
 Control de conducción y
bloqueo por el terminal de la
base.
 Soporta menores corrientes /
tensiones que los SCR.
 Permite trabajar a frecuencias
de conmutación mayores que
los SCR.
 Símbolo:

Zonas de trabajo del BJT Zona de corte o bloqueo, donde la
corriente de base es nula y la de
colector es de pequeño valor,
pudiendo soportar tensiones altas
entre colector y emisor.
Zona lineal, la característica es
prácticamente horizontal y el
transistor actúa como amplificador.
No utilizada en electrónica de
potencia por las grandes pérdidas de
potencia que se producen al coincidir
grandes tensiones y corrientes en el
dispositivo.
Zona de cuasi-saturación,
corresponde a una zona de bajas
Zona de saturación, donde la corriente de tensiones entre colector-emisor en
colector es elevada y se producen pequeñas conducción y en ella la ganancia de
caídas de tensión entre colector y emisor, corriente del transistor no es
con lo que la potencia a disipar es pequeña. constante (se abandona la zona
lineal).
Conmutación del BJT (carga muy inductiva)
Conmutación a ON Conmutación a OFF

Área de trabajo seguro (SOA)
Límites del SOA:

 Corriente de colector máxima, depende de la construcción física del dispositivo.
 Potencia máxima disipable en el transistor. Depende de la temperatura máxima
alcanzable por la unión (TJmax) y por el régimen de trabajo del transistor: en continua o
en conmutación.
 Segunda ruptura, que se produce al presentar puntos de mayor conducción de
corriente localizados en la unión semiconductora, los cuales pueden producir
calentamientos locales en los que se supere la máxima temperatura de la unión, con
lo que se degradaría el transistor.
 Tensión máxima de colector-emisor (VCEsus) es la tensión máxima que puede soportar
el transistor cuando la unión base-emisor se encuentra correctamente polarizada.

Comportamiento térmico
Embalamiento térmico:
Por ser un dispositivo controlado por portadores minoritarios:
IC ↑  Tj ↑  se producen más pares e- - h+  IB ↑  IC ↑ -
Fenómeno regenerativo que puede destruir el dispositivo.
 Se puede producir avalancha secundaria.
 Limitación del SOA.
 Dificultad de conexión en paralelo de BJTs: necesidad de red de

ecualización (resistencias conectadas en serie).

4.2 Transistor Darlington
 Ventaja:  Estructura:
 β = β1·β2: grande
 Inconvenientes:
 VCEsat = VCE1(sat) + VBE2(sat):

mayor que en el BJT.
 Conmutación más lenta que
en el BJT.
 Símbolo:

4.3 Transistor MOSFET de Potencia
 Características:  Estructura:
 Soporta menores tensiones y
corrientes que el BJT.
 Alta impedancia de entrada:
control por tensión.
 Mayor velocidad de
conmutación que el BJT.
 Fácil conexión en paralelo.
 Diodo intrínseco conectado
entre S y D.
 Símbolo: Tipo enriquecimiento

canal N

Zonas de trabajo del MOSFET Zona de corte, VGS<VT, iD≅0; el
transistor se considera un interruptor
abierto.
Zona activa, VGS-VT < VDS,
iD≅constante (independiente de VDS):
el límite de
esta zona con la siguiente, se
obtiene al sustituir VGS-VT =VDS, en la
fórmula anterior, es decir:
Zona de ruptura, VDS > VBD,
Zona óhmica, VGS-VT >VDS,
en esta zona el transistor se considera un interruptor cerrado,

con una resistencia (para valores muy pequeños de VDS):

Características estáticas y dinámicas

Diodo en antiparalelo
Problema Solución
Conmutación en la rama de Añadir diodos rápidos
un puente

Límites del SOA:

 VDSS: Tensión de ruptura entre drenador-surtidor.
 IDM: Máxima corriente de drenador.
 Tjmax: Temperatura máxima de la unión, que condiciona la máxima
potencia que puede disipar el dispositivo.

Comportamiento térmico
Coeficiente de temperatura positivo:
ID ↑  Tj ↑  rDS(ON) ↑  ID ↓ -
 No se produce avalancha secundaria.
 SOA más amplia que el BJT.
 Facilidad de conexión en paralelo de MOSFET de potencia (sin red

de ecualización).

4.4 Transistor IGBT
 Características:  Estructura:
Control: similar al MOSFET.
Salida: similar al BJT
 Alta impedancia de entrada:
control por tensión.
 Baja caída de tensión colector-
emisor en conducción.
 Soporta corrientes y tensiones
elevadas.
 Velocidad de conmutación alta
(menor que los Mosfets).
 SOA sin segunda ruptura.
 Fácil puesta en paralelo.
 Símbolo:

Zonas de trabajo del IGBT
Zona de corte: VGS<VGS(th)

(threshold voltage, tensión umbral)
Zona activa: No se emplea.
Zona de saturación: similar a la

zona de saturación del BJT.

Características de conmutación
El encendido es análogo al del MOS,
en el apagado destaca la corriente de
“cola”:
La corriente de cola se debe a la
conmutación más lenta del BJT, debido
a la carga almacenada en su base
(huecos en la región n-).
 Provoca pérdidas importantes
(corriente relativamente alta y
tensión muy elevada) y limita la
frecuencia de funcionamiento.
 La corriente de cola, al estar
compuesta por huecos que circulan
por la resistencia de dispersión, es la
causa del “latch up” dinámico.
 Se puede acelerar la conmutación del BJT disminuyendo la vida media de los
huecos en dicha capa (creando centros de recombinación). Tiene el
inconveniente de producir más pérdidas en conducción. ⇒ Es necesario un
compromiso.
 SOA directamente Polarizada  SOA inversamente Polarizada
Límites del SOA:

 Máxima tensión de ruptura entre colector-emisor (VCE) sin que se
deterioren las características del transistor.
 Máxima corriente de colector IC.
 Máxima temperatura de la unión, que condiciona la máxima
potencia que puede disipar el dispositivo.
 Al subir la corriente, sube la temperatura disminuyendo la caída de
potencial (suben menos las pérdidas).
5. Disparo de semiconductores

Disparo Aislado (1)
 Disparo de semiconductores de potencia: Se realiza entre la
terminal de control y la terminal de referencia.
Necesidad de aislamiento: Cuando la referencia del circuito de

control es diferente de la referencia del semiconductor de potencia es
necesario el aislamiento.
Ejemplo: Configuración semipuente

Disparo de S1: Entre G1 y S1
Disparo de S2: Entre G2 y S2).
 Dispositivos para aislamiento del disparo:
• Transformadores de impulsos.
• Optoacopladores.

Disparo Aislado (2)
 Transformadores de impulso: Son transformadores de pequeña
potencia
Ventajas:
• Aislamiento galvánico entre el circuito de control y el de potencia.
• Simplificación del circuito de control.
• Se eliminan falsos disparos producidos por interferencias.
Inconvenientes:
• No transmiten señales de continua.
Características:
El producto tensión aplicada por duración
del pulso (V·τo) es una constante de cada
modelo (por ejemplo: 100 V·μs); suele ser
suficiente una duración de pulso entre 20
y 50 μs.
Aplicaciones:
• Disparo de SCR, TRIAC, MOSFET de potencia e IGBT.
Disparo Aislado (3)
 Optoacopladores: Dispositivos formados por un diodo emisor de
radiación y un elemento fotodetector.
Ventaja: Pueden transmitir señales de continua.
Inconveniente: Necesitan una fuente de alimentación auxiliar aislada.
Aplicación: Aislamiento entre señales de control y circuitos de

potencia.
Circuitos básicos:

Circuitos de disparo de Tiristores (1)
 Disparo por alimentación en corriente alterna sin aislamiento

 Disparo por pulsos de larga duración con aislamiento por
transformador de impulsos

 Disparo por trenes de impulsos con aislamiento por
transformador de impulsos

 Circuito de disparo aislado mediante optotransistor

 Circuito de disparo aislado de un triac mediante optodiac

Circuitos de disparo para el BJT (1)
 Circuito de disparo básico por RC

Circuitos de disparo para el BJT (2)
 Circuito de disparo por BJT auxiliar
Conmutación a saturación: rápida (por Q1)

Conmutación a corte: lenta (por R2)
Configuración simétrica complementaria.
Conmutación a ON: rápida (por Q1)
Conmutación a corte: rápida (por Q2)

Circuitos de disparo para el MOSFET e IGBT (1)
 Conectado entre terminales G y S.
 Debe aplicar IG > 0 en la conmutación a ON.
 Debe aplicar IG ≤ 0 en la conmutación a OFF.
 Debe ser capaz de entregar y absorber picos de corriente elevados.
 Circuito de disparo  Circuito de disparo bipolar

unipolar totem-pole e inversor totem-pole

 Circuito de disparo con transformador de impulsos

 Circuito de disparo con optoacoplador

 Circuito de disparo con bootstrap
Circuito integrado IR2110

6. Cálculos térmicos

Necesidad de cálculos térmicos en semiconductores
Problema a resolver: Al circular corrientes por los dispositivos y conmutar
entre corte y saturación se producen unas pérdidas de potencia en forma
de calor en el dispositivo. Si este calor no es extraído del interior del
dispositivo, provocará una subida de la temperatura del semiconductor.
La temperatura en el cristal de silicio no puede superar un valor máximo,
(normalmente Tjmax=125ºC), ya que:
 Empeoran las características funcionales del dispositivo.
 La vida media esperada disminuye al aumentar la temperatura.
Puede observarse que un
dispositivo funcionando a 75ºC
durará unas cuatro veces más que
si trabaja a su temperatura máxima,
por tanto es muy importante
mantener la temperatura del cristal
controlada, aún en las condiciones
más desfavorables (Máximas
disipación de potencia y
temperatura del medio ambiente)

Acciones a tomar
 Debe limitarse la potencia disipada en el dispositivo (pérdidas):
 Usar dispositivos con menor caída en conducción.
 Limitar la corriente máxima por el dispositivo.
 Usar técnicas que minimicen las pérdidas en conmutación.
 O bien facilitar la evacuación del calor generado hacia el medio
ambiente (supuesto como un sumidero de calor infinito) empleando:
 Cápsulas adecuadas  Radiadores
(Fabricante)
 Radiadores con
ventilación forzada
 Refrigeración por
líquidos

Transmisión de calor (1)
 Por Convección:
El mecanismo de convección del calor
ocurre entre un sólido y el fluido con el
que está en contacto. Las capas del
fluido más próximas se calientan y crean
un flujo (convección natural) o mediante
un ventilador o bomba se establece un
flujo (convección forzada).
La transferencia de calor por Convección (natural, en el aire) se puede
estimar por: Pconv=1.34 A(ΔT)1.25/d0.25, donde:
 Pconv es la potencia transferida por el mecanismo de convección desde
el disipador hacia el ambiente.
 A es el área de la superficie vertical (m2).
 d es la altura vertical del área de la superficie A (m).
 ΔT es el incremento de temperatura entre el fluido y la superficie (ºC).
 La resistencia térmica equivalente será por tanto:

 Por Radiación:
El mecanismo de radiación consiste en
la emisión por una superficie de energía
en forma de radiación electromagnética
(infrarrojos), por tanto no necesita un
medio material para producirse.
La transferencia de calor por Radiación se rige por la ley de Stefan
Boltzmann: Prad=σEA(Ts4 - Ta4), donde:
 Prad es la potencia transferida entre la superficie del disipador y el ambiente.
 E es la emisividad de la superficie del disipador. Depende del tipo de
material. Para objetos oscuro, como el aluminio pintado de negro utilizado en
radiadores, es 0.9.
 A es el área de la superficie (m2).
 Ts es la temperatura de la superficie expresada en K.
 σ = 5.67·10-8·W·m-2· K-4 es la constante de Boltzmann

 Por Conducción:
En un material conductor del calor, el flujo de
calor va desde los puntos más calientes del
material hacia los más fríos.
Según la ley de Fourier, la evacuación de
calor por conducción se puede aproximar
suponiendo que el material que conduce el
calor presenta una resistencia térmica
independiente de la temperatura y de la
cantidad de calor evacuada:
Donde:
 ρθ es la resistividad térmica del material (ºC⋅m/W).
 l es la longitud (m).
 A es el área (m2).
 PD es la potencia disipada (W).

Cálculos Térmicos (1)
 Analogía entre magnitudes térmicas y eléctricas
Circuito Térmico:
Circuito Térmico Circuito Eléctrico
Temperatura Tensión
Potencia Corriente
Resistencia Térmica Resistencia
Ley de Ohm Térmica: Tj – Ta = Pd·Rθja
Resistencia térmica ( C/W ó K/W)

 Transmisión de potencia en semiconductores
Unión PN (j)  Cápsula (c)  Ambiente (a)-
Circuito Térmico:
Ley de Ohm Térmica: Tj – Ta = Pd·(Rθjc + Rθca)

 Necesidad de disipador o radiador

Cálculo de radiadores (1)
 Transmisión de calor en un semiconductor con radiador
Unión PN (j)  Cápsula (c)  Radiador (r)  Ambiente (a) -

Circuito Térmico:
Rθca >> Rθcs + Rθsa

Ecuaciones:
Tj = Ta + Pd·(Rθjc + Rθcs + Rθsa) < Tjmax 
• Rθsa: Depende del radiador seleccionado.

• Ta: Temperatura ambiente por medición o estimación (40 C).
• Pd: Perdidas que se calculan según las condiciones de funcionamiento.
• Tjmax, Rθjc: Dependen del semiconductor.
• Rθcs: Depende del tipo de encapsulado, del aislante eléctrico (mica por
ejemplo), de la presencia de grasa de silicona que mejora el contacto
térmico, de la presión del montaje, etc. Los valores típicos están
comprendidos entre 0.1 C/W y 6 C/W.
 Se calcula Rθsa y se elige el radiador adecuado. Con las hojas de datos se

determina el tipo y la longitud de perfil necesaria.
 Para potencias a disipar elevadas (Rθsa ↓↓ , radiador ↑↑--) se puede:
• Asociar semiconductores en paralelo o serie.
• Modificar el proceso de transmisión de calor. Convección forzada.

Disipadores. Aspectos prácticos (1)
 Convección forzada
Las secciones de tipo corrugadas se usan en aplicaciones de convección

natural porque son mas delgadas y permiten una separación mayor entre
láminas.
Las secciones de tipo serradas se usan en aplicaciones de convección
forzada, ya que aumentan la turbulencia del flujo y por tanto el flujo de
calor entre el disipador y el fluido.
Las secciones rectas no se recomiendan en aplicaciones de gran potencia
debido a su menor capacidad de transferencia de calor.

 Refrigeradores por liquido (1)
Mediante estos dispositivos, se puede
evacuar una gran cantidad de calor con un
tamaño de disipador mucho más reducido si
se compara con los refrigerados por aire.
Normalmente se empleará un circuito
cerrado, y se forzará mediante una bomba la
circulación del líquido. Suele utilizarse como
líquido refrigerante agua (a veces con
aditivos).
El circuito completo será:

 Refrigeradores por liquido (2)
Si se utiliza un sistema que incluya un líquido

que se evapora y condensa, el coeficiente h
que define la cantidad de calor que se
evacua por convección, alcanza un valor
muy alto.

7. Protecciones

7. Protecciones
Protección de dispositivos semiconductores
Los dispositivos deberán protegerse contra:
 Sobrecorrientes:
 Posibles causas:
• Sobrecargas.
• Cortocircuitos.
 Medidas a tomar: Al tratarse ambas causas de un mal funcionamiento, debe
detenerse la operación del dispositivo, hasta que un operador repare la
causa.
• Fusibles.
• Interruptores.
 Sobretensiones:
 Causas externas al circuito:
• Perturbaciones atmosféricas
• Conexiones y desconexiones de equipos en la red.
 Causas internas al circuito:
• Variaciones bruscas de corrientes por bobinas.
 Medidas a tomar: Al ser un funcionamiento normal del circuito, deberá
evitarse que se superen los límites de tensión de cada dispositivo y sus
derivadas. Por tanto, se limitará el efecto de las sobretensiones dejando el
circuito en servicio.
• Redes RC.
• Dispositivos auxiliares limitadores de tensión.

7. Protecciones
Protección contra sobrecorrientes (1)
Los parámetros que permiten determinar los límites de sobrecorriente de
los semiconductores son, principalmente:
• Corriente máxima directa de pico no repetitivo
• Valor limite de I2t
 Fusibles
Al seleccionar un fusible es necesario
calcular la corriente de fallo y tener en
cuenta lo siguiente:
1. El fusible debe conducir de forma
continua la corriente nominal del dispositivo.
2. El valor de la energía permitida del
fusible (I2tc) debe ser menor que la del
dispositivo que se pretende proteger.
3. El fusible debe ser capaz de soportar
toda la tensión una vez que se haya
extinguido el arco.
4. La tensión que provoca un arco en el
fusible debe ser mayor que la tensión de
pico del dispositivo.

7. Protecciones
Los parámetros que permiten determinar los límites de sobrecorriente de
los semiconductores son, principalmente:
• Corriente máxima directa de pico no repetitivo
• Valor limite de I2t
 Fusibles
Al seleccionar un fusible es necesario
calcular la corriente de fallo y tener en
cuenta lo siguiente:
1. El fusible debe conducir de forma
continua la corriente nominal del dispositivo.
2. El valor de la energía permitida del
fusible (I2tc) debe ser menor que la del
dispositivo que se pretende proteger.
3. El fusible debe ser capaz de soportar
toda la tensión una vez que se haya
extinguido el arco.
4. La tensión que provoca un arco en el
fusible debe ser mayor que la tensión de
pico del dispositivo.

7. Protecciones
 Protección completa con un fusible
 Gráfica comparativa de diferentes

elementos de protección contra
sobrecorrientes

7. Protecciones
Protección contra sobretensiones (1)
 SVS: Silicon Surge Voltage Supressor
Hace el efecto de dos diodos Zener conectados en antiparalelo, entrando
en conducción si se supera la tensión límite, protegiendo los dispositivos
contra sobretensiones.
Se conectarán en paralelo con el dispositivo o equipo que deba ser
protegido, así para proteger a un SCR, se elegirá un SVS de forma que
teniendo en cuenta las tolerancias de fabricación del SVS para la corriente
máxima prevista por el SVS no se alcance la tensión VDRM o VRRM del SCR.
 Símbolo.  Tensiones y corrientes al conectar un SVS
en paralelo con un SCR.

7. Protecciones
 Los Diodos de Selenio son Diodos Zener, y por tanto protegen en un solo
sentido. Son bastante antiguos y con poca capacidad de disipación de
energía.
 Los MOV (Metal Oxido Varistor): son resistencias no lineales dependientes
de la tensión, de forma que a tensiones por debajo del umbral presentan una
resistividad muy elevada, pero al superar su umbral tienen una resistividad
mucho mas baja comportándose de forma parecida a los SVS (como dos
diodos Zener en antiserie). Son dispositivos formados por un aglomerado de
microgránulos de óxido de Zinc, y pequeñas cantidades de otros óxidos
metálicos (Bismuto, Cobalto, Manganeso...). Estos gránulos forman uniones
p-n en sus bordes, de forma que el conjunto es un numero elevado de
uniones p-n en serie.
 Los Descargadores de gas están formados por un tubo de diversos
materiales (cerámica, vidrio, etc.) en el interior del cual se encuentran dos
electrodos con conexión al exterior y además contiene un gas noble a
presión, generalmente de argón y neón. Cuando la tensión en los extremos
de los electrodos alcanza un determinado valor superior a la tensión de
encendido se produce la ionización del gas y se genera un arco, de forma
que la tensión entre terminales corresponderá a la tensión de arco, siendo
de valor inferior al que produce la ionización.

7. Protecciones
 Combinación de protecciones frente a sobretensiones
Descargador de gas Varistor Diodo zener
Pico de
Hasta 50kA Hasta 2kA Hasta 0.2kA
corriente
Tiempo de
500ns <25ns <10ps
respuesta

7. Protecciones
Protecciones del interruptor de potencia incorporadas
en el circuito de control (1)
 Protección contra sobrecorriente
El problema que se plantea al intentar proteger contra sobrecorrientes a dispositivos tipo

BJT, MOS o IGBT, es que la corriente no sube a valores lo bastante altos para que actuen
a tiempo los fusibles, por ello debe realizarse la protección desde el circuito de disparo,
así en los IGBTs:
 Al aplicar la tensión VGS de 15 voltios (recomendada por los fabricantes) en caso de
cortocircuito la corriente se multiplica por cuatro y el circuito de control tiene entre 5 y
10 μs para quitar la tensión de puerta (si la temperatura inicial es menor que 125ºC).
 Si se aplicase la tensión máxima permitida por el espesor del óxido (20V), la corriente
de cortocircuito subiría mucho más y el fabricante no garantiza el corte del dispositivo
a tiempo.
 En un cortocircuito, pueden darse dos casos:
a) Cierre del interruptor cuando ya se ha producido un cortocircuito
b) Se produce un cortocircuito cuando el dispositivo está conduciendo.

7. Protecciones
Protecciones del interruptor de potencia incorporadas
en el circuito de control (2)
a) Cierre del dispositivo sobre un b) Se produce un cortocircuito
cortocircuito cuando está conduciendo el
dispositivo
Al cerrar el IGBT sobre un cortocircuito, Al producirse un cortocircuito cuando el

la tensión VDS cae ligeramente, pero se IGBT está conduciendo, la corriente sube
mantiene a un valor muy alto, lo que hasta aproximadamente 4 veces la
permite al circuito de control detectar el corriente nominal y la tensión sube hasta
malfuncionamiento y dar orden de cortar prácticamente el valor de corte. Se
al dispositivo. produce una subida muy rápida de la
corriente y de la tensión.
7. Protecciones
Redes de ayuda a la conmutación o snubbers
 Protección contra sobretensión
Las redes snubber reducen las perdidas de potencia en un dispositivo
semiconductor durante la conmutación (aunque no necesariamente las
pérdidas totales de conmutación) y protegen al dispositivo de los
estreses a los que se ve sometido durante la conmutación debido a las
altas tensiones y corrientes. Existen tres tipos de redes snubber
dependiendo de la característica a mejorar:
 Redes de ayuda al bloqueo

 Redes de ayuda a la conducción.
 Redes de eliminación de sobretensiones
Dichas redes se encuentran formadas por diodos, resistencias,

condensadores y en algunos casos inductores.
El diseño y las topologías utilizadas para la implementación de las

redes snubber no serán abordadas en el presente curso.

7. Protecciones
Conmutación sin snubbers
Los circuitos auxiliares empleados como amortiguadores de encendido
o de apagado, suponen una complejidad y un coste añadidos al circuito
que deben evitarse si es posible. Es decir, no se usarán si el propio
circuito garantiza que no se superarán los límites de derivadas de la
corriente y tensión máximas ni las sobretensiones inducidas en las
bobinas.
 Dispositivos con área de operación segura casi cuadrada como el
IGBT son buenos candidatos.
 Dispositivos cuya velocidad de conmutación pueda controlarse
fácilmente como el MOS y el IGBT también son buenos candidatos,
ya que haciendo que el dispositivo conmute más lento, se pueden
controlar las derivadas de la corriente y tensión máximas y las
sobretensiones inducidas en las bobinas.
 Al hacer que los dispositivos conmuten con tiempos de subida o
bajada mayores las pérdidas de conmutación suben.
 Para compensar estas pérdidas es necesario trabajar a frecuencias
más bajas.

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1.

Introducción a los semiconductores de potencia

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Características de conmutación: Carga resistiva (1)

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Características de conmutación: Carga resistiva (2)

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Características de conmutación: Carga resistiva (3)

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Características de conmutación: Carga R – L↑↑ (1)

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Características de conmutación: Carga R – L↑↑ (2)

• Td(ON): Tiempo de retardo en la conmutación

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Características de conmutación: Carga R – L↑↑ (3)

• td(OFF): Tiempo de retardo en la conmutación

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Características de conmutación: Carga R – L↑↑ (4)

 Frecuencia máxima de conmutación: (Ley práctica)

Hojas de datos (1)

 Las Magnitudes: y su nomenclatura habitualmente utilizadas

(minúscula  Valores Instantáneos)

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Hojas de datos (2)

 Los Subíndices de uso más común en las características de

 AV = Valor medio (Average value).

- Por ejemplo: IAV  Corriente media

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Hojas de datos (3)

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Hojas de datos (4)

 Termal Data o datos

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Hojas de datos (5)

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Hojas de datos (7)

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Tipos de semiconductores de potencia

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Potencia frente a frecuencia de conmutación en

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 Conducción (V > 0): Puede conducir corriente elevada, con caída de

Características de Catálogo en Polarización Inversa:

Características de Catálogo en Polarización Directa:

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Aproximando el área bajo la

Características dinámicas (2)

 diF/dt; cuanto mayor sea, menor será trr. No obstante, el aumento de

 T; cuanto mayor sea la temperatura, aumentarán tanto Q como trr.

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Pérdidas en los diodos

 En Conducción: Dichos cálculos se realizan a partir de la siguiente

También pueden ser calculadas a partir del uso de catálogos.

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Principales características de los diodos de potencia

recuperación 50V→3kV 1A→100’sA <5µseg