Prácticas de Electrónica de Potencia

ELECTRÓNICA DE POTENCIA
PRÁCTICA 2
EL TRANSISTOR DE POTENCIA

El transistor y el diodo constituyen los componentes semiconductores más

frecuentes en los convertidores conmutados, siendo los encargados de realizar la propia
conmutación.

Como es sabido, los convertidores conmutados son sistemas de elevado

rendimiento, siendo justamente los elementos semiconductores y muy especialmente los
transistores quienes limitan el rendimiento máximo. Por esa razón, se dedica esta
segunda práctica a la caracterización del transistor de potencia y a la descripción de
algunos problemas asociados a este dispositivo en el contexto de convertidores
conmutados.

El estudio se centrará en el transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor

Field Effect Transistor) por tratarse de una las tecnologías que actualmente ofrece
mejores prestaciones en el terreno de la Electrónica de Potencia, a saber, mayor rapidez
en la conmutación y menores pérdidas.

1. CARACTERIZACIÓN ESTÁTICA DEL MOSFET

En el estudio a realizar, se considerará el transistor de potencia IRF330 fabricado

por International Rectifier, cuyos parámetros descriptivos más importantes son:

Tipo

IRF330 es un MOSFET de Canal N

Valores Máximos

Parámetro IRF330 Unidades

VDS 400 V

ID (Continua) 5.5 A

VGS ±20 V

PD (T = 25º C) 75 W

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Tabla I

Características eléctricas

Parámetro IRF330 (Valores típicos) Condiciones de test

VGS(th) Tensión umbral de puerta 4V VDS = VGS , ID = 25 µA

RDSon Resistencia estática DS en 0.8 Ω VGS = 10v , ID = 3 A

conducción

tr Tiempo de subida 35 ns

td (on) Tiempo de retardo a la 30 ns VDD ≈ 175 V , ID = 3 A

conducción

tf Tiempo de bajada 35 ns Zo = 15 Ω

td (off) Tiempo de retardo al corte 55 ns

D

LS Inductancia interna de surtidor 12.5 nH Ld

Ls
LD Inductancia interna de drenador
5 nH
S

Modelo Completo del MOSFET

Tabla II

1.1 Característica ID(VDS)

Se empezará obteniendo las curvas que relacionan la corriente de drenador ID con

la tensión drenador-surtidor VDS, utilizando como parámetro la tensión puerta-surtidor
(Ver Apéndice para recordatorio).

Ejercicios de simulación

Para conseguir la característica ID(VDS):

• Crear un fichero PSPICE que simule la estructura de la figura 1.

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• Introducir la línea:

.LIB <directorio de red que contenga POWER.LIB>

que indica la ubicación de la biblioteca de transistores de potencia.

• Realizar un primer barrido en continua (instrucción .DC) para VD variando

entre 0 V y 300 V con incrementos de 1 V, y VGS variando entre 0 V y 15 V
con incrementos de 5 V.

.DC VD 0 300 1 VG 0 15 5

+
M
IRF330 VD
10 V
+
VG
0V

Figura 1. Circuito para obtener ID(VDS).

Nota. La sintaxis para incluir un transistor MOS, contenido en una biblioteca de

componentes, es la siguiente:

Mx nd ng ns ns IRF330

♠ Identificar las diferentes zonas de funcionamiento.

♠ A la vista de la zona óhmica, ¿cuánto vale RD on?

• Realizar un segundo barrido en continua, con VD variando entre 0 y 10 V

en incrementos de 10 mV, y VGS variando entre 4 V y 5 V en incrementos de
0.5 V.

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♠ Comparar los resultados de las simulaciones con las gráficas del

fabricante (figura 2).

Figura 2. Gráficas suministradas por el fabricante.

1.2 Característica ID(VGS)

Se pretende a continuación obtener la curva que relaciona la corriente de

drenador ID con la tensión puerta-surtidor, cuando el transistor se encuentra en la zona
activa.

Ejercicios de simulación

Para conseguir la característica ID(VGS), se pide:

• En el circuito antes realizado, fijar la tensión de drenador a 200 V y realizar un

barrido en la tensión de puerta-surtidor de 0 V a 6 V, en incrementos de 10 mV.

.DC VG 0 6 10m

♠ ¿Cuánto vale aproximadamente VT = VGS (th)? ¿Y el parámetro geométrico K?

2. CARACTERIZACIÓN DINÁMICA DEL MOSFET

Tanto el MOSFET como el transistor bipolar son dispositivos no lineales que con
una polarización adecuada pueden exhibir un comportamiento localmente lineal útil en
aplicaciones tales como amplificación.
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Sin embargo, en fuentes conmutadas, los elementos semiconductores operan

como conmutadores en los que es más importante obtener transiciones rápidas de
tensión y de corriente que obtener relaciones lineales entre esas variables.

En los próximos apartados se pondrán de manifiesto algunos de los aspectos

importantes de la conmutación del MOSFET, sin pretender realizar una caracterización
exhaustiva de la dinámica del dispositivo.

2.1 Conmutación con carga resistiva

2.1.1 Formas de onda. Tiempos de conmutación

• Realizar el circuito de la figura 3 utilizando como generador Vg una onda

cuadrada de 250 kHz, ciclo de trabajo de 50% y amplitud de 15 V:

.PARAM Fs = 250K, T = {1/Fs}

VG n1 n2 PULSE (15 0 0 1N 1N {T/2} {T})
.OPTIONS RELTOL = 100U

Rg
15 Ω
M Rd
IRF330 50 Ω
+
Vg +
VD
175 V

Figura 3. MOSFET con carga resistiva.

♠ Después de realizar una simulación de 8µs, visualizar simultáneamente en la

misma gráfica la tensiones VG, VGS y la corriente iD. Haga un zoom mediante el
comando del mismo nombre en el flanco de subida de VGS.

Observe que la tensión VGS presenta dos inflexiones, que definen tres intervalos en el
transitorio de conducción del MOSFET. Durante el primer subintervalo, el transistor se
encuentra en zona de corte y la puerta se comporta como una capacidad (Cin ≈ 1 nF) que
se carga con una constante de tiempo τ = Rg Cin. El segundo subintervalo se inicia
cuando la tensión VGS supera la tensión umbral VT, instante en que el transistor entra en
zona activa y como consecuencia la corriente de drenador aumenta y la tensión VDS
disminuye. Mientras el transistor permanece en zona activa, la capacidad existente entre
drenador y puerta (Capacidad Miller, ver figura 4), representa una impedancia lo
bastante pequeña como para que la corriente de puerta se derive por ella. En este
segundo intervalo, la tensión de puerta VGS se mantiene aproximadamente constante

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hasta que se llega a la zona de saturación (VDS = VGS -VT), momento en que la
capacidad de entrada continua cargándose hasta alcanzar el valor dictado por VG.

C Miller

G C DS Diodo intrínseco

C in

Figura 4. Modelo eléctrico del MOSFET de Canal N.

♠ Visualizar VDS en la gráfica anterior. Recuerde que aplicando los

comandos “Y-Axis”, “Add Axis” previamente a la representación de cada
variable puede ajustar los fondos de escala de la misma ¿Cuánto duran los
transitorios de conducción y corte? Comparar con los datos del fabricante de
la tabla II.
♠ Realizar dos simulaciones más con los valores Rg = 50 Ω y Rg = 100 Ω.
¿Cómo se modifica la tensión de puerta en función de Rg?. Justifíquese a
partir de lo explicado. Puede realizar una simulación paramétrica escogiendo
RG como parámetro. Mediante el manual on line que se activa con la tecla
“F3” consulte la sintaxis del comando .PARAM para realizar dicha
simulación.

2.1.2 Pérdidas en el transistor

La energía disipada por el transistor se debe a las pérdidas durante la conducción

y a las pérdidas durante la conmutación. Las primeras son debidas a la disipación en la
resistencia de canal RDS on; las segundas son debidas a que el producto ID×VDS no es
nulo durante las transiciones. El objetivo de este apartado es cuantificar dichas pérdidas
completando la siguiente tabla a partir de las simulaciones realizadas:

Energía disipada por conducción en ON J/ciclo

Energía disipada por conmutación en ON→OFF J/ciclo

Energía disipada por conmutación en OFF→ON J/ciclo

Energía total disipada por ciclo J/ciclo

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Potencia disipada (Fs = 250 kHz) W

Tabla III

1) En la simulación anterior añada una gráfica adicional mediante los comandos “Plot
Control” y “Add Plot”. Visualice la potencia instantánea VDS ∗ ID e identifique las zonas
de pérdida por conducción y por conmutación.
2) Sin repetir la simulación temporal y para completar los datos de la tabla III, borre
todas las gráficas anteriores y represente en una sola gráfica la energía consumida por el
MOSFET, ∫VDS∗ID. PSPICE permite computar la integral de una variable o función de
variables mediante el comando S(x), por tanto la integral anterior puede programarse
como:
S( VDS * ID )
3) Introducir las inductancias internas Ls y Ld (cuyos valores se especifican en la tabla
II) y explicar cómo se modifican las formas de onda VGS y VDS realizando una nueva
simulación.

2.2 Conmutación con carga inductiva

Es una situación habitual en fuentes conmutadas que el transistor se encuentre con una
carga de tipo inductivo. En esos casos, surge la problemática asociada a producir
transitorios rápidos en la corriente sin que las correspondientes sobretensiones dañen el
transistor.

• Simular durante 5 µs el circuito de la figura 5.

L
0.5 µΗ
Rlimit
Ld
10 Ω

Rg
15 Ω +
M VD
IRF330 175 V
+
VG
250 kHz
D = 50 %
Ls

Figura 5. MOSFET con carga inductiva.

♠ ¿Cuánto vale la sobretensión en VDS?

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♠ Realizar un diagrama ID(VDS) identificando los puntos correspondientes a los estados

estacionarios ON y OFF del MOSFET. Cual es el sentido de recorrido de la gráfica?
Comparar este diagrama con el que se obtendría si la carga fuese resistiva.

♠ Repetir las simulaciones con Rg = 1 Ω y Rg = 50 Ω y estudiar el efecto sobre los

tiempos de subida y de bajada y sobre el rendimiento (pérdidas totales).

♠ ¿Se permanece dentro de la SOA ("Safe Operating Area", véase Tabla I), es decir, se
respetan los límites de ID max, VDS max y PD max?

• Con objeto de atenuar la sobretensión, se introduce en paralelo con la carga inductiva

una red de desmagnetización (figura 6).
D Voff
+

L=0.5 µH

Figura 6. Red desmagnetizadora del inductor.

Modifique el fichero para introducir dicha red. Utilice la siguiente instrucción para el
diodo (incluido en la librería POWER.LIB):

D nánodo ncátodo D1N5818

♠ Visualizar VDS y la corriente en el diodo después de realizar una nueva simulación, y

evaluar el efecto introducido por la red desmagnetizadora, para los siguientes valores de
Voff: Voff = 100, 20, 0 V (puede realizar una simulación paramétrica).
¿Cómo afecta Voff al sobreimpulso de tensión?

3. CIRCUITO DE EXCITACIÓN ("Driver")

Tal y como se ha visto, el MOSFET es un dispositivo de conmutación controlado

por tensión: el transistor conduce cuando la capacidad de puerta ha alcanzado una
tensión determinada, gracias al suministro de suficiente corriente. Por esa razón, cuando
el circuito que genera la señal de puerta ("Driver") es incapaz de entregar la corriente
con la dinámica requerida, la dinámica del transistor se degrada.

• Simular simultáneamente durante 8 µs los circuitos de la figura 9.

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Vcc
15 V

Q1
Rg1 Rg2 Q2N2222
15 Ω 15 Ω Re
M1 Rd1 M2 Rd2
IRF330 50 Ω IRF330 50 Ω
1Ω
+ + Q2
+ Q2N2907 +
VG1 VG2
VD1 VD2
175 V 175 V

Figuras 9a y 9b. Circuito amplificador de la corriente de puerta.

El circuito de la figura 9b incorpora un amplificador de corriente que mejora la

dinámica haciendo al circuito independiente de la resistencia de salida del generador
(Rg).

Nota. Los transistores bipolares serán designados:

Q1 nc1 nb ne Q2N2222
Q2 nc2 nb ne Q2N2907
ambos presentes en la biblioteca POWER.LIB utilizada.

♠ ¿En qué se diferencian las formas de onda de ambos circuitos?

4. CIRCUITOS DE PROTECCIÓN DEL TRANSISTOR: "Snubbers"

Los circuitos "snubbers" permiten proteger al transistor, bien atenuando

sobretensiones, bien suavizando las transiciones de tensión o de corriente con objeto de
disminuir la disipación en el transistor. Como contrapartida, generalmente se obtiene un
empeoramiento de los tiempos de conmutación.

En este último apartado se describen algunas redes de protección, utilizando un

transistor bipolar, ya que éste presenta unos tiempos de conmutación peores que los de
un transistor MOS, lo que permite poner en evidencia el efecto de las mencionadas
redes.

La primera de las redes de protección que será descrita, disminuirá las pérdidas
de conmutación en la transición ON→OFF; la segunda, resultará en una disminución
equivalente en la transición OFF→ON, y la tercera, disminuirá las pérdidas en ambas
transiciones.

4.1 Red de protección ON→OFF

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Para poner de manifiesto el efecto de estas redes, se considera el circuito de la

figura 10.
Q
QMOD

+ Rbase
1Ω D IDC
VDC
50 V 5A

+
Vbase

Figura 10. Circuito utilizado para el estudio de las redes de protección.

que corresponde a una estructura convertidora reductora.

• Crear un fichero que describa el circuito de la figura 10, añadiendo las

siguientes líneas que hacen referencia al generador de la excitación del
transistor bipolar y a su modelo:

.PARAM Fs = 20K, T = {1/Fs}

Vbase n1 n2 PULSE (0 5 0 1N 1N {T/2} {T})
Q nc nb ne QMOD
.MODEL QMOD NPN (tf = 333n tr = 50n)
.OPTIONS RELTOL = 200U

• Realizar una simulación de 100 µs y visualizar simultáneamente IC y VCE

(en las escalas apropiadas) durante la transición ON→OFF y notar que la
corriente IC no disminuye hasta que la tensión ha alcanzado el valor VDC
(figura 11).

E Disipada

Ic
I DC
Vce
VDC

Figura 11. Transición ON→OFF.

Como queda patente, la energía disipada es elevada, ya que los valores máximos
de la corriente y de la tensión coinciden en un mismo instante.
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♠ Evaluar la potencia disipada debida a la transición ON→OFF.

♠ Evaluar asimismo la potencia disipada debida a la transición OFF→ON.

Para poder reducir dicho valor de potencia disipada, se conectará, entre emisor y
colector, un condesador en paralelo con el transistor. Con él se conseguirá desfasar la
corriente y la tensión para que varíen simultáneamente ejerciendo así un control sobre la
velocidad de cambio de la tensión (figura 12).

Ic
I DC E Disipada
Vce
VDC

γ VDC

Figura 12. Transición ON→OFF con condensador paralelo.

♠ Introducir un condensador de 500 nF en paralelo con el transistor. Simular

el circuito durante 100 µs y observar cómo cambian las formas de onda de la
tensión VCE y la corriente IC durante la transición ON→OFF.

♠ ¿Cuánto valen ahora las pérdidas debidas a la transición ON→OFF

respecto a las obtenidas sin el condensador? ¿Y las debidas a la transición
OFF→ON?

Como puede observarse, han disminuido las pérdidas producidas por la

transición ON→OFF, sin embargo se han disparado las debidas al transitorio OFF→
ON. La explicación es sencilla: cuando el transistor entra en conducción, el condensador
se encuentra cargado aproximadamente a la tensión de VDC y toda la carga acumulada
debe circular por el transistor en un período breve de tiempo, lo que explica el peligroso
sobreimpulso en la corriente colector-emisor.

Con el fin de eliminar el pico de tensión, debe crearse un camino alternativo para
la corriente de descarga del condensador sin cambiar el camino de la corriente durante la
carga del mismo.

♠ Introducir la red de la figura 13 en lugar del condensador, incluyendo las

siguientes lineas que corresponden al diodo Schottky. Simular de nuevo y
visualizar las formas de onda. ¿Cuánto valen ahora las disipaciones en cada
cambio?

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Ds na nk SCHOK

.MODEL SCHOK D (N=1m)

Rs
10 Ω Cs
50 nF
Ds

Figura 13. Red de protección ON→OFF completa.

4.2 Red de ayuda OFF→ON

Si se visualiza la transición OFF→ON en la simulación realizada del circuito de

la figura 10, se comprueba cómo la tensión VCE no desciende hasta el momento en que
la corriente IC ha alcanzado el valor máximo (figura 14), originando nuevamente unas
pérdidas por conmutación relevantes.

E Disipada

Ic
I DC

VDC Vce

Figura 14. Transición OFF→ON.

El comportamiento de las variables en las figuras 11 y 14 es dual. Por ese

motivo, si en el caso anterior (transición ON→OFF) se desfasaba la tensión
introduciendo un condensador en paralelo con el colector-emisor, en este caso
(transición OFF→ON) se desfasará la corriente añadiendo un inductor en serie con el
colector o el emisor (figura 15).

Sin embargo, esta red sin ningún otro componente genera una elevada
sobretensión durante la conmutación ON→OFF, producto de la gran velocidad de
variación que se imprime a la corriente en el inductor. La introducción de un diodo y
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una resistencia tal como muestra la figura 16, permite disminuir las pérdidas y eliminar
la sobretensión.

Ls
Q 5 µΗ

Rbase
1Ω
+
Vbase

Figura 15. Red para desfasar IC respecto a VCE.

♠ Simular de nuevo el circuito de la figura 10 con la red de la figura 16 y,

después de observar las formas de onda, determinar las pérdidas en cada
conmutación.

Rs
1Ω Ds
+
Q Vbase
Ls
5 µΗ
Rbase
1Ω

Figura 16. Red de ayuda OFF→ON completa.

4.3 Red combinada de ayuda ON→OFF y OFF→ON

Recogiendo los resultados de los dos apartados anteriores, se intuye que una red
como la de la figura 17 disminuirá las pérdidas por conmutación en ambos transitorios.

♠ Simular el circuito de la figura 10 con la red de la figura 17 tras añadir la línea

siguiente:

.OPTIONS RELTOL=200U, ITL1=100, ITL2=50,ITL4=100

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Rs
50 Ω Cs
50 nF
Ds
Ls
3 µΗ
Q

Rbase
1Ω

Figura 17. Red de ayuda combinada.

después de observar las formas de onda, determinar las pérdidas en cada conmutación y
representar IC(VCE).

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APÉNDICE

Curvas características del MOSFET de canal N

D

Figura A.1. Símbolo del transistor MOSFET de canal N.

ID ID
ZONA ZONA
ÓHMICA ACTIVA

(ZONA ACTIVA)
VGS Creciente

VGS < VT

ZONA DE CORTE
VDS VT VGS
Figura A.2.a. Característica ID (VDS). Figura A.2.b. Característica ID (VGS).

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VGS < VT ID = 0 ( Zona de corte)

 V 2

VDS < ( VGS − VT ) I D = K  ( VGS − VT ) VDS − DS  ( Zona óhmica )

 2 
K 2
VDS > ( VGS − VT ) I D = I DSat = ( VGS − VT ) ( Zona activa )
2

siendo K un parámetro que depende de la geometría y del material, y VT la tensión

umbral.

31