Índice

Introducción ______________________________________________________________3
Desarrollo ________________________________________________________________3
Conclusiones ______________________________________________________________8
Bibliografía_______________________________________________________________8

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 Introducción
Un tiristor es uno de los tipos más importantes de dispositivos semiconductores de
potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrónicos de
potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no
conductor a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que
los tiristores prácticos exhiben ciertas características y limitaciones.

Desarrollo
Un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con
tres uniones np. Tienen tres terminales: ánodo, cátodo y compuerta. Los tiristores
se fabrican por difusión.

Figura 1 Símbolo del Tiristor.

Cuando el voltaje del ánodo se hace positivo con respecto al cátodo, las uniones
𝐽" y 𝐽$ tienen polarización directa o positiva. La unión 𝐽% tiene polarización inversa, y
solo fluirá una pequeña corriente de fuga del ánodo al cátodo. Se dice entonces que
el tiristor está en condición de bloqueo directo o estado desactivado llamándose a
la corriente de fuga corriente de estado inactivo 𝐼' . Si el voltaje ánodo a cátodo 𝑉)*
se incrementa a un valor lo suficientemente grande, la unión 𝐽% polarizada
inversamente entrará en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el
voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa 𝑉+, . Dado que las
uniones 𝐽" y 𝐽$ ya tienen polarización directa, habrá un movimiento libre de
portadores a través de las tres uniones, que provocará una gran corriente directa
del ánodo. Se dice entonces que el dispositivo está en estado de conducción o
activado. La caída de voltaje se deberá a la caída óhmica de las cuatro capas y será
pequeña, por lo común 1 V. En el estado activo, la corriente del ánodo esta límitada
por una impedancia o una resistencia externa, 𝑅. .

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 Figura 2 Circuito tiristor y características

La corriente del ánodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de
engache 𝐼. , al fin de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a través
de la unión; de lo contrario al reducir el voltaje del ánodo a cátodo, el dispositivo
regreserá a la condición de bloqueo. La corriente de enganche, 𝐼. es la corriente del
ánodo mínima requerida para mantener el tiristor en estado de conducción
inmediatamente después de que ha sido activado y se ha retirado a la señal de la
compuerta.
Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en conducción y ya
no hay control sobre el dispositivo. El tiristor seguirá conduciendo, porque en la unió
𝐽% no existe una capa de agotamiento debida a los movimientos libres de los
portadores. Sin embargo, si se reduce la conducta directa del ánodo por debajo de
un nivel conocido como corriente de mantenimiento 𝐼/ , se genera una región de
agotamiento alrededor de la unión 𝐽% debida al número reducido de portadores; el
tiristor estará entonces en estado de bloqueo. La corriente de mantenimiento es del
orden de los miliamperios y es menor que la corriente de enganche, 𝐼. . Esto significa
que 𝐼. > 𝐼/ . La corriente de mantenimiento 𝐼/ es la corriente del ánodo mínima para
mantener el tiristor en estado de régimen permanente. La corriente de
mantenimiento 𝐼/ es la corriente del ánodo mínima para mantener el tiristor en
estado de régimen permanente. La corriente de mantenimiento es menor que la
corriente de enganche.
Cuando el voltaje del cátodo es positivo con respecto al ánodo, la unión 𝐽% tiene
polarización directa, pero las uniones 𝐽" y 𝐽$ tienen polarización inversa. Esto es
similar a dos diodos conectados en serie con un voltaje inverso a través de ellos.
El tiristor estará en estado de bloqueo inverso y una corriente de fuga inversa, 𝐼1 ,
fluirá a través del dispositivo.
Un tiristor se puede activar aumentando el voltaje directo de 𝑉)* más allá de 𝑉+, ,
pero está forma de activarlo puede ser destruida. En la práctica, el voltaje directo se

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mantiene por debajo de 𝑉+, y el tiristor se activa mediante la aplicación de un voltaje
positivo entre la compuerta y el cátodo. Una vez activado el tiristor mediante una
señal de compuerta y una vez que la corriente del ánodo es mayor que la corriente
de mantenimiento, el dispositivo continúa conduciendo, debido a una
retroalimentación positiva, aún si se elimina la señal de compuerta. Un tiristor es un
dispositivo de enganche.
Rectificador controlado de Silicio (SCR)
También conocido como modelo de tiristor de dos transistores, un tiristor se puede
considerar como dos transistores complementarios, un transistor pnp, 𝑄" y otro npn,
𝑄% .

Figura 3 Estructura básica

La corriente del colector 𝐼3 de un tiristor se relaciona, en general, con la corriente del

emisor 𝐼4 y la corriente de fuga de la unión del colector-base 𝐼3+, , como
𝐼3 = 𝛼" 𝐼4 + 𝐼3+,
9
la ganancia de corriente de la base común se define como 𝛼 ≅ 9: . Para el transistor
;
𝑄" , la corriente del emisor es la corriente del ánodo 𝐼) , y la corriente del colector
𝐼39 se puede determinar a través de la ecuación anterior: donde 𝛼" es la ganancia de
la corriente y 𝐼3+," es la corriente de fuga para 𝑄" .
𝐼3" = 𝛼" 𝐼) + 𝐼3+,"
En forma similar, para el transistor 𝑄% , la corriente del colector 𝐼3% es
𝐼3% = 𝛼% 𝐼* + 𝐼3+,%
donde 𝛼% es la ganancia de corriente y 𝐼3+,% es la corriente de fuga para 𝑄% . Al
combinar 𝐼3" e 𝐼3% , obtenemos
𝐼) = 𝐼3" + 𝐼3% = 𝛼" 𝐼) + 𝐼3+," + 𝛼% 𝐼* + 𝐼3+,%
Pero para una corriente de compuerta igual 𝐼< , 𝐼* = 𝐼) + 𝐼< resolviendo la ecuación
anterior en función de 𝐼) obtenemos
𝛼% 𝐼< + 𝐼3+=" + 𝐼3+=%
𝐼) =
1 − (𝛼" + 𝛼% )
La ganancia de corriente de 𝛼" varía con la corriente del emisor 𝐼) = 𝐼4 y 𝛼% varía
con 𝐼* = 𝐼) + 𝐼< .

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 Figura 4 Variación típica de ganancia de corriente con la corriente del emisor

Figura 5 Modelo SCR

Tiristores de conmutación rápida

Estos se utilizan en aplicaciones de conmutación de alta velocidad con conmutación
forzada (por ejemplo, pulsadores e inversores). Tienen un tiempo corto de
desactivación, por lo general de 5 a 50 μs, dependiendo del rango de voltaje. La
caída directa en estado activo varía aproximadamente en función inversa del tiempo
de desactivación 𝑡C . Este tipo de tiristor también se conoce como tiristor inversor.
DE H DK )
Estos tiristores tiene un DF
alto, típicamente de 1000 IJ y un DF
de 1000 IJ. La
DK
desactivación rápida y el DF son muy importantes para reducir el tamaño y el peso
de los componentes de conmutación o reactivos del circuito.

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 Figura 6 Tiristor de Compuerta Amplificada

Tiristores de Triodo Bidireccional

Un TRIAC puede conducir en ambas direcciones y normalmente se utiliza en el
control de fase de corriente alterna. Se puede considerar como si fuera dos SCR
conectados en antiparalelo, con una conexión de compuerta común.
Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional no es posible identificar sus
terminales como ánodo y cátodo. No es necesario que estén presentes ambas
polaridades en las señales de la compuerta y un TRIAC puede ser activado con una
sola señal positiva o negativa.

Figura 7 Características de un TRIAC

Optoacopladores
En los optoacopladores se combina un diodo emisor de luz infrarroja y un
fototransistor de silicio. La señal de entrada se aplica al ILED y la señal de salida se
toma de fototransistor. Los tiempos de subida y bajada de los fototransistores son
muy pequeños: los valores de típicos de tiempo de encendido 𝑡LM son de 2 a 5 μs,

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y de tiempo de apagado 𝑡LNN son de 300 ns. Estos tiempos de apagado y encendido
limitan las aplicaciones en alta frecuencia. Los fototransistores requieren suministro
de potencia separado, y aumentan la complejidad, el costo y el peso de los circuitos
excitadores.

Figura 8 Optoacoplador

Conclusiones
Los tiristores tienen ventajas y desventajas. Las características de los tiristores
reales difieren en forma significativa de las de los dispositivos ideales. Aunque
existen varios procedimientos para activar los tiristores, el control de la compuerta
DE
es que resulta más DF alto. Debido a la carga recuperada, algo de energía se
DK
almacena en el DF y en inductores dispersos; los dispositivos deben protegerse de
está energía almacenada.

Bibliografía
Muchammad, R. (1995). Circuito, Dispositivos y Aplicaciones. México: PRENTICE-
HALL HISPANOAMERICANA, S.A.