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EI Tema 3.2.transistor Potencia PDF
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El transistor de
.2
potencia
Electrónica Industrial 32
3.2
A Introducción a los transistores de potencia
• bipolar.
• unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
• IGBT.
El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, más la capacidad de car-
ga en corriente de los transistores bipolares:
Nos interesa, como siempre que tratamos con dispositivos semiconductores de poten-
cia que el transistor se parezca, lo más posible, a un elemento ideal:
• Pequeñas fugas.
• Alta potencia.
• Bajos tiempos de respuesta (ton, toff), para conseguir una alta frecuencia de fun-
cionamiento.
• Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado
• Que no se produzcan “puntos calientes” (grandes di/dt ).
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3.2
El transistor de potencia
les de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector - base y
base - emisor y los tiempos de difusión y recombinación de los portadores.
Es una característica común, sin embargo, el hecho de que la potencia que consume
el terminal de control (base o puerta) es siempre más pequeña que la potencia mane-
jada en los otros dos terminales.
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B El transistor bipolar de potencia (BJT)
Cuando el transistor está en saturación o en corte las pérdidas son despreciables. Pe-
ro si tenemos en cuenta los efectos de retardo de conmutación, al cambiar de un esta-
do a otro se produce un pico de potencia disipada, ya que en esos instantes el produc-
to iC x vCE va a tener un valor apreciable, por lo que la potencia media de pérdidas en
el transistor va a ser mayor. Estas pérdidas aumentan con la frecuencia de trabajo,
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El transistor de potencia
debido a que al aumentar ésta, también lo hace el número de veces que se produce el
paso de un estado a otro.
• Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo que transcurre desde el ins-
tante en que se aplica la señal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta
que la señal de salida alcanza el 10% de su valor final.
• Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea la señal de salida en
evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final.
• Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts): Tiempo que transcurre desde
que se quita la excitación de entrada y el instante en que la señal de salida ba-
ja al 90% de su valor final.
• Tiempo de caída (Fall time, tf): Tiempo que emplea la señal de salida en evo-
lucionar entre el 90% y el 10% de su valor final.
ton = td + tr
toff = ts + tf
Es de hacer notar el hecho de que el tiempo de apagado (toff) será siempre mayor que
el tiempo de encendido (ton), como ocurre en la mayoría de los conmutadores, tal y
como se muestra en la siguiente figura.
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B El transistor bipolar de potencia (BJT)
Los tiempos de encendido (ton) y apagado (toff) limitan la frecuencia máxima (fmax) a la
cual puede conmutar el transistor:
1
f max =
t on + t off
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El transistor de potencia
4. Voltaje de ruptura de la unión colector emisor BVCEO. Nunca debe permitirse que
el valor instantáneo de vce exceda de BVCEO; de otra manera, ocurrirá la ruptura de
avalancha de la unión entre colector y base.
Finalmente, debe mencionarse que por lo general se utilizan escalas logarítmicas para
ic y vce que llevan a un límite de área de operación sin riesgo (SOA) formada por líneas
rectas.
Las cargas inductivas someten a los transistores a las condiciones de trabajo más des-
favorables dentro de la zona activa, en el sentido de que se oponen a las variaciones
de corriente que imponen los transistores al conmutar de saturación a corte y vicever-
sa.
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B El transistor bipolar de potencia (BJT)
a) Diodo Zéner en paralelo con el transistor (la tensión nominal zéner ha de ser supe-
rior a la tensión de la fuente Vcc).
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El transistor de potencia
de donde :
C. El transistor MOSFET
El nombre de MOSFET, viene dado por las iniciales de los elementos que los compo-
nen; una fina película metálica (Metal -M); oxido de silicio (Óxido - O); región semicon-
ductora (Semiconductor- S).
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C El transistor MOSFET
La principal diferencia entre los Transistores Bipolares (BJT) y los Mosfet consiste en
que estos últimos son controlados por tensión aplicada en la puerta (G) y requieren
solo una pequeña corriente de entrada, mientras que los transistores Bipolares (BJT),
son controlados por corriente aplicada a la base.
• Los Mosfet tienen el problema de ser muy sensibles a las descargas electrostá-
ticas y requieren un embalaje especial.
• Es relativamente difícil su protección.
• Los Mosfet son más caros que sus equivalentes bipolares.
• La resistencia estática entre Drenador-Surtidor, es más grande, lo que provoca
mayores perdidas de potencia cuando trabaja en Conmutación.
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El transistor de potencia
La curva característica nos da información acerca de como varía la intensidad del dre-
nador (id) para una tensión fija (vds), y variando la tensión aplicada entre la puerta y el
surtidor (vgs). En particular, en la siguiente figura se apreciar la curva característica de
un n-MOSFET de enriquecimiento.
Las características reales del MOSFET se dividen en tres regiones, tal y como se pue-
de observar en la gráfica anterior.
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C El transistor MOSFET
Región de Corte
En la figura anterior se puede ver como existen corrientes residuales (muy pequeñas),
cuando el dispositivo está en corte. Si la tensión aplicada entre Puerta – Surtidor es inferior
a Vth (normalmente superior a 2 voltios, para los Mosfet de potencia), el dispositivo continuará
en la región de corte. En esta región la corriente que circula por el drenador es prácticamente
nula.
En esta región se utiliza el transistor Mos como amplificador. Para un valor de vgs, que
será como mínimo Vgs(th) se produce el paso de corriente entre el drenador y el surtidor.
Región Óhmica
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3.2
El transistor de potencia
D. El transistor IGBT
El IGBT (Insulate Gate Bipolar Transistor) combina las ventajas de los BJT y los Mos-
fet. Tiene una impedancia de entrada elevada, como los Mosfet y bajas perdidas en
conmutación, como los BJT, pero sin el problema de segunda ruptura, por lo que pue-
de trabajar a elevada frecuencia y con grandes intensidades.
Los IBGT fueron inventados hace poco tiempo, pero su evolución ha sido rápida debi-
do a que han demostrado tener una resistencia en conducción muy baja y una elevada
velocidad de conmutación (la transición desde el estado de conducción al de bloqueo
se puede considerar de unos dos microsegundos, y la frecuencia puede estar en el
rango de los 50KHz), además de una elevada tensión de ruptura. Los IGBT se fabrican
desde una tensión de 1400V y una corriente de 300A, a una tensión de 600V y una
corriente de 50A.
El control por tensión hace que el IGBT sea más rápido que el BJT, pero más lento
que el Mosfet. La energía aplicada a la puerta que activa el dispositivo es pequeña con
una corriente del orden de los nanoamperios, esta pequeña potencia necesaria para
conmutar el dispositivo, hace que pueda ser controlado por circuitos integrados.
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