Instituto Politécnico Nacional

Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica

*Electrónica Análogica*

Integrantes:

Aguirre Salcedo Marco Alejandro

De la Rosa Alonso Kevin Alexis

Partida Herrera Alma Karen

Peña Ramírez Geovani

Práctica # 1 “DIODOS SEMICONDUCTORES”

Grupo:

4CV12
Profesor:

Ugalde Licea Sabino

Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación
de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido, bloqueando el paso si la
corriente circula en sentido contrario, no solo sirve para la circulación de corriente
eléctrica, sino que este la controla y resiste. Esto hace que el diodo tenga dos
posibles posiciones: una a favor de la corriente (polarización directa) y otra en contra
de la corriente (polarización inversa).

Un diodo semiconductor moderno está hecho de cristal semiconductor como el

silicio con impurezas en él para crear una región que contenga portadores de carga
negativa (electrones), llamada semiconductor de tipo n, y una región en el otro lado
que contenga portadores de carga positiva (huecos), llamada semiconductor tipo p.
Las terminales del diodo se unen a cada región. El límite dentro del cristal de estas
dos regiones, llamado una unión PN, es donde la importancia del diodo toma su
lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado n (llamado cátodo),
pero no en la dirección opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye
del ánodo al cátodo (opuesto al flujo de los electrones). Al unir ambos cristales, se
manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je). Al establecerse una
corriente de difusión, aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unión,
zona que recibe el nombre de región de agotamiento. A medida que progresa el
proceso de difusión, la región de agotamiento va incrementando su anchura
profundizando en los cristales a ambos lados de la unión. Sin embargo, la
acumulación de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea
un campo eléctrico (E) que actuará sobre los electrones libres de la zona n con una
determinada fuerza de desplazamiento, que se opondrá a la corriente de electrones
y terminará deteniéndolos. Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece
una diferencia de tensión entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es
de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V para los cristales de germanio.

OBJETIVO

Que los alumnos aprendan a tomar los voltajes, ubicar los distintos tipos de
polarización del diodo, graficar las caídas que va mostrando las diversas mediciones
con el multímetro, así como también las mostradas por el osciloscopio
Materiales

 Fuente de voltaje de 0 – 6 V
 Fuente de Voltaje de 6 – 25 V
 Generador de funciones con una frecuencia de 60 Hz
 Multimetro (Amperimetro, Voltimetro y Ohmetro)
 Osciloscopio
 Diodo de Silicio (1N4001, 1N4002, 1N4003)
 Resistencia 270 ohms, 2 W
 Resistencia 1Kohm, ½ W
 Protoboard
 Fusibles tipo Europeo 0.250 Amp, como repuesto

DESARROLLO

1. Un dispositivo semiconductor no puede soportar una sobrecarga de corriente;

cuando esto sucede, el diodo quedará dañado permanentemente. Generalmente
se sigue el procedimiento para determinar si un diodo está en buen estado y
constituye también una demostración práctica de la polarización inversa y directa
usando la fuente de potencial que se tiene en un ohmetro.

Conecte el ohmetro en la escala de R X 100. La terminal común del Voltímetro

debe tener polaridad negativa. Conecte el ohmetro al diodo en la condición de
polarización directa, y mida su resistencia en sentido directo.

Rdirecta = 552.5 ohms

Conecte el ohmetro al diodo en la condición de polarización inversa, como se

indica en la Fig. 1-2C, y mida su resistencia en sentido inversa.

Rinversa = 1K ohm
Un buen diodo indicará relativamente poca resistencia en la condición de
polarización directa e infinita o muy alta en la de polarización inversa Explique
por qué.

R= Cuando el diodo esta polarizado directamente solamente se necesita un

poco de voltaje para vencer la barrera de potencial y de esta manera la corriente
comenzara a fluir a través de este, es por eso que un diodo presenta poca
resistencia, en cambio cuando se polariza inversamente las cargas positivas y
las negativas provenientes de la fuente se combinan con las cargas del diodo y
la barrera de potencial se hace cada vez más grande, debido a esto la resistencia
del diodo polarizado inversamente es “INFINITA”

2. Construir el circuito de la Fig. 1-4a. Asegúrese de que observa la polaridad

adecuada en el miliamperímetro y en el diodo. La terminal-común del Voltímetro
debe ir conectada a la terminal negativa de la fuente de energía. Conecte hasta
el último momento el Diodo 1N4001 ya que se debe de asegurar de tener 0.0
Volts entre las terminales de ANODO y CÁTODO que alimentaran al diodo, una
vez verificado lo anterior conecte el diodo.

3. Partiendo de cero volts en el voltímetro, aumente la tensión entre las

terminales del diodo moviendo lentamente el cursor del potenciómetro hasta que
el miliamperímetro indique 1mA; anote la tensión aplicada al diodo con el
voltímetro. En la tabla IF = 1 mA y haga lo mismo para cada uno de los valores
de IF que aparecen en la tabla anotando las tensiones obtenidas.

IF 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 mA
E 0.59 0.63 0.66 0.69 0.72 0.73 0.75 0.78 0.79 0.81 Volt
S 2 6 4 8 0 8 6 2 9 0 s

4. Haga una gráfica de los datos obtenidos en el punto 3 en la Fig. 1-6. Trace
una curva continua que toque todos los puntos marcados y desígnela RL = 0.
 12
10
8
6
IF

4 ES
2
0
0 0.592v 0.636v 0.664v 0.698v 0.72v 0.738v 0.756v 0.782v 0.799v 0.81v
ES

6. Construya el circuito de la Fig. 1-7, asegurándose de tener la polarización

adecuada en el Voltímetro, el miliamperímetro y el diodo. Ahora mediremos la
corriente de ánodo en sentido directo en función de la tensión de la fuente, con una
carga de 270 ohms

7. Repita la misma operación que se efectuó en el punto 3 pero ahora con la fuente
de alimentación de 0 a 25 Volts. tal y como se indica en figura 1-7 y anote los
resultados en la tabla.

IF 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 mA
E 0.85 1.15 1.43 1.73 1.98 2.23 2.50 2.77 3.05 3.29 Volt
S 3 7 7 7 8 4 1 1 3 9 s

8. Substituya la resistencia de 270 ohms (R1) por la de 1K (R2) repita el punto 7 y

registre los resultados obtenidos en la tabla

IF 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 mA
E 1.57 2.57 3.59 4.58 5.57 6.5 7.5 8.5 9.5 10.4 Volt
S 8 9 9 1 1 7 5 3 1 9 s

9. Haga la representación gráfica de las curvas utilizando los datos recabados en

los puntos 7 y 8 en la gráfica de la Fig. 1-6. Cuando dibuje la curva del punto 8, solo
podrá marcar 3 o 4 puntos. Basándose en estos puntos y en los datos de la tabla 1-
9, deberá tener una buena idea de la curva resultante. Marque cada una de ellas de
acuerdo con el valor de su resistencia de carga, es decir, RL = 0, RL = 270 ohms y
RL = 1 K ohm.

12

10

8
ES 0
6
ES 270
4 ES 1K
2

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

10. Compare las curvas obtenidas

¿Cuál es más lineal?

R= Cuando se utilizó la resistencia de 1K

¿Qué conclusiones puede sacar de la gráfica respecto al aumento de la resistencia

en serie?

R= Que como cada caída de voltaje es distinto, se tiene ese tipo de variación en las
gráficas y en los datos.

Observe la Fig. 1-6 y estudie la curva del diodo que se obtuvo sin resistencia de
carga (RL= 0) ¿Por qué la curva tiene esa forma? Debido a la resistencia y a los
voltajes aplicados

¿Aproximadamente a que tensión se considera que el diodo está totalmente

polarizado en sentido directo? Para los diodos de silicio, aproximadamente es 0.7
voltios.

11. Construya el circuito de la Fig. 1-10

Aplique 12.6 V de tensión alterna al circuito. Conecte el osciloscopio calibrado a los
puntos A y C y trace a continuación una onda obtenida.

CUESTIONARIO

1.- ¿Cómo se forman los materiales tipo P y N

Un semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado

añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el
número de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones).

Un semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,

añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el
número de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).

2.- Mencione tres ventajas de los dispositivos semiconductores sobre los tobos al
vació • Permiten realizar múltiples funciones • Requieren el uso de menos energías
• No son grandes
3.- ¿Cuáles son las dos características que determinan la máxima conducción de
operación de un diodo semiconductor? La activación de la conducción por medio de
la polarización directa e inversa

4.- ¿Qué quiere decir polarización directa e inversa?

Polarización Directa: Si el terminal positivo de la fuente está conectado al material

tipo p y el terminal negativo de la fuente está conectado al material tipo n.

Polarización Inversa: Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodo se

polariza en inversa, el terminal negativo del batería conectado al lado p y el positivo
al n.

5.- ¿Qué es lo que determina la operación o función de un dispositivo

semiconductor? Dependiendo de la polarización aplicada

6.- ¿Puede un semiconductor soportar una sobrecarga de corriente? solo periodos

cortos de tiempo ya que al existir una sobrecarga hay un mayor flujo de electrones
y el semiconductor está diseñado para soportar solo pequeñas cargas especificas

CONCLUSIÓN

Aguirre Salcedo Marco Alejandro

Como conclusión de los diodos semiconductores es que se pueden encontrar en

cualquier circuito, en estos mismos diodos se fabrican en dos tipos las de silicio y
las de germanio, su forma de operación es la de semiconductores tipo n y
semiconductores tipo p los primeros son los que tienen electrones libres y el tipo p
tiene huecos, cuando una tensión positiva se aplica en el lado p y una negativa al
tipo n, los electrones de tipo n son empujados al lado p y fluyen más allá de los
límites del semiconductor, así mismo también se pudieron obtener diferentes
graficas en el cual aplicando más voltaje el diodo tardaba más en reaccionar, o sea
dependiendo de la caída de voltaje se veían variaciones en las gráficas.

De la Rosa Kevin Alexis

Los diodos semiconductores tienen distintos usos dependiendo del tipo de diodo y
de la forma en que se arme un circuito con ellos. En la práctica pudimos darnos
cuenta de su funcionamiento aplicando diferentes cargas variaba el voltaje obtenido.
También cambiando su posición obteníamos distintos resultados.

Partida Herrera Alma K.

Concluimos la práctica cumpliendo nuestro objetivo, observamos e identificamos la

polarización del diodo así como de igual manera la resistencia que tiene agregando
una diversa resistencia, esto para darnos una idea de la forma de operación del
diodo y sus aplicaciones, dependiendo su uso variara el uso de componentes en
conexión.

El uso de graficas nos ayuda de manera visual a comprender las variaciones

mostradas usando el multímetro. De igual manera nos abre nuestras perspectivas
para futuras prácticas usando dispositivos semiconductores.

Peña Ramírez Geovani

Para saber si el diodo funciona se utiliza el multímetro, se mide su voltaje que debe
ser aproximadamente 0.7v para un Diodo de Silicio. Si el diodo se encuentra
polarizado inversamente es como si el circuito estuviera abierto por tanto no existe
diodo, y para que funcione el diodo debe estar conectado directamente siendo el
cátodo el lado más negativo que se caracteriza por tener una línea gris mientras
que el positivo es el ánodo. En las gráficas podemos observar el comportamiento
del diodo con otros elementos, a mayor resistencia mayor voltaje necesitaremos.