El concepto de elemento el�ctrico se utiliza en el an�lisis de redes el�ctricas.

Cualquier red el�ctrica puede ser modelada descomponi�ndola en elementos el�ctricos

m�ltiples, interconectados en un diagrama esquem�tico o diagrama de circuitos. Cada
elemento el�ctrico afecta al voltaje en la red o corriente a trav�s de la red de
una manera particular. Analizando el modo por el cual una red es afectada por sus
elementos individuales, es posible calcular c�mo se comportar� una red real en una
macroescala.

�ndice
1 Elementos contra componentes
2 Los elementos
2.1 Fuentes
2.2 Pasivos
2.3 Activos
3 Ejemplos
4 Referencias
5 V�ase tambi�n
6 Enlaces externos
Elementos contra componentes
Hay una distinci�n entre componentes el�ctricos o electr�nicos reales, f�sicos, y
los elementos el�ctricos ideales por los que son representados.

Los elementos el�ctricos no existen f�sicamente, y se supone que tienen propiedades

ideales seg�n un modelo de par�metro concentrado.
Por el contrario, los componentes existen y tiene menos que propiedades ideales,
sus valores siempre tienen un grado de incertidumbre, siempre incluyen alg�n grado
de no linealidad y t�picamente exigen una combinaci�n de elementos el�ctricos
m�ltiples para aproximarse de sus funciones.
El an�lisis de circuitos utilizando elementos el�ctricos es �til para entender
muchas redes el�ctricas pr�cticas que utilizan componentes.

Los elementos
Las cuatro variables de circuitos fundamentales son corriente, {\displaystyle I} I
; voltaje, {\displaystyle V} V, carga, {\displaystyle Q} {\displaystyle Q}, y flujo
magn�tico, {\displaystyle \Phi } \Phi . Se exige que s�lo 6 elementos, producidos
manipulando estas cuatro variables, representen cualquier componente o red:

Fuentes
Concretamente dos:

Fuente de corriente, medida en amperios - produce una corriente en un conductor.

Afecta la carga seg�n la relaci�n {\displaystyle dQ=-Idt} {\displaystyle dQ=-Idt}.
Fuente de voltaje, medida en voltios - produce una diferencia de potencial entre
dos puntos. Afecta el flujo magn�tico seg�n la relaci�n {\displaystyle d\Phi =Vdt}
{\displaystyle d\Phi =Vdt}.
Pasivos
Cuatro elementos pasivos:

Resistencia {\displaystyle R} R, medida en ohms - produce un voltaje proporcional a

la corriente que fluye a trav�s del elemento. Relaciona voltaje y corriente seg�n
la relaci�n {\displaystyle dV=RdI} {\displaystyle dV=RdI}.
Capacitancia {\displaystyle C} {\displaystyle C}, medida en faradios - produce una
corriente proporcional a la tasa de variaci�n de voltaje a trav�s del elemento.
Relaciona carga y voltaje seg�n la relaci�n {\displaystyle dQ=CdV} {\displaystyle
dQ=CdV}.
Inductancia {\displaystyle L} L, medida en Henry - produce un voltaje proporcional
a la tasa de variaci�n de corriente a trav�s del elemento. Relaciona flujo y
corriente seg�n la relaci�n {\displaystyle d\Phi =LdI} {\displaystyle d\Phi =LdI}.
Memristancia {\displaystyle M} M - produce una corriente tal que la tasa de
variaci�n de corriente es proporcional a la tasa de variaci�n de voltaje a trav�s
del elemento. Relaciona flujo y carga seg�n la relaci�n {\displaystyle d\Phi =MdQ}
{\displaystyle d\Phi =MdQ}.
El cuarto elemento pasivo, el memristor, fue teorizado por Leon Chua en una
publicaci�n cient�fica de 1971, pero un componente f�sico demostrando memristancia
no fue creado hasta treinta y siete a�os m�s tarde. Fue informado el 30 de abril de
2008, que un memristor funcional hab�a sido desarrollado por un equipo dirigido por
el cient�fico R. Stanley Williams de HP Labs.1?2? Con la aparici�n del memristor,
ahora pueden ser relacionarse cada par de las cuatro variables. Los memristors
pueden almacenar un bit de memoria no vol�til. Pueden ser utilizados en l�gica
programable, procesamiento de se�ales, redes neuronales y sistemas de control,3?
entre otros campos. Porque los memristores son variantes en el tiempo por
definici�n, no se incluyen en modelos de circuitos lineales invariantes en el
tiempo (LTI).

Activos
Cuatro elementos activos abstractos:

Fuente de tensi�n controlada por tensi�n (VCVS) : genera un voltaje basado en otro
voltaje con respecto a una ganancia especificado (tiene impedancia de entrada
infinita e impedancia de salida cero).
Fuente de corriente controlada por tensi�n (VCCS) : genera una corriente basado en
un voltaje con respecto a una ganancia especificado. Se utiliz� a transistores de
efecto campo y tubos de vac�o (tiene impedancia de entrada infinita e impedancia de
salida infinita).
Fuente de tensi�n controlada por corriente (CCVS) : genera un voltaje basado en una
corriente de entrada con respecto a una ganancia especificado (tiene impedancia de
entrada cero e impedancia de salida cero).
Fuente de corriente controlada por corriente (CCCS) : genera una corriente basado
en una corriente de entrada y una ganancia especificado. Utilizado para imitar
transistores bipolares (tiene cero impedancia de entrada e impedancia de salida
infinita).
Ejemplos
Los siguientes son ejemplos de representaciones de componentes por medio de
elementos el�ctricos:

En un primer grado de aproximaci�n, una bater�a es representada por una fuente de

voltaje. Un modelo m�s refinado tambi�n incluye una resistencia en serie con la
fuente de voltaje, para representar la resistencia interna de la bater�a (que
ocasiona el calentamiento de la bater�a y la ca�da de voltaje cuando est� en uso).
Una fuente de corriente en paralelo puede ser a�adida para representar esta fuga
(que descarga la bater�a a lo largo de un periodo extenso de tiempo).
En un primer grado de aproximaci�n, un resistor es representado por una
resistencia. Un modelo m�s refinado tambi�n incluye una inductancia de serie, para
representar los efectos de la inductancia del hilo conductor (los resistores
construidos como espiral tienen m�s inductancia significativa). Una capacitancia en
paralelo puede ser a�adida para representar el efecto capacitivo de la proximidad
de los hilos conductores de los resistores, el uno al otro. Un cable se puede
representar como resistor de valor bajo.
Fuentes de corriente son m�s a menudo utilizadas para representar semiconductores.
Por ejemplo, en un primer grado de aproximaci�n, un transistor bipolar puede ser
representado por una fuente de corriente variable que es controlada por tensi�n de
entrada.
Referencias
Memristor: el cuarto elemento de la electr�nica. La Malla. 6 de mayo de 2008.
Consultado el 7 de julio de 2009.
Miguel Jarque (15 de junio de 2008). iCATizat, ed. com/icatitzat.php? Itemid =
13.224 & catid = 710 Memristor, el elemento perdido. Consultado el 7 de julio de
2009.