1. 1.

“Año de la Promoción de la Industria Responsable y el Compromiso Climático “

Villa el Salvador , de Octubre del 2014. OFICIO . N° 025 -2014-P. C /
EDUC.TEMPRANA – V.E.S. – UGEL. N° 01 –S.J.M. SEÑORES :
IMPORTACIONES HIRAOKA –S.A.C LIMA - MIRAFLORES. PRESENTE.-
ASUNTO : Solicito donación para Navidad de Niños y Niñas de Educación
Temprana Del Distrito de Villa el Salvador.
………………………………………………………………………………………… Es
grato dirigirme a usted, y expresarle mi cordial saludo, y a la vez comunicarle lo
siguiente. Que , estando próximo las Fiestas Navideñas y deseando brindar un
momento de alegría y felicidad a los niños y niñas de 2, y 3 años de edad de las
aulas de Educación Temprana SET siendo los siguientes.: -Capullitos de colores -
La Sonrisa de mi bebé -Disfrutando con mamá - Mis pequeños retoñitos -Huellitas
de mi bebé -Descubriendo mi Universo. Por tal motivo SOLICITO A Ud. Su APOYO
CON LA DONACIÓN de PANETONES para 70 niños , que celebraremos el día 15
de Diciembre en el Sector II , Grupo 2 del Distrito de Villa el Salvador. Seguros de
su positiva aceptación me despido reiterándole mi agradecimiento por su valioso
apoyo a los niños y niñas de nuestra comunidad. Atentamente. Comunicarse
:Profesora coordinadora. 2932705 -998848026 Adjunto : Nóminas y Resolución.

Contrato de donación
Última revisión25/12/2018

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Contrato de donación
A través del contrato de donación, una persona (llamado donante) transmite gratuitamente a otra
(llamado donatario) un bien (inmueble o mueble, incluido el dinero) o un derecho (ej. derecho a
cobrar una deuda frente a un tercero) que forma parte de su patrimonio. Por su parte, el donatario
acepta esta transmisión.

¿Cómo utilizar este documento?

Antes de rellenar este modelo, es necesario tener en cuenta que mediante donación se pueden
transmitir todos los bienes o derechos que forman parte del patrimonio del donante o parte de
ellos, siempre que los bienes y derechos donados sean concretos e individualizados y que quien dona
se reserve en propiedad o en usufructo (derecho de uso) lo necesario para vivir en un estado
correspondiente a sus circunstancias.

Asimismo, únicamente se pueden donar bienes presentes (y no futuros); es decir, bienes sobre los
cuales el donante puede disponer al tiempo de la donación. Por otra parte, para proteger a los
herederos del donante, la ley establece que no se puede dar ni recibir por vía de donación más de
lo que se pueda dar o recibir por testamento.

Este modelo está adaptado para las donaciones de bienes muebles e inmuebles, y para cualquier tipo
de derecho integrado en el patrimonio del donante. Las donaciones de bienes muebles, incluyendo
cantidades de dinero (o de cualquier derecho sobre los mismos: ej. prenda), pueden efectuarse de
forma verbal (o "de palabra") únicamente si al mismo tiempo se entrega el bien donado (o los bienes
donados) al donatario (o se pone(n) a disposición de este; por ejemplo, mediante la entrega de las
llaves del vehículo donado). En caso contrario, la donación debe constar por escrito privado o
público.

En el caso de los bienes inmuebles (o de cualquier derecho sobre los mismos; ej. usufructo,
hipoteca), la donación debe constar en escritura pública para ser válida. Así, aunque puede
utilizarse este modelo para celebrar un contrato privado de donación, la donación será radicalmente
nula si las partes no comparecen en una Notaría para hacerla constar en documento público.
Igualmente, para que esta tenga plenos efectos frente a terceros, es necesario inscribir la donación
en el Registro de la Propiedad.

Una vez cumplimentado e impreso, que este documento sea firmado por el donante y por el
donatario, al menos, en dos ejemplares para que ambas partes puedan conservar una copia
garantizará que el mismo sea válido. Firmar el margen izquierdo de todas las páginas del documento
(y no únicamente la última página) aportará mayor seguridad jurídica.
Una vez recibido el bien, es obligatorio que el donatario liquide el Impuesto de Sucesiones y
Donaciones en su Comunidad Autónoma de residencia (en el caso de los bienes muebles) o en la
que esté situado el bien (en el caso de los inmuebles). Asimismo, al hacer la declaración de la
renta deberá tenerse en cuenta el aumento que produce la donación en su patrimonio. Por otra parte,
los donantes pueden beneficiarse de reducciones en el IRPF si el donatario del bien es una ONG.

¿Quién puede donar?

Pueden ser donantes las personas físicas o jurídicas que tengan capacidad para contratar y
disponer de los bienes o derechos donados. Por esta razón, los menores (incluso emancipados) y
los incapacitados judicialmente no pueden donar si no intervienen sus representantes legales
(padres, tutores o curadores). Los tutores de los menores o incapacitados necesitan autorización
judicial para donar bienes de sus tutelados; en cambio, los padres solo pueden necesitarla si la
donación tiene por objeto un bien inmueble.

Las personas sujetas a concurso de acreedores no pueden donar sus bienes, ya que no tienen poder
de disposición sobre ellos.

¿Quién puede recibir una donación?

En principio, cualquier persona física o jurídica puede ser donataria, incluso sin la intervención de
sus representantes legales. Sin embargo, en el caso de las donaciones condicionales (aquellas en las
que se dona algo a cambio del cumplimiento de una determinada obligación), es necesario que el
donatario tenga capacidad para contratar o que intervengan sus representantes legales.

También caben las donaciones a favor de quienes aún no poseen personalidad jurídica por
ser nasciturus(concebidos pero aún no nacidos), y a favor de varias personas (donaciones
múltiples).

Por último, es posible que uno o ambos futuros cónyuges reciban donaciones por razón de
matrimonio.

Donaciones condicionales

A pesar de que la donación se realiza de manera gratuita; es decir, sin que el donante cobre una
contraprestación a cambio, es posible que el donante la someta al cumplimiento por el donatario
de determinadas obligaciones. Por ejemplo, si dona un terreno para la construcción de un colegio o
una vivienda para que el donatario la reforme. En todo caso, el valor de este gravamen debe ser
inferior al del bien donado.
Si se establece una condición (modo, finalidad o carga), el donatario debe cumplirla respetando los
términos y los plazos previstos por el donante en el contrato. Si esta condición no se cumple o se
deja de cumplir, el donante podrá pedir incluso judicialmente la revocación de la donación.

Condición o término

Asimismo, la donación puede quedar sometida a la ocurrencia de un acontecimiento futuro (por

ejemplo, el matrimonio del donatario). Si se trata de un acontecimiento futuro y cierto (o seguro),
hablamos de término; mientras que, si el acontecimiento es futuro e incierto, hablamos de condición.

Cláusulas adicionales

Además, es posible incluir en el contrato cláusulas adicionales, tales como:

 Reserva de usufructo: la (nuda) propiedad del bien se transmite al donatario, pero el usufructo
(o derecho de uso) se dona a un tercero o permanece en la persona del donante. Este es el caso,
por ejemplo, de los padres que donan una vivienda a su hija, pero con la condición de poder
utilizarla hasta su fallecimiento.
 Cláusula de reversión a favor del donante: se prevé que en el caso de que ocurra un
determinado acontecimiento (p. ej. la muerte del donatario) o después del transcurso de un
plazo determinado (ej. 5 años) el bien o derecho donado volverá a ser propiedad del donante.
 Dispensa de colación: en caso de que el donatario sea un heredero forzoso del donante, la ley
considera esta donación como un anticipo a cuenta de la herencia, debiendo descontarse su
valor de la parte que le corresponda recibir al fallecimiento del donante. Sin embargo, es
posible incluir una cláusula en el contrato en la que el donante declara que la donación no debe
ser considerada un anticipo a cuenta de la herencia (sino un incremento de esta).

Legislación aplicable

La donación está regulada en el Código civil; específicamente, desde los artículos 618 a 656, y 1336
a 1343. Además, son aplicables a la donación las disposiciones generales de los contratos y
obligaciones, contenidas entre los artículos 1088 y 1314 del mismo texto legal.
En materia de tributación, son aplicables la Ley 29/1987, de 18 de diciembre, del Impuesto sobre
Sucesiones y Donaciones, la Ley 35/2006, de 28 de noviembre, del Impuesto sobre la Renta de las
Personas Físicas y de modificación parcial de las leyes de los Impuestos sobre Sociedades, sobre la
Renta de no Residentes y sobre el Patrimonio, así como la normativa autonómica correspondiente.

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El Transistor MOSFET
Transistor unipolar (Teoría).

Hoy es: Lun 01.04.2019 CRTL+D, para volver a visitarnos. Creado por: V. García.

Tema:

Idioma

INTRODUCCIÓN.
Los problemas que vienen presentando los
transistores bipolares o BJT, como son la
corriente que soportan y la dependencia de la
temperatura a la que se ven sometidos, unas
veces por su emplazamiento, otras por un mal
trazado y la mas evidente, el efecto llamado de
avalancha. Estas evidencias, han llevado a que
se sustituyan por otros transistores más
avanzados, hasta la llegada de los MOSFET.
Las ventajas que presentan este tipo de
transistor, han llevado a que ocupen un lugar
importante dentro de la industria, desplazando a
los viejos BJT a otros fines. Los MOSFET de
potencia son muy populares para aplicaciones
de baja tensión, baja potencia y conmutación
resistiva en altas frecuencias, como fuentes de
alimentación conmutadas, motores sin
escobillas y aplicaciones como robótica, CNC y
electrodomésticos.
 La mayoría de sistemas como lámparas,
motores, drivers de estado sólido,
electrodomésticos, etc. utilizan dispositivos de
control, los cuales controlan el flujo de energía
que se transfiere a la carga. Estos dispositivos
logran alta eficiencia variando su ciclo de trabajo
para regular la tensión de salida. Para realizar la
parte de conmutación, existen varios
dispositivos semiconductores, a continuación se
muestra una tabla con algunos de ellos.
La siguiente es una tabla comparativa de las
diversas capacidades entre potencia y velocidad
de conmutación de los tipos de dispositivos.

LOS TRANSISTORES MOSFET.

Vamos a estudiar un transistor cuyo

funcionamiento no se basa en uniones PN,
como el transistor bipolar, ya que en éste, el
movimiento de carga se produce
exclusivamente por la existencia de campos
eléctricos en el interior del dispositivo. Este tipo
de transistores se conocen como, efecto de
campo JFET (del inglés, Juntion Field Effect
Transistor).
 El transistor MOSFET, como veremos, está
basado en la estructura MOS. En los MOSFET
de enriquecimiento, una diferencia de tensión
entre el electrodo de la Puerta y el substrato
induce un canal conductor entre los contactos de
Drenador y Surtidor, gracias al efecto de campo.
El término enriquecimiento hace referencia al
incremento de la conductividad eléctrica debido
a un aumento de la cantidad de portadores de
carga en la región correspondiente al canal, que
también es conocida como la zona de inversión.
LA ESTRUCTURA MOS.

La estructura MOS esta compuesta de dos

terminales y tres capas: Un Substrato de silicio,
puro o poco dopado p o n, sobre el cual se
genera una capa de Oxido de Silicio (SiO2) que,
posee características dieléctricas o aislantes, lo
que presenta una alta impedancia de entrada.
Por último, sobre esta capa, se coloca una capa
de Metal (Aluminio o polisilicio), que posee
características conductoras. En la parte inferior
se coloca un contacto óhmico, en contacto con
la capsula, como se ve en la figura.
 La estructura MOS, actúa como un
condensador de placas paralelas en el que G y
B son las placas y el óxido, el aislante. De este
modo, cuando VGB=0, la carga acumulada es
cero y la distribución de portadores es aleatoria
y se corresponde al estado de equilibrio en el
semiconductor.
Cuando VGB>0, aparece un campo eléctrico
entre los terminales de Puerta y substrato. La
región semiconductora presponde creando una
región de empobrecimiento de cargas
libres p+ (zona de deplexión), al igual que
ocurriera en la región P de una
unión PN cuando estaba polarizada
negativamente. Esta región de iones negativos,
se incrementa con VGB.
Al llegar a la región de VGB, los iones presentes
en la zona semiconductora de empobrecimiento,
no pueden compensar el campo eléctrico y se
provoca la acumulación de cargas negativas
libres (e-) atraídos por el terminal positivo. Se
dice entonces que la estructura ha pasado de
estar en inversión débil a inversión fuerte.
El proceso de inversión se identifica con el
cambio de polaridad del substrato, debajo de la
región de Puerta. En inversión fuerte, se forma
así un CANAL de e- libres, en las proximidades
del terminal de Puerta (Gate) y de huecos p+ en
el extremo de la Puerta.
La intensidad de Puerta IG, es cero puesto que,
en continua se comporta como un condensador
(GB). Por lo tanto, podemos decir que, la
impedancia desde la Puerta al substrato es
prácticamente infinita e IG=0 siempre en
estática. Básicamente, la estructura MOS
permite crear una densidad de portadores libres
suficiente para sustentar una corriente eléctrica.
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE CANAL
N.

Bajo el terminal de Puerta existe una capa de

óxido (SiO2) que impide prácticamente el paso
de corriente a su través; por lo que, el control de
puerta se establece en forma de tensión. La
calidad y estabilidad con que es posible fabricar
estas finas capas de óxido es la principal causa
del éxito alcanzado con este transistor, siendo
actualmente el dispositivo más utilizado.
 Además, este transistor ocupa un menor
volumen que el BJT, lo que permite una mayor
densidad de integración. Comencemos con la
estructura básica del MOSFET, seguido de sus
símbolos.
Se trata de una estructura MOS, de cuatro
terminales, en la que el substrato semiconductor
es de tipo p poco dopado. A ambos lados de la
interfase Oxido-Semiconductor se han
practicado difusiones de material n, fuertemente
dopado (n+).

Cuando se aplica una tensión positiva al

terminal de puerta de un MOSFET de tipo N, se
crea un campo eléctrico bajo la capa de óxido
que incide perpendicularmente sobre la
superficie del semiconductor P. Este campo,
atrae a los electroneshacia la superficie, bajo la
capa de óxido, repeliendo los huecos hacia el
sustrato. Si el campo eléctrico es muy intenso se
logra crear en dicha superficie una región muy
rica en electrones, denominada canal N, que
permite el paso de corriente de la Fuente al
Drenador. Cuanto mayor sea la tensión de
Puerta (Gate) mayor será el campo eléctrico y,
por tanto, la carga en el canal. Una vez creado
el canal, la corriente se origina, aplicando una
tensión positiva en el Drenador (Drain) respecto
a la tensión de la Fuente (Source).
En un MOSFET tipo P, el funcionamiento es a
la inversa, ya que los portadores son huecos
(cargas de valor positivas, el módulo de la carga
del electrón). En este caso, para que exista
conducción el campo eléctrico perpendicular a la
superficie debe tener sentido opuesto al del
MOSFET tipo N, por lo que la tensión aplicada
ha de ser negativa. Ahora, los huecos son
atraídos hacia la superficie bajo la capa de
óxido, y los electrones repelidos hacia el
sustrato. Si la superficie es muy rica en huecos
se forma el canal P. Cuanto más negativa sea la
tensión de puerta mayor puede ser la corriente
(más huecos en el canal P), corriente que se
establece al aplicar al terminal de Drenador una
tensión negativa respecto al terminal de Fuente.
La corriente tiene sentido opuesto a la de un
MOSFET tipo N.
 Si con tensión de Puerta nula no existe canal,
el transistor se denomina de acumulación; y de
vaciamiento en caso contrario. Mientras que la
tensión de Puerta a partir de la cual se produce
canal, se conoce como tensión umbral, VT. El
terminal de sustrato sirve para controlar la
tensión umbral del transistor, y normalmente su
tensión es la misma que la de la Fuente.
El transistor MOS es simétrico: los terminales
de Fuente y Drenador son intercambiables entre
sí. En el MOSFET tipo N el terminal de mayor
tensión actúa de Drenador (recoge los
electrones), siendo el de menor tensión en el
tipo P (recoge los huecos). A modo de resumen,
la figura anterior, muestra el funcionamiento de
un transistor MOS tipo N de enriquecimiento.
El símbolo más utilizado para su representación
a nivel de circuito se muestra en la figura
siguiente. La flecha en el terminal de Fuente
(Gate) nos informa sobre el sentido de la
corriente.

En la estructura MOS de la siguiente figura,

aparecen diversas fuentes de tensión
polarizando los distintos terminales: VGS, VDS.
Los terminales de substrato (B) y Fuente (S) se
han conectado a GND. De este modo, VSB=0
(tensión Surtidor-sustrato=0) , se dice que no
existe efecto substrato.
 Según los valores que tome la tensión VGS, se
pueden considerar tres casos:
1) VGS=0. Esta condición implica que VGS=0,
puesto que VSB=0. En estas condiciones, no
existe efecto campo y no se crea el canal de e-,
debajo de la Puerta. Las dos estructuras PN se
encuentran cortadas (B al terminal más
negativo) y aisladas. IDS=0 aproximadamente,
pues se alimenta de las intensidades inversas
de saturación.
2) La tensión VGS>0, se crea la zona de
empobrecimiento o deplexión en el canal. Se
genera una carga eléctrica negativae- en el
canal, debido a los iones negativos de la red
cristalina (similar al de una unión PN polarizada
en la región inversa), dando lugar a la situación
de inversión débil anteriormente citada. La
aplicación de un campo eléctrico lateral VDS>0,
no puede generar corriente eléctrica IDS.
3) La tensión VGS>>0, da lugar a la inversión del
canal y genera una población de e- libres,
debajo del oxido de Puerta y p+al fondo del
substrato. Se forma el CANAL N o canal de
electrones, entre el Drenador y la Fuente
(tipo n+) que, modifica las característica
eléctricas originales del sustrato. Estos
electrones, son cargas libres, de modo que, en
presencia de un campo eléctrico lateral, podrían
verse acelerados hacia Drenador o Surtidor. Sin
embargo, existe un valor mínimo de VGS para
que el número de electrones, sea suficiente para
alimentar esa corriente, es V T,
denominada TENSIÓN UMBRAL (en algunos
tratados se denomina VTH).
Por lo tanto, se pueden diferenciar dos zonas
de operación para valores de VGS positivos:

- Si VGS< VT la intensidad IDS=0 (en realidad

sólo es aproximadamente cero) y decimos que
el transistor opera en inversión débil. En ella,
las corrientes son muy pequeñas y su utilización
se enmarca en contextos de muy bajo consumo
de potencia. Se considerará que la corriente es
siempre cero. De otro lado;

- Si VGS>=VT, entonces IDS es distinto de cero,

si VDS es no nulo. Se dice que el transistor opera
en inversión fuerte.
Cuanto mayor sea el valor de VGS, mayor será
la concentración de cargas libres en el canal y
por tanto, será superior la corriente IDS.
REGIONES DE OPERACIÓN.

Cuando ya existe canal inducido y VDS va

aumentando, el canal se contrae en el lado del
Drenador, ya que la diferencia de potencial
Puerta-canal es en ese punto, más baja y la
zona de transición más ancha. Es decir, siempre
que exista canal estaremos en región óhmica y
el dispositivo presentará baja resistencia.

La operación de un transistor MOSFET se

puede dividir en tres regiones de operación
diferentes, dependiendo de las tensiones en sus
terminales. Para un transistor MOSFET N de
enriquecimiento se tienen las siguientes
regiones: región de corte, región
óhmica y región de saturación.
Región de corte.

El transistor estará en esta región,

cuando VGS < Vt. En estas condiciones el
transistor MOSFET, equivale eléctricamente a
un circuito abierto, entre los terminales del
Drenador-Surtidor. De acuerdo con el modelo
básico del transistor, en esta región, el
dispositivo se encuentra apagado. No hay
conducción entre Drenador y Surtidor, de modo
que el MOSFET se comporta como un
interruptor abierto.
Región óhmica.

Cuando un MOSFET está polarizado en

la región óhmica, el valor de RDS(on) viene dado
por la expresión:

VDS(on) = ID(on) x RDS(on)

En casi todas las hojas de datos, asocian el
valor de RDS(on) a una corriente de Drenaje (ID)
específica y el voltaje Puerta-Surtidor.
Por ejemplo, si VDS(on)=1V y ID(on)=100mA = 0'1
A; entonces,

Rds(on) = 1V = 10 Ohms

100mA

Así mismo, el transistor estará en la región

óhmica, cuando VGS > Vt y VDS < ( VGS – Vt ).
El MOSFET equivale a una resistencia variable
conectada entre el Drenador y Surtidor. El valor
de esta resistencia varía dependiendo del valor
que tenga la tensión entre la Puerta y el Surtidor
(VGS).
Región de Saturación.

El transistor MOSFET entra en esta zona de

funcionamiento cuando la tensión entre el
Drenador y el Surtidor (VDS) supera un valor fijo
denominado tensión de saturación (Vds
sat) Drenador-Surtidor; este valor viene
determinado en las hojas características
proporcionadas por el fabricante. En esta zona,
el MOSFET mantiene constante su corriente de
Drenador (ID), independientemente del valor de
tensión que haya entre el Drenador y el Surtidor
(VDS). Por lo tanto, el transistor equivale a un
generador de corriente continua de valor ID.
Es decir; el MOSFET estará en esta región,
cuando VGS > Vt y VDS > ( VGS – Vt ).
O sea, estaremos en la región de saturación
cuando el canal se interrumpe o estrangula, lo
que sucede cuando:
VDS ≥ VGS - VT → Región de saturación

Cuando la tensión entre Drenador y Fuente

supera cierto límite, el canal de conducción, bajo
la Puerta sufre un estrangulamiento en las
cercanías del Drenador y desaparece. La
corriente entre Fuente y Drenador no se
interrumpe, es debido al campo eléctrico entre
ambos, pero se hace independiente de la
diferencia de potencial entre ambos terminales.

En la figura anterior, la parte casi vertical

corresponde a la zona óhmica, y la parte casi
horizontal corresponde a la zona activa. El
MOSFET de enriquecimiento, puede funcionar
en cualquiera de ellas. En otras palabras, puede
actuar como una resistencia o como una fuente
de corriente. El uso principal está en la zona
óhmica.
Región de Ruptura.

Esta zona apenas se utiliza porque el transistor

MOSFET pierde sus propiedades
semiconductoras y se puede llegar a romper el
componente físico. La palabra ruptura hace
referencia a que se rompe la unión
semiconductora de la parte del terminal del
drenador.
 Los transistores unipolares están limitados en
tres magnitudes eléctricas:
-En tensión: no se puede superar el valor máximo de tensión entre
la puerta y el surtidor. Este valor se

denomina BVgs. Tampoco se puede superar un valor máximo de

tensión entre el drenador y el surtidor denominado BVds.

-En corriente: no se puede superar un valor de corriente por el

drenador, conocido como Idmax.

-En potencia: este límite viene marcado por Pdmax, y es la máxima

potencia que puede disipar el componente.

Resumiendo:

Máxima Tensión Puerta-Fuente. La delgada

capa de dióxido de silicio en el MOSFET
funciona como aislante, el cual, impide el paso
de corriente de Puerta, tanto para tensiones de
Puerta negativas como positivas. Muchos
MOSFET están protegidos con diodos zener
internos, en paralelo con la Puerta y la Fuente.
La tensión del zener, es menor que la tensión
Puerta-Fuente que soporta el MOSFET V . GS(Max)

Zona Óhmica. El MOSFET es un dispositivo de

conmutación, por lo que evitaremos, en lo
posible, polarizarlo en la zona activa. La tensión
de entrada típica tomará un valor bajo o alto. La
tensión baja es 0 V, y la tensión alta es VGS(on),
especificado en hojas de características.
Drenador-Fuente en resistencia. Cuando un
MOSFET de enriquecimiento se polariza en la
zona activa, es equivalente a una resistencia de
R , especificada en hojas de características.
DS(on)
En la curva característica existe un punto Q en test

la zona óhmica. En este punto, I y V están

D(on) DS(on)

determinados, con los cuales se calcula R . DS(on)

Capacidades parásitas.

Al igual que en los transistores bipolares, la

existencia de condensadores parásitos en la
estructura MOS origina el retraso en la
respuesta del mismo, cuando es excitado por
una señal de tensión o intensidad externa. La
carga/descarga de los condensadores
parásitos, requiere un determinado tiempo, que
determina la capacidad de respuesta de los
MOSFET a una excitación. En la estructura y
funcionamiento de estos transistores se
localizan dos grupos de capacidades:
 1) Las capacidades asociadas a las uniones PN de las áreas de Drenador y
Fuente. Son no lineales con las tensiones

de las uniones. Se denominan Capacidades de Unión.

2) Las capacidades relacionadas con la estructura MOS. Están asociadas

principalmente a la carga del canal

(iones o cargas libres) y varían notoriamente en función de la región de

operación del transistor, de modo que,

en general, no es posible considerar un valor constante de las mismas. Se

denominan Capacidades de Puerta.
 De ellas, las capacidades de Puerta suelen ser
las más significativas y dentro de ellas, la
capacidad de Puerta-Fuente CGSy de Drenador-
Fuente, CDS son en general, las dominantes.
En la siguiente figura, se muestran las curvas
de entrada y salida de un transistor MOSFET N
con Vt= 2V conectado en Fuente común (SC), es
decir, el terminal de Fuente, es común la señal
de entrada VGS y las señales de salida ID y VDS.

Estas curvas de salida, se obtienen al

representar las variaciones de ID al aumentar
VDS, para diferentes valores de VGS, es decir,
ID=ƒ(Vds)VGS=cte.
La curva más baja es la curva de VGS(T). Cuando
VGS es menor que VGS(T), la corriente de
Drenador es extremadamente pequeña. Cuando
VGS es mayor que VGS(T), fluye una considerable
corriente, cuyo valor depende de VGS.
Si VGS≤VT, el transistor MOSFET, estará en
la región de corte y la corriente ID=0.
Si VGS≥VT, el transistor MOSFET, estará en
la región de conducción y se pueden dar dos
casos:
a) Si VDS≥VGS-VT, el transistor MOSFET,
estará en la región de saturación y la corriente
será constante para un valor determinado de
VGS. La curva de transferencia de la figura que
representa ID=ƒ(VDS)VGS=cte., se obtiene a partir
de las curvas de salida para una tensión
VDS constante que sitúe al transistor en
saturación. Se observa que aproximadamente
corresponde a la curva de una parábola con
vértice en VT y por tanto, la corriente puede
determinarse de forma aproximada por:
ID = k(VGS-VT)2

donde k es el parámetro de
transconductancia del MOSFET N y se mide
en mA/V2.
b) Si VDS≤VGS-VT, el transistor MOSFET, estará
en la región óhmica de forma que, al aumentar
VDS, también lo harán la corriente y la resistencia
del canal. El comportamiento del transistor
puede asociarse a la resistencia que presenta el
canal entre Drenador y Fuente.
EL MOSFET COMO INVERSOR.

El funcionamiento del transistor MOSFET en

conmutación implica que la tensión de entrada y
salida del circuito posee una excursión de
tensión, elevada (de 0 a VDD) entre los niveles
lógicos alto H (asociada a la tensión VDD) y bajo
L (asociada a la tensión 0). Para el nivel bajo, se
persigue que VGS > Vt y que el transistor se
encuentre trabajando en la región óhmica, con
lo cual VDS << 1. Mientras que para en el nivel
alto, se persigue que la tensión de salida sea
elevada, y en general, que el transistor esté
funcionando en la región de corte, con VDS >> 1.
Se puede considerar que, el transistor MOSFET
es capaz de funcionar como un interruptor.
El funcionamiento como inversor del transistor
MOSFET N se basa en sus características en
conmutación: pasando de la región de corte a
la región óhmica.
El transistor MOSFET en conmutación, basado
en un interruptor con resistencia de Drenador, es
fundamental en circuitos digitales, puesto que la
conmutación de corte a saturación y viceversa,
implica unos tiempos de retardo de gran
importancia en estos sistemas.
Inversor con carga pasiva. La palabra pasiva se
refiere a una resistencia normal como RD. En
este circuito Vin puede ser alta o baja.
 Cuando Vin esta en nivel bajo, el MOSFET esta
en corte y Vout es igual a la tensión de
alimentación. Cuando Vin esta en nivel alto, el
MOSFET esta en conducción y Vout cae a un
nivel bajo. Para que este circuito funcione la
corriente de saturación ID(sat) tiene que ser menor
que ID(on).

RDS(on)<< RD

Se denomina inversor, por que la tensión de

salida, es de nivel opuesto a la tensión de
entrada. Lo único que se requiere en los
circuitos de conmutación, es que las tensiones
de entrada y de salida se puedan reconocer
fácilmente, ya sea en nivel alto o bajo.
EL MOSFET COMO INTERRUPTOR.

Sabemos que si en un MOSFET la tensión entre

la Puerta y la Fuente es menor que la tensión
umbral, VGS<VT, el transistor está cortado. Es
decir, entre los terminales de Fuente y Drenador,
la corriente es nula, ya que existe un circuito
abierto. Sin embargo, cuando VGS es mayor que
VT se crea el canal, y el transistor entra en
conducción. Cuanto mayor es la tensión de
puerta menor es la resistencia del canal, y ésta
puede llegar a aproximarse a un cortocircuito.
Así, el MOSFET es capaz de funcionar como un
interruptor.
El MOSFET como interruptor se emplea
frecuentemente en electrónica digital, para
transmitir o no, los estados lógicos a través de
un circuito. Existe, sin embargo, una pequeña
dificultad: cuando el MOSFET tipo N actúa como
cortocircuito es capaz de transmitir las tensiones
bajas; sin embargo las tensiones altas se ven
disminuidas en una cantidad igual al valor de la
tensión umbral.
Para que exista el canal bajo la puerta, la
tensión en ésta ha de ser VH (VH > VT). Al
transmitir VH, el terminal de la izquierda actúa
como Drenador, ya que está a una tensión más
alta, y el de la derecha como Fuente. A medida
que la tensión en el terminal de Fuente aumenta,
la tensión entre la Puerta y la Fuente, VGS,
disminuye. Todo esto ocurre hasta que la
tensión de la Fuente alcanza el valor VH-VT,
momento en que VGS iguala la tensión umbral y
el transistor deja de conducir.
 En cambio, al transmitir la tensión VL el terminal
de la izquierda actúa como Fuente y el de la
derecha como Drenador. La tensión entre la
Puerta y la Fuente permanece en todo momento
constante, a igual a VH-VL (valor que debe ser
superior a la tensión umbral), por lo que en el
Drenador se llega a alcanzar VL.
De forma similar, el MOSFET tipo P transmite
correctamente las tensiones altas, y falla en las
bajas. Para evitar estos inconvenientes se
conectan en paralelo dos transistores MOSFET,
uno N y otro P.

Para terminar este punto, las tensiones bajas

son transmitidas sin error por el MOSFET tipo N,
mientras que las altas lo son por el tipo P. Esta
configuración, se denomina puerta de paso.
Para su funcionamiento, las tensiones en las
puertas han de ser complementarias (cuando
una es alta la otra es baja, y viceversa); esto se
indica añadiendo un círculo a una de las puertas,
o una barra sobre una de las tensiones.
Polarización de MOSFET.
 Los circuitos de polarización típicos para
MOSFET enriquecido, son similares al circuito
de polarización utilizados para JFET. La
principal diferencia entre ambos es el hecho de
que el MOSFET de enriquecimiento típico sólo
permite puntos de funcionamiento con valor
positivo de VGS para canal n y valor negativo de
VGS para el canal p. Para tener un valor positivo
de VGS de canal n y el valor negativo de VGS de
canal p, es adecuado un circuito de auto
polarización. Por lo tanto hablamos de recorte
de realimentación y circuito divisor de tensión
para mejorar el tipo MOSFET.
Realimentación, circuito de polarización.

La siguiente figura, muestra el circuito de

polarización con realimentación típico para
MOSFET canal n de enriquecimiento.

Como se mencionó anteriormente, para el

análisis en corriente continua, podemos
reemplazar el condensador de acoplamiento por
circuitos abiertos y también reemplazar el
resistor RG por su equivalente en corto circuito,
ya que IG = 0.
La figura, también muestra, el circuito
simplificado, para el análisis con recorte de
realimentación CC. Como los terminales de
Drenaje y Puerta están en cortocircuito,
VD = VG

y VDS = VGS => Vs = 0 [1]

Aplicando la segunda Ley de Kirchhoff a los

circuitos de salida, obtenemos,
VDD - IDx RD - VDS = 0

si VDS = VDD - Id x Rd [2]

o VGS = VDD - ID x RD ; si VDS = VGS [3]

Ejemplo practico: Para el circuito dado en la

siguiente figura, calcular VGS, ID y VDS.

Solución: Tenemos que,

VDD = 12 V

VGS = 8 V

VT = 3 V
Como, VGS = VDD - ID x RD = 12 - ID x RD
tenemos que,
ID = K(VGS-VT)2

Sustituyendo valores de VGS tenemos,

ID = K((12 - Id x Rd)-Vt)2 = 0.24x10-3 [12 - ID x 2 x 10-3 -3]2

= 0.24x10-3 [81 - 36000 ID + 4000000 I2D]

Así; ID = 0.01944 - 8.64 ID + 960 I2d

960 x I2D - 9.64 x ID + 0.01944 = 0 Esto es una

ecuación de segundo grado y se puede resolver

usando la fórmula habitual.

Resolución de ecuaciones cuadráticas, usando

la fórmula tendremos;
960 x I2D - 9.64 x ID + 0.01944 = 0 donde,

Si calculamos el valor de VDS teniendo ID =

7.2477mA nos quedará,
Vds= Vdd - Id x Rd = 12 - 7.2477 x 10-3 x 2 x 103 = 12 -
14.495 = -2.495

En la práctica, el valor de VDS debe ser positivo,

por lo tanto Id =7.2477mA, no es valido.
Ahora, calculemos el valor de VDS teniendo ID =
7.2477mA, obtenemos que,
Vgs = 12 - 2.794 x 10-3 x 2 x103 = 12 - 5.588 = 6.412V

VGS = 6.412V

Inversor con carga activa.

En la figura se muestra un conmutador con

carga activa, el MOSFET inferior actúa como
conmutador, pero el superior actúa como una
resistencia de valor elevado, el MOSFET
superior tiene su Puerta conectada a su
Drenador, por esta razón, se convierte en un
dispositivo de dos terminales, como una
resistencia activa, cuyo valor se puede
determinar con:

Donde VDS(activa) e IDS(activa) son tensiones y

corrientes en la zona activa.
Para que el circuito trabaje de forma adecuada,
la RD del MOSFET superior, tiene que ser mayor
que la RD del MOSFET inferior.
 En la figura anterior se indica como calcular la
RD del MOSFET superior. Al ser VGS=VDS, cada
punto de trabajo de este MOSFET tiene que
estar en la curva de dos terminales, si se
comprueba cada punto de la curva de dos
terminales, se vera que VGS=VDS.
La curva de dos terminales significa que el
MOSFET superior actúa como una resistencia
de valor RD. Este
valor

RDcambia ligeramente para los diferentes

puntos.
En el punto más alto; ID= 3mA y VDS=15V
En el punto mas bajo; ID= 0.7mA y VDS=5v

Una sencilla y práctica explicación del

funcionamiento de un transistor MOSFET puede
resumirse en que; al aplicar una determinada
tensión (positiva respecto a GND) sobre la
Puerta o Gate, dentro del transistor, se genera
un campo eléctrico que permite la circulación de
corriente entre el terminal Drenador y el terminal
Fuente. La tensión mínima de Puerta, para que
el transistor comience a conducir (depende de
su hoja de datos), por ej. para un IRFZ44N está
ubicada entre 2 y 4V, mientras que la máxima
tensión que podremos aplicar, respecto al
terminal Fuente, es de 20V.
En conmutación y en saturación, en el caso del
transistor MOSFET IRFZ44N, nos interesa
aplicar 10V de tensión en la Puerta, para lograr
la mínima resistencia entre Drenador y Fuente.
En otro caso, no obtendremos el mejor
rendimiento, por la mayor disipación de calor,
debido a una mayor resistencia a la circulación
de corriente entre Drenador y Fuente. No se
debe sobrepasar la tensión VGS máxima de 20V,
ya que el transistor se estropeará. En cambio, si
la tensión de Puerta no alcanza los 2 a 4V, el
transistor no entrará en conducción.
Recapitulemos.

Consideremos, el caso de utilizar el MOSFET

en conmutación, se debe aplicar la señal de
activación del MOSFET con un flanco de subida
muy corto en tiempo, al igual que el flanco de
bajada. Tal vez con un ejemplo quede más claro.
No es conveniente aplicar la salida de un
microcontrolador directamente a un MOSFET,
las razones son evidentes. Existe gran variedad
de drivers comerciales, adecuados para cada
necesidad. Por lo tanto, siempre, se debe
emplear un driver. El más sencillo sería un
transistor, como se muestra en la figura que
sigue.

En el esquema de la figura, la salida del micro,

se aplica a R1, cuando la tensión sea positiva, el
NPN conducirá en saturación, por lo tanto, su
colector estará aproximadamente a GND y como
consecuencia, el MOSFET, no conducirá. En el
caso de que a la base del NPN le llegue una
tensión negativa o cercana a GND, el transistor
no conducirá y la tensión en su colector será
cercana a la tensión Vcc, esto hace que el
MOSFET se comporte como un interruptor
cerrado, dejando pasar la máxima intensidad
(IDds).
Que hace el transistor NPN, conmuta su estado
entre Vcc y GND, la cuestión es que, lo debe
hacer con un tiempo muy corto, al pasar de un
estado alto a un estado bajo y viceversa. Esto
se consigue, reduciendo en lo posible las
capacidades, existentes incluso en los propios
transistores BJT. Puesto que lo que
pretendemos es que el MOSFET, no trabaje en
la zona óhmica, para evitar las perdidas que se
evidencian con el calor que desprenderá en su
caso.
Mejorando el circuito anterior, podríamos añadir
un par de transistores BJT más, para reducir el
tiempo se subida y bajada al conmutar los
niveles de tensión, veamos la siguiente figura.
 Cómo se comporta en este caso el circuito.
Supongamos un nivel alto, en la salida del
primer transistor NPN, al llegar a la base del
transistor NPN de arriba, éste, conducirá en
saturación y por tal motivo, también lo hará el
MOSFET. Entre tanto, el ante dicho nivel, al
llegar el transistor PNP de abajo, hará que se
corte dicho transistor, no conduciendo. En el
supuesto de tener, un nivel bajo en la salida del
primer transistor NPN, el llegar a la base del
segundo NPN, éste no conducirá, sin embargo,
el transistor PNP se comportará como un
interruptor cerrado, conduciendo en saturación,
lo que hará que el MOSFET, se bloquee o corte
su paso de corriente. Supongo que ahora está,
más claro.
Naturalmente, el estudio del transistor
MOSFET, requiere un calado mayor, aquí, sólo
he querido hacer hincapié en los conceptos más
relevantes, si bien es cierto, sin entrar en
demasiados detalles. Entiendo que los lectores,
actualmente disponen de medios y lugares
donde adquirir conocimientos más profundos, si
es de su interés.
Esto es todo, por este tutorial de teoría, los que
quieran leer más sobre el tema, lo pueden hacer
consultando libros de texto de los distintos
autores.