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AMPLIFICADORES
RG Zo << RL
+
+ Zo +
+
Vi Zi Av Vi RL Vo
Vg
- -
-
-
Zi >> RG
Av = Ganancia de tensión
Zi = Impedancia de entrada
Zo = Impedancia de salida.
Fig. 3.1
1
Ii Zo >> RL
IL
RG Zi Zo RL Vo
Ig Ai Ii
Zi << RG
Ai = Ganancia de corriente
Zi = Impedancia de entrada
Zo = Impedancia de salida.
Fig. 3.2
RG Zo >> RL
IL
+ +
+
Vi Zi Zo RL Vo
Vg Gm Vi
- -
-
Zi >> RG
Gm = Transconducncia
Zi = Impedancia de entrada
Zo = Impedancia de salida.
Fig. 3.3
d) AMPLIFICADOR DE TRANSRRESISTENCIA: Es un amplificador que recibe
corriente y entrega tensión. Su impedancia de entrada debe ser pequeña y su impedancia de
salida también pequeña. Su circuito de salida es mejor representado por un equivalente de
Thevenin. La salida es una fuente de tensión controlada por corriente.
2
Ii Zo << RL
+ Zo +
RG Zi Rm Ii RL Vo
Ig
-
-
Zi << RG
Rm = Transresistencia
Zi = Impedancia de entrada
Zo = Impedancia de salida.
Fig. 3.4
3
Punto de operación: ICQ = 1mA, VCEQ = 10 V, VBE = 0.67V, hie = 3.8KΩ, hfe = 120, hre
= 3x10-4, hoe = 8.5x10-6S
Circuito propuesto:
Debido a que los parámetros hre y hoe son pequeños, usaremos el modelo simplificado.
RC
R1
C2
+
C1
+ 2N3904 VCC
RL
Vg 5K
5 mV, 100Hz RE +
R2 CE
Fig. 3.5
Obtenemos las ecuaciones de diseño:
1.- Reta DC: VCC = (RC + RE)(1mA) + 10V RC + RE = (VCC – 10)KΩ
2.- Impedancia de entrada: Zin = 2KΩ = R1 // R2 // hie R1 // R2 = 4.22 KΩ
3.- Ganancia de tensión: Av = - 100 = - (hfe / hie)(RC // RL) RC = 7.5 KΩ
4
Q: VEB = 0.7 V, β = 100, hib = 20Ω, hfb = - 0.99, hrb = 0, hob = 0
Los condensadores son muy grandes.
C C
Q
IL
Ig 10K
1K
Vg 1K 1K
C
1K
12V
SOLUCION:
a) Punto de operación:
Modelo para DC:
IE Q IC
IB
10K
1K
1K
1K
I1 12V
b) Ai
Modelo para señal:
5
Ig ie
IL
hib
10K
Vg hfb ie 1K 1K
1K
c) Zi
Del circuito de entrada vemos: Zi = 1K // 0.02K = 19.6Ω Zi = 19.6Ω
d) Zo
Del circuito de salida, haciendo Vg = 0 y quitando la carga, obtenemos:
Zo = 10K // 1K = 0.91KΩ Zo = 0.91KΩ
6
3.2.- AMPLIFICADORES EN CASCADA
Cuando se disponen etapas amplificadoras una después de otra, se tiene un amplificador en
cascada. Su objetivo es elevar las ganancias, ya sea de tensión y/o corriente.
+
iL VCC
ig C1
Q3
+
Q1 +
Q2 RL VL
-
Vg
R5 + VCC
R2 C2
Fig. 3.6
7
+ 20 V
15K
8K
C
+
VL
Q1 8K -
5K
C
Q2
1M 2K C
Vg
Rc Rc
Vs1 Vs2
C C
Q1. Q2
V1 Rb Io Rb V2
Fig. 3.7
8
Io es una fuente de corriente constante que debe ofrecer una alta impedancia a la señal.
Si la salida se toma en Vs1 ó Vs2 respecto a tierra, se dice que la salida es
desbalanceada.
Si la salida se toma entre Vs1 y Vs2, se dice que la salida es balanceada.
V1 y V2 son las señales de entrada.
La salida debe ser proporcional a la diferencia de las señales de entrada, es decir:
Vs = Ad (V1 – V2)
Ad es la ganancia en modo diferencial
La ecuación anterior corresponde a la respuesta ideal del A.D., sin embargo, los
A.D. reales presentan una salida dada por la ecuación siguiente:
Vs = Ad (V1 – V2) + Ac (V1 + V2) / 2
Ac es la ganancia en modo común y generalmente se busca que sea lo más pequeña
posible. Idealmente debería ser cero.
Se define:
Modo diferencial = Vd = V1 – V2
Modo común = Vc = (V1 + V2) / 2
Debe indicarse que el modo común no está formado solamente por el promedio de
las señales de entrada, sino también por cualquier señal no deseada (ruido, interferencia,
etc.) acoplada a ambas entradas a la vez. Si ello sucede, el amplificador tenderá a
eliminarlas de su salida.
Por lo anterior, podemos decir que este tipo de amplificador tiende a eliminar las
señales no deseadas que se presenten en sus entradas.
Para efectuar el análisis del circuito se expresan las señales de entrada mediante el
modo común y el modo diferencial.
V1 = Vc + Vd / 2
V2 = Vc - Vd / 2
Cuando se analiza con pequeña señal podemos utilizar los modelos de cuadripolo
lineal del transistor. Cuando se analiza con gran señal, debemos utilizar la característica no
lineal del transistor (por ejemplo, las ecuaciones de Ebers Moll).
9
V1 - V2 = VBE1- VBE2
Si los transistores trabajan en la región activa, podemos representar la característica
de transferencia del transistor mediante una ecuación similar a la del diodo semiconductor:
iE = IES ℮V / ηV BE T
= αIES ℮V / ηV
IC BE T
Además:
iE1 / iE2 = ℮(V - V ) / (ηV )BE1 BE2 T
0.8 ie2
0.7
0.6
Corriente
0.5 Io/2
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
z
Fig. 3.8
Podemos observar que:
1.- Cuando no hay señal (z = 0) cada transistor conduce la mitad de la corriente Io.
2.- La máxima corriente que puede conducir un transistor es Io y, por ello, podemos evitar
que llegue a la zona de saturación, permitiendo que pueda funcionar velozmente.
3.- Cuando un transistor conduce una corriente: Io/2 + Δi, el otro conduce Io/2 – Δi para
que la suma de ambas corrientes sean iguales a Io. Es decir, si un transistor aumenta su
corriente, el otro la reduce en la misma cantidad.
4.- Para valores de z comprendidos en el rango: -1 ≤ z ≤ +1, podemos decir que el A.D.
tendrá un comportamiento aproximadamente lineal
10
5.- Para un valor z = +5, el transistor Q2 conduce prácticamente la corriente Io y Q1 está
prácticamente en corte. Ocurre lo contrario para z = -5.
6.- Las gráficas tienen simetría impar respecto al nivel: Io/2
0.4
0.3
0.2
0.1
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
z
Con las ecuaciones anteriores, podemos expresar las corrientes totales como:
iE1 = (Io / 2) (1 + tanh(z/2))
iE2 = (Io / 2) (1 - tanh(z/2))
Para pequeña señal (z <<1) podemos expresar las corrientes totales como:
iE1 = (Io / 2) + (gin/2)(V1 – V2)
iE2 = (Io / 2) - (gin/2)(V1 – V2)
Donde:
gin = conductancia de entrada del transistor en pequeña señal
gin = Io / (2VT)
La transconductancia del amplificador diferencial para pequeña señal es dada por la
ecuación:
gm = α gin/2 = α Io / (4VT)
Si el modo diferencial es una señal sinusoidal de la forma:
V1 – V2 = V cos(ωt)
Entonces: z = (V1- V2) / VT = (V / VT) cos(ωt) = x cos(ωt)
La corriente de señal será:
ie1 = (Io / 2) (tanh[(x/2)(cos(ωt)]
11
ie2 = - (Io / 2) (tanh[(x/2)(cos(ωt)]
Desarrollando en series de Fourier estas corrientes, obtenemos sólo armónicas impares:
∞
12
VCC
RC RC
RL
Q1 Q2
V1 V2
Io
SOLUCION:
Sabemos que x = V / VT = (175 – 50)/25 = 5.0
De la tabla obtenemos para x = 5.0:
a1(5) = 0.5877
a3(5) = -0.1214
La distorsión de tercer armónico será simplemente:
D3 = a3(5) / a1(5) = 0.1214 / 0.5877 = 20.66%
Rc Rc
Vs1 Vs2
C C
Q1. Q2
V1 Rb Io Rb V2
ANALISIS EN DC:
Obtendremos las expresiones de los puntos de operación de los transistores.
Los transistores Q1 y Q2 son iguales y, debido a que sus redes de polarización son iguales,
las corrientes de emisor de ambos transistores también serán iguales:
IEQ1 = IEQ2 = Io/2
Si: β>> 1 entonces: ICQ1 = ICQ2 = Io/2
Conociendo la corriente que entrega la fuente de corriente podemos conocer la del punto de
operación de cada transistor.
La tensión DC en los emisores de los transistores es: VE = - VBE – Io(Rb/ 2β)
A continuación: VCEQ1 = VCEQ2 = VCC – IoRc/2 - VE
13
En este caso las tensiones colector-emisor son iguales debido a que también lo son las
resistencias de colector.
TRANSFORMACION DE IMPEDANCIAS:
Este método es aplicable cuando empleamos los modelos simplificados del transistor
bipolar. Para ello, aplicamos los conocimientos de circuitos eléctricos y partimos del
siguiente esquema básico, mostrado en la figura 6.6:
hfe ib hfe ib
hie hie
Ve
ib ib
(1 + hfe)ib R (1 + hfe)ib
+ +
V1 Ve
- -
Ve = (1 + hfe)ib R + V1
+ + + +
Ve Ve V1 V1
- - - -
Observamos que al retornar al modelo original separando las ramas, debemos modificar los
valores de las resistencias y corrientes; en cambio los voltajes permanecen igual, y
podemos llegar a las siguientes reglas de conversión:
Al reflejar hacia hie, multiplicamos las resistencias por: (1 + hfe) y dividimos las
corrientes por (1 + hfe)
Al reflejar hacia la fuente hfe ib, multiplicamos las resistencias por: (1 + hfe)/hfe y
dividimos las corrientes por (1 + hfe)/hfe
Estas reglas las podemos aplicar a cualquier circuito lineal.
De ello nos valdremos para analizar al amplificador diferencial y hallar las ganancias e
impedancias con pequeña señal.
ANALISIS EN AC:
Obtendremos las expresiones de las ganancias e impedancias en modo diferencial y en
modo común para pequeña señal. Utilizaremos el modelo de parámetros híbridos
simplificado. El circuito equivalente es el mostrado en la figura 6.8
14
Debido a que Io es una fuente de corriente contínua, para señal la hacemos cero y lo que
queda es su impedancia para AC. En dicho esquema Z es la impedancia en AC que ofrece la
fuente de corriente.
Vs1 Vs2
Rc Rc
hfe ib1 hfe ib2
ib1 ib2
hie hie
V1 Rb Rb V2
Z
Para simplificar el circuito utilizamos las técnicas de transformación de fuentes del análisis
de la teoría de circuitos, con lo que resulta el esquema de la figura siguiente:
hfe ib1 hfe ib2
Vs1 Vs2
Rc Rc
hie hie
Ve
ib1 ib2
Z
+ Rb +
V1 hfe ib1 hfe ib2 Rb V2
- -
15
hfe ib1 hfe ib2
Vs1 Vs2
Rc Rc
hie hie(1+hfe)
Ve
ib1
ib2/(1+hfe)
+ +
V1 Z(1+hfe) V2
- Rb Rb(1+hfe) -
hfe ib2/(1+hfe)
hie(1+hfe)/hfe
Ve ib2(hfe/(1+hfe))
Rb(1+hfe)/hfe +
V2
hfe ib1 -
Z(1+hfe)/hfe hfe ib2(hfe/(1+hfe))
En la figura anterior vemos que el circuito inferior no nos aporta información adicional y
podemos prescindir de él, quedándonos sólo con los esquemas de la parte superior, como se
muestra en la figura siguiente:
hfe ib1 hfe ib2
Vs1 Vs2
Rc Rc
hie hie(1+hfe)
Ve
ib1
ib2/(1+hfe)
+ +
V1 Z(1+hfe) V2
- Rb Rb(1+hfe) -
hfe ib2/(1+hfe)
Hacia el lado derecho de la figura 6.11 vemos las corrientes ib2/(1+hfe) y (hfe ib2)/(1+hfe)
y podemos reflejar nuevamente un circuito hacia la resistencia hie(1+hfe) y otro con la
fuente (hfeib2)/(1+hfe) , como se muestra en la figura 6.12:
16
hfe ib1 hfe ib2
Vs1 Vs2
Rc Rc
hie(1+hfe) hie(1+hfe)
Ve
ib1/(1+hfe)
ib2/(1+hfe)
+ +
V1 V2
- Rb(1+hfe) -
Z(1+hfe)(1+hfe)
Rb(1+hfe)
En esta figura ya hemos despreciado el circuito que se refleja con la fuente de corriente
porque no nos da información adicional. A continuación, vemos que todas las resistencias
están multiplicadas por (1+hfe) y las corrientes divididas por (1+hfe). Al multiplicar las
corrientes por las resistencias, el factor (1+hfe) desaparece del producto y podemos
simplificar más el circuito multiplicando las corrientes por (1+hfe) y dividiendo las
resistencias por (1+hfe). Eliminados estos factores, podemos llegar al esquema de la figura
6.13:
Vs1 Vs2
Rc
Rc
hie hie
Ve
ib1 ib2
+ -
Vd/2 Vd/2
- Z(1+hfe) +
Rb Rb
+ +
Vc Vc
- -
Adicionalmente, se han representado las señales de entrada (V1 y V2) mediante el modo
común (Vc) y el modo diferencial (Vd).
17
Como el modelo es lineal, podemos aplicar superposición y hallaremos la ganancia en
modo diferencial haciendo cero la señal en modo común (Vc = 0); luego hallaremos la
ganancia en modo común haciendo cero la señal en modo diferencial (Vd = 0)
18
Esto significa que tomando la salida en forma balanceada podemos disminuir más la
ganancia en modo común (idealmente se hace cero).
4K
C C
Q1 Q2
V2
V1 Q3
100K C 100K
5K 5K
1K5
D
C es muy grande
-6V
SOLUCION:
a) Análisis en DC: Obtendremos el punto de operación de cada transistor. Empezaremos
hallando la corriente de la fuente de corriente formada por Q3: ICQ3 = Io
19
Io Io
Q3 Q3
5K 5K RB
1.5K 1.5K
D7
VBB
6V
6V 6V
Para hallar la corriente Io hllamos el circuito thevenin equivalente para Q3, como se
muestra en la figura 6.16.
La tensión de thevenin se puede hallar con la ecuación:
VBB = (-6 + 0.7)/2 = - 2.65V
La resistencia de thevenin se puede hallar aproximadamente con la ecuación:
RB = 5K//5K = 2.5K
A continuación planteamos la ecuación en la malla base-emisor:
VBB + IB RB + VBE + IE (1.5) – 6 = 0
Expresando en función de IC:
VBB + (ICQ3/β)RB + VBE + ((1+ β)/β)ICQ3 (1.5) – 6 = 0
De donde obtenemos: ICQ3 = Io = 2.65/(0.025 +1.01(1.5)) = 1.72 mA ICQ3 = Io =1.72 mA
Debido a que las redes de poarización de base de Q1 y Q2 son iguales, entonces sus
corrientes serán también iguales:
ICQ1 = Io/2 = 0.86 mA e ICQ2 = Io/2 = 0.86 mA
A continuación procedemos a hallar el voltaje de polarización de cada transistor:
20
+VDD
RD RD
Q1 Q2
V1 RG Q3 RG V2
-VSS
ANALISIS EN DC:
Obtendremos las expresiones de los puntos de operación de los transistores.
Los transistores Q1 y Q2 son iguales y, debido a que sus redes de polarización son iguales,
las corrientes de drenador (ID) de ambos transistores también serán iguales. Además el
JFET Q3 trabaja con su corriente IDSS : Io = IDSS3
Además: IDQ1 = IDQ2 = Io/2
Conociendo la corriente que entrega la fuente de corriente podemos conocer la del punto de
operación de cada transistor.
Como los fets deben trabajar en la zona de saturación, podemos emplear su ecuación para
esa región: ID = IDSS(1 – VGS/VT)2
La tensión DC en las fuentes de los transistores es: VS = -VGSQ
A continuación: VDSQ1 = VDSQ2 = VDD – IoRD/2 - VE
En este caso las tensiones drenador-fuente son iguales debido a que también lo son las
resistencias de drenador.
ANALISIS EN AC:
Obtendremos las expresiones de las ganancias e impedancias en modo diferencial y en
modo común, para pequeña señal. Utilizaremos el modelo de pequeña señal y baja
frecuencia del fet. El circuito equivalente es el mostrado en la figura 6.8
En dicho esquema, Z es la impedancia en AC que ofrece la fuente de corriente.
Para analizar usamos la teoría de circuitos, de los cuales resulta el esquema de la figura 6.9.
Adicionalmente, se han representado las señales de entrada (V1 y V2) mediante el modo
común (Vc) y el modo diferencial (Vd).
Como el modelo es lineal, podemos aplicar superposición y hallaremos la ganancia en
modo diferencial haciendo cero la señal en modo común (Vc = 0); luego hallaremos la
ganancia en modo común haciendo cero la señal en modo diferencial (Vd = 0)
21
RD RD
gm Vgs1 gm Vgs2
rds rds
+ Vgs1 - - Vgs2 +
V1 RG Z RG V2
RD RD
Vs1 Vs2
gm Vgs1 gm Vgs2
rds rds
+ Vgs1 - - Vgs2 +
+ -
Vd/2 Vd/2
RG Z RG
- +
+ +
Vc Vc
- -
22
En el circuito de entrada vemos que para el modo diferencial:
Zid = 2 RG
GANANCIA EN MODO COMUN: (Se hace cero el modo diferencial: Vd = 0)
Empleando simetría podemos llegar al circuito equivalente de la figura 6.10
RD RD
Vs1 Vs2
gm Vgs1 gm Vgs2
rds rds
+ Vgs1 - - Vgs2 +
+ +
Vc RG Vc
RG 2Z 2Z
- -
23
PROBLEMAS PROPUESTOS
PROBLEMA P 6.1.- En el amplificador diferencial mostrado, halle:
A) los puntos de operación
B) la ganancia de tensión
-10v
2k
Q1 Q2 +
1k 1k Vo
-
+
Vi
-
5 mA
R1 R2 R3 R4
Q6
Q4
Rs R6
Q1 Q25
+
Vg RL VL
-
R7 R5
Re
-VEE
PROBLEMA P6.3.- Diseñe un amplificador diferencial con mosfet el IRF840 para obtener
una ganancia con salida balanceada de 50.
24
+9V
2K6 60
3K
3K
Q3
Q1 Q2
60
1K 1K
0K5
R R
RL
Q1 Q2
P
X
Rb Rb
Re
-VEE
10K 10K
Q1 Q2
Q3 Q4
100K 50 50 100K
Q5
2K9
1K3 1K3
-VEE
25
b) Vo(t); si: Vi(t) = 10 sen(wt) mV
Asuma: Q1 = Q2 con: hfb = -0.98, hib = 10Ω, hfe = 100, VBE = 0.7V
Las fuentes son ideales.
- 10V
2K
+
Vo(t)
Q1 Q2 -
Vi(t)
5 mA
4K
Q1 Q2
V1. V2
100K 100K
Q3
C
5K 5K
1K5
D1
-6V
26
+12V
2K
Q1 Q2
Q3
Q3
2K 4K
Q1 Q2
i1 i2
15K 15K
2K
-41V
27
PROBLEMA 6.13.- En el circuito mostrado, determine la relación que debe haber entre RC
y RL para que la ganancia de tensión sea: Avd = -2 gmd RC
Asuma: V1 > V2
+VCC
RC RC
RL
Q1 Q2
V1 V2
Io
Q1 Q2
R4
R
28
+ 12 V
RC RC
R5 R7 1K 1K R8
10K 220K 220K
C1 C2
Q1 Q2
2N2222 2N2222
100uF 100uF
R1 R3
1K 1K
Q3
2N2222
Vg R2
100 R4
220 C3 R6 R9
4.7K 1K
100uF
29