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UNIDAD 4

EXAMEN DE
VERDADERO/
FALSO

1. Un transistor de unin bipolar tiene tres terminales.

(v)

2. Las tres regiones de un BJT son la base, el emisor y el ctodo.

(f)

3. Para que opere en la regin lineal o activa, la unin base-emisor de un


transistor se polariza en directa.

(v)

4. Dos tipos de BJT son el npn y el pnp.

(v)

5. La corriente en la base y la corriente en el colector son aproximadamente


iguales.

(f)

6. La ganancia de voltaje de cd de un transistor se expresa como bCD.

(f)

7. Corte y saturacin son los dos estados normales de un amplificador lineal con
transistores.

(f)

8. Cuando un transistor est en saturacin, la corriente en el colector es mxima.

(V)

9. bCD y hFE son dos parmetros de transistor diferentes.

(f)

10. La ganancia de voltaje de un amplificador con transistor depende del resistor


en el colector y la resistencia

de ca interna.
(V)

11. Amplificacin es el voltaje de salida dividido entre la corriente de entrada.

(f)

12. Un transistor en estado de corte acta como interruptor abierto

(V)
EXAMEN DE
ACCIN
DE CIRCUITO

AUTOEVALUACIN

1. Si se utiliza un transistor con una bCD alta en la figura 4-9, la corriente en el


colector se

(a) incrementar

(b) decrecer

(c) no cambiar

2. Si se utiliza un transistor con una bCD alta en la figura 4-9, la corriente en el


emisor se

(a) incrementar

(b) decrecer

(c) no cambiar

3. Si se utiliza un transistor con una bCD alta en la figura 4-9, la corriente en la


base se

(a) incrementar

(b) reducir

(c) no cambiar
4. Si VBB se reduce en la figura 4-16, la corriente el colector se

(a) incrementar

(b) reducir

(c) no cambiar

5. Si VCC se incrementa en la figura 4-16, la corriente en la base se

(a) incrementar

(b) reducir

(c) no cambiar

6. Si la amplitud de Vent se reduce en la figura 4-22, la amplitud del voltaje de


salida de ca se

(a) incrementar

(b) reducir

(c) no cambiar

7. Si el transistor en la figura 4-24 se satura y la corriente en la base se


incrementa, la corriente en el colector

se

(a) incrementar

(b) reducir

(c) no cambiar
8. Si se reduce el valor de RC en la figura 4-24, el valor de IC(sat) se

(a) incrementar

(b) reducir

(c) no cambiar

9. Si el transistor en la figura 4-38 se abre del colector al emisor, el voltaje a travs


de RC se

(a) incrementar

(b) reducir

(c) no cambiar

10. Si el transistor en la figura 4-38 se abre del colector al emisor, el voltaje en el


colector se

(a) incrementar

(b) reducir

(c) no cambiar

11. Si el resistor de base en la figura 4-38 se abre, el voltaje en el colector del


transistor se

(a) incrementar

(b) reducir

(c) no cambiar
12. Si el emisor en la figura 4-38 se desconecta de tierra, el voltaje en el colector
se

(a) incrementar

(b) reducir

(c) no cambiar
AUTOEVALUACIN

1. Las tres terminales de un transistor de unin bipolar se llaman

(a) p, n, p

(b) n, p, n

(c) entrada, salida, tierra

(d) base, emisor, colector

2. En un transistor pnp, las regiones p son

(a) base y emisor

(b) base y colector

(c) emisor y colector

3. Para que opere como amplificador, la base de un transistor npn debe estar

(a) positiva con respecto al emisor

(b) negativa con respecto al emisor

(c) positiva con respecto al colector

(d) 0 V

4. La corriente en el emisor siempre es

(a) mayor que la corriente en la base

(b) menor que la corriente en el colector

(c) mayor que la corriente en el colector

(d) respuestas a) y c)
5. La bCD de un transistor es su

(a) ganancia de corriente

(b) ganancia de voltaje

(c) ganancia de potencia

(d) resistencia interna

6. Si IC es 50 veces ms grande que IB, entonces bCD es

(a) 0.02

(b) 100

(c) 50

(d) 500

7. El voltaje aproximado a travs de la unin base-emisor polarizada en directa de


un BJT de silicio es

(a) 0 V

(b) 0.7 V

(c) 0.3 V

(d) VBB

8. La condicin de polarizacin de un transistor que va a ser utilizado como


amplificador lineal se llama

(a) directa-inversa

(b) directa-directa

(c) inversa-inversa

(d) polarizacin de colector


9. Si la salida de un amplificador con transistor es de 5 V rms y la entrada de 100
mV, la ganancia de voltaje

es

(a) 5

(b) 500

(c) 50

(d) 100

10. Cuando se utiliza una minscula en relacin con un transistor, se refiere a

(a) una baja resistencia

(b) una resistencia de alambre

(c) una resistencia de ca interna

(d) una resistencia de fuente

11. En un amplificador con transistor dado, RC _ 2.2 k y la ganancia de voltaje


es

(a) 2.2

(b) 110

(c) 20

(d) 44

12. Cuando opera en corte y saturacin, el transistor acta como

(a) amplificador lineal

(b) interruptor

(c) capacitor variable

(d) resistor variable


13. En corte, VCE es

(a) 0 V

(b) mnimo

(c) mximo

(d) igual a VCC

(e) respuestas a) y b)

(f) respuestas c) y d)

14. En saturacin, VCE es

(a) 0.7 V

(b) igual a VCC

(c) mnimo

(d) mximo

15. Para llevar a saturacin un BJT

(a) IB _ IC(sat)

(b) IB IC(sat)/_CD

(c) VCC debe ser por lo menos de 10 V

(d) El emisor debe estar conectado a tierra

16. Una vez en saturacin, un incremento adicional de la corriente en la base

(a) har que se incremente la corriente en el colector

(b) no afectar la corriente en el colector

(c) har que se reduzca la corriente en el colector

(d) apagar el transistor


17. En un fototransistor, la corriente en la base es:

(a) establecida por un voltaje de polarizacin

(b) directamente proporcional a la intensidad de la luz

(c) inversamente proporcional a la intensidad de la luz

(d) no es un factor

18. La relacin entre la corriente en el colector y una corriente en la base


generada por luz es

(a) IC _ CDI

(b) IC _ CDI

(c) IC _ I

(d) IC

19. Un optoacoplador normalmente consta de

(a) dos LED

(b) un LED y un fotodiodo

(c) un LED y un fototransistor

(d) tanto b) como c)

20. En un amplificador con transistor, si la unin base-emisor se abre, el voltaje en


el colector es

(a) VCC

(b) 0 V

(c)Flotante

(d) 0.2 V
21. Un multmetro digital que mide una unin de transistor abierta muestra

(a) 0 V

(b) 0.7 V

(c) OL

(d) VCC
UNIDAD 5

EXAMEN DE
VERDADERO/
FALSO

1. La polarizacin en cd establece el punto de operacin en cd de un


amplificador.

(v)

2. El punto Q es el punto cuadrtico en un circuito de polarizacin.

(f)

3. La recta de carga de cd interseca al eje horizontal de la curva caracterstica de


un transistor en VCE _ VCC.

(v)

4. La recta de carga de cd interseca al eje vertical de la curva caracterstica de un


transistor en IC _ 0.

(F)

5. La regin lineal de operacin de un transistor queda entre saturacin y corte.

(V)

6. Rara vez se utiliza la polarizacin por medio de divisor de voltaje.

(F)

7. La resistencia de entrada en la base del transistor puede afectar la polarizacin


con divisor de voltaje.

8. La polarizacin con divisor de voltaje rgido es esencialmente independiente de


la carga en la base.

(v)

9. La polarizacin del emisor utiliza un voltaje de alimentacin de cd.

(F)

10. Se emplea realimentacin negativa en la polarizacin con realimentacin del


colector.
(v)

11. La polarizacin de la base es menos estable que la polarizacin con divisor de


voltaje.

(v)

12. Un transistor pnp requiere voltajes de polaridades opuestas a un transistor


npn.

(V)
EXAMEN DE
ACCIN
DE CIRCUITO

1. Si VBB en la figura 5-7 se incrementa, el valor del punto Q de la corriente en el


colector se

(a) incrementa

(b) reduce

(c) no cambia

2. Si VBB en la figura 5-7 se incrementa, el valor del punto Q de VCE se

(a) incrementa

(b) reduce

(c) no cambia

3. Si el valor de R2 en la figura 5-10 se reduce, el voltaje en la base se

(a) incrementa

(b) reduce

(c) no cambia

4. Si el valor de R1 en la figura 5-10 se incrementa, la corriente en el emisor se

(a) incrementa

(b) reduce

(c) no cambia
5. Si RE en la figura 5-16 se reduce, la corriente en el colector se

(a) incrementa

(b) reduce

(c) no cambia

6. Si RB en la figura 5-19 se reduce, el voltaje en la base con respecto al emisor


se

(a) incrementa

(b) reduce

(c) no cambia

7. Si VCC en la figura 5-21 se incrementa, el voltaje en la base con respecto al


emisor se

(a) incrementa

(b) reduce

(c) no cambia

8. Si R1 en la figura 5-25 se abre, el voltaje en el colector se

(a) incrementa

(b) reduce

(c) no cambia

9. Si R2 en la figura 5-25 se abre, el voltaje en el colector se

(a) incrementa

(b) reduce

(c) no cambia
10. Si R2 en la figura 5-25 se incrementa, la corriente en el emisor se

(a) incrementa

(b) reduce

(c) no cambia
AUTOEVALUACIN

1. El valor mximo de la corriente en el colector en un transistor polarizado es

(a) bCDIB

(b) IC(sat)

(c) mayor que IE

(d) IE IB

2. Idealmente, una recta de carga de cd es una lnea trazada sobre las curvas
caractersticas de colector entre

(a) el punto Q y corte

(b) el punto Q y saturacin

(c) VCE(corte) e IC(sat)

(d) IB = 0 y IB = IC>bCD

3. Si se aplica un voltaje senoidal a la base de un transistor npn polarizado y el


voltaje senoidal resultante

en el colector se recorta a casi cero volts, el transistor est

(a) siendo llevado a saturacin

(b) siendo llevado a corte

(c) operando no linealmente

(d) respuestas a) y c)

(e) respuestas b) y c)
4. La resistencia de entrada en la base de un transistor polarizado depende
principalmente de

(a) bCD

(b) RB

(c) RE

(d) bCD y RE

5. En un circuito con un transistor polarizado mediante divisor de voltaje tal como


en la figura 5-13,

RENT(BASE) en general puede ser despreciada en los clculos cuando

(a) RENT(BASE) 7 R2

(b) R2 7 10RENT(BASE)

(c) RENT(BASE) 7 10R2

(d) R1 V R2

6. En un cierto transistor npn polarizado con divisor de voltaje, VB es de 2.95 V. El


voltaje de cd en el emisor

es aproximadamente

(a) 2.25 V

(b) 2.95 V

(c) 3.65 V

(d) 0.7 V
7. La polarizacin con divisor de voltaje

(a) no puede ser independiente de bCD

(b) puede ser esencialmente independiente de bCD

(c) No es ampliamente utilizada

(d) requiere menos componentes que todos los dems mtodos

8. La polarizacin del emisor es

(a) esencialmente independiente de bCD

(b) muy dependiente de bCD

(c) proporciona un punto de polarizacin estable

(d) respuestas a) y c)

9. En un circuito con polarizacin del emisor, RE _ 2.7 k y VEE _ 15 V. La


corriente en el emisor:

(a) es 5.3 mA

(b) es 2.7 mA

(c) es 180 mA

(d) no puede ser determinada

10. La desventaja de la polarizacin de la base es que

(a) es muy compleja

(b) produce baja ganancia

(c) depende demasiado de beta

(d) produce una alta corriente de fuga


11. La polarizacin con realimentacin del colector

(a) est basada en el principio de realimentacin positiva

(b) est basada en la multiplicacin beta

(c) est basada en el principio de realimentacin negativa

(d) no es muy estable

12. En un transistor npn polarizado con divisor de voltaje, si el resistor de la parte


superior del divisor de

voltaje (el que est conectado a VCC) se abre

(a) el transistor se va a corte

(b) el transistor se va a saturacin

(c) el transistor se quema

(d) el voltaje de alimentacin es demasiado alto

13. En un transistor npn polarizado con divisor de voltaje, si el resistor de la parte


inferior del divisor de

voltaje (el que est conectado a tierra) se abre

(a) el transistor no se ve afectado

(b) el transistor puede ser llevado a corte

(c) el transistor puede ser llevado a saturacin

(d) la corriente en el colector se reducir


14. En un transistor pnp polarizado con divisor de voltaje no hay corriente base,
pero el voltaje en la base

es aproximadamente el correcto. El problema ms probable es

(a) un resistor de polarizacin abierto

(b) El resistor en serie con el colector abierto

(c) la unin base-emisor abierta

(d) Resistor en serie con el emisor abierto

(e) Respuestas a) y c)

(f) Respuestas c) y d)

15. Si R1 en la figura 5-26 se abre, el voltaje en la base es

(a) _10 V

(b) 0 V

(c) 3.13 V

(d) 0.7 V

16. Si R1 se abre, la corriente en el colector en la figura 5-26 es

(a) 5.17 mA

(b) 10 mA

(c) 4.83 mA

(d) 0 mA
UNIDAD 8

EXAMEN DE
VERDADERO/
FALSO

1. El JFET siempre opera con una unin pn de compuerta a fuente polarizada


en inversa.

(v)

2. La resistencia del canal de un JFET es una constante.

(f)

3. El voltaje de compuerta a fuente de un JFET de canal n debe ser negativo.

(v)

4. ID se vuelve cero al voltaje de estrangulamiento.

(F)

5. VGS no tiene ningn efecto en ID.

(F)

6. VGS(corte) y Vp siempre son iguales en magnitud pero de polaridad opuesta.

(V)

7. El JFET es un dispositivo de ley cuadrtica debido a la expresin matemtica de


su curva de caracterstica

de transferencia.

(V)

8. La transconductancia en directa es el cambio del voltaje en el drenaje para un


cambio dado del voltaje

en la compuerta.

(F)

9. Los parmetros gm y yfs son los mismos.

(V)
10. El D-MOSFET puede ser operado en dos modos.

(v)

11. Un E-MOSFET opera en el modo de empobrecimiento.

(f)

12. Un D-MOSFET tiene un canal fsico y un E-MOSFET tiene un canal inducido.

(v)

13. ESD significa dispositivo semiconductor electrnico.

(F)

14. Los MOSFET deben ser manejados con cuidado.

(V)
EXAMEN DE

ACCIN

DE CIRCUITO

1. Si se incrementa la corriente en el drenaje en la figura 8-17, VDS se

(a) incrementa

(b) reduce

(c) no cambia

2. Si se incrementa la corriente en el drenaje en la figura 8-17, VGS se

(a) incrementa

(b) reduce

(c) no cambia

3. Si se incrementa el valor de RD en la figura 8-24, ID se

(a) incrementa

(b) reduce

(c) no cambia

4. El valor de R2 se reduce en la figura 8-24, VG se

(a) incrementa

(b) reduce

(c) no cambia
5. Si VGS se incrementa en la figura 8-47, ID se

(a) incrementa

(b) reduce

(c) no cambia

6. Si R2 se abre en la figura 8-47, VGS se

(a) incrementa

(b) reduce

(c) no cambia

7. Si RG se incrementa en la figura 8-50, VG se

(a) incrementa

(b) reduce

(c) no cambia

8. Si el valor de IDSS se incrementa en la figura 8-50, VDS se

(a) incrementa

(b) reduce

(c) no cambia
AUTOEVALUACIN

1. El JFET es

(a) un dispositivo unipolar

(b) un dispositivo controlado por voltaje

(c) un dispositivo controlado por corriente

(d) respuestas a) y c)

(e) respuestas a) y b)

2. El canal de un JFET se encuentra entre

(a) la compuerta y el drenaje

(b) el drenaje y la fuente

(c) la compuerta y la fuente

(d) la entrada y la salida

3. Un JFET siempre opera con

(a) la unin pn de compuerta a fuente polarizada en inversa

(b) la unin pn de compuerta a fuente polarizada en directa

(c) el drenaje conectado a tierra

(d) el drenaje conectado a la fuente

4. Con VGS _ 0 V, la corriente en el drenaje se vuelve constante cuando VDS


sobrepasa:

(a) el voltaje de corte

(b) VDD

(c) VP

(d) 0 V
5. La regin de corriente constante de un FET queda entre

(a) el corte y la saturacin

(b) el corte y el estrangulamiento

(c) 0 e IDSS

(d) el estrangulamiento y la ruptura

6. IDSS es

(a) la corriente en el drenaje con la fuente en cortocircuito

(b) la corriente en el drenaje en corte

(c) la corriente mxima posible en el drenaje

(d) La corriente en drenaje del punto medio

7. La corriente en el drenaje en la regin de corriente constante se incrementa


cuando

(a) el voltaje de polarizacin de compuerta a fuente se reduce

(b) el voltaje de polarizacin de compuerta a fuente se incrementa

(c) el voltaje de drenaje a fuente se incrementa

(d) el voltaje de drenaje a fuente se reduce

8. En un cierto circuito FET, VGS _ 0 V, VDD _ 15 V, IDSS _ 15 mA y RD _ 470


. Si RD se reduce a

330 , IDSS es

(a) 19.5 mA

(b) 10.5 mA

(c) 15 mA

(d) 1 mA
9. En corte, el canal de un JFET est

(a) en su punto ms ancho

(b) completamente cerrado por la regin de empobrecimiento

(c) extremadamente angosto

(d) polarizado en inversa

10. La hoja de datos de cierto JFET da vgs(corte)__4 V. El voltaje de


estrangulamiento, VP,

(a) no puede ser determinado

(b) es de _4 V

(c) depende de VGS

(d) es de _4 V

11. El JFET de la pregunta 10

(a) es un canal n

(b) es un canal p

(c) puede ser uno u otro

12. Para un cierto JFET, IGSS _ 10 nA con VGS _ 10 V. La resistencia de entrada


es

(a) 100 M

(b) 1 M

(c) 1000 M

(d) 1000 m
13. Para cierto JFET de canal p, VGS(corte) _ 8 V. El valor de VGS para
polarizacin de punto medio aproximada

es

(a) 4 V

(b) 0 V

(c) 1.25 V

(d) 2.34 V

14. En un JFET autopolarizado, la compuerta est a

(a) un voltaje positivo

(b) 0 V

(c) un voltaje negativo

(d) conectada a tierra

15. La resistencia de drenaje a fuente en la regin hmica depende de

(a) VGS

(b) los valores del punto Q

(c) la pendiente de la curva en el punto Q

(d) todos los anteriores

16. Para utilizarlo como resistor variable, un JFET debe

(a) ser un dispositivo de canal n

(b) ser un dispositivo de canal p

(c) estar polarizado en la regin hmica

(d) estar polarizado en saturacin


17. Cuando se polariza un JFET en el origen, la resistencia de ca del canal est
determinada por

(a) los valores del punto Q

(b) VGS

(c) la transconductancia

(d) las respuestas (b) y (c)

18. Un MOSFET difiere de un JFET principalmente

(a) debido a la capacidad de potencia

(b) porque el MOSFET tiene dos compuertas

(c) el JFET tiene una unin pn

(d) porque los MOSFET no tienen un canal fsico

19. Un D-MOSFET opera

(a) slo en el modo de empobrecimiento

(b) slo en el modo de enriquecimiento

(c) slo en la regin hmica

(d) en los modos de empobrecimiento y de enriquecimiento

20. Un D-MOSFET de canal n con VGS positivo opera

(a) en el modo de empobrecimiento

(b) en el modo de enriquecimiento

(c) en corte

(d) en saturacin
21. Cierto E-MOSFET de canal p tiene un VGS(umbral)__2 V. Si VGS _ 0 V, la
corriente en el drenaje es

(a) 0 A

(b) ID(encendido)

(c) mxima

(d) IDSS

22. En un E-MOSFET no hay corriente en el drenaje hasta que VGS

(a) alcanza VGS(umbral)

(b) es positivo

(c) es negativo

(d) es igual a 0 V

23. Todos los dispositivos MOS son propensos a sufrir daos a consecuencia de

(a) calor excesivo

(b) descarga electrosttica

(c) voltaje excesivo

(d) todas las respuestas anteriores

24. Cierto D-MOSFET se polariza con VGS _ 0 V. Su hoja de datos especifica


IDSS _ 20 mA y

VGS(corte)__5 V. El valor de la corriente en el drenaje

(a) es de 0 A

(b) no puede ser determinada

(c) es de 20 mA
25. Un IGBT en general se utiliza en

(a) aplicaciones de baja potencia

(b) aplicaciones de radiofrecuencia

(c) aplicaciones de alto voltaje

(d) aplicacin de baja corriente