Simple elucidación unificada de algunos fenómenos de dispositivos semiconductores

Resumen-Unificación es la búsqueda de la ciencia. Este documento aclara perspectivas unificadas

de los temas, es decir, el transporte semiclásico de portadores en la mayor parte de un
semiconductor y la capacitancia de una unión pn, aclarando las características unificadoras de la
deriva, difusión y corrientes termoeléctricas en la primera, y del agotamiento y difusión
capacitancias en este último, hasta cierto punto no logradas en los libros disponibles. La
elucidación debería ser útil para elevar los niveles de comodidad y retención y desarrollar las
capacidades de construcción de teorías de un estudiante promedio que estudia el tema de los
dispositivos semiconductores.

El trabajo de un maestro que presenta a los estudiantes la teoría de los dispositivos

semiconductores, que se basa en muchas dificultades físicas, es un desafío. Para aumentar la
comodidad y los niveles de retención de los estudiantes que están expuestos a este tema. Por
primera vez, él / ella debe demostrar de la manera más clara posible la base común de conceptos
aparentemente diferentes. Solo entonces puede el maestro tener éxito en retener el interés de un
estudiante promedio a lo largo del curso y motivarlo a seguir una carrera en esta área. Una razón
adicional por la cual los estudiantes deben ser provistos y alentados a desarrollar una perspectiva
integrada o unificada de ideas es que la unificación es la misma búsqueda de la ciencia; esto el
ejercicio intelectual mejora la comprensión de las ideas individuales buscadas para integrarse y
puede conducir a nuevos resultados de importancia práctica (por ejemplo, [1] - [5]). Este
documento considera perspectivas integradas de dos temas. En primer lugar, se considera el
transporte de un transportista semiclásico en la mayoría de los semiconductores, aclarando las
características unificadoras de la deriva, la difusión y las corrientes termoeléctricas. Luego, se
describe la capacitancia de una unión, que muestra el origen común de las capacitancias de
agotamiento y difusión. Como es bien sabido, las corrientes de deriva y difusión son la base del
funcionamiento de todos los dispositivos semiconductores, y las capacidades de agotamiento y
difusión gobiernan el funcionamiento dinámico de un empalme en, respectivamente, las regiones
y el dispositivo de polarización inversa [6] - [13] . La corriente termoeléctrica es importante en los
dispositivos semiconductores de potencia en cuyo cuerpo existen grandes gradientes de
temperatura ya que la temperatura de la unión es mucho mayor que la temperatura ambiente
debido al calor generado [14].

También es la base de la técnica de sonda caliente para encontrar la polaridad de dopaje en un

semiconductor [9], [11]. La superioridad de las nuevas presentaciones de los dos temas sobre las
presentaciones disponibles (por ejemplo, [6] - [13]) se muestra claramente al final del documento.
TRANSPORTE SEMICLÁSICO DEL PORTADOR

A. Movimiento de portador aleatorio bajo equilibrio térmico

El movimiento de portadores, que son partículas cuánticas, en un cristal, puede considerarse

análogo al movimiento Browniano familiar de partículas de polvo en el aire o de moléculas de
gas, que son partículas clásicas, siempre que los efectos de los potenciales atómicos cristalinos
en los portadores se absorben en la "masa efectiva" del portador. Por lo tanto, este
movimiento de portadora se denomina "semiclásico" y puede representarse mediante tres
parámetros, a saber, la ruta libre media ic y el tiempo libre medio tc entre dos colisiones, y el
valor eficaz de la velocidad de portadora Vrms.

La actividad o movimiento es más intenso a temperaturas más altas y esto se refleja en la

expresión vrms =, donde k es la constante de Boltzmann, T es la temperatura ym * es la masa
portadora efectiva.

p-n CAPACITANCIA DE LA CONEXIÓN

Fundamentalmente, un dispositivo de dos terminales muestra efectos de capacitancia, si, en

respuesta a un cambio deltaV en su voltaje de terminal, hay un cambio deltaQ en el componente
positivo o negativo de la carga dentro del dispositivo. Los componentes positivos y negativos de la
carga son siempre iguales en magnitud, ya que el dispositivo, como un todo, siempre es de carga
neutral. Tenga en cuenta que esta premisa no restringe la ubicación de los componentes de carga
positiva y negativa a las condiciones en un condensador de placa paralela, donde estas ubicaciones
están separadas. Se puede demostrar que surgen las capacitancias de agotamiento y difusión en
una unión, en base a esta premisa única.

La unión consiste en dos tipos de cargas: cargas inmóviles unidas debido a impurezas ionizadas y
cargas móviles libres debido a electrones y agujeros. Cuando se cambia la tensión del terminal, la
carga atada no puede cambiar (a una buena aproximación), pero la carga libre, que puede ser
suministrada desde los terminales, puede. Considere una unión bajo sesgo directo y observe el
aumento en la carga del agujero para un aumento en el sesgo directo por deltaV. Consulte la Fig.
3. El ancho de agotamiento se reduce, aumentando el ancho de las regiones p y n neutrales
mediante deltaXp y deltaXn, respectivamente, y consecuentemente, aumentando la carga del
agujero en el dispositivo por unidad de área por deltaQd = qNa deltaXp, donde Na es la
concentración de dopaje dentro de deltaXp, y el aumento en los agujeros minoritarios sobre
deltaXn se descuida. Otro efecto es el aumento en el cargo del operador minoritario en exceso,
que también aumenta la carga del operador mayoritario para preservar la neutralidad de carga. El
aumento en la carga del agujero debido a este efecto, deltaQm, es igual a la suma de los
incrementos en la carga del portador minoritario en el lado y la carga del portador mayoritario en
el lado, que, a su vez, es igual en magnitud a la minoría carga de electrones en el mismo lado
debido a la condición de neutralidad de carga. Es por esta razón que se puede considerar que
deltaQm es simplemente igual al incremento de la carga minoritaria incremental en el dispositivo.
Mientras que deltaQd contribuye a la capacitancia de agotamiento, deltaQm da lugar a la
capacitancia de difusión. La carga de agujero incremental total de (deltaQm + deltaQd) representa
la capacitancia total, de modo que, claramente, las capacitancias de agotamiento y difusión están
en paralelo. Este resultado también podría haberse obtenido considerando electrones en lugar de
agujeros y / o sesgo inverso en lugar de sesgo directo. Las estimaciones simples de las
capacitancias se obtienen dividiendo deltaQd y deltaQm por deltaV, donde el incremento deltaV
se efectúa de forma tan gradual que el dispositivo se encuentra casi en condiciones estables. Los
detalles matemáticos de este método, llamado método cuasiestático, ya están disponibles en
libros, por ejemplo, [8], [12], [13], por lo que no se tratan aquí. La naturaleza y el alcance de las
aproximaciones en este método se han aclarado en un documento adjunto [5] utilizando una
analogía atractiva.

IV. DISCUSIONES Y CONCLUSIONES

En los libros de texto populares disponibles (por ejemplo, [6] - [13]), las imágenes del movimiento
de portador aleatorio utilizado como punto de partida para desarrollar las corrientes de deriva y
difusión son invariablemente diferentes; la deriva se discute en términos de la imagen (b) [Fig. 1
(b)] referido anteriormente [6] - [13] y la difusión se discute usando [Fig. 1 (c)], como también se
ha hecho en este documento y en los libros enumerados en [6], [7], [9] y [11], o simplemente se
menciona como una consecuencia de la ley de Fick [8], [ 10], [12], [13]. Este aspecto ofusca
significativamente el origen común de estas dos corrientes en la mente del alumno. Además, es
importante tener en cuenta que los libros disponibles no discuten la corriente termoeléctrica junto
con la deriva y la difusión. De hecho, la mayoría de los libros de texto populares no abordan esta
corriente. Por lo tanto, los estudiantes desconocen esta corriente o, cuando se les presenta esta
corriente, la consideran completamente diferente de la deriva o la difusión. Por el contrario, la
elucidación de las tres corrientes usando la misma imagen (c) [Fig. 1 (c)] como punto de partida, e
interrelacionando los coeficientes de todas estas corrientes, como se hace en este documento,
está totalmente libre de estas desventajas. Además, la presentación unificada, al tiempo que
proporciona una estimación de la velocidad de saturación, también revela la razón de la saturación
de la velocidad, a diferencia de las presentaciones en los libros disponibles. Habitualmente, antes
de aprender dispositivos semiconductores, los estudiantes están familiarizados con el modelo de
placa paralela de la capacitancia en el que las ubicaciones de los componentes positivo y negativo
están separadas y la capacitancia está dada por la magnitud de cualquiera de estos componentes
de carga dividida por el voltaje entre las placas. Cuando se aproximan a las elucidaciones
existentes de la teoría de capacitancia de unión (por ejemplo, [6] - [13]) según este entendimiento,
enfrentan las siguientes dificultades según la experiencia del autor. Durante una discusión de la
capacitancia de agotamiento, malinterpretan la frase "cambio en la carga almacenada en la región
de carga espacial" para significar "el cambio en la carga de impurezas ionizadas" (esta carga no
puede cambiar como ya se indicó anteriormente). Además, al analizar la capacitancia de difusión,
se preguntan cómo la carga positiva de los orificios minoritarios en el lado n y la carga negativa de
los electrones minoritarios en el lado p juntos contribuyen a esta capacitancia, y se confunden aún
más si se estima esta capacitancia utilizando un enfoque riguroso basado en la ecuación de
continuidad de CA (por ejemplo, [6], [10], [11]). Además, la razón por la cual las capacitancias de
agotamiento y difusión derivadas usando (aparentemente) diferentes técnicas (la capacitancia de
agotamiento se discute invariablemente usando el enfoque cuasiestático) se deben considerar
como paralelas no está clara. De hecho, algunos estudiantes creen erróneamente que las dos
capacidades están en serie ya que las regiones de carga espacial y neutral de las que se originan
están en serie. Todas estas dudas son eludidas por completo si ambas capacitancias se derivan,
como se sugiere en este documento, de una definición común de la capacitancia, que es solo una
modificación menor de la definición de la placa paralela. Se obtienen aclaraciones completas del
transporte semiestable y de la capacitancia de unión p n si la discusión dada en este documento se
combina con la de un documento adjunto [5] sobre dispersión de portadores y cuasiestática frente
a derivaciones rigurosas de la capacitancia. Es importante `tener en cuenta que estas
elucidaciones son muy simples y sucintas, por lo que son ideales para su inclusión en un libro de
texto introductorio (curso de conferencias), y proporcionan las ventajas enumeradas en el
documento sin ocupar mucho espacio (tiempo). Estas elucidaciones se han incluido en un curso de
video de un semestre sobre "Física y modelado de dispositivos semiconductores" publicado por el
autor.