UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS

ESPE-L
ASIGNATURA: ELECTRÓNICA GENERAL CARRERA: ING. MECATRÓNICA
NOMBRE: ERIKA CENTENO NIVEL: QUINTO NRC: 1793
PATRICIO CHANCUSIG
DENNIS PUENTES
TEMA: DIODOS SEMICONDUCTORES FECHA: 24/05/2017

1. Tema:
Diodos semiconductores
2. Objetivo General:

Comprobar el funcionamiento de los diodos semiconductores

3. Objetivos Específicos:
 Identificar los terminales del diodo semiconductor
 Comprobar el comportamiento del diodo en polarización directa e inversa.
 Visualizar el funcionamiento del diodo en diferentes configuraciones.
4. Marco Teórico:
4.1. Generalidades de diodos
Un diodo es un dispositivo que conduce corriente en solo una dirección. La unión
pn es la característica que permite funcionar a diodos, ciertos transistores y otros
dispositivos.
Es un dispositivo semiconductor de 2 capas una tipo P (terminal ánodo) y una
tipo N (terminal cátodo). Idealmente se comporta como un interruptor, sus
principales aplicaciones son: Circuitos rectificadores y Circuitos de protección
de retorno de corriente. [1]

4.2. Explicación funcionamiento diodo

(Curvas)
Diodo sin polarización:

4.3. Circuitos equivalentes

(Ideal y 1ra aproximación)

Diodo:

Pág.: 1/10
Un diodo es un dispositivo que conduce corriente en sólo una dirección. La unión pn
es la característica que permite funcionar a diodos, ciertos transistores y otros
dispositivos. [1]

Polarización de un Diodo:

En general el término polarización se refiere al uso de un voltaje de cc para establecer

ciertas condiciones de operación para un dispositivo electrónico. En relación con un
diodo existen dos condiciones: en directa y en inversa. Cualquiera de estas
condiciones de polarización se establece conectando un voltaje de cc suficiente y con
la polaridad apropiada a través de la unión pn. [2]

Polarización en Directa:

Es la condición que permite la circulación de corriente a través de la unión pn. Para

que se produzca la polarización en directa el lado negativo del VPOLARIZACIÓN está
conectado a la región n del diodo y el lado positivo está conectado a la región p.
Además se debe tomar en cuenta que el VPOLARIZACIÓN debe ser más grande que el
potencial de barrera. [1]

Figura1.- Polarización Directa

Autor: Floyd Thomas.

Polarización en Inversa:

Es la condición que en esencia evita la circulación de corriente a través del diodo. El

lado positivo del VPOLARIZACIÓN está conectado a la región n y el lado negativo está
conectado a la región p. [1]

Pág.: 2/10
 Figura2.- Polarización en Inversa.

Autor: Floyd Thomas.

5. Materiales Utilizados:

Tabla 1 Materiales Utilizasdos

MATERIALES CANTIDAD CARACTERÍSTICAS GRÁFICO

Resistencias de:
La resistencia eléctrica es la
4.7KΩ,5.6KΩ,2 5 oposición (dificultad) al
KΩ,1KΩ paso de la corriente
eléctrica.

Un diodo muy usado en

Diodos 1N4007
electrónica como
(Si) 5 rectificador en fuentes de
alimentación y supresor de
picos en bobinas.

Es un tablero con orificios

Protoboard 1 conectados eléctricamente
entre sí.

Pág.: 3/10
 Multímetro de Es un instrumento eléctrico
1 portátil para medir
mano
directamente magnitudes
eléctricas activas

Fuente de Tiene una regulación lineal

alimentación DC 1 estable y se fabrica con las
últimas tecnologías.

Cables para la
fuente y el
3 Cables que permiten la
multímetro. conexión.

6. Cálculos
6.1. Dimensionamiento y selección de resistencia limitadora

Datos:
Vf=0.93v
Imax=1 A
Vrrm=1000v

Resistencia limitadora 𝑉 − 𝑉𝐹
𝑅𝑙𝑖𝑚 =
𝐼𝐷𝑚𝑎𝑥
𝑃𝐷𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝐷𝑚𝑎𝑥 ∗ 𝑉𝐹 15𝑉 − 0.93𝑉
𝑅𝑙𝑖𝑚 =
𝑃𝐷𝑚𝑎𝑥 = 1(𝐴) ∗ (0.93𝑤) 1𝐴
𝑷𝑫𝒎𝒂𝒙 = 𝟎. 𝟗𝟑𝒘 𝑅𝑙𝑖𝑚 = 14.07Ω
𝑹𝒍𝒊𝒎 ≥ 𝟏𝟒. 𝟎𝟕Ω
𝑉 − 𝑉𝐹
𝐼𝐷𝑚𝑎𝑥 =
𝑅𝐿𝑖𝑚 𝑃𝑅 = 𝐼 2 ∗ 𝑅
𝑃𝑅 = (1𝐴)2 ∗ (14.07Ω)

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 𝑷𝑹 = 𝟏𝟒. 𝟎𝟕𝒘 𝑃𝑅 = (2.38 ∗ 10−3 )2 ∗ (1.5 ∗ 103 )
Resistencia comercial 1,5KΩ 𝑷𝑹 = 𝟎. 𝟏𝟑𝒘
𝑉 − 𝑉𝐹
𝐼𝐷𝑚𝑎𝑥 =
𝑅𝐿𝑖𝑚
15𝑉 − 0.93𝑉
𝐼𝐷𝑚𝑎𝑥 =
1.5𝐾Ω
𝑰𝑫𝒎𝒂𝒙 = 𝟗. 𝟑𝟖𝒎𝑨

𝑃𝑅 = 𝐼 2 ∗ 𝑅

6.2. Cálculos polarización directa

𝑉𝐷 = 0,1𝑉
𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴
𝑉𝐷 = 0,2𝑉
𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴
𝑉𝐷 = 0,3𝑉
𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴
𝑉𝐷 = 0,4𝑉
𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴
𝑉𝐷 = 0,5𝑉
𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴
𝑉𝐷 = 0,6𝑉
𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴
𝑉𝐷 = 0,65𝑉
𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴
𝑉𝐷 = 0,7𝑉
𝑉 − 𝑉𝐹
𝐼𝐷 =
𝑅𝐿𝑖𝑚
0,7𝑉 − 0,7𝑉
𝐼𝐷 =
1,5𝑘Ω
𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴
𝑉𝐷 = 0,7𝑉

Pág.: 2/10
 𝑉 − 𝑉𝐹
𝐼𝐷 =
𝑅𝐿𝑖𝑚
0,8𝑉 − 0,7𝑉
𝐼𝐷 =
1,5𝑘Ω
𝐼𝐷 = 0,0667 𝑚𝐴
𝑉𝐷 = 0,7𝑉
𝑉 − 𝑉𝐹
𝐼𝐷 =
𝑅𝐿𝑖𝑚
0,9𝑉 − 0,7𝑉
𝐼𝐷 =
1,5𝑘Ω
𝐼𝐷 = 0,133 𝑚𝐴
𝑉𝐷 = 0,7𝑉
𝑉 − 𝑉𝐹
𝐼𝐷 =
𝑅𝐿𝑖𝑚
1𝑉 − 0,7𝑉
𝐼𝐷 =
1,5𝑘Ω
𝐼𝐷 = 0,2 𝑚𝐴
𝑉𝐷 = 0,7𝑉
𝑉 − 𝑉𝐹
𝐼𝐷 =
𝑅𝐿𝑖𝑚
1,5𝑉 − 0,7𝑉
𝐼𝐷 =
1,5𝑘Ω
𝐼𝐷 = 0,533 𝑚𝐴
𝑉 − 𝑉𝐹
𝐼𝐷 =
𝑅𝐿𝑖𝑚
2𝑉 − 0,7𝑉
𝐼𝐷 =
1,5𝑘Ω
𝐼𝐷 = 0,867 𝑚𝐴
𝑉 − 𝑉𝐹
𝐼𝐷 =
𝑅𝐿𝑖𝑚
3𝑉 − 0,7𝑉
𝐼𝐷 =
1,5𝑘Ω
𝐼𝐷 = 1,53 𝑚𝐴
𝑉 − 𝑉𝐹
𝐼𝐷 =
𝑅𝐿𝑖𝑚

Pág.: 5/10
 4𝑉 − 0,7𝑉
𝐼𝐷 =
1,5𝑘Ω
𝐼𝐷 = 2,2 𝑚𝐴
𝑉 − 𝑉𝐹
𝐼𝐷 =
𝑅𝐿𝑖𝑚
6𝑉 − 0,7𝑉
𝐼𝐷 =
1,5𝑘Ω
𝐼𝐷 = 3,53 𝑚𝐴
𝑉 − 𝑉𝐹
𝐼𝐷 =
𝑅𝐿𝑖𝑚
8𝑉 − 0,7𝑉
𝐼𝐷 =
1,5𝑘Ω
𝐼𝐷 = 4,87 𝑚𝐴
𝑉 − 𝑉𝐹
𝐼𝐷 =
𝑅𝐿𝑖𝑚
10𝑉 − 0,7𝑉
𝐼𝐷 =
1,5𝑘Ω
𝐼𝐷 = 6,2 𝑚𝐴
𝑉 − 𝑉𝐹
𝐼𝐷 =
𝑅𝐿𝑖𝑚
12𝑉 − 0,7𝑉
𝐼𝐷 =
1,5𝑘Ω
𝐼𝐷 = 7,53 𝑚𝐴
𝑉 − 𝑉𝐹
𝐼𝐷 =
𝑅𝐿𝑖𝑚
14𝑉 − 0,7𝑉
𝐼𝐷 =
1,5𝑘Ω
𝐼𝐷 = 8,867 𝑚𝐴
𝑉 − 𝑉𝐹
𝐼𝐷 =
𝑅𝐿𝑖𝑚
15𝑉 − 0,7𝑉
𝐼𝐷 =
1,5𝑘Ω
𝐼𝐷 = 9,53 𝑚𝐴
6.3. Cálculos polarización inversa

𝑉𝑖𝑛 = 𝑉𝐷

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 𝑉𝐷 = 0,1𝑉
𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴
𝑉𝑖𝑛 = 𝑉𝐷
𝑉𝐷 = 0,5𝑉
𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴
𝑉𝑖𝑛 = 𝑉𝐷
𝑉𝐷 = 1𝑉
𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴
𝑉𝑖𝑛 = 𝑉𝐷
𝑉𝐷 = 2𝑉
𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴
𝑉𝑖𝑛 = 𝑉𝐷
𝑉𝐷 = 4𝑉
𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴
𝑉𝑖𝑛 = 𝑉𝐷
𝑉𝐷 = 6𝑉
𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴
𝑉𝑖𝑛 = 𝑉𝐷
𝑉𝐷 = 8𝑉
𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴
𝑉𝑖𝑛 = 𝑉𝐷
𝑉𝐷 = 10𝑉
𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴
𝑉𝑖𝑛 = 𝑉𝐷
𝑉𝐷 = 12𝑉
𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴
𝑉𝑖𝑛 = 𝑉𝐷
𝑉𝐷 = 14𝑉
𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴

6.4. Cálculos circuito mixto

7𝑉 − 0.7𝑉 − 100𝐼𝐴 − 0.7𝑉 − 1 ∗ 103 𝐼𝐴 + 3𝑉 = 0

Pág.: 7/10
 −8.6𝑉
𝐼𝐴 =
−1100Ω
𝐼𝐴 = 7.8182 ∗ 10−3 𝐴
𝑰𝑨 = 𝟕. 𝟖𝟏𝟖𝟐𝒎𝑨
𝑰𝟏 = 𝟕. 𝟖𝟏𝟖𝟐𝒎𝑨

𝐼5 = −𝐼𝐴
𝑰𝟓 = −𝟕. 𝟖𝟏𝟖𝟐𝒎𝑨

𝐼𝐴
𝐼4 ⌃𝐼3 =
2
7.8182 ∗ 10−3 𝐴
𝐼3 =
2
𝐼3 = 3.9091 ∗ 10−3 𝐴
𝑰𝟑 = 𝟑. 𝟗𝟎𝟗𝟏𝒎𝑨
𝑰𝟒 = 𝟑. 𝟗𝟎𝟗𝟏𝒎𝑨

3𝑉 + 𝑉2 − 0.7𝑉 − 1 ∗ 10−3 𝐼𝐴 = 0
3𝑉 + 𝑉2 − 0.7𝑉 − 1 ∗ 103 (7.8182 ∗ 10−3 𝐴) = 0
𝑽𝟐 = 𝟓. 𝟓𝟏𝟖𝟐𝑽

7𝑉 − 0.7𝑉 − 2.2 ∗ 103 𝐼2 − 𝑉1 = 0

−𝑉1 = −7𝑉 + 0.7𝑉 − (2.2 ∗ 103 Ω)
𝑽𝟏 = 𝟔. 𝟑𝑽

7. Simulaciones
7.1. Generalidades software usado
7.2. Simulaciones polarización directa

Pág.: 8/10
Pág.: 9/10
Pág.: 10/10
7.3. Simulaciones polarización inversa

Pág.: 11/10
Pág.: 12/10
 7.4. Simulaciones circuito mixto

8. Procedimiento:
8.1. Verificación estado del diodo
1. Se utilizó el multímetro para realizamos la prueba con el óhmetro.

Pág.: 13/10
 2. Colocamos los terminales del diodo en polarización directa con el
multímetro, esto nos debe medir una resistencia baja.
3. Colocamos los terminales del diodo en polarización inversa con el
multímetro, esto nos debe medir una resistencia alta.
4. De esta forma se comprueba que el diodo funciona correctamente.
5. Si se muestra una lectura que muestra un nivel alto de resistencia en ambas
direcciones, se trata de una condición abierta (dispositivo defectuoso)
6. Si se obtiene una lectura que muestra un nivel muy bajo de resistencia en
ambas direcciones, se trata de probablemente de un dispositivo en corto.
8.2. Circuito en polarización directa
1. Utilizamos el multímetro para realizamos la prueba con el óhmetro.

8.3. Circuito en polarización inversa

1. Utilizamos el multímetro para realizamos la prueba con el óhmetro.

8.4. Circuito mixto

1) Arme el circuito de la figura 3 del trabajo preparatorio (usando la Resistencia
seleccionada en el trabajo preparatorio) y mida el voltaje y corriente a través del
diodo, a los valores de voltajes de entrada mostrados en la tabla 2.

Figura 3.- Polarización en Inversa.

Tabla 2 Valores medidos para el diodo en polarización directa.

2) Con la información de la tabla 2 y haciendo uso de papel milimetrado, grafique la

curva real de operación del diodo en polarización directa. (Éste ítem realizarlo en
el informe de práctica).
3) Invierta la polaridad de la fuente del circuito del apartado anterior (diodo en
polarización inversa) y mida el voltaje y corriente a través del diodo, a los valores
de voltajes de entrada mostrados en la tabla 3.
4) Arme el circuito de la figura 4 del trabajo preparatorio y mida los parámetros
indicados en la tabla 4.

Pág.: 14/10
 Figura 4.- Circuito con diodos en conexión mixta.

Tabla 3 Valores medidos para el circuito en conexión mixta.

9. Análisis de Resultados
9.1. Estado diodo

Resistencia en polarización directa: 45,20 kΩ

Resistencia en polarización inversa: 73,50 kΩ
9.2. Polarización directa
Calculado Simulado Medido

Vin(V) Vd Vr Id Ir Vd Vr Id Ir Vd Vr Id Ir

9 0.65 8.35 4.2 4.2

9.3. Polarización inversa

Calculado Simulado Medido

Vin(V) Vd Vr Id Ir Vd Vr Id Ir Vd Vr Id Ir

9 9 0.00 0.00 0.00

9.4. Polarización directa con fuente variable

Calculado Simulado Medido

Vin(V) Vd Vr Id Ir Vd Vr Id Ir Vd Vr Id Ir

Pág.: 15/10
 3 0.63 2.37 2.3 2.3

4 0.64 3.34 3.33 3.33

5 0.65 4.33 4.3 4.3

6 0.66 5.37 5.4 5.4

7 0.67 6.35 6.35 6.35

8 0.68 7.37 7.4 7.4

9 0.66 8.33 8.4 8.4

10 0.69 9.33 9.4 9.4

9.5. Polarización directa con una resistencia en paralelo a la resistencia actual

Vd

Vr1

Vr2
Calculado
Id

Ir1

Ir2

Vd

Vr1
Simulado
Vr2

Id

Pág.: 16/10
 Ir1

Ir2

Vd 0.71 V

Vr1 8.27 V

Vr2 8.27 V
Medido
Id 16.7 mA

Ir1 8.3 mA

Ir2 8.3 mA

9.6. Polarización directa con un diodo en paralelo a las resistencias

Vd1

Vd2

Vr1

Vr2
Calculado
Id1

Id2

Ir1

Ir2

Vd1
Simulado
Vd2

Pág.: 17/10
 Vr1

Vr2

Id1

Id2

Ir1

Ir2

Vd1 0.86 V

Vd2 0.9 V

Vr1 0.88 V

Vr2 0.86 V
Medido
Id1 1.14 A

Id2 1.13 A

Ir1 0.9 mA

Ir2 0.9 mA

10. Conclusiones
11. Recomendaciones
(Opcional)
12. Referencias bibliográficas
(ieee)
13. Anexos
(firmas, datasheet, fotos,etc)
Resultados por calculos

Pág.: 18/10
R min

𝑃𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐷 ∗ 𝐼𝑚𝑎𝑥

3𝑤
𝐼𝑚𝑎𝑥 =
0.7

𝐼𝑚𝑎𝑥 = 4.28𝐴

𝑉𝑠𝑚𝑎𝑥 − 0.7
𝐼𝑚𝑎𝑥 =
𝑅
5 − 0.7
𝑅=
4.28

𝑅=1

R comercial 20 veces más grande

𝑅𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙 = 1 × 20

𝑅𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙 = 20

𝑅𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙 = 33

Calculo de ID con la R comercial

𝑉𝑖𝑛
𝐼𝐷 =
𝑅𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙

Vin VD ID
0.1 V 0 0
0.2 V 0 0
0.3 V 0 0
0.4 V 0 0
0.5 V 0 0
0.6 V 0 0
0.65 V 0 0
0.7 V 0.7 0.021
0.75 V 0.7 0.0227
0.8 V 0.7 0.02
0.9 V 0.7 0.027
1V 0.7 0.030
1.5 V 0.7 0.045
2V 0.7 0.0606
2.5 V 0.7 0.0757
3V 0.7 0.0909
3.5 V 0.7 0.106
4V 0.7 0.1212
5V 0.7 0.1515
Valores medidos para el diodo en polarización directa.

Vin VD ID

Pág.: 19/10
 1V 1 0
2V 2 0
3V 3 0
4V 4 0
5V 5 0
Valores medidos para el diodo en polarización inversa.

Segundo circuito

−7𝑣 + 0.7𝑣 + 100𝐼𝐴 + 0.7𝑣 + 1000𝐼𝐴 − 3𝑣 = 0

−8.6𝑣 + 𝐼𝐴 1100 = 0

8.6
𝐼𝐴 =
1100

𝐼𝐴 = 7.8182 ∗ 10−3 𝐴

−3𝑣 − 𝑣2 + 0.7 + 1000 ∗ 𝐼𝐴 = 0

−𝑣2 − 2.3 + 1000(7.8182 ∗ 10−3 ) = 0

𝑣2 = 5.5182𝑣

0.7𝑣 + 1000 ∗ 𝐼3∇4 − 3𝑣 = 0

𝐼3∇4 = 2.3 ∗ 10−3 𝐴

𝐼3 = 1.15 ∗ 10−3 𝐴

𝐼4 = 1.15 ∗ 10−3 𝐴

𝐼1 = 𝐼𝐴 = 7.8182 ∗ 10−3 𝐴

−(𝐼4 + 𝐼5 + 𝐼3 ) = 𝐼𝐴

𝐼3 = −5.5182 ∗ 10−3 𝐴

𝐼5 = −5.5182 ∗ 10−3 𝐴

Parámetro I1(mA) I2 (mA) I3 (mA) I4 (mA) I5 (mA) V1 (V) V2(V)

Valor
calculad 7,8182 0 3.9 3.9 -7.8182 6.3 5.55
o Valores medidos para el circuito en conexión mixta.

Resultados por práctica en el laboratorio

Vin VD ID
0.1 V 0.1130 0.03 uA
0.2 V 0.2238 0.12 uA

Pág.: 20/10
 0.3 V 0.2824 0.36 uA
0.4 V 0.3877 20.40 uA
0.5 V 0.5277 32.20 uA
0.6 V 0.5930 146.22uA
0.65 V 0.5940 147.22uA
0.7 V 0.6325 175.16uA
0.75 V 0.63 177.16uA
0.8 V 0.6682 9.42 mA
0.9 V 0.6787 8.47 mA
1V 0.7 8.84 mA
1.5 V 7382 23.85 mA
2V 0.7945 38.36 mA
2.5 V 0.7683 51.93 mA
3V 0.7760 67.47 mA
3.5 V 0.7842 82.57 mA
4V 0.7895 96.65 mA
5V 0.8013 124.50mA
Valores medidos para el diodo en polarización directa.

Vin VD ID
1V 1.0069 0.04 uA
2V 2.058 0.11 uA
3V 3.042 0.22 uA
4V 4.0158 0.28 uA
5V 5.0415 0.34 uA
Valores medidos para el diodo en polarización inversa.

Parámetro I1(mA) I2 (mA) I3 (mA) I4 (mA) I5 (mA) V1 (V) V2(V)

Valor
calculad 10.23 0.09 3.15 3.15 10.21 6.312 5.32
o Valores medidos para el circuito en conexión mixta.

Los resultados obtenidos por calculos comparados con los de la práctica son
levemente variables, entonces se comprobo que los resultados de las cálculos son
correctos ya que coinciden con los de la práctica.

14. Conclusiones:
 La importancia de incorporar la practica con la parte teórica permite que los
estudiantes relacionen los conceptos aprendido con anterioridad de manera más
efectiva permitiéndoles que cualquier duda que se llegó a generar sea respondida.
 La interacción de los señores estudiantes en el laboratorio permite que conozcan
de mejor manera los instrumentos de medida.
15. Recomendaciones:

Pág.: 21/10
  Se recomienda que los señores estudiantes revisen con anterioridad los datasheet
de los integrados a utilizarse en la práctica, evitando demora en la realización de
las mismas.
 Realizar las simulaciones con anterioridad evitando que la elaboración se demore
más del tiempo necesario para su ejecución.
 Todos los integrantes de cada grupo de trabajo deben practicar en el laboratorio
de practica.

16. Anexos:

Pág.: 22/10
Pág.: 23/10
Pág.: 24/10
Pág.: 25/10
Bibliografía:
[1] T. Floyd, Dispositivos Electrónicos, México: Pearson Educación,
2008.
[2] B. y. Nashelsky, Teoría de circuitosd y dispositivos electrónicos,
México: Pearson Prentice Hall, 2009.

Pág.: 26/10