Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
INFORME Previo 1 Electronicos 3
INFORME Previo 1 Electronicos 3
INFORME: PREVIO #1
CODIGO: 11190108
FIEE - UNMSM
Circuitos Electrónicos 3
I. OBJETIVOS:
FIEE - UNMSM
Circuitos Electrónicos 3
1.- Determine la expresión de Vo1, Vo2 y Vo3 en forma literal del amplificador mostrado en
la figura #1 (colector a Vo1). ¿En función de que parámetro principal se encuentra Vo(t) ?.
Considere Lin, Cin. Rp de la bobina y capacidades parásitas del transistor.
Del circuito
Vo2 = -nVo1
De donde V01 RP g mVbe en resonancia
Reemplazando:
RP g m
Vo 3 Vref
n'
R po R 112,06 K....( I )
Para: I=300µA
R po R 36,73K....( II )
De (II) Rpo debe ser el mínimo y en (I) el máximo, luego de la diferencia concluimos
que Rpo debe ser 75,33KΩ
FIEE - UNMSM
Circuitos Electrónicos 3
Tambien:
De forma experimental se debe girar de extremo a extremo el tornillo que se encuentra en
la parte superior de la bobina de color.
1
De (II) tenemos Lin (Cin Ce )
(2 f1 ) 2
1
LinCin LinCe …..(IV)
(2 f1 ) 2
Reemplazando IV en III:
1 1 1
Lin 2 2
4 Ce f1
2
fo
4.- Indique las consideraciones que se deben tomar en cuenta para escoger los
transistores:
Para los transistores Q1 y Q2 es que la principal consideración que debemos tener en cuenta es
que deben ser idénticos para formar el espejo de corriente.
En el transistor Q3:
La principal consideración es que este transistor sea capaz de operar a altas frecuencias.
BIBLIOGRAFÍA:
http://www.monografias.com/trabajos96/circuitos-sintonizados/circuitos-
sintonizados.shtml
https://sites.google.com/a/goumh.umh.es/circuitos-electronicos-
analogicos/transparencias/tema-5
FIEE - UNMSM