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Universidad de Carabobo

Facultad de Ingeniería
Escuela de Eléctrica
Electrónica de Potencia

PRÁCTICA N°0

Olga Virgüez

C.I.25110361
1) Energía, potencia instantánea y potencia media

Construya el circuito mostrado en la Figura 1, el cual corresponde al Ejemplo 2-11 del texto.

a) Obtenga las formas de onda del voltaje, de la corriente y de la potencia instantánea en la


resistencia, así como de la energía absorbida por la resistencia.

Voltaje de la resistencia
Corriente de la resistencia

Potencia instantánea en la resistencia

Energía absorbida por la resistencia en un periodo


Potencia media de la resistencia

b) Complete la tabla siguiente con los resultados obtenidos a partir de la simulación.


Potencia media en la resistencia 9.9984W

Energía en la resistencia
después de un período
166.67mJ

Valor pico de la corriente 2A

2) Valor rms y serie de Fourier


Construya el circuito mostrado en la Figura 2, el cual corresponde al Ejemplo 2-12 del
texto.

a) Obtenga las formas de onda del valor instantáneo de la corriente y de su valor rms
b) Obtenga el listado de componentes armónicas de la tensión y la corriente en bornes de la
carga RL (considere solamente 10 armónicas).
c) Obtenga el espectro de frecuencia del voltaje y de la corriente
a) Forma de onda de la corriente

Valor RMS de la corriente


b) Listado de las componentes armónicas de la tensión

c) Espectro de frecuencia del voltaje y de la corriente


d) Complete la tabla siguiente con los resultados obtenidos a partir de la simulación

Potencia media en la resistencia 42.676W

Energía en la resistencia después de un 860.26mJ


período

Valor rms de la corriente 4.4688A

THD del voltaje 50.430755

THD de la corriente 23.571701


3) Recuperación de energía

Construya el circuito mostrado en la Figura 3, el cual corresponde al Ejemplo 2-13 del


texto. Este circuito consta de un switch o interruptor controlado por tensión, el cual simula
el funcionamiento de un transistor en los estados ON (saturación) y OFF (corte). Al cerrarse
el interruptor se permite la transferencia de energía a la inductancia y al abrirse se produce
la transferencia de la energía almacenada a la resistencia.

a) Obtenga las formas de onda de la corriente en la inductancia y de la corriente en la


resistencia.
b) Complete la tabla siguiente con los resultados obtenidos a partir de la simulación.
c) Observe el voltaje en bornes del interruptor (transistor). A continuación cambie el valor
de la resistencia R por 200KΩ (prácticamente un circuito abierto) y observe
nuevamente el voltaje en bornes del interruptor. Comente lo sucedido y emita
conclusiones.
a)Formas de onda de la corriente en la inductancia y de la corriente en la resistencia.

b) Complete la tabla siguiente con los resultados obtenidos a partir de la simulación

Corriente máxima en la 4.4 A


inductancia

Corriente rms en la 972.52mA


resistencia

Energía máxima almacenada 1.936mJ


en la inductancia

Potencia media suministrada 19.916W


por la fuente de alimentación

Energía absorbida por la resistencia 1.8914 J

C) Observe el voltaje en bornes del interruptor (transistor). A continuación cambie el valor de la


resistencia R por 200KΩ (prácticamente un circuito abierto) y observe nuevamente el voltaje en
bornes del interruptor. Comente lo sucedido y emita conclusiones.

Con la resistencia de 20Ω se observa que mientras conduce el transistor la tensión en bornes
del mismo tiende a la tensión de la fuente y cuando deja de conducir, se eleva e instantáneamente
disminuye exponencialmente con la constante de tiempo hasta estabilizarse en el valor de Vcc.
Cuando se hace el cambio a la resistencia de 200kΩ estamos prácticamente abriendo el camino de
la resistencia y el diodo, es decir, eliminando el camino por el cual se libera la energía almacenada
en la bobina cuando deja de conducir el transistor, por lo que, se observa un incremento
desmesurado en la tensión en los bornes del mismo debido a la disminución rápida de la corriente
en la bobina, lo cual sin duda podría destruir al transistor.

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