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INTRODUCCIÓN
INTRODUCCIÓN
Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad eléctrica puede considerarse
situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en orden creciente
Los semiconductores más conocidos son el siliceo (Si) y el germanio (Ge). Debido a que, como
veremos más adelante, el comportamiento del siliceo es más estable que el germanio frente a todas
las perturbaciones exteriores que puden variar su respuesta normal, será el primero (Si) el elemento
semiconductor más utilizado en la fabricación de los componentes electrónicos de estado solido. A él
nos referiremos normalmente, teniendo en cuenta que el proceso del germanio es absolutamente
similar.
Como todos los demás, el átomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el núcleo, como electrones
en las órbitas que le rodean. (En el caso del silicio este número es de 14). El interés del semiconductor
se centra en su capacidad de dar lugar a la aparición de una corriente, es decir, que haya un
movimiento de electrones. Como es de todos conocido, un electrón se siente más ligado al núcleo
cuanto mayor sea su cercanía entre ambos. Por tanto los electrones que tienen menor fuerza de
atracción por parte del núcleo y pueden ser liberados de la misma, son los electrones que se
encuentran en las órbitas exteriores. Estos electrónes pueden, según lo dicho anteriormente, quedar
libres al inyectarles una pequeña energía. En estos recaerá nuestra atención y es así que en vez de
utilizar el modelo completo del átomo de silicio (figura 1), utilizaremos la representación simplificada
(figura 2) donde se resalta la zona de nuestro
Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad eléctrica inferior a la de un
conductor metálico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor más utilizado es el
silicio, que es el elemento más abundante en la naturaleza, después del oxígeno. Otros
semiconductores son el germanio y el selenio. Los átomos de silicio tienen su orbital externo
incompleto con sólo cuatro electrones, denominados electrones de valencia. Estos átomos forman
una red cristalina, en la que cada átomo comparte sus cuatro electrones de valencia con los cuatro
átomos vecinos, formando enlaces covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones de
valencia absorben suficiente energía calorífica para librarse del enlace covalente y moverse a
través de la red cristalina, convirtiéndose en electrones libres. Si a estos electrones, que han roto
el enlace covalente, se les somete al potencial eléctrico de una pila, se dirigen al polo positivo.
Así que cuando el voltaje positivo se aplica a través del ánodo al cátodo, el diodo conduce
la corriente delantera inmediatamente. Cuando se aplica voltaje a la inversa, el diodo no
conduce ninguna corriente.
(b)
(corto circuito)
(circuito abierto)
DIODO DE POTENCIA
Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los
diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones : son
dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido
contrario al de conducción. El único procedimiento de control es invertir el
voltaje entre ánodo y cátodo.
Así, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde 1.8
V a -200 V y potencias de 1/4 a 50 W.
Principio de Funcionamiento:
DIODO OPTOACOPLADOR
Un optoacoplador combina un dispositivo semiconductor formado por un
fotoemisor, un fotoreceptor y entre ambos hay un camino por donde se
transmite la luz. Todos estos elementos se encuentran dentro de un
encapsulado que por lo general es del tipo DIP.
Cuando aparece una tensión sobre los terminales del diodo IRED, este emite
un haz de rayos infrarrojo que transmite a través de una pequeña guía-ondas
de plástico o cristal hacia el fotorreceptor. La energía luminosa que incide
sobre el fotorreceptor hace que este genere una tensión eléctrica a su salida.
Este responde a las señales de entrada, que podrían ser pulsos de tensión.
Diferentes tipos de Optoacopladores :
Fototransistor: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida
formada por un transistor BJT.
Transistor
Transistor
El tamaño de un transistor guarda relación con la potencia que es capaz de
manejar
Tipo Semiconductor
Símbolo electrónico
Funcionamiento
El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales
específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares: el emisor que
emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre
las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el
transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada.
En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo,33a diferencia
de los resistores, condensadores e inductoresque son elementos pasivos.34
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función amplificada de la
que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo gradúa la corriente que circula a través de
sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que circule la
carga por el colector, según el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación o
ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor
son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia
Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los
distintos parámetros tales como corriente de base, tensión Colector Emisor, tensión Base
Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas(configuraciones) básicos para
utilización analógica de los transistores son emisor común, colector común y base común.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET,
JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el terminal de base para
modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión presente en el terminal de puerta y
gradúa la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la
conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensión aplicada
entre Compuerta y Fuente, es el campo eléctrico presente en el canal el responsable de
impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la
carga conectada al Drenaje (D) será función amplificada de la tensión presente entre la
compuerta y la fuente, de manera análoga al funcionamiento del triodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a gran escala
disponible hoy en día; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de
miles de transistores interconectados, por centímetro cuadrado y en varias capas
superpuestas.
Tipos de transistor
Distintos encapsulados de transistores.
El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés bipolar junction
transistor) se fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el
germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre
las de un conductor eléctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se
contaminan en forma muy controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando
lugar a dos uniones PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con átomos de elementos donantes de electrones, como
el arsénico o el fósforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores
de carga Positiva o «huecos») se logran contaminando con
átomos aceptadores de electrones, como el indio, el aluminio o el galio.
La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde
la letra intermedia siempre corresponde a la región de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base,
tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho
más contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de
dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de
contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de
la unión.
Transistor de efecto de campo[editar]
Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta
se aísla del canal mediante un dieléctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-
Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal
semiconductor por una capa de óxido.
Fototransistor[editar]
Artículo principal: Fototransistor
R
ESUMEN
1 EL DIODO SHOCKLEY
Para que el dispositivo interrumpa la conducción de la corriente que circula a través del
mismo, ésta debe disminuir por debajo del valor IH (corriente de mantenimiento). Hay
dos métodos básicos para provocar la apertura el dispositivo: interrupción de corriente
anódica y conmutación forzada. Ambos métodos se presentan en las figuras Figura 6 y
Figura 7.
Figura 6: Apertura del SCR mediante interrupción de la corriente anódica
Cuando el SCR se dispara cerca del principio del ciclo (aproximadamente a 0º), como
en la Figura 8 (a), conduce durante aproximadamente 180º y se transmite máxima
potencia a la carga. Cuando se dispara cerca del pico positivo de la onda, como en la
Figura 8 (b), el SCR conduce durante aproximadamente 90º y se transmite menos
potencia a la carga. Mediante el ajuste de RX, el disparo puede retardarse,
transmitiendo así una cantidad variable de potencia a la carga.
Este dispositivo es similar al SCR, con la diferencia de que el GCS puede interrumpir el
paso de corriente con una señal en el terminal de gate.
Igual que el SCR, no permitirá el paso de corriente hasta que un pulso positivo se
reciba en el terminal de puerta. La diferencia se encuentra en que el GCS puede pasar
al estado de corte mediante un pulso negativo 10 ó 20 veces mayor que el pulso
positivo aplicado para entrar en conducción.
Figura 10: Símbolo del GCS
Los GCS están diseñados para cargas relativamente pequeñas y pueden soportar sólo
unas pocas decenas de amperios.
El SCS tiene aplicaciones muy similares a las de SCR. Este último tiene la ventaja de
poder abrirse más rápido mediante pulsos en cada uno de los terminales de gate, pero
el inconveniente que presenta respecto al SCR es que se encuentra más limitado en
cuanto a valores de tensión y corriente. También se utiliza en aplicaciones digitales
como contadores y circuitos temporizadores.
5 EL DIAC
Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos
terminales que funciona básicamente como dos diodos Shockley que conducen en
sentidos opuestos.
Cualquiera que sea la polarización del dispositivo, para que cese la conducción hay que
hacer disminuir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las partes
izquierda y derecha de la curva, a pesar de tener una forma análoga, no tienen por
qué ser simétricas.
6 EL TRIAC
Este dispositivo es simular al diac pero con un único terminal de puerta (gate). Se
puede disparar mediante un pulso de corriente de gate y no requiere alcanzar el
voltaje VBO como el diac.
Al igual que el SCR, se emplean para controlar la potencia suministrada a una carga. El
triac puede dispararse de tal modo que la potencia en alterna sea suministrada a la
carga durante un tiempo determinado de cada ciclo. La diferencia con el SCR es que se
puede disparar tanto en la parte positiva que en la negativa del ciclo, de tal manera
que la corriente en la carga puede circular en los dos sentidos.
Triac
Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de
la familia de los tiristores. La diferencia con un tiristor convencional es que éste es
unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podría decirse que
el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.
Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposición que formarían
dos SCR en direcciones opuestas. Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso
pierden la denominación de ánodo y cátodo) y puerta (gate). El disparo del TRIAC
se realiza aplicando una corriente al electrodo de gate/puerta.
Funcionamiento
La sensibilidad relativa depende de la estructura física de un triac particular, pero
por regla general, el cuadrante I es el más sensible (menor corriente de puerta
requerida), y el cuadrante 4 es el menos sensible (la mayoría de la corriente de
puerta requerida).
También tenemos una corriente de salida que pasa por el triac, que
puede ser en un sentido o en otro. Esta corriente se suele llamar Ih, positiva
o negativa en función de su sentido. Esta se suele llamar corriente normal
de trabajo.
Pero todo esto explicado con las tensiones lo puedes ver mucho
mejor explicado en el video de la parte de abajo.
Son múltiples los usos del triac, pero por citar algunos: