CIRCUITOS

ELECTRONICOS III
Ing. Alfredo Vásquez Barrios
Profesor del curso

Ing. Alfredo Vásquez Barrios 1

 SYLLABUS CIRCUITOS ELECTRÓNICOS III

 ESPECIALIDAD :ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

 CICLO :VI CREDITOS :04 AÑO :TERCERO
 HORAS/SEMANA :T4, P2 REGIMEN : OBLIGATORIO
 PRE-REQUISITO : EVALUACION : TIPO
 OBJETIVO
Proporcionar a los alumnos las herramientas y métodos necesarios para hacer el análisis y el diseño
de circuitos no lineales y dispositivos activos trabajando con grandes señales. Estudiar los circuitos
utilizados en Comunicaciones Analógicas. Hacer el análisis y diseño de circuitos en altas
frecuencias. Introducción al campo de los circuitos de comunicaciones.

 RESUMEN
Modelos en gran señal. Combinaciones de elementos no lineales y elementos reactivos. Circuitos
osciladores. Receptor Superheterodino. Moduladores y demoduladores de amplitud. Amplificadores
de potencia. Modulación y demodulación angular.
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 CONTENIDO
Capítulo 1.- CONCEPTOS PREVIOS (4 horas)
Introducción, semiconductores BJT, JFET, MOSFET, series y transformadas de Fourier, ecuaciones y
funciones de Bessel, ecuaciones de control, polos y ceros.
Capítulo 2.- REVISIÓN DE SISTEMAS LINEALES (4 horas)
Acoplamiento por transformador de banda ancha, circuito paralelo RLC, Transformador resonante
paralelo, redes de banda angosta con entradas moduladas, redes de banda angosta con entradas
periódicas, distorsión armónica total.
Capítulo 3.- MODELOS EN GRAN SEÑAL (8 horas)
Introducción. Linealidad y no linealidad. Aproximación lineal por tramos. Característica cuadrática.
Característica exponencial. Característica diferencial. Linealización por medio de resistencia en serie.
Cálculo de los valores promedios con gran señal. Distorsión.
Capítulo 4.- COMBINACIONES DE ELEMENTOS NO LINEALES Y ELEMENTOS REACTIVOS (8 horas)
Redes reactivas con cargas no lineales. Desplazamiento de la continua por efecto de gran señal. Circuito
sintonizado cargado linealmente. FET enclavado. Efecto de la resistencia de drenador, etc.
Capítulo 5.- CIRCUITOS OSCILADORES (8 horas)
Concepto. Realimentación positiva. Ganancia de lazo. Criterio de Barkhausen. Cálculo de la frecuencia de
oscilación y ganancia mínima. Estabilidad de frecuencia directa e indirecta. Mecanismos de limitación de
amplitud. Cálculo de la amplitud en configuraciones básicas de osciladores para alta y baja frecuencia.
Cálculo de la amplitud y estabilidad de amplitud. Análisis de la distorsión armónica total. Aplicaciones.
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 Cont. CONTENIDO
Capítulo 6.- RECEPTOR SUPERHETERODINO
Concepto y diagrama de bloques. Mezclador. Ganancia de conversión. Señales Interferentes. Conversor
con característica exponencial, exponencial, cuadrática, diferencial. Oscilador local. El amplificador de
F.I. como amplificador sintonizado realimentado. Modelo. Estabilidad factores de LINVILL y STERN.
Neutralización unilateralización. Control automático de ganancias.
Capítulo 7.- MODULADORES Y DEMODULADORES DE AMPLITUD
Concepto. Técnicas de modulación de amplitud. Moduladores y multiplicadores prácticos. Distorsión de
modulación. Demodulación. El detector de envolvente. Demoduladores prácticos.
Capítulo 8.- AMPLIFICADORES DE POTENCIA
Definición de eficiencia. Modelo del amplificador. como fuente de corriente. Amplificador clase A de
banda ancha y angosta. Señales de excitación. Amplificador de clase C. Amplificadores de alta eficiencia
(clases D. E. F.). Conmutación de voltaje y de corriente. Acoplamiento de la carga (tipos de redes). Filtros
y Transformadores especiales. Uso de la carta de Smith.
Capítulo 9.- MODULACIÓN Y DEMODULACIÓN ANGULAR
Moduladores de FM con onda senoidal, cuadrada y triangular. Ecuación diferencial de FM. Modulación
cuasiestática. Estabilización de frecuencia. Demoduladores de FM. Limitadores. Diferenciación en el
dominio del tiempo y la frecuencia. El detector de relación. Circuitos PLL: ejemplos de diseño.
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 REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS
1.- CLARKE HESS, "COMUNICATION CIRCUITS: ANALISIS AND DESIGN.
2.- TOMASI WAYNE, "SISTEMAS DE COMUNICACIONES ELECTRÓNICAS”
3.- COUCH LEON W, "SISTEMAS DE COMUNICACIÓN DIGITALES Y ANALÓGICOS"
4.- HAYKIN,SIMON "SISTEMAS DE COMUNICACIÓN".
2.- KRAUSS-BOSTIAN-RAAB, "ESTADO SÓLIDO EN INGENIERÍA DE RADIOCOMUNICACION".
3.- SMITH, "MODERN COMMUNICATION CIRCUITS"
4.- BLANCHARD, "PHASE-LOCKED LOOPS".

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 Resumen del contenido del curso
 Este curso no está relacionado con los fabricantes de semiconductores en particular ni con diseños de sistemas
completos, sino más bien con el conocimiento, uso y configuración de dispositivos que llenan el vacío entre aquellas
dos disciplinas.
 El capítulo I denominado introducción trata de los conceptos previos, como semiconductores, ecuaciones de
control, transformada de Fourier.
 El capítulo II hace una revisión de conceptos de sistemas lineales.
 El capítulo III proporciona el fundamento para el análisis en gran señal. Linealidad y no linealidad, aproximación
lineal por tramos, característica cuadrática y exponencial.
 El capítulo IV estudia las combinaciones de elementos no lineales y elementos reactivos con cargas no lineales y el
desplazamiento de la continua por la gran señal.
 El capítulo V trata de los osciladores senoidales, se calcula la amplitud, frecuencia y distorsión.
 El capítulo VI considera el uso de dispositivos no lineales para producir mezcladores y conversores de frecuencia. Se
explora los limitadores de amplitud. Diagrama de bloques de un receptor superheterodino.
 El capítulo VII concierne a multiplicadores y moduladores de amplitud; se analiza paso a paso el multiplicador de
Gilbert, de 4 cuadrantes integrado así como otros circuitos útiles.
 El capítulo VIII discute los tipos de amplificadores de potencia.
 El capítulo IX cubre la modulación y demodulación angular, poniendo énfasis en la generación y detección de FM.
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 CAPÍTULO I
INTRODUCCIÓN

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 Contenido del capítulo I
 Dispositivos semiconductores
 Sistemas de lazo abierto y cerrado
 Serie de Taylor y MacLaurin
 Series de Fourier
 Ecuaciones y funciones de Bessel
 Aplicación con un transistor bipolar BJT

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 Ventajas del FET
1) Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy elevada
(10 7 𝑎 1012 𝑜ℎ𝑚)
2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3) Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
4) Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT; precisan menos pasos y permiten integrar más
dispositivos en un IC, de aquí que memorias y microprocesadores se implementen únicamente con
MOSFET
5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión para valores pequeños de
tensión drenaje-fuente.
6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para
permitir su utilización como elementos de almacenamiento.
7) Los FET de potencia controlan potencia elevadas y conmutan grandes corrientes.
8) Los FET no son tan sensibles a la radiación como los BJT

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Desventajas de los FET

1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia, pobre debido a la

alta capacidad de entrada.
2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales
que los BJT.
3) Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática.

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 Serie de Taylor
𝑓 (𝑖) (𝑥 )(𝑥−𝑥 )𝑖
 𝑃𝑛 (x)=σ𝑛𝑖=0 0 0
𝑖!
1
 1.- Hallar la serie de Taylor de f(x)=𝑥 en el punto 𝑥0 =2
𝜋
 2. Hallar la serie de Taylor de f(x)=sen(x) en el punto 𝑥0 = 2

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 Serie de MacLaurin
 Es un caso particular de la serie de Taylor, cuando la función se evalúa en 𝑥0 =0
𝑓 (𝑖) (0)(𝑥)𝑖
 𝑃𝑛 (x)=σ𝑛𝑖=0 𝑖!

 Ejercicio 1.- Expandir en una serie de Maclaurin 𝑒 𝑥𝑐𝑜𝑠𝜃 , con dos términos.
 Ejercicio 2.- Expandir en una serie de Maclaurin 𝑒 𝑥𝑐𝑜𝑠𝜃 , con tres términos.

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 Serie trigonométrica de Fourier
 Si f es una función periódica de período T seccionalmente continua, de forma cosenoidal, mas una DC.
Por tanto tiene simetría alrededor del eje t=0; puede expandirse en una serie de Fourier en la forma:
 𝑓 𝑡 = 𝑎0 + 𝑎1 cosωt + 𝑎2 cos2ωt + ......= 𝑎0 +σ∞
𝑛=1 𝑎𝑛 cos𝑛ωt
donde:
1 𝑇/2
𝑎0 = 𝑇 ‫׬‬−𝑇/2 f(t)dt

2 𝑇/2
 𝑎𝑛 = ‫׬‬ f(t) 𝑐𝑜𝑠𝑛ωt dt
𝑇 −𝑇/2

 Es usual cambiar 𝜃 = ωt; d𝜃 = ωdt

 Como la onda es simétrica, puedo multiplicar por 2 e integrar de 0 a 𝜋
1 𝜋 𝜃
𝑎0 = ‫׬‬ f( ) d𝜃
𝜋 0 ω

2 𝜋 𝜃
 𝑎𝑛 = 𝜋 ‫׬‬0 f( ω )cosn 𝜃d𝜃
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 Función de Bessel modificada de orden n y argumentox
1 𝜋
 𝐼𝑛 (x)=2𝜋 ‫׬‬−𝜋 𝑒 𝑥𝑐𝑜𝑠𝜃 cosn𝜃d𝜃

 Para pequeños valores de x:

1 𝜋 𝑥
 𝐼1 (x) ≈ ‫( ׬‬1 + 𝑥𝑐𝑜𝑠 𝜃)cos𝜃d𝜃=2
2𝜋 −𝜋
1 𝜋 𝑥2 2 𝜃)cos2𝜃d𝜃=𝑥
2
 𝐼2 (x) ≈ ‫( ׬‬1 + 𝑥𝑐𝑜𝑠 𝜃 + 𝑐𝑜𝑠
2𝜋 −𝜋 2 8

 De forma similar se puede demostrar que cuando x tiende a cero:

𝑥
( 2 )𝑛
 𝐼𝑛 (x)= 𝑛!

 Para grandes valores de x, 𝑒 𝑥𝑐𝑜𝑠𝜃 , tiene una conformación de pico dominante en la vecindad de
𝜃=0 y puede ser aproximada por:

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 𝜃2
𝑥(1− )
 𝑒 𝑥𝑐𝑜𝑠𝜃 ≈𝑒 2

2
𝑒 𝑥 𝜋 −𝑥𝜃
 𝐼𝑛 (x) ≈ ‫ 𝑒 ׬‬2 cosn𝜃d𝜃
2𝜋 −𝜋

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 Amplificador BJT

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 Los transistores 2 y 3 proporcionan una fuente de polarización de corriente constante para el
transistor 1. El transistor 3 es un diodo; en IC son construidos de esta forma.
𝑣𝐵𝐸 .𝑞
 𝑖𝐸 = 𝐼𝐸𝑆 𝑒 𝐾𝑇 1.a
𝐾𝑇 𝑖
 𝑣𝐵𝐸 = ln 𝐼 𝐸 1.b
𝑞 𝐸𝑆

 K es la constante de Boltzman = 1.38x10 −23 𝐽/º𝐾

 q es la carga eléctrica =1.6x 10 −19 C
 𝐼𝐸𝑆 es la corriente de saturación del emisor

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  Asumimos que:
 𝑖𝐶 =∝ 𝑖𝐸 1.c
 𝑖𝐵 =(1 −∝) 𝑖𝐸 1.d
 ∝ ≈ 1 𝑒 𝑖𝑛𝑑𝑒𝑝𝑒𝑛𝑑𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑖𝐸 ( 𝑠𝑖𝑒𝑚𝑝𝑟𝑒 𝑞𝑢𝑒 𝑙𝑎 𝑣𝑎𝑟𝑖𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑖𝐸 sea pequeña)
 𝐼𝐸𝑆 es del orden de 2x10−16A
𝐾𝑇
 ≈ 26𝑚𝑉 𝑎 𝑡𝑒𝑚𝑝𝑒𝑟𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎 𝑎𝑚𝑏𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 (300º𝐾)
𝑞

Empleando la ecuación 1.b para diferentes valores de 𝑖𝐸 , se nota que 𝑉𝐵𝐸 varía levemente para
grandes variaciones de 𝑖𝐸 , pudiendo aproximarse a 0.75 voltios.

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 Tabla 1.1-1 valor de 𝑉𝐵𝐸 requerido para diversos valores
de 𝐼𝐸
𝑉𝐵𝐸 , mV 𝑖𝐸 , mA
700 0.1
760 1
820 10
880 100

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  Tal como están conectados los transistores 2 y 3 deben tener el mismo valor 𝑣𝐵𝐸 (ó 𝑉𝐵𝐸 ) . Si ellos
ocupan la misma área y están en el mismo chip, ellos tienen valores idénticos para 𝐼𝐸𝑆 .
 Por tanto 𝑖𝐸2 = 𝑖𝐸3 1.e1
 Para efectos de la polarización:
 𝐼𝐸2 = 𝐼𝐸3 1.e2
 𝐼𝑅𝐵 𝑅𝐵 +0.75-𝑉𝐸𝐸 =0 1.f
 𝐼𝑅𝐵 = 𝐼𝐵3 + 𝐼𝐶3 + 𝐼𝐵2 ; de acuerdo con 1.c y 1.d

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  𝐼𝑅𝐵 = (1-∝)𝐼𝐸3 + ∝ 𝐼𝐸3 + (1-∝)𝐼𝐸2 = 𝐼𝐸3 +(1-∝)𝐼𝐸2 ; tener en cuenta 1.e2
 𝐼𝑅𝐵 = 𝐼𝐸2 (2- ∝); combinando con 1.f
𝑉 −0.75 𝑉𝐸𝐸 −0.75 𝑉𝐸𝐸 −0.75 𝑉𝐸𝐸 −0.75
 𝐼𝐸2 = 𝑅𝐸𝐸(2−∝) ≈ ; 𝐼𝐶2 =∝ 𝐼𝐸2 ≈ ≈
𝐵 𝑅𝐵 𝑅𝐵 (2−∝) 𝑅𝐵

 Siempre que 𝑍𝐸 contenga un capacitor en serie (bloquea la continua), entonces 𝐼𝐸1 = 𝐼𝐶2 y el
transistor superior, está polarizado a un nivel de corriente constante.

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Limitaciones del amplificador de banda ancha
en operación de pequeña señal.
 Limitaciones del amplificador de banda ancha en operación de pequeña
señal.
 Consideremos primero el caso en que 𝑍𝐿 sea una resistencia 𝑅𝐿 , 𝑍𝐸 sea un capacitor 𝐶𝐸 ; 𝑣𝑖 =
1
𝑉1 cos𝜔t ; 𝜔𝐶 se aproxima a un cortocircuito en AC y 𝜔 es lo suficientemente baja de tal forma
𝐸
que las reactancias del transistor son ignoradas. Asumiremos que 𝑉𝐸𝐸 y 𝑉𝐶𝐶 son suficientemente
grandes para que las uniones colector-base de ambos transistores 1 y 2 permanezcan siempre
polarizados inversamente.
 Desde que 𝐶𝐸 es un cortocircuito para AC, 𝑣𝑖 aparece directamente a través de la unión base-
emisor del transistor 1. Además, cualquier voltaje dc 𝑉𝑑𝑐 , que se desarrolle a través de 𝐶𝐸 ,
aparece a través de la unión; en consecuencia 𝑣𝐵𝐸1 = 𝑣𝑖 + 𝑉𝑑𝑐 .

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 𝐾𝑇 𝐼
 Cuando 𝑣𝑖 es cero, se fuerza a que 𝑖𝐸 = 𝐼𝐶2 ; luego: 𝑉𝑑𝑐𝑄 = 𝑞 ln𝐼𝐶2 , el subíndice Q denota el valor de
𝐸𝑆
reposo de un parámetro.
𝐾𝑇 𝐼𝐶2
 (𝑣𝐵𝐸1 = 𝑉𝑑𝑐 = ln𝐼 )
𝑞 𝐸𝑆

 Cuando 𝑣𝑖 no es cero, puede emplearse la ecuación 1.a para obtener:

𝑉𝑑𝑐 .𝑞 (𝑉1 .𝑞 )cos𝜔t) 𝑉𝑑𝑐 .𝑞
𝑖𝐸 = 𝐼𝐸𝑆 [𝑒 𝐾𝑇 ]𝑒 𝐾𝑇 = 𝐼𝐸𝑆 [𝑒 𝐾𝑇 ] 𝑒 xcos𝜔t ; (1.2-1)
1𝑉 .𝑞
x= 𝐾𝑇 normaliza el voltaje de excitación. Ahora, conocemos a partir de una expansión en serie de
Fourier:
𝑒 xcos𝜔t = 𝐼0 (x) + 2σ∞
1 𝐼𝑛 (x) cosn𝜔t (1.2-2)

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  Donde 𝐼𝑛 (x) es una función de Bessel modificada, de primera clase, donde n es el orden y x el
argumento. Las funciones modificadas de Bessel son todas monolíticas y positivas para x≥ 0 𝑦 𝑛
≥ 0. 𝐼0 (0) es la unidad, por tanto todas las funciones de orden mas alto empiezan en cero. Como
x→ 0
𝑥
( )𝑛
2
𝐼𝑛 (x) → donde n es un entero positivo.
𝑛!

 Combinando las ecuaciones (1.2-1) y (1.2-2), obtenemos:

𝑉𝑑𝑐 .𝑞
𝐼𝑛 (x)
𝑖𝐸 = 𝐼𝐸𝑆 𝑒 𝐾𝑇 𝐼0 (x)[1+ 2σ∞
1 cosn𝜔t] 1.2-3
𝐼0 (x

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 Se aprecia de 1.2-3 que el valor promedio de 𝑖𝐸 (DC), 𝐼𝐸 está dado por:
𝑉𝑑𝑐 .𝑞
𝐼𝐸1 = 𝐼𝐸𝑆 𝑒 𝐾𝑇 𝐼0 (x) 1.2-4
Sin embargo el circuito de polarización requiere que 𝐼𝐸1 = 𝐼𝐶2 ;luego:
𝐼𝑛 (x)
𝑖𝐸 = 𝐼𝐶2 [1+ 2σ∞
1 cosn𝜔t] 1.2-5;
𝐼0 (x

Además, de 1.2-4;
𝐾𝑇 𝐼 𝐾𝑇 𝐼𝐶2 𝐾𝑇 𝐾𝑇
𝑉𝑑𝑐 = ln 𝐶2 = ln − ln𝐼0 (x ) = 𝑉𝑑𝑐𝑄 − ln𝐼0 (x ); 1.2-6
𝑞 𝐼𝐸𝑆 𝐼0 (x) 𝑞 𝐼𝐸𝑆 𝑞 𝑞

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 Tabla 1.2-1 Funciones de Bessel modificadas
x ln𝐼0 (x) 𝐼 (x) 𝐼𝟐 (x)
2𝟏
𝐼0 (x) 𝐼𝟏 (x)
0 0.000 0.000 0.000
0.5 0.062 0.485 0.124
1 0.236 0.893 0.240
2 0.823 1.396 0.433
5 3.30 1.797 0.719
10 7.93 1.897 0.854
20 17.6 1.949 0.926

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 𝐾𝑇 1 𝑉 .𝑞
De la primera columna de la tabla 1.2-1, podemos observar que si 𝑉1 =260mV( 𝑞 ≈ 26𝑚𝑉; x= 𝐾𝑇 ), de
tal forma que: x=10; entonces el voltaje DC es desplazado por 206mV de su valor de reposo Q (ec.
1.2-6)
Podemos observar de las otras columnas que el valor pico de la componente fundamental de la
corriente de colector del transistor 1 es 1.9 𝐼𝑪𝟐 , en tanto el porcentaje de distorsión de la segunda
armónica en esta corriente es 85%.
Aparentemente una señal sinusoidal pico de 260mV, no es del todo una pequeña señal desde el
punto de vista de este amplificador. Los límites de operación en pequeña señal se hacen mas claros
mediante el estudio de las figuras 1.2-1 y 1.2-2.

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 La figura 1.2-1 muestra que la salida fundamental es solo ligeramente proporcional al voltaje de
𝐼 (x)
entrada o el equivalente x, para x≤ 1. Sin embargo para mantener 𝟐 , que es el porcentaje de
𝐼𝟏 (x)
distorsión de segunda armónica, por debajo de 0.025 (2.5% de distorsión), es necesario mantener a
𝑥
𝐼𝟐 (x) 𝒙 ( 2 )𝑛
x por debajo de 0.1 [para pequeños valores de x, ≈ 𝟒; 𝐼𝒏 (x) = 𝑛! ]
𝐼𝟏 (x)

En consecuencia para operación en pequeña señal 𝑉1 ≤ 2.6mV, ó 𝑣1 ≤ 2.6mV.

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 Fig. 1.2-1 Funciones de Bessel modificadas vs el parámetro
normalizado x

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  Con 𝑣𝑖 ≤ 2.6𝑚𝑉, el voltaje de salida del amplificador toma la forma:
𝐼𝑛 (x)
 𝑣0 (t)= 𝑉𝐶𝐶 - 𝑖𝐶 𝑅𝐿 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝛼𝐼𝐶2 𝑅𝐿 [1+ 2σ∞
1 cosn𝜔t]; para n=1; (de 1.2-5)
𝐼0 (x

𝐼1 (x)
 𝑣0 (t)=𝑉𝐶𝐶 − 𝛼𝐼𝐶2 𝑅𝐿 - 2 𝛼𝐼𝐶2 𝑅𝐿 cos𝜔t; 1.2-7
𝐼0 (x

2𝐼1 (x) 𝑉 .𝑞
1
 Para valores pequeños de x, sin embargo, ≈x= 𝐾𝑇 ; en consecuencia:
𝐼0 (x
𝑉1 𝑞 𝑞
𝑣0 (t)=𝑉𝐶𝐶 − 𝛼𝐼𝐶2 𝑅𝐿 -𝛼𝐼𝐶2 𝑅𝐿 cos𝜔t; 𝑔𝑚𝑄 =𝛼𝐼𝐶2 𝐾𝑇 es la transconductancia del transistor.
𝐾𝑇

𝑣0 (t)=𝑉𝐶𝐶 − 𝛼𝐼𝐶2 𝑅𝐿 − 𝑔𝑚𝑄 𝑅𝐿 𝑉1 cos𝜔t 1.2-8

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 El valor de 𝑔𝑚 es exactamente el valor que se obtendría como la relación incremental de la
corriente de colector al voltaje base-emisor evaluada alrededor del punto Q; es decir:
𝜕𝑖𝐶 𝜕𝑖𝐸 𝑞
= =𝛼𝐼𝐶2 𝐾𝑇 = 𝑔𝑚𝑄 1.2-9
𝜕𝑣𝐵𝐸|𝑖𝐶= α𝐼𝐶2 𝜕𝑣𝐵𝐸|𝑖𝐸= 𝐼𝐶2
𝑉𝑑𝑐 .𝑞
Donde 𝑖𝐸 = 𝐼𝐸𝑆 𝑒 𝐾𝑇 . Así para 𝑣𝑖 ≤ 2.6𝑚𝑉, el análisis clásico de pequeña señal puede emplearse.
Veremos en el capítulo siguiente, que una forma de extender la capacidad de maniobrabilidad de la
señal lineal, para una banda ancha en un amplificador a transistor, es incluir un resistor de emisor
sin bypass. En el circuito bajo discusión, este resistor 𝑅𝐸 puede colocarse en serie con 𝐶𝐸 . Tal
resistor reduce la ganancia fundamental de la etapa en un factor de:

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 1 1
𝑞 = ; donde 𝑔𝑚𝑄 es la transconductancia de pequeña señal en el punto Q con 𝑅𝐸 en
1+𝑅𝐸 (𝐼𝐶2 𝐾𝑇) 1+𝑅𝐸 𝑔𝑚𝑄
cortocircuito.
El efecto de esta resistencia en serie es linealizar la característica, para que mientras se reduce la
ganancia fundamental, se reduce la distorsión de armónicas mas rápidamente.
Como cuestión práctica, se debe tener en cuenta que toda la discusión anterior no se modificaría si
el generador 𝑣𝑖 se incluyera en serie con 𝐶𝐸 mientras la base del transistor 1 estuviera conectada a
tierra.

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 Amplificadores de banda angosta y limitadores
 Por tanto, si 𝑄𝑇 es suficientemente alto, podemos obtener un voltaje de salida senoidal, casi
puro 𝑣0 (𝑡) , a pesar de las grandes componentes armónicas en la corriente de colector del
transistor 1.
 Por ejemplo si x=5, entonces 𝑄𝑇 =48, reduce la componente del voltaje de salida de la segunda
armónica al 1% de la fundamental y la componente de voltaje de la tercera armónica, al 0.31%
(la corriente de colector tiene componentes de distorsión de 72% y 40% respectivamente). Por
eso, como una buena aproximación, el voltaje de salida 𝑣0 (𝑡) puede escribirse como;
𝐼1 (x)
 𝑣0 (t)=𝑉𝐶𝐶 − 2 𝛼𝐼𝐶2 𝑅𝐿 cos𝜔t;1.3-2 (donde 𝑅𝐿 = 𝑍𝐿 (j𝜔) es la impedancia del circuito paralelo
𝐼0 (x
en resonancia)

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 Fig. 1.3-1 circuito de la fig. 1.1-1 con 𝑍𝐿 reemplazado por un
circuito sintonizado

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 Ya que la impedancia del circuito resonante para DC es cero, no se desarrollará voltaje DC alguno a
través de 𝑍𝐿 .
En este caso, en vez de transconductancia de pequeña señal 𝑔𝑚𝑄 , es conveniente definir una
transconductancia promedio de gran señal 𝐺𝑚 , la cual es igual a la relación entre la corriente
fundamental de colector 𝐼𝐶11 al voltaje fundamental de excitación;
𝐼 𝛼𝐼𝐶2 2𝐼1 (x) 2𝐼1 (x)
𝐺𝑚 = 𝐺𝑚 (x)= 𝐶11 = = 𝑔𝑚𝑄 1.3-3
𝑉 1 𝑉1 𝐼0 (x 𝑥𝐼0 (x

Con esta definición para 𝐺𝑚 (x), 𝑣0 (t) puede escribirse en la forma equivalente.
𝑣0 (t)=𝑉𝐶𝐶 − 𝐺𝑚 (x )𝑅𝐿 𝑉1 cos𝜔t 1.3-4;
La cual es similar en forma a la salida del amplificador de pequeña señal. La diferencia básica es
que 𝐺𝑚 (x) es función de 𝑉1 (ó x) y ya no es una constante.

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  De otro lado, si deseamos eliminar las variaciones de amplitud en 𝑉1 , desde la salida, por
ejemplo, si queremos producir un limitador, entonces, solo necesitamos aumentar x. De la tabla
2𝐼 (x)
1.2-1 o fig. 1.2-1, notamos que mientras x crece, 1 se aproxima a un valor de saturación de
𝐼0 (x
2; por tanto 𝑣0 (t) dado en la ec. 1.3-2 se reduce a:
 𝑣0 (t)=𝑉𝐶𝐶 − 2 𝛼𝐼𝐶2 𝑅𝐿 cos𝜔t; 1.3-5
 Que es claramente independiente de las variaciones en 𝑉1 .

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 Como ejemplo, consideremos el caso en que 𝑉1 varía entre 130mV y 520mV (x varía entre 5 y 20)
debido a una modulación de amplitudes espurias. Si definimos el índice de modulación como:
𝑉 −𝑉
m=𝑉1𝑚𝑎𝑥 +𝑉1𝑚𝑖𝑛
1𝑚𝑎𝑥 1𝑚𝑖𝑛

2𝐼1 (x)
Entonces el índice de modulación es m=0.6 (60%). En tanto, para x=5, =1.787 y para x=20,
𝐼0 (x
2𝐼1 (x) 2𝐼1 (x)
=1.949, y desde que la amplitud de la componente AC de 𝑣0 (t) es proporcional a (ver ec.
𝐼0 (x 𝐼0 (x
1.3-2), el índice de modulación de salida es:

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 1.949−1.787
𝑚0 =1.949+1.787=0.0435 (4.35%)

Una etapa adicional excitada con esta señal a un nivel normalizado tal que x≥ 10 podría reducir la
modulación de salida por debajo de 0.05%.
Ejercicio.
Demostrar que:
2𝐼1 (x)
𝐺𝑚 (x)= 𝑔𝑚𝑄
𝑥𝐼0 (x)

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 Laboratorio 1

Ing. Alfredo Vásquez Barrios 42

 1.1 Suponiendo que 𝑉𝐸𝐸 =3v,𝑉𝐸𝐸 =3k, todos los 𝛼=0.98, todos los transistores son idénticos y de
silicio. Se tiene un 𝐼𝐸𝑆 =2x10−16 A, hallar 𝐼𝐶1 . Si 𝑉𝐶𝐶 =+10v, determine luego el valor de 𝑅𝐿 que puede
usarse para reemplazar 𝑍𝐿 , de tal modo que el nivel de voltaje de salida sea +5v.¿Cuál es la
disipación aproximada de potencia en cada transistor en este caso?
1.2 Suponga que 𝑍𝐸 se reemplaza por un cortocircuito en AC (prob. 1.1). Grafique 𝑣0 para los casos
en que 𝑣𝑖 es una onda senoidal pura que tiene amplitudes pico de 1mV, 2.6mV, 26mV y 260mV (se
requiere una estimación razonable de la salida)
1.3 Suponga que se reemplaza 𝑍𝐸 por un resistor de 100𝞨 en serie con un cortocircuito AC. Repita
el prob. 1.2 para los casos que 𝑣𝑖 tiene una amplitud pico de 1mV y de 260mV. Compare los
resultados con el prob. Anterior.

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 1.4 Repita el prob. 1.2 para el caso en que 𝑅𝐿 se ponga en paralelo con una combinación LC
sintonizada a la frecuencia de resonancia de la señal senoidal de entrada. ¿Ocurre la saturación?
1.5 Repita el prob. 1.2 para el caso en que 𝑅𝐿 se ponga en paralelo con una combinación
sintonizada LC, a la segunda armónica de la señal senoidal de entrada y compare los resultados con
el prob. 1.4
1.6 Para el circuito mostrado de la fig. 1.1, determinar una expresión para 𝑣0 (t). (Q2 y Q3 son
idénticos)

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 Fig. 1.P-2

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 1.7 para el circuito fig. 1.P-2, determinar los valores de reposo de 𝑖𝐸1 , 𝑣𝐸𝐵1 y 𝑣0 , cuando:
𝐼𝐸𝑆1 =10−13 A, 𝐼𝐸𝑆2 =2𝑥10−13 A, 𝐼𝐸𝑆3 =1.5𝑥10−13 A
1.8 Para el circuito fig 1.P-2 determinar 𝑣0 (t) cuando: 𝑣𝑖 =(1mV)cos 106 t
𝐼𝐸𝑆1 =𝐼𝐸𝑆2 =𝐼𝐸𝑆3 =10−13 A

Ing. Alfredo Vásquez Barrios 46