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Modulador de FM

Por:
Duvan Felipe Ossa Cuellar 2420141013
Andrés Mauricio Flórez 2420141046
Yesmar Andrés Godoy Olivera 2420141025

Presentado a:
Ing. Rodolfo Gutiérrez

Universidad de Ibagué
2017
DISEÑO
Diseñar un modular de Fm para una carga de 2,2 KΩ que tenga una potencia
sobre la carga de 180 mW, con una frecuencia de moduladora de 1 kHz y una
frecuencia de portadora de 88 MHz.

La configuración que utilizamos para nuestro diseño es un Oscilador


Colpitts con configuración base común.

Partimos de la potencia y con esta obtenemos el Icq a trabajar

𝐼𝑐𝑞 2
𝑃𝑙 = 𝑅𝑙
8

𝑃𝑙
𝐼𝑐𝑞(𝑝𝑝) = √ ∗8
𝑅𝑙

𝐼𝑐𝑞(𝑝𝑝) = 80,90 𝑚𝐴
𝐼𝑐𝑞(𝑝𝑝)
𝐼𝑐𝑞 =
2𝜋
𝐼𝑐𝑞(𝑑𝑐) = 12,87𝑚𝐴
26 𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = 2,02 Ω
12,87 𝑚𝐴
Ahora buscamos el Vcc necesario para garantizar la potencia

𝑉𝑐𝑐 = √8 ∗ 𝑃𝑙 ∗ 𝑅𝑙
𝑉𝑐𝑐 = 18 𝑣
𝑉𝑐𝑐 = 18𝑣 ∗ 20%
𝑉𝑐𝑐 = 22 𝑣
Buscaremos la resistencia de emisor
Utilizando el criterio de diseño de Vcc decimos:
𝑉𝑒 = 0,1𝑉𝑐𝑐
𝑉𝑐𝑐 = 2,2 𝑣
𝑉𝑒
𝑅𝑒 =
𝐼𝑐𝑞(𝑑𝑐)
𝑅𝑒 = 170,94
Sabiendo que nuestro transistor es de silicio podemos decir que Vbe es igual a 0.7
y teniendo Ve podemos hallar Vb:

𝑉𝑏 = 𝑉𝑏𝑒 + 𝑉𝑒
𝑉𝑏 = 2,9 𝑣

𝐼𝑐𝑞
𝑉𝑏 = ∗ 𝑅𝑏
ℎ𝑓𝑒
Ya hallado Vb buscamos Rb

ℎ𝑓𝑒 𝑉𝑏
𝑅𝑏 =
𝐼𝑐𝑞
𝑅𝑏 = 11,26 𝐾Ω
Con Rb obtenemos nuestras resistencias de polarización R1 y R2
𝑉𝑐𝑐 ∗ 𝑅𝑏
𝑅1 =
𝑉𝑏
𝑅1 = 85,42 𝑘 Ω
𝑅1 ∗ 𝑅𝑏
𝑅2 =
𝑅1 − 𝑅𝑏
𝑅2 = 12,96 𝐾Ω
Ahora hallaremos los capacitores
Proponemos un capacitor C3
𝐶3 = 100 𝑛𝐹

𝑅𝑥 ′
𝐶1 = 𝐶3√
𝑅𝑥

𝑅𝑥 = 𝑟𝑒 = 2,02
𝑅𝑥′ = 𝑟𝑒||𝑅𝑒 = 1,99
𝐶1 = 100 𝑛𝐹
𝐶3 ∗ 𝐶1
𝐶2 = = 50 𝑛𝐹
𝐶3 − 𝐶1
Oscilador a la frecuencia deseada.
AMPLIFICADOR DE POTENCIA
El circuito amplificador de potencia es un Darlington Clase A con bobina de
choque.
ℎ𝑓𝑒 = 100
ℎ𝑓𝑒′ = 10000

8𝑃𝑙
𝐼𝑐𝑞 = √ = 120 𝑚𝐴𝑝𝑝 = 42,42𝑚𝐴
𝑅𝑣

𝑅𝑖𝑛 = 2,2 𝐾
𝑅𝑖𝑛 = 𝑅𝑏||𝑅𝑖
26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = 0,61
42,42 𝑚𝐴
𝑉𝑒 = 0,1 𝑉𝑐𝑐 = 2,2 𝑣
𝑉𝑏 = 3,6 𝑣
𝑉𝑒
𝑅𝑒 = = 51
𝐼𝑐𝑞
𝑅𝑖 = ℎ𝑖𝑒 + (ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑟𝑒
𝑅𝑖 = 12200,61
𝑅𝑏𝑅𝑖
𝑅𝑖𝑛 =
𝑅𝑏 + 𝑅𝑖
𝑅𝑖 ∗ 𝑅𝑖𝑛
𝑅𝑏 = = 2684
𝑅𝑖 − 𝑅𝑖𝑛
𝑉𝑐𝑐 ∗ 𝑅𝑏
𝑅𝑖 = = 16,4 𝐾
𝑉𝑏
𝑅1 ∗ 𝑅𝐵
𝑅𝑖 = = 3,2 𝐾
𝑅1 − 𝑅𝑏
CONCLUSIONES

 Dado que no se le puede exigir mucha potencia al oscilador, le


agregamos una etapa de potencia.
 Dado que necesitamos garantizar una Ri alta utilizamos un Darlington.
 Se deben utilizar bobinas de baja inductancia para lograr altas
resonancias.
 Es importante que la etapa de potencia no tenga otro punto de
resonancia.
 La capacitancia de la protoboard influye mucho en la resonancia pues
movíamos un capacitor a lo largo de la protoboard y nos varió
considerablemente la resonancia.

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