Instituto Politécnico Nacional

Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica

Unidad Zacatenco

Ingeniería en Comunicaciones y Electrónica

Tarea Previa Practica 1

Alumnos:
Benítez Partida Víctor Antonio
Cerón Juárez Héctor Emiliano
Materia: Dispositivos
Profesora: Arévalo González Elizabeth
Grupo: 5CV7
 Características de funcionamiento y limitaciones del diodo de
Silicio (Si)

Como ya se explicó anteriormente, en el punto de juntura o unión “p-n” de un semiconductor diodo

de silicio se forma una “barrera de potencial” en la que los huecos de la parte positiva, por un lado,
y los electrones de la parte negativa, por el otro, alcanzan un punto de equilibrio, creándose
alrededor de dicha unión una “zona de deplexión” (conocida también como “zona de carga
espacial”, “zona de agotamiento” o “zona de vaciado”), que impide que la corriente eléctrica fluya
a través del diodo así formado.

Cuando un diodo no se encuentra energizado, en el punto de unión o juntura “p-n” los huecos y los
electrones se encuentran en estado de equilibrio. Por consiguiente, en ese punto los denominados
“niveles de fermi” se emparejan o igualan a ambos lados de la unión.

Polarización Directa

Cuando un semiconductor diodo lo polarizamos de forma directa conectándole una fuente de fuerza
electromotriz o suministro eléctrico, su lado “P” se vuelve más positivo, lo que ocasiona que se cree
una diferencia en altura del “nivel de fermi” en la parte negativa del diodo. Esto facilita que los
electrones libres en esa parte alcancen la “banda de conducción” y puedan atravesar la unión o
juntura “p-n” pasando a llenar los “huecos” presentes al otro lado de la unión. De esa forma los
electrones alcanzarán la banda de conducción, atravesarán la unión “p-n” y saltarán de un hueco a
otro en la parte positiva (P) hasta concluir finalmente su recorrido en el polo positivo de la fuente
de suministro eléctrico. La situación que se produce se puede interpretar como: electrones
moviéndose en un sentido y huecos moviéndose en sentido opuesto.

Por tanto, en un diodo polarizado de forma directa, los electrones de la parte negativa (N) que han
sido elevados a la banda de conducción, así como los que se han difundido a través de la unión “p-
n”, poseen más energía que los huecos presentes en la parte positiva (P). De esa forma los
electrones se combinan sin esfuerzo con esos huecos, estableciéndose un flujo de corriente
electrónica a través de la unión “p-n”, en dirección al polo positivo de la batería

Polarización Inversa

Cuando el semiconductor diodo se polariza de forma inversa, el lado positivo “P” de la unión “p-n”
se vuelve negativo (debido a estar conectado al polo negativo de la batería). En esas condiciones el
“nivel de fermi” correspondiente a esa parte positiva crece en altura, impidiendo así que los
electrones se puedan mover a través del cristal semiconductor. Al estar polarizado de forma inversa
la “zona de deplexión” se amplía. Además, como se puede ver también, la diferencia de altura del
“nivel de fermi” en la parte positiva “P” del diodo aumenta, mientras que en la parte negativa “N”
disminuye. Por tanto, bajo esas circunstancias los electrones presentes en la parte negativa
carecerán de la suficiente energía para poder atravesar la unión “p-n”.
Los diodos de silicio tienen un voltaje de polarización directa de 0,7 voltios. Una vez que el
diferencial de voltaje entre el ánodo y el cátodo alcanza los 0,7 voltios, el diodo empezará a conducir
la corriente eléctrica a través de su unión pn. Cuando el diferencial de voltaje cae a menos de 0,7
voltios, la unión pn detendrá la conducción de la corriente eléctrica, y el diodo dejará de funcionar
como una vía eléctrica.
Resistencia en dc o estática

La aplicación de un voltaje dc a un circuito que contiene un diodo semiconductor tendrá por

resultado un punto de operación sobre la curva característica que no cambiará con el tiempo. La
resistencia del diodo en el punto de operación puede encontrarse con solo localizar los niveles
correspondientes de VD e ID como se muestra en la siguiente figura aplicando la ecuación:
𝑉𝐷
𝑅𝐷 =
𝐼𝐷
Los niveles de resistencia en dc en el punto de inflexión y hacia abajo serán mayores que los niveles
de resistencia que se obtienen para la sección de crecimiento vertical de las características. Como
es natural, los niveles de resistencia en la energía de polarización inversa serán muy altos. Debido a
que, por lo regular, los óhmetros utilizan una fuente de corriente relativamente constante, la
resistencia determinada será en el nivel de corriente predeterminado (casi siempre unos cuantos
miliampers).

Resistencia en ac o dinámica

A partir de la ecuación anterior resulta obvio que la resistencia en dc de un diodo es independiente

de la forma de la característica en la región que rodea el punto de interés. Si se aplica una entrada
senoidal en lugar de una entrada de dc, la situación cambiará por completo. La entrada variante
desplazará de manera instantánea el punto de operación hacia arriba y abaja en una región de las
características y por lo tanto, define un cambio especifico en corriente y voltaje. Sin tener una señal
con variación aplicada, el punto de operación sería el punto Q de la siguiente gráfica, determinado
por los niveles de dc aplicados. La designación del punto Q se deriva de la palabra estable que
significa “estable o sin variación”
La línea recta dibujada tangencialmente a la curva a través del punto Q, como se muestra en la
siguiente figura, definirá un cambio particular en el voltaje, así como en la corriente que pueden ser
utilizados para determinar la resistencia en ac o dinámica para esta región en las características del
diodo. Se debe de hacer un esfuerzo para mantener tan pequeño y equidistante como sea posible
el cambio en el voltaje y en la corriente a cualquier lado del punto Q. En forma de la siguiente
ecuación.
∆𝑉𝑑
𝑟𝑑 = 𝑑𝑜𝑛𝑑𝑒 ∆ 𝑠𝑖𝑔𝑛𝑖𝑓𝑖𝑐𝑎 𝑢𝑛 𝑐𝑎𝑚𝑏𝑖𝑜 𝑓𝑖𝑛𝑖𝑡𝑜 𝑒𝑛 𝑙𝑎 𝑐𝑎𝑛𝑡𝑑𝑎𝑑
∆𝐼𝑑
Mientras mayor sea la pendiente, menor será el valor de ∆𝑉𝑑 para el mismo cambio en ∆𝐼𝑑 y
menor será la resistencia. La resistencia ac en la región de crecimiento vertical de la característica
es, por lo tanto, muy pequeña, mientras que la resistencia ac es mucho más alta en los niveles de
corriente bajos.
 Potencia media y eficaz

En C.D

La fórmula de la potencia, en corriente continua, es P = V x I, potencia es igual a tensión a la que se

conecta el receptor, por la intensidad que atraviesa el receptor. Por lo tanto la potencia depende
de la tensión y de la intensidad. Si el receptor tiene una resistencia R, podríamos según ley de ohm
poner la fórmula de la potencia en función de la V y la R o de la I y la R del receptor. Recuerda que
la ley de ohm dice: V = I x R.

El valor eficaz de una corriente alterna, es el valor que tendría una corriente continua que produjera
la misma potencia que dicha corriente alterna, al aplicarla sobre una misma resistencia.

Es decir, se conoce el valor máximo de una corriente alterna (I0).

Se aplica ésta sobre una cierta resistencia y se mide la potencia producida sobre ella.

A continuación, se busca un valor de corriente continua que produzca la misma potencia sobre esa
misma resistencia. A este último valor, se le llama valor eficaz de la primera corriente (la alterna).
𝑉0 ∙ 𝐼0 𝑉0 ∙ 𝐼0
𝑃𝑒𝑓 = 𝑉𝑒𝑓 ∙ 𝐼𝑒𝑓 = =
√2 ∙ √2 2

En C.A

La potencia, como se dijo al principio de la sección, en circuitos de CA tiene varias maneras de

presentarse. El primer tipo de potencia que nos ocupa es la potencia instantánea, la cual es la
potencia en un instante de tiempo determinado. Esto es así debido a que en CA la corriente y el
voltaje varían respecto al tiempo.

La potencia instantánea se define como:

Sustituyendo las ecuaciones de voltaje y corriente, además de la reducción pertinente se obtiene la

ecuación general de la potencia instantánea:

Debido a que la potencia instantánea es difícil de medir físicamente con un Wattmetro, lo que se
mide y es más fácil de utilizar es la potencia promedio. Este tipo de potencia es el promedio de la
potencia instantánea a lo largo de un periodo y se define de la siguiente manera:
 o en su forma desarrollada:

De esta manera es como se calcula la potencia en los elementos de un circuito. Cabe destacar que
dependiendo el elemento que se esté analizando podemos evadir algunos pasos. Una carga resistiva
(R) absorbe potencia todo el tiempo, mientras que una carga reactiva (L o C) absorbe una potencia
promedio nula.

II Obtención de las curvas características de un diodo de silicio con señal de CD

Tabla 1. Mediciones diodo en polarización directa

Vs VD ID VR IR
0V 0V 0A 0V 0A
0.2 V 322.074 uV 200.4 pA 488.918 uV 1.482 uA
0.4 V 382.756 mV 52.255 uA 17.244 mV 52.255 uA
0.6 V 482.158 mV 357.097 uA 117.842 mV 357.097 uA
0.8 V 525.851 mV 830.753 uA 274.149 mV 830.753 uA
1V 551.353 mV 1.36 mA 448.647 mV 1.36 mA
2V 609.971 mV 4.212 mA 1.39 V 4.212 mA
3V 637.533 mV 7.159 mA 2.362 V 7.159 mA
4V 655.64 mV 10.134 mA 3.344 V 10.134 mA
5V 669.139 mV 13.124 mA 4.331 V 13.124 mA

Tabla 2. Mediciones diodo en polarización inversa

Vs VD ID VR IR
-1 V 999.989 mV 33.007 nA 10.893 uV 33.007 nA
-2 V 2V 34.014 nA 11.226 uV 34.014 nA
-3 V 3V 35.039 nA 11.549 uV 34.998 nA
-4 V 4V 36.06 nA 11.909 uV 36.088 nA
| -5 V 5V 37.037 nA 12.253 uV 37.131 nA

III Obtención de las curvas características de un diodo emisor de luz con señal de CD
 Tabla 3: Mediciones LED en polarización directa

Vs VLED ILED VR IR
0V 0V 0A 0V 0A
0.2 V 200 mV 199.84 pA 67.571 nV 205.391 pA
0.4 V 400 mV 405.231 pA 134.129 nV 405.231 pA
0.6 V 600 mV 621.725 pA 204.711 nv 632.827 pA
0.8 V 800 mV 854.872 pA 281.637 nV 865.974 pA
1V 999.999 mV 3.431 nA 1.136 uV 3.45 nA
2V 1.67 V 998.778 uA 329.597 mV 998.778 uA
3V 1.74 V 3.818 mA 1.26 V 3.818 mA
4V 1.77 V 6.759 mA 2.23 V 6.759 mV
5V 1.788 v 9.732 mV 3.212 V 9.732 mA

Tabla 4: Mediciones LED en polarización inversa

Vs VLED ILED VR IR
1V 1V 999.25 pA 333.243 nV 1.021 nA
2V 3V 2.021 nA 671.25 nV 2.043 nA
3V 3V 3.02 nA 1.004 uA 3.064 nA
4V 4V 4.041 nA 1.334 uV 4.086 nA
5V 5V 4.974 nA 1.667nV 4.9755 nA

IV Obtención de las curvas características de un diodo de silicio con señal de CA

Obtención de la curva característica de un diodo en polarización directa

Obtención de la curva característica de un diodo en polarización inversa

Obtención de la curva característica de un LED en polarización directa

Obtención de la curva característica de un LED en polarización inversa