Primera Prueba de Cátedra Electrónica de Estados Sólidos EIE-351

Profesor: Daniel Yunge Sepúlveda Nombre:

Jueves 6 de Mayo de 2010

Escriba cada paso del desarrollo. No se considerarán las respuestas sin desarrollo.
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1) Marque Verdadero o Falso para cada afirmación, justificando las respuestas falsas. 0.1 puntos
cada pregunta correcta, -0.025 puntos por cada pregunta incorrecta.

A) El silicio tiene menor conductividad que el germanio: V___ F____

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B) La resistividad de un material es directamente proporcional al área del material: V___ F____

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C) El material tipo N se forma agregando átomos con 3 electrones de valencia: V___ F____

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D) Se denomina región de agotamiento por la disminución de portadores en esta región: V___ F____

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E) Portadores extrínsecos son los portadores generados al agregar impurezas al semiconductor:
V___ F____

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F) Un diodo Zener posee más impurezas que en un diodo convencional: V___ F____

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G) Dopaje significa agregar impurezas para cambiar las propiedades eléctricas del material extrínseco:
V___ F____

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H) Un átomo de germanio posee 3 órbitas en el modelo atómico de Bohr: V___ F____

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I) La ventaja del germanio sobre el silicio es que el primero tiene una temperatura máxima de
operación de 200°C, mientras que en el silicio es solo de 100°C: V___ F____

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J) En la hoja de datos de un diodo, VF se refiere a la tensión de polarización directa: V___ F____

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K) Un semiconductor aumenta su resistividad con el aumento de temperatura porque aumenta la
cantidad de portadores, lo que dificultan la conducción: V___ F____

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L) En el material tipo N, los huecos son portadores minoritarios: V___ F____

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2) Calcule la corriente de polarización inversa de un diodo de silicio, dado que su resistencia

estática con VQ = VD es igual a 20[ohm], su tensión de polarización directa es igual a 0,7[V] y su
temperatura es de 27°C. Hasta 200mA se considera un nivel bajo de corriente. (1.2 puntos)
k ⋅Vd VQ
Tk Rdc = Q=Punto de operación
I D = I s ⋅ (e − 1) IQ
Ge, a cualquier nivel de I d
Tk = Tc + 273° η =1 ∆V
Si, a niveles altos de I d RAv =
∆I
11600
k= η = 2 Si, a niveles bajos de I d dV
η Rac = Vq
dI
3) Para el diodo cuya característica aparece en el gráfico 1, calcular:
a) Resistencia estática Q1, Q2 y Q3. (0.2 puntos)
b) Resistencia dinámica (pendiente) en Q2. (0.2 puntos)
c) Resistencia promedio entre Q1 y Q3. (0.2 puntos)
d) Para el circuito 1, calcular I usando el método de recta de carga (dibuje la recta de carga sobre el
gráfico 1), donde el gráfico 1 es la curva característica de los diodos del circuito. (0.6 puntos)

Gráfico 1 Circuito 1

4) En el circuito 2 encontrar: Ia, Ib, Iz, Ig, Is, Va, Vb. (diodos simplificados) (1.2 puntos)

Circuito 2

5) Encontrar Vs en el circuito 3 (diodos ideales): (1.2 puntos)

Circuito 3

Bonus Track) Del circuito 3, dibujar salida Vs(t) para Ve=10*sen(wt), en vez de Ve=6V
(0.6 punto)