Física de

Semiconductores
La presentación y las gáficas están basadas en el libro:

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 Juntura PN

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 Materiales Tipo N y Tipo P

• Material Intrínseco (muy puro) si se dopa (agregar impurezas

específicas), se convierte en Material Extrínseco

• Hay dos tipos de Material Extrínseco

• Material Tipo N
• Material Tipo P

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 Material Tipo N
Se forma agregando, en una proporción determinada, material
con cinco electrones de valencia (pentavalentes) al cristal de
material intrínseco.
Elementos más utilizados:
Antimonio è Sb
Arsénico è As
Fósforo è P
El enlace covalente se mantiene.
Existe un electrón que no está asociado a los enlaces
covalentes y que se puede mover más fácilmente dentro del
material ante los estímulos.
Las impurezas con 5 electrones de valencia se conocen como
átomos donadores.
El material sigue siendo eléctricamente neutro.

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 Efecto de Impurezas

Aparece Nivel de Energía de Donador:

𝑬𝒈𝒅𝒐𝒏𝒂𝒅𝒐𝒓 << 𝑬𝒈𝑰𝒏𝒕𝒓í𝒏𝒔𝒆𝒄𝒐

A temperatura ambiente hay ≅

𝟏𝟐
𝟏 𝒆𝒍𝒆𝒄𝒕𝒓ó𝒏 𝒍𝒊𝒃𝒓𝒆 𝒑𝒐𝒓 𝒄𝒂𝒅𝒂 𝟏𝟎 á𝒕𝒐𝒎𝒐𝒔 ,
si el nivel de dopado es de 𝟏 𝒆𝒏 𝟏𝟎𝟕 ,
𝟏𝟎𝟏𝟐
entonces habrá 𝟏𝟎𝟕 = 𝟏𝟎𝟎. 𝟎𝟎𝟎 veces más
concentración de portadores.

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 Material Tipo P
El material Tipo P se forma agregando impurezas que tengan 3 electrones
de valencia (trivalentes).
Los más utilizados son el boro, el galio y el indio.
Ahora falta un enlace covalente.
La ausencia de es electrón se llama un hueco.
Se denota por un pequeño circulo o por un +
El vacío resultante aceptará fácilmente un electrón libre.
Las impurezas con tres electrones de valencia se denominan átomos
aceptores.
El material sigue siendo eléctricamente neutro.
Si un electrón de valencia rompe
su enlace covalente para llenar el
vacio, entonces se crea un hueco
en ese enlace.
Hay flujo de huecos hacia la
izquierda y de electrones hacia la
derecha.
Usaremos dirección convencional
= flujo de huecos (carga positiva)

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 Portadores mayoritarios y minoritarios
En un material tipo N ”sobran”
electrones, por lo que los portadores
de tipo N serán mayoría y por ello los
electrónes se llaman portadores
mayoritarios y los huecos portadores
minoritarios.
En un material tipo P “sobran” huecos
y por tanto los huecos son llamados
portadores mayoritarios y los huecos
portadores minoritarios (justamente
lo contrario que en el material tipo N).
El átomo que cede un electrón
(potador N) queda con carga positiva,
por eso el signo más en el átomo o ión
donador. En el ión aceptor ocurre lo
contrario y por eso su signo menos.

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 Juntura PN
Diodo Semiconductor
Una vez se unen las dos regiones (N y P), los portadores
cercanos a la unión se combinan, con lo cual en la región N
quedan los iones positivos = donores (átomos si un electrón)
y en la región P los aceptores = átomos sin un hueco (les llegó
un electrón) que por tanto tienen carga negativa.

Esta región cercana a la unión se llama región de

empobrecimiento debido a la escases de portadores libres.

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 Polarización Inversa
Denominaciones comunes:
Diodo apagado, cortado, off, • 𝑰𝑺 no supera el nivel de unos pocos 𝝁𝑨 cuando
polarizado inversamente.
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• Se atraen electrones hacia el terminal positivo
• La región de transición en el material tipo N se
incrementa
• Hay más iones positivos en esta parte de la región
de transición
• Se atraen portadores positivos (huecos) hacia el
terminal negativo
• La región de transición en el material tipo P se
incrementa
• Hay más iones negativos en esta parte de la región
de transición
• Se crea una barrera muy grande de potencial que es
difícil de superar por los portadores mayoritarios
• Hay una corriente pequeña, lllamada corriente de
saturación, 𝑰𝑺, que fluye.
mucho. Esta corriente es mucho menor que la
corriente habitual de uso en sentido directo.
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 Polarización Directa
• Se “empujan” electrones en el material N hacia la región de
transición
• Se recombinan con los iones positivos de esta región
• Se “empujan” huecos del material P hacia la región de
transición
• Se recombinan con los iones negativos de la región de
transición
• La región de transición reduce su tamaño y por tanto la
barrera de potencial a superar por los portadores es menor.
• La corriente aumenta exponencialmente
𝑽𝑫
Denominaciones comunes:
Encendido, Directo, Conducción, ON • 𝑰𝑫 = 𝑰𝑺 𝒆 𝜼𝑽𝑻 −𝟏
𝒌𝑻
• 𝑽𝑻 = 𝒒 V
𝟏. 𝟑𝟖 ∗ 𝟏𝟎K𝟐𝟑 𝟐𝟕𝟑 + 𝟐𝟓 • 𝒌 = 𝟏. 𝟑𝟖 ∗ 𝟏𝟎K𝟐𝟑 𝑱N𝑲 (constante de Boltzmann)
𝑽𝑻 = ≅ 𝟐𝟓. 𝟕 𝒎𝑽
𝟏. 𝟔 ∗ 𝟏𝟎K𝟏𝟗 • 𝒒 = 𝟏. 𝟔 ∗ 𝟏𝟎K𝟏𝟗 C
• 𝑻 = º𝑲 = 𝟐𝟕𝟑 + 𝑻𝒄𝒆𝒏𝒕𝒊𝒈𝒓𝒂𝒅𝒐𝒔
𝟏≤𝜼≤𝟐
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 C𝐚𝐫𝐚𝐜𝐭𝐞𝐫í𝐬𝐭𝐢𝐜𝐚 𝑰𝑫 𝒗𝒔 𝑽𝑫
• Corriente en región de polarización inversa muy pequeña (la
escala de la gráfica es diferente)
• Alcanza prácticamente su valor final para tensiones
negativas pequeñas
• En región de conducción la corriente aumenta muy
rápidamente.
• Para un diodo real, la curva difiere de la ecuación,
principalmente porque tiene una resistencia en serie debida
a exceso de material semiconductor (necesario para
conectarlo al mundo exterior).

• Para el símbolo de la gráfica:

• Terminal de la izquierda, marcado +, se denomina
ÁNODO….. NO POSITIVO!!!
• Terminal de la derecha, marcado -, se denomina
Suponga 𝑰𝑺 = 𝟏𝟎𝟎 pA, T=25 ºC y η=1 KATODO…. NO NEGATIVO!!!
Calcule 𝑰𝑫 para 𝑽𝑫 =±[0.1V,0.25V, 𝟎. 𝟓 𝑽 𝒚 𝟎. 𝟖 𝑽].

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