Fase 4 - Desarrollar el componente práctico

Presentado a Tutor:
MARIO ALBERTO GARCIA

Presentado por:
ROGER BRYAN BETANCOURTH ANDRADE
Código: 87064456

Grupo:
203039_18

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD

ESCUELA DE CIENCIAS BÁSICAS, TECNOLOGÍA E INGENIERÍA

ELECTRONICA DE POTENCIA

NOVIEMBRE DE 2019

PASTO
 Practica No.3: Características V-I Del IGBT

60N60

Figura No.3

Procedimiento:

R1= Potenciómetro de 4K y R2 = Potenciómetro de 10K

Características de transferencia

1. Realice el montaje del circuito de la figura.

2. Inicialmente mantenga V1 y V2 al valor mínimo y R1 y R2 a un ½ del

valor total.
3. Seleccione el valor de V1 hasta que VCE=10V.

4. Lentamente varié V2 (VGE) y anote VCE e IC en cada 0.5V de cambio

tenga en cuenta que el VGE máximo debe ser 10 voltios.

5. El mínimo voltaje de compuerta VGE, el cual es requerido para que el

IGBT conduzca es llamado VTH.

6. Repita los pasos anteriores con diferentes valores de VGE y dibuje la

gráfica de VGE vs IC.

Características de Colector

1. Inicialmente ajuste el valor de V2 hasta que el VGE sea 5V o mayor o

igual al VTH y V1 hasta que VCE = 10V.

2. Lentamente varié V1 y anote los valores de VCE e IC para un particular

voltaje de compuerta (VG) existe un valor de voltaje de apagado VP
(voltaje Pinch-off) entre colector y emisor.

3. Si VGE es menor que VP el dispositivo trabaja en la región de ganancia

constante e IC es directamente proporcional a VGE.

4. Si VGE es mayor que VP, una corriente constante fluye por el dispositivo
y esta región es llamada región de corriente constante.

5. Repita los pasos anteriores con diferentes valores de VGE y anote los
valores de IC vs VGE.