Valores tipicos de la energia de falla de apilamiento

Metal Stacking-fault energy,

mJ m^-2 (= erg cm^-2)
Acero inoxidable 310 45
plata ~25
aluminio ~200
oro ~50
cobre ~80
niquel ~150

El arreglo atomico en el plano {111} de una estructura fcc puede ser obtenido por el apilamiento de
los planos empaquetados de esferas. Para una estructura fcc, la secuencia de apilamiento de los
planos de los atomos es dado por la siguiente secuencia ABC ABC ABC.

Las fallas en la secuencia de apilamiento pueden ser producidad en la mayoria de los metales por
deformacion plastica. El deslizamiento en el plano {111} de una red fcc produce una deformacion de
apilamiento por el proceso que se muestra en la figura b. El deslizamiento ha ocurrido entre una capa
A y una capa B. La secuencia de apilamiento se ha convertido en ABC AC AB.

Otra forma en la cual una falla de apilamiento puede ocurrir en un metal fcc es por la secuencia
mostrada en la figura c. La secuencia de apilamiento ABC ACB CA es llamada falla de apilamiento
extrinseca o gemela. Las tres capas ACB constituyen la gemela. Asi, las fallas de apilamiento en los
metales fcc tambien pueden ser consideradas como gemelas submicroscopicas de espesor cercano
al atomico. La razon por la cual gemelos mecanicos de anchura microscopicamente resueltos no son
formados facilmente cuando los metales fcc son deformados es que la formacion de fallas de
apilamiento es muy energicamente favorable.

Las diferencias en el comportamiento de deformacion de los metales fcc son causadas por las
diferencies en el comportamiento de las fallas de apilamiento.

Las fallas de apilamiento influyen en la deformacion plastica de varias maneras. Los metales con gran
fallas de apilamiento (baja energia de falla de apilamiento) se endurecen con mas rapidez, los
gemelos son facilmente recocidos. Los metales con una alta energia de falla de apilamiento (SFE)
tienens una deformacion subestructural de dislocaciones y celdas, mientras que los metales con una
baja SFE muestran una deformacion subestructural de bandas, arreglos lineales de disclocaciones.
the atomic arrangement on the {111} plane of an fcc structure could be obtained by the stacking of
close-packed planes of spheres. For the fcc structure, the stacking sequence of the planes of atoms is
given by ABC ABC ABC.

Errors, or faults, in the stacking sequence can be produced in most metals by plastic deforrnation. Slip
on the {111} plane in an fcc lattice produces a deformation stacking fault by the process shown in Fig.
4-27b. Slip has occurred between an A and a B layer. The stacking sequence then becomes ABe AC
AB.

Another way in which a stacking fault could occur in an fcc metal is by the sequence? shown in Fig. 4-
27c. The stacking sequence ABC ACB CA is called an extrinsic, or twin, stacking fault. The three
layers A CB constitute the twin. Thus, stacking faults in fcc metals can also be considered as
submicroscopic twins of nearly atomic thickness. The reason why mechanical twins of microscopically
resolvable width are not formed readily when fcc metals are deformed is that theformation of stacking
faults is so energetically favorable.

The differences in the deformation behavior of fcc metals are due to the differences in stacking-fault
behavior.

Stacking faults infiuence the plastic deformation in a number of ways. Metals, with wide stacking faults
(low SFE) strain-harden more rapidly, twin easily on annealing, and show a different temperature
dependence of flow stress than metals with narrow stacking faults. Metals with high SFE have a
deformation substructure of dislocation tangles and cells, while low-SFE metals show a deformation
substructure of banded, linear arrays of dislocations.