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Circuitos Electrónicos II
AUTORES : Olivos Saavedra Landhert Anderson
Pérez Espinoza Luis Fernando
Zevallos Delgado Luis Eduardo
CICLO : Quinto
Lambayeque, Perú
16 de julio del 2019
Tabla de Contenidos ii
Capítulo 1
Introducción
(Floyd) Debido a su extremadamente alta resistencia de entrada y bajo nivel de ruido, los
amplificadores basados en FET son una buena opción para ciertas aplicaciones tales como
la amplificación de señales de bajo nivel en la primera etapa de un receptor de
comunicación.
Los FET también tienen la ventaja en ciertos amplificadores de potencia y circuitos de
conmutación porque su polarización es simple y más eficiente. Las configuraciones de
amplificador estándar son en fuente común (CS), en drenaje común (CD) y en compuerta
común (CG), las cuales son análogas a las configuraciones CE, CC y CB de los BJT.
Objetivos
- Objetivo General
Analizar y explicar las diferentes aplicaciones del FET a baja señal.
- Objetivos específicos
Analizar y explicar la configuración de compuerta común para el JFET.
Analizar y explicar MOSFET de tipo decremental e incremental.
Explicar la configuración de retroalimentación en drenaje para el EMOSFET.
Explicar la Configuración de divisor de voltaje para el EMOSFET.
Explicar cómo diseñar redes de amplificador FET.
2
Capítulo 2
Desarrollo de la Monografía
Los nombres (leyendas) de las tablas deberán ir encima de las mismas, como
Los nombres de las figuras deberán ir debajo de las mismas, tal y como mostrado
en la figura 1.
Capítulo 3
Conclusiones
Recordar que las conclusiones deben estar ligadas a los objetivos planteados.
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Referencias Bibliográficas
Anexo