Tes Rivas

CAPÍTULO 1
BASES FUNDAMENTALES DE LA TESIS
1.1 PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA DE INVESTIGACIÓN
1.1.1 CARACTERIZACIÓN DEL PROBLEMA
En estos tiempos los sistemas eléctricos, electrónicos han tomado un sitio
preponderante en el sector industrial; y esto se debe al repunte tecnológico
que han desarrollado los dispositivos electrónicos, manejando en la
actualidad corrientes del orden de los kiloamperios, tensiones en el orden de
los kilovoltios y frecuencias en el orden de los KHz., En lo que respecta al
sector industrial. Todo esto conlleva en la mejora de la calidad del producto
a menores precios. Uno de los artífices de lo mencionado líneas arriba son
justamente los convertidores electrónicos y se puede mencionar sin lugar a
dudas que es el inversor (convertidor de cc. a ca.), y el rectificador
(convertidor de ca. a cc.) los que hoy en día juegan un papel relevante en la
industria. Sus aplicaciones son innumerables; aquí solamente mencionare
unos cuantos: sirven para el control de velocidad de motores de ca. (motor
drives), a las energías renovables (eólica y solar), a los sistemas de
alimentación ininterrumpida (SAI ó UPS), a los filtros activos para asegurar
la calidad de la energía eléctrica, a la tracción ferroviaria, y vehículos
eléctricos e híbridos y también a los balastos electrónicos y lámparas de bajo
consumo, biomédica, aeronáutica, naval, etc.
En la presente tesis desarrollo el estudio comparativo del control de
potencia media de un circuito R-L como carga de un inversor
semipuente. Considero este tema de bastante repercusión por su
generalidad puesto que muchos sistemas eléctricos son construidos en base
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a los circuitos R–L, por ejemplo los diversos tipos de motores,
electrobombas, filtros, cocinas y hornos de inducción, etc.
1.2 FORMULACIÓN DEL PROBLEMA
1.2.1 PROBLEMA GENERAL
 ¿Cuáles serán las formas para determinar el control de potencia media
de un circuito R-L como carga de un inversor semipuente?
1.2.2 PROBLEMAS PARTICULARES
 ¿De que forma influirá el tipo de modulación en el control de potencia
media de un circuito R- L como carga de un inversor semipuente?
 ¿Cómo influirá la forma de la onda en el control de la potencia media
de un circuito R- L como carga de un inversor semipuente?
1.3 OBJETIVOS DE LA INVESTIGACIÓN
1.3.1 OBJETIVO GENERAL
1. Investigar técnicamente cuáles serán las formas de control de potencia
media de un circuito R-L como carga de un inversor semipuente.
1.3.2 OBJETIVOS ESPECÍFICOS
1. Estudiar y analizar la influencia del tipo de modulación en el control
de potencia media de un circuito R-L como carga de un inversor
semipuente.
2. Estudiar y analizar la influencia de la forma de onda en el control de
potencia media de un circuito R-L como carga de un inversor
semipuente
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1.4 JUSTIFICACIÓN DEL TEMA
La ejecución del presente tema de tesis tiene gran importancia desde el punto de
vista técnico – científico, pues se abordarán temas físicos, matemáticos
relacionados con la ingeniería eléctrica y electrónica. También tiene tener gran
significación económica y social, porque se produce más, por lo tanto los costos
de los productos bajan de precio y el consumidor se favorece.
El tema estará basado sobre teorías comprobadas y es por eso que puedo afirmar
que la mayor parte del desarrollo del tema va ser original, finalmente se podría
proponer a alguna empresa la factibilidad de su ejecución.
1.5 FORMULACIÓN DE LA HIPÓTESIS
1.5.1 HIPÓTESIS GENERAL
1. La determinación técnica del control de potencia media de un circuito
R-L como carga de un inversor semipuente es función de la frecuencia
de conmutación para cualquier tipo de control.
1.5.2 HIPÓTESIS ESPECÍFICAS
1. La influencia del control de potencia media de un circuito R-L como
carga de un inversor semipuente es inevitablemente dependiente del
tipo de modulación.
2. La influencia técnica del control de potencia media de un circuito R-L
como carga de un inversor semipuente es función de la forma de onda.
1.6 IDENTIFICACIÓN DE LAS VARIABLES
1.6.1 VARIABLE DEPENDIENTE
 Circuito R-L como carga de un inversor semipuente
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1.6.2 VARIABLE INDEPENDIENTE
 Estudio y análisis técnico comparativo del control de potencia media
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CAPÍTULO 2
MARCO TEÓRICO Y ANTECEDENTES
2.1 MARCO TEORICO
Un convertidor es un dispositivo que permite controlar la conversión de energía
entre una fuente y una carga con alta eficiencia. Por lo tanto un convertidor debe
ser un dispositivo que manipule energía pero que no la consuma o que esta sea lo
mas mínima posible.
Antiguamente la conversión se realizaba con divisores de tensión mediante
componentes pasivos, lo que limitaba el rendimiento máximo al 50%, que estaba
muy lejos del 100% ideal.
Los convertidores aprovechan el trabajo de los dispositivos electrónicos como
conmutadores, actualmente hay dispositivos electrónicos que trabajan en
frecuencia del orden de los MHz. Conduciendo una corriente en el orden de los
kiloamperios, sometidos a tensiones en el orden de los kilovoltios. El inversor
que se estudiará en la tesis es el semipuente tal como se explicó líneas arriba.
Un convertidor es un dispositivo que permite controlar la conversión de energía
entre una fuente y una carga con alta eficiencia. Por lo tanto un convertidor debe
ser un dispositivo que manipule energía pero que no la consuma o que esta sea lo
mas mínima posible.
Es esencial que los convertidores consuman potencia mínima del sistema, pues
de otra forma sería un sistema ineficiente. Hace algunas décadas atrás los
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convertidores consumían potencia en el orden del 45% del total; pero con los
dispositivos electrónicos modernos se ha disminuido a menos del 10% del
consumo total de la energía.
2.1.1 ANTECEDENTES
Cárdenas Castro, Roberto Carlos, en su libro sobre “Fuentes de
Alimentación conmutadas” Comenta: Un convertidor de potencia es un
dispositivo que permite controlar la conversión de energía entre una fuente
y una carga con alta eficiencia. Este dispositivo proporciona a partir de una
fuente de energía de naturaleza continua y no regulada, una tensión
(voltaje) o corriente continua regulada (la tensión de salida no depende de
las variaciones de la fuente de entrada ni de la carga). Por lo tanto un
convertidor debe ser un dispositivo que manipule la energía pero que no la
consuma o que la energía consumida sea mínima.
Marchand Castañeda Roberto Arquímides, en su libro: “Sistemas
Electrónicos de potencia” menciona: La construcción del VSC
(convertidores de fuente de voltaje) es el bloque básico de la nueva
generación de controladores de potencia surgiendo de los Sistemas de
Transmisión en Corriente Alterna Flexible (FACT’s) e Investigación
Tradicional de Potencia. En transmisión en alta tensión, el equipo más
prometedor es el STATCOM, el Controlador de Flujo de Potencia
Unificado (UPFC) y el HVDC ligero. En el nivel de transmisión a baja
tensión, el VSC proporciona las bases para el STATCOM de distribución
(D–STATCOM), el Restaurador Dinámico de Tensión (DVR), el
Corrector del Factor de Potencia (PFC) y los Filtros Activos.
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En todos los sistemas electrónicos mencionados líneas arriba intervienen
de alguna forma los inversores trifásicos y como se sabe es sumamente
necesario la determinación de las pérdidas del inversor trifásico para el
diseño de los disipadores térmicos; puesto que el nivel de corriente que
conducen los dispositivos electrónicos en el inversor llegan incluso a los
kilo amperios.
Sandoval Torrico, Pedro en su libro “Aplicación de los dispositivos
no-lineales”; comenta: Las aplicaciones de la electrónica estuvieron
limitadas durante mucho tiempo a las técnicas de alta frecuencia
(emisores, receptores, etc.). En la evolución de la electrónica industrial, las
posibilidades estaban limitadas por la falta de fiabilidad de los elementos
electrónicos entonces disponibles (tubos amplificadores, tiratrones,
resistencias, condensadores). Esta fiabilidad era insuficiente para
responder a las altas exigencias que se requerían en las nuevas
aplicaciones del campo industrial.
Gracias al descubrimiento de los dispositivos semiconductores
(transistores, tiristores, etc.) en la década de los 60, que respondían a las
exigencias industriales (alta fiabilidad, dimensiones reducidas,
insensibilidad a las vibraciones mecánicas, etc.), la electrónica industrial
hizo progresos increíbles, permitiendo la realización de procesos cada vez
más complejos, destinados a la automatización de procesos industriales.
En general, cualquier conversión de energía eléctrica se puede realizar
por procedimientos electromecánicos o por procedimientos electrónicos.
Los convertidores electrónicos disponen de las siguientes ventajas
frente a los electromecánicos:
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1. Mayor flexibilidad y más posibilidades de control.
2. Mayor estabilidad y rapidez de respuesta.
3. Menor mantenimiento al no disponer de partes mecánicas.
4. Mayor vida media y mayor fiabilidad.
5. No producción del arco eléctrico.
Como inconvenientes se pueden destacar:
1. Menor robustez eléctrica, al disponer de menor capacidad para
soportar sobretensiones y sobrecorrientes.
2. Mayor coste para algunas de sus aplicaciones.
En las últimas décadas, las empresas eléctricas y los usuarios se han visto
enfrentados a la necesidad de optimizar sus procesos para mejorar la
eficiencia en el uso de la energía eléctrica. El aumento en la eficiencia se
ha conseguido mediante la incorporación masiva de Convertidores
Estáticos, para controlar y transformar la energía eléctrica. Los
convertidores estáticos han sido en gran medida responsables de los
grandes avances en la automatización de los procesos industriales. Sin
embargo, estos equipos se caracterizan porque demandan corrientes no
sinusoidales de la red, originando distorsiones en las tensiones y
corrientes. Autor: Gastiaburu Menaca Robert. “Aplicaciones de la
Conmutación en alta frecuencia”.
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CAPITULO 3
ANÁLISIS Y ESTUDIO DE LOS CONVERTIDORES Y
DISPOSITIVOS DE POTENCIA
3.1 CONVERTIDORES ELECTRÓNICOS DE POTENCIA
El conocimiento de las estructuras básicas de los convertidores de potencia
resulta imprescindible para comprender cómo funcionan los sistemas de
alimentación electrónicos modernos y los accionamientos eléctricos. La
regulación de velocidad de las máquinas eléctricas, sean estas de corriente
continua, asíncronas, síncronas o especiales, como motores paso a paso, no
puede desligarse en la actualidad de la electrónica de potencia. La justificación
de esta necesidad reside en el hecho de que, en muchos casos, la fuente primaria
de energía eléctrica presenta un formato en cuanto a sus valores de amplitud,
frecuencia y número de fases, que no es compatible con el requerido por la
máquina, por lo que debe introducirse un elemento convertidor que realice las
labores de conversión.. Por otra parte, los sistemas electrónicos demandan
fuentes de alimentación con múltiples tensiones de salida y una relación
potencia/volumen cada vez mayor. Como dificultad adicional, los sistemas de
alimentación deben proporcionar tensiones con tolerancias cada vez menores,
mejores niveles de rizado y menores niveles de distorsión.
3.2 INTRODUCCIÓN
El desarrollo espectacular de la electrónica de estado sólido en los últimos años
ha posibilitado la evolución de todas las ramas de la electrónica, y entre ellas la
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electrónica de potencia, que se ha beneficiado de la aparición de conmutadores
de estado sólido que permiten reducir el volumen y prestaciones de los equipos
de conversión de energía, imprescindibles en la mayoría de las aplicaciones
domésticas e industriales actuales. Como resulta de sobra conocido, el más
maduro, eficiente y fiable de todos los convertidores existentes es el
transformador, que presenta como inconvenientes más importantes su escasa
adaptabilidad a sistemas automáticos de control, excepto en el caso del
autotransformador servomotorizado, que con una velocidad de respuesta en el
rango de las centenas de milisegundos (no hay que olvidar que se trata de
sistemas electromecánicos) no puede competir en este aspecto con la electrónica
de potencia. Lógicamente, el transformador sólo puede ser utilizado para
transformar valores de tensión e intensidad alternos, siendo incapaz de realizar
transformaciones de la frecuencia. Desde el punto de vista electromecánico,
existen también otros convertidores significativos, como el grupo Ward-
Leonard, que utiliza un motor asíncrono para arrastrar un generador de corriente
continua en derivación cuya salida se regula mediante una resistencia intercalada
en el circuito de excitación. Existen también otros sistemas como la amplidina
que pueden ser utilizados para obtener una tensión continua regulable. Sin
embargo, prácticamente todos estos sistemas han sido desplazados por la
electrónica de potencia, que posee, en general, una mejor relación precio /
prestaciones. El objetivo de este capítulo es introducir la estructura y
características principales de los convertidores electrónicos de energía,
indicando sus aplicaciones más comunes, especialmente aquellas orientadas a
los accionamientos eléctricos. No hay duda de que la energía eléctrica constituye
la fuente básica de energía de los sistemas electrónicos. Sin embargo, esta
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energía no se produce ni se consume de una forma unificada, esto es, está
disponible con diferentes formatos: corriente continua, alterna en formato
monofásico o trifásico, pulsada, etc. Es necesario, por tanto, disponer de
elementos de conversión que permitan transformar la energía entre los diferentes
formatos, con el máximo rendimiento posible. Uno de los problemas que
aparecen cuando se diseñan convertidores de elevado rendimiento es la
generación de subproductos no deseados. Sirva como ejemplo el caso de los
convertidores ca/cc o rectificadores que transforman la corriente alterna en
continua. Este tipo de convertidores generan a su salida componentes alternas no
deseadas que se suman a la componente continua. En otras ocasiones, la
conmutación de corrientes elevadas necesaria para completar el proceso de
conversión de energía genera radiación electromagnética que puede producir
interferencias en equipos electrónicos sensibles próximos. Existe, por tanto, una
antítesis eficiencia energética – calidad de la conversión que debe tenerse en
cuenta para un correcto diseño y utilización de los convertidores.
3.3 CONCEPTO DE CONVERTIDOR
Un convertidor de energía es un sistema o equipo electrónico que tiene por
objetivo la conversión de energía eléctrica entre dos formatos diferentes. Por
ejemplo, obtener corriente continua a partir de corriente alterna.
El concepto inicial de convertidor puede extenderse para incluir aspectos como:
eficiencia, reversibilidad, grado de idealidad, fiabilidad, volumen o tecnología
por citar las más importantes. En la figura 3.1 se muestra la estructura básica de
un convertidor.
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Figura 3.1 Estructura básica de un convertidor electrónico de energía.
Antes de continuar, es necesario definir los parámetros básicos que permiten
caracterizar las diferentes formas de manifestación de la energía eléctrica,
considerando en una primera aproximación que la energía se manifiesta con una
estructura periódica, esto es, olvidándonos de los fenómenos transitorios propios
de todos los sistemas electrónicos.
3.4 TIPOS DE CONVERTIDORES
Los convertidores pueden clasificarse según diferentes criterios. Uno de los más
comúnmente utilizados es agruparlos según el formato de las energías de entrada
y salida. Básicamente y según este criterio pueden establecerse cuatro grandes
grupos:
1. Convertidores ca/cc o rectificadores. Este tipo de convertidores transforman
corriente alterna, monofásica o trifásica, en continua. Desde el punto de vista
de los accionamientos, presentan una importancia fundamental, ya que se
utilizan de forma general en las máquinas siguientes:
 Máquina de corriente continua. Alimentación tanto del circuito de
excitación como del inducido.
 Máquina asíncrona. El control, tanto escalar como vectorial de velocidad
en la máquina asíncrona se realiza mediante algún tipo de convertidor
cc/ca que necesita como fuente de alimentación una tensión continua.
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Otra aplicación de este tipo de convertidores es el frenado de los motores
asíncronos.
 Máquina síncrona. La utilización de los convertidores ca/cc en la
máquina síncrona se dirigen a dos grandes grupos de aplicación. En el
caso de los generadores síncronos, es necesario contar con una corriente
continua para la excitación de la máquina. Desde el punto de vista de su
utilización como motor, es necesario contar con un convertidor ca/cc
para el control de la excitación, y en aquellos casos en que se realice un
control de velocidad de la máquina, será necesario contar con una etapa
rectificadora como paso previo para atacar el convertidor cc/ca que
alimentará la máquina a tensión y frecuencia variables. Destacar
asimismo el campo de los generadores síncronos de pequeña y media
potencia que funcionan en un régimen de velocidad muy variable, como
pueden ser los generadores eólicos. En este tipo de aplicaciones es
común utilizar un convertidor ca/cc para transformar la energía generada
en continua como paso previo a la transformador cc/ca de la misma para
su acoplamiento a un sistema eléctrico de frecuencia y tensión fijas.
 Motores especiales. Algunas máquinas como los motores paso a paso
necesitan una fuente de corriente continua que debe conmutarse
adecuadamente para conseguir su control. Lo mismo sucede con algunas
máquinas de tipo brushless (sin escobillas) que requieren una fuente de
corriente continua como paso previo para alimentar un convertidor cc/ca.
2. Convertidores cc/cc. Este tipo de convertidores transforman un determinado
valor de corriente continua de entrada en uno distinto de salida, con la
posibilidad de incluir, además, aislamiento galvánico entre entrada y salida.
25
Desde el punto de vista de los accionamiento su campo de aplicación es el
mismo que el de los convertidores ca/cc, con la diferencia de que la fuente de
energía no es alterna, sino continua. Su utilización se restringe a sistemas
embarcados, donde la distribución de energía se realiza en corriente continua, o
en algunas situaciones especiales, su utilización combinada con los
rectificadores no controlados permite diseñar convertidores ca/cc con un mejor
factor de potencia.
3. Convertidores cc/ca. Este tipo de convertidores reciben también el nombre de
inversores. Básicamente, realizan una conversión de corriente continua en
corriente alterna, con la posibilidad de poder controlar tanto la frecuencia como
el valor eficaz de la tensión o intensidad de salida, lo que les hace fundamentales
para el diseño de accionamientos basados en máquinas asíncronas y síncronas.
Dado que normalmente la distribución de energía se realiza en corriente alterna,
suelen ir asociados a un rectificador. Se utilizan también para acoplar al sistema
eléctrico la energía generada por los generadores eólicos, que se caracterizan por
un motor primario de velocidad muy variable.
4. Convertidores ca/ca. Este tipo de convertidores se utilizan ampliamente en el
diseño de arrancadores suaves para reducir la intensidad demandada durante el
arranque de los motores de inducción. En su estructura de control más básica, su
función es modificar el valor eficaz de la tensión de entrada, conservando su
frecuencia, aunque también puede conseguir un tensión de salida con una
frecuencia submúltiplo de la de entrada. En este último caso reciben el nombre
específico de cicloconvertidores, habiendo obtenido durante la última década un
especial protagonismo en el diseño de sistemas de tracción eléctrica.
3.5 SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
26
El desarrollo de los convertidores electrónicos de potencia está ligado al
desarrollo de los dispositivos de estado sólido con que se construyen. A pesar de
que la historia de la electrónica de potencia comenzó hacia el año 1900 con el
desarrollo del rectificador de arco de mercurio, no fue hasta la década de los
años cincuenta cuando comienza un desarrollo espectacular motivado por la
invención del transistor de silicio en los laboratorios Bell de la mano de
Bardeen, Brattain y Schockley, que recibieron el premio Nobel de física por ello.
A partir de este hito fundamental se producen otros de gran importancia como el
desarrollo del tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR) en 1956. A partir
de esta década, la electrónica de potencia va a estar dominada casi
exclusivamente por la electrónica de estado sólido.
A pesar de que hoy en día existe una gran variedad de tecnologías de
conmutación de potencia para la fabricación de convertidores, todas ellas
persiguen el mismo objetivo, que puede resumirse en las características que
presenta un elemento ideal.
3.5.1 ELEMENTO IDEAL
Como se ha visto al principio del tema, la idea básica de un convertidor de
potencia es transformar el flujo de energía entre su entrada y salida. Para
poder realizar dicha transformación, es necesario contar con interruptores
controlados que tengan las siguientes características:
R(off) = α Presenta una resistencia infinita entre sus terminales cuando se
encuentra en el estado de bloqueo.
R(on) = 0 Presenta una resistencia nula entre sus terminales cuando se
encuentra en el estado de conducción.
27
t off →on=0 El tiempo para la conmutación del estado de bloqueo al estado
de conducción es nulo.
t on→off =0 El tiempo para la conmutación del estado de conducción al
estado de bloqueo es nulo.
Voff,max = α Soporta una tensión infinita entre sus terminales cuando se
encuentra en el estado de bloqueo.
Ion,max = α Soporta una intensidad de paso infinita cuando se encuentra en
el estado de conducción.
Pcontrol = 0 La potencia consumida por el circuito de control es nula.
Desde un punto de vista circuital, el elemento ideal se caracteriza por un
interruptor controlado, tal como muestra la figura3.2. Como puede
observarse, presenta tres terminales: dos terminales de conexión y un
tercero de control.
Figura 3.2 Esquema eléctrico de un elemento de conmutación ideal
Eléctricamente, los dispositivos se caracterizan por una curva que
relaciona la intensidad de conducción con la tensión entre terminales de
conexión. Tal como se han definido los terminales en la figura 3.2, las
curvas v-i del elemento ideal para los dos estados de conducción son las
que se muestran a continuación, donde se ha considerado como positiva la
circulación de la intensidad en el sentido AB. Se considera positiva la
tensión AB.
28
Figura 3.3 Curvas v-i de un elemento ideal. (a) Estado de conducción;
(b) Estado de bloqueo
El estado de conducción se caracteriza porque la tensión entre los puntos A
y B es nula independientemente del valor de la intensidad en el sentido
AB. Su representación puede observarse en la figura 3.3(a). En el estado
de bloqueo la intensidad AB es nula también independientemente del valor
de la tensión AB, tal como se muestra en la figura 3.3(b).
Las características descritas corresponden a un elemento ideal, inexistente
en la práctica. Las soluciones comerciales existentes se aproximan en
mayor o menor medida a estas características, sin llegar a cumplirlas de
forma completa. En la figura 3.4 se comparan la intensidades máximas de
conducción y las tensiones máximas de bloqueo soportadas por los
diferentes tipos de semiconductores utilizados habitualmente.
Se describen, a continuación, los elementos comerciales más usuales,
siguiendo un orden cronológico y presentando las ventajas y desventajas
más relevantes.
29
Figura 3.4 Curva comparativa de la capacidad v-i (en valores
medios) de diferentes tecnologías de dispositivos.1
3.5.1.1 DIODO
Un diodo es un semiconductor de unión pn de dos terminales
denominados ánodo (A) y cátodo (K). Se trata sin duda alguna del
elemento más utilizado en la construcción de convertidores
electrónicos de potencia. Desde un punto de vista funcional, el
diodo es un elemento no controlado, ya que su conmutación del
estado de bloqueo al de conducción o viceversa depende
únicamente del signo de la intensidad que lo recorre y su tensión
en bornes.
Dado que no es posible realizar ningún control externo sobre su
estado, no posee terminal de control, disponiendo únicamente de
dos terminales correspondientes a los polos del interruptor
1
Arteaga Rivadeneyra Juan Julio (1,996), Diseño de sistemas Electrónicos de potencia pag. 43
30
equivalente. En la figura 3.5 se muestra el símbolo
correspondiente al diodo, así como su curva v-i.
Figura 3.5 Símbolo del diodo y característica v-i ideal
Como se observa de en la figura, un diodo ideal puede
representarse mediante una resistencia nula en el estado de
conducción, que se produce siempre que la intensidad IAK es
positiva en el sentido ánodo-cátodo. Por otro lado, cuando dicha
intensidad es negativa el diodo pasa al estado de bloqueo y se
comporta como una resistencia infinita. Desde el punto de vista
comercial, y considerando aplicaciones de MT y BT, es posible
encontrar en el mercado diodos que soportan corrientes de
conducción de 6 kA, así como tensiones inversas de 6 kV.
En la tabla 3.1 se resumen las características más sobresalientes
de un diodo desde el punto de vista de utilización.
Tabla 3.1 Características funcionales básicas de un diodo.
31
3.5.1.2 TIRISTOR
Los tiristores son dispositivos semiconductores fabricados
mediante al unión de cuatro capas con una estructura pnpn que
presenta, por tanto, tres uniones pn. Posee tres terminales: ánodo,
cátodo y puerta.
Desde un punto de vista funcional, el tiristor se comporta como
un diodo cuando se aplica una corriente de puerta por el terminal
G. El proceso de activación requiere que se cumplan dos
condiciones:
1. Debe aplicarse una intensidad de control en el terminal de
puerta (G). En los dispositivos comerciales dicha intensidad
debe tener unas condiciones de amplitud y duración
determinadas.
2. En el momento de aplicar la intensidad de control en el
terminal de puerta (G), la intensidad ánodo-cátodo debe ser
positiva.
Figura 3.6 Símbolo y curvas V-I de un tiristor ideal
(b) Estado de bloqueo; (c) Estado de conducción
Una vez que se ha activado y pasa a la condición de conducción,
permanece en dicho estado hasta que la intensidad ánodo-cátodo
se hace negativa. Este hecho hace que si la intensidad ánodo-
32
cátodo es de tipo alterno, el tiristor conmutará automáticamente
del estado de conducción al de bloqueo cada vez que dicha
intensidad cambie de signo. Comparándolo con el modelo de
elemento ideal, el tiristor presenta un gran avance con respecto al
diodo, ya que permite un control externo de activación. Sin
embargo, se desactiva automáticamente en las mismas
condiciones en las que un diodo pasa al estado de bloqueo.
Además, una vez que ha conmutado al estado de bloqueo,
permanece en él hasta que se aplica de nuevo una intensidad de
puerta.
Desde el punto de vista comercial, y considerando aplicaciones de
MT y BT, es posible encontrar en el mercado tiristores que
soportan corrientes de conducción de 4 kA, así como tensiones
inversas de 6 kV. En la tabla 3.2 se resumen las características
más sobresalientes de un tiristor desde el punto de vista de
utilización.
Tabla 3.2 Características funcionales básicas de un tiristor
En la práctica, existen formas de controlar externamente la
conmutación de conducción a bloqueo, si bien requieren circuitos
de control complejos, por lo que hoy en día está en desuso su
utilización en circuitos que requieren control de activación y
desactivación.
33
3.5.1.3 GTO (Gate Turn-off Thyristor)
Se trata de un dispositivo con un principio de operación y aspecto
físico similar a los tiristores. Al igual que éstos, dispone de tres
terminales. Dos de ellos utilizados como polos del interruptor y
un tercero utilizado como terminal de control. La diferencia
principal de estos dispositivos con respecto a los tiristores
convencionales es su capacidad para ser controlado externamente
en la conmutación del estado de conducción al de bloqueo,
también utilizando una intensidad de puerta. En la figura 3.7 se
muestra su símbolo y curvas v-i.
Figura 3.7 Símbolo y curvas v-I de un tiristor ideal. (b) Estado de
bloqueo; (c) Estado de conducción.
Desde el punto de vista comercial, y considerando aplicaciones de
MT y BT, es posible encontrar en el mercado tiristores que
soportan corrientes de conducción de 2 kA, así como tensiones
inversas de 6 kV. En la tabla 3.3 se resumen las características
más sobresalientes de un GTO desde el punto de vista de
utilización.
A partir del GTO se han desarrollado otros dispositivos como el
IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor), que es un GTO
en el que se ha mejorado el comportamiento de la conmutación.
34
Puede entenderse como un GTO en el que se ha añadido un driver
que facilita el proceso de conmutación.
Tabla 3.3 Características funcionales básicas de un GTO
Al mismo tiempo, este dispositivo mejora también el parámetro
dv/dt. Otro dispositivo como el MTO (MOS Turn Off Thyristor)
se desarrolló también como alternativa al GTO con la idea de
conservar la capacidad de conmutación del tiristor, pero
reduciendo las pérdidas de conmutación y mejorando el driver de
control, que se realiza en tensión, no en intensidad. A pesar de
que se trata de un dispositivo en desarrollo, presenta unas
excelentes prestaciones.
3.5.1.4 BJT (Bipolar Junction Transistor)
El transistor bipolar se construye añadiendo una segunda región p
o n a un diodo de unión pn. En función de que el resultado final
sean tres capas npn o pnp, el transistor recibe los nombre de NPN
o PNP, respectivamente, y guarda relación, como se verá más
adelante, con el sentido de conducción del dispositivo. Desde un
punto de vista constructivo, disponen de tres terminales
denominados:
colector, emisor y base. Los terminales colector y emisor actúan
como polos del interruptor equivalente, mientras que el terminal
de base actúa como terminal de control.
35
Los transistores de potencia se caracterizan por conmutar de
forma controlada externamente del estado de bloqueo al de
conducción y viceversa. Los transistores, a diferencia de otros
elementos como los tiristores, pueden funcionar en tres zonas
distintas:
Corte. En esta zona el transistor se encuentra bloqueado, de forma
que puede modelarse como un interruptor abierto.
Lineal. En esta zona el transistor se comporta como un elemento
amplificador, de forma que la intensidad que circula del colector
al emisor es aproximadamente proporcional a la intensidad de
base.
Saturación. En esta zona el transistor se encuentra en conducción,
de forma que puede modelarse como un interruptor cerrado.
Figura 3.8 Símbolo y curvas v-i de un transistor BJT. (a) BJT

npn; (b) BJT npn en estado de bloqueo; (c) BJT npn en estado de
conducción; (d) BJT pnp; (e) BJT pnp en estado de bloqueo; (c)
BJT pnp en estado de conducción.
36
En la figura 3.8a se muestra el símbolo de un transitor bipolar
NPN. A pesar de que el dispositivo presenta tres zonas de
funcionamiento posibles, desde el punto de vista de los
convertidores de energía nos interesan únicamente dos. En la
figura 3.8b se muestra la característica v-i cuando el transistor se
encuentra cortado, mientras que la figura 3.8c corresponde al
estado de conducción. De forma similar, en la figura 3.8d se
muestra el símbolo de un transistor bipolar PNP, que se diferencia
del NPN en el sentido de conducción de la intensidad.
Análogamente, las curvas 3.8e y f se corresponden,
respectivamente, con el funcionamiento en los estados de bloqueo
y conducción.
Comercialmente es posible encontrar dispositivos BJT con
intensidad de conducción superiores a 1kA y tensiones de
bloqueo superiores a 1 kV.
de un BJT desde el punto de vista de utilización.
Tabla 3.4 Características funcionales básicas de un BJT
3.5.1.5 MOSFET
El MOSFET es otro tipo de transistor. A diferencia del BJT, que
es un dispositivo controlado mediante una intensidad que regula
37
el paso de la intensidad de colector. Esta dependencia de la
intensidad de base hace que el BJT tenga una ganancia que
depende en gran medida de la temperatura de la unión. De forma
alternativa, el MOSFET de potencia es un dispositivo controlado
por tensión, que requiere únicamente una pequeña intensidad de
entrada. Esta situación provoca una elevada velocidad de
conmutación, con unos tiempos de conmutación del orden de ns.
Desde un punto de vista funcional y al igual que otros tipos de
transistores, dispone de tres terminales denominados: drenador
(D), surtidor (S) y puerta (G). El drenador y el surtidor son los
polos del interruptor equivalente, mientras que la puerta sirve
como elemento de control.
En la figura 3.9 se muestra su símbolo y curvas v-i. Al igual que
el BJT, puede funcionar en tres zonas distintas: corte, saturación y
lineal, aunque en su funcionamiento como interruptor de potencia
utiliza únicamente las regiones de corte y saturación.
de un MOSFET desde el punto de vista de utilización.
Tabla 3.5 Características funcionales básicas de un MOSFET
38
Figura 3.9 Símbolo y curvas v-I de un MOSFET. (a) MOSFET de
canal n; (b) Estado de bloqueo del MOSFET de canal n; (c) Estado
de conducción del MOSFET de canal p;(d) MOSFET de canal p; (e)
Estado de bloqueo del MOSFET de canal p; (f) Estado de
conducción del MOSFET de canal p.
3.5.1.6 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Se trata también de un dispositivo de tres terminales, con
capacidad de control externo. El IGBT se desarrolló con la idea
de aprovechar simultáneamente las ventajas de la baja resistencia
de conducción de los BJT y la elevada velocidad de conmutación
de los MOSFET. Se trata de un dispositivo controlado por
tensión, con una elevada capacidad dvCE/dt que le permite
funcionar sin snubber. Presentan, además, un coeficiente de
temperatura positivo que les hace adecuados para funcionar en
paralelo, ya que al sufrir una sobrecarga aumentan su resistencia
de conducción reduciendo su carga. Su símbolo y las curvas v-i
que representan los estados de bloqueo y conducción se
representan en la figura 3.10.
39
En este dispositivo, se utiliza la tensión entre puerta y emisor para
controlar el estado de funcionamiento.
Figura 3.10 Símbolo y curvas v-i de un IGBT
Si el dispositivo se encuentra bloqueado, la curva v-i del
dispositivo sigue la ley descrita por la figura 3.10 b. En este caso,
la intensidad colector-emisor es nula, y por tanto el dispositivo se
comporta como un circuito abierto. Cuando se aplica una tensión
positiva entre puerta y emisor el dispositivo pasa al estado de
conducción permitiendo el paso de corriente en el sentido colector
emisor. Desde el punto de vista comercial, es posible encontrar en
el mercado IGBT que soportan intensidades de 1200 A y
tensiones en estado de bloqueo de 3,3 kV2. Actualmente existen
IGBT que integran un driver de control capaz de desactivar el
dispositivo si se produce una situación de sobrecarga o
cortocircuito.
3.6 CONVERTIDORES CA/CC RECTIFICADORES
Los convertidores ca/cc, denominados también rectificadores, son aquellos
equipos o sistemas electrónicos dedicados a convertir una tensión alterna
sinusoidal de frecuencia y amplitud constante en una tensión continua de salida.
2
Arteaga Rivadeneyra Juan Julio (1,996), Diseño de sistemas Electrónicos de potencia pag. 66 -67
40
La estructura básica de este tipo de convertidores se muestra en la figura 3.11,
donde se representan también las formas de onda ideales de entrada y salida.
Figura 3.11 Estructura funcional básica de un convertidor ca/cc
Aunque el objetivo de este tipo de convertidor es transformar la tensión alterna
de entrada en continua, deben tenerse en cuenta otros aspectos laterales al
problema que son importantes para poder seleccionar y utilizar correctamente
estos equipos. En primer lugar debe considerarse el rendimiento del convertidor,
que no es más que una medida de las pérdidas generadas internamente durante el
proceso de conversión. Si Pe es la potencia activa consumida por el convertidor y
Ps es la potencia activa cedida a la carga, se define la potencia de pérdidas de
convertidor Pp como:
𝑝𝑝 = 𝑝𝑒 − 𝑝𝑠
El rendimiento del convertidor  puede calcularse como:
Desde el punto del rendimiento, un convertidor será mejor cuanto mayor
rendimiento tenga, lo que equivale a decir que sus pérdidas sean mínimas.
Sin embargo, a pesar de que el rendimiento tiene una gran importancia en una
adecuada selección y utilización de los rectificadores, es necesario considerar
otros aspectos. En la práctica, la tensión de salida de un convertidor ca/cc no es
41
totalmente continua, existiendo en mayor o menor medida una componente de
rizado que distorsiona esta tensión continua. Para poder comparar la calidad de
la componente continua de salida entre diferentes convertidores, es necesario
utilizar algunos de los parámetros presentados anteriormente.
3.7 CONCEPTO DE CUADRANTE
El concepto de cuadrantes de funcionamiento de un convertidor hace referencia
a la capacidad del mismo para ceder y absorber energía. Se trata de un aspecto
muy importante en el diseño de los accionamientos, ya que aunque un motor
realiza una transformación de energía eléctrica en mecánica, absorbiendo
energía del convertidor, es posible que durante las maniobras de frenado se
comporte como un generador, por lo que es necesario que el convertidor sea
bidireccional, transformando energía desde y hacia la red. En la figura 3.12 se
muestra un convertidor junto con una representación de los cuadrantes de
funcionamiento.
Figura 3.12 Representación del concepto de cuadrante
Si el convertidor de la figura es capaz de generar una tensión Vcc e intensidad
Icc, se definen los cuadrantes de funcionamiento según los signos de Vcc e Icc:
 Cuadrante 1. Vcc > 0, Icc > 0. Esta condición establece que el flujo de
energía se produce desde el convertidor hacia la máquina. Dado que
42
tanto la tensión como la intensidad sólo pueden tener signo positivo, no
es posible utilizar este convertidor en un flujo bidireccional de energía
desde la máquina hacia la red.
 Cuadrante 2. Vcc > 0, Icc < 0. Esta condición establece que el flujo de
energía se produce desde la máquina hacia el convertidor. De forma
similar a lo que ocurre con el primer cuadrante, un convertidor que sólo
opere en el segundo, sólo podrá ser utilizado para conectar un generador
a la red.
 Cuadrante 3. Vcc < 0, Icc < 0. Esta condición es similar a la que se
establece en el primer cuadrante, con la diferencia de que al invertir el
signo de la tensión e intensidad, se invierte también el sentido de giro del
motor.
 Cuadrante 4. Vcc < 0, Icc > 0. Esta condición es similar a la que se
establece en el segundo cuadrante, con la diferencia de que la máquina
gira en sentido opuesto.
Los convertidores ca/cc presentan diferentes topologías en función de las
características de las tensiones de entrada y salida. Si la tensión alterna de
entrada tiene una frecuencia y valor eficaz constante, y se pretende conseguir
una tensión continua de salida también constante, es posible recurrir a
rectificadores estáticos no controlados. Si por el contrario la salida tiene un valor
eficaz variable, o debe ser ajustada a diferentes valores, el rectificador debe
presentar algún tipo de control.
Básicamente, los rectificadores se clasifican según el rango de potencias en:
43
Figura 3.13 Estructura básica de los rectificadores en función del
tipo de entrada y salida y potencia de conversión3
A pesar de que existen múltiples topologías para el diseño de rectificadores, se
plantean, a continuación, las arquitecturas más comunes, agrupadas según su
carácter controlado o no controlado.
3.8 RECTIFICADORES NO CONTROLADOS
Se presentan, a continuación, algunas estructuras básicas de rectificación
monofásica no controlada.
Por su configuración, estos circuitos tienen su aplicación en fuentes de
alimentación sencillas de bajo coste, para alimentación de pequeños circuitos,
con la condición de que éstos no sean muy sensibles a la presencia de una
componente de rizado sumada a la componente continua.
3.8.1 PUENTE SIMPLE DE MEDIA ONDA
La estructura más sencilla de rectificador, útil en algunas aplicaciones de
pequeña potencia, puede construirse con un único diodo, tal como muestra
la figura 3.14 La tensión de entrada Ve(t) es sinusoidal de frecuencia y
valor eficaz constantes.
3
Arteaga Rivadeneyra Juan Julio (1,996), Diseño de sistemas Electrónicos de potencia pag. 89
44
Figura 3.14 Rectificador monofásico de media onda alimentando una
carga resistiva
3.8.2 PUENTE SIMPLE SOBRE UN TRANSFORMADOR CON TOMA
INTERMEDIA DE ONDA COMPLETA4
Una forma de reducir la componente ondulatoria de la tensión continua de
salida del puente simple es añadir un segundo diodo y conectar el conjunto a
un transformador con toma intermedia, tal como se muestra en la figura 3.15.
Del circuito de la figura 3.15 se observa que el diodo D1 conduce durante el
semiciclo positivo de la tensión V1 mientras que el diodo D2 lo hace durante
el semiciclo negativo. En la figura 3.16 se muestran las tensiones de entrada y
salida.
Figura 3.15 Esquema eléctrico de un rectificador de onda completa

de dos diodos y transformador de toma central
4
Gastiaburu Menaca Robert. (1,995), Aplicaciones de la Conmutación en alta frecuencia pag. 79
45
Figura 3.16 Formas de onda a la entrada/salida del convertidor
3.8.3 PUENTE DE ONDA COMPLETA
El puente monofásico de onda completa presenta una estructura como la
que se muestra en la figura 3.17. La forma de onda de las tensiones de
entrada y salida es similar a la del rectificador de onda completa con
transformador de toma intermedia.
Figura 3.17 Rectificador monofásico de onda completa
3.9 RECTIFICADORES CONTROLADOS
Los rectificadores no controlados se caracterizan por tener una relación rígida
entre la salida y la entrada. Esta rigidez puede ser superada utilizando a la
46
entrada un transformador con tomas o un autotransformador regulable, de forma
que controlando el valor eficaz de la entrada se consigue controlar también el
valor eficaz de la salida. Sin embargo, la utilización de un transformador o un
autotransformador supone un incremento sustancial en el tamaño, volumen y
peso del convertidor. Además, la incorporación de elementos electromecánicos,
sujetos a desgaste, incrementa el mantenimiento a la par que reduce la velocidad
de variación de la salida. Una posible solución al problema anterior consiste en
utilizar semiconductores con algún grado de control en el proceso de
conmutación.
3.9.1 PUENTE SIMPLE DE MEDIA ONDA
El puente simple de media onda semicontrolado presenta un circuito
idéntico al analizado anteriormente, con la diferencia de sustituir el diodo
por un tiristor. Como se supone que ya se conoce el apartado dedicado a
los semiconductores, el tiristor admite un control de conducción
relativamente sencillo.
Figura 3.18 Rectificador monofásico de media onda alimentando

Una carga resistiva
En la figura 3.19 se muestran las tensiones de entrada y salida del
convertidor para un ángulo de 90º y suponiendo una carga resistiva.
47
Figura 3.19 Forma de onda de las tensiones de entrada y
salida del rectificador
3.9.2 PUENTE CONTROLADO DE ONDA COMPLETA5
Al igual que se hizo con el rectificador controlado de media onda, un método
adecuado para controlar la salida de un rectificador de onda completa consiste
en sustituir los diodos por tiristores. De esta forma, el valor de continua de la
salida se ajusta variando el ángulo de encendido. En la figura 3.20 se muestra
un rectificador controlado de onda completa con topología de puente.
En la figura 3.21 se muestran las tensiones de entrada y salida del convertidor
para un ángulo de 90º y suponiendo una carga resistiva.6
Al igual que ocurría con el rectificador de onda completa no controlado,
los tiristores S1 y S2 conducen durante el semiciclo positivo de la tensión
de entrada, pero sólo a partir del momento en que se aplique una señal de
control a sus terminales de puerta. De la misma forma, S3 y S4 conducirán
durante el semiciclo negativo de la tensión de entada, pero sólo a partir del
momento en que se aplique una señal de control a sus terminales de puerta.
5
6
Gastiaburu Menaca Robert. (1,995), Aplicaciones de la Conmutación en alta frecuencia pag. 99 -102
48
Figura 3.20 Rectificador monofásico de onda completa totalmente controlado
Figura 3.21Forma de onda de las tensiones de entrada y salida del rectificador
3.10 CONVERTIDORES CC/CC
Los convertidores continua – continua sirven para transformar una tensión de
entrada continua, generalmente de valor fijo, en una tensión de salida también de
corriente continua, con un valor distinto. De forma simplificada se puede pensar
que realizan la misma transformación que los transformadores, pero con
corriente continua. Su rango de aplicación es el mismo que el de los
convertidores ca/cc, con la única diferencia de que la energía primaria de
alimentación no es corriente alterna, sino continua. Desde el punto de vista
práctico, su utilización suele orientarse hacia accionamientos situados en
sistemas embarcados. No resulta difícil encontrar ejemplos de su aplicación en

49
automóviles: motores de cc de los limpia parabrisas, motor de arranque del
vehículo, radiocasetes y compact disk, etc. Lo mismo puede encontrarse también
en otro tipo de sistemas embarcados como barcos, aviones, satélites, etc. Otro
tipo de aplicaciones donde pueden encontrarse fácilmente este tipo de
convertidores son los sistemas portátiles: reproductores de compact disk
portátiles, walkmans, etc.
Desde el punto de vista puramente técnico, este tipo de convertidores presentan
algunas ventajas sobre otras formas de regulación cuando se aplican al control
de accionamientos de cc.:
 Pueden proporcionar una variación continua de salida, lo que se traduce
también en una aceleración constante del accionamiento.
 Presentan una respuesta dinámica muy rápida.
 Tienen una elevada eficiencia.
Desde el punto de vista de su arquitectura interna, este tipo de convertidores se
agrupan según su capacidad para realizar transformaciones en las que la tensión
de entrada se reduce, se eleva, o se reduce o eleva indistintamente. Se analizan, a
continuación, las estructuras más sencillas.
Es posible realizar un análisis básico de este tipo de convertidores teniendo en
cuenta las consideraciones siguientes:
 El circuito opera en régimen permanente.
 La intensidad en las inductancias es constante y positiva.
3.10.1 CONVERTIDOR CC/CC REDUCTOR
Se denominan reductores aquellos convertidores cc/cc cuya tensión de
salida es siempre inferior a la de entrada. En la figura 3.22 se muestra el
circuito equivalente de este tipo de convertidores.
50
Figura 3.22 Arquitectura básica de un convertidor dc/dc reductor
El interruptor S de la figura 3.22 puede ser cualquier interruptor de
potencia con control de activación y desactivación, como un BJT, un
Mosfet, un IGBT, un GTO, e incluso un tiristor con conmutación
forzada.
Si la tensión de entrada es continua de valor Ve, el valor medio de la
tensión de salida Vs(t) será:
Donde el cociente /T se suele representar por la letra k y recibe el
nombre de ciclo de trabajo. Como se puede deducir fácilmente, k puede
tomar cualquier valor en el intervalo [0,1] de forma que el valor medio de
la tensión de salida puede variar entre 0 y Vi.
3.10.2 CONVERTIDOR CC/CC ELEVADOR
Los convertidores cc/cc pueden ser utilizados también para elevar una
tensión continua. A pesar de que existen múltiples topologías que pueden
ser utilizadas con este objetivo, se presenta, a continuación, una
estructura sencilla que permite conseguir este objetivo. En la figura 3.23
se muestra el circuito básico.
51
El funcionamiento del circuito es el siguiente. Cuando el interruptor S se
cierra durante un tiempo t1, la inductancia L almacena energía a medida
que la intensidad aumenta. La relación entre la tensión de entrada, la
inductancia y la intensidad será:
Si después del intervalo t1 el interruptor S se abre durante un tiempo t2,
la intensidad almacenada en la inductancia se transfiere a la carga a
través del diodo D. Si los ciclos t1 y t2 se repiten sucesivamente, es
posible obtener una tensión media en la carga superior a la tensión de
entrada.
El ciclo de trabajo del convertidor puede expresarse como:
y por lo tanto:
Figura 3.23 Estructura básica de un circuito convertidor dc/dc elevador
52
3.11 TÉCNICAS Y CIRCUITOS DE EXCITACIÓN DE LOS TRANSISTORES
MOSFET E IGBT DE POTENCIA
Por circuito de excitación o driver se entiende aquel sistema capaz de gobernar
eficazmente la conducción o no conducción de un interruptor de potencia
partiendo de las ordenes que le llegan desde el circuito de control. Esto es debido
a que los circuitos de control, y los circuitos de potencia no tienen los mismos
niveles de tensión y corriente, por ejemplo un microcontrolador es un circuito de
control muy usado por su adaptabilidad y facilidad de introducir cambios, pero
sus niveles de tensión puede que no lleguen ni a los niveles Vgs(th) de tensión
umbral, es decir tensión mínima que hace que el transistor entre en conducción,
y no hablemos de los niveles de corriente, que en un microcontrolador son
mínimos, por lo tanto se hará necesario utilizar una etapa de adaptación de
tensiones, corrientes e impedancias, para que el microcontrolador y el interruptor
de potencia puedan interactuar juntos.
Figura 3.24 Diagrama de bloques de un dispositivo de potencia disparado

por un circuito excitador
Por lo tanto los aspectos generales a tener en cuenta en el circuito de excitación
para transistores Mosfet o IGBT (recordamos que las características de entrada
son casi idénticas, y que por lo tanto utilizaran los mismos circuitos de
excitación), son:
 Niveles de tensión de puerta adecuados para la conducción o bloqueo del
53
interruptor. En estado de ON el interruptor debe de tener la mínima caída
de tensión para que las pérdidas sean mínimas, y en el estado de OFF la
corriente de fugas que atraviese al dispositivo debe ser prácticamente
nula, es decir los valores que tendría un interruptor ideal.
 conmutación rápida, ya que las pérdidas de conmutación dependen del
tiempo que tarda el dispositivo en pasar de un estado a otro.
 protección de puerta, evitando la destrucción o entrada en conducción no
deseada del dispositivo.

7
El diseño del driver no tiene una única solución por cuanto se ve influenciado
no solo por los condicionantes que el transistor impone sino por todos los
derivados de la topología de potencia en la que el transistor se encuentra inmerso
y por las características de salida que tenga el circuito de control; esta ultima
puede imponer la necesidad de una amplificación de tensión, de corriente o
ambas pero la restricción mas importante viene dada por la posición que el
Mosfet (su terminal de fuente) ocupe respecto a masa, esto es debido a que como
sabemos para que el transistor entre en funcionamiento debemos meter una señal
Vgs de unos 10V ò 15V, por lo tanto si el nivel de la fuente es muy elevado,
como el nivel de la puerta deberá estar 10 ò 15V por encima, puede resultar
difícil conseguir esa tensión en el terminal de puerta, es por ello que si el
terminal de fuente esta conectado a masa el gobierno se simplifica notablemente
pero cuando esto no ocurre el problema se hace mas grave y la solución mas
dificultosa por cuanto suele ser necesario un cierto aislamiento, o al menos, la
capacidad de soportar tensión.
7
54
Independientemente de como este realizado el driver, su etapa de salida se puede
simplificar por un generador de tensión en serie con una impedancia, mediante la
aplicación del teorema de Thevenin, con valores diferentes para los dos estados
posibles.
Figura 3.25 Diagramas de disparo para el mosfet
Además debemos recordar que los transistores Mosfet e IGBT, tienen una
capacidad parásita a la entrada, la cual además varia su valor, pudiendo ser muy
grande debido al efecto Miller. Por lo tanto tendremos una estructura RC que
dependiendo del valor de la resistencia y el condensador la conmutación se
realizara mas rápido o mas despacio.
Figura 3.26 Diagramas de disparo para el mosfet con diodo de

protección y red RC
55
Teniendo en cuenta los aspectos generales anteriormente citados, se procederá a
determinar los niveles de tensión, impedancia de salida y sistemas de protección
mas adecuados.
3.11.1 TENSIÓN DE PUERTA EN EL ESTADO DE ON
Como se ve al estudiar el Mosfet y el IGBT, es necesaria una tensión
Vgs(th), tensión thereshold, para que el transistor comience a conducir,
esta tensión es del orden de 2 a 4V, por lo tanto la tensión Vgs que
deberemos aplicar a nuestro transistor para que este en estado de On será
mayor como podemos apreciar en la figura 3.27.
Figura 3.27 Vgs debe ser mayor que Vgs(th)
De la misma manera hay una tensión máxima aplicable entre puerta y
fuente, Vgs(max), la cual no podremos superar si no queremos destruir el
transistor, el valor de esta tensión suele rondar los ± 20V. Por lo tanto
nos tendremos que mover en el rango de tensiones delimitado por
Vgs(th) y Vgs(max). Puede que el valor mas adecuado para nuestro
transistor sea de 11V, pero en vez de coger esos 11V, cogeremos un valor
de alimentación con el que alimentaremos a algún otro elemento del
circuito, por lo tanto los valores mas usados de Vgs suelen ser de 10V,
12V ó 15V.
56
Una tensión elevada provoca una disminución de la caída de tensión en
bornes del transistor (como podemos apreciar en la siguiente gráfica) con
la consiguiente reducción de la potencia disipada, siendo este un aspecto
favorable, por el contrario esto da lugar a un retardo en el paso a OFF y
en caso de cortocircuito, la corriente que circularía seria mayor, ya que
esta es una función de la tensión de puerta aplicada.
Figura 3.28 Recta de carga en caso de corto circuito
Así como podemos ver en la figura 3.28, en caso de corto circuito, la
recta de carga pasa a ser una perpendicular, y podría parecer que la
corriente seria infinita ya que no hay resistencia que se oponga a la
circulación de corriente, pero esta se ve limitada por la tensión Vgs, por
lo tanto si Vgs=15V y la resistencia de carga se cortocircuita, el punto de
trabajo será el punto de corte de la curva característica de Vgs=15V y la
perpendicular, con lo que la corriente que circularía será ID(Vgs=15).
Y en caso de ser la carga inductiva, la recta de carga seria plana, y la
corriente se mantendría constante, ya que una inductancia se opone a los
cambios de corriente.
57
Si queremos determinar la tensión necesaria para que circule una
corriente deseada, lo que deberemos hacer es primero observar el valor
mínimo de Vgs necesario para que circule la corriente deseada, y luego
aumentar un poco esa tensión, ya que nosotros deberemos trabajar en la
zona Ohmica, la cual esta en el codo y por lo tanto vemos que hay
disminuye un poco la corriente, por ello es la necesidad de aumentar un
poco la Vgs.
3.11.2 TENSIÓN DE PUERTA EN EL ESTADO DE OFF8
La tensión de puerta en estado de OFF debe ser inferior a la tensión
umbral para que el transistor este cortado y al mismo tiempo tener cierta
inmunidad al ruido. Con esto lo que queremos decir es que podríamos
meter una tensión algo menor de 2V que imaginemos que es la tensión
umbral, pero entonces algo de ruido podría hacer que superásemos esos
2V y que circularía una pequeña corriente por el transistor, lo que es
totalmente indeseable, por ello una tensión de 0V es lo mas usado, ya que
aunque un posible ruido la aumentaría un poco no llegaría al nivel de
tensión umbral, y por lo tanto no habría ninguna corriente por el
transistor. Para hacer mas difícil que una posible señal de ruido supere el
Vgs(th) se suele usar una impedancia de salida del driver pequeña, de tal
forma que la corriente de ruido necesaria para superar Vgs(th) seria
bastante grande, y por lo tanto sea difícil que se de.
Imaginemos que tenemos un circuito como el de la siguiente figura, en el
que el transistor inferior a pasado a off, y el superior a pasado a on, por lo
tanto hay un cambio de tensión en el punto medio, e imaginemos que este
8
58
cambio de tensión se realiza de una manera brusca, debido a la capacidad
parásita que tienen los Mosfet entre drenador y puerta, y al cambio
brusco de tensión, se produce una corriente por dicho condensador, de
valor:
Figura 3.29 Puesta de RG(off) para asegurar tensión de Vgs
Por lo tanto la Rg(off) estará siendo atravesada por una corriente que la
polarizara de tal manera, que puede provocar que la tensión Vgs sea
positiva y mayor que Vgs(th), y por lo tanto que el transistor inferior
que debía encontrarse bloqueado entre en conducción. Para evitar este
efecto, como ya hemos comentado, se elige un valor pequeño para
Rg(off), que haga necesario una gran corriente para que la tensión
supere Vgs(th), y otra alternativa usada es la aplicación de una tensión
negativa a la puerta para prevenir estas anormales entradas en
conducción, ya que de esta manera para que el transistor entre en
conducción seria necesario que:
59
Donde V es la tensión negativa aplicada a la puerta.
3.11.3 IMPEDANCIA DE PUERTA-DRIVER
Como hemos visto en mas de una ocasión la velocidad de conmutación
de un Mosfet esta determinada por los tiempos necesarios para que la
tensión de puerta y en consecuencia la corriente por el drenador pueda
cambiar del nivel de bloqueo al de conducción y viceversa.
Como hemos visto la entrada de un Mosfet se trata de un circuito RC, y
por lo tanto la tensión Vgs variara de forma exponencial de la misma
manera que lo hará el condensador, y la constante de tiempo será
τ=Rg.Cin y es la que determinara los tiempos de conmutación, como la
Cin es una capacidad parásita no la podremos cambiar, por lo tanto Rg
será el elemento con el que jugaremos para definir los tiempos de
conmutación.
Pero la Rg puede que sea una resistencia inevitable, es decir la resistencia
asociada a todo circuito: impedancia de salida de un transistor, de un
circuito integrado, es decir una resistencia asociada al driver y que no
podemos eliminar; o bien puede ser una resistencia externa que se puede
poner con el objeto de controlar la conmutación, o puede que tengamos
parte de ambas, lo que es lo mas común.
En un principio podría parecer que lo mas interesante es que Rg sea lo
mas pequeña posible, para que de esa manera las conmutaciones sean lo
mas rápidas posibles y por lo tanto las pérdidas en conmutación sean
menores, pero una conmutación demasiado rápida plantea ciertos
problemas: normalmente siempre que tenemos un transistor conmutando
una carga inductiva tenemos un diodo ofreciendo un camino a la
60
corriente para cuando el transistor pase a bloqueo, y sabemos que un
diodo tiene ciertas limitaciones en la velocidad de conmutación, ya que
conmutaciones muy rápidas generan sobrecorrientes negativas que
pueden causarnos problemas, además de generarnos aumentos en la
energía disipada, y mientras menos dure la conmutación mayor será esa
sobrecorriente; otro problema es referido al de las inductancias parásitas,
ya que las conmutaciones rápidas provocaran cambios bruscos de
corriente que en las inductancias parásitas del circuito generaran
sobretensiónes que nos causaran problemas.
Figura 3.30 Diodo ofreciendo un camino a la corriente para
cuando el transistor pase a bloqueo
Por lo tanto hay ocasiones en las que es necesario ralentizar las
conmutaciones para no sufrir los problemas arriba comentados.
Además también puede ser interesantes la introducción de una Rg, en el
circuito de puerta, debido a que como sabemos todo cable tiene una
inductancia asociada, mayor mientras mayor sea la longitud, por lo tanto
esta inductancia parásita del conexionado, unida al condensador parásito
de puerta del transistor forma un circuito LC, que por lo tanto puede
61
provocar oscilaciones, y puede que una de esas oscilaciones haga entrar
en funcionamiento a nuestro transistor cuando debería estar bloqueado.
Con la incursión de una R, conseguimos formar un circuito RLC, con lo
cual conseguimos amortiguar ese efecto oscilatorio, incluso con valores
adecuados podemos tener un circuito sobreamortiguado, que no genere
ninguna clase de sobreimpulso que pueda provocar la conducción de
nuestro transistor.
Hay veces que la resistencia de puerta tiene diferentes valores para los
estados de bloqueo y conducción, siendo esta asimetría implícita a la
propia etapa de salida del driver, como podemos ver en la figura 3.31, en
la que en el circuito "a1" la conmutación a on será mas lenta debido a la
resistencia de Rg será mayor que la del transistor, mientras que en el caso
"a2" la colocación de los elementos es inversa, y por lo el paso a bloqueo
será mas lento.
9
Figura 3.31 Colocación de Rg para obtener on u off más lento
Puede ser que la asimetría este provocada artificialmente, como podemos
ver en los circuitos de la figura 3.32, con el propósito de ralentizar el
paso a conducción del transistor, que será la misma velocidad con la que
9
Cardenas Castro, Roberto Carlos (1,995), Fuentes de Alimentación conmutadas pag. 555 - 557
62
deba dejar de conducir el diodo volante, para de esta manera evitar
problemas con el diodo volante de sobrecorrientes, y hacer el paso a
bloqueo del transistor, que a su vez es hacer el paso a conducción del
diodo volante, mas rápido ya que esto no provoca problemas en el
diodo10.
Figura 3.32 Igual conmutación del diodo, transistores y mosfet´s
3.11.4 PROTECCIÓN DE PUERTA
Como hemos visto la Vgs(max) no es muy grande, por lo tanto es fácil
que si aparece alguna sobretensión en la puerta del transistor este se
estropee. Para delimitar las tensiones que puedan aparecer en la puerta
del transistor, se colocara un diodo Zener, en la manera que podemos ver
en la figura 3.33, y el valor del Zener, deberá ser Vzener < Vgs(max)
para que de esta manera la tensión Vgs quede delimitada a la tensión
Vzener. En caso de meter tensiones negativas al transistor será necesaria
la colocación de un Zener en antiserie con el anterior, para que uno
proteja al transistor ante las sobretensiónes positivas, y el otro lo haga
frente a las sobretensiones negativas, como podemos ver en la figura
3.33.
10
Cardenas Castro, Roberto Carlos (1,995), Fuentes de Alimentación conmutadas pag. 559
63
3.12 EXCITACIÓN DE MOSFET CON EL TERMINAL DE FUENTE
CONECTADO A MASA11
Cuando el terminal de fuente del Mosfet se encuentra conectado a masa de los
circuitos de control y de mando, el diseño se simplifica ya que solo es necesario
poner una tensión suficiente entre la puerta y fuente con una impedancia baja
para garantizar la conducción y conmutación en un tiempo razonablemente
pequeño según la aplicación de la que se trate.
Figura 3.33 Colocación de diodos zener para protección de la puerta
Como ya hemos comentado, existirán montajes donde la fuente del mosfet no
estará conectado a masa, y eso hará que la tensión de la puerta deba ser mayor,
ya que para que el mosfet conmute a on necesitamos que la tensión de puerta sea
del orden de 10 ó 15V mayor que la de la fuente, lo que puede dificultar el
diseño del driver.
11
64
Figura 3.34 Mosfet con fuente conectado a masa
3.12.1 EXCITACIÓN CON CIRCUITOS TTL
Como podemos ver en la figura 3.35 en la salida de un circuito TTL
tenemos niveles de tensión de 3.6V ó 3.8V, y cuando hay una corriente
en la salida del orden de 0.4mA los niveles de tensión disminuyen hasta
los 2.4V, que como sabemos no son niveles adecuados de tensión para
conmutar un transistor a ON, por lo tanto a veces se mejora el diseño con
la colocación de una resistencia pull-up que eleva los niveles de tensión
hasta 5V, pero aun así estos niveles de tensión son pequeños ya que no
garantizan la saturación del Mosfet, y por lo tanto las corrientes que lo
atravesaran serán pequeñas.
Figura 3.35 Mosfet excitado con TTL
65
Hay Mosfet especiales, denominados de logic level, los cuales se atacan
con niveles de tensión de TTL, en los que la tensión umbral en vez de ser
de unos 4V es de 1V a 2V, para los cuales los montajes anteriores si que
valdrían. Pero normalmente los mosfet de potencia que emplearemos no
son de niveles TTL si no que necesitaremos tensiones entre puerta y
fuente de 10 a 15V.
Hay otro tipo de salida TTL, que es en colector abierto, como podemos
ver en la siguiente figura, el funcionamiento es el siguiente cuando
queremos tener 15V en la entrada del mosfet el transistor bipolar tendrá
que estar abierto, de esta manera apenas circulara corriente por la
resistencia pull-up y por lo tanto en la puerta tendremos unos 15V,
cuando queramos que el mosfet este bloqueado, lo que deberemos hacer
es cerrar el transistor bipolar de manera que la masa quede
cortocircuitada con el terminal de puerta, y los 15V de la fuente caigan
en la resistencia. Por lo tanto en lo referente a niveles de tensión vemos
que esta es una buena solución.
Figura 3.36 Mosfet logic level cebado con TTL
66
El aspecto negativo de este circuito, es que como ya comentamos los
tiempos de conmutación vienen definidos por la resistencia de entrada en
la puerta y las capacidades parásitas del mosfet, siendo la resistencia de
entrada el único parámetro sobre el que podemos actuar, de esta forma si
queremos que las conmutaciones sean rápidas, será necesario que la
resistencia de Pull-up sea pequeña, pero esto no es siempre posible,
debido a que cuando el mosfet este bloqueado, el transistor bipolar
conducirá una corriente delimitada por la resistencia pull-up, y esa
corriente deberá ser limitada para no destruir el transistor bipolar, por lo
tanto la resistencia de pull-up tiene que tener un valor mínimo. En lo
referente a las conmutaciones a off del mosfet, no parece que haya
problema ya que se harán a través del transistor bipolar, el cual presenta
una baja impedancia, y por lo tanto se harán de manera rápida. Por lo que
este tipo de montajes será valido en circuitos donde la frecuencia de
conmutación no sea muy elevada.
Una forma de solucionar este problema es colocar varios transistores en
colector abierto en paralelo, de manera que la resistencia equivalente de
pull-up se reducirá por ser la resultante de varias resistencias en paralelo,
de esta manera conseguiremos mejorar los tiempos de conmutación a on
del mosfet, y también los de conmutación a off, aunque ya hemos dicho
que esto no era tan necesario.
Otra manera de mejorar el montaje anterior, es la colocación de una etapa
complementaria entre el transistor de colector abierto y el mosfet, esta
etapa complementaria es un amplificador de corriente formado por dos
transistores complementarios, con una impedancia de salida muy baja,
67
con lo que conseguimos que la capacidad se cargue antes, y por lo tanto
acelerar la conmutación.
Figura 3.37 Cebado del mosfet con dispositivos open colector
Por lo tanto tenemos los niveles de tensión adecuados gracias al transistor
de colector abierto, y con la etapa amplificadora de corriente conseguimos
acelerar la conmutación y unas impedancias de entrada en el Mosfet
pequeñas.
3.12.2 EXCITACIÓN CON CIRCUITOS CMOS
Lo bueno de los CMOS respecto a los TTL, es que los primeros trabajan
con niveles de tensión de 12 ó 15V, lo que son niveles adecuados para
atacar al Mosfet, sin embargo como punto desfavorable tenemos que los
CMOS tienen mayores impedancias de salida, y la posibilidad de dar y
absorber corrientes más limitada, de tal forma que las conmutaciones
serán más lentas. Por lo tanto en caso de no necesitar frecuencias de
trabajo muy elevadas, el usar tecnología CMOS resulta adecuado, pero
en el caso de necesitar unos niveles de frecuencia de trabajo algo
elevados no podremos conectar los dispositivos CMOS directamente al
Mosfet. Ver figura 3.38
68
Figura 3.38 Cebado del mosfet mediante la colocación de
transistores complementarios
Figura 3.39 Cebado del mosfet mediante un cmos
Una posibilidad de mejora, es la utilización de una puerta que sea un
buffer, ya que estas tienen una capacidad de dar o absorber corriente
bastante mas grande de la que tiene un dispositivo CMOS, además si le
añadimos una resistencia de pull-up mejoraremos la impedancia de salida
reduciéndola, por lo tanto gracias a estas dos mejoras disminuiremos los
tiempos de conmutación.
69
Figura 3.40 Cebado del mosfet con puerta buffer
Al igual que hacíamos con los circuitos TTL, podremos usar en varios
CMOS en paralelo, reduciendo de esa manera la impedancia de salida, y
aumentando la capacidad de dar y absorber corriente.
Figura 3.41 Cebado con cmos en paralelo
También podemos colocar una etapa complementaria basada en dos
transistores complementarios, que funcionan a modo de amplificador de
corriente y que muestran una impedancia de salida pequeña, al igual que
funcionaba en los circuitos de excitación TTL, este es el circuito que
ofrece mejores prestaciones.
70
Figura 3.42 Cebado del mosfet con transistores complementarios12
3.12.3 EXCITACIÓN CON CIRCUITOS LINEALES
Los circuitos operacionales tienen niveles adecuados de tensión, ya que
las salidas son del orden de 10V ó 15V, pero no nos valdrá cualquier
integrado, ya que deberemos elegir uno con baja resistencia de salida y
con capacidad de dar y obtener corrientes de cierto nivel como las que se
dan en la conmutación de un mosfet. Además la frecuencia de trabajo del
operacional tiene que ser del mismo orden que la frecuencia de trabajo
del mosfet, para que el operacional no suponga una limitación en la
frecuencia de trabajo, otra característica que deberemos pedir a estos
operacionales es que tenga slew rates elevados, es decir que la variación
en la salida sea elevada.
Aunque siempre podemos acudir a la colocación de un amplificador de
corriente entre el operacional y el mosfet, como hemos hecho en los
casos anteriores. En la figura 3.35 vemos dos ejemplos de circuitos
operacionales que atacan a un mosfet.
12
71
Figura 3.43 Amplificador complementario entre el opamp y el mosfet
Otra técnica empleada para atacar a transistores Mosfet o IGBT que no
tengan el terminal de fuente conectado a masa, es la técnica Bootstrap.
En la figura 3.44 podemos ver la configuración del circuito para esta
técnica.
Figura 3.44 Cebado del mosfet con la técnica bootstrap
Vemos como para el transistor Mosfet inferior no tenemos ningún
problema, porque la fuente esta conectada a masa, y tenemos un circuito
driver, alimentado a 15V que nos dará una señal adecuada en la puerta
para disparar al transistor o bloquearlo. El problema viene con el
transistor superior, que como vemos, la fuente estará conectada al
terminal inferior del driver, para servir de referencia, y así meter en la
puerta del transistor una señal de 15V por encima de la señal de fuente.
72
En lo que se refiere al funcionamiento, cuando el transistor inferior, esta
cerrado, en el terminal de fuente del transistor superior habrá 0V, y por lo
tanto el condensador se carga a 15V y servirá de fuente de alimentación
para el circuito driver superior. El condensador se recargara en los
tiempos que este conduciendo el transistor inferior.13
Luego el circuito de control manda que conduzca Q2 y por lo tanto Q1 se
abre, con lo que en el terminal de fuente tendremos una tensión de VDD, y
como podemos ver en el siguiente circuito, esa señal esta unida al
terminal de referencia del driver superior, y al condensador, por lo tanto
en el terminal positivo del driver, tendremos VDD+15V debidos al
condensador, por lo tanto tenemos que en la señal de puerta habrá 15V
por encima de los que hay en el terminal de fuente, con lo que podremos
disparar al transistor superior adecuadamente.
Este circuito tiene un punto desfavorable, y es que si la frecuencia de
conmutación de los Mosfets es muy lenta, es decir cada Mosfet trabaja
durante mucho tiempo, antes de que el otro entre en funcionamiento,
entonces puede ocurrir que el condensador se vaya descargando, y llegue
a tal nivel, que la Vgs ya no sea tan grande, y por lo tanto que el
transistor no se sature. Por lo tanto nos tenemos que asegurar que la
frecuencia de funcionamiento de estos Mosfet sea lo suficientemente
grande para que el condensador no se cargue demasiado.
A continuación podemos ver otra configuración del montaje bootstrap
donde el condensador se carga mediante la fuente de alimentación de
VDD, pero se carga con una tensión de 15V ya que esta limitada por un
13
73
diodo zener de ese valor en paralelo. De esta manera cuando conduce el
diodo Q1, el condensador se carga de la forma descrita.
Figura 3.45 Cebado del mosfet con montaje Bootstrap
3.12.4 EXCITACIÓN CON TRANSFORMADORES DE IMPULSOS
Un método sencillo de poder polarizar de manera adecuado un transistor
que no tiene el terminal de fuente a masa es mediante el uso de un
transformador, recordamos que los transformadores tienen dos usos
principalmente: Variar la amplitud de la señal y aislar. En este caso lo
vamos a usar como aislador, de esta forma vamos a tener diferentes
referencias de potencial en la etapa de control y en la etapa de potencia.
En un transformador el secundario es flotante, con lo que lo podemos
colocar donde queramos, introduciendo unos nuevos niveles de potencial,
por lo tanto nosotros lo colocaremos entre puerta y fuente, de tal forma
que podamos tener tensiones de 15V mayores en la puerta que nos
garanticen la saturación del transistor.
Un problema que presenta este montaje, es que al transformador no le
podemos meter señal continua, por que si no se satura, por lo tanto
deberemos poner un condensador que no deje pasar esa señal continua, y
74
aquí viene el problema, que entonces ya no vamos a tener una señal de
15V si no que vamos a tener que quitarle la componente continua, y
dependiendo del nivel de esa componente continua el nivel de la señal
será mayor o menor, pudiendo no llegar a ser suficiente para saturar al
Mosfet.
Figura 3.46 Cebado del mosfet con transformador de impulsos14
Esto ocurre cuando los ciclos de trabajo son muy elevados, por lo tanto
el componente de continua será elevado, y la señal que tendremos en el
primario y pasara al secundario puede que no sea suficiente para saturar
al mosfet.
Además recordamos que los transformadores de impulsos tienen
resistencias e inductancias asociadas, tanto en el primario como en el
secundario, por lo tanto deberemos intentar que esas resistencias sean
bajas para que no afecte a la velocidad de conmutación, y que las
inductancias también sean pequeñas para dar menos posibilidades a la
aparición de circuitos oscilatorios.
Otro parámetro son los voltios por segundo que pueda soportar el
transformador, para evitar que se nos pueda saturar.
14
75
CAPÍTULO 4
ANÁLISIS DEL INVERSOR SEMIPUENTE
4.1 INVERSORES MONOFASICOS VSI DE ONDA CUADRADA
El objetivo es generar ondas cuadradas alternas, para lo que emplearemos un
circuito como el que podemos ver en la figura 4.1
Figura 4.1 Inversor monofásico VSI de onda cuadrada
Como podemos tiene una estructura en puente, y por lo tanto sabemos que los
transistores conducirán de forma diagonal, es decir cuando conduce el transistor
TR1 también conducirá el transistor TR4, y cuando conduce el TR2 también lo
hará el TR3.
Podemos realizar un circuito equivalente al anterior con solo dos transistores,
pero necesitaremos que la fuente de tensión tenga una toma intermedia.
76
Figura 4.2 inversor con dos transistores con fuente de toma
Intermedia15
De manera que en la carga habrá momentos en los que tengamos +V cuando
conduzca el transistor TR1, y -V cuando conduzca el transistor TR2.
Normalmente este circuito no es muy utilizado porque a pesar de necesitar dos
transistores menos, necesitaremos de una fuente de alimentación doble.
Como hemos dicho tenemos un montaje en puente donde conducen los
transistores de par en par, y el objetivo de este circuito no es obtener un valor
medio, sino obtener una onda alterna, por lo tanto el ciclo de trabajo será del
50%. Por lo tanto las formas de las señales de control serán:
Figura 4.3 Forma de onda de las señales de control Ciclo de trabajo no

deseado 50%
15
77
Figura 4.4 forma de tensión que tendremos en la carga
Ahora veamos la forma de la corriente, imaginando que tenemos una carga RL.
Imaginemos que empiezan a conducir TR1 y TR4, y que al cabo de un momento
se cortan, pero como hemos dicho la carga es inductiva por lo que la corriente a
través de ella no puede variar bruscamente, por lo que deberá buscar otro
camino, y si nos fijamos en el circuito ese camino se lo están ofreciendo los
diodos D2 y D3, ya que los transistores TR2 y TR3 están polarizados de manera
inversa. La tensión en bornes de la carga pasa a ser negativa, la corriente por la
bobina tendrá una pendiente negativa y por lo tanto ira disminuyendo, al llegar a
0 la corriente tendera a seguir disminuyendo, pero no lo puede hacer por los
diodos D2 y D3 ya que estos están en inversa, por lo tanto ahora los transistores
TR2 y TR3 si que están en condiciones de conducir y lo harán, cuando abramos
estos transistores los diodos D1 y D4 son los que ofrecerán el camino y mas
tarde entraran a conducir los transistores TR1 y TR4, y así se repetirá el proceso
constantemente.
Figura 4.5 Forma de la corriente, teniendo como carga R-L
78
Figura 4.6 Forma por la corriente por la alimentación
En donde podemos ver como la corriente será positiva cuando conducen los
transistores y la corriente será negativa cuando conducen los diodos.
Como tenemos una onda cuadrada alterna, esta tendrá armónicos. así si hacemos
el desarrollo de Fourier podemos ver las amplitudes de los diferentes armónicos,
como vemos expresados en la figura 4.7.
Figura 4.7 Amplitud relativa de los armónicos en la carga16
Y el valor de pico de la señal fundamental y de los sucesivos armónicos podrán
ser expresados mediante las siguientes ecuaciones:
16
Lazaro Malvino Alberto Francisco (2,000), Control de fuentes conmutadas pag. 453
79
Como podemos ver en la gráfica y comprobar mediante la expresión anterior, la
amplitud de los armónicos van disminuyendo.
Como sabemos lo útil es la onda fundamental, mientras que los demás nos darán
problemas y deberemos tratar de eliminarlos.
Si queremos cambiar la frecuencia de la fundamental, deberemos cambiar la
frecuencia de conmutación de los transistores, ya que ambas frecuencias
coinciden. Pero cambiar la amplitud de la fundamental puede llegar a ser más
complicado, ya que como hemos visto depende de Vd, y vamos a suponer que es
una fuente constante de la que no podemos cambiar el valor.
4.2 INVERSORES MONOFASICOS SEMIPUENTE CON CAPACITORES
La figura 4.8 muestra el inversor de medio puente. Aquí dos condensadores
iguales se conectan en serie a través de la entrada de cc, y su unión está en
potencial medio , con un voltaje de Vd/2 a través de cada condensador. Se deben
usar capacitancias lo bastante grandes para que sea razonable suponer que el
potencial en el punto o permanezca esencialmente constante respecto del bus cc
negativo N. por tanto, esta configuración de circuito es idéntica al inversor
básico de una pata o terminal.
Figura 4.8 Inversor semipuente
80
Si suponemos una conmutación de PWM, nos percatamos de que la forma de
onda del voltaje de salida será exactamente como en la figura 4.9. Se debe notar
que, sin tomar en cuenta los estados de los interruptores, la corriente entre los
dos condensadores C- y C- (con valores iguales y muy grandes) se divide en
partes iguales. Cuando T+ está encendido, T+ o D+ conducen según el sentido de
la corriente de salida, e io se divide en partes iguales entre los dos condensadores
o capacitores. De igual manera, cuando el interruptor T- está en su estado
activo, T- o D- conducen según el sentido de io, e io se divide en partes iguales
entre los dos condensadores. Por tanto, los condensadores C+ y C- están

17
"efectivamente" conectados en paralelo en la ruta de io. Esto también explica
por qué la unión o en la figura 4.9 permanece en potencial medio.
Como io debe fluir a través de la combinación paralela de C+ y C-, io en estado
permanente no puede tener un componente de CC. Por tanto, estos
condensadores actúan como condensadores o capacitores de bloqueo de CC, lo
que elimina el problema de saturación del transformador desde el lado primario,
si se usa un transformador en la salida para proporcionar aislamiento eléctrico.
Como la corriente en el devanado primario de uno de estos transformadores no
se forzaría a cero en cada conmutación, la energía de inductancia por dispersión
del transformador no constituye ningún problema para los interruptores.
En un inversor de medio puente, los voltajes y corrientes nominales de pico de
los interruptores son los siguientes:
17
81
Figura 4.9 Forma de onda de salida PWM de la figura 4.818
18
82
CAPÍTULO 5
PROBLEMA DE APLICACIÓN
5.1 ENUNCIADO
Un inversor en semipuente se conecta a una fuente de tensión continua de
entrada de 300 V y a una carga RL serie (R = 15  y L = 190 H), funcionando
con una frecuencia de salida, f, de 25 kHz. Se supone que la rama de
condensadores del convertidor está formada por dos condensadores iguales lo
suficientemente grandes para que sus rizados sean despreciables a la frecuencia
de operación. Se pide:
Representar las formas de onda de tensión de salida, vO, y de corriente de salida,
iO (esta última cualitativamente) y determinar la potencia media de salida, para
los siguientes casos:
1) Control de onda cuadrada.
2) Control de ciclo de servicio asimétrico con D = 0,3.
3) Control PWM sinusoidal con ma = 0,8 y mf= 5 (relaciones de
modulación de amplitud y frecuencia, respectivamente).
Después de obtener la expresión general de la potencia, obtener los resultados
numéricos correspondientes a los tres primeros armónicos no nulos en los casos
1) y 2), y solamente el armónico fundamental en el caso 3).

83
5.2 PLANTEAMIENTO (APARTADO 1)
El convertidor objeto del problema es el inversor en semipuente o medio puente
que se muestra en la Figura 5.1.
S1
D1
C1
+ R iO L
VG
- vO +
- S2
C2
D1
Figura 5.1 Inversor en semipuente con carga R- L
Datos:
VG = 300 V, R = 15, L = 190 H, f = 1/T = /2= 25 kHz
D= 0,3
ma = Vcontp/Vtri p = 0,8 y mf =fs/f = 5
Teniendo en cuenta la descomposición en armónicos, la expresión en régimen
estacionario de la corriente eficaz de salida del armónico n será:
𝑉𝑂 𝑛 𝑒𝑓 𝑉𝑂 𝑛 𝑒𝑓
𝐼𝑂 𝑛 𝑒𝑓 = = (5.1)
𝑍𝑂 𝑛 √𝑅 2 +(𝑛𝐿)2
84
Siendo VO n ef la tensión eficaz de salida del armónico n y ZO n el módulo de la
impedancia de la carga para ese armónico.
Como la potencia se disipa únicamente en la resistencia de la carga, en
cualquiera de los casos, la expresión general de la potencia media de salida será
la suma siguiente de las componentes armónicas:
𝑽𝟐𝑶 𝒏 𝒆𝒇
𝑷 𝑶 = ∑∞ ∞ 𝟐 ∞
𝒏=𝟏 𝑷𝑶 𝒏 = ∑𝒏=𝟏 𝑹𝑰𝑶 𝒏 𝒆𝒇 = 𝑹 ∑𝒏=𝟏 (5.2)
√𝑹𝟐 +(𝒏𝒘𝑳)𝟐
Donde la tensión VO n ef depende del tipo de control aplicado:
2𝑉𝐺 (n=1,3,5…impar),control onda cuadrada

𝑛𝜋√2
2𝑉𝐺
𝑉𝑂 𝑛 𝑒𝑓 = sen (nπD) (n=1,3,5…),control ciclo de servicio asimétrico
𝑛𝜋√2
𝑚𝑎 𝑉𝐺
{ 2√2 (con n=1),control PWM sinusoidal
Presentamos a continuación los resultados para cada uno de los tipos de
control, El cual es objetivo de la presente tesis
5.4.1 (SOLUCIÓN APARTADO 1) CONTROL DE ONDA CUADRADA
En este caso la frecuencia de conmutación coincide con la frecuencia de
salida (fs = f).En la Figura 5.2 se representan las formas de onda
resultantes de tensión y corriente de salida. Los resultados numéricos
paralos tres primeros armónicos no nulos se muestran en la Tabla 5.1. La
potencia media de salida resulta:
𝑉 2
2( 𝐺 )
𝑛
𝑃𝑂 ≈ 𝑅 ∑𝑛=1,3,5 𝑅2 +(𝑛𝜔𝐿)2 = 245,2 𝑊 + 3,7 𝑊 + 0,5 𝑊 = 249,4 𝑊
(5.4)
85
Como se observa, casi toda la potencia se transfiere a través del
primer armónico.
200
vO
iO (A)
0
- 200
0s 20us 40us 60us 80us
V(2,5) I(R) * 20
Time
Figura 5.2 Tensión, vO’ y corriente, iO’ de salida en el semipuente
inversor con control de onda cuadrada (simulación PSpice).
Tabla 5.1 Resultados numéricos para el semipuente inversor con control de
onda cuada.
n V O n ef (V) Z O n ( ) I O n ef(A) PO n(W)
1 135,0 33,4 4,04 245,2
3 45,0 90,8 0,50 3,7
5 27,0 150,0 0,18 0,5
5.4.2 (SOLUCIÓN APARTADO 2) CONTROL DE CICLO DE SERVICIO
ASIMÉTRICO
En este caso la frecuencia de conmutación también coincide con la de
salida (fs = f). En la Figura 5.3 se representan las formas de onda
resultantes de tensión y corriente de salida. Los resultados numéricos para
86
los tres primeros armónicos no nulos se muestran en la Tabla 5.2. La
potencia media de salida resulta:
2
𝑉
2( 𝐺 𝑠𝑒𝑛 (𝑛𝜋𝐷))
𝑛
𝑃𝑂 ≈ 𝑅 ∑3𝑛=1 = 160,5 𝑊 + 16,3 𝑊 + 0,4 𝑊 = 177,2 𝑊
𝑅 2 +(𝑛𝜔𝐿)2
(5.5)
También casi toda la potencia se transfiere a través del primer armónico,
aunque ahora la distorsión armónica es algo mayor.
300
vO (V)
200
100
iO (A)
0
- 100
0s 20us 40us 60us 80us
Time
Figura 5.3 Tensión, vO’ y corriente, iO’ de salida en el semipuente inversor
con control de ciclo de servicio asimétrico con D = 0,3 (simulación
PSpice).
5.4.3 (SOLUCIÓN APARTADO 3) CONTROL PWM SINUSOIDAL
En este caso se cumplen las relaciones:
fs = mf f , Vcont p = ma Vtri p (5.6)
Siendo Vcont p la amplitud de la señal sinusoidal de control o moduladora y
Vtri p el valor de pico de la señal triangular o portadora. En la Figura 5.4 se
representan las formas de onda resultantes de tensión y corriente de salida.
87
Tabla 5.2 Resultados numéricos para el semipuente inversor con control de
ciclo de servicio asimétrico.
n V O n ef (V) Z O n ( ) I O n ef(A) PO n (W)
1 109,3 33,4 3,27 160,5
3 64,2 61,5 1,04 16,3
5 13,9 90,8 0,15 0,4
Los resultados numéricos para el armónico fundamental se muestran en la
Tabla 5.3. La potencia media de salida, considerando sólo el armónico
fundamental, resulta:
𝑅(𝑚𝑎 𝑉𝐺 )2 /8
𝑃𝑂 ≈ =9 (5.7)
𝑅 2 +(𝜔𝐿)2
Figura 5.4 tensión, vO’ y corriente, iO’ de salida en el semipuente
inversor con control PWM sinusoidal con ma = 0,8 y mf = 5
(simulación PSpice).
88
Tabla 5.3 Resultados numéricos para el semipuente inversor con control
PWM sinusoidal.
n VO n ef Z O n ( ) I O n ef(A) PO n (W)
1 84,9 33,4 2,54 96,8
89

Tes Rivas

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CAPÍTULO 1

BASES FUNDAMENTALES DE LA TESIS

1.1 PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA DE INVESTIGACIÓN

1.1.1 CARACTERIZACIÓN DEL PROBLEMA

En estos tiempos los sistemas eléctricos, electrónicos han tomado un sitio

preponderante en el sector industrial; y esto se debe al repunte tecnológico

que han desarrollado los dispositivos electrónicos, manejando en la

actualidad corrientes del orden de los kiloamperios, tensiones en el orden de

los kilovoltios y frecuencias en el orden de los KHz., En lo que respecta al

sector industrial. Todo esto conlleva en la mejora de la calidad del producto

a menores precios. Uno de los artífices de lo mencionado líneas arriba son

justamente los convertidores electrónicos y se puede mencionar sin lugar a

dudas que es el inversor (convertidor de cc. a ca.), y el rectificador

industria. Sus aplicaciones son innumerables; aquí solamente mencionare

unos cuantos: sirven para el control de velocidad de motores de ca. (motor

drives), a las energías renovables (eólica y solar), a los sistemas de

alimentación ininterrumpida (SAI ó UPS), a los filtros activos para asegurar

la calidad de la energía eléctrica, a la tracción ferroviaria, y vehículos

eléctricos e híbridos y también a los balastos electrónicos y lámparas de bajo

consumo, biomédica, aeronáutica, naval, etc.

En la presente tesis desarrollo el estudio comparativo del control de

potencia media de un circuito R-L como carga de un inversor

semipuente. Considero este tema de bastante repercusión por su

generalidad puesto que muchos sistemas eléctricos son construidos en base

electrobombas, filtros, cocinas y hornos de inducción, etc.

1.2 FORMULACIÓN DEL PROBLEMA

1.2.1 PROBLEMA GENERAL

 ¿Cuáles serán las formas para determinar el control de potencia media

de un circuito R-L como carga de un inversor semipuente?

1.2.2 PROBLEMAS PARTICULARES

 ¿De que forma influirá el tipo de modulación en el control de potencia

media de un circuito R- L como carga de un inversor semipuente?

 ¿Cómo influirá la forma de la onda en el control de la potencia media

de un circuito R- L como carga de un inversor semipuente?

1.3 OBJETIVOS DE LA INVESTIGACIÓN

1.3.1 OBJETIVO GENERAL

1. Investigar técnicamente cuáles serán las formas de control de potencia

media de un circuito R-L como carga de un inversor semipuente.

1.3.2 OBJETIVOS ESPECÍFICOS

1. Estudiar y analizar la influencia del tipo de modulación en el control

de potencia media de un circuito R-L como carga de un inversor

2. Estudiar y analizar la influencia de la forma de onda en el control de

potencia media de un circuito R-L como carga de un inversor

vista técnico – científico, pues se abordarán temas físicos, matemáticos

relacionados con la ingeniería eléctrica y electrónica. También tiene tener gran

de los productos bajan de precio y el consumidor se favorece.

proponer a alguna empresa la factibilidad de su ejecución.

1.5 FORMULACIÓN DE LA HIPÓTESIS

1.5.1 HIPÓTESIS GENERAL

1. La determinación técnica del control de potencia media de un circuito

R-L como carga de un inversor semipuente es función de la frecuencia

de conmutación para cualquier tipo de control.

1.5.2 HIPÓTESIS ESPECÍFICAS

1. La influencia del control de potencia media de un circuito R-L como

carga de un inversor semipuente es inevitablemente dependiente del

2. La influencia técnica del control de potencia media de un circuito R-L

como carga de un inversor semipuente es función de la forma de onda.

1.6 IDENTIFICACIÓN DE LAS VARIABLES

1.6.1 VARIABLE DEPENDIENTE

 Circuito R-L como carga de un inversor semipuente

 Estudio y análisis técnico comparativo del control de potencia media

MARCO TEÓRICO Y ANTECEDENTES

2.1 MARCO TEORICO

Un convertidor es un dispositivo que permite controlar la conversión de energía