UNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DIGITAL I

Fecha: 20/10/2017

INTRODUCCIÓN A LA ELECTRÓNICA DIGITAL

Práctica 1
Lenin Arturo Calero Almeida
e-mail: lcaleroa1@est.ups.edu.ec
Christian Adrián Castillo Hidrovo
e-mail: ccastilloh@est.ups.edu.ec

RESUMEN: Se realizará la implementación de 2.2. El transistor como conmutador

circuitos de conmutación en los cuales tendremos Cuando el transistor está en corte se puede
elementos como resistencias, y un transistor (TBJ) el comparar con un interruptor abierto y cuando está en
cuál actuará en corte y saturación en el encendido saturación es equivalente a un interruptor cerrado.
de diodos LED.

PALABRAS CLAVE: Resistencias, Diodos, TBJ,

Transistor.

1. OBJETIVOS

Diseñar e implementar circuitos digitales de

conmutación con transistores de juntura bipolar.

Analizar las condiciones para que el transistor

sea utilizado como instrumento de conmutación en el
circuito, es decir que trabaje en condiciones de corte Fig1. Transistor como conmutador
y saturación.
3. MATERIALES Y EQUIPO
Identificar la forma de análisis y conexión para
transistores TBJ NPN y PNP.
 Fuente DC
 Resistencias de 1K Ω y 330 Ω
2. MARCOTEÓRICO  Transistor 2N3904
 Transistor 2N3906
William Schockley invento el primer transistor de  Diodo LED
unión, un dispositivo semiconductor que permite  DIP Switch
amplificar señales electrónicas tales como señales
de radio y de televisión, así como también se lo
4. DESARROLLO Y PROCEDIMIENTO
puede usar como oscilador, conmutador o
rectificador.
Considerando los valores necesarios para el
El transistor es un dispositivo semiconductor de funcionamiento de un diodo LED y las condiciones de
tres capas que consta de dos capas de material tipo funcionamiento para el diseño, se procedió al cálculo
n y una de material tipo p o de dos capas de material de las resistencias para que el transistor conmute en
tipo p y una de material tipo n. El primero se llama base al estado del DIP Switch.
transistor npn y el segundo transistor pnp.
Consideraciones:
2.1. Tipos de Transistores
𝑉𝐶𝐶 = 5 𝑉
Transistor bipolar: El término bipolar refleja el
hecho de que huecos y electrones participan en el 𝐼𝐶 = 13.6 𝑚𝐴
proceso de inyección hacia el material opuestamente
polarizado. 𝛽 = 200

Transistor unipolar: Si se emplea sólo un portador 𝑉𝐿𝐸𝐷 = 2𝑉

(electrón o hueco), se considera que es un
dispositivo unipolar. El diodo Schottky pertenece a
𝐼𝐿𝐸𝐷 = 13.6 𝑚𝐴
esa clase.

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Sabiendo que se necesita manejar una corriente en el
emisor-colector de 13.6 mA se procede a calcular la TABLA 1.- TBJ NPN ENTRE CORTE Y SATURACIÓN
intensidad en la base necesaria para la saturación del VBB(Vdc) D1[ON/OFF]
transistor y su respectiva resistencia para alcanzar esta 0 OFF
5 ON
corriente

𝛽 = 200 Tabla 1, En corte LED apagado y en saturación

𝐼𝑐 = 𝛽 ∗ 𝐼𝑏 LED encendido.
𝐼𝑐
𝐼𝑏 =
𝛽 TABLA 2.- TBJ PNP EN CORTE Y SATURACIÓN
VBB(Vdc) D1[ON/OFF]
1.63𝑚𝐴 0 OFF
𝐼𝑏 = 5 ON
200

𝐼𝑏 = 58𝑢𝐴 Tabla 2, En corte LED encendido y en saturación

LED apagado.
para calcular la resistencia de la base se utiliza el
siguiente circuito equivalente
TABLA 3.- CONFIGURACIÓN TRANSISTOR NPN
VBB(Vdc) D1[ON/OFF] D2[ON/OFF]
0 ON OFF
5 OFF ON

Tabla 3, En corte LED1 encendido LED2 apagado

y en saturación LED1 apagado LED 2 encendido.
𝑉𝑟𝑏 = 5 − 0.7𝑉
TABLA 4.- CONFIGURACIÓN TRANSISTOR PNP
𝑉𝑟𝑏 = 4.3𝑉
VBB(Vdc) D1[ON/OFF] D2[ON/OFF]
𝑉𝑟𝑏 = 𝐼𝑟 ∗ 𝑅𝑏 0 OFF ON
5 ON OFF
𝑉𝑟
𝑅𝑏 =
𝐼𝑟 Tabla 4, En corte LED1 apagado LED2 encendido
3𝑉
𝑅𝑏 = 4. y en saturación LED1 encendido LED 2 apagado.
68𝑢𝐴

𝑅𝑏 = 63𝐾
6. CONCLUSIONES
Al utilizar un valor más aproximado a este 58K se
obtiene una corriente en la base correspondiente a  Durante la práctica se observó, que
cuando el circuito se encuentra saturado
𝑉𝑟 el voltaje colector emisor es de 0.2V
𝐼𝑟 =
𝑅𝑏

4.3𝑉
 Al diseñar un circuito con transistor se
𝐼𝑟 =
50𝐾
puede obtener un conmutador, teniendo
en cuenta, las zonas donde este se
𝐼𝑟 = 74.13𝑢𝐴 encuentra en corte y saturación.

Por lo tanto, la Ib será de 74.13uA por lo que se asegura  Utilizar el transistor como switch permite
la saturación del transistor.
una infinidad de aplicaciones ya que
podemos gobernar una carga a partir de
una pequeña señal.
5. ANÁLISIS Y RESULTADOS
 El transistor trabajara en corte o
saturación de manera adecuada siempre
Las tablas a continuación presentan el estado de
los LED de los diferentes circuitos, estos están en y cuando se tomen en cuenta parámetros
base a la configuración del transistor, verificando que importantes como voltaje de ruptura y
para tal o cual circuito el transistor se encuentra en corriente máxima que maneja el transistor
corte o saturación. entre colector emisor,

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7. REFERENCIAS

[1] R. Boylestad and L. Nashelsky, Electrónica, 1st ed.

México: Pearson Educación, 2009.
[2] P. Malvino, Principios de Electrónica, 1st ed. Madrid:
McGraw-Hill/Interamericana de España, 2000.

8. ANEXOS

Anexo 1