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1.conceptos Basicos de Microstrip PDF
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1.2 Aplicaciones
Antenas para redes locales wireles (WLAN)
También llamadas líneas de transmisión planas, las líneas de cinta son las
más utilizadas en RF y microondas.
Se llama de esa forma a todas las líneas de transmisión que se componen
de un conductor plano que se encuentra sobre un medio dieléctrico que aísla el
conductor de un plano de tierra.
Este tipo de líneas comprende en la actualidad la base de los circuitos
impresos para alta frecuencia (MMIC, por sus siglas en ingles: Monolithic
Integrated Microwave Circuits) y para crear componentes de circuitos como
filtros, acopladores, resonadores, antenas y otros.
Existen diversas variantes de las líneas de cinta, dentro de las cuales las
más usadas son la línea de cinta propiamente dicha (stripline) y la línea de
microcinta (microstrip). Por dicho motivo, es necesario establecer las
diferencias esenciales entre ambas tecnologías, a fin de evacuar dudas con las
que será necesario no contar más adelante, cuando nos interioricemos en el
funcionamiento de las antenas.
Las striplines están formadas por dos cintas conductoras paralelas puestas
a tierra y una cinta
conductora (de señal)
interna entre ellas. El
ancho w de la cinta de
señal es pequeño frente al
ancho de las cintas de
tierra, de manera que éstas
pueden considerarse planos
infinitos. El espesor de la
cinta de señal es t y la
Figura 1.3.1: Representación gráfica de una Stripline.
separación entre las cintas
a tierra (entre las cuales se rellena con un sustrato dieléctrico de permitividad
ε), es b.
A diferencia de la stripline, las líneas microstrip son estructuras abiertas,
de forma que las líneas de
campo no están confinadas
y la propagación debe
analizarse en rigor de las
técnicas de campos de
guías de onda. Se asume
que los campos se
propagan en un modo
TEM, aunque siendo
rigurosos, esto no es cierto,
pues las ondas se propagan
Figura 1.3.2: Representación gráfica de una Microstrip.
por un medio no simétrico.
Sin embargo, a bajas
frecuencias es posible un
análisis “cuasi-estático” con parámetros distribuidos.
Las líneas de microstrip son comúnmente utilizadas en circuitos
integrados de microondas. Como tal, se pueden ver como líneas de transmisión
integradas. Son fáciles de fabricar puesto que se utiliza tecnología de circuitos
integrados o de circuitos impresos.
Como es de notar, la microstrip consta de dos materiales conductores
separados por un aislante. El espesor del aislante, su permitividad dieléctrica así
como el ancho de la línea de señal son los parámetros más importantes en el
diseño de la línea de microstrip. Hay una gran variedad de sustratos que se
pueden usar siendo unos rígidos y otros flexibles.
Como lo mencionamos anteriormente, el análisis de las líneas de
microstrip se puede hacer en modo “cuasi-estático”, o en modo de onda
completa. Aunque el modo de onda completa es el formalmente correcto, la
aproximación cuasi-estática es apropiada para frecuencias de microondas bajas
(del orden de GHz), por lo que éste es el que se usa generalmente. Sin embargo,
una consecuencia importante del modo de onda completa es que la impedancia
característica es función de la frecuencia; es decir, son dispersivas y disipativas.
Las desventajas principales de las líneas de microstrip son las pérdidas de
potencia, asociadas al conductor, al dieléctrico y a la radiación por
discontinuidades. Adicionalmente, debido a la naturaleza de las mismas, no se
pueden usar para elevados niveles de potencia.
Figura 1.4.3.2 Al lado izquierdo se encuentran las formas típicas de los parches, mientras que
al derecho encontramos algunas formas fractales utilizadas como radiadores.
1.5 Configuraciones geométricas de Antenas Microstrip
(a)
(b)
(a)
(b)
Figura 1.5.2.1 Configuraciones de algunos dipolos microstrip e impresos. a) Dipolo strip con
acoplamiento de proximidad. b) Doble dipolo strip enfrentados y línea de
alimentación. c) Dipolo plegado impreso simétrico.
(c)
W
Jt
Jb h
Figura 1.6.3 Distribución del campo eléctrico para el modo TM100 en la cavidad microstrip..
Jt Jt ≅ 0
s
,M
s
M
=0
Js,
Js
Js,Ms Js = 0, Ms
a) b)
a
xE
2n
s=-
M
Ms = -2nx
Ea
c)
r
El campo eléctrico E a en la ranura para el modo dominante se muestra en
Figura 1.6.3 y se define como:
r
Ea = zˆE0 (1.6.3)
Para las ranuras de largo W y alto h. De manera similar, para las dos
ranuras restantes de largo L y alto h
r
Ea = − zˆE0 sen (πx L ) (1.6.4)
M1 M2
φ E2
n1 n2
E1 x
W
a) (a)
Ms Ms
L
Ms Ms
W
(b)
Figura 1.6.5 Patch rectangular con la distribución de densidad de corriente magnética en las ranuras
para el modo TM100. a) Distribución de corriente en las ranuras radiantes y b) distribución
de corriente en las ranuras no radiantes
Cada ranura irradia el mismo campo que un dipolo magnético con una
r
densidad de corriente M s . Las radiaciones producidas por las ranuras paralelas
al eje x son casi nulas debido a las distribuciones de corrientes iguales y
opuestas a lo largo de las mismas. De todos modos, las ranuras a lo largo del
eje y forman un arreglo de dos elementos con densidades de corriente de la
misma magnitud y fase separados por L, la longitud del patch. Por lo tanto, la
radiación proveniente de un patch puede ser descrita en términos de dos ranuras
verticales, pero debido a que estas son de difícil análisis al encontrarse sobre
dieléctricos no homogéneos, son reemplazadas por dos ranuras planas
equivalentes como lo demuestra Figura 1.6.6.
Figura 1.6.6 Antena de patch microstrip rectangular con ranuras horizontales irradiantes equivalentes.
E m (r ) = − ∇ × F
1
(1.7.1.1)
ε
H m (r ) = − ∇(∇ ⋅ F ) − jωF
1
(1.7.1.2)
jωµε
′
ε e − jk 0 r − r
F =
4π ∫ ∫S M (r ′) r − r ′ dS ′ (1.7.1.3)
H l (r ) =
1
∇× A (1.7.1.5)
µ
′
µ e − jk0 r −r
A= ∫ ∫S J (r ′ ) dS ′ (1.7.1.6)
4π r − r′
E (r ) = E l + E m = ∇(∇ ⋅ A ) − jωA − ∇ × F
1 1 (1.7.1.7)
jωµε ε
H (r ) = H l + H m = ∇(∇ ⋅ F ) − jωF − ∇ × A
1 1
(1.7.1.8)
jωµε µ
y en el espacio libre
( )
E = −η 0 rˆ × H = −η 0 φˆH θ − θˆH φ = jωη 0 φˆFθ − θˆFφ ( ) (1.7.1.9)
Eθ = − jωAθ (1.7.1.10)
Eφ = − jωAφ (1.7.1.11)
y en el espacio libre
E
H = rˆ × (1.7.1.12)
η0
El campo distante es trazado por la condición r >> r ′ o
2 L2
r≥ , donde L es el mayor largo de la apertura (o patch). Así pues,
λ0
partiendo de (1.7.1.3) con r − r ′ = r − r ′ cosψ en el numerador y
r − r ′ ≈ r en el denominador, podremos obtener
ε e − jk0 r
∫ ∫ M (r ′)e
jk 0r ′ cosψ
F = dS ′ (1.7.1.13)
4π r S
y partiendo de (1.7.1.6)
µ e − jk 0r
∫ ∫ J (r ′)e
jk 0 r′ cosψ
A= dS ′ (1.7.1.14)
4π r S
L W
− jk 0 r
ε0 e 2 2
F =
4π r ∫ ∫ M (x ′, y ′) exp[ jk (x ′ sin θ cos φ + y ′ sin θ sin φ )]dx′dy ′
L W
0
− −
2 2 (1.7.2.1)
L W
− jk 0 r
ε0 e
∫ ∫ (M (x ′, y ′)xˆ + M (x ′, y ′) yˆ )
2 2
F = (1.7.2.2)
4π r
x y
L W
− −
2 2
L W
− jk 0 r
ε0 e 2 2
Fy =
4π r ∫ ∫ M (x ′, y ′) exp[ jk (x ′ sin θ cos φ + y ′ sin θ sin φ )]dx′dy ′
L W
y 0
− −
2 2
(1.7.2.3b)
Fz = 0 (1.7.2.3c)
V0 W W h h
→ − ≤ y ≤ ,− ≤ x ≤
My = h 2 2 2 2 (1.7.2.6)
0 → para cualquier otro caso
e − jk 0r φ φ
Eθ = − jk 0V0W sin c k 0 h sin θ cos sin c k 0W sin θ sin cos φ
4πr 2 2
(1.7.2.8a)
e − jk 0r φ φ
Eφ = jk 0V0W sin c k 0 h sin θ cos sin c k 0W sin θ sin cos θ sin φ
4πr 2 2
(1.7.2.8b)
Re ∫∫ (E × H * ) ⋅ dS
1
Pr = (1.7.3.1.1a)
2 apertura
∫∫ (E )
1 2
Pr = + Eφ r 2 sin θdθdφ
2
θ
2η0 (1.7.3.1.1b)
∫∫ ( j ⋅ j )dS
Rs
Pc = 2 *
(1.7.3.2.1)
2 S
ωε ′′ ωε ′′
Pd = ∫∫∫ E dV = h ∫∫ E dS para sustratos delgados
2 2
2 V 2 S (1.7.3.2.2)
WT = Wl + Wm =
1
∫∫∫
4 V
(
ε E + µ H dV
2 2
) (1.7.3.3.1)
h
Pinc = − E ( x0 , y0 )∫ I * (z ′)dz ′ (1.7.3.4.2)
0
E ( x0 , y 0 )
h
Z in = − ∫ I (z ′)dz ′
*
2
(1.7.3.4.3)
I in 0
Vin
Z in = (1.7.3.4.4)
I in
donde
h
Vin = − E ( x0 , y 0 )∫ dz ′ = − hE (x0 , y 0 ) (1.7.3.4.5)
0
Como hemos visto hasta ahora, las antenas microstrip poseen elementos
irradiantes en una de las caras del sustrato dieléctrico y para lograrlo, las
primeras antenas se alimentaban mediante una línea coaxial o microtira a
través del plano a tierra. Desde entonces un gran número de nuevas técnicas
de alimentación se han ido desarrollando, dividiéndose en dos grupos:
alimentación por contacto y alimentación sin contacto. En los métodos por
contacto, la potencia de RF es transferida directamente al parche mediante
elementos conectivos, entre los cuales los más comunes son la alimentación
por acoplamiento coaxial y por línea microstrip coplanar. Por otra parte, el
segundo grupo se compone de la alimentación por acoplamiento de
proximidad, por acoplamiento de apertura y finalmente por guía de ondas
coplanar, donde la transferencia de potencia se lleva a cabo a través del
acoplamiento entre campos electromagnéticos.
Consideremos una configuración microstrip básica como la de la Figura 1.8.1,
donde el eje z es perpendicular al plano de la antena. Cuando las ondas
electromagnéticas son guiadas a través de una línea coaxial o stripline,
se esparcen bajo el patch haciendo que éste se energice, produciendo que la
distribución de las cargas se estabilice por encima y debajo del mismo, así
como también sobre la superficie del plano a tierra, como se vio anteriormente
en la sección I, Figura 1.6.2.
Por otra parte, cabe destacar que el punto más importante en la elección de la
técnica de alimentación, es lograr la máxima eficiencia en la transferencia de
potencia de la fuente hacia la antena (y viceversa si se trata de Rx), lo cual
implica directamente a la adaptación de impedancias que garantice el menor
nivel de pérdidas posible y no obstante, asociados a esta, también tenemos
transformadores de impedancia, curvas, stubs, empalmes, transiciones y
otros, que a su vez introducen discontinuidades, generando pérdidas por
ondas superficiales y radiación no deseada, la cual puede llegar a incrementar
los niveles de lóbulos laterales y la amplitud de polaridad cruzada del patrón
de radiación. Estos motivos son los que hacen necesarias las evaluaciones
más adecuadas sobre las fuentes de alimentación.
Otra consideración a tener en cuenta es el alimentador más conveniente para
emplear en arreglos. Algunos alimentadores son mejores que otros debido a
que poseen mayor número de parámetros.
z
x
L L
x0
0 0 x0
h
ATO
y0
RA ATO
STR IER STR IER
RA
SU ET SU
W
D W
D ET
NO NO
PLA PLA
y
a) b)
(a) (b)
Figura
Figura 1.8.1 Patch
2.2.2.1. microstrip
Antena alimentado
microstrip mediante sonda
con alimentación a) coaxial
coaxial(a)
b) ypor
porlínea
microtira (b). tira
de micro
Figura 1.8.1.2.1 a) Patch microstrip alimentado por una línea acoplada a uno de sus bordes (gráfico y
circuito equivalente). b) Stripline acoplada a uno de sus bordes con slot entremedio (gráfico y circuito
equivalente).
Figura 1.8.1.2.2 Representación del campo magnético H tangencial a la interfase entre el patch y la
línea de alimentación, mediante una densidad de corriente equivalente Jz (líneas punteadas
corresponden al campo H y líneas continuas corresponden a la corriente).
Figura 1.8.1.2.3 Alimentación por stripline inserta en el patch radiador y su correspondiente circuito
equivalente.
Figura 1.8.1.2.4 Alimentación por stripline acoplada a uno de los bordes no irradiantes del patch.
Donde x0 es el offset del slot desde el borde del patch. El circuito equivalente
correspondiente a esta técnica, se muestra a la par del esquema de antena.
En esta configuración, la antena patch se coloca en serie con el alimentador
debido al acoplamiento del slot y este se representa como un inductor en serie
con la red RLC.
Los stubs de largo Ls pueden reemplazarse por un capacitor de descarga Cs
de modo que 1 / ωC s = Z 0 cot(β Ls ) , Zo es la impedancia característica y β la
constante de propagación de la stripline.
En resumen, esta técnica de alimentación puede diseñarse de manera que se
permita aumentar el ancho de banda ajustando la forma y tamaño del slot
junto con el ancho de la línea y el largo del stub, permitiendo alcanzar anchos
de banda de impedancia de alrededor del 21%.
La mayor dificultad de esta técnica es su construcción, ya que posee múltiples
capas y además aumenta su grosor.
Figura 1.8.2.2.1 Alimentación por acoplamiento de apertura.
Una guía de ondas coplanar (CPW, por sus siglas en ingles), es la línea de
transmisión por excelencia para circuitos integrados monolíticos de
microondas (MMICs). Ambos, la CPW y las antenas microstrip pertenecen a la
geometría plana, por lo tanto, para integrar antenas microstrip con MMICs, la
mejor opción es alimentar dichas antenas mediante una CPW.
Esta técnica de alimentación se muestra en la Figura 1.8.2.3.1. Aquí, la CPW
se encuentra grabada sobre el plano a tierra de la antena. El acoplamiento se
realiza mediante un slot y se muestran tres formas de excitación: en la Figura
1.8.2.3.1a, el conductor central de la CPW divide el slot de acoplamiento en
dos y en la Figura 1.8.2.3.1b, la CPW se transforma en un slot de largo Ls. El
acoplamiento entre el patch y la CPW es inductivo para el primer circuito y
capacitivo para el segundo. Este arreglo es algo similar al de la sección 1.8.2.2
pero con la salvedad de que en aquel, el slot del plano a tierra es alimentado
por una stripline.
Se ha determinado que el ancho de banda de 10 dB en pérdidas por retorno,
es del 2,8% para el acoplamiento capacitivo y del 3,5% para el inductivo
alrededor de los 5 GHz sobre un sustrato con εr = 2,2 y h = 1,58 mm. La
potencia irradiada hacia atrás es de alrededor de 10 dB por debajo del haz
principal, pero puede reducirse aún más si transformamos el slot lineal en un
loop circular, como lo muestra la Figura 1.8.2.3.1c, centrado por debajo del
patch.
Una ventaja de este tipo de alimentación es que la radiación que proviene de
la estructura de alimentación es insignificante debido a que la guía de ondas
coplanar es excitada en el modo impar de la línea slot acoplada y de esta
manera, la corriente magnética equivalente en los dos slots CPW, irradian casi
fuera de fase de manera que la radiación del alimentador es insignificante.
Este tipo de alimentación es muy útil en el diseño de arreglos ya que se
minimiza el acoplamiento mutuo entre líneas adyacentes.
Finalmente y a modo de resumen, la Tabla 1.8.1 muestra una comparación
entre las estructuras de alimentación que fueron descritas.
Figura 1.8.2.3.1 Alimentación por guía de ondas coplanar. a) Acoplamiento inductivo separando el slot
en dos mediante el CPW. b) Acoplamiento capacitivo entre el patch y el slot. c) Acoplamiento mediante
slot anular para reducir la radiación hacia atrás.
Tabla 1.8.1 Comparación de varios tipos de estructuras de alimentación para Antenas Microstrip.
Acoplamiento Acoplamiento
Alimentación Stripline Acoplamiento Alimentación
Características por Borde de
por Coaxial Insertada de Apertura por CPW
Radiante Proximidad
Configuración No planar Coplanar Coplanar Planar Planar Planar
Radiación no
deseada del Mucha Poca Mucha Mucha Mucha Poca
alimentador
Pureza de
Pobre Buena Pobre Pobre Excelente Buena
polarización
Se necesita Se necesita Se necesita Se necesita
Facilidad de
soldar y Fácil Fácil perfecta perfecta perfecta
fabricación
perforar alineación alineación alineación
Pobre a
Fiabilidad causa de las Mejorada Mejorada Buena Buena Buena
soldaduras
Adaptación de
Fácil Pobre Fácil Fácil Fácil Fácil
impedancia
Ancho de
banda (logrado
con la 2 - 5% 9 - 12% 2 - 5% 13% 21% 3%
adaptación de
impedancia)
Sustratos de Cerámica
El sustrato cerámico más comúnmente utilizado en la elaboración de circuitos
microstrip es la alúmina u óxido de aluminio (Al2O3), dado que posee bajas
pérdidas y baja dispersión en frecuencia, las cuales constituyen características
muy importantes. A pesar de esto, se trata de un material duro y quebradizo,
por lo cual es muy difícil de trabajar manualmente, por ejemplo, al intentar
agujerear un sustrato de este material. Además, su tamaño máximo es
limitado por el proceso de fabricación a 10 por 10 centímetros.
Siguiendo en la misma línea, también contamos con el zafiro que es la forma
monocristalina de la alúmina, el cual presenta mejores características
eléctricas que el primero, pero es de naturaleza altamente anisotrópica y por
supuesto, muy caro.
Podemos también encontrar un número importante de otros materiales
cerámicos disponibles que presentan un rango de εr de entre 20 y 150. Cabe
destacar que una constante eléctrica elevada permite obtener reducciones
importantes de tamaño a bajas frecuencias de microondas (< 1GHz).
El uso de materiales cerámicos como sustratos se limita a circuitos en el rango
de las microondas debido a que no pueden fabricarse de grandes
dimensiones.
En la Tabla 1.9.1 se listan las características de la alúmina y el zafiro.
Sustratos semiconductores
Semiconductores de alta resistividad como el Si (silicio) o el GaAs (arseniuro
de galio) pueden ser empleados para circuitos pasivos o antenas. Sin
embargo, los tamaños disponibles para sus usos como sustratos, son
demasiado pequeños para antenas de microondas, pero con la ventaja de que
estas pueden integrarse en circuitos eléctricos, creando una estructura
monolítica.
En la Tabla 1.9.1 se listan las características de estos elementos.
Sustratos Ferromagnéticos
Actualmente, el uso de sustratos de ferrita se ha vuelto muy común. Estos
sustratos son de naturaleza anisotrópicos (cambian con respecto a la
dirección). Tienen una permitividad relativa cuyo valor se encuentra en un
rango de entre 6 a 9 y generalmente con baja pérdida dieléctrica (para un
sustrato de ferrita a 10GHz, tan δ = 0,001). La frecuencia de resonancia de un
patch microstrip sobre un sustrato de ferrita dependerá del campo magnético
logrado. Por esta razón, en el 40% de los casos, la sintonización de bandas
angostas puede lograrse variando la tensión aplicada al material; sin afectar
seriamente las características de radiación de la antena.
En la Tabla 1.9.1 se listan las características de estos elementos.
Sustratos Sintéticos
Comúnmente se puede encontrar cierta variedad de materiales orgánicos
utilizados como sustratos, entre ellos se hallan el PTFE o teflón, poliestireno,
poliolefina y polifenileno. Estos materiales poseen bajas pérdidas y
permitividad, ideales para ser utilizados en antenas microstrip. No obstante,
son materiales blandos y sus propiedades mecánicas son inestables a medida
que aumenta la temperatura.
En la Tabla 1.9.1 se listan algunas de sus características.
Sustratos Compuestos
Esta denominación surge de la mano de los fabricantes de sustratos al intentar
combinar las características de varios materiales para obtener ciertas
propiedades eléctricas y mecánicas deseadas. Si se agregan además fibra de
vidrio, cuarzo o cerámica en la proporción correcta, las propiedades
mecánicas se modifican, pudiendo a la vez ajustar la permitividad. Como
resultado, podemos encontrar hoy una gran variedad de productos con un
rango de permitividad que va desde los 2,1 a 10, con una tan δ de 0,0005 a
0,002 a una frecuencia de 10GHz. Algunos de estos materiales se listan en la
Tabla 1.9.1.
Todos estos sustratos están disponibles en grandes tamaños (por encima de
1m) con buenas propiedades mecánicas que permiten el acoplamiento y
fabricación de antenas mediante técnicas estándar de circuitos impresos. Las
constantes dieléctricas de algunos sustratos compuestos recomendables para
antenas microstrip se enumeran en la Tabla 1.9.2.
Poliestireno-cuarzo Cross-linked 2,65 0,0005 Bueno Bueno -27 a +110 Medio a Alto
woven
Poliolefina irradiada - glass 2,42 0,001 Regular Excelente -27 a +100 Medio
reforzado
Tabla 1.9.3 Sustratos de bajo costo para Antenas Microstrip en bajas frecuencias.
Sustrato Anisotrópico
Anisotrópico se define como la intervención de la constante dieléctrica del
sustrato en la orientación del campo eléctrico aplicado. Para obtener estas
propiedades eléctricas y mecánicas deseadas, generalmente se añaden
ciertas impurezas al sustrato durante el proceso de manufactura. Este relleno
tiende a asumir determinadas orientaciones, lo que da lugar al efecto
anisotrópico en alguno de los sustratos utilizados en la práctica.
El valor de la constante dieléctrica proporcionado por el fabricante es por si a
caso el campo eléctrico aplicado se encuentra a lo largo del ancho de la hoja,
lo cual es comúnmente suficiente información como para que la mayoría de
las antenas microstrip puedan trabajar. El diseñador, por otro lado, suele
revisar cuidadosamente los efectos anisotrópicos en el sustrato y luego los
evalúa.
Matemáticamente, la permitividad de un sustrato anisotrópico puede
representarse mediante un tensor de segundo orden o diádico, de la siguiente
forma
ε xx ε xy ε xz
ε = ε yx ε yy ε yz (1.9.1)
ε ε zy ε zz
zx
Para un sustrato anisotrópico biaxial, (1.9.1) se transforma en
ε x 0 0
ε = 0 εy 0 (1.9.2)
0 ε z
0
ε x 0 0
ε = 0 εx 0 (1.9.3)
0 ε z
0
Figura 1.9.1 Relación anisotrópica (εx + εy) / 2εz v.s. εr nominal para sustratos compuestos por cristal de
PTFE tejido y no tejido.
Figura 1.9.2 Efecto de la anisotropía sobre la longitud resonante de un patch microstrip rectangular.
Figura 1.9.3 Variación de la constante dieléctrica con la temperatura para el sustrato GX-060-45.
Figura 1.9.4 Variación de la tangente de pérdida con la temperatura para sustratos GX-060-45.