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CAPITULO 8 FLOYD

EXAMEN DE VERDADERO/FALSO

1. El JFET siempre opera con una unión PN de compuerta a fuente polarizada en inversa.
(VERDADERO)
2. La resistencia del canal de un JFET es una constante. (FALSO)
3. El voltaje de compuerta a fuente de un JFET de canal n debe ser negativo.
(VERDADERO)
4. 𝐼𝐷 se vuelve cero al voltaje de estrangulamiento. (FALSO)
5. 𝑉𝐺𝑆 no tiene ningún efecto en 𝐼𝐷 . (FALSO)
6. 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) y 𝑉𝑝 siempre son iguales en magnitud, pero de polaridad opuesta.
(VERDADERO)
7. El JFET es un dispositivo de ley cuadrática debido a la expresión matemática de su curva
de característica de transferencia. (VERDADERO)
8. La transconductancia en directa es el cambio del voltaje en el drenaje para un cambio
dado del voltaje en la compuerta. (FALSO)
9. Los parámetros 𝑔𝑚 y 𝑦𝑓𝑠 son los mismos. (VERDADERO)
10. El D-MOSFET puede ser operado en dos modos. (VERDADERO)
11. Un E-MOSFET opera en el modo de empobrecimiento. (FALSO)
12. Un D-MOSFET tiene un canal físico y un E-MOSFET tiene un canal inducido.
(VERDADERO)
13. ESD significa dispositivo semiconductor electrónico. (FALSO)
14. Los MOSFET deben ser manejados con cuidado. (VERDADERO)

EXAMEN DE ACCIÓN DE CIRCUITO.


1. Si se incrementa la corriente en el drenaje en la figura 8-17, VDS se

(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia

2. Si se incrementa la corriente en el drenaje en la figura 8-17, VGS se

(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia

3. Si se incrementa el valor de RD en la figura 8-24, ID se


(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia
4. El valor de R2 se reduce en la figura 8-24, VG se

(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia


5. Si VGS se incrementa en la figura 8-47, ID se
(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia
6. Si R2 se abre en la figura 8-47, VGS se

(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia


7. Si RG se incrementa en la figura 8-50, VG se

(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia


8. Si el valor de IDSS se incrementa en la figura 8-50, VDS se
(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia

AUTOEVALUACIÓN
1. El JFET es:
(a) un dispositivo unipolar.
(b) un dispositivo controlado por voltaje.
(c) un dispositivo controlado por corriente.
(d) respuestas a) y c).
(e) respuestas a) y b).
2. El canal de un JFET se encuentra entre:
(a) la compuerta y el drenaje.
(b) el drenaje y la fuente.
(c) la compuerta y la fuente.
(d) la entrada y la salida.
3. Un JFET siempre opera con:
(a) la unión pn de compuerta a fuente polarizada en inversa.
(b) la unión pn de compuerta a fuente polarizada en directa.
(c) el drenaje conectado a tierra.
(d) el drenaje conectado a la fuente.
4. Con 𝑉𝐺𝑆 = 0 V, la corriente en el drenaje se vuelve constante cuando 𝑉𝐷𝑆 sobrepasa:
(a) el voltaje de corte
(b) 𝑉𝐷𝐷
(c) 𝑽𝑷
(d) 0 V
5. La región de corriente constante de un FET queda entre:
(a) el corte y la saturación
(b) el corte y el estrangulamiento
(c) 0 e 𝐼𝐷𝑆𝑆
(d) el estrangulamiento y la ruptura
6. IDSS es:
(a) la corriente en el drenaje con la fuente en cortocircuito.
(b) la corriente en el drenaje en corte.
(c) la corriente máxima posible en el drenaje.
(d) La corriente en drenaje del punto medio.
7. La corriente en el drenaje en la región de corriente constante se incrementa cuando:
(a) el voltaje de polarización de compuerta a fuente se reduce.
(b) el voltaje de polarización de compuerta a fuente se incrementa.
(c) el voltaje de drenaje a fuente se incrementa.
(d) el voltaje de drenaje a fuente se reduce.
8. En un cierto circuito FET, 𝑉𝐺𝑆 = 0 V, 𝑉𝐷𝐷 = 15 V, 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 15 mA y 𝑅𝐷 = 470 ꭥ.
Si 𝑅𝐷 se reduce a 330 ꭥ, 𝐼𝐷𝑆𝑆 es:
(a) 19.5 mA (b) 10.5 mA
(c) 15 mA (d) 1 mA
9. En corte, el canal de un JFET está:
(a) en su punto más ancho.
(b) completamente cerrado por la región de empobrecimiento.
(c) extremadamente angosto.
(d) polarizado en inversa.
10. La hoja de datos de cierto JFET da vgs(corte)4 V. El voltaje de estrangulamiento, VP,
(a) no puede ser determinado.
(b) es de -4 V.
(c) depende de 𝑉𝐺𝑆 .
(d) es de +4 V.
11. El JFET de la pregunta 10:
(a) es un canal n.
(b) es un canal p.
(c) puede ser uno u otro.
12. Para un cierto JFET, 𝐼𝐺𝑆𝑆 = 10 nA con 𝑉𝐺𝑆 = 10 V. La resistencia de entrada es
(a) 100 M (b) 1M
(c) 1000 M (d) 100 m

13. Para cierto JFET de canal p, 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) = 8 V. El valor de 𝑉𝐺𝑆 para polarización de punto
medio aproximada es:
(a) 4 V (b) 0 V
(c) 1.25 V (d) 2.34 V
14. En un JFET autopolarizado, la compuerta está a:
(a) un voltaje positivo.
(b) 0 V.
(c) un voltaje negativo.
(d) conectada a tierra.
15. La resistencia de drenaje a fuente en la región óhmica depende de:
(a) 𝑉𝐺𝑆 .
(b) los valores del punto Q.
(c) la pendiente de la curva en el punto Q.
(d) todos los anteriores.
16. Para utilizarlo como resistor variable, un JFET debe:
(a) ser un dispositivo de canal n.
(b) ser un dispositivo de canal p.
(c) estar polarizado en la región óhmica.
(d) estar polarizado en saturación.
17. Cuando se polariza un JFET en el origen, la resistencia de ca del canal está determinada
por:
(a) los valores del punto Q. (b) VGS.
(c) la transconductancia. (d) las respuestas (b) y (c).
18. Un MOSFET difiere de un JFET principalmente:
(a) debido a la capacidad de potencia.
(b) porque el MOSFET tiene dos compuertas.
(c) el JFET tiene una unión pn.
(d) porque los MOSFET no tienen un canal físico.
19. Un D-MOSFET opera:
(a) sólo en el modo de empobrecimiento.
(b) sólo en el modo de enriquecimiento.
(c) sólo en la región óhmica.
(d) en los modos de empobrecimiento y de enriquecimiento.
20. Un D-MOSFET de canal n con VGS positivo opera:
(a) en el modo de empobrecimiento.
(b) en el modo de enriquecimiento.
(c) en corte.
(d) en saturación.
21. Cierto E-MOSFET de canal p tiene un 𝑉𝐺𝑆 (umbral)= -2 V. Si 𝑉𝐺𝑆 = 0 V, la corriente en
el drenaje es
(a) 0 A (b) 𝐼𝐷(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜)
(c) máxima (d) 𝐼𝐷𝑆𝑆
22. En un E-MOSFET no hay corriente en el drenaje hasta que 𝑉𝐺𝑆 :
(a) alcanza 𝑽𝑮𝑺(𝒖𝒎𝒃𝒓𝒂𝒍) (b) es positivo
(c) es negativo (d) es igual a 0 V
23. Todos los dispositivos MOS son propensos a sufrir daños a consecuencia de:
(a) calor excesivo
(b) descarga electrostática
(c) voltaje excesivo
(d) todas las respuestas anteriores
24. Cierto D-MOSFET se polariza con 𝑉𝐺𝑆 = 0 V. Su hoja de datos especifica 𝐼𝐷𝑆𝑆 =20 mA
y 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) =5 V. El valor de la corriente en el drenaje:
(a) es de 0 A
(b) no puede ser determinada
(c) es de 20 mA
25. Un IGBT en general se utiliza en:
(a) aplicaciones de baja potencia.
(b) aplicaciones de radiofrecuencia.
(c) aplicaciones de alto voltaje.
(d) aplicación de baja corriente.
PROBLEMAS BASICOS.

El JFET
1. El 𝑉𝐺𝑆 de un JFET de canal p se incrementa desde 1 V hasta 3 V.

(a) ¿Se estrecha o ensancha la región de empobrecimiento?

 Se estrecha

(b) ¿Se incrementa o reduce la resistencia del canal?

 Se incrementa

2. ¿Por qué el voltaje de la compuerta a la fuente de un JFET de canal n siempre debe ser
cero 0 o negativo?
El voltaje de compuerta a fuente de un JFET de canal n debe ser cero o negativo para
mantener la condición de polarización inversa requerida.
3. Trace los diagramas esquemáticos de un JFET de canal p y uno de canal n. Identifique las
terminales.

4. Muestre cómo se conectan los voltajes de polarización entre la compuerta y la fuente de


los JFET de la figura.
CARACTERÍSTICA Y PARÁMETROS DEL JFET.
5. Un JFET tiene un voltaje de estrangulamiento especificado de 5 V. Cuando 𝑉𝐺𝑆 = 0, ¿cuál
es 𝑉𝐷𝑆 en el punto donde la corriente en el drenaje se vuelve constante?

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝑝 = 𝟓 𝑽

6. Un cierto JFET de canal n se polariza de tal forma que 𝑉𝐺𝑆 = -2 V. ¿Cuál es el valor de
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) si 𝑉𝑝 es de 6 V? ¿Está prendido del dispositivo?

𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) = −𝑉𝑝 = −𝟔 𝑽

El dispositivo esta prendido, porque 𝑉𝐺𝑆 = −2 𝑉

7. La hoja de datos de cierto JFET da 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) = -8 V e 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 10 mA. Cuando 𝑉𝐺𝑆 = 0,


¿cuál es ID con valores de VDS por encima del valor de estrangulamiento? VDD = 15 V.
Por definición, 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 cuando 𝑉𝐺𝑆 = 0 para valores de 𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝑃 .

Por lo tanto, 𝐼𝐷 = 𝟏𝟎 𝒎𝑨

8. Cierto JFET de canal p tiene un 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) = 6 V. ¿Cuál es ID cuando 𝑉𝐺𝑆 = 8 V?

Ya que 𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) , El JFET está apagado y 𝐼𝐷 = 𝟎 𝑨


9. El JFET de la figura 8-65 tiene un 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) = -4 V. Suponga que incrementa el voltaje
de alimentación 𝑉𝐷𝐷 , desde cero hasta que el amperímetro alcanza un valor constante. ¿Qué
lee el voltímetro en este momento?

𝑉𝑝 = −𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) = −(−4 𝑉 ) = 4 𝑉

El voltímetro lee 𝑉𝐷𝑆 . A medida que aumenta 𝑉𝐷𝐷 , 𝑉𝐷𝑆 también aumenta. El punto en el
que 𝐼𝐷 alcanza un valor constante es 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝑝 = 𝟒 𝑽

10. Se obtienen los siguientes parámetros de cierta hoja de datos de un JFET: 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) = -8
V e 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 5 mA. Determine los valores de ID con cada uno de los valores de 𝑉𝐺𝑆 desde 0 V
hasta -8 V en incrementos de 1 V. Trace la curva de la característica de transferencia con
estos datos.
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒)

0𝑉 2
𝑉𝐺𝑆 = 0 𝐼𝐷 = 5 𝑚𝐴 (1 − ) = 5 𝑚𝐴
−8 𝑉
−1 𝑉 2
𝑉𝐺𝑆 = −1 𝑉 𝐼𝐷 = 5 𝑚𝐴 (1 − ) = 3,83 𝑚𝐴
−8 𝑉
−2 𝑉 2
𝑉𝐺𝑆 = −2 𝑉 𝐼𝐷 = 5 𝑚𝐴 (1 − ) = 2,81 𝑚𝐴
−8 𝑉
−3 𝑉 2
𝑉𝐺𝑆 = −3 𝑉 𝐼𝐷 = 5 𝑚𝐴 (1 − ) = 1,95 𝑚𝐴
−8 𝑉
−4 𝑉 2
𝑉𝐺𝑆 = −4 𝑉 𝐼𝐷 = 5 𝑚𝐴 (1 − ) = 1,25 𝑚𝐴
−8 𝑉
−5 𝑉 2
𝑉𝐺𝑆 = −5 𝑉 𝐼𝐷 = 5 𝑚𝐴 (1 − ) = 0,703 𝑚𝐴
−8 𝑉
−6 𝑉 2
𝑉𝐺𝑆 = −6 𝑉 𝐼𝐷 = 5 𝑚𝐴 (1 − ) = 0,313 𝑚𝐴
−8 𝑉
−7 𝑉 2
𝑉𝐺𝑆 = −7 𝑉 𝐼𝐷 = 5 𝑚𝐴 (1 − ) = 0,078 𝑚𝐴
−8 𝑉
−8 𝑉 2
𝑉𝐺𝑆 = −8 𝑉 𝐼𝐷 = 5 𝑚𝐴 (1 − ) = 0 𝑚𝐴
−8 𝑉
Curva de la característica de transferencia

11. Para el JFET del problema 10, ¿qué valor de 𝑉𝐺𝑆 se requiere para establecer una corriente
en el drenaje de 2.25 mA?
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒)

𝑉𝐺𝑆 𝐼𝐷
1− =√
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) 𝐼𝐷𝑆𝑆

𝐼𝐷
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) (1 − √ )
𝐼𝐷𝑆𝑆

2,25 𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆 = −8 𝑉 (1 − √ ) = −8 𝑉(𝑂, 329) = −𝟐, 𝟔𝟑 𝑽
5 𝑚𝐴

12. Para un JFET particular, 𝑔𝑚0 = 3200 mS. ¿Cuál es 𝑔𝑚 cuando 𝑉𝐺𝑆 = -4 V, dado que
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) = -8 V?

𝑉𝐺𝑆 −4 𝑉
𝑔𝑚 = 𝑔𝑚0 (1 − ) = 3200 𝜇𝑆 (1 − ) = 𝟏𝟔𝟎𝟎 𝝁𝑺
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) −8 𝑉

13. Determine la transconductancia en directa de un JFET polarizado con 𝑉𝐺𝑆 = -2 V. En las


hojas de datos, 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) = -7 V y 𝑔𝑚 = -2000 mS con 𝑉𝐺𝑆 = 0 V. Determine también la
conductancia de transferencia en directa 𝑔𝑓𝑠 .

𝑉𝐺𝑆 −2 𝑉
𝑔𝑚 = 𝑔𝑚0 (1 − ) = 2000 𝜇𝑆 (1 − ) = 𝟏𝟒𝟐𝟗 𝝁𝑺
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) −7 𝑉

𝑦𝑓𝑔 = 𝑔𝑚 = 𝟏𝟒𝟐𝟗 𝝁𝑺

14. La hoja de datos de un JFET de canal p muestra que 𝐼𝐺𝑆𝑆 = 5 nA con 𝑉𝐺𝑆 = 10 V.
Determine la resistencia de entrada.
𝑉𝐺𝑆 10 𝑉
𝑅(𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎) = = = 𝟐𝟎𝟎𝟎 𝑴𝜴
𝐼𝐺𝑆𝑆 5 𝑛𝐴

15. Con la ecuación 8-1, trace la curva de la característica de transferencia de un JFET con
𝐼𝐷𝑆𝑆 = 8 mA y 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) = -5 V. Use por lo menos cuatro puntos.
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒)

0𝑉 2
𝑉𝐺𝑆 = 0 𝐼𝐷 = 8 𝑚𝐴 (1 − ) = 𝟖 𝒎𝑨
−8 𝑉
−1 𝑉 2
𝑉𝐺𝑆 = −1 𝑉 𝐼𝐷 = 8 𝑚𝐴 (1 − ) = 𝟓, 𝟏𝟐 𝒎𝑨
−5 𝑉
−2 𝑉 2
𝑉𝐺𝑆 = −2 𝑉 𝐼𝐷 = 8 𝑚𝐴 (1 − ) = 𝟐, 𝟖𝟖 𝒎𝑨
−5 𝑉
−3 𝑉 2
𝑉𝐺𝑆 = −3 𝑉 𝐼𝐷 = 8 𝑚𝐴 (1 − ) = 𝟏, 𝟐𝟖 𝒎𝑨
−5 𝑉
−4 𝑉 2
𝑉𝐺𝑆 = −4 𝑉 𝐼𝐷 = 8 𝑚𝐴 (1 − ) = 𝟎, 𝟑𝟐𝟎 𝒎𝑨
−5 𝑉
−5 𝑉 2
𝑉𝐺𝑆 = −5 𝑉 𝐼𝐷 = 8 𝑚𝐴 (1 − ) = 𝟎 𝒎𝑨
−5 𝑉
9
8
7
6
5
ID

4
3
2
1
0
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0
-VGS

Curva de la característica de transferencia

Polarización de un JFET
16. Un JFET autopolarizado de canal n tiene una corriente en el drenaje de 12 mA y una
resistencia de fuente de 100Ω. ¿Cuál es el valor de 𝑉𝐺𝑆 ?

𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 𝑅𝑆 = −(12 𝑚𝐴)(0,1 𝑘𝛺 ) = −𝟏. 𝟐 𝑽

17. Determine el valor de RS requerido para que un JFET autopolarizado produzca un 𝑉𝐺𝑆
de -4 V cuando 𝐼𝐷 = 5 mA.
𝑉𝐺𝑆 −4 𝑉
𝑅𝑆 = | | = | | = 𝟖𝟎𝟎 𝜴
𝐼𝐷 5 𝑚𝐴

18. Determine el valor de RS requerido para que un JFET autopolarizado produzca una 𝐼𝐷 =
2.5 mA cuando 𝑉𝐺𝑆 = -3 V.
𝑉𝐺𝑆 −3 𝑉
𝑅𝑆 = | | = | | = 𝟏, 𝟐 𝒌𝜴
𝐼𝐷 2,5 𝑚𝐴

19. 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 20 mA y 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒)= -6 V para un JFET particular.

(a) ¿Cuál es 𝐼𝐷 cuando 𝑉𝐺𝑆 = 0 V?

 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 𝟐𝟎 𝒎𝑨

(b) ¿Cuál es 𝐼𝐷 cuando 𝑉𝐺𝑆 =𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒)?

 𝐼𝐷 = 𝟎 𝑨
(c) Si 𝑉𝐺𝑆 se incrementa desde = 4 V hasta 1 V, ¿se incrementa o reduce la 𝐼𝐷 ?

 𝐼𝐷 se incrementa

20. Para cada uno de los circuitos de la figura 8-66, determine 𝑉𝐷𝑆 y 𝑉𝐺𝑆 .

(a) 𝑉𝑆 = (1 𝑚𝐴)(1.0 𝑘𝛺 ) = 1𝑉
𝑉𝐷 = 12 𝑉 − (1 𝑚𝐴)(4,7 𝑘𝛺 ) = 7.3 𝑉
𝑉𝐺 = 0 𝑉
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 = 0 𝑉 − 1 𝑉 = −𝟏 𝑽
𝑉𝐷𝑆 = 7,3 𝑉 − 1 𝑉 = 𝟔, 𝟑 𝑽

(b) 𝑉𝑆 = (5 𝑚𝐴)(0,1 𝑘𝛺 ) = 0,5 𝑉


𝑉𝐷 = 9 𝑉 − (5 𝑚𝐴)(0,47 𝑘𝛺 ) = 6,65 𝑉
𝑉𝐺 = 0 𝑉
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 = 0 𝑉 − 0,5 𝑉 = −𝟎, 𝟓 𝑽
𝑉𝐷𝑆 = 6,65 𝑉 − 0,5 𝑉 = 𝟔, 𝟏𝟓 𝑽

(c) 𝑉𝑆 = (−3 𝑚𝐴)(0,47 𝑘𝛺 ) = −1,41 𝑉


𝑉𝐷 = −15 𝑉 − (3 𝑚𝐴)(2,2 𝑘𝛺 ) = −8,4 𝑉
𝑉𝐺 = 0 𝑉
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 = 0 𝑉 − (−1,41 𝑉 ) = 𝟏, 𝟒𝟏 𝑽
𝑉𝐷𝑆 = −8,4 𝑉 − (−1,41 𝑉) = 𝟔, 𝟗𝟗 𝑽
21. Con la curva que aparece en la figura 8-67, determine el valor de RS requerido para una
corriente en el drenaje de 9.5 mA.
El grafico dice que: 𝑉𝐺𝑆 ≅ −2 𝑉 a 𝐼𝐷 = 𝟗, 𝟓 𝒎𝑨
𝑉𝐺𝑆 −2 𝑉
𝑅𝑆 = | | = | | = 𝟐𝟏𝟏 𝜴
𝐼𝐷 9,5 𝑚𝐴

22. Establezca una polarización del punto medio para un JFET con 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 14 mA y 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒)
= -10 V. Use una fuente de cd de 24 V. Muestre los valores de circuito y resistores. Indique
los valores de 𝐼𝐷 , 𝑉𝐺𝑆 y 𝑉𝐷𝑆 .
𝐼𝐷𝑆𝑆 14 𝑚𝐴
𝐼𝐷 = = = 𝟕 𝒎𝑨
2 2
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) −10 𝑉
𝑉𝐺𝑆 = = = −𝟐, 𝟗𝟑 𝑽
3,414 3,414
Ya que 𝑉𝐺𝑆 = 0 𝑉, 𝑉𝑆 = 𝑉𝐺
𝑉 −2,93 𝑉
𝑅𝑆 = | 𝐼𝐺𝑆 | = | | = 419 Ω (El valor estándar más cercano es 430 𝛺)
𝐷 7 𝑚𝐴

𝑉𝐷𝐷 −𝑉𝐷 24 𝑉−12 𝑉


𝑅𝑫 = 𝐼𝐷
= 7 𝑚𝐴
= 1,7 kΩ (El valor estándar más cercano es 1,8 k𝛺)

23. Determine la resistencia de entrada total en la figura. 𝐼𝐺𝑆 = 20 nA con 𝑉𝐺𝑆 = -10 V.
𝑅𝐼𝑁(𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙) = 𝑅𝐺 ∥ 𝑅𝐼𝑁

𝑉𝐺𝑆 −10 𝑉
𝑅𝐼𝑁 = | |=| | = 𝟓𝟎𝟎 𝑴𝜴
𝐼𝐺𝑆𝑆 20 𝑛𝐴

𝑅𝐼𝑁(𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙) = 10 𝑀𝛺 ∥ 500 𝑀𝛺 = 𝟗, 𝟖 𝑴𝜴

24. Determine gráficamente el punto Q para el circuito de la figura 8-69(a) con la curva de
la característica de transferencia de la figura.

Para 𝐼𝐷 = 0
𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 𝑅𝑆 = (0)(330 𝛺 ) = 0 𝑉
Para 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 5 𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 𝑅𝑆 = −(5 𝑚𝐴)(330 𝛺 ) = −1,64 𝑉
Para el grafico de la figura 8-69, el punto Q es:
𝑉𝐺𝑆 ≅ −𝟎, 𝟗𝟓 𝑽 y 𝐼𝐷 ≅ 𝟐, 𝟗 𝒎𝑨
25. Localice el punto Q para el circuito de JFET de canal p mostrado en la figura.
Para 𝐼𝐷 = 0 𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 𝑅𝑆 = (10 𝑚𝐴)(390 𝛺 )
= 3,9 𝑉
𝑉𝐺𝑆 = 0 𝑉
Para el grafico de la figura 8-69, el punto
Para 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 10 𝑚𝐴 Q es: 𝑉𝐺𝑆 ≅ 𝟐, 𝟏𝑽 y 𝐼𝐷 ≅ 𝟓, 𝟑 𝒎𝑨
TRANSISTORES DE CAMPO FET
26. Dado que el voltaje de drenaje a tierra en la figura 8-71 es de 5 V, determine el punto Q
del circuito.

Ya que 𝑉𝑅𝐷 = 9 𝑉 − 5 𝑉 = 4 𝑉
𝑉𝑅𝐷 4𝑉
𝐼𝐷 = = = 0,85 𝑚𝐴
𝑅𝐷 4,7 𝑘𝛺

𝑉𝑆 = 𝐼𝐷 𝑅𝑆 = (0,85 𝑚𝐴)(3,3 𝑘𝛺 ) = 2,81 𝑉


𝑅2 2,2 𝑀𝛺
𝑉𝐺 = ( ) 𝑉𝐷𝐷 = ( ) 9 𝑉 = 1,62 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 12,2 𝑀𝛺

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 = 1,62 𝑉 − 2,81 𝑉 = −1,19 𝑉

Punto Q: 𝐼𝐷 = 𝟎, 𝟖𝟓 𝒎𝑨, 𝑉𝐺𝑆 = −𝟏, 𝟏𝟗 𝐕

27. Determine los valores del punto Q para el JFET con polarización mediante divisor de
voltaje en la figura 8-72.

Para 𝐼𝐷 = 0
𝑅2 2,2 𝑀𝛺
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 = ( ) 𝑉𝐷𝐷 = ( ) 12 𝑉 = 4,8 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 5,5 𝑀𝛺
Para 𝑉𝐺𝑆 = 0 𝑉 , 𝑉𝑆 = 4,8 𝑉
𝑉𝑆 |𝑉𝐺 − 𝑉𝐺𝑆 | 4,8 𝑉
𝐼𝐷 = = = = 1,45 𝑚𝐴
𝑅𝑆 𝑅𝑆 3,3 𝑘𝛺

Los valores del punto Q para el JFET del grafico 8-72 son:

𝐼𝐷 ≅ 𝟏, 𝟗 𝒎𝑨 , 𝑉𝐺𝑆 = −𝟏, 𝟓 𝑽
LA REGIÓN ÓHMICA
28. Cierto JFET se polariza en la región óhmica con 𝑉𝐷𝑆 = 0.8 V e 𝐼𝐷 = 0.20 mA. ¿Cuál es
la resistencia del drenaje a la fuente?
1 𝑉𝐷𝑆 0,8 𝑉
𝑅𝐷𝑆 = ≅ = = 𝟒 𝒌𝜴
𝐺𝐷𝑆 𝐼𝐷 0,20 𝑚𝐴
29. El punto Q de un JFET cambia de 𝑉𝐷𝑆 = 0.4 V e 𝐼𝐷 = 0.15 mA a 𝑉𝐷𝑆 = 0.6 V e 𝐼𝐷 = 0.45
mA. Determine el intervalo de valores de RDS.
𝑉𝐷𝑆 0,6 𝑉
𝑄0 ; 𝑅𝐷𝑆 = = = 𝟏, 𝟑𝟑 𝜴
𝐼𝐷 0,45 𝑚𝐴
𝑉𝐷𝑆 0,4 𝑉
𝑄1 ; 𝑅𝐷𝑆 = = = 𝟐, 𝟔𝟕 𝒌𝜴
𝐼𝐷 0,15 𝑚𝐴
Los intervalos son de 1.33 Ω a 2.67 kΩ

30. Determine la transconductancia de un JFET polarizado en el origen dado que 𝑔𝑚0 = 1.5
mS, 𝑉𝐺𝑆 = -1 V y 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒)= -3.5 V.

𝑉𝐺𝑆 −1 𝑉
𝑔𝑚 = 𝑔𝑚0 (1 − ) = 1.5 mS (1 − ) = 𝟏, 𝟎𝟕 𝒎𝑺
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) −3,5 𝑉

31. Determine la resistencia de ca del drenaje a la fuente del JFET del problema 30.
1 1
𝑟𝑑𝑠 = = = 0,935 𝑘𝛺 → 𝟗𝟑𝟓𝜴
𝑔𝑚 1,07 mS

El MOSFET
32. Trace los símbolos esquemáticos para los E-MOSFET y los D-MOSFET de canal n y
canal p. Marque las terminales.
33. ¿En qué modo opera un D-MOSFET de canal n con un 𝑉𝐺𝑆 positivo?

 Esta en modo de mejora o enriquecimiento.

34. Describa la diferencia básica entre un E-MOSFET y un D-MOSFET.

 Un E-MOSFET no tiene canal físico ni modo de empobrecimiento. Un D-MOSFET


tiene un canal físico y puede ser operado en modos de empobrecimiento o
enriquecimiento.

35. Explique por qué ambos tipos de MOSFET tienen una resistencia de entrada
extremadamente alta en la compuerta.

 Porque la compuerta está aislada del canal.

Características y parámetros de MOSFET


36. La hoja de datos de un E-MOSFET revela que 𝐼𝐷𝑆(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜) = 10 mA con 𝑉𝐺𝑆 = -12V y
𝑉𝐺𝑆(𝑢𝑚𝑏𝑟𝑎𝑙) = -3 V. Determine 𝐼𝐷 cuando 𝑉𝐺𝑆 = -6 V.

Solución
𝐼𝐷(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜) 10 𝑚𝐴 10 𝑚𝐴
𝐾= 2
= 2
= = 0,12 𝑚𝐴⁄𝑉 2
(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆(𝑢𝑚𝑏𝑟𝑎𝑙) ) (−12 𝑉 − (−3𝑉 )) 81 𝑉 2

𝐼𝐷 = 𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆(𝑢𝑚𝑏𝑟𝑎𝑙) )2

𝐼𝐷 = (0,12 𝑚𝐴⁄𝑉 2 ) (−6 𝑉 − (−3𝑉 ))2

𝐼𝐷 = (0,12 𝑚𝐴⁄𝑉 2 ) (−3 𝑉)2

𝐼𝐷 = (0,12 𝑚𝐴⁄𝑉 2 ) (9 𝑉 2 )

𝑰𝑫 =1,08 mA

37. Determine 𝐼𝐷𝑆𝑆 dada 𝐼𝐷 = 3 mA, 𝑉𝐺𝑆 = -2 V y 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) = -10 V.

Solución
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 ≅ 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒)

𝐼𝐷 3 𝑚𝐴 3 𝑚𝐴
𝐼𝐷𝑆𝑆 ≅ 2 = 2 = = 𝟒, 𝟔𝟗 𝒎𝑨
𝑉𝐺𝑆 (−2 𝑉 ) 0,64
(1 − ) (1 − )
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) (−10 𝑉 )

38. La hoja de datos de un cierto D-MOSFET da 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) = -5 V e 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 8 mA.

(a) ¿Es este dispositivo de canal p o de canal n?


El dispositivo tiene un VGS (corte) negativo; así que es un MOSFET de canal n.
(b) Determine 𝐼𝐷 con valores de 𝑉𝐺𝑆 desde -5 V hasta +5 V en incrementos de 1V.
2 2
𝑉𝐺𝑆 (−5 𝑉 )
𝑉𝐺𝑆 = −5 𝑉 𝐼𝐷 ≅ 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) = (8 𝑚𝐴) (1 − ) =0
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) (−5𝑉 )
2 2
𝑉𝐺𝑆 (−4 𝑉 )
𝑉𝐺𝑆 = −4 𝑉 𝐼𝐷 ≅ 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) = (8 𝑚𝐴) (1 − ) = 0,32 𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) (−5𝑉 )
2 2
𝑉𝐺𝑆 (−3 𝑉 )
𝑉𝐺𝑆 = −3 𝑉 𝐼𝐷 ≅ 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) = (8 𝑚𝐴) (1 − ) = 1,28 𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) (−5𝑉 )
2 2
𝑉𝐺𝑆 (−2 𝑉 )
𝑉𝐺𝑆 = −2 𝑉 𝐼𝐷 ≅ 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) = (8 𝑚𝐴) (1 − ) = 2,88 𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) (−5𝑉 )
2 2
𝑉𝐺𝑆 (−1 𝑉 )
𝑉𝐺𝑆 = −1 𝑉 𝐼𝐷 ≅ 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) = (8 𝑚𝐴) (1 − ) = 5,12 𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) (−5𝑉 )
2 2
𝑉𝐺𝑆 (0 𝑉 )
𝑉𝐺𝑆 = 0 𝑉 𝐼𝐷 ≅ 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) = (8 𝑚𝐴) (1 − ) = 8 𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) (−5𝑉 )
2 2
𝑉𝐺𝑆 (1 𝑉 )
𝑉𝐺𝑆 = 1 𝑉 𝐼𝐷 ≅ 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) = (8 𝑚𝐴) (1 − ) = 11,52 𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) (−5𝑉 )
2 2
𝑉𝐺𝑆 (2 𝑉 )
𝑉𝐺𝑆 = 2 𝑉 𝐼𝐷 ≅ 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) = (8 𝑚𝐴) (1 − ) = 15,68 𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) (−5𝑉 )
2 2
𝑉𝐺𝑆 (3𝑉 )
𝑉𝐺𝑆 = 3 𝑉 𝐼𝐷 ≅ 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) = (8 𝑚𝐴) (1 − ) = 20,48 𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) (−5𝑉 )
2 2
𝑉𝐺𝑆 (4 𝑉 )
𝑉𝐺𝑆 = 4 𝑉 𝐼𝐷 ≅ 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) = (8 𝑚𝐴) (1 − ) = 25,92 𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) (−5𝑉 )
2 2
𝑉𝐺𝑆 (5 𝑉 )
𝑉𝐺𝑆 = 5 𝑉 𝐼𝐷 ≅ 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) = (8 𝑚𝐴) (1 − ) = 32 𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) (−5𝑉 )
(c) Trace la curva de la característica de transferencia con los datos de la parte b).

Curva de la característica de transferencia

POLARIZACIÓN DE UN MOSFET
39. Determine en qué modo (empobrecimiento, de enriquecimiento o ninguno) se polariza
cada uno de los MOSFET mostrados en la figura 8-73.

(a) Empobrecimiento
(b) Ninguno (Realimentación del drenaje)

(c) Ninguno (Polarización en cero)


(d) Empobrecimiento

40. Cada E-MOSFET que aparece en la figura 8-74 tiene un 𝑉𝐺𝑆(𝑢𝑚𝑏𝑟𝑎𝑙) de -5 V o +5 V,


dependiendo de si es un dispositivo de canal n o uno de canal p. Determine cada uno de los
MOSFET está encendido o apagado.
(a) El MOSFET está encendido.

𝑅2 10000 𝑘𝛺
𝑉𝐺𝑆 = ( ) 𝑉𝐷𝐷 = ( ) 10 𝑉 = 𝟔, 𝟖𝟎 𝑽
𝑅1 + 𝑅2 4700 𝑘𝛺 + 10000 𝑘𝛺
(b) El MOSFET está apagado.

𝑅2 1000 𝑘𝛺
𝑉𝐺𝑆 = ( ) 𝑉𝐷𝐷 = ( ) (−25 𝑉 ) = −𝟐, 𝟐𝟕 𝑽
𝑅1 + 𝑅2 10000 𝑘𝛺 + 1000 𝑘𝛺

41. Determine el 𝑉𝐷𝑆 para cada uno de los circuitos de la figura 8-75. 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 8 mA.

𝑉𝐺𝑆 = 0 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 8 𝑚𝐴
(a) 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 = 12 𝑉 − (8 𝑚𝐴)(1 𝑘𝛺 ) = 𝟒 𝑽
(b) 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 = 15 𝑉 − (8 𝑚𝐴)(1,2 𝑘𝛺 ) = 𝟓, 𝟒 𝑽
(c) 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 = −9 𝑉 − (−8 𝑚𝐴)(0,56𝑘𝛺 ) = −𝟒, 𝟓𝟐 𝑽

42. Determine 𝑉𝐺𝑆 y 𝑉𝐷𝑆 para los E-MOSFET de la figura. La información dada en la hoja
de datos aparece con cada circuito.
(a) 𝐼𝐷(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜) = 3 𝑚𝐴 𝑐𝑜𝑛 𝑉𝐺𝑆 = 4 𝑉 𝑉𝐺𝑆(𝑢𝑚𝑏𝑟𝑎𝑙) = 2 𝑉
𝑅2 4700 𝑘𝛺
𝑉𝐺𝑆 = ( ) 𝑉𝐷𝐷 = ( ) 10 𝑉 = 𝟑, 𝟐 𝑽
𝑅1 + 𝑅2 10000 𝑘𝛺 + 4700 𝑘𝛺
𝐼𝐷(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜) 3 𝑚𝐴 3 𝑚𝐴
𝐾= = = = 0,75 𝑚𝐴⁄𝑉 2
(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆(𝑢𝑚𝑏𝑟𝑎𝑙) )2 (4 𝑉 − 2 𝑉)2 4 𝑉2

𝐼𝐷 = 𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆(𝑢𝑚𝑏𝑟𝑎𝑙) )2 = (0,75 𝑚𝐴⁄𝑉 2 )(3,2 𝑉 − 2 𝑉 )2 = 1,08 mA

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 = 10 𝑉 − (1,08 𝑚𝐴)(1 𝑘𝛺 ) = 𝟖, 𝟗𝟐 𝑽

(b) 𝐼𝐷(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜) = 2 𝑚𝐴 𝑐𝑜𝑛 𝑉𝐺𝑆 = 3 𝑉 𝑉𝐺𝑆(𝑢𝑚𝑏𝑟𝑎𝑙) = 1,5 𝑉


𝑅2 10000 𝑘𝛺
𝑉𝐺𝑆 = ( ) 𝑉𝐷𝐷 = ( ) 5 𝑉 = 𝟐, 𝟓 𝑽
𝑅1 + 𝑅2 10000 𝑘𝛺 + 10000 𝑘𝛺
𝐼𝐷(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜) 2 𝑚𝐴 2 𝑚𝐴
𝐾= = = = 0,89 𝑚𝐴⁄𝑉 2
(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆(𝑢𝑚𝑏𝑟𝑎𝑙) )2 (3 𝑉 − 1,5 𝑉)2 2,25 𝑉 2

𝐼𝐷 = 𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆(𝑢𝑚𝑏𝑟𝑎𝑙) )2 = (0,89 𝑚𝐴⁄𝑉 2 )(2,5 𝑉 − 1,5 𝑉 )2 = 0,89 mA

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 = 5 𝑉 − (0,89 𝑚𝐴)(1,5 𝑘𝛺 ) = 𝟑, 𝟔𝟔 𝑽

43. Basado en las mediciones de 𝑉𝐺𝑆 , determine la corriente en el drenaje y el voltaje del
drenaje a la fuente para cada uno de los circuitos de la figura.
(a) 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐺𝑆 = 𝟓 𝑽
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 12 𝑉 − 5 𝑉
𝐼𝐷 = = = 𝟑, 𝟏𝟖 𝒎𝑨
𝑅𝐷 2,2 𝑘𝛺
(b) 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐺𝑆 = 𝟑, 𝟐 𝑽
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 8 𝑉 − 3,2𝑉
𝐼𝐷 = = = 𝟏, 𝟎𝟐 𝒎𝑨
𝑅𝐷 4,7 𝑘𝛺
44. Determine el voltaje real de la compuerta a la fuente en la figura 8-78 teniendo en cuenta
la corriente de fuga en la compuerta 𝐼𝐺𝑆𝑆 . Asuma que 𝐼𝐺𝑆𝑆 es de 50 pA e ID es de 1 mA en
las condiciones de polarización existentes.

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 = 15 𝑉 − (1 𝑚𝐴)(8,2 𝑘𝛺 ) = 6,8 𝑉

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 − 𝐼𝐺 𝑅𝐺 = 6,8 𝑉 − (5 𝑥 10−8 𝑚𝐴)(22000 𝑘𝛺 ) = 𝟔, 𝟕𝟗𝟗 𝑽

45. Explique por qué el 𝐼𝐺𝐵𝑇 tiene una resistencia de entrada muy alta.

 La resistencia de entrada de un IGBT es muy alta a causa de la estructura de


compuerta aislada.

46. Explique cómo puede producir una corriente excesiva en el colector para una condición
de enganche en un 𝐼𝐺𝐵𝑇 .

SOLUCIÓN DE FALLAS
47. La lectura de corriente en la figura 8-66(a) repentinamente se reduce a cero. ¿Cuáles son
las posibles fallas?

 RD o RS abierto, JFET abierto de D a S, VDD = 0 V o conexión a tierra abierta.


48. La lectura de corriente en la figura 8-66(b) repentinamente salta aproximadamente a 16
mA. ¿Cuáles son las posibles fallas?

 El JFET está cortocircuitado desde el drenaje (D) a la fuente (S) o VDD ha


aumentado.
49. Si el voltaje de la fuente en la figura 8-66(c) se cambia a -20 V, ¿cuál sería la lectura en
el amperímetro?

 Cambiará muy poco o nada porque le dispositivo está funcionando en la región de


corriente constante de la curva característica.

50. Usted obtiene una medición de +10 V en el drenaje del MOSFET de la figura 8-74(a).
El transistor está en buen estado y las conexiones a tierra están bien hechas. ¿Cuál puede ser
el problema?

 El dispositivo está apagado. El voltaje de polarización de puerta debe ser menor que
VGS (umbral). La puerta podría estar cortocircuitada o parcialmente en cortocircuito
a tierra.
51. Usted obtiene una medición de aproximadamente 0 V en el drenaje del MOSFET de la
figura 8-74(b). No hay cortos y el transistor está en buen estado. ¿Cuál es el problema más
probable?

 El resistor de polarización de 1.0 MΩ está abierto

PROBLEMAS DE LA ACTIVIDAD DE APLICACIÓN


52. Consulte la figura 8-58 y determine el voltaje en el sensor con cada uno de los siguientes
valores.
(a) 2 (b) 5 (c) 7 (d) 11

53. Consultando las curvas de transconductancia del BF998 mostrado en la figura 8-79,
determine el cambio de 𝐼𝐷 cuando la polarización en la segunda compuerta cambia de 6V a
1V y 𝑉𝐺1𝑆 es de 0.0 V. Cada curva representa un valor de 𝑉𝐺2𝑆 diferente.

54. Consulte la figura 8-61 y trace la curva de transconductancia (𝑉𝐷 vs. 𝑉𝐺𝑆1 ).

55. Consulte la figura 8-79. Determine el voltaje de salida del circuito de la figura 8-61 si
𝑉𝐺1𝑆 = 𝑉𝑠𝑒𝑛𝑠𝑜𝑟 = 0 V y R2 se cambia a 50 kΩ.

PROBLEMAS RESUELTOS CON HOJA DE DATOS


56. ¿Qué tipo de FET es el 2N5457?

 El 2N5457 es un FET de canal n.


57. Consulte la hoja de datos de la figura 8-14 para determinar lo siguiente:

a) El 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) mínimo para el 2N5457.


𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) = −𝟎, 𝟓 𝑽 𝑚𝑖𝑛𝑖𝑚𝑜
b) El voltaje máximo del drenaje a la fuente para el 2N5457.
𝑉𝐷𝑆(𝑚𝑎𝑥) = 𝟐𝟓 𝑽
c) Disipación de potencia máxima para el 2N5458 a una temperatura ambiente de
25°C.
𝑃𝐷(max) = 𝟑𝟏𝟎 𝒎𝑾
d) El voltaje en inversa de la compuerta a la fuente máxima para el 2N5459.
𝑉𝐺𝑆(𝑖𝑛𝑣) = −𝟐𝟓 𝑽 𝑚𝑖𝑛𝑖𝑚𝑜

58. Consulte la figura 8-14 para determinar la disipación de potencia máxima para un
2N5457 a una temperatura ambiente de 65°C.
 𝑃𝐷(max) = 310 𝑚𝑊 − (2,82 𝑚𝑊 ⁄°𝐶 )(65°𝐶 − 25°𝐶 ) = 𝟏𝟗𝟕 𝒎𝑾

59. Consultando la figura 8-14, determine la gm0 mínima para el 2N5459 a una frecuencia
de 1 kHz.

 𝑔𝑚0(min) = 𝑦𝑓𝑠 = 𝟐𝟎𝟎𝟎 𝝁𝑺

60. Consultando la figura 8-14, ¿cuál es la corriente típica en el drenaje en un 2N5459 con
𝑉𝐺𝑆 = 0 V?

 La corriente típica es 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 𝟗 𝒎𝑨

61. Consultando la hoja de datos del 2N3796 en la figura 8-80, determine la corriente en el
drenaje con 𝑉𝐺𝑆 = 0 V.

 𝐼𝐷 ≅ 𝟏, 𝟒 𝒎𝑨
62. Consultando la figura 8-80, ¿cuál es la corriente en el drenaje para un 2N3796 cuando
𝑉𝐺𝑆 = 6 V?

63. Consultando la hoja de datos de la figura 8-80, determine 𝐼𝐷 en un 2N3797 cuando 𝑉𝐺𝑆
= +3 V. Determine 𝐼𝐷 cuando 𝑉𝐺𝑆 = -2 V.

 𝑉𝐺𝑆 = +3 V, 𝐼𝐷 ≅ 𝟏𝟑 𝒎𝑨
 𝑉𝐺𝑆 = -2 V, 𝐼𝐷 ≅ 𝟎, 𝟒 𝒎𝑨
64. Consultando la figura 8-80, ¿cuánto cambio la transconductancia en directa máxima de
un 2N3796 dentro de un intervalo de frecuencias de señal desde 1 kHz hasta 1 MHz?
65. Consultando la figura 8-80, determine el valor típico del voltaje de la compuerta a la
fuente la cual el 2N3796 se irá a corte.

 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) = −𝟑. 𝟎 𝑽

PROBLEMAS AVANZADOS
66. Determine 𝑉𝐷𝑆 y 𝑉𝐺𝑆 en la figura 8-81 utilizando valores mínimos tomados de la hoja de
datos.

2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) 𝑑𝑜𝑛𝑑𝑒 𝑉𝐺𝑆 = 𝐼𝐷 𝑅𝑆
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒)
De la hoja de datos del 2N5457
𝐼𝐷𝑆𝑆(𝑚𝑖𝑛𝑖𝑚𝑎) = 1.0 𝑚𝐴 𝑦 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) = −0,5 𝑉 𝑚𝑖𝑛𝑖𝑚𝑜

𝐼𝐷 = 66,3 𝜇𝐴
𝑉𝐺𝑆 = −(66,3 𝜇𝐴)(5,6 𝑘𝛺 ) = −𝟎, 𝟑𝟕𝟏 𝑽
𝑉𝐷𝑆 = 12 𝑉 − (66,3 𝜇𝐴)(10 𝑘𝛺 + 5,6 𝑘𝛺 ) = 𝟏𝟏 𝑽
67. Determine la ID y el VGS máximos para el circuito de la figura 8-82.

3,3 𝑘𝛺
𝑉𝐶 = ( ) 9 𝑉 = (0,248)(9 𝑉 ) = 2,23 𝑉
13,3 𝑘𝛺
De la ecuación
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) 𝑑𝑜𝑛𝑑𝑒 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝐼𝐷 𝑅𝑆
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒)

𝐼𝐷 es máximo para 𝐼𝐷𝑆𝑆(𝑚𝑎𝑥) 𝑦 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) max , así que

𝐼𝐷𝑆𝑆 = 16 𝑚𝐴 𝑦 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) = −8.0 𝑉

𝐼𝐷 = 𝟑, 𝟓𝟖 𝒎𝑨

𝑉𝐺𝑆 = 2,23 𝑉 − (3,58 𝑚𝐴)(1,8 𝑘𝛺 ) = 2,23 𝑉 − 6,45 𝑉 = −𝟒, 𝟐𝟏 𝑽

68. Determine el intervalo de posibles valores del punto Q desde el mínimo hasta el
máximo para el circuito de la figura 8-81.
De la hoja de datos del 2N5457

𝐼𝐷𝑆𝑆(𝑚𝑖𝑛) = 1.0 𝑚𝐴 𝑦 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) = −0,5 𝑚𝑖𝑛𝑖𝑚𝑜

𝐼𝐷(𝑚𝑖𝑛) = 𝟔𝟔, 𝟑 𝝁𝑨

𝑉𝐷𝑆(𝑚𝑎𝑥) = 12 𝑉 − (66,3 𝜇𝐴)(15,6 𝑘𝛺 ) = 𝟏𝟏. 𝟎 𝑽

𝐼𝐷𝑆𝑆(𝑚𝑎𝑥) = 5.0 𝑚𝐴 𝑦 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) = −6.0 𝑚𝑎𝑥𝑖𝑚𝑜

𝐼𝐷(𝑚𝑎𝑥) = 𝟔𝟔𝟕 𝝁𝑨

𝑉𝐷𝑆(𝑚𝑖𝑛) = 12 𝑉 − (667 𝜇𝐴)(15,6 𝑘𝛺 ) = 𝟏, 𝟒 𝑽


69. Determine el voltaje del drenaje a la fuente para el circuito sensor de pH de la figura 8-
59 cuando se mide un pH de 5. Suponga que el reóstato está ajustado para producir 4 V en
el drenaje cuando se mide un pH de 7.

𝑉𝑝𝐻 = 300 𝑚𝑉
2
𝐼𝐷 = (2,9 𝑚𝐴)(1 + 0,3 𝑉⁄5.0 𝑉) = (2,9 𝑚𝐴)(1,06)2 = 3,26 𝑚𝐴

𝑉𝐷𝑆 = 15 𝑉 − (3,26 𝑚𝐴)(2,76 𝑘𝛺 ) = 15 𝑉 − 8,99 𝑉 = 𝟔, 𝟎𝟏 𝑽

70. Diseñe un circuito de MOSFET con polarización en cero utilizando un 2N3797 que opere
con una fuente de +9 V de cd y produzca un 𝑉𝐷𝑆 de 4.5 V. La corriente máxima extraída de
la fuente tiene que ser de 1 mA.
2
(1𝑚𝐴)𝑅𝑆
1 𝑚𝐴 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒)
2
(1𝑚𝐴)𝑅𝑆
1 𝑚𝐴 = 2,9 𝑚𝐴 (1 − )
−5 𝑉
2
(1 𝑚𝐴)𝑅𝑆
0,345 = (1 − )
−0,5 𝑉
(1 𝑚𝐴)𝑅𝑆
0,587 = 1 −
−0, 5 𝑉
(1 𝑚𝐴)𝑅𝑆
0,413 =
−0, 5 𝑉
𝑅𝑆 = 2,06 𝑘𝛺
Utilizar 𝑅𝑆 = 𝟐, 𝟐 𝒌𝜴
Entonces 𝐼𝐷 = 963 𝜇𝐴
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑆 = (963 𝜇𝐴)( 2,2 𝑘𝛺 ) = 2,19 𝑉
Así que, 𝑉𝐷 = 2,19 𝑉 + 4,5 𝑉 = 6,62 𝑉
9 𝑉 − 6,62 𝑉
𝑅𝐷 = = 2,47 𝑘𝛺
963 𝜇𝐴
Utilizar 𝑅𝐷 = 𝟐, 𝟒 𝒌𝜴
Así que 𝑉𝐷𝑆 = 9 𝑉 − (963 𝜇𝐴)(4,6 𝑘𝛺 ) = 4,57 𝑉

71. Diseñe un circuito utilizando E-MOSFET de canal n con las siguientes especificaciones
incluidas en la hoja de datos: 𝐼𝐷(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜) = 500 mA con 𝑉𝐺𝑆 =10V y 𝑉𝐺𝑆(𝑢𝑚𝑏𝑟𝑎𝑙) = 1 V. Use
un voltaje de alimentación de cd de +12 V con polarización mediante divisor de voltaje. El
voltaje en el drenaje con respecto a tierra tiene que ser de +8 V. La corriente máxima
suministrada por la fuente tiene que ser de 20 mA.
𝐼𝐷 = 20 𝑚𝐴
4𝑉
𝑅𝐷 = = 𝟐𝟎𝟎 𝜴
20 𝑚𝐴
𝑉𝑺 = 𝟐𝑽
2𝑉
𝑅𝑆 = = 𝟏𝟎𝟎 𝜴
20 𝑚𝐴
Por el 2N7008
𝐼𝐷(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜) 500 𝑚𝐴
𝐾= 2 = = 6,17 𝑚𝐴⁄𝑉 2
(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆(𝑢𝑚𝑏𝑟𝑎𝑙) ) (10 𝑉 − 1 𝑉 )2

𝐼𝐷 = 20 𝑚𝐴
20 𝑉
(𝑉𝐺𝑆 − 1 𝑉 )2 = = 3,24
6,17 𝑚𝐴⁄𝑉 2
𝑉𝐺𝑆 − 1 𝑉 = 1,8 𝑉
𝑉𝐺𝑆 = 2,8 𝑉
Por divisor de voltaje
𝑅1 7,2 𝑉
= = 1,5
𝑅2 4,8 𝑉
𝑅2 = 𝟏𝟎 𝒌𝜴
𝑅1 = (1,5)(10 𝑘𝛺 ) = 𝟏𝟓 𝒌𝜴