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Por:
Duvan Felipe Ossa Cuellar 2420141013
Andrés Mauricio Flórez 2420141046
Yesmar Andrés Godoy Olivera 2420141025
Presentado a:
Ing. Rodolfo Gutiérrez
Universidad de Ibagué
2017
DISEÑO
Diseñar un modular de Fm para una carga de 2,2 KΩ que tenga una potencia
sobre la carga de 180 mW, con una frecuencia de moduladora de 1 kHz y una
frecuencia de portadora de 88 MHz.
𝐼𝑐𝑞 2
𝑃𝑙 = 𝑅𝑙
8
𝑃𝑙
𝐼𝑐𝑞(𝑝𝑝) = √ ∗8
𝑅𝑙
𝐼𝑐𝑞(𝑝𝑝) = 80,90 𝑚𝐴
𝐼𝑐𝑞(𝑝𝑝)
𝐼𝑐𝑞 =
2𝜋
𝐼𝑐𝑞(𝑑𝑐) = 12,87𝑚𝐴
26 𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = 2,02 Ω
12,87 𝑚𝐴
Ahora buscamos el Vcc necesario para garantizar la potencia
𝑉𝑐𝑐 = √8 ∗ 𝑃𝑙 ∗ 𝑅𝑙
𝑉𝑐𝑐 = 18 𝑣
𝑉𝑐𝑐 = 18𝑣 ∗ 20%
𝑉𝑐𝑐 = 22 𝑣
Buscaremos la resistencia de emisor
Utilizando el criterio de diseño de Vcc decimos:
𝑉𝑒 = 0,1𝑉𝑐𝑐
𝑉𝑐𝑐 = 2,2 𝑣
𝑉𝑒
𝑅𝑒 =
𝐼𝑐𝑞(𝑑𝑐)
𝑅𝑒 = 170,94
Sabiendo que nuestro transistor es de silicio podemos decir que Vbe es igual a 0.7
y teniendo Ve podemos hallar Vb:
𝑉𝑏 = 𝑉𝑏𝑒 + 𝑉𝑒
𝑉𝑏 = 2,9 𝑣
𝐼𝑐𝑞
𝑉𝑏 = ∗ 𝑅𝑏
ℎ𝑓𝑒
Ya hallado Vb buscamos Rb
ℎ𝑓𝑒 𝑉𝑏
𝑅𝑏 =
𝐼𝑐𝑞
𝑅𝑏 = 11,26 𝐾Ω
Con Rb obtenemos nuestras resistencias de polarización R1 y R2
𝑉𝑐𝑐 ∗ 𝑅𝑏
𝑅1 =
𝑉𝑏
𝑅1 = 85,42 𝑘 Ω
𝑅1 ∗ 𝑅𝑏
𝑅2 =
𝑅1 − 𝑅𝑏
𝑅2 = 12,96 𝐾Ω
Ahora hallaremos los capacitores
Proponemos un capacitor C3
𝐶3 = 100 𝑛𝐹
𝑅𝑥 ′
𝐶1 = 𝐶3√
𝑅𝑥
𝑅𝑥 = 𝑟𝑒 = 2,02
𝑅𝑥′ = 𝑟𝑒||𝑅𝑒 = 1,99
𝐶1 = 100 𝑛𝐹
𝐶3 ∗ 𝐶1
𝐶2 = = 50 𝑛𝐹
𝐶3 − 𝐶1
Oscilador a la frecuencia deseada.
AMPLIFICADOR DE POTENCIA
El circuito amplificador de potencia es un Darlington Clase A con bobina de
choque.
ℎ𝑓𝑒 = 100
ℎ𝑓𝑒′ = 10000
8𝑃𝑙
𝐼𝑐𝑞 = √ = 120 𝑚𝐴𝑝𝑝 = 42,42𝑚𝐴
𝑅𝑣
𝑅𝑖𝑛 = 2,2 𝐾
𝑅𝑖𝑛 = 𝑅𝑏||𝑅𝑖
26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = 0,61
42,42 𝑚𝐴
𝑉𝑒 = 0,1 𝑉𝑐𝑐 = 2,2 𝑣
𝑉𝑏 = 3,6 𝑣
𝑉𝑒
𝑅𝑒 = = 51
𝐼𝑐𝑞
𝑅𝑖 = ℎ𝑖𝑒 + (ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑟𝑒
𝑅𝑖 = 12200,61
𝑅𝑏𝑅𝑖
𝑅𝑖𝑛 =
𝑅𝑏 + 𝑅𝑖
𝑅𝑖 ∗ 𝑅𝑖𝑛
𝑅𝑏 = = 2684
𝑅𝑖 − 𝑅𝑖𝑛
𝑉𝑐𝑐 ∗ 𝑅𝑏
𝑅𝑖 = = 16,4 𝐾
𝑉𝑏
𝑅1 ∗ 𝑅𝐵
𝑅𝑖 = = 3,2 𝐾
𝑅1 − 𝑅𝑏
CONCLUSIONES