3.

- SEMICONDUCTORES
Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad eléctrica inferior
a la de un conductor metálico pero superior a la de un buen aislante. El
semiconductor más utilizado es el silicio, que es el elemento más abundante en la
naturaleza, después del oxígeno. Otros semiconductores son el germanio y el
selenio. Los átomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con sólo cuatro
electrones, denominados electrones de valencia. Estos átomos forman una red
cristalina, en la que cada átomo comparte sus cuatro electrones de valencia con los
cuatro átomos vecinos, formando enlaces covalentes. A temperatura ambiente,
algunos electrones de valencia absorben suficiente energía calorífica para librarse
del enlace covalente y moverse a través de la red cristalina, convirtiéndose en
electrones libres. Si a estos electrones, que han roto el enlace covalente, se le
somete al potencial eléctrico de una pila, se dirigen al polo positivo.

Cuando un electrón libre abandona el átomo de un cristal de silicio, deja en la red

cristalina un hueco, que con respecto a los electrones próximos tiene efectos
similares a los que provocaría una carga positiva. Los huecos tienen la misma
carga que el electrón, pero con signo positivo.
El comportamiento eléctrico de un semiconductor se caracteriza por los siguientes
fenómenos:
- Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen hacia el polo
positivo de la pila.
- Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo
de la pila.
- Al conectar una pila, circula una corriente eléctrica en el circuito cerrado, siendo
constante en todo momento el número de electrones dentro del cristal de silicio.
- Los huecos sólo existen en el seno del cristal semiconductor. Por el conductor
exterior sólo circulan los electrones que dan lugar a la corriente eléctrica.
Semiconductores P y N
En la práctica, para mejorar la conductividad eléctrica de los semiconductores, se
utilizan impurezas añadidas voluntariamente. Esta operación se denomina
dopado, utilizándose dos tipos:
• Impurezas pentavalentes. Son elementos cuyos átomos tienen cinco electrones
de valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el fósforo, el antimonio
y el arsénico.
• Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos átomos tienen tres electrones de
valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el boro, el galio y el indio.
Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra en la red cristalina del
silicio, se completan los cuatro electrones de valencia que se precisan para llegar
al equilibrio y queda libre un quinto electrón que le hace mucho mejor conductor.
De un semiconductor dopado con impurezas pentavalentes se dice que es de tipo
N.
3.2 ENLACES Y CONDUCTIVIDAD
Unión PN
Cuando a un material semiconductor se le introducen impurezas de tipo P por un
lado e impurezas tipo N por otro, se forma una unión PN .
Los electrones libres de la región N más próximos a la región P se difunden en ésta,
produciéndose la recombinación con los huecos más próximos de dicha región. En
la región N se crean iones positivos y en la región P se crean iones negativos. Por
el hecho de formar parte de una red cristalina, los iones mencionados están
interaccionados entre sí y, por tanto, no son libres para recombinarse.

Por todo lo anterior, resulta una carga espacial positiva en la región N y otra negativa
en la región P, ambas junto a la unión. Esta distribución de cargas en la unión
establece una «barrera de potencial» que repele los huecos de la región P y los
electrones de la región N alejándolos de la mencionada unión. Una unión PN no
conectada a un circuito exterior queda bloqueada y en equilibrio electrónico a
temperatura constante.
Unión PN polarizada en directo
Si se polariza la unión PN en sentido directo, es decir, el polo positivo de la pila a la
región P y el polo negativo a la región N , la tensión U de la pila contrarresta la
«barrera de potencial» creada por la distribución espacial de cargas en la unión,
desbloqueándola, y apareciendo una circulación de electrones de la región N a la
región P y una circulación de huecos en sentido contrarío. Tenemos así una
corriente eléctrica de valor elevado, puesto que la unión PN se hace conductora,
presentando una resistencia eléctrica muy pequeña. El flujo de electrones se
mantiene gracias a la pila que los traslada por el circuito exterior circulando con el
sentido eléctrico real, que es contrario al convencional establecido para la corriente
eléctrica.
Unión PN polarizada en inverso
Si se polariza la unión PN en sentido inverso, es decir, el polo positivo de la pila a
la región N y el polo negativo a la región P (figura 6), la tensión U de la pila ensancha
la «barrera de potencial» creada por la distribución espacial de cargas en la unión,
produciendo un aumento de iones negativos en la región P y de iones positivos en
la región N, impidiendo la circulación de electrones y huecos a través de la unión.
La unión PN se comporta de una forma asimétrica respecto de la conducción
eléctrica; dependiendo (le¡ sentido de la conexión, se comporta corno un buen
conductor (polarizada en dire(-to) o como un aislante (polarizada en inverso).
3.3 SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Semiconductores de potencia. Dispositivos construidos con el SiC (carburo de
silicio), el GaN (nitruro de galio) y el diamante, que han arraigado firmemente en
aplicaciones de alta tensión y alta intensidad para controlar potencias de salida de
entre un megavatio y varios gigavatios.
La introducción de la tecnología de transmutación de neutrones en los años setenta
del pasado siglo hizo posible la fabricación de dispositivos semiconductores de
potencia con tensiones de bloqueo de más de 1.000 V. Sólo esta técnica permite
producir silicio con la homogeneidad de dopado requerida, en esta categoría de
tensiones el tiristor era el único dispositivo cuya tecnología se dominaba
correctamente.
Pero sus aplicaciones eran muy limitadas, ya que este dispositivo no permitía el
corte de Corriente alterna cuando el usuario lo necesitaba. En los años ochenta y
noventa se unieron al tiristor varios dispositivos con capacidad de corte: el tiristor de
corte de puerta o GTO (Gate Turn-Off Thyristor) y, posteriormente, El Transistor
Bipolar con puerta aislada o IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) y el tiristor
conmutado con puerta integrada o IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor).
Durante las últimas décadas los semiconductores de potencia han revolucionado
las aplicaciones con interruptores de potencia de silicio, convirtiéndolos en
dispositivos muy eficientes, fiables y de cómoda aplicaciones en el manejo de alta
tensión e intensidad, que está en el orden de los gigavatios. La más avanzada
tecnología de transmisión de energía eléctrica y los sectores de estabilización de
redes, no serían posibles sin la existencia de soluciones basadas en componentes
semiconductores de potencia.
Dado que la eficiencia y fiabilidad de los dispositivos semiconductores depende
estrechamente de las condiciones de servicio y del diseño físico del sistema
(eléctrico, térmico, mecánico).

4.-MATERIALES MAGNETICOS
4.1 Introducción a los materiales magnéticos
En algunos materiales, a los que llamaremos materiales magnéticos, se observa
que sus átomos o iones se comportan como si fuesen pequeños imanes que
interactúan entre sí. En estos casos se dice que los átomos tienen un momento
magnético diferente de cero, el cual se caracteriza por su magnitud y la dirección en
la que está orientado. En lo sucesivo, a estos pequeños imanes los denominaremos
espines magnéticos o simplemente espines.
Pero no todos estos materiales se comportan de la misma manera, debido a que
sus propiedades magnéticas dependen de dos factores. Éstos son: la magnitud de
sus espines individuales, y la orientación relativa de éstos: Si los espines no
tuviesen ninguna interacción, ya sea entre ellos o con sus alrededores, entonces
cada uno de ellos podría apuntar en cualquier dirección, puesto que no tendría
preferencia alguna. Sin embargo, éste no es en general el caso: la orientación que
tomará cada uno de ellos dependerá del balance de varios factores que pueden
resumirse en factores internos y externos.

Como su nombre lo indica, los factores internos dependen de las características

intrínsecas de cada material, esto es, del tipo de interacciones entre los espines.
Por otro lado, los factores externos son los que están relacionados con el ambiente,
es decir, que dependen de la interacción del sistema con sus alrededores. Como
ejemplo de factores externos tenemos la posible existencia de un campo magnético
producido por una fuente ajena al material, y por otro lado, de manera muy
importante, la temperatura ambiental, ya que el medio ambiente funciona como una
fuente de calor y agitación para el material.

Un ejemplo típico de un material magnético, que todos conocemos, es el de los

imanes permanentes. En este caso, una gran parte de los espines está alineada
permanentemente en la misma dirección relativa. Y aunque el campo producido por
cada uno estos espines son muy pequeño, al sumarse sus contribuciones
individuales se produce un campo magnético que puede observarse
macroscópicamente.

En el otro extremo tenemos los materiales paramagnéticos. En estos materiales los

espines apuntan en direcciones totalmente azarosas, por lo que las contribuciones
de los espines individuales tienden a anularse. Como consecuencia, a nivel
macroscópico no se observa un campo magnético resultante. Sin embargo, existen
localmente pequeños campos magnéticos producidos por los espines, y un pequeño
"imán de prueba" sentirá las variaciones de este campo a lo largo del material.

5.- DIELECTRICOS
Un material dieléctrico es una sustancia que es un mal conductor de la electricidad,
pero un defensor eficaz de campo electrostáticos. Si el flujo de corriente entre los
polos opuestos de carga eléctrica se mantiene a un minuto mientras que las líneas
de flujo de electrostática no se impide o se interrumpe, un campo electrostático
puede almacenar la energía. Esta propiedad es útil en el condensador,
especialmente en las frecuencias de radio. Los materiales dieléctricos son utilizados
en la construcción de líneas de transmisión de radiofrecuencia. Faraday descubrió
que cuando el espacio entre los dos conductores de un condensador se ve ocupado
por un dieléctrico, la capacidad aumenta en un factor K que es característico del
dieléctrico y que se denomina constante dieléctrica.
Un dieléctrico debilita el campo eléctrico entre las placas de un condensador pues,
en presencia de un campo eléctrico extremo, las moléculas del dieléctrico
producen un campo eléctrico extremo, las moléculas del dieléctrico producen un
campo eléctrico adicional de sentido opuesto al del campo externo. Si el campo
eléctrico original entre las placas de un condensador sin dieléctrico es Eo.

5.1 Permitividad
La permitividad está determinada por la tendencia de un material a polarizarse ante
la aplicación de un campo eléctrico y de esa forma anular parcialmente el campo
interno del material. Está directamente relacionada con la susceptibilidad eléctrica.
Por ejemplo, en un condensador una alta permitividad hace que la misma cantidad
de carga eléctrica se almacene con un campo eléctrico menor y, por ende, a un
potencial menor, llevando a una mayor capacitancia de este. Es una magnitud física
de carácter escalar. Su unidad en el Sistema Internacional es el F/m.
En electromagnetismo se define un campo de desplazamiento eléctrico D , que
representa cómo un campo eléctrico E influirá la organización de las cargas
eléctricas en el medio, por ejemplo, redistribución de cargas y reorientación de
dipolos eléctricos. La relación de ambos campos (para medios lineales) con la
permitividad es D= ε * E donde ε es un escalar si el medio es [isótropo] o una matriz
de 3 por 3 en otros casos. La permitividad, tomada en función de la frecuencia,
puede tomar valores reales o complejos. Generalmente no es una constante ya que
puede variar con la posición en el medio, la frecuencia del campo aplicado, la
humedad o la temperatura, entre otros parámetros. En un medio no lineal, la
permitividad puede depender de la magnitud del campo eléctrico. La unidad de
medida en el Sistema Internacional es el faradio por metro (F/m). El campo de
desplazamiento D se mide en culombios por metro cuadrado (C/m 2), mientras que
el campo eléctrico E se mide en voltios por metro (V/m).
D y E representan el mismo fenómeno, la interacción entre objetos cargados. D está
relacionado con las densidades de carga asociada a esta interacción. E se relaciona
con las fuerzas y diferencias de potencial involucrada. La permitividad del vacío ε0
, es el factor de escala que relaciona los valores de D y E en ese medio ε0. es igual
a 8.8541878176...×10 -12 F/m. Las unidades de ε0 en el Sistema Internacional de
Unidades es farad por metro (F/m). En el Sistema Internacional de Unidades, la
fuerza se mide en newton (N), la carga en coulomb (C), la distancia en metros (m),
y la energía en julios (J). Como en todas las ecuaciones que describen fenómenos
físicos, usar un sistema consistente de unidades es esencial.
5.3 Tercera ley de coulomb
La Ley de Coulomb, que establece cómo es la fuerza entre dos cargas eléctricas
puntuales, constituye el punto de partida de la Electrostática como ciencia
cuantitativa.
Fue descubierta por Priestley en 1766, y redescubierta por Cavendish pocos años
después, pero fue Coulomb en 1785 quien la sometió a ensayos experimentales
directos.
Entendemos por carga puntual una carga eléctrica localizada en un punto
geométrico del espacio. Evidentemente, una carga puntual no existe, es una
idealización, pero constituye una buena aproximación cuando estamos estudiando
la interacción entre cuerpos cargados eléctricamente cuyas dimensiones son muy
pequeñas en comparación con la distancia que existen entre ellos.
La Ley de Coulomb dice que "la fuerza electrostática entre dos cargas puntuales es
proporcional al producto de las cargas e inversamente proporcional al cuadrado de
la distancia que las separa, y tiene la dirección de la línea que las une. La fuerza es
de repulsión si las cargas son de igual signo, y de atracción si son de signo
contrario".
Es importante hacer notar en relación a la ley de Coulomb los siguientes puntos:
a) cuando hablamos de la fuerza entre cargas eléctricas estamos siempre
suponiendo que éstas se encuentran en reposo (de ahí la denominación de
Electrostática);
Nótese que la fuerza eléctrica es una cantidad vectorial, posee magnitud, dirección
y sentido.
b) las fuerzas electrostáticas cumplen la tercera ley de Newton (ley de acción y
reacción) es decir, las fuerzas que dos cargas eléctricas puntuales ejercen entre sí
son iguales en módulo y dirección, pero de sentido contrario:
Fq 1 → q 2 = −Fq 2 → q 1 ;

En términos matemáticos, esta ley se refiere a la magnitud F de la fuerza que cada

una de las dos cargas puntuales q 1 y q 2 ejerce sobre la otra separada por una
distancia r y se expresa en forma de ecuación como: