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Electronica Teoria de Circuitos 6 Ed Boylestad PDF
Electronica Teoria de Circuitos 6 Ed Boylestad PDF
TEORÍA DE CIRCUITOS
6 Polarización de FET Polarización fija: Vas = -Vaa . Vos = Voo - IJio: autopolarización: Vas = -IJis' Vos = Voo -
Io(Rs + Ro)' Vs = IsRs: divisor de voltaje: Va = R, Vool(R, + R,), Vas = Va - IJis' Vos = Voo - lo(Ro + R): MOSFET
incremental: ID == k(VGS - VGS(Th» 2 , k == 1D(encendido)/(VGS(encendido) - VGS(Th»2; polarización por retroalimentación: VDS =VGS'
Vas = Vr¡o- loRD: divisor de voltaje: Va =R,Vool(R, + R,). VGS = VG-1oRs: curva universal: m = 1V p 1IlossRs' M = m x
vall Vp 1, Va =R, Vool(R, + R,)
7 ModeJaje de transistores bipolares Z,= Y,Jl,,l, = (V, - V,)/R""",,,lo = (V, - V) IR""",,,ZO = V)Io,A,= V)V,.A" =
Z¡Av~L /(Z¡
+ Rs)' A¡ == -AvZJRL' re == 26 mV/lé base común: Z¡ == re,Zo ::::: 00 n,Av ::::: R¿fre' A¡ :::: -1; emisor común: Z¡ = fjre•
=
Zo ro' Av = -R{Jre' A¡ :::: f3, h ie = f3r e, hft! == f3ac ' h ib == Te' hfb = -a.
8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar Emisor común: A, = -Reir,. Z, = RBIIf3r,. Zo = Re. A, = f3: divisor de
voltaje: R' = R,I\R,. A, = -Re Ir,. Z, = R'1If3r,. Zo = Re: polarización en emisor: Zb = f3(r, + RE) = f3R"A,. = -f3Re IZb = -RJ
(r, + RE) = -ReiRé emisor seguidor: Zb = f3(r, + RE)' A, = l. Zo = r,: base común: A, = Reir,. Z, = REllr,. Zo = Re: retroali-'
mentación en colector: A, =-Reir,. Z, = f3r,IIR F/I A,I. Zo = ReIIRe: retroalimentación de de en colector: A, =-(RF.IIRe)/r"
Z, = RF, lIf3r,. Zo = RclIRF,: parámetros híbridos: A, = h¡(l + hoRL). A, = -h¡RJ[h, + (h,h o - h¡h,)RLl. Z, = h, - h¡h/?LI(l +
hoRL)' Zo = l/[h o - (h¡h/(h, + R,»] .
9 Análisis a pequeña señal del FET gm = gmo(l - VGSIVp). 8 mo =2loss lJVpl: configuración básica: A, =-gmRO:
=
resistencia de fuente sin desvío: A, -gmROI(1 + gmRS): seguidor de fuente: A, = gmRs/(l + gmRS): compuerta común: A, =
gm(Rollr)
10 Aproximacíónalossistemas:efectodeR,yRL w
BJT:A v =RLA VNL I(RL+R o).A.=-A I
7./RL• V=RVj(R.+R):
v<-'¡ I l i S
polarización fija: A, = -(RcIlRL)/r,. A" = Z,A)(Z, + R,). Z, = f3r,. Zo = Re: divisor de voltaje: A,. = -(RcIlRL)/r,. A" = Z¡A)
(Z, + R,). Z, = R,IIRzllf3r,.Z, = Re: polarización en emisor: A, = -(RclIRL)/R" A" = Z,A)(Z, + R,). Z, = RBIlf3RE'Zo = Re:
= =
retroalimentación en colector: A, = -(RcIlRL)lr,. A" = Z,A,/(Z, + R,). Z, f3r,lIRF/IA). Z, RclIRF: emisor seguidor: R~ =
REIIRL' A,. = R~(R~ + r,), A" = R~/(R~ + R/f3 + r,l. Z, = RB Ilf3(r, + R~). Zo = REIICR/f3 + r,): base común: A, = (RelIRL)lr,.
A, = -l. Z, = r,.Zo = Re: FET: con desvío R,: A, = -gm(RoIIRL). Z, = RG'Zo = Ro: sin desvío Rs: A, = -gm(RoIIRL)/(l +
gmRS)' Z, = RG,Zo =RD : seguidor de fuente: A, = gm(RsIIRL)/[1 + gm(RsIIRL)], Z, =RG'Zo = Rsllrdll1lgm; compuerta común:
A..' = gm(RDIIRL). ZI = Rslll/gm • Zo = Ro: en cascada: A lir = A VI . A \12 . A \13 .. ' A11. ,AIr = ±A\Ir Z11 IR L
ECUACIONES IMPORTANTES
2 Aplicaciones de diodos VBE = VD =0.7 V; media onda: Vdo =0.318Vm; onda completa: Vdo =0.636Vm
4 Polarización en dc-BJT En general: VBE = 0.7 V, Ic = lE' Ic =f31B; polarización fija: lB =(Vcc- VBE)/RB, VCE =
Vcc-lcRc- Ic~ = Vcc'Ró estabilizada en emisor: lB = (Vcc- VBE)/(RB + (13+ I)R E), R¡= (13+ I)RE' VCE = Vcc-I¿"Rc+
RE),ICw =V cc/(R e + RE); divisor de voltaje: exacto: RTh =R, 11 R2, ETh =R2Veel(R, + R2), lB =(ETh - VBE)I(R Th + (13 +
l)R E), VeE = Vcc-I¿"Rc + RE)' aproximado: VB =R2Vee /(R, + R2), f3RE ? IOR2, VE =VB- VBE' Ic = lE V¡;IRé por =
retroalimentación de voltaje: lB = (Vee- VBE)/[R B + f3(R e + RE)]; base común: lB = (VEE - VBE)/Ré conmutación de
transistores: le,,,,,"do =t, + Id' I,p, ,do =1, + 11; estabilidad: S(leo) =Me/Meo; polarización fija: S(leo) =13 + 1;
polarización en emisor: S(leo) = (~+ 1)(1 + RIRE)/(l + 13 + RIRE); divisor de voltaje: S(lco) = (13 + 1)(1 + RnfRE)/(l + 13 +
RnfRE); polarización por retroalimentación: S(lco) = (13 + 1)(1 + R/Rc)/(l + 13 + RB/Re), S(VBE) = M¿I!.VBé polarización
fija: S(VBE) = -/3IRB; polarización en emisor: S(VBE) = -/3I[RB + (13 + l )RE]; divisor de voltaje: S(VBE) = -/3I[RTh + (13 +
I)R E]; polarización por retroalimentación: S(VBE) =-/3I(R B+ (13+ I)R e), S(f3J =M e/l!..f3; polarización fija: S(f3J =le,lf3,;
polarización en emisor: S(f3J = Ic,o + RBIR E)/[I3,(I + 13 2 + RBIRE)]; divisor de voltaje: S(f3J = le,o + RTh IR E)/[f3¡(l + 132 + _
RTh/RE)]; polarización por retroalimentación: S(f3J = Ic,(RB + Rc )/[f3,(RB + R¿"I + 132 ))], Me = S(lco) Meo + S(VBE) I!.VBE +
S(f3J I!.f3
5 Transistores de efecto de campo I G =OA, ID =IDSS(l- VGS /Vp)2, ID =Is' VGs = Vp(l- V/D/IDSS )' ID = I DSS /4
(si VGS = Vp /2), ID =I DSs'2 (si VGS = O.3Vp), PD =VDSI D' ID =k(VGS - VT)2
ELECTRÓNICA:
TEORÍA DE CIRCUITOS
Sexta edición
Robert L. Boylestad
Louis Nashelsky
TRADUCCIÓN:
Juan Purón Mier y Terán
Profesor de asignatura en el Depto. de Matemáticas,
Universidad Iberoamericana,
Profesionista en Sistemas CAD, GIS
REVISIÓN TÉCNICA:
M. en e.Agustín Suárez Fernández
Departamento de Ingeniería Eléctrica
Universidad Autónoma Metrópolitana-Iztapalapa
Pearson
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Educación
Traducido del inglés de la obra: ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT THEORY, SIXTH EDlTlON.
Al! rights reserved. Authorized translation from English language edition published by Prentice-Hall, Ine.
A Simon & Sehuster Company.
Todos los derechos reservados. Traducción autorizada de la edición en inglés publicada por Prentince-Hall, Inc.
A Simon & Sehuster Company.
Al! rights reserved. No part of this book may be reproduced or transmitted in any form or by any means,
electronic or mechanical, including photocopying, recording or by any information storage and retrieval system,
without permission in writing from the publisher.
Prohibida la reproducción total o parcial de esta obra, por cualquier medio o método sin autorización por escrito del editor.
ya
KATRIN, KIRA, LARREN, TOMMY, JUSTIN Y PATIT
Contenido
PREFACIO xvii
AGRADECIMIENTOS xxi
1 DIODOS SEMICONDUCTORES 1
1.1 Introducción 1
1.2 El diodo ideal 1
1.3 Materiales semiconductores 3
1.4 Niveles de energía 6
1.5 Materiales extrínsecos: tipo n y tipo P 7
1.6 Diodo semiconductor 10
1.7 Niveles de resistencia 17
1.8 Circuitos equivalentes para diodos 24
1.9 Hojas de especificaciones de diodos 27
1.10 Capacitancia de transición y difusión 31
1.11 Tiempo de recuperación inverso 32
1.12 Notación de diodos semiconductores 32
1.13 Prueba de diodos 33
1.14 Diodos Zener 35
1.15 Diodos emisores de luz 38
1.16 Arreglos de diodos: circuitos integrados 42
1.17 Análisis por computadora 44
ix
2 APUCACIONFS DE DIODOS 53
2.1 Introducción 53
2.2 Análisis mediante la recta de carga 54
2.3 Aproximaciones de diodos 59
2.4 Configuraciones de diodos en serie con entradas dc 61
2.5 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo 66
2.6 Compuertas ANDtOR 69
2.7 Entradas senoidales; rectificación de media onda 71
2.8 Rectificación de onda completa 74
2.9 Recortadores 78
2.10 Cambiadores de nivel 85
2.11 Diodos Zener 89
2.12 Circuitos multiplicadores de voltaje 96
2.13 Análisis por computadora 99
x Contenido
5 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 215
5.1 Introducción 215
5.2 Construcción y características de los JFET 216
5.3 Características de transferencia 223
5.4 Hojas de especificaciones (JFET) 227
5.5 Instrumentación 230
5.6 Relaciones importantes 231
5.7 MOSFET de tipo decremental 238
5.8 MOSFET de tipo incremental 238
5.9 Manejo del MOSFET 246
5.10 VMOS 247
5.11 CMOS 248
5.12 Tabla resumen 250
S.13 Análisis por computadora 251
Contenido xi
ANÁLISIS A PEQUEÑA SEÑAL
8 DEL TRANSISTOR BIPOLAR 346
8.1 Introducción 346
8.2 Configuración de emisor común con polarización fija 346
8.3 Polarización mediante divisor de voltaje 350
8.4 Configuración de E-C con polarización en emisor· 353
8.5 Configuración emisor-seguidor 360
8.6 Configuración de base común 366
8.7 Configuración con retroalimentación en colector 368
8.8 Configuración con retroalimentación de dc en colector 374
8.9 Circuito equivalente híbrido aproximado 377
8.10 Modelo equivalente híbrido completo 383
8.11 Tabla resumen 390
8.12 Solución de problemas 390
8.13 Análisis por computadora 393
xii Contenido
RESPUESTA EN FRECUENCIA
11 DE TRANSISTORES BJT Y JFET 509
11.1 Introducción 509
11.2 Logaritmos 509
11.3 Decibeles 513
11.4 Consideraciones generales sobre la frecuencia 516
11.5 Análisis a baja frecuencia, gráfica de Bode 519
11.6 Respuesta a baja frecuencia, amplificador a BIT 524
11.7 Respuesta a baja frecuencia, amplificador FET 533
11.8 Capacitancia de efecto MiIler 536
11.9 Respuesta a alta frecuencia, amplificador BJT 539
11.10 Respuesta a alta frecuencia, amplificador FET 546
11.11 Efectos de frecuencia en multietapas 550
11.12 Prueba de onda cuadrada 552
11.13 Análisis por computadora 554
TÉCNICAS DE FABRICACIÓN DE
13 CIRCUITOS DISCRETOS E INTEGRADOS 607
13.1 Introducción 607
13.2 Materiales semiconductores, Si, Ge y GaAs 607
13.3 Diodos discretos 609
13A Fabricación de transistores 611
13.5 Circuitos integrados 612
13.6 Circuitos integrados monolíticos 614
13.7 El ciclo de producción 617
13.8 Circuitos integrados de película delgada y película gruesa 626
13.9 Circuitos integrados híbridos 627
Contenido xiii
14 AMPUFlCADORES OPERACIONALES 628
14.1 Introducción 628
14.2 Operación en modo diferencial y en modo común 630
14.3 Amplificador operacional básico 634
14.4 Circuitos prácticos con amplificadores operacionales 638
14.5 Especificaciones, parámetros de desvío de dc 644
14.6 Especificaciones de parámetros de frecuencia 647
14.7 Especificaciones para una unidad de amplificador operacional 651
14.8 Análisis por computadora 657
17 CI UNEALES/DIGITALES 741
17.1 Introducción 741
17.2 Operación del comparador 741
17.3 Convertidores analógicos-digitales 748
17A Operación del el temporizador 752
17.5 Oscilador controlado por voltaje 755
17_6 Lazo de seguimiento de fase 758
17.7 Circuitos de interfaz 762
17.8 Análisis por computadora 765
FUENTES DE ALIMENTACIÓN
19 (REGULADORES DE VOLTAJE) 805
19.1 Introducción 805
19.2 Consideraciones generales de filtros 805
19.3 Filtro capacitor 808
19.4 Filtro Re 811
19.5 Regulación de voltaje con transistores discretos 814
19.6 Reguladores de voltaje de CI 821
19.7 Análisis por computadora 826
APÉNDICE E: SOLUCIONES
A LOS PROBLEMAS SELECCIONADOS
CON NÚMERO NON 937
ÍNDICE 943
xvi Contenido
Prefacio
Segón nos acercábamos al XXV aniversario del texto, se hizo verdaderamente claro que esta
sexta edición debía continuar con el importante trabajo de revisión que tuvo la edición. La
creciente utilización de la computadora, los circuitos integrados y el expandido rango de co-
bertura necesaria en los cursos básicos que contribuyeron al refinamiento de la pasada edición
continúan siendo los factores principales que afectan el contenido ele una nueva versión. A
través de los años, hemos aprendido que el mejoramiento de la lectura se puede obtener a través
de la apariencia general del texto, de tal fortna que nos hemos comprometido al fortnato que
encontrará en la sexta edición de tal manera que el material del texto parezca más "'amistoso"
para un amplio sector de estudiantes. De la misma manera que en el pasado, continuamos
empeñados en el fuerte sentido pedagógico del texto, la exactimd y en un aruplio rango de
materiales auxiliares que apoyan el proceso educativo.
PEDAGOGÍA
Sin duda, una de las mejoras más importantes que se han retenido de la quinta edición es la
manera en la cual el texto se presta para el compendio ordinario del curso. La nueva secuencia
de la presentación de los conceptos que afectó la última edición se ha conservado en la presen-
te. Nuestra experiencia docente con esta presentación ha reforzado la creencia de que el mate-
rial tiene ahora una pedagogía mejorada para apoyar la presentación del instructor y ayudar al
estudiante a construir los fundamentos necesarios para sus futuros estudios. Se ha conservado
la cantidad de ejemplos, los cuales fueron incrementados de modo considerable desde la quin-
ta edición. Las declaraciones aisladas en negritas ("balas") identifican aseveraciones y conclu-
siones importantes. El formato ha sido diseñado para establecer una apariencia amistosa para
el estudiante y para asegurar que el trabajo artístico se encuentre tan cercano a la referencia
como sea posible. Se han utilizado pantallas para definir características importantes o para ais-
lar cantidades específicas en una red o en una característica. Los iconos, desarrollados para
cada capítulo del texto, facilitan la referencia de un área en particular tan rápidamente como
sea posible. Los problemas, los cuales han sido desarrollados para cada sección del texto, van
en progreso a partir de lo más simple a lo más complejo. Asimismo, un asterisco identifica los
ejercicios más difíciles. El título en cada sección también se reproduce en la sección de proble-
mas para identificar con claridad los ejercicios de interés para un tema de esmdio en particular.
xvii
ENFOQUE DE SISTEMAS
Durante varias visitas a otros colegios, institutos técnicos, y juntas de varias sociedades, se
mencionaba que debería desarrollarse un mayor "enfoque de sistemas" para apoyar la necesi-
dad de un estudiante de convertirse en adepto de la aplicación de paquetes de sistemas. Los
capítulos 8,9 Y 10 están específicamente organizados para desarrollar los cimientos del análi-
sis de sistemas en el grado posible en este nivel introductorio. Aunque puede resultar más fácil
considerar los efectos de Rs y RL con cada configuración cuando ésta se presenta por primera
vez, los efectos de Rs y RL también ofrecen una oportunidad para aplicar algunos de los con-
ceptos fundamentales del análisis de sistemas. Los últimos capítulos referentes a amplifIcadores
operacionales y circuitos integrados desarrollan aún más los conceptos presentados en los
capítulos iniciales.
EXACTITUD
No hay duda que una de las metas primarias de cualquier publicación es que ésta se encuentre
libre de errores en lo posible. Ciertamente, la intención no es de retar al instructor o al estu-
diante con inconsistencias planeadas. De hecho, no existe algo más tenso para un autor que el
escuchar sobre errores en su libro. Después de una verificación extensiva acerca de la exacti-
tud en la quinta edición, ahora nos sentimos seguros que este texto gozará del nivel más alto de
exactitud que se puede obtener para una publicación de este tipo.
MODELAJE DE TRANSISTORES
El modelaje del transistor bipolar de unión (BJT) es un área que se ha enfocado de varias
maneras. Algunas instituciones utilizan exclusivamente el modelo re mientras que otras se
apoyan en el enfoque híbrido o en una combinación de estos dos. La sexta edición destacará el
modelo r, con la suficiente cobertura del modelo híbrido como para permitir una comparación
entre los modelos y la aplicación de ambos. Se ha dedicado un capítulo completo (capítulo 7)
.la introducción de los modelos para asegurar un entendimiento claro y correcto de cada uno
y de las relaciones que existen entre los dos.
PSpice y BASIC
Los recientes años han visto un crecimiento continuo del contenido de computación en los
curSOs introductorios. No solamente aparece la utilización de procesadores de texto en el pri-
mer semestre, sino que también se presentan las hojas de cálculo y el empleo de un paquete de
análisis tal como PSpice en numerosas instituciones educativas.
Se eligió PSpice como el paquete que aparecerá a través de este texto debido a que
recientes encuestas sugieren que es el que se emplea con mayor frecuencia. Otros paquetes
posibles incluyen Micro-Cap III y Breadboard. La :obertura de PSpice ofrece suficiente
capacidad para permitir la escritura del archivo de captura para la mayoría de las redes
analizadas en este texto. No se supone un conocimiento anterior acerca de paquetes para
computadora.
PSpice en el ambiente WINDOWS permite entrar al circuito en forma esquemática, el
cual puede ser analizado después con resultados de salida similares a PSpice. Aún se incluyen
en el texto algunos programas en BASIC para demostrar las ventajas de conocer un lenguaje
de computación y de los beneficios adicionales que surgen de su utilización.
xviii
SOLUCIÓN DE PROBLEMAS
La solución de los problemas es indudablemente una de las habilidades más difíciles para
presentar, desarrollar y demostrar en un texto. Se trata de un arte que debe ser introducido
utilizando una variedad de técnicas, pero la experiencia y la exposición son obviamente los
elementos clave en el desarrollo de estas habilidades. El contenido es en forma esencial una
revisión de situaciones que ocurren con frecuencia dentro del ambiente de laboratorio. Se
presentan algunas ideas sobre cómO aislar un área problemática así como una lista de las cau-
sas posibles. Esto no pretende sugerir que un estudiante se convertirá en un experto en la
solución de las redes presentadas en este texto, pero al menoS el lector tendrá algún entendi-
miento de lo que está relacionado con el proceso de la solución.
ROBERT BOYLESTAD
LOUIS NASHELSKY
Agradecimientos
Nuestros más sinceros agradecimientos se deben extender a los profesores que han utilizado el
texto y han enviado algunos comentarios, correcciones y sugerencias. También deseamos agra-
decer a Rex Davidson, editor de Prentice-Hall, por mantener unidos los tantos aspectos deta-
llados de producción. Nuestro más sincero agradecimiento a Dave Garza, editor senior, y a
Carol Robison, editor senior de desarrollo, de Prentice-Hall, por su apoyo editorial en la sexta
edición de este texto.
Deseamos agradecer a aquellas personas que han compartido sus sugerencias y evaluacio-
nes del presente texto a través de sus muchas ediciones. Los comentarios de estas personas nos
han permitido presentar Electrónica: Teoría de Circuitos en esta nueva edición:
xxi
Albert L. Ickstadt San Diego Mesa College. San Diego, CA
Jeng-Nan Juang Mercer University, Macon, GA
Karen Karger Tektronix lne.
Kenneth E. Kent DeKalb Technical Institute, Clarkston, GA
Donald E. King ITI Technical Institute, Youngstown, OH
Charles Lewis APPLIED MATERIALS, Inc.
Donna Liverman Texas Instruments Ine.
George T. Mason Indiana Vocational Technical College, South Bend, IN
William Maxwell Nashville State Technical Institute
Abraham Michelen . Hudson Valley Community College
John MaeDougall University ofWestem Ontario, London, Ontario, CANADÁ
Donald E. MeMillan Southwest State University, Marshall, MN
Thomas E. Newman L. H. Bates Vocational-Technical Institute, Tacoma, WA
Dr. Robert Payne University of Glamorgan, Wales, UK
E. F. Rockafellow Southern-Alberta Institute of Technology, Calgary, Alberta, CANADÁ
Saeed A. Shaikh Miami-Dade Cornmunity College, Miami, FL
Dr. Noel Shammas School of Engineering, Beaconside, UK
Erie Sung Computronics Technology Inc.
Donald P. Szymanski Owens Technical College, Toledo, OH
Parker M. Tabor Greenville Technical College, Greenville, SC
Peter Tampas Michigan Technological University, Houghton, MI
Chuek Tinney University of Utah
Katherine L. Usik Mohawk College of Applied Art & Technology, Hamilton, Ontario, CANADÁ
DomingoUy Hampton University, Hampton, VA
Richard J. Walters DeVry Technical Institute, Woodbridge, NI
Julian Wilson Southern College of Technology, Marietta, GA
Syd R. Wilson Motorola Inc.
Jean Younes !TI Technical Institute, Troy, MI
Charles E. Yunghans Western Washington University, Bellingham, WA
U1rieh E. Zeisler Sal! Lake Cornmunity College, Sal! Lake City, UT
xxii
ELECTRÓNICA:
TEORÍA DE CIRCUITOS
CAPÍTULO
Diodos
semiconductores
---------------------------~---
1.1 INTRODUCCIÓN
Unas cuantas décadas que han seguido a la introducción del transistor, hacia finales de los años,
cuarenta, han sido testigo de un cambio asombroso en la industria de la electrónica. La
miniaturización que se ha logrado nos deja sorprendidos de sus alcances. Sistemas completos
aparecen ahora sobre una oblea de silicio, miles de veces más pequeña que un solo elemento de
las redes iniciales. Las ventaja~ asociadas con los sistemas actuales, comparados con las redes
de bulbos de los años anteriores, resultan, en su mayor parte, obvias de inmediato: son más
pequeños y ligeros, no tienen requerimientos de calentamiento o disipación de calor (como en
el caso de los bulbos), tienen una construcción más robusta, son más eficientes y no requieren
de un periodo de calentamiento.
La miniaturización desarrollada en los años recientes ha dado por resultado sistemas tan
pequeños que ahora el propósito básico del encapsulado sólo es obtener algunos medios para
manipular el dispositivo y asegurar que las conexiones permanezcan fijas en fonna adecuada
en la base del semiconductor. Los límites de la miniaturización dependen de tres factores: la
calidad del material semiconductor, la técnica del diseño de redes y los límites de la manufac-
tura y el equipo de procesamiento.
-
VD
El primer dispositivo electrónico que se presenta es el que se denomina diodo, el más sencillo +
de los dispositivos semiconductores, pero que desempeña un papel muy importante en los
o
~ o
sistemas electrónicos. Con sus características, que son muy similares a las de un interruptor ID
sencillo, aparece en una amplia variedad de aplicaciones, que van desde las más sencillas a las
Ca)
más complejas. Además de los detalles de su construcción y características, los datos y gráfi-
cas importantes se encontrarán en las hojas de especificaciones y también se estudiarán con
objeto de asegurar una comprensión de la terminología que se utiliza, aparte de demostrar la + ID
lo
+
considerará el dispositivo ideal para ofrecer una base de comparación. El diodo ideal es un
O VD
dispositivo con dos terminales. que tiene el símbolo y características que se muestran en la
figura l.la y b, respectivamente.
De manera ideal, un diodo conducirá corriente en la dirección que define la flecha en el
símbolo, y actuará como un circuito abierto en cualquier intento por establecer corriente en
...
Vo (
~I
lo
+
Las caractensticas de un diodo ideal son aquellas de un interruptor que puede Flgura 1.1 Diodo ideal: a)
conducir comente en una sola dirección. símbolo; b) características.
1
En la descripción de los elementos que se presentan a continuación es importante que se
definan los diferentes símbolos de letras, polaridades de voltajes y direcciones de la corriente. Si
la polaridad del voltaje aplicado es consistente con el que se muestra en la figura l.la, las carac-
tensticas que deben ser consideradas en la figura l.lb están hacia la derecha del eje vertical. En
caso de que se aplique un voltaje inverso, son pertinentes las características hacia la izquierda del
eje. Si la corriente a través del diodo tiene la dirección que se indica en la figura l.la, la porción
de las características que deben considerarse es arriba del eje horizontal, mientras que una inver·
sión en la dirección requerirla del empleo de las caractensticas abajo del eje. Para la mayona de
las caractensticas de los dispositivos que aparecen en este libro, la ordenada (o eje "y") será el eje
de la corriente, en tanto la abscisa (o eje "x") será el eje del voltaje.
Uno de los parámetros importantes para el diodo es la resisteuciaenel punto o la región de
operación. Si se considera la región de conducción definida por la dirección de ID y polaridad
de VD en la figura 1.1a (el cuadrante superior derecho de la figura l.lb), se deduce que el va-
lor de la resistencia directa, Rp según lo define la ley de Ohm, es
V OV
RF =- F = OQ (corto circuito)
IF 2,3, mA, ... , sólo un valor positivo
donde VF es el voltaje de polarización directa a través del diodo e 1F es la corriente a través del
diodo.
Por tanto, el diodo ideal es un circuito cerrado para la región de conducción.
Corto circuito
./. o~ lo
Cb)
FIgUra 1.2 a) Estados de conducción y b) no conducción del diodo ideal según está detenninado
por la polarización aplicada.
Por lo general, resulta sencillo hasta cierto punto determinar si un diodo se encuentra en la
región de conducción o de no conducción, al observar la dirección de la corriente ID que se
establece mediante un voltaje aplicado. Para el flujo convencional (opuesto al flujo de electro-
nes), si la corriente resultante del diodo tiene la misma dirección que la punta de la flecha del
símbolo del diodo, éste está operando en la región de conducción, según se descnbe en la
figura 1.3a. Si la corriente resultante tiene la dirección opuesta, como se muestra en la figura
l.3b, el circuito abierto equivalente es el apropiado.
Como se indicó antes, el propósito inicial de esta sección es presentar las características
de un dispositivo ideal para poder compararlas con las características de la variedad comer-
cial. Según se avance a través de las próximas secciones, se deben considerar las siguientes
preguntas:
¿Qué tan cercana será la resistencia directa o de "encendido" de un diodo práctico
comparado con el nivel O-.Q deseado?
¿ Es la resistencia inversa parcial lo suficientemente grande como para permitir una
aproximación de circuito abierto?
RA (n)(cm')
p=--= =>n-cm (l.l) p~-
cm
1 cm
Este hecho será de utilidad cuando se comparen los niveles de resistividad en los análisis que se
presentan enseguida.
En la tabla 1.1 se muestran los valores típicos de resistividad para tres categorías amplias
de materiales. Aunque se pueda estar familiarizado con las propiedades eléctricas del cobre y la
mica, las características de los materiales semiconductores, germanio (Ge) y silicio (Si), pue-
den ser relativamente nuevas. Como se encontrará en los capítulos que siguen, ciertamente no
son los únicos dos materiales semiconductores; sin embargo, son los que más interesan en el
desarrollo de dispositivos semiconductores. En años recientes el cambio ha sido estable con
el silicio, pero no así con el germanio. cuya producción aún es escasa.
Observe en la tabla 1.1 el rango tan grande entre los materiales conductores y aislantes para
la longitud de 1 cm (un área de l·cm') de material. Dieciocho lugares separan la colocación del
punto decimal de un número a otro. Ge y Si han recibido la atención que tienen por varias razo-
nes. Una consideración muy importante es el hecho de que pueden ser fabricados con un muy
alto nivel de pureza. De hecho, los avances recientes han reducido los niveles de impureza en el
material puro a una parte por cada 10 mil millones (1 : 10 000 000 000). Es posible que alguien
se pregunte si estos niveles de impureza son realmente necesarios. En realidad lo son si se consi-
dera que la adición de una parte de impureza (del tipo adecuado) por millón, en una oblea de
silicio, puede cambiar dicho material de un conductor relativamente pobre a un buen co~ductor .
de electricidad. Como es obvio, se está manejando un espectro completamente nuevo de nive-
les de comparación, cuando se trata con el medio de los semiconductores. La capacidad de cam-
biar las características del material en forma significativa a través de este proceso, que se conoce
como "dopado", es otra razón más por la cual el Ge y el Si han recibido tanta atención. Otras
razones incluyen el hecho de que sus características pueden alterarse en forma significativa a
través de la aplicación de calor o luz, una consideración importante en el desarrollo de dispositi-
vos sensibles al calor o a la luz.
Algunas de las cualidades únicas del Ge y el Si que se observaron antes se deben a su
estructura atómica. Los átomos de ambos materiales forman un patrón muy definido que es
periódico en naturaleza (esto es que continuamente se repite el mismo). A un patrón completo
se le llama cristal, y al arreglo periódico de los átomos, red cristalina. Para el Ge y el Si el
cristal tiene la estructura de diamante de tres dimensiones que se muestra en la figura 1.5.
Cualquier material compuesto sólo de estructuras repetidas de cristal del mismo tipo se deno·
mina estructura de cristal único. Para los materiales semiconductores de aplicación práctica en
/ el campo de la electrónica, esta característica de cristal único existe y, además, la periodicidad
/ de la estructura no cambia en forma significativa con la adición de impurezas en el proceso de
/ dopado.
/ Ahora, se examinará la estructura del átomo en sí y se observará cómo se pueden afectar
.1 las características eléctricas del material. Como se tiene entendido, el átomo se compone de
/
tres partículas básicas: el electrón, el protón y el neutrón. En la red atómica, los neutrones y los
protones forman el núcleo, mientras que los electrones se mueven alrededor del núcleo sobre
una órbita fija. Los modelos de Bohr de los semiconductores que se usan con mayor frecuen-
Figura 1.5 Estructura de un solo cia, el germanio y el silicio, se muestran en la fignra 1.6.
cristal de Ge y Si. Como se indica en la figura 1.6a, el átomo de germanio tiene 32 electrones en órbita,
mientras que el silicio tiene 14 electrones en varias órbitas. En cada caso, existen cuatro elec-
trones en la órbita exterior (valencia). El potencial (potencial de ionización) que se requiere
para movilizar cualquiera de estos cuatro electrones de valencia, es menor que el requerido
por cualquier otro electrón dentro de la estructura. En un cristal puro de germanio o de silicio
estos cuatro electrones de valencia se encuentran unidos a cuatro átomos adjuntos. como se
muestra en la figura 1.7 para el silicio. Tanto el Ge como el Si son referidos como átomos
tetravalentes, porque cada uno tiene cuatro electrones de valencia.
U na unión de átomos fortalecida por el compartimiento de electrones se denomina
unión covalente.
EI,,,mn,,~
de valencia
(4 para cada uno)
lb)
Figura 1.6 Estructura atómica: a) germanio; Figura 1.7 Unión covalente del átomo de
b) silicio. silicio.
Si bien la unión covalente generará una unión más fuerte entre los electrones de valencia
y su átomo, aún es posible para los electrones de valencia absorber suficiente energía cinética
por causas naturales, para romper la unión covalente y asumir el estado "libre". El término
"libre" revela que su movimiento es muy sensible a los campos eléctricos aplicados, como los
establecidos por las fuentes de voltaje o cualquier diferencia de potencial. Estas causas natura-
les incluyen efectos como la energía lumínica en la forma de fotones y la energía térmica del
medio que lo rodea. A temperatura ambiente existen aproximadamente 1.5 x 10 10 portadores
libres en un centímetro cúbico de material intrínseco de silicio.
Los materiales intlÍnsecos son aquellos semiconductores que han sido
cuidadosamente refinados para reducir /as impurezas a un nivel muy bajo,
esencialmente tan puro como se puede obtener a través de /a tecnología moderna.
A los electrones libres localizados en el material que se deben sólo a causas naturales, se
les conoce como portadores intrínsecos. A la misma temperatura, el material intrínseco de
germanio tendrá aproximadamente 2.5 x 10 13 transmisores libres por centímetro cúbico. La
relación del número de portadores en el germanio respecto al silicio es mayor de 103 e indica
que el germanio es un mejor conductor a temperatura ambiente. Esto puede ser cierto, aunque
en el estado intrínseco ambos aún son considerados conductores pobres. Observe en la tabla
1.1 cómo la resistividad también difiere por una relación de aproximadamente 1000 : 1 con el
silicio, teniendo, por tanto, un mayor valor. Por supuesto, éste debe ser el caso, debido a que la
resistividad y la conductividad son inversamente proporcionales.
Un incremento en la temperatura de un semiconductor puede generar un incremento
sustancial en el número de electrones libres en el material.
Energía
.. Núcleo
(a)
Banda de valencia
f-'-------,.¡ de valencia
/ Electrones ~ - • • • •
• e. • .' unidos a la Banda de valencia
:.. ,Banda de y.alencia . estructura
atómica
E = 1.1 eV (Si)
Figura 1.8 Niveles de energía: a) ~ = 0.67 eV (Ge)
niveles discretos en estructuras ¡,,~ = 1.41 eV (GaAs)
atómicas aisladas; b) bandas de
conducción y valencia de un Aislante Semiconductor Conductor
aislador, semiconductor y
conductor. (b)
Entre los niveles de energía discretos existen bandas vacías, en las cuales no pueden apa-
recer electrones dentro de la estructura atómica aislada. Cuando los átomos de un material se
unen para formar la estructura de la red cristalina, existe una interacción entre los átomos que
ocasiona que los electrones dentro de una órbita en particular de un átomo tengan ligeras
diferencias en sus niveles de energía. respecto a los electrones en la misma órbita de un átomo
adjunto. El resultado neto es una expansión de la banda de los niveles discretos de estados de
energía posibles para los electrones de valencia, como se muestra en la figura 1.8b. Observe
que existen niveles y estados de energía máximos en los cuales se puede encontrar cualquier
electrón, y una región prohibida entre la banda de valencia y el nivel de ionización. Recuerde
que la ionización es el mecanismo mediante el cual un electrón puede absorber suficiente
I W=QV I eV (1.2)
según se derivó de la ecuación definida para el voltaje V = W /Q. Q es la carga asociada con un
único electrón.
Sustituyendo la carga de un electrón y una diferencia de potencial de 1 volt en la ecuación
(1.2) se tiene un nivel de energía referido como un electrón volt. Debido a que la energía
también se mide en joules y que la carga de un electrón = 1.6 x 1j}-19 coulomb,
A O K o cero absoluto (-273.15 OC), todos los electrones de valencia de los materiales
semiconductores se encuentran en la capa exterior del átomo con niveles de energía asociados
con la banda de valencia de la figura 1.8b. Sin embargo, a temperatura ambiente (300 K, 25 oC)
un gran número de electrones de valencia han adquirido suficiente energía para dejar la banda
de valencia, y han atravesado la banda de energía vacía definida por Eg en la figura 1.8b y
entrado a la banda de conducción. Para el silicio Eg es de 1.1 eV, para el germanio 0.67 eV
y para el arseniuro de galio 1.41 e V. Para el germanio, Eg obviamente es menor, y se debe al
gran número de portadores en dicho material, comparado al silicio expuesto a temperatura
ambiente. Observe que para el aislante la banda de energía es con frecuencia de 5 eV o más, lo
cual limita drásticamente el número de electrones que pueden entrar a la banda de conducción
a temperatura ambiente. El conductor tiene electrones en la banda de conducción aun a O K.
Por tanto, es bastante obvio que a temperatura ambiente existan portadores libres más que
suficientes para soportar un gran flujo de carga o corriente.
En la sección 1.5 encontrará que si ciertas impurezas se añaden a los materiales
semiconductores intrínsecos, ocurrirán estados de energía en las bandas prohibidas, lo que
causará una reducción neta en Eg para ambos materiales semiconductores y, por consecuen-
cia, también una mayor densidad de portadores en la banda de conducción a temperatura
ambiente.
Material tipo n
Tanto el material tipo n como el tipo p se forman mediante la adición de un número predetermi-
nado de átomos de impureza al gennanio o al silicio. El tipo n se crea a través de la introducción
de elementos de impureza que poseen cinco electrones de valencia (pentavalentes), como el
antimonio, arsénico y fbsforo. El efecto de estos elementos impuros se indica en la figura 1.9
(utilizando el antimonio como impureza en el silicio). Observe que las cuatro uniones covalentes
aún se encuentran presentes. Existe, sin embargo, un quinto electrón adicional debido al átomo
de impureza, mismo que se encuentra desasociado de cualquier unión covalente en particular.
Este electrón restante, unido débilmente a su átomo (antimonio), se encuentra relativamente
libre para moverse dentro del recién formado material tipo n. Debido a que el átomo de impu-
reza insertado ha donado un electrón relativamente "libre" a la estructura:
A 1m; impureZ/lS tlifundüJos con cinco electrones de valencÍll se les l/mnll átomos donares.
Es importante comprender que, aunque un número importante de portadores "'libres" se
han creado en el material tipo n, éste aún es eléctricamente neutral, debido a que de manera
ideal el número de protones cargados positivamente en los núcleos es todavía igual al número
de electrones '·libres" cargados negativamente y en órbita en la estructura.
El efecto de este proceso de dopado sobre la conductividad relativa se describe mejor a
través del diagrama de bandas de energía de la figura 1.10. Observe que un nivel de energía
discreto (llamado el nivel del donor) aparece en la banda prohibida con un Eg significativamente
menor que aquel del material intrínseco. Aquellos electrones "libres" que se deben a la impu-
reza añadida se sitúan en este nivel de energía, y tienen menor dificultad para absorber la
energía térmica suficiente para moverse a la banda de conducción a temperatura ambiente. El
resultado es que a temperatura ambiente existe un gran número de portadores (electrones) en el
nivel de conducción, y la conductividad del material aumenta en forma significativa. A tempe-
ratura ambiente en un material de Si intrínseco existe aproximadamente un electrón libre por
cada 10 12 átomos (uno por cada 109 para Ge). Si el nivel de "dosificación" fuera de 1 en 10
millones (lO'), la proporción (10 12110 7 = 105 ) indicaria que la concentración de portadores se
ha incrementado en una proporción de 100,000 : l.
Energía
Observe que ahora existe un número de electrones insuficiente para completar las uniones
covalentes de la red cristalina recién fonnada. A la vacante que resulte se le llama hueco, y está
representado por un pequeño círculo o signo positivo debido a la ausencia de una carga nega-
tiva. Por tanto, la vacante resultante aceptará con facilidad un electrón "libre"':
A las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se les conoce como átomos
aceptores.
El material resultante tipo p es eléctricamente neutro, por las mismas razones descritas
para el material tipo n.
•Flujo de huecos
•
Flujo de electrones
Para el material tipo p el número de huecos supera por mucho el número de electrones,
como se muestra en la figura 1.13b. Por tanto:
En un material tipo p el hueco es el portador mayoritario y el electrón es el portador
minoritario.
Cuando el quinto electrón de un átomo donor deja a su átomo, el átomo restante adquiere
una carga positiva neta: de ahí el signo positivo en la representación del ion donar. Por razones
análogas, el signo negativo aparece en el ion aceptor.
Los materiales tipo n y p representan los bloques de construcción básicos de los dispositi-
vos semiconductores. En la siguiente sección se encontrará que la "unión" de un solo material
tipo n con un material tipo p tendrá por resultado un elemento semiconductor de importancia
considerable en los sistemas electrónicos.
Ponadores
mayoritarios
Portadores Portadores
minoritarios mayoritarios
Portadores
Tipo n Tipop minoritarios
1"
':~-~:I"
~~I.
FluJo de ponadores mayoritarios
p n
tzD ~ DmA
"------0+ VD ~ DV Figura 1.14 Unión p-n sin
(sin polarización) polarización externa.
p '---------,---- n
Región de agotamiento
La corriente de saturación inversa rara vez es mayor que unos cuantos microamperes, con
excepción de los dispositivos de alta potencia. De hecho, en años recientes se encontró que su
nivel está casi siempre en el rango de nanoamperes para dispositivos de silicio, y en el rango de
microamperes para el germanio. El término saturación proviene del hecho de que alcanza su
máximo nivel con rapidez y no cambia de manera significativa con el incremento del potencial
de polarización inversa, como se muestra en las caractensticas de los diodos de la figura 1.19
para VD < O V. Las condiciones de polarización inversa se describen en la figura 1.17 para el
símbolo de diodo y la unión p-n. Observe, en particular, que la dirección de 1, es contra la
+ flecha del símbolo. A su vez, que el potencialaegativo está conectado al materia! tipo p y el
o---I~M-----<o
_t, potencial positivo a! material tipo n, y que la diferencia en las literales subrayadas para cada
región revela una condición de polarización inversa.
8~8+
¡-,+~ + 8 + (-'"~ C<r.'
+8+8
p n
Región de agotamiento
ID(mA)
I
20 I
19
Ec. (1.4) I
lB Unidad real disponible·- -
17
I
en el mercado - -
16
I
15
I
14
I
l3 I
12
Polarización definida y -
II dirección para la gráfica -
10 VD -
+ -, -
9 ~
8
I
-ID -
7 Región de polarización directa
(VD>OV,ID>OmA)
6
I
5
4 I I
3
I
1/
I
2
1, 1 , /
,/
-40 -30 -20 -\0 ° r->::0.3
-0.1 ~A
05 0.7 1 VD (V)
f --O.21J.A
Ji Si~ polariz~ciÓ~
Región de polarización inversa (VD=OV,ID=OmA)
(VD<OV,lD=-Is>T - -0.3 ¡.LA
1 11
1 I -?4 ¡.LA
I I I I Figura 1.19 Características del
diodo semiconductor de silicio.
(1.4)
Para valores positivos de VD' el primer término de la ecuación anterior crecerá con mayor
rapidez, y superará el efecto del segundo término. El resultado será positivo para los valores
positivos de Vv e [v' y crecerá de la misma manera que la función y = ex, la cual aparece en la
figura 1.20. En Vv =0 V, la ecuación (1.4) se convierte en Iv = [,(e0 - 1) =IP - 1) = O mA, como
}
aparece en la fIgura 1.19. Para valores negativos de Vv' el primer término disminuirá rápidamen-
te debajo de 1" dando como resultado Iv =-1" que es la línea horizontal de la figura 1.19. La ruptura
de las características en Vv = OV se debe sólo al cambio drástico en la escala de mA a !LA.
Observe en la figura 1.19 que la unidad comercial disponible tiene características que se
encuentran desplazadas a la derecha por unas cuantas décimas de un volt. Esto se debe a la
resistencia interna del "cuerpo" y a la resistencia externa de "contacto" de un diodo. Cada una
contribuye a un voltaje adicional sobre el mismo nivel de corriente, como lo determina la ley
de Ohm (V = IR). Con el tiempo, mientras se mejoran los métodos de producción, esta diferen-
cia disminuirá y las características reales se aproximarán a aquellas de la sección (1.4).
I
Es importante observar el cambio en la escala para los ejes vertical y horizontal. Para
o 2 x
los valores positivos de ID' la escala se encuentra en miliamperes y la escala de la corriente
Figura ].20 Gráfica de ex. abajo del eje se calcula en microamperes (o posiblemente nanoamperes). Para Vv' la escala
para los valores positivos está en décimas de volts y para los valores negativos la escala es
en decenas de volts.
En un principio, la ecuación (l.4) parece algo compleja y es susceptible de generar un
temor injustificado de que ésta se someterá a todas las aplicaciones subsecuentes de diodos.
Sin embargo, afortunadamente en una sección posterior se hará un número de aproximaciones
que eliminará la necesidad de aplicar la ecuación (1.4) Yofrecerá una solución con un mínimo
de dificultad matemática.
Antes de dejar el tema del estado de polarización directa, las condiciones para la conducción
(el estado "encendido") se repiten en la fIgura 1.21 con los requerimientos de polaridad y la
dirección resultante del flujo de portadores mayoritarios. Observe en particular cómo la direc-
ción de la conducción concuerda con la flecha en el símbolo (según se reveló para el diodo ideal).
14
Capítulo 1 Diodos semiconductores
V/
,, \
t o
,
1-- Región
Zener
figura 1.22 Región Zener.
a una velocidad muy rápida en una dirección opuesta a aquella de la región de voltaje positivo.
El potencial de polarización inversa que da como resultado este cambio muy drástico de las
características se le llama potencial Zener y se le da el símbolo Vz .
Mientras el voltaje a través del diodo se incrementa en la región de polarización inversa, la
velocidad de los portadores minoritarios responsables de la corriente de saturación inversa (
también se incrementarán. Eventualmente, su velocidad y energía cinética asociada (WK :=
: mv 1 ) será suficiente para liberar portadores adicionales por medio de colisiones con otras
estructuras atómicas estables. Esto es, se generará un proceso de ionización por medio del cual
los electrones de valencia absorben suficiente energía para dejar su átomo. Dichos portadores
adicionales pueden luego ayudar al proceso de ionización, hasta el punto en el cual se estable-
ce una gran corriente de avalancha que determina la región de ruptura de avalancha.
La región de avalancha (Vz ) se puede acercar al eje vertical al incrementar los niveles de:
dopado en los materiales tipo p y tipo n. Sin embargo, mientras Vz disminuye a niveles muy
bajos, como -5 V, otro mecanismo llamado ruptura Zener contribuirá con un cambio agudo en
la característica. Esto ocurre debido a que existe un fuerte campo eléctrico en la región de la
unión que puede superar las fuerzas de unión dentro del átomo y "generar" portadores. Aunque el
mecanismo de ruptura Zener es un contribuyente significativo sólo en los niveles más bajos de Vz•
este cambio rápido en la característica a cualquier nivel se denomina región Zener, y los diodos que
utilizan esta porción única de la característica de una unión p-n son los diodos Zener. Estos
diodos se describen en la sección 1.14.
La región Zener del diodo semiconductor descrito se debe evitar si la respuesta de un
sistema no debe ser alterada completamente por el severo cambio en las características de esta
región de voltaje inverso.
El máximo potencial de polarización inversa que puede ser aplicado antes de entrar a
la región Zener se conoce como voltaje pico inverso (referido simplemente como el
valor PIV, por las iniciales en inglés de: Peak Inverse Voltage) o PRV, por las
iniciales en inglés de: Peak Reverse Voltage).
Si una aplicación requiere de un valor PIV mayor que el de una sola unidad. se deben
conectar en serie un número de diodos de la misma característica. Los diodos también se
conectan de manera paralela para aumentar la capacidad de transporte de corriente.
30
25
G, Si
20
lS
lO
5
1, (Si)=O.OI pA= lOnA
Vz(Si) ¡ Vz(Ge)
~
t D.l 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 VD (V)
1 ~A
t 2 }.lA
VT(Ge) VT(Si)
J, (Ge)
3~
Si Ge
para alcanzar la región de conducción. Éste suele ser del orden de 0.7 V de magnitud para los
diodos de silicio disponibles en el mercado, y 0.3 V para diodos de germanio cuando se redon-
dea a la siguiente décima. La mayor variación para el silicio se debe, básicamente, al factor r¡
en la sección (lA). Este factor toma parte en la determinación de la forma de la curva sólo en
niveles de corriente muy bajos. Una vez que la curva empieza su crecimiento vertical, el factor
r¡ cae a 1 (el valor continuo del germanio). Esto es evidente por las similitudes en las curvas
una vez que el potencial de conducción se ha alcanzado. El potencial por el cual ocurre este
crecimiento se conoce como potencial de conducción de umbralo de encendido. Con frecuen-
cia, la primera letra de un término que describe una cantidad en particular se usa en la notación
para dicha cantidad. Sin embargo, para asegurar un mínimo de confusión con otros términos,
como el voltaje de salida (VD' por las iniciales en inglés de: output) y el voltaje de polarización
directa (Vp por la inicial en inglés de:forward), la notación Vrha sido adaptada para este libro
por la palabra "umbral" (por la inicial en inglés de: threshold).
En resumen:
VT = 0.7 (Si)
VT = 0.3 (Ge)
Obviamente, mientras más cercana al eje vertical es la excursión, más cerca de lo "ideal" está
el dispositivo. Sin embargo. las otras características del silicio comparadas con el germanio lo
hacen ser el elegido en la mayor parte de las unidades disponibles en el mercado.
Efectos de la temperatura
La temperatura puede tener un marcado efecto sobre las características de un diodo
semíconductor de silicio, según se comprobó mediante un diodo de silicio típico en la figura
1.24. A partir de múltiples experimentos se encontró que:
La corriente de saturación inversa ls será casi igual al doble en magnitud por cada
10°C de incremento en la temperatura.
(392°F)
200°C 100°C 25°C
12 I
I
I
I
lO I
I
I
• I I
f---H---i--I::::=p-1F
I
8 , _=. (punto de ebullición
I
T del ag.ua)
, I
6
• J-----';"" (temper~tura ambiente)
4 f-----fl-,--If---f'--+----1
I /1
, I /1 ./
(V) 2 ...rl:"..'---+-----1
I--¡+-l'-h//I--
lO
'fl ..................................
I /...%:: .......('
0.7 1 1.5 2
,-- ---1--------1--1
- _1- - - - ~- - - - _/f- 2
(1 ;
,: ~ - 3
I I , Figura 1.24 Variación en las
1: ¡ (!lA)
características de los diodos con
el cambio de temperatura.
1. 7 NIVELES DE RESISTENCIA
Cuando el punto de operación de un diodo se mueve desde una región a otra, la resistencia del
diodo también cambiará debido a la forma no lineal de la curva característica. En los siguientes
párrafos se demostrará cómo el tipo de voltaje o señal aplicado definirá el nivel de la resisten-
cia de interés. Se presentarán tres niveles diferentes en esta sección, pero aparecerán de nuevo
cuando se analicen otros dispositivos. Por tanto, es muy importante que su detenninación se
comprenda con claridad.
( 1.5)
Los niveles de resistencia en de en el punto de inflexión y hacia abajo serán mayores que
los niveles de resistencia que se obtienen para la sección de crecimient·o vertical de las carac-
terísticas. Como es natural, los niveles de resistencia en la región de polarización inversa serán
muy altos. Debido a que, por lo regular, los óhmetros utilizan una fuente de comente relativa-
mente constante, la resistencia determinada será en el nivel de corriente predeterminado (casi
siempre unos cuantos miliamperes).
ID (mA)
30
_ Silicio
20 ------------
10
_
....- - - - + 0 0.5 0.8 VD (V)
lIlA
FIgura 1.26 Ejemplo L L
Solución
a) EnID =2rnA, VD =0.5 V (de la curva) y
0.5 V
= 2500
2rnA
Resistencia en ac o dinámica
A partir de la ecuación 1.5 y en el ejemplo l.l resulta obvio que la resistencia en dc de un diodo
es independiente de la forma de la característica en la región que rodea el punto de interés. Si
se aplica una entrada senoidal en lugar de una entrada de de, la situación cambiará por comple-
to. La entrada variante desplazará de manera instantánea el punto de operación hacia arriba y
abajo en una región de las características y, por tanto, define un cambio específico en corriente
y voltaje, como lo muestra la figura 1.27. Sin tener una señal con variación aplicada, el punto
de operación sería el punto Q que aparece en la figura 1.27, determinado por los niveles de dc
aplicados. La designación del punto Q se deriva de la palabra estable (por la inicial en inglés
de: quiescent), que significa "estable o sin variación~'.
fCfJ'
'" ---------- Línea tangente
L_ _ , _ _ _ . ' :
M ___ o - ----- -. : PuntoQ
(ope"dón de)
Una línea recta dibujada tangencialmente a la curva a través del punto Q, como se muestra en
la figura 1.28, definirá un cambio en particular en el voltaje, así como en la corriente que pueden
ser utilizados para detenninar la resistencia en ac o dinámica para esta región en las característi-
cas del diodo. Se debe hacer un esfuerzo para mantener tan pequeño y equidistante como sea
posible el cambio en ei voltaje y en la corriente a cualquier lado del punto Q. En forma de ecuación,
I = ~Vd
rd - dI
d
I donde ~ significa un cambio finito en la cantidad. (1.6)
Mientras mayor sea la pendiente, menor será el valor de ~Vd para el mismo cambio en Md y
menor será la resistencia. La resistencia ac en la región de crecimiento vertical de la caracterís-
tica es, por tanto, muy pequeña, mientras que la resistencia ac es mucho más alta en los niveles FIgura 1.28 Determinación de la
de corriente bajos. resistencia en ac en un punto Q.
30
1I
25
. raI"
20 J
\"v
u"
15
10
5
4 - ........•....
2 -----------------,.,
o 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 I VI> (V)
~
aY,}
F.gura 1.29 Ejemplo 1.2.
Solución
a) Para [D = 2 mA; la línea tangente en [D ; 2 mA se dibujó como se muestra en la figura y se
eligió una excursión de 2 mA arriba y abajo de la corriente del diodo especificada. En [D =
=
4 mA; VD = 0.76 Y, Y en[D = O mA; VD 0.65 V. Los cambios que resultan en la corriente
y el voltaje son
dVv
(lo) = dV
- [IsCekVDITK - 1)]
dIo k
y =-(lv+ / ,)
dVo TK
siguiendo algunas maniobras básicas de cálculo diferencial. En general, ID >- Is en la sección de
pendiente venical de las caractensticas y
dl D k
- - '" --Iv
dVo TK
Sustituyendo 11;;:;; 1 para Ge y Si en la sección de crecimiento vertical de las características, se
obtiene
II ,600 II ,600
k= = =11,600
TI
y a temperatura ambiente
dIo
y = 38.931v
dVD
Invirtiendo el resultado para definir una proporción de resistencia (R =VIl), se obtiene
dVo '" 0.026
dIo Iv
o rd = 26mV I (1.7)
L -_ _ _I_o_....JGe.s;
26mV
r' =: - - - + rB ohms (1.8)
d 1
D
El factor r B puede tener un rango típico desde 0.1 O para los dispositivos de alta potencia
a 2 O para algunos diodos de baja potencia y propósitos generales. Para el ejemplo 1.2 la
resistencia ac en 25 mA se calculó como 2 O. Utilizando la ecuación (l.7) se obtiene
26mV 26mV
rd = - 1 - = 25mA = 1.04D
D
rd = 2( ---r
26m'V\
ID
(26mj
2 - - = 2(130) = 260
2mA
Resistencia en ac promedio
Si la señal de entrada es lo suficientemente grande para producir una gran excursión tal como
lo indica la figura 1.30, a la resistencia asociada con el dispositivo para esta región se le llama
resistencia en ac promedio. La resistencia ac promedio es, por definición, la resistencia deter-
20
15
tJ d 10
-0.7
" ,V,
0.8
minada por una línea recta dibujada entre dos intersecciones establecidas por unos valores
máximos y mínimos del voltaje de entrada, En forma de ecuación (obsérvese la figura 1.30),
L\, Vd 1 (1.9)
r av:::: ó..ld punto por punto
L\,Id = 17 mA - 2 mA = 15 mA
y L\,Vd =0.725 V - 0.65 v = 0.075 V
con L\,Vd 0.075 V
r,,=--=----=5Q
Md 15 mA
Tabla resumen
La tabla 1.2 se desarrolló con objeto de reforzar las importantes conclusiones de las últimas
páginas y de hacer énfasis en las diferencias entre los diversos niveles de resistencia. Como se
indicó antes, el contenido de esta sección es el fundamento para gran cantidad de cálculos de
resistencia que se efectuarán en secciones y capítulos posteriores.
26mV/IDQ
En otras palabras, una vez que se define el circuito equivalente. el símbolo del dispositivo
puede eliminarse de un esquema, e insertar el circuito equivalente en su lugar sin afectar de
forma severa el comportamiento real del sistema. El resultado es a menudo una red que puede
resolverse mediante el empleo de técnicas tradicionales de análisis de circuitos.
lü
+
o
través del dispositivo. y se generará una condición de polarización inversa en el estado de circui-
to abierto para el dispositivo. Debido a que un diodo semiconductor de silicio no alcanza el
estado de conducción hasta que VD alcanza 0.7 V con una polarización directa (según se muestra
en la figura 1.31), debe aparecer una batería Vr que se opone a la conducción en el circuito
equivalente según se muestra en la figura 1.32. La batería sólo especifica que el voltaje a través
del dispositivo debe ser mayor que el umbral del voltaje de la batería antes que pueda establecer-
se la conducción a través del dispositivo en la dirección que dicta el diodo ideal. Cuando se
establezca la conducción, la resistencia del diodo será el valor especificado de '".
Sin embargo, tenga en cuenta que V T en el circuito equivalente no es una fuente de voltaje
independiente. Si se coloca un voltímetro a través de un diodo aislado encima de una mesa de
laboratorio, no se obtendrá una lectura de 0.7 V. La batería sólo representa el defasamiento
horizontal de las características que deben excederse para establecer la conducción.
Por lo regular, el nivel aproximado de ray puede determinarse a partir de un punto de
operación en la hoja de especificaciones (la cual se analizará en la sección 1.9). Por ejemplo,
=
para un diodo semiconductor de silicio, si IF 10 mA (una comente de conducción directa en
=
el diodo) a VD 0.8 V, se sabe que para el silicio se requiere un cambio de 0.7 V antes que haya
conducción y
0.8 V - 0.7V 0.1 V
= =lOQ
lOmA - DmA lOmA
equivalente es la misma que aparece en las características del diodo, tal como se muestra en la
figura 1.33. Desde luego, esta aproximación se emplea con frecuencia en el análisis de circui-
tos semiconductores según se demuestra en el capítulo 2. El circuito equivalente reducido
aparece en la misma figura. Éste establece que un diodo de silicio con polarización directa en
un sistema electrónico bajo condiciones de de tiene una caída de 0.7 V a través de él, en el
estado de conducción a cualquier nivel de corriente del diodo (desde luego, dentro de los
valores nominales).
Tabla resumen
Por claridad, los modelos de diodos que se utilizan para el rango de parámetros y aplicaciones
de circuito se presentan en la tabla 1.3, con todas sus características en segmentos lineales.
Cada uno se investigará con mayor detalle en el capítulo 2. Siempre existen excepciones a la
regla general, pero es muy cierto que el modelo equivalente simplificado se utilizará con mu-
cha frecuencia en el análisis de sistemas electrónicos, mientras que el diodo ideal es aplicado
con mayor regularidad en el análisis de los sistemas de fuente de alimentación donde se loca-
lizan los mayores voltajes.
Modelo de segmentos
lineales o v,
Modelo
simplificado o v,
Dependiendo del tipo de diodo que se considere, también se presentan datos adicionales,
como el rango de frecuencia, el nivel de ruido, el tiempo de conmutación, los niveles de resis-
tencia térmica y los valores pico repetitivos. Para la aplicación considerada. el significado de
los datos, en general, será claro por sí mismo. Si se proporciona la máxima potencia o el valor
nominal de disipación, se entiende que éste es igual al producto siguiente:
(1.10)
ENCAPSULADO 00·35
A--<f---' BV '" 125 V (MIN)@loo!lA(BAY73)
'BV , .. 200 V (MIN) @ 100 !lA (BA 129)
Temperaturas
Rango de temperao1ra de almacenamiento -65°C a +200 oC
B - I - - - - - Temperatura máxima de operación de la unión +17SoC
Temperatura de la ,:anexión +260°C
NOTAS:
t Estos son valores límites sobre 10$ cuales el funcionamiento del diodo puede ser dañado.
2 Estos son límit~~ de estado estables. La fábrica debe ser consultada sobre aplIcaciones que involucran pulsos u operación con ciclo ele trabajo bajo.
Figura 1.35 Características eléctricas de los diodos de alto voltaje y baja fuga Fairchild BAY73 . BA
129. (Cortesía de Fairchild Camera and Instrument Corporation.)
,
I
e 2-D
¡"'-.
'--';" I .
O. 1 u ,
1.0 ,
i
001 0.0 1 -X \" o I i
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 o 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 o 4.0 8.0 12 16
,í vl IK
~ v,, 125 V
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10 ~"; 1~<.=?I,dc I
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I 1.0 U I I
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-' 0.02
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: I i
om 0.1 0.0 I
O 25 50 7S 100 125 O 25 50 75 100 125 ISO o 1.0 10 100 IK JQK
CORRIENTE RECTIFICADA
CURVA DE PÉRDIDA DE PROMEDIO Y CORRIENTE DIRECTA
DISIPACiÓN DE POTENCIA CONTRA TEMPERATURA AMBIENTE
500
1'\ i ! 500
400
'\ i I 400
f'\: I
I I I
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300 E 300 ;¡,
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i 1'\ 100 f--+-I--+C",",¡;:'
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I I . ,\1 OL-~ __-L·~~~~~
O
O 25 50 75 100 125 ISO 175 200 O 25 50 75 100 125150 175 200
Figura 1.36 Características térmicas de los diodos de alto voltaje Fairchild BAY73 .
BA 129. (Cortesía de Fairchild Camera and lnstrument Corporation.)
A: Los voltajes mínimos de polarización inversa (PIV) para cada diodo a una corriente
de saturación inversa especificada.
B: Características de temperatura según se indican. Observe el empleo de la escala Celsius
y un amplio rango de utilización [recuerde que 32°F = O oC = congelamiento (H,O)
y 212°F = 100 oC = ebullición (HzÜ)]. -
C: Nivel de disipación de potencia máximaPo= Volo = 500 mW. El valor de potencia
máxima disminuye a una proporción de 3.33 mW por grado de incremento en la
temperatura arriba de la temperatura ambiente (25 oC), según se indica con claridad
en la curva de pérdida de disipación de potencia en la figura 1.36.
D: Corriente directa continua máxima I F = 500 mA (observe I F en función de la
m"
temperatura en la figura 1.36).
E: El rango de valores de VF en IF =200 mA. Observe que excede VT =0.7 V para am-
bos dispositivos.
F: El rango de valores de VFen I F = 1.0 mA. En este caso, observe cómo los límites su-
periores se encuentran alrededor de 0.7 V.
G: En V R " 20 Vy una temperatura de operación típica IR" 500 nA= 0.5 ¡LA, mientras
que a un voltaje inverso mayor IR cae a S nA = 0.005 ¡.¡.A.
H: El nivel de capacitancia entre las terminales es aproximadamente de 8 pF para el
diodo BAY73 en VR = VD = O V (sin polarización) y con una frecuencia aplicada de
1 MHz.
1: El tiempo de recuperación inverso es 3 Ils para la lista de condiciones de operación.
En algunas de las curvas de la figura 1.36 se utiliza una escala logarítmica. Una breve
investigación de la sección 11.2 debe ayudar a la lectura de las gráficas. Observe, en la figura
superior izquierda, la manera en que VF se incrementó desde cerca de 0.5 V a más de 1 V,
mientras I F aumentó de lO ¡.¡.A a más de lOO mA. En la figura inferior se encuentra que la
corriente de saturación inversa cambia un poco con los cambios crecientes de VR, pero perma-
nece en menos de 1 nA a temperatura ambiente hasta VR = 125 V. Sin embargo, como se
aprecia en la figura adjunta, la comente de saturación inversa se incrementa con rapidez con el
aumento en la temperatura (tal como se pronosticó antes).
En la figura superior derecha se observa cómo disminuye la capacitancia con el incremen-
to en el voltaje de polarización inversa, y en la figura inferior se puede ver que la resistencia ac
(rd ) es sólo cercana al Q en lOO mA y aumenta a lOO Q en corrientes menores de 1 mA (según
se esperaba a partir del análisis en secciones anteriores).
La corriente rectificada promedio, la corriente directa pico repetitiva y la corriente de
sobrecarga pico, COmo aparecen en la hoja de especificaciones, se definen de la manera
siguiente:
1. Corriente rectificada promedio. Una señal rectificada de media onda (descrita en la sec-
ción 2.8) tiene un valor promedio definido por 1" = 0.318 Ip"o' El valor de la corriente
promedio es menor que las comentes directas continuas o pico repetitivo, porque una for-
ma de onda de corriente de media onda tendrá valores instantáneos mucho más altos que el
valor promedio.
2. Corriente directa pico repetitivo. Éste es el valor máximO instantáneo de la corriente direc-
ta repetitiva. Observe que debido a que se encuentra en este nivel durante un breve periodo,
su nivel puede ser superior al nivel continuo.
,. Corriente de sobrecarga pico. Eu ocasiones, duraute el en.cendido, el mal funcionamiento
y otros factores similares, existirán corrientes muy altas a través del dispositivo durante
breves intervalos de tiempo (que no Son repetitivos). Este valor nominal define el valor
máximo y el intervalo de tiempo para tales sobrecargas del nivel de corriente.
C(pF)
15
..
I
10
Polarización inversa (C r )
7
5 7
POlarización,directa (CD ) -
•
(V) -25 -20 -15 -lO o 0.25 0.5
[in\lersa '-_-'-!
1-,,-
. . . " ....
FIgura 1.39 Definición del tiempo
1.....-t,'~ de recuperación inverso.
(,)
(b)
(e)
FlgUra 1.41 Varios tipos de diodos de unión. [a) Cortesía de Motorola lnc.; y
b) y e) Cortesía de International Rectifier Corporation.]
{D (mA)
Terminal roja
(Víl) tI tI Terminal negra
(COM)
,t----I
---I~M---
A
o 0.67 V
Figura 1.43 Verificación
de un diodo en el estado
(a) (b) de polarización directa.
Terminal roja
(VQ)
1 1 Terminal negra
(COM)
semiconductor es bastante baja comparada con el nivel de polarización inversa. Por tanto, si se
mide la resistencia de un diodo utilizando las conexiones que se señalan en la figura 1.44a,
se puede esperar un nivel relativamente bajo. La indicación resultante en el óhmetro será una
+-----'...- - función de la corriente establecida por la batería interna a través del diodo (a menudo 1.5 V)
por el circuito del óhmetro. Mientras más alta sea la corriente, menor será el nivel de resisten-
(a) cia. Para la situación de polarización inversa la lectura debe ser bastante alta, requiriendo, tal
R relativamente alta
vez, de una mayor escala de resistencia en el medidor, según se indica en la figura 1.44b. Una
Terminal negra
(COM)
1 lTerminal roja
(Víl)
lectura alta en la resistencia en ambas direcciones indica con claridad una condición abierta
(dispositivo defectuoso), mientras que una lectura muy baja de la resistencia en ambas direc-
ciones quizá indique un dispositivo en corto.
~,--+,
-'--I..
Trazador de curvas
(b)
El trazador de curvas de la figura 1.45 puede desplegar las características de una gran cantidad
Figura 1.44 Verificación de un de dispositivos, incluyendo el diodo semiconductor. Al conectar el diodo en forma adecuada al
diodo mediante un óhmetro. tablero de pruebas en la parte central e inferior de la unidad y ajustando los controles, se puede
Por divi~ión
lOmA VenIC;¡\
I
9mA mA
SmA
Pordjvi~ión
7mA horilOntal
100
&mA m'
'mA
'mA
3mA
2mA
lmA
U r> o g",
por diVj,ión
Figura 1.46 Respuesta del
DmA
V trazador de curvas para el
ov O,IV 0.2\1 03V 0.4\1 O,SV 0.6V 0.7\1 O.SV 0,9V 1.0V - - - - diodo de silicio IN4007.
obtener una imagen en la pantalla como la de la figura 1.46. Observe que la escala vertical
es de I mA/div, lo que da por resultado los niveles indicados. Para el eje horizontal, la escala es
de 100 m V/div, lo que da por resultado los niveles de voltaje que se indican. Para un nivel de
2-mA, como se definió para un DDM,el voltaje resultante sería de 625 mV = 0.625 y. Aunque,
en principio, el instrumento parece ser muy complejo, el manual de instrucciones y algunos
momentos de contacto revelarán que los resultados deseados por lo general se pueden obtener
sin mucho esfuerzo y tiempo. El mismo instrumento aparecerá en más de una ocasión en los
capítulos subsecuentes, a medida que se investigan las características de diversos dispositivos.
o
1.14 DIODOS ZENER
La región Zener de la figura 1.47 se analizó con cierto nivel de detalle en la sección 1.6. La
característica cae de manera casi vertical en un potencial de polarización inversa denotado
como Vz. El hecho de que la curva caiga abajo y lejos del eje horizontal, en vez de arriba y lejos
para la región positiva VD. revela que la corriente en la región Zener tiene una dirección opues- Figura 1.47 Revi.sión de la región
ta a aquella de un diodo con polarización directa. Zener,
f - "'f (a)
-
v,
(b\
muestra en la figura 1.49. Sin embargo, para todas las aplicaciones siguientes se deberá suponer
como primera aproximación que las resistencias son de magnitudes mucho mayores que la resis-
tencia Zener equivalente, y que el circuito equivalente es el que se indica en la figura 1.49b.
En la figura 1.50 se muestra un dibujo más grande de la región Zener con objeto de'penni-
tir una descripción de los datos con el nombre Zener que aparecen en la tabla lA para un diodo
Figura 1.49 Circuito equivalente de Fairchild IN961 de 500-mW y 20%. El término "nominal" asociado con Vz indica que se trata
Zener: a) completo: b) aproximado. de un valor típico promedio. Debido a que se trata de un diodo de 20%. se puede esperar que el
'z
v" v, ..-
10 .uA 1" Vz
/' 0.25 mA = I ZK
(
"'- r d
=8.5.Q=Zn
1 l¡;r= 12.5 mA
lz.w= 32 mA
Figura 1.50 Características de
prueba de Zener (FairchUd lN96l).
TABLA 1.4 Caractelisticas elécmcas (25°C de temperatura ambiente, a menos que se observe lo contrario)
%/OC (1.12)
1 "1-'
lil~;Tl. -,"'-rT1L"Tl 1 kQ
E +0.12 ,T"'"T l;-rr--c·
I ! I K! I
I,
, I i! !
,
tf-~:2~~~~~'I.='~':l!!=I~!::~\*\~;!,=¡ttt=1
500 ,
::: +0.08 el ¡ ,
200
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~
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~
-V.04
t~,¿í;j;~=t:t~\tljl¡ttj
• "- ~lJ ~
•
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i !i I I 1 I,!
f-~'I!-,~+'Ht~-+i_+-jll+¡¡-+,-++HII-+i
12 L...J..:1-_'-.!.l_-'--'-CL..-'-.l..J.lL.~
1 5
2
I 1 1
i 6.8 V " "-
1
0.01 0.050.1 0.5 J 5 10 50 100 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100
(b)
Figura 1.51 Características eléctricas para un diodo Zener Faírchild de 500 mW.
(Cortesía de Fairchild Camera and Instrument Corporation.)
Detenninar el voltaje nominal para un diodo Zener Fairchild 1N96l de la tabla 1.4 a una EJEMPLO 1.3
temperatura de lOO oc.
Solución
A partir de la ecuación (1.12).
Como se muestra en la figura 1.54 con su símbolo gráfico, la superficie conductora conec-
tada al material p es mucho más pequeña, con objeto de permitir la emisión de un número
máximo de fotones de energía lumínica. Observe en la figura que la recombinación de los
portadores inyectados debido a la unión con polarización directa genera luz, que se emite en el
lugar en que se da la recombinación. Puede haber, desde luego, alguna absorción de los paque-
tes de energía de los fotones en la superficie misma, pero un gran porcentaje se encuentra
disponible para salir, según se muestra en la figura.
+e el-
~
-::--I"--~e
----..
(-) ID VD
(b)
lumínica por unidad de corriente, según se muestra en la figura 1.55g. La intensidad relativa de
cada color contra la longitud de onda se muestra en la figura 1.55d,
Debido a que el LED es un dispositivo de unión p-n, tendrá una característica en polarización
directa (figura 1.5Se) similar a las curvas de respuesta del diodo. Observe el incremento casi
lineal en la intensidad lumínica relativa con corriente directa (figura 1.55f). La figura 1.55h
revela que mientras más larga es la duración del pulso a una frecuencia en particular, menor
será la corriente pico permitida (después de pasar el valor de ruptura de tp )' La figura 1.55i
muestra que la intensidad es mayor a 0° (de cabeza) y la menor a 90° (cuando el dispositivo se
observa desde un lada).
y almacenamiento
Temperatura de soldadura de la cone;<..ión 230°C durante 3 segundos
[1.6 mm (0.063 pulg) del cuerpo
(a) (b)
NOTAS,
l. el.'~ es el ángulo fuera dd eje al cual la intensidad lumínica es la mitad de la intensidad lumínica axial.
2. La longitud de onda dominante, P.d , se deriva del diagrama de cromaticidad elE y representa la longitud de onda única que
define el color del dispositivo.
3. La intensidad radiante. le' en watts/estereorradianes. se puede encontrar a partir de la ecuación 1,. = /,.ITf l • donde/l' es la
intensidad lumínica en candelas y Tf,. es la eficacia luminica en lúmenes/waU.
(e)
FIgUra 1.55 Lámpara subminiatura roja de estado sólido de alta eficiencia de Hewlett-Packard;
a) apariencia; b) valores nominales máximos absolutos; e) características eléctricas/ópticas;
d) intensidad relativa contra longitud de onda; e) corriente directa contra voltaje directo; f) intensidad
lumínica relativa contra corriente directa; g) eficiencia relativa contra corriente pico; h) corriente
pico máxima contra duración del pulso; i) intensidad lumínica relativa contra desplazamiento angular.
(Cortesía de Hewlett-packard Corporation.)
ii 0.5 f-------,II------\---+--¡'----+'r--=="+--~--__j
:g
.©
-=
;
O~~~~~----~~~~~~~·---=~-----~==·_·~~~~-~=----~
500 550 600 650 700 750
Longitud de onda - nm
(d)
2O ,
~ 25°~
3.0 1.6
-
<
=
T, r- 1'.4 = 25°C
,""
1.5
, --
/
1.4
15
o • 1.3
ü
~ 2.0 i:g
ª
1.2
"-O
10 /
/
2 l.l
.g ·1~s 1.0
6 1.0
/
u 5 0.9
~-
o / o ../'
V OR
07
l
--->- T I~
(h) (i)
.t:C.-. oto". i
~
FSA1410M
rfHtHH
:vtáxima temperatura de operación de la unión +150°C
Temperatura en la conexión +260 oC
Disipación de potencia (Nota 2)
Máxima disipación en la unión a 25 nc de ambiente 400mW
Por encapsulado a 25 oC de ambiente 600mW
Factor de pérdida de disipación lineal (desde 25 OC) en la unión 3.2 mW¡OC 2 J 4 5 6 7 8 9
Encapsulado 4.8 mW¡OC
Corriente y voltaje máximos Ver diagrama de base del encapsulado TO·96
WIV Voltaje inverso de trabajo 55 V
Corriente directa continua 350 mV
Corriente de onda de pico directo
Ancho de puLso = t.o s 1.0 A
Ancho de pulso = l.o!ls 2.0A
Figura 1.58 Arreglo monolítico de diodos. (Cortesía de Fairchild Camera and lnstrument
Corporation.)
~~~~~~~~~n
pulgadas. (Cortesía de Fairchild Vidrio Conex.iones de Kovar, banadas en oro
Camera and Instrument Encapsulado sellado hennéticamente
Corporation.) Peso del encapsulado: 1.32 gramos
Los diodos restantes se quedarían "colgando" y no afectarían la red a la cual sólo estarían
conectadas las terminales 1 y 2.
Otro arreglo de diodos aparece en la figura 1.60. En este caso el encapsulado es diferente,
pero la secuencia de numeración aparece en el diagrama de base. La terminall es la que está
directamente arriba de la pequeña muesca cuando el dispositivo se observa con las terminales
hacia abajo.
TO-116-2 Descripción
Diagramas de base
l' 0.785" , I
+" C:::::J
1 FSA2500M
....L,..,...._~--:-..,.....---,
Ver descripción de! encapsulado TO-II6-2
o~r:"~:;::;;
-- - .".';
Notas:
Plano de t ~ Aleación 42. terminales estañadas
montaje Terminales bañadas en oro disponibles
Encapsulado de cerámica sellado
herméticamente
Figura 1.60 Arreglo monolítico de diodos. Todas las dimensiones se encuentran en pulgadas.
(Cortesía de Fairchild Camera and Instrument Corporation.)
Observe que el diodo se especifica mediante la literal D al principio del renglón seguida
por la identificación que se asigna al diodo en el esquema. La secuencia de los nodos (puntos
de conexión para los diodos) define el potencial en cada nodo y la dirección de la conducción
para el diodo de la figura 1.62. En otras palabras, la conducción se especifica a partir del nodo
positivo y hacia el nodo negativo. El nombre del modelo es el nombre que se asigna a la
descripción del parámetro que sigue. El mismo nombre de modelo puede aplicarse a cualquier
número de diodos en la red, como D2, D3, Y así sucesivamente.
Los parámetros se especifican cuando se usa una instrucción MODEL que tiene el fonnato
siguiente para un diodo:
Problemas 47
6. Dibuje la estructura atómica del cobre y analice por qué es un buen conductor y cómo su estructura
es diferente del gennanio y del silicio.
7. Defina, con sus propias palabras. un material intrínseco, un coeficiente de temperatura negativo y
una unión covalente.
8. Consulte su biblioteca de referencia y mencione tres materiales que tengan un coeficiente de tem-
peratura negativo y tres que tengan un coeficiente de temperatura positivo.
27. Determine la resistencia estática o de del diodo disponible en el mercaao ae la figura 1.19 con una
corriente directa de 2 mA.
28. Repita el problema 26 con una corriente directa de 15 mA Y compare los resultados.
29. Determine la resistencia estática o de del diodo disponible en el mercado de la figura 1.19 con un
voltaje inverso de -10 V. ¿Cómo se compara con el valor determinado para un voltaje inverso de
-30 V?
30. a) Determine la resistencia dinámica (ac) del diodo de la figura 1.29 con una corriente directa de
10 mA utilizando la ecuación (1.6).
b) Precise la resistencia dinámica (ae) del diodo de la figura 1.29 con una corriente directa de 10
mA utilizando la ecuación (1.7).
e) Compare las soluciones de los incisos a y b.
31. Calcule las resistencias dc y ac para el diodo de la figura 1.29 con una corriente directa de lOmA
y compare sus magnitudes.
32. Utilizando la ecuación (1.6), determine la resistencia ac con una corriente de 1 mA y 15 mA para
el diodo de la figura 1.29. Compare las soluciones y d~sarrol1e una conclusión general respecto a
la resistencia ac y a los crecientes niveles de corriente del diodo.
33. Utilizando la ecuación (1.7), determine la resistencia lC con una corriente de 1 mA y 15 mA para
el diodo de la figura 1.19. Modifique la ecuación cuando sea necesario para los niveles bajos de
corriente de diodo. Compare con las soluciones que obtuvo en el problema 32.
34. Determine la resistencia ac promedio para el diodo de la figura 1.19 para la región entre 0.6 y
0.9 V.
35. Determine la resistencia ac para el diodo de la figura 1 19 a 0.75 Vy compare con la resistencia ac
promedio obtenida en el problema 34.
36. Encuentre el circuito equivalente de segmentos lineales para el diodo de la figura 1.19. Utilice un
segmento de línea recta que interseque el eje horizontal en 0.7 V Y que mejor se aproxima a la
curva para la región mayor a 0.7 V.
37, Repita el problema 36 para el diodo de la figura 1.29.
* 38. Grafique 1F contra VF utilizando escalas lineales para el diodo Fairchild de la figura 1.36. Observe
que la gráfica que se presenta utiliza una escala logarítmica para el eje vertical (las escalas
logarítmicas se cubren en las secciones 11.2 y 11.3).
39. Comente el cambio en el nivel de capacitancia con el aumento en el potencial de polarización
inversa para el diodo BAY73.
40. ¿Cambia significativamente en magnitud la corriente de saturación inversa del diodo BAY73 para
potenciales de polarización inversa en el rango de -25 Va-lOO V?
* 41. Detennine para el diodo de la figura 1.36 el nivel de IR a temperatura ambiente (25 OC) Y en el
punto de ebullición del agua (100 OC). ¿Es significativo el cambio? ¿Casi se duplica el nivel por
cada incremento de 10 oC en la temperatura?
42. Para el diodo de la figura 1.36 detenrune la resistencia en ac máxima (dinámica) con una corriente
directa de 0.1 mA, 1.5 mA Y20 mA. Compare los niveles y comente si los resultados respaldan las
conclusiones derivadas en las primeras secciones de este capítulo.
43. Utilizando las características de la figura 1.36, determine los niveles máximos de disipación de
potencia para el diodo a temperatura ambiente (25 OC) Y 100 oC. Suponiendo que VF permanece
fijo a 0.7 V, ¿cómo ha cambiado el nivel máximo de IF entre los dos niveles de temperatura?
44. Haciendo uso de las características de la figura 1.36, detennine la temperatura en la cual la co-
rriente del diodo será del 50% de su valor a temperatura ambiente (25 OC).
Problemas 49
§ 1.10 Capacitancia de transición y difusión
* 45. Con referencia a la figura 1.37, determine la capacitancia de transición con potenciales de
a)
polarización inversa de -25 V Y-10 V. ¿Cuál es la proporción del cambio en la capacitancia al
cambio en el voltaje?
b) Repita el inciso a para potenciales de polarización inversa de -10 V Y -1 V. Determine la
proporción del cambio en capacitancia al cambio en el voltaje.
a
e) ¿Cómo se comparan las proporciones detenninadas en los y b? ¿Qué le indica a usted acerca
de cuál rango tendrá más áreas de aplicación práctica?
46. Refiriéndose a la figura 1.37, detennine la capacitancia de difusión a O V Y a 0.25 V.
47. Describa, con sus propias palabras, cómo difieren las capacitancias de difusión y de transición,
48. Detenmne la reactancia ofrecida por un diodo descrito con las características de la figura 1.37, a
un potencial directo de 0.2 V Y a un potencial inverso de -20 V si la frecuencia que se aplica es de
6 MHz.
!O
10 k!l
ti = 5 ns
o
.5
Figura 1.63 Problema 49.
Problemas 51
CAPÍTULO
Aplicaciones de
diodos
2.1 INTRODUCCIÓN
La construcción, características y modelos de los diodos semiconductores se analizaron en el
capítulo l. El objetivo principal del presente capítulo es desarrollar un amplio conocimiento
práctico sobre el diodo en una variedad de configuraciones utilizando los modelos adecuados
para el área de aplicación. Una vez que concluya este capítulo, se comprenderá con claridad el
patrón básico de componamiento de los diodos en las redes de de yac. Los conceptos que
aprenda en este capítulo aparecerán de ·rnanera recurrente en los subsiguientes. Por ejemplo,
los diodos se utilizan a menudo en la descripción de la construcción básica de los transistores y
en el análisis de las redes de transistores en de yac.
El contenido de este capítulo revela una faceta interesante y muy positiva del estudio de
un campo tal como el de los dispositivos electrónicos y los sistemas; una vez que se com-
prende con claridad el componamiento básico de un dispositivo, se pueden determinar su
función y respuesta en una variedad infinita de configuraciones. El rango de aplicaciones no
tiene fin; sin embargo, las características y los modelos no sufren cambio alguno. El análisis
abarcará desde el que emplea las características reales del diodo hasta el que utiliza, casi
exclusivamente, modelos aproximados. Es importante que la función y respuesta de varios
elementos dentro de un sistema electrónico se comprendan sin tener que repasar de forma
continua procedimientos matemáticos prolongados y tediosos. Por lo general, esto se lleva
a cabo a través del proceso de aproximación, el cual por sí mismo se puede considerar un
arte. Si bien los resultados que se obtienen al utilizar las características reales pueden diferir
un poco de aquellos en los que se requiere una serie de aproximaciones, tenga en cuenta que
también las características obtenidas de la hoja de especificaciones pueden ser un poco dis-
tintas a las que se obtengan del uso real del dispositivo. En otras palabras, las características
de un diodo semiconductor lN4001 pueden variar de un elemento a otro dentro de un mismo
lote. La variación puede ser ligera, pero a menudo será suficiente para validar las
aproximaciones utilizadas en el análisis. También se deben considerar los otros elementos de
la red. ¿Es la resistencia nominal de 100 ü exactamente igual a 100 ü? ¿El voltaje aplicado
es exactamente igual a 10 V o quizá 10.08 V? Todas estas tolerancias contribuyen a la creencia
general en cuanto a que una respuesta determinada mediante un conjunto adecuado de
aproximaciones~ quizá resulte tan "exacta" como una en la que se utilizan las características
en su totalidad. En este libro el énfasis se centra en el desarrollo de un conocimiento práctico
de un dispositivo, mediante la utilización de las aproximaciones adecuadas, evitando así un
nivel innecesario de complejidad matemática. Sin embargo, también se proporcionan detalles
suficientes con objeto de permitir que quien lo desee, esté en condiciones de realizar un
análisis matemático minucioso.
53
•
2.2 ANÁLISIS MEDIANTE LA RECTA DE CARGA
Normalmente, la carga aplicada tendrá un impacto importante en el punto o región de opera-
ción del dispositivo. Si el análisis se debe llevar a cabo de manera gráfica, se puede dibujar una
línea recta sobre las características del dispositivo que represente la carga aplicada. La
intersección de la recta de carga con las características determinará el punto de operación del
sistema. Por razones obvias, a este análisis se le llama análisis mediante la recta de carga.
Aunque la mayor parte de las redes de diodos que se analizan en este capítulo no utilizan el
sistema de la recta de carga, la técnica se usa de manera frecuente en los capítulos siguientes,
y esta introducción ofrece la aplicación más simplificada del método. Pennite de igual fonna
una validación de la aproximación de la técnica descrita a lo largo del resto del capítulo.
Considere la red de la figura 2.1 que utiliza un diodo, el cual tiene las características de la
figura 2.1 b. Obsérvese en la figura 2.1a que la "presión" que proporciona la batería tiene como
ID
-"+ objetivo establecer una corriente a través del circuito en serie, de acuerdo con el sentido de las
manecillas del reloj. El hecho de que esta corriente y la dirección de conducción definida del
+ VD diodo sean "semejantes", indica que el diodo está en estado "encendido" y que se establece la
conducción. La polaridad resultante a través del diodo será como se señala, y el primer cua-
+
( +
-l
E_ R VR drante (VD e ID positivos) de la figura 2.1b será la región de interés, es decir, la región de
polarización directa.
Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito en serie de la figura 2.1a dará por resultado
E - VD - VR =O
(a)
o I E = VD + Irft I (2.1)
Las dos variables en la ecuación (2.1) (VD e ID) son las mismas que las variables de los ejes
ID (mA) del diodo de la figura 2.1 b. Esta similitud permite una graficación de la ecuación (2.1) sobre
las mismas características de la figura 2.lb,
Las intersecciones de la recta de carga sobre las características pueden detenninarse con
facilidad si se considera que en cualquier lugar del eje horizontal ID = O A Y que en cualquier
lugar del eje vertical VD'" O V.
Si se establece VD = O V en la ecuación (2.1) y se resuelve para ID' se tiene una magnitud
de ID sobre el eje vertical. Por tanto, con VD = O V la ecuación (2.1) se convierte en
o
(b)
y ID = -
R
El VD = OY (2.2)
Figura 2.1 Configuración de
diodo en serie: a) circuito; como lo indica la figura 2.2. Si se establece ID = OAen la ecuación (2.1) y se resuelve para VD'
b) características. se tiene la magnitud de VD sobre el eje vertical. Por tanto, con ID = O A la ecuación (2.1) se
convierte en
E = VD + Irft
= VD + (OA)R
como lo señala la figura 2.2. Una línea recta dibujada entre los dos puntos definirá una recta de
carga como la descrita en la figura 2.2. Si se cambia el nivel de R (la carga), cambiará la
intersección sobre el eje vertical. El resultado será un cambio en la pendiente de la recta de
carga, y en un punto de intersección diferente entre la recta de. carga y las características del
dispositivo.
Ahora se tiene una recta de carga definida por la red y una curva de características defini-
da por el dispositivo. El punto de intersección entre las dos es el punto de operación para este
o E
circuito. Mediante el sencillo dibujo de una línea recta hacia abajo hasta el eje horizontal puede
determinarse el voltaje del diodo VD' mientras que una línea horizontal a partir del punto de inter-
sección y hasta el eje vertical dará el ~ivel de ID . La corriente ID es en realidad la corriente a través
de toda 1a conflgúración en serie de la figura t.la. En general, al punto de operación se le llama
punto estable (abreviado "Q-pt". por las palabras en inglés de: Quiescent PoinT) y refleja sus
cualidades de "estable y sin movimiento" según se definió para una red de de.
La solución que se obtiene por la intersección de las dos curvas es la misma que podría
conseguirse mediante la solución matemática de las ecuaciones simultáneas (2.1) Y (1.4 ) [ID =
IsCeKvD/TK - 1)]. Puesto que la curva para un diodo tiene características no lineales,
las matemáticas involucradas requerirían del uso de técnicas no lineales que están fuera de las
necesidades y objetivo de este libro. El análisis de la recta de carga descrito antes ofrece una
solución con un mínimo de esfuerzo, y una descripción "pictórica" de la razón por la cual se
obtuvieron los niveles de solución para VDQ e 1DQ' Los siguientes dos ejemplos demostrarán las
técnicas que se presentaron, las cuales ofrecen una facilidad relativa con la que puede dibujarse
la recta de carga utilizando las ecuaciones (2.2) y (2.3).
Determinar para la configuración de diodos en serie de la figura 2.3a usando las características EJEMPLO 2.1
de diodo de la figura 2.3b:
a) VDQ e IDQ •
b) VR •
10
9
+
..... 8
7
Si
6
+ 5
R > 1 k,Q VR 4
3
2
o 0.5 0.8
(b) •
VD ",O.78V
Q
ID ",9.25mA
Q
b) VR = I.R = ID R
Q
= (9.25 mA)(1 kQ) = 9.25 V
o VR =E-VD =IOV-0.78V=9.22V
La diferencia en los resultados se debe a la exactitud con la cual se pueda leer la gráfica. Es
ideal cuando los resultados que se obtienen de una ti otra manera son los mismos.
¡n (mA)
,
'"
I DQ == 9.25 mA
lO
9
8
7
6
5
4
3
2
o 0.5 \ J 2 3 4 5 6 7 8 9 10 VD (V)
(E)
Solución
VD ",O.7V
Q
I DQ '" 4.6mA
b) = IRR = IDQR = (4.6 mA)(2 kQ) = 9.2 V
VR
con VR = E - VD = 10 V - 0.7 V = 9.3 V
La diferencia en los niveles se debe, una vez más, a la exactitud con la cual se pueda leer la
gráfica. Es cierto que los resultados ofrecen una magnitud esperada para el voltaje VR.
''1
11\! == 4.6 mA 4
Punto Q
o 05 \ I 2 3 4 5 6 7 8 9 10
(E)
VDQ == O.7V
Como se observa en los ejemplos anteriores, la recta de carga está determinada sólo por la
red aplicada, mientras las características están definidas para el dispositivo elegido. Si se recurre
al modelo aproximado para el diodo y no se cambia la red, la recta de carga será exactamente la
misma que se obtuvo en los ejemplos anteriores. De hecho, los siguientes dos ejemplos repiten
el análisis de los ejemplos 2.1 y 2.2 mediante el empleo del modelo aproximado para permitir
una comparación de los resultados.
Repetir el ejemplo 2.1 usando el modelo equivalente aproximado para el diodo semiconductor' EJEMPLO 2.3
de silicio.
Solucióu
Se dibuja de nuevo la recta de carga según se muestra en la figura 2.6, con la misma intersección
como se definió en el ejemplo 2.1. Las características del circuito equivalente aproximado para
el diodo también se han trazado en la misma gráfica. El punto Q resultante:
VD = 0.7 V
Q
ID Q = 9.25 mA
10
IDQ =9.25 mA 9
8
7
6
5
4
3
2
O 05 \1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 VD (V)
Figura 2.6 Solución al ejemplo 2.1 usando el modelo aproximado del diodo.
EJEMPLO 2.4 Repetir el ejemplo 2.2 usando el modelo equivalente aproximado para el diodo semiconductor
de silicio.
Solución
La recta de carga se dibuja de nuevo como lo indica la figura 2.7, con la misma intersección
definida en el ejemplo 2.2. Las características del circuito equivalente aproximado para el
diodo también se dibujaron en la misma gráfica. El punto Q resultante:
VDQ ~ 0.7 V
lo Q ~ 4.6 mA
1/)(mA)
10
9
I DQ =: 4.6 mA
8
7
6
5
4
-- ~
0.7 V
-
=>-;cIf-o-
3
2
En el ejemplo 2.4 los resultados que se obtienen tanto para VD como para IDo son los
mismos que los que resultaron empleando las características compfetas en el ejemplo 2.2.
Los ejemplos anteriores demuestran que los niveles de corriente y voltaje que se obtuvieron al
utilizar el modelo aproximado, son muy cercanos a los que resultaron al utilizar las caracterís-
ticas completas. Esto sugiere, como se verá al aplicarlo en las próximas secciones, que el uso
de las aproximaciones adecuadas puede dar como resultado la obtención de soluciones que son
muy cercanas a la respuesta real con un nivel reducido de incertidumbre acerca de la reproduc-
ción adecuada de las características, eligiendo a su vez una escala lo suficiente grande. Los
resultados indicarán las condiciones que deben ser satisfechas para poder aplicar el equivalen-
te ideal de forma adecuada.
Solución
En la figura 2.8 se mostró cómo la recta de carga continúa siendo la misma, pero ahora las
características ideales se intersecan con la recta de carga en el eje vertical. Por tanto, el punto
Q está definido por
VDQ = O V
IDo = lOmA
~ \ VD=OV
~ ~~ .:::----
2
o" ¡
2 3 4 5 6 7 8 9
Figura 2.8 Solución al ejemplo 2.1 usando el modelo del diodo ideal.
Los resultados son lo suficientemente diferentes para las soluciones del ejemplo 2.1 como
para causar una incertidumbre acerca de su exactitud. Es cierto que ofrecen alguna indicación
acerca del nivel de voltaje y corriente que deben esperarse para otros niveles de voltaje de la
red, pero el esfuerzo adicional de incluir el equivalente de 0.7 V, muestra que el método del
ejemplo 2.3 es más apropiado.
Por tanto, el uso del modelo del diodo ideal debe reservarse para aquellas ocasiones cuando
la función de un diodo sea más importante, que los niveles de voltaje que pueden variar en
décimas de un volt, y en las situaciones donde los voltajes aplicados son de manera considerable
más grandes que el voltaje de umbral VT" En las siguientes secciones se usará en forma casi
exclusiva el modelo aproximado, ya que los niveles de voltaje que resulten serán sensibles a las
variaciones que se aproximan a VT" También en secciones posteriores se usará el modelo ideal con
mayor frecuencia debido a que los voltajes aplicados serán un poco más altos que VT. Ylos autores
desean asegurarse que la función del diodo quede comprendida en fonna correcta y clara.
+ 0.7\1
~ if-o
Siliciu ~O.7~
lo
(E> V-¡,R»r",)
=> o
+ 0.3 V
-~
Germanio
o 0.3 V VD
-~
(E»VT,R»r",)
~'_ ________V_D_
(a) (b)
En esta sección se usará el modelo aproximado para investigar una variedad de configuracio-
nes de diodos en serie con entradas de de. Dicho contenido establece los fundamentos en el
análisis de diodos que se aplicarán en las secciones y capítulos siguientes. El procedimiento
descrito podrá aplicarse a redes con cualquier número de diodos y en una variedad de configu-
raciones.
Primero. para ca.da configuración debe detenninarse el estado de cada diodo. ¿,Cuáles diodos
se encuentran en "encendido" y cuáles en "apagado"? Una vez que esto se hace. se puede
sustituir el equivalente adecuado como se definió en la sección 2.3 y determinar los parámetros
restantes de la red detenninada.
Si
En general, un diodo está en estado "encendido" si la corriente establecida por las +
fuentes aplicadas es tal que su dirección concuerda con la flecha del símbolo del
diodo, y V D ~ 0,7 V para el silicio y V D ~ 03 V para el germanio.
Para cada configuración, se reemplazarán mentalmente los diodos por elementos resistivos
y se observará la dirección resultante de la corriente, de acuerdo como se establece debido a los
voltajes aplicados ("presión"). Si la dirección resultante es "similar" a la flecha del símbolo del Figura 2.10 Configuración con
diodo. ocurrirá la conducción a través del diodo y el dispositivo estará en estado ·'encendido". diodo en serie.
La descripción anterior depende de que la fuente suministre un voltaje mayor que el voltaje de
"encendido" (VT) de cada diodo.
Si un diodo está en estado "encendido", se puede colocar una caída de 0.7-V a través del
elemento. o dibujar de nuevo la red con el circuito equivalente VT como se definió en la tabla
2.1. Con el tiempo, probablemente se preferirá incluir la caída de 0.7· Va través de cada diodo
en "encendido" y dibujar una línea a través de cada diodo en estado "apagado" o abierto. +
Inicialmente el método de sustitución se utilizará con el fin de asegurar que se detenninen el v,
voltaje y los niveles de corriente adecuados.
El circuito en serie de la figura 2.10, descrito brevemente en la sección 2.2. se necesitará
para demostrar la aproximación descrita en los párrafos anteriores. Primero, el estado del diodo
se determina de forma mental al reemplazar el diodo con un elemento resistivo, como lo indica
...
la figura 2.11. La dirección resultante de 1 coincide con la flecha en el símbolo del diodo, y Figura 2.11 Determinación del
dado que E> VT. el diodo se encuentra en estado "encendido". Se dibuja de nuevo la red como estado del diodo de la figura. 2.10.
lo señala la figura 2.12 con el modelo equivalente apropiado para el diodo de silicio con
polarización directa. Obsérvese para una futura referencia. que la polaridad de VD es la misma
'l.ue la que resultaría si de hecho el diodo fuera un elemento resistivo. El voltaje resultante y los
niveles de corriente son .los siguientes: + v{) -
(2.4)
+
E
F'· o.~v R
lL
+
vR
(2.5)
...
(2.6) Figura 2.12 Sustitución del
modelo equivalente para el diodo
en estado "encendido" de la.
fígura 2.10.
+
E ~=- R
+
V,
+~
E
if"'"'''' R
+
V,
+F
E R
l"t,
+
V,
~
En la figura 2.13 el diodo de la figura 2.10 se invirtió. El reemplazo mental del diodo por
un elemento resistivo según la figura 2.14 indicará que la dirección resultante de la corriente
no coincide con la flecha del símbolo del diodo. El diodo está en estado "apagado", lo que
genera el circuito equivalente de la figura 2.15. Debido al circuito abierto, la corriente del
diodo es de O A Y el voltaje a través .de la resistencia R es la siguiente:
El hecho de que VR = O V establecerá E volts a través del circuito abierto, como se definió por
la ley de voltaje de Kirchhoff. Siempre se tomará en cuenta que bajo cualesquiera circunstan-
cias, valores instantáneos de de, ac, pulsos, etc., deberá satisfacerse la ley de voltaje de Kirchhoff.
EJEMPLO 2.6 Para la configuración de diodos en serie de la figura 2.16, determinar VD' VRe ID'
+
Solución
Vo Debido a que el voltaje establece una corriente en la dirección de las manecillas del reloj para
l'L, coincidir con la flecha del símbolo y que el diodo está en estado "encendido",
+F
E 8 V
Si
R 2.2kQ
+
V,
VD = 0.7 V
VR=E-VD =8V-O.7V=73V
..
VR 7.3 V
ID=IR= = _332mA
R 2.2kn
Figura 2.16 Circuito para el
ejemplo 2.6.
EJEMPLO 2.7
Repetir el ejemplo 2.6 con el diodo invertido.
o---l1
E
LID = OA
8V
VD -
R
'R =
2.2 ka
O:
V
R
Solución
Al eliminar el diodo, resulta que la dirección de 1 es opuesta a la flecha en el símbolo del diodo,
y que el equivalente del diodo es el circuito abierto sin importar qué modelo se utilice. Debido
al circuito abierto, el resultado es la red de la figura 2.17 , donde ID = O A. Esto es porque VR =
l~, VR = (O)R=O V. Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del lazo cerrado genera
..
Flgura 2.17 Determinación de las
E - VD - VR =O
cantidades desconocidas para el y VD=E-VR=E-O=E =8V
ejemplo 2.7.
E =+lOVo
Para la c;onfiguración de diodo en serie de la figura 2.19, determinar VD' VR e ID" EJEMPLOZ;8
Si
+
E -=:=- 0.5 v R < 1.2 kQ V
R
Solución
A pesar de que la "presión" establece una comente con la misma dirección que el símbolo de la
flecha, el nivel del voltaje aplicado resulta insuficiente para "encender" el diodo de silicio. El
punto de operación sobre las características se señal~. en la figura 2.20, y establece el equiva-
lente del circuito abierto como la aproximación adecuada. El voltaje resultante y los niveles de
corriente son por tanto los siguientes:
ID = OA
VR = I.R = Id? = (OA)1.2kn = OV
y VD =E=O.5V
o / 0.7 V
Figura 2.20 Punto de operación VD == 0.5 V
con E '" 0.5 V.
Si G,
-
IR
+12V V,
ID
5.6 kO
Vo = E - VT , - VT , = 12 V - 0.7 V - 0.3 V = 11 V
VR Vo 11 V
e [D=[R=-=-= 0'1,96mA
R R 5.6kQ
5.6 kn
-
1= o
FIgura 2.24 Determinación del estado Figura 2.25 Sustitución del estado
de los diodos de la figura 2.23. equivalente para el diodo abierto.
E - VD, - VD, - Vo = O
y VD, =E - VD, - Vo = l2V - O - O = 12V
con Vo = OV
+ v,
R,
4.7 ka
+
Solución
Las fuentes se dibujan de nueve. y la dirección de la corriente se indica en la figura 2.28. El
diodo está en estado "encendido" y la notación que aparece en la figura 2.29 está incluida para
indicar este estado. Obsérvese que el estado "encendido" se anota sólo mediante VD = 0.7 V
+ VI - + O.7V-
,
4.7 kn +
(T +
E, 110V
2.2 ka: R2 v,
A V,
5V¡ E,
... +
J.
Figura 2.28 Determinación del estado del diodo Figura 2.29 Determinación de las cantidades desconocidas
para la red de la figura 2.27. para la red de la figura 2.27.
E¡ + E, - VD 10 V + 5 V - 0.7 V 14.3 V
1= = = _2.07mA
R¡ + R, 4.7 kQ + 2.2 kQ 6.9 kQ
Y los voltajes son
y Vo = V, - E, = 4.55 V - 5V = ~.45 V
El signo de menos indica que Vo tiene una polaridad opuesta a la que aparece en la figura 2.27.
EJEMPLO 2.12 Determinar Vo'!¡'!D, e ID, para la configuración de diodos en paralelo de la figura 2.30.
Solución
Para el voltaje aplicado, la "presión" de la fuente es para establecer una corriente a través de
cada diodo en la misma dirección que se muestra en la figura 2.31. Debido a que la dirección
de la corriente resultante es igual a la de la flecha en cada símbolo de diodo. y que el voltaje
aplicado es mayor que 0.7 V. ambos diodos están en estado "encendido". El voltaje a través de
los elementos en paralelo es siempre el mismo y
Vo = 0.7 V
+ V -
1 '
~ 0.33 kn
E 110 v
Figura 2.31 Determinación de las
0_
cantidades desconocidas para la
.".
red del ejemplo 2.12.
La corriente
VR IOV - 0.7 V
1, = - R = = = 2S.1SmA
0.33 kQ
1, 28.18 mA
1D, = 1 =- = 14.09mA
D, 2 2
El ejemplo 2.12 demostró una razón para colocar diodos en paralelo. Si la corriente nomi-
nal de los diodos de la figura 2.30 es sólo de 20 mA. una corriente de 28.18 mA dañaría el
dispositivo si apareciera sólo en la figura 2.30. Al colocar dos en paralelo, la corriente está
limitada a un valor seguro de 14.09 mA con el mismo voltaje terminal.
........D,
Si
1
-+ R
E¡=20V 2.2kQ D_
....
'-'
Figura 2.32
ejemplo 2.13.
Red para el
Si
Solución
Al dibujar de nuevo la red como lo indica la fIgura 2.33. se señala que la dirección de la
corriente resultante es como para encender el diodo DI y apagar el diodo D 2 " La corriente
resultante 1 es entonces
20 V - 4 V - 0.7 V
1= _ 6.95mA
2.2kQ
0.7 V
+
1 R = 2.2 kQ
+ :1]'
:' T 4V
Figura 2.33 Determinación de
las cantidades desconocidas para
la red del ejemplo 2.13.
12 v Solución
Inicialmente, parecería que el voltaje aplicado "encenderá" ambos diodos; sin embargo. si
ambos están en "encendido", la caída de 0.7-Va través del diodo de silicio no será igual a los
0.3 V a través del diodo de germanio como se requiere, por el hecho de que el voltaje a través
s, de elementos paralelos debe ser el mismo. La acción resultante se puede explicar sólo con
notar que cuando la fuente se enciende incrementará de O Va 12 V en un periodo, aunque quizá
se podría medir en milisegundos. Durante el incremento en que se establece 0.3 V a través del
I----~v. diodo de gennanio. éste '''prenderá'' y mantendrá un nivel de 0.3 V. El diodo de silicio nunca
tendrá la oportunidad de capturar su 0.7 V requerido, y por tanto pennanecerá en su estado de
2.2 kSl circuito abierto como lo indica la figura 2.35. El resultado:
Vo = 12 V - 0.3 V = 11.7 V
rS
Figura 2.34 Red para el
ejemplo 2.14.
~
03V
vTTo3V
a o
O7 V I , I
vo
F ... 2.2 kD
Figura 2.35 Determinación de
Vo para la red de la figura 2.34.
EJEMPLO 2.15 Determinar las corrientes /" /, e / D, para la red de la figura 2.36.
R, Solución
•_.
Si 33 kQ
El voltaje aplicado (presión) es como para encender ambos diodos, como se observó por las
D, direcciones de corriente resultante en la red. de la figura 2.37. Nótese que el uso de la notación
abreviada para los diodos '''encendido'' y que la solución se obtienen a través de una aplicación de
E -;¡.- 20 v técnicas aplicadas a las redes de en serie-paralelo.
0,7V
v
= = 0.212mA
5.6 kQ 3.3 kQ
R, ~ 3.3kQ
-V2 + E - V T , - VT . = O
El análisis de las compuertas AND/OR se realiza con fáciles mediciones al utilizar el ...
equivalente aproximado para un diodo. en lugar del ideal. debido a que puede estipularse que
el voltaje a través del diodo debe ser 0.7 V positivos para el diodo de silicio (0.3 V para el de Figura 2.38 Compuerta lógica
germanio) para cambiar al estado "encendido'·. OR positiva.
En general. el mejor método es el de establecer un sentido "intuitivo·' para el estado de los
diodos mediante la observación de la dirección y la "presión" que establecen los potenciales
aplicados. El análisis verificará o negará las suposiciones iniciales.
Solución
Obsérvese que en principio sólo existe un potencial aplicado; 10 V en la terminal l. La terminal
2 con una entrada de O V es esencialmente un potencial de tierra, como se indica en lo que se
dibujó de nuevo de la red de la figura 2.39. La figura 2.39 "sugiere" que DI está probablemente
en estado "encendido'· debido a los 10 V aplicados. mientras que D, con su lado "positivo" en
O V está quizá en "apagado" . La suposición de estos estados dará por resultado la configura- + ... -
r.
ción de la figura 2.40. D,
El siguiente paso es sólo para verificar que no existen contradicciones en las suposiciones.
Esto es, observar que la polaridad a través de DI es tal como para encenderlo y que la polaridad
a través de D 2 es tal como para apagarlo. Para D I el estado "encendido" establece Vo en Vo = E
- VD = 10 V -0.7 V =9.3 V, Con 9.3 en el lado del cátodo (-) de D 2 y O Ven el lado del ánodo
(+), D? está definitivamente en estado "apagado". La dirección de la corriente y la trayectoria
contin~a resultante para la conducción reafirman la suposición de que DI está conduciendo.
Las suposiciones se confinuan por los voltajes y la corriente resultante, y se puede asumir que
el análisis inicial es correcto. El nivel de voltaje de salida no es de JO V como se definió para
una entrada de 1, pero el 9.3 V es lo suficientemente grande para ser considerado un nivel l. Figura 2.39 Red dibujada de
Por tanto. la salida es un nivel 1 con sólo una entrada, lo cual sugiere que se trata de una nuevo de la figura 2.38.
compuerta ORo Un análisis de la misma red con dos entradas de lO-y dará por resultado que
ambos diodos estén en estado "encendido" y con una salida de 9.3 Y. Una entrada de O-Yen am-
bas entradas, no proporcionará el 0.7 Y requerido para encender los diodos y la salida será de
O debido al nivel de salida de O-v. Para la red de la figura 2.40 el nivel de corriente se encuentra
determinado por
10 Y - 0.7 Y
I = = - - - - - = 9.3mA
lkQ
EJEMPLO 2.17 Determinar el nivel de salida para la compuerta lógica ANO positiva de la figura 2.41.
(1) Si Solución
E, = ¡OY
Obsérvese en este caso que la fuente independiente aparece en la terminal conectada a tierra de
D,
la red. Debido a razones que pronto serán obvias, se elige el mismo nivel que el nivel lógico de la
(01 Si entrada. La red está dibujada en la figura 2.42 con las suposiciones iniciales respecto a
Ez =ov OVo los estados de los diodos. Con 10 Y del lado del cátodo de DI se asume que DI se encuentra en
2
D, estado "apagado", aunque exista una fuente de lO-y conectada al ánodo de DI a través de la
R I k!l resistencia. Sin embargo, recuerde que se mencionó en la introducción de esta sección que el
empleo del modelo aproximado servirá de ayuda para el análisis. Para DI ¿de dónde vendrá
el 0.7 Y, si los voltajes de entrada y fuente se encuentran en el mismo nivel y creando "presio-
E 1 lO\' nes" opuestas? Se supone que D, se encuentra en estado "encendido" debido al bajo voltaje del
... lado del cátodo y la disponibilidad de la fuente de !O-Ya través de la resistencia de l-kQ .
Para la red de la figura 2.42 el voltaje en Vo es de 0.7 Y, debido a que el diodo D, está
Figura 2.41 Compuerta lógica polarizado directamente. Con 0.7 Y en el ánodo de DI y 10 Y en el cátodo, DI está defi-
AND positiva.
nitivamente en estado "apagado". La corriente 1 tendrá la dirección que se indica en la figura
2 .42 Yuna magnitud igual a
lOY- 0.7Y
I = = = 9.3 mA
lkQ
~ +
~-.-~-......,
+ +
~ leido
v, = Vmsen oor
...
Figura 2.43 Rectificador de media onda.
A través de un ciclo completo, definido por el periodo T de la figura 2.43, el valor prome-
dio (la suma algebraica de las áreas arriba y abajo del eje) es cero. El circuito de la figura 2.43,
llamado rectificador de media onda, generará una forma de onda vo' la cual tendrá un valor
promedio de uso particular en el proceso de conversión de ac a dc. Cuando un diodo se usa en
el proceso de rectificación, es común que se le llame rectificador. Sus valores nominales de
potencia y corriente son nonnalmente mucho más altos que los de los diodos que se usan en
otras aplicaciones, como en computadoras o sistemas de comunicación.
Durante el intervalo t = O .... TI2 en la figura 2.43, la polaridad del voltaje aplicado Vi es
como para establecer "presión" en la 'dirección que se indica, y encender el diodo con la pola-
ridad indicada arriba del diodo. Al sustituir la equivalencia de circuito cerrado por el diodo
dará por resultado el circuito equivalente de la figura 2.44, donde parece muy obvio que la
señal de salida es una réplica exacta de la señal aplicada. Las dos terminales que definen el
voltaje de salida están conectadas directamente a la señal aplicada mediante la equivalencia de
corto circuito del diodo.
+
+ + + +
~
,, R, ~
,, Vo = V¡
" R
... ...
Figura 2.44 Región de conducción (O ~ T/2).
+ v"
R "0 = OV
o .L T
... 2
....,.o+-+--,f--¡....,......,--~ Vd':: = OV
o
-r- Figura 2.46 Señal rectificada de media
onda.
+ vr -
¡--o-jt---o~-~+
O.7V
11
R
I 11
o I 11 T T t
~2
Defasamiento debido a VT
(2.8)
Si vm es suficientemente más grande que V T' la ecuación 2.7 es a menudo aplicada como
una primera aproximación de VdC •
a) Dibujar la salida voy detenninar el nivel de de la salida de la red de la figura 2.48. EJEMPLO 2.18
b) Repetir el inciso a si el diodo ideal es reemplazado por un diodo de silicio.
e) Repetir los incisos a y b si Vm se incrementa a 200 V, Ycomparar las soluciones utilizando
las ecuaciones (2.7) y (2.8).
+ +
Solución
a) En esta situación el diodo conducirá durante la parte negativa de la entrada según se mues-
tra en la figura 2.49, y V o aparecerá como se señala en la misma figura. Para el periodo
completo, el nivel dc es
,. -14+ ro
o
+
20
'.
+
0 2kQ
'o O T
2
Figura 2.49 V
o resultante para el circuito del ejemplo 2.18.
la que es una diferencia que. en efecto. puede ignorarse para la mayor parte de las aplicaciones. \ 20V- O.7V= 19.3V
Para el inciso e el desvío y la caída en la amplitud debido a VT no sería discernible en un
osciloscopio típico si se despliega el patrón completo. Figura 2.50 Efecto de VTsobre
la salida de la figura 2.49.
vo == IR= (O)R=O V
Figura 2.51 Determinación del valor
de PIV que se requiere para el
0------------+-----,o+ rectificador de media onda.
T
R
"
onda completa.
+ "encendido"
+
+
_ "encendido"_
R
+
_ "apagado"
T
2
t
de entrada vi. Figura 2.54 Trayectoria de conducción para la región positiva de Vi.
,, ,o
,, ,,
, \
\
o ",
T T R o T T
"2 "2
+
Debido a que el área arriba deI eje para un ciclo completo es ahora doble, en comparación
con la obtenida para un sistema de media onda, el nivel de dc también ha sido duplicado y
Sí se emplea diodos de silicio en lugar de los ideales como se indica en la figura 2.57, una
aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la trayectoria de conducción resultaría
Vi - Vr - Vo - Vr = O
y Vo = Vi - 2Vr
Para las situaciones donde V m» 2VT , puede aplicarse la ecuación (2.11) para el valor promedio
con un nivel relativamente alto de precisión.
(2.11)
¡~::::;::==7
• ¿~ ~=O.7V
_ 0-+
R
Si Vm es lo suficiente más grande que 2V" entonces la ecuación (2.10) a menudo se aplica
como una primera aproximación para VdC '
PIV~
' -_ _ _V
-"'...Jrectificador
m I
puente de onda completa
(2.12)
" +
",
~~
R
cr , +
+ "
" Figura 2.59 Transformador con
derivación central para un
D, rectificador de onda completa.
l'2~-,-_~-o_ _- - ¡
~ + !Jim
o
: ~II >0-----'1,,'0/1".,.+,...., o I.
I.
2 ¡Tfii.
. V ,.;".g.
'.'
__ :'.
:~:
m R 2
Durante la porción negativa de la entrada, la red aparece como lo indica la figura 2.61,
invirtiendo los papeles de los diodos, pero manteniendo la misma polaridad para el voltaje a
v
~ - +
, .
I
,
\
~~ ~,,~
, V
I
,
\
t~'~
+ m
lA \
O I. T CT va'" + O I. T
2 2
~
Vm
+
- ~ Vm
PIV
+ R
La red de la figura 2.62 ayudará a determinar el PIV neto para cada diodo de este rectificador
de onda completa. La inserción del voltaje máximo del voltaje secundatio y el Vm de acuerdo v'" +
con lo establecido para la red adjunta dará por resultado
Determinar la forma de onda de salida para la red de la figura 2.63 y calcular el nivel dc de EJEMPLO 2.19
salida y el PIV que se requiere para cada diodo.
2 kO
T,
2 kO 2Hl
Figura 2.63 Red puente para el ejemplo 2.19.
Solución
La red aparecerá como en la figura 2.64 para la región positiva del voltaje de entrada. El redibujo
=
de la red generará la configuración de la figura 2.65, donde V o +v; oVo•• +V; •• +(10 V) = = =
5 V, como lo indica la figura 2.65. Para la parte negativa de la entrada la función de los diodos
será intercambiada y V o aparecerá según la figura 2.66.
+ +
~ ~
+ + >
2 ill
'.
2k.{l
, '. 2ill
o I
2
! '. 2 ill > o T'
2:
2k.{l
Figura 2.64 Red de la figura 2.63 para la región Figura 2.65 Red redibujada de la figura 2.64.
positiva de Vi"
El efecto de remover dos diodos de la configuración puente fue, por tanto, reducir el nivel
de dc disponible al siguiente:
o al disponible de un rectificador de media onda con la misma entrada. Sin embargo, el PIV o I. T
según se determinó en la figura 2.58 es igual al voltaje máximo a través de R, el cual es de 5 V 2
o la mitad de lo que se requiere para un rectificador de media onda con la misma entrada. tigura 2.66 Salida resultante
para el ejemplo 2.19.
2.9 RECORTADORES
Existe una variedad de redes de diodos que se llaman recortadores y tienen la capacidad de
"recortar" una porción de la señal de entrada sin distorsionar la parte restante de la forma
de onda alterna. El rectificador de media onda de la sección 2.7 es un ejemplo de la forma más
simple de un recortador de diodo, una resistencia y un diodo. Dependiendo de la orientación
del diodo, la región positiva O negativa de la señal de entrada es "recortada".
Existen dos categorías generales de recortadores: en serie y en paralelo. La configuración
en serie es donde el diodo está en serie con la carga, mientras que en paralelo tiene un diodo en
una trayectoria paralela a la carga.
En serie
La respuesta de la configuración en serie de la figura 2.67a a una variedad de formas de onda
alternas se ilustra en la figura 2.67b. Aunque se presentó al principio como un rectificador de
media onda (para fonnas de onda senoidales), no existen limitaciones sobre el tipo de señales
que pueden aplicarse a un recortador. La adición de una fuente de de como la que se muestra en
la figura 2.68 puede tener un efecto pronunciado sobre la salida de un recortador. El análisis
inicial se limitará a los diodos ideales, y se reservará el efecto de VT a un ejemplo posterior.
+ +
, R Yo
...
(a)
'o ,
(b)
v
~I-__f---'---o+
T Y, R
No existe un procedimiento genera! para el análisis de las redes como las del tipo que se
presenta en la figura 2.68, pero existen ciertas ideas que deberán considerarse mientras se tra-
baja en la solución.
l. Hacer un dibujo mental de kl respuesta de la red basándose en kl dirección del
diodo yen los niveles de voltaje aplicados.
Para la red de la figura 2.68, la dirección del diodo sugiere que la seña! Vi debe ser positiva
para encenderlo. La fuente dc requiere más aún que el voltaje Vi sea mayor que V volts para
encender el diodo. La región negativa de la señal de entrada está "presionando" a! diodo hacia
Para el diodo ideaL la transición entre los estados ocurrirá en el punto sobre las caracterís-
= = =
ticas donde vd O V e id O A. Al aplicar la condición id O Y Vd O a la red de la figura 2.68 =
se genera la configuración de la figura 2.69, donde se reconoce que el nivel de Vi que causará
una transición en el estado es
v, =V (2.14)
R
Figura 2.69 Determinación del nivel v
de transición para el circuito de la
figura 2.68.
~I----ó--<>----r--o
+ +
Para un voltaje de entrada mayor que V volts el diodo está en estado de corto circuito, mientras
que para los voltajes de entrada menores que V volts está en estado de circuito abierto o "apa-
"~ R
gado".
Figura 2.70 Determinación de VD.
3. Estor consciente continuamente de las terminales definidas y la polaridad de vo '
Vi - V- V
o = a (dirección de las manecillas del reloj)
.' i '
y v o = v., - V (2.15)
,T
correspondiente (el valor instantáneo) de la salida determinada. Por ejemplo, para el caso Vi =
V m en la figura 2.68, se analizará la red que aparece en la figura 2.72. Para Vm> V el diodo está
Q T T
2
=
en estado de corto circuito y para V o Vm - V, como en la figura 2.71.
=
Para Vi V los diodos cambian de estado y para Vi =- =
Vm • Vo av, y la curva completa para Figura 2.71 Determinación de los
V puede dibujarse como se muestra en la figura 2.73. niveles de v O.
o
aqui el nivel de DC se disminuye
v, == vm
1~~ R
+
'o T
-+-
T ,
2.9 Recortadores 79
•
EJEMPLO 220 Determinar la forma de la onda de salida para la red de la figura 2.74.
aquí el nivel de DC se aumenta
V=5 v
~l-+-JI~II-~-~
Or-----_-+--__O
tR
Solución
La experiencia anterior sugiere que el diodo estará en estado "encendido" para la región posi-
tiva de Vi' especialmente cuando se observa el efecto de ayuda de V:;: 5 V. La red aparecerá
como lo señala la figura 2.75 y va:;: Vi + 5 V. Sustituyendo id == O para vd:;: O para los niveles de
transición, se obtiene la red de la figura 2.76 y Vi == -5 V.
o----; I--~-<>----...-----<>
+- + +
SV
R '.
FIgUra 2.75 V o con diodo
en estado "encendido".
Para los valores de Vi más negativos que -5 V, el diodo entrará en estado de circuito
abierto, mientras que para los voltajes más positivos de -5 V el diodo estará en estado de corto
circuito. Los voltajes de entrada y de salida aparecen en la figura 2.77.
20
El análisis de las redes de recortadores con las entradas de onda cuadrada es en realidad
más fácil que las redes con entradas senoidales, debido a que sólo deben considerarse dos
niveles. En otras palabras, la red puede analizarse como si tuviera dos entradas de nivel de con
la salida resultante V o graficada en el marco adecuado de tiempo.
20
o T
-2 ,--=---,1 T
10 figura 2.78 Señal que se aplica para el
ejemplo 2.21.
Solución
Para vi = 20 V (O -7 T/2) generará la red de la figura 2.79. El diodo está en estado de corto
= = =
circuito y V o 20 V + 5 V 25 V. Para Vi -10 V dará como resultado la figura 2.80, colocando
= = =
el diodo en estado "apagado" y V o i RR (O)R OV. El voltaje resultante de salida aparece en
la figura 2.81.
+ ~
20 v
¡=----I+
5V
R
+
IOV
1r+ 5V
R
+
v,,=O V
25 Y
Oy
+
o T T
"2
FJ.gUra 2.79 V
o a vi = +20 V. Figura 2.80 Vo a vi '" -10 V. Figura 2.81 Dibujo de va para el
ejemplo 2.21.
En paralelo
La red de la figura 2.82 es la más sencilla de las configuraciones de diodos, en paralelo con la
salida para las mismas entradas de la figura 2.67. El análisis de las configuraciones en paralelo
es muy similar a la que se aplica a las configuraciolles en serie, como se demostrará en el
siguiente ejemplo.
'{---'\fV'.,----,--O
+ R +
-+-
o o
-v -v
2.9 Recortadores 81
-----
EJEMPLO 222 Determinar V o para la red de la figura 2.83.
v,
16
+ R +
v,
o
c_--_____v__I~_4_v~o Figura 2.83 Ejemplo 2,22.
Solución
La polaridad de la fuente de y la dirección del diodo sugieren que el diodo está en estado "encen-
dido" para la región negativa de la señal de entrada. Para esta región la red aparecerá como lo
señala la figura 2.84, donde las terminales definidas para V o requieren que V o = V = 4 y,
O-~"'''''~-._-----O
R
+
+ v
o-------------~------~o
1 4V Figura 2.84 V o para la región
negativa de Vi'
V_-~j[~4-'-'--_<o
Para el estado de circuito abierto la red aparecerá según se muestra en la figura 2.86,
o_----_____ donde V o = Vi' Completando el dibujo de V o resulta la forma de onda de la figura 2,87,
Figura 2.85 Determinación del
nivel de transición para el
ejemplo 2.22. "
" 'o
v 1 4v T T
q 1 o
'2
Agora 2.87 Dibujo de V o para el
Figura 2.86 Determinación de Vo
ejemplo 2.22.
para el estado abierto del diodo.
Para examinar los efectos de VT sobre el voltaje de salida, el siguiente ejemplo especifica-
rá un diodo de silicio, en lugar del equivalente del diodo ideal.
Solución
El voltaje de transición suele detenninarse en primera instancia al aplicar la condición de i d :=
= =
OA cuando vd VD 0.7 V. y obteniendo la red de la figura 2.88. Al aplicar la ley de voltaje de
Kirchhoff alrededor del lazo de salida en el sentido de las manecillas del reloj, se encuentra que
Vi + VT - V= O
Para los voltajes de entrada mayores que 3.3 V, el diodo estará en circuito abierto y va = v;.
Para los voltajes de entrada menores que 3.3 V, el diodo estará en estado "encendido" y resul·
tará la red de la figura 2.89, donde
v
o = 4V 0.7V 3.3 V
;,
+ R +
] ; 07V
e
) Figura 2.89 Determinación de V o
- 4V para el diodo de la figura 2.83 en
o_ _ _ _ _ _~_ _ _o estado "encendido",
La forma de onda resultante de salida aparece en la figura 2.90. Nótese que el único efecto de
VT fue disminuir el nivel de transición desde 3.3 V a 4 V.
16 V
3.3 V J,
No hay duda de que incluir los efectos de VTccmplicarán el análisis un poco, pero una vez
que el análisis se comprende con el diodo ideal, el procedimiento, incluyendo los efectos de V ro
no serán tan difíciles.
Resumen
Una variedad de recortadores en serie y en paralelo con los resultados de salida para las entra-
das senoidales se presentan en la figura 2.91. Obsérvese en particular la respuesta de la última
configuración, con su capacidad de recortar Una sección positiva o negativa como se detennÍne
por la magnitud de sus fuentes de de.
2.9 Recortadores 83
~I
POSITIVO NEGATIVO
"~
-o
+ +
R ,, R
-o -vm
o---II--I~-.----o
+ +
v (Vm-V)
R
- (v", + V)
0---1 ~
o---J '"
+ + + +
v v
, R ,, ,, R
V "
-o o
-(Vm-V)
+ R +
~
v.
-
o
T
J V
+ ~~\vm
v
_-v
o
o
o
t
~
+
,, ,,
v
-; T-;
+ R +
,
v, "
o I v'I o
" ~~ >R
o T
;;
T >
-v Figura 2.92 Cambiador de niveL Figura 2.93 Diodo en "encendido"
y el capacitor cargando a V volts.
Durante el intervalo 0-> Tl21a red aparecerá como lo indica la figura 2.93; con el diodo en
estado "encendido" efectivamente hace corto circuito el efecto de la resistencia R. La constante
de tiempo Re resultante es tan pequeña (R se detennina por la resistencia inherente de la red) e
que el capacitar se cargará a V volts rápidamente. Durante este intervalo el voltaje de salida
está directamente a través del "corto circuito" y V o = O V.
+
Cuando la entrada cambia al estado -V, la red aparecerá como lo indica la figura 2.94, con
el equivalente de circuito abierto para el diodo determinado por la señal aplicada y el voltaje
almacenado a través del capacitar, ambos "presionando" la corriente a través del diodo desde el
cátodo hacia el ánodo. Ahora que R se encuentra de regreso en la red, la constante de tiempo
determinada por el producto Re es lo suficiente grande para establecer un periodo de descarga Figura 2.94 Determinación de va
5 r mucho mayor que el periodo Tl2 -> T, Y puede asumirse sobre una base aproximada que el con el diodo en "apagado".
capacitar mantiene toda su carga y, por tanto, el voltaje (debido a que V = QIC) durante este
periodo.
Debido a que V o está en paralelo con el diodo y la resistencia, también puede dibujarse en
la posición alterna que se indica en la figura 2.94. La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff
alrededor del lazo de entrada dará por resultado
v
v- V - V
o = O
y v = -2V o T T r
" 2:
El signo negativo se debe a que la polaridad de 2Ves opuesta a la polaridad definida por vO' La -v
forma de onda de salida que resulta aparece en la figura 2.95 junto con la señal de entrada.
La señal de salida "cambia de nivel" a O V durante el intervalo de O a T12, pero mantiene la
misma excursión de voltaje total (2\1) que la entrada.
Para una red de cambio de nivel:
La excursión de voltaje total de la señal de salida es igual a la excursión de voltaje o T._ .' T
2" ..'
total de la señal de entrada.
Este hecho es una excelente herramienta para verificar el resultado que se obtiene.
En general, los siguientes pasos pueden ser útiles cuando se analizan redes cambiadoras -2 v
de nivel.
l. Iniciar el análisis de las redes cambiadoras de nivel mediante la consideración de figura 2.95 Dibujo de V
o para la
la parte de la señal de entrada que dará polarización directa al diodo. red de la figura 2.92.
EJEMPLO 224 Determinar V o para la red de la figura 2.96 para la entrada que se indica.
VI f = 1000Hz
C=I¡lF
¡~--~II~!--~----r---~+
¡~
R
V-;.-5V
Solución
C
Obsérvese que la frecuencia es de 1000 Hz, que resulta en un periodo de I ms y un intervalo de
~!~+~--~~--~+ 0.5 ms entre niveles. El análisis comenzará con el periodo tI -? t 2 de la señal de entrada debido
ve a que el diodo está en estado de corto circuito según recomendaciones del comentario l. Para
> este intervalo la red aparecerá como lo señala la figura 2.97. La salida es a través de R, pero
20 V + R >100 kQ Vo
también directamente a través de la batería de 5 V si se sigue la conexión directa entre las
V-;¡;- 5V terminales definidas para voy las terminales de la batería. El resultado es V o = 5 V para este
+ intervalo. La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del lazo de entrada dará por
resultado
Figura 2.97 Determinación de V o
y Ve con el diodo en estado -20V+Ve -5V=0
"encendido".
y Ve = 25 V
25 V""'+------,
~(----'-.,..---,--~ Por tanto, el capacitar se cargará hasta 25 V, como se estableció en el comentario 2. En
+ + este caso, el diodo no hace corto circuito en la resistencia R, pero un circuito equivalente
Thévenin de la porción de la red que incluye la batería y la resistencia generará RTh = O Q con
IOY En = V = 5 V. Para el periodo t 2 -? t 3 1a red aparecerá como lo indica la figura 2.98.
El equivalente de circuito abierto para el diodo eliminará que la batería de 5 V tenga
cualquier efecto sobre vo' y la aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del lazo
exterior de la red dará por resultado
KVL
+10 V + 25 V - V
o
= O
Figura 2.98 Determinación de V o
con el diodo en estado "apagado". y V
o = 35 V
Debido a que el intervalo 12 ---) 13 durará sólo 0.5 ros, es cierto que resulta buena la aproximación
de afinnar que el capacitar mantendrá su voltaje durante el periodo de descarga entre los pul-
sos de la señal de entrada. La salida resultante aparece en la figura 2.99 junto con la señal de
entrada. Obsérvese que la excursión de voltaje de salida de 30 V iguala a la excursión del
voltaje de entrada como se observa en el paso 5.
P. 'o
10
35
-¡
o
" ." '3
"
, I .. ,-\
.-, :<;:: 30 V
I
1
30Y
-20
~ 5
O
Figura 2.99 V¡Y V o para el
cambiador de nivel de la figura
2.96.
" '2 '3 "
Repetir el ejemplo 2.24 usando un diodo de silicio con VT = 0.7 V. EJEMPLO 2.25
Solución
Para el estado de corto circuito la red toma ahora la apariencia de la figura 2.100, y V
o
puede
determinarse por la ley de voltaje de Kirchhoff en la sección de salida.
+5V-0.7V-vo =0
y V
o
= 5 V - 0.7 V = 4.3 V
Ahora, para el periodo 1, -; 13 la red aparecerá como la figura 2.101, siendo el único
cambio el voltaje a través del capacitar. La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff genera
+10 V + 24.3 V - Yo =0
V
a
= 34.3 V
~~~+~--~--~+
24.3 V
IOV
34.3 V
30V
v"
:TI
v c ----¡
T
o f-+--i-+ VJ R v" o h"''-''''-¡tr+t
-v - - 2V
--o
- 2vr '--
,
,-1
v, v,
¡ I~ --o
+ +-l + t
C ~~ v, C
", v, --; ;;--
R v" o t ", R v,
2V
2V v, v, 1
1 o
t F:
v, v,
;-~
rl~ +
o v, C ~ .. R v, t
J VI " -v,_ 1- r- .t v, -" ::...
- - 2V
2V
--o o
- _1 -v, -t
Figura 2.103 Circuitos cambiadores de nivel con diodos ideales (Sr o::: SRC> T/2).
~I~:--~--~----~+
e
R
-T- !O V
+
2.11 DlODOSZENER
El análisis de las redes que utilizan diodos Zener es muy similar al que se aplica al análisis de
diodos semiconductores de las secciones anteriores. Primero debe determinarse el estado
del diodo seguido por una sustitución del modelo adecuado, y una detenninación de las otras
cantidades desconocidas de la red. A menos que se especifique 10 contrario, el modelo Zener
utilizado para el estado "encendido" será como el que indica la figura 2.105a. Para el estado
"apagado" de acuerdo con su definición para un voltaje menor que Vz pero mayor que OV con
la polaridad que se indica en la figura 2.l05b, el equivalente Zener es el circuito abierto que
aparece en la misma figura.
vz
+
=:>
1l- vZ
+
v=:>
1
(Vz >v
1
>0 V)
R
"encendido" "apagado" Ftgura 2.105 Equivalentes de
v
diodo Zener para los estados
(,) (b) a) "encendido" y b) "apagado".
Vi Y R fijas
Las redes más simples del diodo Zener aparecen en la figura 2.106. El voltaje de dc aplicado
es fijo, así como la resistencia de carga. El análisis puede hacerse fundamentalmente en dos
Figura 2.106 Regulador Zener
pasos. básico.
1. Determinar el estado del diodo Zener mediante su eliminación de la red y
calculando el voltaje a través del circuito abierto resultante,
R
La aplicación del paso 1 a la red de la figura 2.106 generará la red de la figura 2.107, donde
una aplicación de la regla del divisor del voltaje resultará
+ +
v, v
(2.16)
Si V;::: Vz , el diodo Zener está en estado "encendido" y se puede sustituir el modelo equiva-
lente de la figura 2.1 OSa. Si V < Vz , el diodo está en "apagado" y se sustituye la equivalencia de Figura 2.107 Determinación del
circuito abierto de la figura 2.105b, ~~stado del diúdo Zener.
.j.Iz
=¡¡ 1, deseadas .
Para la red de la figura 2.106 el estado "encendido" dará por resultado la red equivalente
+ +
-==- V z :< R, V,.
de la figura 2.108. Puesto que los voltajes a través de los elementos paralelos deben ser los
mismos, se encuentra que
PZM
(2.17)
-~
La comente del diodo Zener debe determinarse por la aplicación de la ley de comente de
Figura 2.108 Sustitución del Kirchhoff. Esto es
equivalente Zener para la situación
"encendido" .
e (2.18)
donde
(2.19)
EJEMPLO 2.26 a) Para la red de diodo Zener de la figura 2.109. determinar Vu VR,lz y Pz.
b) Repetir el inciso a con RL = 3 kD.
lkil ¡Iz +
v, "'" 16 V Vz = IOV ~~. R, 12 kQ VL
P zM =30mW
Solución
a) Siguiendo el procedimiento sugerido, la red se redibuja como lo indica la figura 2.110.
La aplicación de la ecuación (2.16) da
1.2 kQ(16 V)
V= = = 8.73 V
lkQ+1.2kQ
VL = V = 8,73 V \ o '2
8.73 V
VR = Vi - VL = l6V - 8.73V = 727V
Iz = OA
Figura 2.111 Punto de operación
y Pz = V!z = Vz(OA) = OW resultante para la red de la figura
2.109.
b) Aplicando la ecuación (2.16) ahora resulta
3 kQ(16 V)
= 12 V
lkQ+3kQ
VL = Vz = 10V
y VR = Vi - V L = 16V-lOV=6V
VL 10V
con IL = - - = - - - = 3.33 mA
RL 3kQ
VR 6V
e IR = = = 6mA
R 1 kQ
de tal forma que IR - IL [Ec. (2.18)]
= 6 mA - 3.33 mA
= 2,67mA
La potencia disipada
Pz = V!z = (lOV)(2.67mA) = 26,7mW
+ vR
R
IkQ
+
V, ~T 16V
Resolviendo RL , se tiene
(2.20)
Cualquier valor de resistencia de carga mayor que el RL que se obtiene de la ecuación (2.20)
asegurará que el diodo Zener está en estado "encendido" y que el diodo puede ser reemplazado
por su fuente equivalente Vz-
La condición defInida por la ecuación (2.20) establece el RL mínimo, pero a su vez especifIca
ellL máximo como
(2.21)
Una vez que el diodo está en estado "encendido", el voltaje a través de R permanece cons-
tante en
(2.22)
e IR permanece fija en
(2.23)
La corriente Zener
(2.24)
(2.25)
(2.26)
IR
Ik,Q
-+
+ R ~ 1, =l"V'
VZ = 10 v
V,=50V D,
IzM =32mA
Solución
a) Para determinar el valor de R L que encenderá el diodo Zener, se aplica la ecuación (2.20):
V R = Vi - Vz = 50 V-lO V = 40 V
VR 40V
1 =--= =40mA
R R 1 kQ
I Lm ," = IR - IZM = 40 mA - 32 mA = 8 mA
Vz 10 V
RL . = -- = = 1.251<.0
m", I 8mA
L mL "
','·1
(b)
RV
VL = V -
Z -
Li
RL + R
y v. =
¡min
(2.27)
El valor máximo de Vi está limitado por la corriente Zener máxima 12M , Debido a que 12M
=IR-IL'
Debido a que IL está fijo en V:!R L y que l ZM es el valor máximo de lz, el máximo Vi se
define por
V =VR +Vz
,,,,,. """
V1m:!.>: = IR m:h R + Vz (2.29)
EJEMPLO 2.28 Determinar el rango de valores de Vi que mantendrán el diodo Zener de la figura 2.115 en
estado "encendido".
1,
R
-+-
+ 220Q ~ Iz =lV' +
v¡ Vz = 20 V
R, 1.2 kQ V,
I ZM =60 mA
Solución
(R L + R)Vz (1200 O + 2200)(20 V)
Ecuación (2.27): v.
¡mm
= = = 23.67 V
RL 1200 O
V V 20V
IL = -L- = -z- = - - - - = 16.67 mA
RL RL 1.2 kO
v,
40
36.87 V
23.67 V
20
10
cada diodo se indica en la figura adjunta. Obsérvese que Z¡ está en una región de baja impedancia, ...
mientras que la impedancia de Z2 es muy grande. la que corresponde a la representación de Figura 2.118 Establecimiento de
circuito abierto. El resultado es V o = Vi cuando Vi;;;; 10 V. La entrada y salida continuarán dupli- tres niveles de voltaje de
cándose mutuamente hasta que Vi alcance 20 V. Entonces Z2 se encenderá (como un diodo referencia.
", "
+ 5 kQ +
z,
, 20-V< ",
Olt Zener Olt
z,
I
(a)
5kQ +
z, 20V
v,=IOV
o V
z,
(b)
,.,
SOV
+ 5 kO + +
z,
IOV
v, IO-V\ v,
o 2 1t rol Zener + -lOV
L
Doblador de voltaje
La red de la figura 2.121 es un doblador de voltaje de media onda. Durante el medio ciclo de
voltaje positivo a través del transformador, el diodo del secundario D, conduce (y el diodo
D, está en corte), cargando el capacitar C I hasta el voltaje pico rectificado (Vm )· El diodo D,
es idealmente un circuito cerrado durante este medio ciclo, y el voltaje de entrada carga al
capacitar C I hasta Vm con la polaridad mostrada en la figura 2.122a. Durante el medio ciclo
negativo del voltaje del secundario, el diodo D, está en corte y el diodo D, conduce carga al
capacitor C 2 . Dado que el diodo D 2 actúa como un corto circuito durante el medio ciclo
negativo (y el diodo DI abierto), pueden sumarse los voltajes alrededor del lazo externo
(véase la figura 2.122b):
-Vc, + Vm + Vm = O
de la cual
~ + + :( 14 -o
ª v. r D,
~I
2V. { c, 2v.
I v. !' D,
+
Figura 2.121 Doblador de voltaje
- +
de media onda.
c-:::---1v!-~--,-'-t-D---i,1414---r-~2~ o
~II
Diodo DI
conductor no conductor Figura 2.122 Operación doble,
indicando cada medio ciclo de
operación: a) medio c.iclo
r" (b) positivo: b) medio ciclo negativo.
...,
r
o
~ +
'lJ
D,
~II vI>!
j 21/ m
'm ;,J.;c,
-~
ConductOr / No conductor
,..--......--_..-,
.....11". - - -
\c+ D,
~ V
o
~II V
o
Durante el medio ciclo negativo (véase la figura 2.l24b) el diodo D, conduce carga al
capacitor e"en tanto que el diodo DI no está conduciendo. Si no hay consumo de corriente en
la carga del circuito, el voltaje a través de los capacitores el y e z es 2Vm. Si hay consumo de
corriente de carga en el circuito, el voltaje en los capacitares C l y C z es el mismo que a través
de un capacitor alimentado por un circuito rectificador de onda completa. Una diferencia es la
capacitancia efectiva de el y e, en serie, que es menor a la capacitancia de el y e, solos. El
valor menor del capacitor ofrecerá una acción de filtrado más pobre que el circuito de filtrado
con un solo capacitor.
El voltaje pico inverso a través de cada diodo es 2Vm así como lo es para el circuito de
filtro con capacitar. En resumen,los circuitos dobladores de voltaje de media onda y de onda
completa ofrecen el doble del voltaje pico del secundario del transformador, y no se requiere
un transformador con derivación central sino únicamente un valor PIV de 2 Vm para los diodos.
'-------
1 v'"
+11-
Triplicador (3Vm ) -----~·I
2V",
+u-
e+ l' 1\
e, e,
~I I ~~ ~ ~ D, ~ ..
v m ~ ~ D, D,
e, e,
-
"
+"- + "
l'
2Vm 'Vm
Doblador (2V.,,) .1
Cuadruplicador (4 V,J •
Durante la operación el capacitor el se carga a través del diodo DI a un voltaje pico, Vm'
durante el medio ciclo positivo del voltaje del secundario del transformador. El capacitor e,
se carga al doble del voltaje pico 2 Vm desarrollado por la suma de los voltajes a través del
capacitor el y el transformador, durante el medio ciclo negativo del voltaje del secundario
del transformador.
Durante el medio ciclo positivo, el diodo D3 conduce y el voltaje a través del capacitor e 2
carga al capacitor e, al mismo voltaje pico de 2Vm . En el medio ciclo negativo, los diodos D,
y D4 conducen con el capacitar e3 ,cargando e4 a 2Vm •
El voltaje a través del capacitor e2es 2Vm , a través de el y e3es de 3Vm , ya través de e2
y e4 es de 4 V m. Si se utilizan secciones adicionales de diodo y capacitor, cada capacitar será
cargado con 2Vm . La medición desde la parte superior del devanado del transformador (figura
2.125) ofrecerá múltiplos nones de Vm en la salida, mientras que si la medición es desde la
parte inferior del transformador el voltaje de salida ofrecerá múltiplos pares del voltaje pico Vm'
El valor del voltaje nominal de salida del transformador es únicamente Vm , máximo, y
cada diodo en el circuito debe tener un valor nominal de 2Vm para PIV. Si la carga es pequeña
y los capacitores tienen poca fuga, pueden desarrollarse de de voltajes de muy altos mediante
este tipo de circuito, utilizando muchas secciones para aumentar el voltaje de de.
1 R, 2 3
4.7 ka Si
+
lOV
Archivo de entrada
Figura 2.126 Dibujar de nuevo la
figura 2.27 para el análisis PSpice.
Renglón de título
La siguiente entrada en el archivo es un elemento resistivo que requiere una literal R para
empezar el renglón seguido por el nombre elegido (en este caso sólo el número 1 para referir el
subíndice en la red de la figura 2.126). La "presión" de la fuente de lO-y sugiere que la corrien-
te resultante hará al nodo 1 positivo respecto al nodo 2, de ahí el orden de los nodos en el ar-
chivo de entrada. La magnitud de la resistencia se especificó como de 4.7 ldl.
El formato para la entrada del diodo se presentó en el capítulo 1. Obsérvese la entrada en
el renglón 3 de la descripción de la red y la del modelo del diodo en el renglón 6. Recuerde que
R
Primero se coloca la resistenciaR¡ en la posición adecuada al dar "click" a Draw (dibujar)
en la barra de menú seguido por Get New Part (seleccionar una parte nueva) y Browse (ho-
jear). La caja de diálogo de Get Part aparecerá, y si se recorre la biblioteca hasta que aparece
analog.slb. se da "click" en la librería analog.slb y aparecerá un listado de alternativas bajo el
encabezado de Part (parte). Recorriéndolo hasta ver R, se hace "click" en R y luego OK, y
aparecerá una resistencia en la pantalla. La secuencia entera puede reducirse con teclear R en la
caja de diálogo de Add Part (añadir parte) y dando "click" en OK; sin embargo. la secuencia
superior permite un primer acercamiento a una lista importante de bibliotecas y opciones. La
resistencia aparecerá en forma horizontal, lo que es perfecto para R l' Se mueve la resistencia a
una posición lógica, se le da "click" al botón izquierdo del mouse, y la resistencia R 1 está en
posición. Nótese la forma en que se "adhiere" a la estructura de la malla.
Ahora. se tiene que colocar R 2 , pero R 2 es vertical en la figura 2.126. Al presionar etrl y R
de manera simultánea, puede girar la resistencia 90 0 , permitiendo su colocación en la fonna
vertical adecuada. Puesto que no hay más resistencias en el diagrama, sólo se hace "click" al
botón derecho del mouse y el proceso se completa. Las etiquetas Rl y R2 están de manera
correcta~ pero los valores son incorrectos.
E
Las fuentes de voltaje se encuentran en la biblioteca source.slb de Get Part y eligiendo
VSRC. Dando OK da por resultado el símbolo de la fuente en el esquema, que puede colocarse
como sea necesario. Después de darle "click" para colocarlo donde se requiere, aparecerá una
etiqueta VI. Para cambiar la etiqueta a El, se hace "click" al VI un par de veces y aparecerá
una caja de diálogo de Edit Reference Designator (editar el designador de referencia). Se
cambia la etiqueta a El y se la da "click" a OK y aparecerá E 1 sobre la pantalla dentro de una
caja. La caja puede moverse de la misma manera que las etiquetas para las resistencias. Cuando
se tengan en la posición correcta, sólo se oprime el mouse una vez más y El estará en posición.
Para establecer el valor de El se oprime el símbolo dos veces y aparecerá una caja de
diálogo. El Part Name:VSRC (nombre de la parte El: VSRC). Se seleccionaDC= y se esta-
blece el valor de 10 V. Antes de dejar la caja de diálogo se debe estar seguro de dar Save Attr
(guardar atributos). Se hace "click" en OK y El ha sido fijado con un valor de 10 V aunque no
aparezca en la red. Para añadir la etiqueta de 10 V al diagrama, se selecciona Draw en la barra
de menú seguido por Text (texto). Se escribe 10 V Y se hace "click" en OK; aparecerá una caja
en blanco que puede moverse a la posición deseada. Cuando se hace "click" para colocarla, los
10 V aparecerán en la pantalla. Se oprime el lado derecho del mouse para terminar el proceso
y luego se oprime el lado izquierdo para eliminar la caja. El proceso será el mismo para Ez'
pero se debe estar seguro de incluir el signo negativo.
DIODO
El diodo está en la biblioteca eval.slb de la caja de diálogo Get Parto Oprimiendo el diodo
DIN4l48 y el OK colocará el símbolo del diodo en la pantalla. Se mueve el diodo a la posi-
ción correcta, y se oprime una vez. Las etiquetas DI y D1N4l48 aparecerán cerca del diodo.
Se oprime el lado derecho del mouse para terminar las series de colocación de los diodos. En la
figura 2.126 la etiqueta Si aparece en lugar del Dl' Al dar doble "click" el DI traerá el Edit
Reference Designator para cambiarlo a Si. Si la etiqueta DI no desaparece por completo, se
utiliza la instrucción Ctrl L para dibujar de nuevo la red y ésta eliminará cualquier línea que
persista. Si se desean ver las especificaciones de los diodos, se oprime una vez el símbolo del
diodo y se utiliza la secuencia Edit (editar) - Model (modelo) - EditInslance Model (editar
modelo ejemplo). El Model Editor aparecerá y mediante un "click" puede cambiarse una
parte. Para este análisis se cambió Is a 2E-15 en lugar del valor implícito de 1 pA.
IPROBE
Puede desplegarse la corriente de la red al insertar un IPROBE (ensayo) en serie con
los elementos de la red. IPROBE está en la librería special.slb y aparece como una carátula
de medidor en la pantalla. El IPROBE responderá con una respuesta positiva si la corriente
entra al símbolo al final con un arco que representa la escala. Debido a que se está buscando
una respuesta positiva en esta investigación, el IPROBE debe ser instalado como se indica
en la figura 2.130. Donde aparece el símbolo primero, éste está 180' fuera de fase con la
corriente deseada. Por tanto, es necesario oprimir la secuencia Ctrl R dos veces para rotar el
símbolo antes de colocarlo en posición. Una vez en posición, un "c1ick" completará el pro-
ceso. Un "click" en el botón derecho del mouse terminará la característica de inserción del
IPROBE.
ve el lápiz al principio de la línea y se oprime el botón izquierdo del mouse. Luego se dibuja la
línea y se hace "click" una vez más al botón izquierdo al final de la línea. Si sólo se debe dibujar
una línea. el proceso puede terminarse al oprimir el botón derecho del mouse. Si deben dibujarse
líneas adicionales, sólo se presiona la barra espaciadora después de terminar una línea y se
dibuja la siguiente línea.
EGND
El sistema debe tener tierra para actuar como punto de referencia para los voltajes de los
nodos. La tierra (EGND, por las palabras en inglés de: Earth GrouND) es parte de la biblioteca
port.slb y puede colocarse de la misma manera que los otros elementos de la red.
VIEWPOINT
Los voltajes de los nodos pueden desplegarse sobre el diagrama después de la simulación
utilizando VIEWPOINTS (puntos de vista) que están en la biblioteca special.slb de la caja de
diálogo Get Parto Sólo se coloca la flecha del símbolo VIEWPOINT en el punto donde se
desea el voltaje respecto a la tierra. Puede colocarse un VIEWPOINT en cada nodo de la red si
es necesario. Ahora. la red está completa como lo indica la figura 2.130.
-.4542
RI DI
~
4.7k DIN4148
R2 2.2 k
: 2.066E-ú3
1-
-'-
El -==-- lüV E2 ---==- 5V Figura 2.130 Respuesta
-TL-____~.------~~ de Windows para la red de
+ la figura 2.126.
ASIGNACIÓN DE NODOS
Cuando los elementos son capturados como en la parte anterior. la probabilidad es que
los nodos asociados con cada elemento no concuerden con las referencias de los nodos asig-
nadas de la figura 2.126. Sin embargo, esto puede cambiarse al oprimir el Examine Netlist
(examinar la lista neta) bajo el encabezado Analysis (análisis). El resultado es un listado de
los elementos de la red y el valor numérico asignado a cada nodo. Esta lista puede cambiarse
para igualar la de la figura 2.126 con una simple secuencia de inserciónlborrado para cada
referencia de los nodos. Para este análisis las referencias de los nodos se cambiaron para
igualarlas a la figura 2.126.
ANÁLISIS
Ahora. la red está lista para el análisis. Para acelerar el proceso, se oprime Analysis (aná-
lisis) y se elige Probe Setup (irticialización de la prueba). Se elige Do Not Auto-Run Probe
(no autoejecutar la prueba) debido a que Probe no es apropiada para este análisis. Es una
opción que se presentará en un capítulo posterior cuando se manejen las cantidades que cam-
bian con el tiempo, la frecuencia o cualquier otra variable importante. Después se procede con
OK-Analysis-Simulate (Ok,análisis, simulación) para llevar a cabo el análisis. Si se desarro-
lla correctamente, una caja de diálogo de PSpice aparecerá indicando que el análisis en de se
terminó. Se sale de la caja y el diagrama tendrá la corriente y el voltaje de los nodos como en la
figura 2.130. La corriente del circuito de 2.07 mA concuerda con la solución en DOS, y el
voltaje de los nodos en -{).46 Ves muy cercano a la solución DOS de -{).45 V.
........_.................................................................
•••••
D1N414J.X
IS 2.000000E-J S
BV JOO
lBV l00.000000E~15
RS 16
TI 12.()()O()C)Ot...()9
CJO 2.000000E-12
-•.........................................................
•••• SMAU.-SlGNAL BIAS SOLtmON
..........•..
•••••
NODE VOLTAOE NOnE VOLTAGE NQDE VOLTAGE :NODE
VOLTAGE
(SN_0001) .2925 (SN-"002) 10.0000
(SN_OO<l3) ,4561 (SN_OOO4) ·'0000
(SN_oooS) 10.0000
V_El -2,065E-03
V_P2 2.06SE-03
v_w~ 2.06SE-03
TOTALPOWEIlDlSSlPAnON 3.10&<>2 WATTS
•••• OPEltA~GPOINTJNFOlJ.MAnON TEMPBRAnJRE- 27.000DEGC
.....
........................................."' •••••••••••••••••••••••••••••• ! ..
····DIODES
NAME O_DI
MODEL D1N4I4&-X
ID 2.01E-03
VD 7.49E-Ol
REQ 1.2SE+Ol
CAP 9,62&10
Figura 2.131 Archivo de salida para el análisis PSpice (Windows) del circuito de la figura 2.126.
los diodos se repiten bajo el listado Diode MODEL PARAMETERS (parámetros de modelos
de diodOS). La SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION (solución de pequeña señal de polarización)
incluye todos los voltajes de los nodos con la corriente listada a continuación como las VOLTAGE
SOURCE CURRENTS (corrientes de las fuentes de voltaje). La OPERATING POlNT
INFORMATION (información del punto de operación) revela que ID es de 2.07 mA Y que el
voltaje a través del diodo es de 0.749 V en lugar del 0.7 V utilizado en la solución manual, una
posihle razón para la ligera diferencia en el voltaje de los nodos listado arriba.
I ¡
I1 i 1
: 1
1, I I,
,
1
I
! i
+
I I ,
1 i
1
I i! , ,
1
, ¡D(mA) I, ,
i ¡ I R O.33kQ "R
I
, !
¡
! , 1 1
I : ! 1 ,
1-30 , ,
\
,
,
I , ,
~25
\ ,
!
I I ¡ ro)
! , ,
! I
i
¡ ! I !
Figura 2.132 Problemas 1.2.
~20
! 1
1
I ,
j
1
i !
I .
1 _ ,_ i5
, !
\
,
i
,
1 1
I
I I !
i
•
f-- 1O , ,
,
I 1 ,
1 i I 1 1
1,
I 5 I, ,
,
1
\ A
¡
¡
i
i
I
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I
i,
1
1,
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I !
I
,,
I
O
I
O.7V
1
I
2
I
¡,
3
I
4
I
5
1
i
6 7
1
" 9
1
10
,
V~(V)
I
,
!
I
!
1 ,
I~ +
rb) E T 5v
L______-'
Figura 2.133 Problemas 2. 3.
Problemas 105
§ 2.4 Configuraciones de diodos en serie con entradas de de
5. Determine la corriente / para cada una de las configuraciones de la figura 2.135 utilizando el
modelo equivalente aproximado para el diodo.
--
20 V
10Q
,1 +
'1
SI 1
*SI
+ ~~ SI
tI
12 V
tI >
L 10Q
¡.
>20n
"ro- IOV
~~ SI
~ Ion
lb) (o)
SI 1.2 kQ
2.2 kQ 4.7 kQ
Si s,
20 v
o
SI
~ ~
G, 2 kQ
'VV'v
1"'
...
2 kn "
la) (b)
SI
lb)
Ge Si
3.3 kQ
(a) (b)
15 V
ID
•-
-+
+;ov ¡ SI
Vo ¡~ SI SI~
~
~ ID
i --...- ~,
SI Vo
4.7 kQ
}>
>2.2 kQ
_L
-5 V
(a) (b)
+lOV +16V
t---~V,
>
>4.7kn
12 V
(a) (b)
Problemas 107
~I
10/' 2kD
1 kD
Si
+10 V
Si
~¡. 20 V
2 kQ 2 kQ
-5 v IOV .5 V
Si Si
av IOV 5V
Vo Vo
Si Si Ge
2.2 kQ IkD 2.2 kD.
-5 V 10V ...
Figura 2.145 Problema 19. flgura 2.146 Problema 20. figura 2.147 Problema 21.
- i,
2.2 kO
~1,
R,
+
6.8 k.Q vL
+
+ I ka +
-10 V
* 27. a) Dado Pm;l¡:' == 14 rnW para cada diodo de la figura 2.152, determine el valor máximo de corrien-
te de cada diodo (utilizando el modelo equivalente aproximado).
b) Determine 1má:\ para Vi m~,::;: 160 V,
e) Determine la comente a través de cada diodo para V. utilizando los resultados del inciso b.
d) ¿Es la corriente detenninadaenel inciso e menorque~r~alor máximo determinado enel inciso a?
e) Si sólo estuviera presente un diodo, detennine la corriente del diodo y compárela con el valor
má,,-imo.
~: ....
1""
o---
+
v --....,; >
~ 47 kQ > 56
<
kn
Diodos ideales
+
2.2 kQ
-100 V
Problemas 109
--- ~---~
.,
* 30. Dibuje V o para la red de la figura 2.154 y determine el voltaje de de disponible.
Diodos ideales
+
Diodos
ideales
2.2 kn
2.2 kn
-170V
§ 2.9 Recortadores
32. Dibuje V o para cada red de la figura 2.156 para la entrada que se indica.
" Si 5V Ideal
20V + + ~ +
, 2.2 kn 6~8 kfl
'o " "
-20 V
(b)
33. Dibuje V o para cada red de la figura 2.157 para la entrada que se indica.
Si 5V
¡OV
" ~c--I~M----1II--_____- - - <
r
-lOV
(a)
1.2 ldl
(b)
4.7 kQ
2() V
o I
:--JT
\',
2V
~o-----<j~o
Ideal
I kQ v,
"
Ideal
O---IM----.-~ ro
2.2 kQ
+5 y
-5 V
(a) (b)
* 35. Dibuje V
o para cada red de la figura 2.159 para la entrada que se indica.
4Y
+ 2_2 k.Q
S(
+ ~AA.
2.2 kQ ~T
,~vvv---¡
"0 ,
o
S(
(a) (b)
36. Dibuje iR y Vo para la red de la figura 2.160 para la entrada que se indica.
r o--JVV\;
10 kQ
!
i1
+ -+
'R
s
" '
S3Y
o
e e
20 V
0--.1'"
+ +
" 0--.1 "
. ~>R "
Ideal
o
", Id,al j
~ 5Y
R
o I
.". ...
-20 V (a) (b)
Problemas III
_.~
38. Dibuje V o para cada red de la figura 2.162 para la entrada que se indica. ¿Sería una buena aproxi~
mación considerar que se trata de un diodo ideal para ambas configuraciones? ¿Por qué?
e e
o-------j' o-------j
120 v + 1\
+ + +
sr
, sr • ~ fR
<
,, l', • R
"
E T 20 V
(b)
e
+\0 o--KI~---.---~-~
+ 0.\)lF ,¡, +
~ sr
R ~56kn
-'1=- 2 v
L------I _ lO
f = 1 kHz Figura 2.163 Problema 39.
* 40. Diseñar un circuito cambiador de nivel para llevar a cabo la función que se señala en la figura 2.164.
+30 V
Diodos ideales
20V
+ +
Diseño
o
-lOV
-20 V
* 41. Diseñar un circuito cambiador de nivel para llevar a cabo la función que se indica en la figura 2.165.
Diodos de silido
IOV
2.7 V
+ +
o
Diseño
o
-10 V
-17.3 V
R,
220 Q
+ - IR
Vi':::: 10 V
V f.
P2m" = 400 mW
* 43. a) Diseñe la red de la figura 2.167 para mantener V[ en 12 V para una variación en la carga (lL)
desde O hasta 200 mA. Esto es, determine Rs y Vz.
b) Determine P 2m", para el diodo Zener del inciso a.
* 44.
1
Para la red de la figura 2.168, determine el rango de Vi que mantendrá VL en 8 V Y no excederá el
valor máximo de potencia del diodo Zener.
45. Diseñar un regulador de voltaje que mantendrá un voltaje de salida de 20 V a través de una carga ....
de 1 kQ con una entrada que tendrá una variacíón entre 30 y 50 V. Esto es. determine el valor figura 2.167 Problema 43.
adecuado de Rs y la corriente máxima IZM '
46. Dibuje la salida de la red de la figura 2.120 si la entrada es una onda cuadrada de 50 V. Repita para
una onda cuadrada de S-v.
91 Q
§ 2.12 Circuitos multiplicadores de voltaje Vz = 8 V
0.22 kQ
P Zm " =400rn'W'
47. Determine el voltaje disponible del doblador de voltaje de la figura 2.121 si el voltaje del secunda-
rio del transfonnador es de 120 V (rrns).
48. Detennine los valores PIV que se requieren por los diodos de la figura 2.121 en téI1Ilinos del
voltaje pico del secundario Vm . ,Figura 2.168 Problemas 44, 55.
Problemas 113
CAPÍTULO
Transistores bipolares
de unión
f3
3.1 INTRODUCCIÓN
Durante el periodo de 1904 a 1947, el bulbo fue, sin duda, el dispositivo electrónico más
interesante y también el que más se desarrolló. El diodo de bulbo fue introducido por J. A.
Fleming en 1904. Poco tiempo después, en 1906, Lee De Forest le añadió un tercer elemento al
diodo al vacío, denominado rejilla de control, lo cual dio por resultado el triodo, primer
amplificador de su género. En los años subsecuentes, la radio y la televisión ofrecieron un gran
estímulo a la industria de los bulbos. La producción se incrementó,de cerca de un millón de
bulbos en 1922 a .cien millones aproximadamente en 1937. A principio de los años treinta el
tubo de vacío de cuatro y cinco elementos cobró gran importancia en la industria de los tubos
electrónicos al vaCÍo. En los años siguientes la industria se convirtió en una de las más
importantes y se lograron rápidos avances en el diseño. técnicas de manufactura. aplicaciones
de alta potencia y alta frecuencia y la miniaturización.
Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947, la industria de la electrónica registró la apari-
ción de un nuevo campo de interés y desarrollo. Fue esa tarde cuando Walter H. Brattain y
Joseph Bardeen demostraron la acción amplificadora del primer transistor en la compañía Bell
Telephone Laboratories. El transistor original (un transistor de punto de contacto) se muestra
en la figura 3.1. Las ventajas de este dispositivo de estado sólido de tres terminales respecto al
bulbo se manifestaron de inmediato: era más pequeño y ligero, no tenía requerimientos de
114
p
calentamiento o disipación de calor, su construcción era resistente y era más eficiente debi-
do a que el mismo dispositivo consumía menos potencia, estaba disponible para utilizarse de
inmediato, no requería de un periodo de calentamiento y era posible utilizar voltajes de opera-
ción más bajos. Nótese que, a partir del análisis anterior, en este capítulo se aborda por E
r~I
p
O,150l"l
0.001 itl.
r--
p e
primera vez el análisis de dispositívos con tres o más terminales_ El lector encontrará que
todos los amplificadores (dispositivos que incrementan el voltaje, la corriente o nivel de B
potencia) tendrán por lo menos tres terminales, donde una controla de flujo de las otras dos
terminales.
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de mate-
rial tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. Al primero se
le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp.Ambos se muestran en la figura
3.2 con la polarización de de adecuada. En el capítulo 4 encontrará que la polarización de de es
necesaria para establecer la región de operación adecuada para la amplificación de ac. La capa E
rn
0.150I"l
0.001 in.
~II-
n e
del emisor se encuentra fuertemente dopada. la base ligeramente dopada y el colector sólo muy
poco dopado. Las capas exteriores tienen espesores mucho mayores que el material tipo pon
al que circundan. Para los transistores que se muestran en la fIgura 3.2, la proporción del
espesor total respecto al de la capa central es de 0.150/0.001 = 150: 1. El dopado de la capa
central es también mucho menor que el dopado de las capas exteriores (casi siempre 10: 1 o
menos). Este nivel bajo de dopado disminuye la conductividad (aumenta la resistencia) de este
material al limitar el número de portadores "libres". (b)
Para la polarización que se muestra en la figura 3.2 las terminales se indican mediante
las literales E para el emisor, e para el colector y B para la base. Se desarrollará una aprecia-
Figura 3.2 Tipos de transístores:
ción de la elección de esta notación cuando se analice la operación básica del transistor. La a) pnp; b) npn.
abreviatura BJT, de transistor bipolar de unión (del inglés, Bipolar Junction Transistor),
suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El término bipolar refleja el hecho de
que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyección hacia el material pola-
Ilzado de forma opuesta. Si sólo se utiliza un portador (electrón o hueco), entonces se consi-
dera un dispositivo unipolar. El diodo Schottky, que se considera en el capítulo 20, es uno de
estos dispositivos.
+Portadores mayoritarios
+- + + •
+-+-
E
+ p-+ -:-
+-
....
+-+- + +-
+/ _B
Región de agotamiento
+ 1, -
l' FIgura 3.3 Unión con polarización
d.irecta de un transistor pnp.
Región de agotamiento
Región de agotamiento
Figura 3.4 Unión con polarización inversa de Figura 3.5 Flujo de portadores mayoritarios
un transistor pnp. y minoritarios de un transistor pnp.
y se observa que la corriente del emisor es la suma de las corrientes del colector y de la base. Sin
embargo, la corriente del colector está fonnada por dos componentes: los portadores mayorita-
rios y minoritarios, según se indica en la figura 3.5. Al componente de corriente minoritaria se le
denomina corriente de fuga y se le asigna el símbolo leo (corriente le con la tenninal del emisor
abierta). Por tanto, la corriente total del colector se detennina mediante la ecuación (3.2).
(3.2)
VI./" vcc
3.4 CONFIGURACIÓN DE BASE COMÚN 1, le
--.
r'
Ea
La notación y los símbolos que se utilizan junto Con el transistor en casi todos los textos y
manuales que se publican hoy en dia, se indican en la figura 3.6, para la configuración de base
común con transistores pnp y npn. La tenninologia de la base común se deriva del hecho de I,~
que la base es común tanto a la entrada como a la salida de la configuración. A su vez, por lo re~ 6
guIar la base es la terminal más cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra. A lo B
largo de este libro todas las direcciones de corriente harán referencia al flujo convencional lo)
(huecos) en lugar de hacerlo respecto al flujo de electrones. Esta elección se basó, sobre todo.
en el hecho de que en la gran cantidad de literatura disponible en instituciones educativas e
.~
industriales se utiliza el flujo convencional. y las flechas en todos los simbolos electrónicos
tienen una dirección definida por esta convención. Recuerde que la flecha en el simbolo del
diodo define la dirección de la conducción para la corriente convencional. Para el transistor:
La flecha en el símbolo gráfico define la dirección de la corriente del emisor (flujo
convencional) a través del dispositivo. B
Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura 3.6 son las direcciones reales.
definidas por medio de la elección del flujo convencional. Nótese. en cada caso. que I E = le +
IR' Obsérvese también que las polaridades aplicadas (fuentes de alimentación) son tales que
L Vu
,
d
+
...
-
I/ cc
+
permiten establecer una corriente en la dirección que se indica en cada rama. Es decir, se 1,
compara la dirección de lE con la polaridad de VEE para cada configuración y la dirección de le E 0---"--,.
con la polaridad de Vce
Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres tenninales.
como los amplificadores de base común de la figura 3.6. se requiere de dos conjuntos de
características, uno para el punto de excitación o parámetros de entrada y el otro para el lado
B
de la salida. Corno se muestra en la figura 3.7, el conjunto de entrada para el amplificador de
base común relacionará la corriente de entrada (lE) con un voltaje de entrada (VBE) para varios (b)
nIveles de voltaje de salida (VeB)'
El conjunto de salida relacionará la corriente de salida (le) con un voltaje de salida (VeB) Figur,l 3.6 Notación y símbolos
para varios niveles de corriente de entrada (lE)' según se muestra en la figura 3.8. E1 conjunto utilizados con la configuración de
de características de la salida o colector tiene tres regiones básicas de interés, como se indica base común: a) transistor pnp; b)
transistor npn.
7
6 Ir =1\'
5 I "
2
figura 3.7 Características del
punto de entrada o manejo para un
amplíficador a transistor de silicio
Il O.!. OA 0.6 0.8 1.0 Val-: (V) de base común.
6 f- 6mA
"
'o
Ti 5mA
5 - "
~
"
Oi
~
4 - 4mA
'"
."
3 1- "
'o
.0;, 3mA
'"
<>::
2mA
2 1-
IE= 1 mA
1-
en la figura 3.8: las regiones activa, de corte y de saturación. La región activa es la que suele
utilizarse para los amplificadores lineales (sin distorsión). En particular:
En la región activa la unión base-colector se polariza inversamente, mientras que la
unión emisor-base se polariza directamente.
(3.3)
Como se infiere por su propio nombre, la región de corte se define como la región en la que la
corriente del colector es OA, según indica la figura 3.8. Así también:
En la región de corte, tanto la unión base-colector como la unión emisor-base de un
transistor tienen polarización inversa.
Las características de entrada de la figura 3.7 revelan que para valores fijos del voltaje del
colector (VeR)' conforme se incrementa el voltaje base-emisoLla corriente del emisor aumenta
de tal manera que es muy similar a las características del diodo. De hecho, los niveles crecien-
tes de V eB tienen un efecto tan bajo sobre las características que, como una primera aproximación,
se pueden ignorar los cambios ocasionados por VCB y sus características pueden dibujarse
corno se ilustra en la figura 3.10a. Si se aplica la aproximación de segmentos lineales, dará por
resultado las características que se presentan en la figura 3.l0b. Al avanzar un paso más e
ignorando la pendiente de la curva, y, por tanto, la resistencia asociada con la unión con
polarización directa, se obtendrán las características que denota la figura 3.10c. Para los
propósitos de análisis de este texto, el modelo equivalente de la figura 3,lOc se utilizará para
todos los análisis en dc de redes de transistores. Es decir, una vez que el transistor se encuentre
en estado "encendido", se supondrá que el voltaje base-emisor es el siguiente:
En otras palabras, el efecto de las variaciones debidas a VeB y <:lla pendiente de las caracterís-
ticas de entrada se omitirán en tanto sea posible analizar las redes de transistores de tal manera
que ofrezcan una buena aproximación a la respuesta reaL sin involucrarse demasiado en las
variaciones de los parámetros de menor importancia.
8 I g 8 -
7
I ,
I 7
3
..
Cualquier Vr¡;
6
3
I
I
¡
I
"
5
2 2
L"
2
0.7 V
!
O 0.2 0.4 06 0.8 VIIE(V) O 0.2 0.4 0.6 0.8 VBf,(V) O, 0.2 0.4 06 0.8 VSE(V)
Figura 3.10 Desarrollo del modelo equivalente para ser utilizado para la región base-emisor
de un amplificador en modo de de.
,~
f3
EJEMPLO 3.1 a) Utilizando las características de la figura 3.8. determine la corriente resultante del colector
cuando lE = 3 mAy VeB = 10 V.
b) Empleando las características de la figura 3.8, determine la corriente resultante del colec-
tor si lE pennanece en 3 mA pero V CS se reduce a 2 V.
e) Usando las características de la figuras 3.7 y 3.8, determine VBE cuando le = 4 mA y
VeB =20V.
d) Repita el inciso e utilizando las características de las figuras 3.8 y 3.lOc.
Solución
a) Las características indican con claridad que le'= IE= 3 mA.
b) El efecto de cambio de VeB puede omitirse e le continúa siendo 3 mA.
c) A partir de la figura 3.8, IE'= le = 4 mA. En la figura 3.7 el nivel resultante de V BE es de
aproximadamente 0.74 V.
d) Una vez más, a partir de la figura 3.8,1,," le= 4 mA. Sin embargo, en la figura 3.lOc VBE
es de 0.7 V para cualquier nivel de corriente del emisor.
Alfa (a)
En el modo de dc los niveles de le e lE debidos a los portadores mayoritarios se encuentran
relacionados por una cantidad llamada alfa y definida por la siguiente ecuación:
(3.5)
donde le elE son los niveles de corriente en el punto de operación. Si bien las características de
la figura 3.8 podrían sugerir que a =1 para los dispositivos prácticos, el nivel de alfa suele
extenderse de 0.90 a 0.998, donde la mayoría se aproxima al extremo alto del rango. Debido a
que alfa sólo puede definirse para los portadores mayoritarios, la ecuación (3.2) se convierte en
Para las características de la figura 3.8 cuando lE::::: O mA, le es por consiguiente igual a
ICBO ; no obstante, como se mencionó antes, el nivel de Icso es con frecuencia tan pequeño que
prácticamente no es posible detectarlo en la gráfica de la figura 3.8. En otras palabras, cuando
lE=' O mA, en la figura 3.8, le también parece ser de O mA para el rango de valores de VCB'
Para las situaciones de ac donde el punto de operación se desplaza sobre la curva de
característica, un alfa en ac se define mediante
a - -I
= (He (3.7)
" AlE V CB :: constante
En ténninos fonnales, alfa de ac se denomina como de base común, corto circuito o factor de
amplificación por razones que resultarán más obvias cuando se analicen los circuitos equiva-
lentes para transistores en el capítulo 7. Por el momento, se debe reconocer que la ecuación
(3.7) especifica que un cambio relativamente bajo en la corriente del colector se divide entre el
cambio correspondiente en lE cuando se mantiene constante el voltaje del colector a la base. En
la mayor parte de las situaciones, las magnitudes de aac y adc son muy cercanas, lo cual pennite
utilizar la magnitud de una para la otra. El uso de una ecuación como la (3.7) se demostrará en
la sección 3.6.
Polarización
La polarización correcta de la configuración de base común en la región activa se puede deter-
minar con rapidez, si se utiliza la aproximación Ic : IE,y suponiendo, por el momento, que lB
'" O IlA. El resultado es la configuración de la figura 3.11 para el transistor pnp. La flecha del
símbolo define la dirección del flujo convencional para lE == le Luego se insertan las fuentes de
con una polaridad tal, que soportarán la dirección resultante de la corriente. Para el transistor
npn se in vertiráo las polaridades.
Algunos estudiantes sienten que pueden recordar si la flecha del símbolo del dispositivo
se encuentra apuntando hacia adentro o hacía afuera. comparando las literales del tipo de tran-
sistor con las literales adecuadas de las frases "apuntando hacia adentro" o "no apuntando
hacia adentro". Por ejemplo, existe una similitud entre las literales npn y las literales itálicas de
no apuntando hacia adentro y las literales pnp con apuntando hacia adentro.
V., 200mY
1, = = = lOmA
Ri 20Q
IL = li = 10 mA
y v.L = ILR
= (10 mA)(5 ill)
= 50Y
I -
1,
E
pnp
e
1,
---+-
+
-
+ B
R R, 5 k!l V,
200 mV
Vi::
I\¡ ---'--+
20Xu lOQkQ
R
- I
Figura 3.12 Acción básica de a.mplificación de voltaje de la configuración de
base común.
50 V
= -200mV
--= 250
Vi
-
e
le
e
-
le
v"
- ~
lB n
V ee
v"
- lB P
1 V cc
,---0 e
lB
-+-
Bo--'----I
Las corrientes del emisor, colector y base se muestran en su dirección convencional para
la corriente. Si bien cambió la configuración del transistor, aún se puede aplicar las relaciones
de corriente que se desarrollaron antes para la configuración de base común. Es decir, lE = le +
IBele=aIE·
Para la configuración de emisor común, las características de salida son una gráfica de la
corriente de salida (le) en función del voltaje de salida (VCE) para un rango de valores de corrien-
te de entrada (lB). Las características de entrada son una gráfica de la corriente de entrada (lB)
en función del voltaje de entrada (VBE) para un rango de valores de voltaje de salida (VCE)'
.Vn,=!V
6
100 .va=JOv
(Región de saturación) 5 90
80
70
31!~_"",~--:::--.--~_=--=_30-,~A_____ 60
(R¡:glón activa) 50
2~~=:~::::::::::::::::::::~2~0~~~A~___ 40
10 ¡.LA
30
20
10
(Región de corte)
lao =f3/ C80
(al (b)
Recuerde que estas son las mismas condiciones que existieron en la región activa de la
configuración de base común. La región activa de la configuración de emisor común se puede
emplear también para la amplificación de volt~ie. corriente o potencia.
La región de corte para la configuración de emisor común no está tan bien definida como
para la configuración de base común. Obsérvese en las características del colector de la figura
3.14 que le no es igual a cero cuando lB es cero. Para la configuración de base común, cuando
la corriente de entrada lE fue igual a cero, la corriente del colector fue igual sólo a la corriente
de saturación inversa leo' de tal forma que en la curva lE = O Y el eje de los voltajes fue uno
para todos los propósitos prácticos.
La razón de esta diferencia en las características del colector puede obtenerse a través del
manejo adecuado de las ecuaciones (3.3) y (3.6). Es decir,
leBo
= 2501eBo
0.004
Si leso fuera 1 ,uA.la corriente resultante del colector con lB =OA sería 250(1 ,uA) =0.25 mA,
según se refleja en las características de la figura 3.14.
Como referencia futura, a la corriente del colector definida con la condición lB = O /lA se
le asignará la notación que indica la ecuación (3.9).
= leBo I (3.9)
I - a1/,=0""
En la figura 3.15 se demuestran las condiciones para esta corriente recién definida con su
dirección asignada de referencia.
Para propósitos de amplificación lineal (la menor distorsión), el corte para la
configuración de emisor común se definirá mediante le = ICEO'
En otras palabras, la región por abajo de lB = O J1A debe evitarse si se requiere una señal de
salida sin distorsión.
Cuando se utiliza como interruptor en el circuito lógico de una computadora, un transistor
tc;nd.rá dos puntos de operación interesantes: uno en la región de corte y otro en la región de
saturación. La condición ideal de corte debe ser le = O mA para el voltaje elegido VeE . Debido
a que lCEO suele ser bajo en magnitud para los materiales de silicio, el corte existirá para fines
de conmutación cuando lB = O J1A o lc = ICEO,pero sólo para los transistores de silicio. Sin
embargo, para los transistores de germanio, el corte para fines de conmutación se definirá
mediante las condiciones que existan cuando lc = ICBO. Dicha condición se puede obtener, por
10 regular, para los transistores de germanio mediante la polarización inversa de la unión base-
emisor, con unas cuantas décimas de volt.
Recuerde que para la configuración de base común se hizo una aproximación al conjunto
de características de entrada mediante un equivalente de segmentos lineales, que dio como
resultado V BE = 0.7 V para cualquier nivel de lE mayor que O mA. Para la configuración de
emisor común se puede recurrir al mismo método, lo cual da por resultado el equivalente
aproximado de la figura 3.16. El resultado da sustento a la conclusión anterior respecto a que
para un transistor "encendido" o activo, el voltaje de la base-emisor es de 0.7 V. En este caso,
el voltaje está fijo para cualquier nivel de corriente de base.
/B (pA)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
Solución
a) En la intersección delB = 30 /lA Y V CE = 10 V.lc =3.4 mA.
b) Usando la figura 3.14b.IB ~ 20 /lA cuando VBE ~ 0.7 V. A partir de la figura 3.14a. se
encuentra que I C = 2.5 mA. en la intersección de lB = 20 /lA Y VCE = 1S V.
Beta (JJ)
En el modo de de, los niveles de le e lB se relacionan mediante una cantidad a la que llamare-
mos beta y se defmen mediante la ecuación siguiente:
(3.10)
(3.11)
El nombre formal para f3ac es factor de amplificación de corriente directa de emisor común.
Debido a que, por lo general, la corriente del colector es la comente de salida para una confi-
guración de emisor común, y la corriente de base es la corriente de entrada, el término ampli-
ficación se incluye en la nomenclatura anterior.
La ecuación (3.11) es similar en cuanto a formato a la ecuación para a¡¡C en la sección 3.4.
El procedimiento para obtener lXac a partir de las curvas de características no se explicó debido
a la dificultad para medir realmente los cambios de le elE sobre las características. Sin embar-
go, la ecuación (3.11) puede describirse con cierta claridad, y de hecho el resultado se puede
utilizar para encontrar aac empleando una ecuación que se obtendrá más adelante.
Por lo regular, en las hojas de especificaciones f3ac se indica como h¡e' Obsérvese que la
única diferencia entre la notación que se utiliza para la beta de, específicamente J3dc = hFE ,
radica en el tipo de literal que se emplea para cada cantidad señalada como subíndice. La literal
h continúa haciendo referencia al circuito equivalente híbrido que se describirá en el capítulo 7
y lafe a la ganancia de corriente directa (por las siglas en inglés de,jorward) en la configura-
ción de emisor común.
El uso de la ecuación (3.11) se describe mejor mediante un ejemplo numérico utilizando
un conjunto real de características, como las que aparecen en la figura 3.14a y se repiten en la
3.17. Detennine f3ac para una región de las características definidas por un punto de operación
= =
de IB = 25 /lA YV eE 7.5 V,como se indica en la figura 3.17. La restricción de VeE constante
requiere que se dibuje una línea vertical a través del punto de operación en VCE = 7.5 V. En
cualquier lugar de esta línea vertical el voltaje VCE es 7.5 V, una constante. El cambio en lB
9
¡ I I
_ J)lA
1
II I !
I
I I ]
vt:-,...
I I
8 I ! i .
8Ol1A ¡
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7 70 )lA I
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6
~ VI 5+
1
I
I
5
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1 I I
V V 1
1
I 140 pA I
4
I 1
I ¡
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VI lB:
!
j
30 pA
i
i ¡ 1
1
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-- .... --
1 I
f{_ --
3 25 IJA
< 1- ! I i
I
I
Punto Q 20)1A
, ! I
i !
;
1
e, / 2 lB I , i
i
¡ i I
10 pA !
¡ I ;
1 I
i I
I
I I I 1
1,-O)lA I
O 5/ 10 15 20 25 VU(V)
VcE =7.5 V
Figura 3.17 Determinación de f3ac y Pdc a partir de las características del colector.
(!J.I B) como aparece en la ecuación (3.11) se define entonces al elegir dos puntos en cada lado
del punto Q a lo largo del eje vertical, y a distancias aproximadamente similares a cada lado del
punto Q. Para esta situación, las curvas de lB = 20 }.lA Y de 30 }.lA cumplen el requisito sin
extenderse muy lejos del punto Q. También definen los niveles de lB que se definen con facilidad
en lugar de tener que interpolar el nivel de lB entre las curvas. Es pertinente mencionar que la
mejor determinación suele hacerse manteniendo la .1 18 que se seleccionó tan pequeña como
sea posible. En las dos intersecciones de lB Y el eje vertical, los dos niveles de le pueden
determinarse trazando una línea horizontal sobre el eje vertical y leyendo los valores resultantes
de le' El f3ac resultante para la región se puede determinar mediante
le, - le,
f3" = Me 1 =
LlIB vCE = constante IBc - lB I
3.2 mA - 2.2 mA 1 mA
= =
1O}.iA
30}.lA - 20}.lA
= 100
La solución anterior revela que para una entrada de ac en la base, la corriente del colector será
de aproximadamente 100 veces la magnitud de la corriente base.
Si se determina la beta de dc en el punto Q:
8mA
= 200
40 !lA
lo cual revela que si las características tienen la apariencia de la figura 3.18, la magnitud de
f3 ac y de f3dc será la misma en cada punto de las características. Es importante observar que
I CEO = O!lA.
Aunque un conjunto de características· de un transistor real nunca tendrá la apariencia de
la figura 3.18. ofrecemos un conjunto de características con el objeto de compararlas con las
que se obtienen con un trazador de curvas (que se describirá enseguida).
le (mA)"
IB==60,uA
12
11 r- IB=50)JA
10
9 '-------------
Punto Q lB == 40)JA
8
7 -------------
1 JB=)O,UA
6
5 ¡-- 1
1
IB=20,uA
4
1
3 r- 1
1
lB = 10 ,uA
2
1
1 f- 1 lB = O j1.A (lCEO == O IJA)
I 1 I ~ /
O 5 JO 15 20
lE = le + lB
le le
se tiene = le + -
a f3
y al dividir ambos miembros de la ecuación entre le se obtiene
1
-:;;;; +-
a f3
o bien f3 = af3 + a = (f3 + l)a
en consecuencia
I a=f3:1 I (3.12a)
a
o bien f3=-- (3.12b)
1 - a
=---
1- a
pero al utilizar una equivalencia de
--=13+1
1 - a
derivado de lo anterior, se encuentra que
o bien (3.13)
según se indica en la figura 3.14a. Beta es un parámetro en particular importante porque ofrece
un vinculo directo entre los niveles de corriente de los circuitos de entrada y los de salida
para una configuración de emisor común. Es decir,
(3.14)
y dado que lE = le + lB
= f3 IB + lB
se tiene (3.15)
Las dos ecuaciones anteriores desempeñan un papel muy importante en el análisis que se realiza
en el capítulo 4.
Polarización
La polarización adecuada de un amplificador de emisor común puede determinarse de una
manera similar a la presentada para la configuración de base común. Suponga que se le presen-
ta un transistor npn como el que se muestra en la figura 3.19a, y se pide aplicar la polaridad
correcta para colocar al dispositivo en la región activa.
El primer paso consiste en indicar la dirección de lE según lo establece la flecha en el
símbolo del transistor como se muestra en la figura 3.19b. Después, se presentan las otras
r 1
1') lb) ('1
Figura 3.19 Determinación del arreglo polarización apropiada para una configuración
de transistor npn en emisor común.
80----1
50 )lA
40
Región üe , 40 )lA
saturación
30
,
20 1~ _________________________________,~,-.~20~)lA~~
lE ... ... ...
101~ ______________________ 1O)lA
~~~
- I
~--
(3.16)
VCEle = 300mW
VCE(50 mA) = 300mW
300mW
VeE = = 6V
50mW
300mW
300mW
y = 12V
25mA
Para las características de base común, la curva de potencia máxima se define mediante el
siguiente producto de cantidades de salida:
(3.18)
leBo se especifica como 50 nA y en las de "encendido" VCE . = 0.3 V. El nivel de hFE tiene un
rango entre 50 y 150 en lc =2 mA Y VCE = 1 V. y un valor .;';ínimo de 25 a la mayor corriente
de 50 mA al mismo voltaje.
Ahora definimos los límites de operación para el dispositivo y se repiten a continuación en
el fonnato de la ecuación (3.17) utilizando h FE = 150 (el límite superior) e ICEO '" {3ICBO =
= =
(150)(50 nA) 7.5 ,uA. Es cierto que para muchas aplicaciones el 7.5 ,uA 0.0075 mA puede
considerarse como O mA sobre una base aproximada.
Límites de operación
7.5,uA :> le :> 200 mA
0.3V:>VcE :>30V
En las características de pequeña señal se proporciona el nivel de h¡, ({3,,) junto con una
gráfica de la forma en que varía con la corriente del colector en la figura 3.23f. En la figura
3.23j se demuestra el efecto de la temperatura y la corriente del colector en el nivel de h FE
({3,,).A temperatura ambiente (25 oC) obsérvese que h FE ({3do) tiene un valor máximo de l en el
área cercana a 8 mA aproximadamente. Confonne lc se incrementa por arriba de este nivel,
hFEdisminuye a la mitad del valor cuando Ices igual a 50 mA. También puede disminuir a este
nivel si lc disminuye al nivel bajo de 0.15 mA. Como se trata de una curva normalizada. si se
= =
tiene un transistor con f3dc h FE 50 a temperatura ambiente, el valor máximo a 8 rnA es 50.
= =
Cuando [c 50 mA ha disminuido a 50/2 25. En otras palabras, la nonnalización revela que
Voj¡Jje emisor-base
VCBU
YEBO
'"
5.0 Vdc
3 Colc<:tor
Corriente del colector continua
'e 200 mAdc
R;'~
Di<";'l;J.(iÓn tol"l del di~po~ilivo @T,\=25°C Pe 625 mW
Pérdjd~ de di~lpJC1{m arriba d~ 25 "C 5,0 m'W"C
e .l,.R.\CTERisTICAS TÉRMICAS
Característica Símbolo Máximo Lnidad TRANSISTOR DE PROPÓSITO
R~~isteneia tcrmiea. unión a enc:¡p,;ul:J.do 833 °CW
GENERAL
Rme
NPl'i SILICIO
ReSistencia t¿rmie<l. unión a ambiente R~JA 200 °CW
CARACTERiSTlCAS DE APAGADO
Voltaje de ruptura {1} colector-emisor VIBRICEO 30 Vd<:
{le - 1.0 mAde.I E -O}
Capacitanc,a de entrada
("'BE == 0.5 Vdc.l c = Q. f == 100 KHz)
'O pF
7.0
,
i
,
i
,i
¡ I
, ,
i 100
""'- ,
, I ,
5.0
, ~ ! I : !
,
,
~
, ,
i l' 70
, ,."'<'
• e .bo
T- E.
"º§"
";:¡ 3.0 :::::::<....
-........... -...........
•
, . 8-
=
,~
50
30
........ I I
. i / ,,/
:/
¿ /
......... .... ,
~
20 .~ I
. .~. 10.0
V cc = 3 V ~ ! '........
......... /~
. i
i le/lB-lO
7.0 VEB (abieno)
O.sy+-c-I·
1.0 I 5.0
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 40 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200
Voltaje de polarización inversa (V) le- Corriente de colector (mA)
Ib1 ('1
8 ¡-----le =0.5mA
·v/ .
V/
.J /
I
I
I
/~
I
/ --
6 ~
~
u
,
, .
O O
0.1 0.2 0.4 2 10 20 40
r Frecuencia"(kHz.)
100 0.1 0.2 0.4 1.0 2.0 4.0 10 20 40 100
(dI (,)
-----
I
e_
'~"
o
20
I
-- ~
o
10
'g"
I
.~ 5.0
:g -j
I . , ~~ ___________ '-~_L- __ ~
, .:::./ 1.0
1 i I
30 I
1.0
0.1 0.2
- 1.0 2.0 5.0 10 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
(O (g)
.
1.0
0.5 =:_--.====:=====~=.
- ._-_ ..
~-;;;,-j-
--------------
0.2 ' -_ _ _
. _ _ _ _ _ _ _ _ _---'
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
le' Corriente de colector (mA) 1(". Corriente de colector (mAl
(h) (i)
1.0 I
, ¡TJ +\25°C
,
VCE=lV _
~
= 1.0
~ ~ i
"
2
+25OC
=
" -g," 0.7
---
.~
~
o
o
o "~
0.5
..- 1
5SOC
¡'-
.<:;
~
e 0.3
!
I
............ I
"'-
O,
.:::,"'-
0.2
1 ! ,
'- ,,~
'\.'\.
0.1
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0
le Corriente de colector (mA)
5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
"""200
"
f3
3.10 PRUEBA DE TRANSISTORES
De manera semejante como ocurre con los diodos, existen tres "rutas" que pueden tomarse
para verificar un transistor: trazador de curvas, medidor digital y óhmerro.
Trazador de curvas
El trazador de curvas de la figura 1.45 generará una imagen igual a la pantalla de la figura 3.24
una vez que todos los controles se ajusten de manera adecuada. Las pantallas más pequeñas a
la derecha indican la escala que debe aplicarse a las características. La sensibilidad vertical es
de 2 mA /div, 10 que da por resultado la escala que se ilustra a la izquierda del monitor. La
sensibilidad horizontal es de 1 V /div, 10 que da por resultado la escala que se muestra abajo de
las características. La función de paso indica que las curvas están separadas por una diferencia
de 10 pA, empezando en Of.1A para la curva de la parte inferior. El último factor de escala que
se proporciona se puede utilizar para detenninar con rapidez la f3ac para cualquier región de las
características. Sólo multiplique el factor que aparece en pantalla por el número de divisiones
entre las curvas lB en la región de interés. Por ejemplo, determine f3" para un punto Q de le =
7 mAy V CE = 5 V. En esta región de la pantalla, la distancia entre las curvas lB es de¡¡' de una
división, como se indica en la figura 3.25. Si se usa el factor especificado, se encuentra que
2.0"",(
, , !
i I 1:
I ¡
Venieal por
, ! , SO ,(lA división
16mA: 2mA
r-
14mAi,
, ¡r · e ,70 !lA
,
i, /: I .
,
60 flA Horizontal por
división
12mAi
IV
i
rí' i I
i
50,(lA
i!
· 40,uA
Por paso
. 10,(lA
I · 30 llA
,
I
20 llA
4mAi
- /3 o gm por
2mAI
i
: !OllA división
200
I ¡
Figura 3.24 Respuesta del
!
"
I
trazador de curvas al transistor i . OllA
OmA" I - -~,_.
- -
npn 2N3904.
OV lV 2V 3V 4V 5V 6V 7V SV 9V lOV
¡
r.;:-: : --:::-:::::2->=::¿=-C=+f=--~-ti========-
1 -8mA IB,=40pA
lc, = 8.2 mA
FlgUra 3.29 Varios tipos de transistores. a) Cortesía de General Electric Company; b) y c) cortesía
de Motorola, lnc.; d) cortesía de International Rectifier Corporation.
lnyección de compuesto de
moldeo axial
Dado con proceso de
pasivación
Estructura de cobre
,/" Encapsulado de epóxico
(b)
(,) (e)
e B E NC E
(a) (b)
QI 3 4
Como se indica, el enunciado debe comenzar con .MODEL y seguido por el nombre del mode-
lo del transistor como se especificó en el enunciado anterior. Después, se indica el tipo de
transistor y los valores de los parámetros que se especificarán que se incluyen dentro del pa-
réntesis. La lista de parámetros, como aparece en el manual PSpice, es muy extensa y de hecho
incluye 40 térntinos. Para las necesidades actuales sólo es necesario especificar dos parámetros.
Entre éstos se incluyen el valor de beta, que se señala como BF, y la corriente de saturación
inversa IS a un nivel que dé por resultado un voltaje base-entisor de aproximadamente 0.7 V
cuando el dispositivo está "encendido".
Los dos enunciados que se mencionaron antes aparecerán en la sección de análisis por
computadora que se incluye en el capítulo 4. Serán los únicos enunciados diferentes de los que
aparecen en el análisis de diodos del capítulo 2. En otras palabras, los elementos nuevos pueden
Problemas 141
f3
14. a) Empleando las características de las figuras 3.7 y 3.8, determine le si Ves = 10 V VSE ::; 800 rnV.
b) Determine VSE si le::; 5 mA Y Vcs::; 10 V.
e) Repita el inciso b utilizando las características de la figura 3.10b.
d) Repita el inciso b utilizando las características de la figura 3.lOc.
e) Compare las soluciones para V BE para los incisos b, c. y d. ¿Se puede ignorar la diferencia si
normalmente se encuentran niveles de voltaje mayores a unos cuantos volts?
15. a) Dada una a dc de 0.998. detennine le si lE::; 4 mA.
b) Determine cxdc si lE = 2.8 mA e lB = 20 p.A.
e) Encuentre lE si lB::; 40 jiA Y u dc es 0.98.
16. Dibuje de memoria la configuración del transistor en base común (para npn y pnp) e indique la
polaridad de la polarización aplicada y las direcciones de corriente resultantes.
17. Calcule la ganancia de voltaje (Av = V L/V) para la red de la figura 3.12 si Vi =500 mV y R =1 k,Q.
(Los otros valores del circuito permanecen iguaJes.)
18. Calcule la ganancia de voltaje (A" = V L/V) para la red de la figura 3.12 si la fuente tiene una
resistencia interna de 100 Q en serie con Vi"
Problemas 143
CAPÍTULO
Polarización
en dc-BJT
4.1 INTRODUCCIÓN
(4.2)
(4.3)
Una vez que estén analizadas las primeras redes, la solución de las siguientes se tornará
más clara. En la mayoría de los casos la corriente base lB es la primera cantidad que debe
determinarse. Una vez que lB se conoce, las relaciones de las ecuaciones (4.1) a (4.3) pueden
aplicarse para encontrar las cantidades de interés restantes. Las similitudes en el análisis serán
inmediatamente obvias según vaya avanzando en este capítulo. Las ecuaciones para JB son tan
familiares para una cantidad de configuraciones que una ecuación puede derivarse de otra sólo
cuando sea el voltaje máximo del colector-emisor VCE . La restricción de máxima potencia se
m"
define por la curva Pe en la misma figura. En el extremo inferior de las escalas se encuentra
m"
la región de corte, definida por ls'; OJiA, Y la región de saturación, definida por VCE '; VCEm '
El dispositivo BJT puede estar en polarización para operar fuera de estos límites máxi-
mos, pero el resultado de tal operación podría ser un recorte considerable de la vida del dispo-
sitivo, o bien la destrucción del dispositivo. Cuando se confina la región activa pueden
seleccionarse muchas áreas o puntos de operación diferentes. El punto Q que se elige a menudo
depende del empleo del circuito. De cualquier manera, se pueden considerar algunas diferen- .
lc(mA)
80l1A
/
Cmáx 25
,
20
50 IJ-A
15
Saturación s
10 20 pA
,- -
5
¡OpA
C
A
5 10 15 20
Corte
Hgura 4.1 Varios puntos de operación dentro de los límites de operación de un transistor.
1. La unión base-entisor debe tener una polarización directa (voltaje de la región p más positivo)
con un voltaje de polarización directa resultante de aproximadaruente 0.6 a 0.7 V.
2. La unión base-colector debe tener una polarización inversa (voltaje de la región n más
positivo) con un voltaje de polarización inversa resultante de cualquier valor dentro de los
límites máximos del dispositivo.
[Obsérvese que para la polarización directa el voltaje a través de la unión p-n es p-positiva,
ntientras que para la polarización inversa es opuesto (inverso) con n-positiva. Este énfasis sobre
la letra inicial debe ofrecer un medio para ayudar a memorizar la polaridad necesaria de voltaje.]
La operación en las regiones de corte, saturación y lineal de las características del BJT se
ofrecen de la siguiente manera:
Vee
v cc V ee
Re h
L h
RB señal de
Re
~salida RB
L
e c, en ac
+ C
sena! de
enrrada o VCE +
en ac 8+ V eE
C,
V ¿-- E
B+
B
VBE - E
+Vec - lsRB - V BE =O
Nótese la polaridad de la caída de voltaje a través de RB establecida por la dirección indicada +
de lB' Cuando se resuelve la ecuación para la corriente lB da por resultado lo signiente: R,
I lB -
- V cc - VBE
RB
lB
~
V BE
'\\
corriente de base es la corriente a través de R B ' Yde acuerdo con la ley de Ohm dicha corriente
es el voltaje a través de RB dividido entre la resistenciaRB , El voltaje a través de RE es el voltaje
... ...
Vcc aplicado en un extremo menos la caída a través de la unión base-emisor (VBE). Debido a Figura 4.4 Malla base-emisor.
Malla colector~misor
+
La sección colector-emisor de la red aparece en la figura 4.5 con la dirección de la corriente le
indicada y la polaridad resultante a través de Re La magnitud de la corriente del colector está
directamente relacionada a lB mediante
(45)
... Es interesante observar que debido a que la corriente de base está controlada por el nivel
Figura 4.5 Malla colector-emisor. de R B y que le está relacionada a lB por la constante {3, la magnitud de le no es una función de
la resistencia Re El cambio de Re hacia cualquier nivel no afectará el nivel de lB o de le
mientras se permanezca en la región activa del dispositivo. Sin embargo, como se verá más
adelante, el nivel de Re detenninará la magnitud de VCE ' el cual es un parámetro importante.
La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección del sentido de las manecillas
del reloj alrededor de la malla cerrada indicada en la figura 45 dará por resultado lo siguiente:
y (4.6)
(4.7)
donde VCE es el voltaje colector-emisor y Ve y VE son los voltajes del colector y del emisor a
=
tierra, respectivamente. Pero en este caso, debido a que VE O Y, se tiene que
(4.8)
Además, ya que
(4.9)
E y que VE = O Y, entonces
... 1.
... (4.10)
Hgura 4.6 Medición de VCE Y VC'
Tenga presente que los niveles de voltaje como VCE son determinados mediante la coloca-
ción de la punta de prueba roja (positiva) del voltímetro en la terminal del colector y la punta
de prueba negra (negativa), a la terminal del emisor según se muestra en la figura 4.6. Ve es el
voltaje del colector a la tierra y se mide según la misma figura. En este caso las dos lecturas son
idénticas, pero en las redes que siguen las dos pueden ser muy diferentes. Comprender la
diferencia entre ambas medidas puede ser muy importante para la localización de fallas en las
redes de transistores .
. EJEMPLO 4,1 Determinar lo siguiente para la configuración de polarización fija de la figura 4.7.
a) lB Q e leQ .
b) VeEQ .
c) VByVe
d) VBC'
R,
240 ka
1 salida
+-:-+--;~--- en ac
e, 10 .uF
entrada \
en ac --,1--0------\
\ Va fi= 50
10 .uF
¡ Ftgura 4.7 Circuito de de polarización
fija para el ejemplo 4.1.
Solución
12 V - 0.7 V
a) Ecuación (4.4): = 47.08 !lA
240kQ
Ecuación (4.5): le
Q
= {HB Q = (50)(47.08,uA) = 2.35 mA
b) Ecuación (4.6): VCE = Vee - ¡eRe
Q
= -6.13 V
y el signo negativo revela que la unión tiene polarización inversa, como debe Ser para la
amplificación lineal.
(4.11)
Una vez que le se conoce puede tenerse idea de la corriente máxima posible del colector para el
diseño escogid~, y el nivel bajo el cual debe permanecer si se espera una amplificación lineal.
Solución
Vee 12 V
l - = = 5.45mA
e,,, - Re 2.2 kQ
Las características de salida del transistor también relacionan las dos variables le y V CE como
se muestra en la figura 4.11b.
En esencia, se tiene una ecuación de redes y un conjunto de características que utilizan las
mismas variables. La solución común de las dos sucede donde se satisfacen las restricciones
establecidas por cada una de manera simultánea. Esto es similar a encontrar la solución para
dos ecuaciones simultáneas: una establecida por la red y la otra por las características del
dispositivo.
Las características del dispositivo de le en función de VCE se ofrecen en la figura 4.Jlb.
Ahora, se debe superponer la línea recta definida por la ecuación (4.12) sobre las características.
El método más directo para graficar la ecuación (4.12) sobre las características de salida es
mediante el hecho de que una línea recta se encuentra definida por dos puntos. Si se elige que
le sea O mA, entonces se especifica el eje horizontal como la línea sobre la cual está localizado
un punto. Al sustituir le = O mA en la ecuación (4.12), se encuentra que
y (4.13)
le (mA)
50 )1A
sf-
7 4Ol1A
6 f/'"
30)1A
5
4
20 )1A
3
!O)1A
2
+
lB = 0}.lA
1"
t
I I
o 5 t 10 15 V CE (V)
lceo
(a) (bl
V =~II~_____~
__~.... p:-u_nt_O..:Q:...._ _ _ I'Q
\I,-----""'~~:;:---
eE
Reotade oru-g'
o V ee
Figura 4.12 Recta de carga
para polarización fija.
Ahora, si se elige que V eE sea O V, lo que establece al eje vertical como la línea sobre la
cual estará definido el segundo punto, se tiene que le está determinado por la siguiente ecuación:
O = Vee - leRe
e (4.14)
le
le Vee
Vcc - R,
Re
- 1,;
Vee
R,
Vee
punto Q \ 1
"
RJ
Dada la recia de carga de la figura 4.16 y el punto Q definido, calcule los valores requeridos de EJEMPLO 43
Vcc ' Re y RB para la configuración de polarización fija.
60pA
12
10
Solución
A partir de la figura 4.16
Va = Vcc = 20V e le = O mA
Vcc
le = - - y VeE = OV
Re
V 20 V
y Re = -ee- = = 2kf.!
le lOmA
y 20V - 0.7 V
= 772kQ
25 pA
- -
L.
" o~--1)II---+--'----I
e,
Malla emisor-base
La malla emisor-base de la red de la figura 4.17 puede dibujarse de nuevo igual como se indica
en la figura 4.18. La ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en el sentido de
las manecillas del reloj dará por resultado la siguiente ecuación:
(4.15)
Recuerde del capítulo 3 que
lE = (f3 + I)IB (4.16)
Sustituyendo por lEen la ecuación (4.15) resultará
V cc - laRB - VBE - (f3 + I)laRE = O
La agrupación de los términos ofrecerá lo siguiente:
-IB(RB + ({3 + I)RE) + Vcc - VBE = O
Multiplicando por (-1) se tiene
IB(RB + ({3 + I)R E) - Vcc + VBE = O
con IB(R B + (f3 + I)R E) = Vee - V BE
y resolviendo para lB da
+ (4.17)
Nótese que la única diferencia entre esta ecuación para lB Yla que se obtuvo para la configura-
... ción de polarización fija es el término (f3 + I)RE.
Existe un resultado interesante que puede derivarse a partir de la ecuación (4.17), si la
Figura 4.18 Malla base-emisor. ecuación se utiliza para dibujar una red en serie que pudiera resultar en la misma ecuación, que
es el caso de la red de la figura 4.19. La solución para la corriente lB dará por resultado la figura 4.20 Nivel reflejado de
misma ecuación obtenida. Obsérvese que además del voltaje de la base al emisor VBE , el impedancia de RE'
resistor RE se refleja de regreso al circuito de entrada de la base por un factor ({3 + 1). En
otras palabras, el resistor del emisor, que fanna parte de la malla colector-emisor, "'aparece
como" ({3 + I)REen la malla de la base al emisor. Debido a que {3 es normalmente 50 o más,
el resistor del emisor aparenta ser mucho mayor en el circuito de la base. Por tanto, para la
configuración de la figura 4.20,
(4.18)
La ecuación 4.18 puede ser de utilidad en el análisis que seguirá a continuación. Ofrece
una forma relativamente sencilla para recordar la ecuación (4.17). Utilizando la ley de Ohm, se
sabe que la corriente a través de un sistema es el voltaje dividido entre la resistencia del circuito.
Para el circuito de la base al emisor, el voltaje neto es Vcc - VBE " Los niveles de resistencia son
RB más RE reflejado por ([3 + 1). El resultado es la ecuación (4.17).
Malla colector-emisor
La malla colector-emisor está dibujada de nuevo en la figura 4.21. La ley de voltaje de Kirchhoff
para la maHa indicada en la dirección de las manecillas del reloj dará por resultado
y (4.21)
o (4.22)
(4.23)
o (4.24)
d) Ve
e) VE'
f) VB' 2 kQ
g) VBC
430 k.Q
10,uF
v, o~--':)II-_'-- _ _-I P=50
1 ka I4o,uF
Figura 4.22 Circuito de polarización con
estabilización en emisor para el ejemplo 4.4. "=" ":'"
Solución
Vee - VBE 20V - 0.7 V
a) Ecuación (4.17): lB = _----="----.!?OC.-_ = - - - - - - -
RB + (f3 + I)R E 430 kO + (51)(1 kQ)
19.3 V
= = 40.1)lA
481 kO
b) le = f3IB
= (50)(40.1 !lA)
;: 2.01 mA
e) Ecuación (4.19): VCE = Vee - le(Re + RE)
= 20 V - (2.01 mA)(2 kO + 1 kQ) = 20 V - 6.03 V
= 13.97 V
d) Ve = Vec - leRe
= 20 V - (2.01 mA)(2 kO) = 20 V - 4.02 V
= 15.98 V
e) VE = Ve - VCE
= 15.98 V - 13.97 V
= 2.01 V
o VE = IpRE ;: leRE
= (2.01 mA)(1 kO)
= 2.01 V
f) VB = VBE + VE
=0.7V + 2.01 V
= 2.71 V
g) VBC = VB - Ve
= 2.71 V - 15.98 V
= -13.27 V (con polarización inversa como se requiere)
Prepare una tabla y compare las corrientes y voltajes de polarización de los circuitos de la EJEMPLO 4.5
figura 4.7 y la figura 4.22, para el valor dado de f3 = 50 Y para un nuevo valor de f3 = 100.
Compare también los cambios en /c y VCE para el mismo incremento en f3.
Solución
Si se utilizan los resultados calculados en el ejemplo 4.1 y se repiten para un valor de f3 = 100,
se genera.Jo siguiente:
f3
Se aprecia un cambio del 100% en la coniente del colector de BJT debido al cambio del 100%
en el valor de f3. /B es el mismo y VCE disminuye 76%.
Utilizando los resultados del ejemplo 4.4 y después repitiéndolos para un valor de f3 =
100, tia lo siguiente:
Ahora, la coniente del colector del BIT se incrementa aproximadamente 81% debido al 100%
de incremento en f3. Nótese cómo lB disminuye, y ayuda a mantener el valor de le o por lo
menos reduce el cambio total en /e debido al cambio en f3. El cambio en VCE ha caído cerca del
35%. La red de la figura 4.22 es, por tanto, más estable que la de la figura 4.7 para el mismo
cambio en f3.
Nivel de saturación
El nivel de saturación del colector o la coniente máxima del colector para un diseño de
polarización en emisor puede determinarse si se utiliza el mismo método aplicado para la
configuración de polarización fija: se aplica un corto circuito entre las terminales del colector-
emisor como se muestra en la figura 4.23, y luego se calcula la coniente del colector resultan-
te. Para la figura 4.23:
(4.25)
= 6.67mA
que es más o menos el doble del nivel de IC para el ejemplo 4.4.
Q
L~ selección de le = O mA da
(4.26)
(4.27)
como se muestra en la figura 4.24. Los diferentes niveles de lB desplazarán, desde luego, el
punto Q hacia arriba o hacia abajo de la recta de carga. Q
Figura 4.25 Configuración de polarización por divisor de voltaje. Figura 4.26 Definición del punto Q para la configuración
de polarización por divi,sor de voltaje.
circuito que fuera menos dependiente o, de hecho, independiente de la beta del transistor. La
red a la que nos referimos es configuración de polarización por divisor de voltaje de la figura
4.25. Si se analiza sobre una base exacta la sensibilidad a los cambios en beta, resulta ser muy
pequeña. Si los parámetros del circuito se eligen adecuadamente, los niveles resultantes de
1CQ y de V CEQ pueden ser casi totalmente independientes de beta. Recuerde que en análisis
anteriores el punto Q estaba definido por un nivel fijo de leo y de VCEQ ' como se muestra en la
figura 4.26. El nivel de ISQ cambiará con el cambio en beta, pero el nunto de operación definido
sobre las características por leQ y VCEQ puede permanecer fijo si se utilizan los parámetros
adecuados del circuito.
Como antes se observó, existen dos métodos que pueden aplicarse para analizar la confi-
guración del divisor de voltaje. El motivo principal para elegir los nombres en esta configura-
ción será más obvio en el análisis que sigue. El primero que vamos a demostrar es el método
exacto que puede aplicarse en cualquier configuración de divisor de voltaje. Al segundo se le
llama método aproximado y puede introducirse sólo si son satisfechas las condiciones especí-
ficas. El método aproximado permite un análisis más directo con un mayor ahorro en tiempo y
en energía. También es más útil en el modo de diseño que será descrito en una sección poste-
rior. En conjunto, el método aproximado puede aplicarse a la mayoría de las siruaciones y, por
tanto, debe ser examinado con el mismo interés que el método exacto.
Análisis exacto
El lado de entrada de la red de la figura 4.25 puede volver a dibujarse según se muestra en la
figura 4.27 para el análisis en de. La red equivalente Thévenin a la izquierda de la terminal de
la base puede encontrarse de la siguiente manera:
(4.29)
+ +
Después se vuelve a dibujar la red Thévenin como se muestra en la figura 4.30 e lB Q
puede calcularse al aplicar primero la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas
del reloj para la malla que se indica:
Aunque la ecuación (4.30) aparece al principio diferente de las que se desarrollaron antes,
obsérvese que el numerador es, una vez más, una diferencia de dos niveles de voltaje y que el
denominador es la resistencia de la base más el resistor de emisor reflejado por (/3 + 1), cierta-
B mente muy similar a la ecuación (4.17).
Una vez que lB se conoce, las cantidades restantes de la red pueden establecerse de la
+
misma manera como fueron desarrolladas para la configuración de polarización en emisor.
Esto es,
(4.31)
Figura 4.30 Inserción del circuíto que es exactamente la misma que la ecuación (4.19). Las ecuaciones restantes para VE' Ve y VB
equivalente de Thévenin. son las mismas que se obtuvieron para la configuración de polarización en emisor.
+22 V
10 kQ
39 kQ
IOpF
" ----nI--+-------'--1
3.9 k.Q
(3.9 ka)(22 V)
= 39 Ka + 3.9 Ka
=2V
ETh - VBE
La ecuación (4.30) : lB = ---"'----"=---
RTh + ([3 + l)R E
2V-0.7V 1.3 V
= =-------
3.55 ka + (141)(1.5 kQ) 3.55 ka + 211.5 kQ
= 6.05)lA
le = [3lB
= (140)(6.05 )lA)
= O.8SmA
La ecuación (4.31): VCE = Vcc -lc(Rc + RE)
= 22 V - (0.85 mA)(10 kQ. + 1.5 kQ)
= 22 V - 9.78 V
= 12.22 V
Análisis aproximado
La sección de entrada de la configuración del divisor de voltaje se representa por la red de la
figura 4.32. La resístenciaR¡ es la resistencia equivalente entre la base y tierra para el transistor
con un resistor de emisor RE' Recuerde que, como se vio en la sección 4.4 [ecuación (4.18)], la
resistencia reflejada entre la base y el emisor está definida por R¡ = ([3 + I)R E . Si R¡ es mucho
mayor que la resistencia R2 , la comente lB será mucho menor que 12 (la comente siempre
busca la trayectoria de menor resistencia), e 12 será aproximadamente igual a 1]. Si se acepta la
aproximación de que lB es esencialmente cero comparada con II o /2' entonces 1] :;;:: 12 YR] YR2
pueden considerarse elementos en serie. El voltaje a través de R" que en realidad es el voltaje
1, ~ R,
--
1,
+
I
:,
I
1....
1, r
-....-
R, t
v,
~
-
I
!
II
I .'-
....
R,
I
R¡ »R2
(11 ~:d2)
Figura 4.32 Circuito de
polarización parcial para calcular
el voltaje de base aproximado VB "
(4.32)
Debido a que R, = ({3 + I)R E", {3R E, la condición que definirá, en caso que pueda aplicarse
a la aproximación, será la siguiente:
(4.33)
I VE = V B - V BE (4.34)
I lE = VE
RE
I (4.35)
e
I lc o '" lE
I (4.36)
(4.37)
Nótese en la secuencia de cálculos desde la ecuación (4.33) a la ecuación (4.37) que beta
no aparece y que lB no fue calculada. El punto Q (según se determinó mediante lco y V CE ) es
por tanto independiente del valor de beta. Q
EJEMPLO 4.8 Repita el análisis de la figura 4.31 utilizando la técnica aproximada y compare las soluciones
para lc y para VCE .
Q o
Solución
Probando:
{3RE ;:, IOR,
(140)(1.5 ka) ;:, 10(3.9 ka)
210 ka ;:, 39 ka (satisfecha)
La ecuación (4.32):
(3.9 ka)(22 V)
=
39 ka + 3.9 ka
= 2V
La ecuación (4.34): VE = VB - V BE
= 2 V - 0.7 V
== 1.3 V
1.3 V
= 0.867 mA
\.5kQ
= 22 V - 9.97 V
= 12.03V
contra 12.22 V obtenido en el ejemplo 4.7.
Sin duda, los resultados paraJe y para VCEQ se encuentran cercanos, y si se toma en cuenta
la variación real en los valores de IÓs parámetros, puede considerarse tanto a unO Como al otro.
Mientras más grande es el nivel de R¡ comparado con R2 , más cercana será la solución aproxi-
mada sobre la exacta. El ejemplo 4.10 hace una comparación sobre las soluciones a un nivel
muy por debajo de la condición establecida por la ecuación (4.33).
Repita el análisis exacto del ejemplo 4.7 si f3 se reduce a 70 y compare las soluciones para leQ y EJEMPLO 4.9
para V CEQ '
Solución
Este ejemplo no trata de la comparación de los métodos exactos en función de uno aproxima-
do. sino de probar cuánto se moverá el punto Q si el nivel de f3 se corta por la mitad. RTh y ETh
son los mismos:
RTh = 3.55 kQ, ETh = 2 V
ETh - V BE
lB = --~_-"."--
RTh + (f3 + I)R E
2 V - 0.7 V 1.3 V
;;;; ;;;;
= 11.81 ¡JA
le Q = f3I B
= (70)(11.81 ¡JA)
= 0.83 mA
= 12.46 V
f3
140 0.85 mA 12.22 v
70 0.83 mA 12.46 V
Los resultados muestran claramente la relativa insensibilidad del circuito hacia el cambio en f3.
Aunque f3 se corte drásticamente a la mitad, de 140 a 70, los niveles de ICQ y de V CE son en
esencia los mismos. Q
EJEMPLO 4.10 Determine los niveles de IC Q y de VCE para la configuración del divisor de voltaje de la figura
4.33, utilizando las técnicas exacta y ~proximada para comparar las soluciones. En este caso
las condiciones de la ecuación (4.33) no serán satisfechas, pero los resultados revelarán la
diferencia de la solución si se ignora el criterio de la ecuación (4.33).
18 V
?
5.6 k,Q
>82 k!2
t 1C 10:1¡.tF
Q
o "o
+
" o~~--Il'l--~-+~~~-I V CEQ f3 = 50
10 ~F "..
22kQ
1.2 ka
Solución
Análisis exacto:
La ecuación (4.33): f3R E ~ IOR 2
(50)(1.2 kQ) ~ 10(22 kQ)
60 kn 'f. 220 kQ (no satisfeciUl)
RTh = R, IIR2 = 82 knl122 kn = 17.35 kQ
22 kQ(l8 V)
= - - - - - - = 3.81 V
82 kQ + 22 kQ
ETh - V
BE
3.81 V - 0.7 V 3.11 V
lB = --=--""-- =-------- =
RTh + (f3 + I)RE 17.35 kQ + (51)(1.2 kn) 78.55 kQ
= 39.6 }lA
3.11 V
= 2.59 mA
1.2 ill
= 3.88 V
Los resultados revelan la diferencia entre las soluciones exacta y aproximada. le es aproxima-
damente 30% más grande con la solución aproximada; mientras que VCE es másQo menos 10%
menor. Los resultados son notablemente diferentes en cuanto a magnitu~, pero aunque [3R E es
sólo tres veces más grande que R 2 , los resultados son todavía cercanos uno del otro. Sin embar-
go, para el futuro el análisis será dictado por la ecuación (4.33) para asegurar una similitud
entre las soluciones exacta y aproximada.
(4.38)
(4.39)
y (4.40)
El nivel de lB desde luego se determina mediante una ecuación diferente para las configuracio-
nes de polarización por divisor de voltaje y de polarización en emisor.
Malla base-emisor
La figura 435 muestra la malla base-emisor para la configuración de retroalimentación de
voltaje, La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla en el sentido de las
manecillas del reloj dará por resultado
Vee - I~Re - IsRB - VBE - I~E = O
Vee
J+ Re
Re
- +
-
-tl~
~
RB -tIc
+
(
e,
o VO
Vee
"F ct ;!: ti;
lB ~
',o---U-
e,
VeE +
V
SE _ >
-t lE ) +
RE
-
"- ",¡,.
... Figura 4.35 Malla bas~misor para la
Figura 4.34 Circuito de polarización de de con retroalimentación de voltaje. red de la figura 4.34.
(4.41)
El resultado es muy interesante en cuanto a que el formato es muy similar a las ecuaciones
para lB obtenidas para configuraciones anteriores. El numerador es de nuevo la diferencia
entre los niveles disponibles de voltaje, mientras que el denominador es la resistencia de la
base más los resistores del colector y del emisor reflejados por beta, Por tanto, la trayectoria
de retroalimentación da por resultado un reflejo de la resistencia Re de regreso al circuito de
entrada, muy similar al reflejo de RE'
En general, la ecuación para lB ha tenido el siguiente formato:
V'
1 =----
B R B + f3R'
En general, mientras más grande sea f3R' comparado con RB , menor será la sensibilidad de le
a las variaciones en beta. Obviamente, si f3R' "" RB Y RB + f3R'" f3R', entonces Q
e lCQ es independiente al valor de beta. Debido a que R' normalmente es mayor para la confi-
guración de retroalimentación de voltaje que para la configuración de polarización en emisor,
la sensibilidad a las variaciones en beta será menor. Desde luego, R' es cero ohms para la
configuración de polarización fija y por tanto bastante sensible a las variaciones en beta.
Malla colector-emisor
La malla colector-emisor para la red de la figura 4.34 se presenta en la figura 4.36. La aplicación
de la ley de voltaje de Kirchhoff para la malla indicada en la dirección de las manecillas del
reloj dará por resultado
IERE + VCE + I~Re - Vee = O
Determinar los niveles de reposo de le Q y de V CE Q para la red de la figura 4.37. EJEMPLO 4,11
Solución
Ecuación (4.41):
\O V - 0.7 V
= ---------
250 k.Q + (90) (4.7 ka + 1.2 ka) IOV
9.3 V 9.3 V
=------= 4.7kn
250 ka + 531 ka 781 k.Q
= 11.91 p.A
ICQ = f3IB = (90) (11.91 ¡J.A)
= 1.07mA 10 .uF
= 10V - 6.31 V
= 3,69 V Ftgura 4.37 Red para el ejemplo 4.11.
EJEMPLO 4.12 Repetir el ejemplo 4.11 utilizando una beta de 135 (50% más que en el ejemplo 4.11).
Solución
Es importante observar en la solución para lB en el ejemplo 4.11, que el segundo término en el
denominador de la ecuación es mayor que el primero. Recuerde que en uno de los análisis
anteriores, mientras mayor es este segundo término comparado con el primero, menor será la
sensibilidad a los cambios en beta. En este ejemplo, el nivel de beta se incrementa en 50%, lo
cual hará que aumente la magnitud de este segundo término aún más comparado con el prime-
ro. Sin embargo, es más importante observar en estos ejemplos que una vez que el segundo
término es relativamente más grande comparado con el primero, la sensibilidad a los cambios
en beta resulta ser significativamente menor.
Resolviendo para lB da
9.3V 9.3 V
= =
250 ka + 796.5 kQ 1046.5 ka
8.89 J1.A
e leQ = f3IB
= (135)(8.89 J1.A)
= 1.2mA
con VaQ = Vce - Ic(Rc + RE)
= 10 V - (1.2 mA)(4.7 ka + 1.2 ka)
= 10 V - 7.08 V
= 2.92 V
Aunque el nivel de {3 se incrementó 50%. el nivel de leQ únicamente se elevó al 12.1 %,
mientras que el nivel de VeEQ decayó aproximadamente 20.9%. Si la red fuera un diseño de
polarización fija, un incremento del 50% en {3 hubiera causado un aumento del 50% en le • y
un cambio drástico en la localización del punto Q. Q
3.3 kU
lO ¡tF
91 kO llOkO
r-"-.........,....-4V\I\,-+--I{-c---o "
R, R,
1O¡tF'
1O¡tF I.,..
" <>---}II---+.--------I P=75
51OkO
I
":"
50
¡tF
Vcc - VBE
lB ;
RB + ¡3(.Re + RE)
18 V - 0.7 V
=-------------------------
(91 kQ + 110 kQ) + (75)(3.3 kQ + 0.51 kQ)
17.3 V 17.3 V
; =----
201 kQ + 285.75 kQ 486.75 kQ
; 35.5 !lA
le = j3IB
= (75)(35.5 !lA)
; 2.66mA
Ve ; Vcc - I~Re ;: Vce - leRe
= 18 V - (2.66 mA)(3.3 kQ)
; 18 V - 8.78 V
= 9.22 V
Condiciones de saturación
Utilice la aproximación de 1~ = le que es una ecuación para la corriente de saturación, y resulta
ser la misma que se obtuvo para las configuraciones del divisor de voltaje y de polarización en
emisor. Esto es
(4.43)
Re 4.7 kQ
¡J= 120
e,
Figura 4.39 Retroalimentación en
colector con RE'" On.
Solución
a) La ausencia de RE reduce la reflexión de los niveles resistivos sólo al de Re y la ecuación
para l. se reduce a
V cc - V' E
lB =
RB + f3Rc
20 V - 0.7 V 19.3 V
= =
680 kQ + (120)(4.7 kQ) 1.244 MQ
= 15.51 }lA
ICQ = f31. = (120)(15.51}lA)
= 1.86 mA
VCEQ = Vcc - leRe
= 20 V - (1.86 mA)(4.7 kQ)
= 11.26 V
b) VB = VBE = 0.7 V
Vc = VCE = 11.26 V
VE = O V
V. C = VB - VC = 0.7 V - 11.26 V
= -10.56 V
1.2 kQ
c,
......---l{---o '"
1O¡LF
c,
/Jo 45
Solución
La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj para
la malla base-emisor dará por resultado
La sustitución genera
9 V - 0.7 V
lB = 100kQ
8.3 V
= 100 kQ
= 83 ¡.lA
le = f31B
= (45)(83 ¡.lA)
= 3.735 mA
Ve = -leRe
= -(3.735 mA)( 1.2 kQ)
= -4A8 V
VB = -lsRB
= -(83 ¡.lA)(100 kQ)
= -8.3 V
C,
" 0---1)1---.----1
IOpF
C,
~-I\-(- - ' o v,
IOpF
VEE -20V
Solución
La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada dará por resultado
-IBRB - V BE - l¿E + V EE = O
pero lE = (f3 + l)IB
y VEE - VBE - (f3 + 1)lsRE. - lsRB = O
con
20 V - 0.7 V
lB = --------
240 kQ + (91)(2 kQ)
19.3 V 19.3 V
= 240 kQ + 182 kQ
=----
422 kQ
= 45.73 )lA
le = f3l s
= (90)(45.73 )lA)
= 4.12 mA
-VEE + I¿E + V CE = O
pero lE = (f3 + l)ls
y V CE = V EE - (f3 + l)lsRE
Q
Determine el voltaje V eB y la corriente 'B para la configuración de base común de la EJEMPLO 4.17
figura 4.42.
"~~
"R,
Vu
r~~~
4V Vec lOV
...
Figura 4.42 Configuración de base común.
Solución
La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada da
4 V - 0.7 V
= 2.75 mA
1.2 ka
-VCB + leRc - V ee =O
Y V CB = Vec - lcR-c con le ~ lE
= 3.4 V
lB = í
f3
2.75 mA
=
60
= 45.8 !lA
El ejemplo 4.18 utiliza una fuente doble y requiere de la aplicación del teorema de Thévenin
para detenninar las incógnitas deseadas.
Vcc =+20V
Re 2.7Hl
R, 8.2kQ e,
e ,;
,{ o v"
e, 10 ¡..LF
B
v, o
1: ~
.Jl=12ij
10 IlF
E
R, 2.2kn
RE 1.8kn
Solución
La resistencia y voltaje Thévenin se calculan para la red a la izquierda de la terminal de la base.
como se muestra en las figuras 4.44 y 4.45.
8.2kil
>~~~~~~----~--~--QB
JI1 +
8.2 k.!l
Vec + VEE 20 V + 20 V 40 V
1= = =---
R¡ + Rz 8.2 ka + 2.2 ka 10.4 kQ
= 3.85 mA
Luego la red puede ser redibujada según se muestra en la figura 4.46, donde la aplicación
de la ley de voltaje de Kirchhoff da por resultado
20 V - 11.53 V - 0.7 V
1.73 ka + (121)(1.8 kQ)
7.77 V
=----
219.53 ka
= 35.39 j.iA
le = ¡JIB
= (120)(35.39 ¡lA)
= 4.25 mA
Ve = Vcc - ¡eRe
= 20 V - (4.25 mA)(2.7 ka)
= 8.53 V
VB = -ETh - IsRTh
= -(11.53 V) (35.39 ¡LA)(1.73 ka)
= -11.59 V
I Ru"" = V
R
IR
I (4.44)
EJEMPLO 4.19 Dadas las características del dispositivo de la figura 4.47a, determinar Vce RB y Rc para la
configuración de polarización fija de la figura 4.47b.
lB = 4O).IA
Q
~~~~-
Solución
De la recta de carga
V cc = 20 V
20 V
y = 2.5 ka
8 mA
Vcc - VBE
lB = RB
Vcc - VBE
con RB =
lB
21l V - 1l.7 V 19.3 V
= 4O¡JA
= 40 ¡JA
= 482.5 ka
lB = 41.1 !lA
la cual se encuentra dentro del 5% del valor especificado.
Dado ICQ = 2 mA y VCEQ = 10 V, determinar R¡ y Rc para la red de la figura 4.48. EJEMPLO 420
v
!O¡¡F
',o-----~r----+-------~
¡8 kil
1.2kQ
Solución
18 V - 12.4 V
y
2 mA
= 2.8 kQ
Los valores estándar comerciales más cercanos a R¡ son 82 kQ Y 91 kQ. Sin embargo, el
empleo de la combinación en serie de los valores estándar de 82 kQ Y 4.7 kQ. = 86.7 kQ
resultaría en un valor muy cercano al nivel de diseño.
r-------~--~28V
Solución
28 V - 18 V
= 4 mA
= 2.5 ka
Vee 28 V
y 3.5 ka
RE = le", = 8 mA =
RE = 3.5 ka - Re
= 3.5 kQ - 2.5 kQ
= 1 ka
le 4 mA
lB = -Q- = - - = 36.36 J1A
Q f3 110
con
= - - - - - (lll)(l ka)
36.36 J1A
27.3 V
=---- 111 ka
36.36 J1A
= 639.8 ka
El análisis que sigue presenta una técnica para el diseño de un circuito completo, pensado
para operar en un punto de polarización específico. A menudo, las hojas de especificaciones
del fabricante ofrecen infonnación sobre un punto de operación sugerido (o región de operación)
para un transistor en particular. Además, los otros componentes del sistema conectados a una
etapa de amplificación dada pueden definÍr también la excursión de la corriente, la excursión
del voltaje, el valor del voltaje de la fuente común, y así sucesivamente para el diseño.
En la práctica real, muchos otros factores deben considerarse, porque pueden afectar la
selección del punto de operación que se desea obtener. Sin embargo, por el momento nos
concentraremos en la determinación de los valores de los componentes para encontrar un punto
de operación específico. El análisis estará limitado a las configuraciones de polarización en
emisor y a la de polarización por divisor de voltaje. aunque el mismo procedimiento puede
aplicarse a una variedad de otros circuitos de transistores.
R, c,
'"---tI--
T+
salida
deac
C, 1O¡tF
entrada \
de ac ----,I----+-----t
VB 2N4401
10 ¡iF (p. 150)
EJEMPLO 422 Determine los valores de los resistores para la red de la figura 4.50 para el punto de operación
y el voltaje de la fuente de alimentación.
Solución
VE VE 2 V
RE = - '" - - = - - = 1 kQ
lE lc 2mA
le 2 mA
1 = -- = = 13.33 }lA
B f3 150
V Vec-VBE-VE 20 V - 0.7 V - 2 V
RB = -R' - = --~--~~---=- =
lB lB 13.33 }lA
",1.3MQ
Vcc = 20 V
I C,
le, = !O rnA 't ¡ " - - - J L - - salida
+ ,- deac
C, 1O¡ñ'
entrada ___ \
de ac ~f---1~----I
V CEQ =8V (3(mín) = 80
1O¡ñ'
VE VE 2 V
RE =- - - = 200Q
lE le lO mA
= lkQ
VB = VBE + VE = 0.7 V + 2 V = 2.7 V
La sustitución da
Ro $,),(80)(0.2 kQ)
1.6 kQ
0.6 kQ)(20 V)
Vs = 2.7 V
R] + 1.6 ka
y 2.7R] + 4.32 ka = 32 ka
2.7R] = 27.68 ka
.....
OV - 68 k,Q
1...
hFE = 125
- OV
Ic(mA)
r----------------------------~~A
71-
le"" == 6.1 mA,l-__________________ 50 !lA
6~
5~~--~~-----------------------40~
4~~--~~~--------- 30 I-lA
3 ~
,r--------=::""'::::~:-------- 20~A
2
__------------------------~~----- lO~A
1 ~ I,=O~
2 t 3 4 5
Vcc = 5 V
ICEO=OmA
(b)
El diseño ideal para el proceso de inversión requiere que el punto de operación conmute
de corte a la saturación, pero a lo largo de la recta de carga descrita en la figura 4.52b. Para
estos propósitos se asumirá que 1C = 1CEO = OmA cuando lB = O pA (una excelente aproximación
de acuerdo con las mejoras de las técnicas de fabricación), como se muestra en la figura 4.52b.
=
Además, se asumirá que VCE = VCE,,, OV en lugar del nivel típico de 0.1 a 0.3 V.
Cuando Vi;;: 5 V, el transistor se encontrará "encendido" y el diseño debe asegurar que la
red está saturada totalmente por un nivel de lB mayor asociado con la curva lB' que aparece
cerca del nivel de saturación. La figura 4.52b requiere que lB > 50 pA. El nivel de saturación
para la corriente del colector y para el circuito de la figura 4.52a está definido por
CC
V
1 =---- (4.45)
C sa, R
C
Por 10 mismo, para el nivel de saturación se debe asegurar que la siguiente condición se
satisfaga:
(4.46)
Vi - 0.7 V 5 V - 0.7 V
lB = = = 63 J.1A
RB 68 kQ
V ee 5 V
e 1
c,~,
=-~
R = '" 6.1 mA
e 0.82 kQ
6.1 mA
- - - - = 48.8 ¡.tA
125
la cual es satisfecha. Es cierto que cualquier nivel de lB mayor que 60 ¡.tA pasará a través del
punto Q sobre la recta de carga, que se encuentra muy cerca del eje vertical.
Para Vi = OV'/B = O¡.tA, y dado que se está suponiendo que le = ICEO = OmA,el voltaje cae
a través de Rc como 10 determinó VRc = ¡eRe = O V, dando por resultado Ve = +5 V para la
respuesta indicada en la figura 4.52a.
Además de su contribución en los circuitos lógicos de las computadoras, el transistor se
puede utilizar como un interruptor, si se emplean los extremos de la recta de carga. En la
saturación la corriente lc es muy alta y el voltaje VCE muy bajo. El resultado es un nivel de
resistencia entre las dos tenninales detenninado por
0.15 V
R = - - - = 24.60.
'" 6.1 mA
el cual es un valor relativamente bajo y ::: O Q cuando se coloca en serie con resistores en el
rango de los kilohms.
V 5 V
R con, = -ee- = =~Q
l CEO O mA
resultando en la equivalencia de circuito abierto. Para un valor típico de leEO = 10 ¡LA, la
magnitud de la resistencia de corte es
v,
IOV IOV
hFE = 250
v
Solución
En la saturación:
l =
e'al
y 10 mA =
IOV
así que Re = = 1 kQ
10 mA
En la saturación:
l 10 mA
lB '" ~ = = 40 ¡LA
f3"" 250
lB = Vi - 0.7 V
RB
v, - 0.7 V 10 V - 0.7 V
; - - - - - - ; 62 !lA
RB 150 kQ
I tencendido = t r + td I (4.47)
1009,
909', - - - - - - - - - _1- _ _
I
I
I I
lOge ,- I - - - - - - - - - -1- - - -1- -
- -' -
1,
o ,
,
,
,
1,
--+<
,
1,
--+<,
', -
I[ ,-
I
,- ~,
,
tapagado
,_
tencendido
Figura 4.56 Definición de los intervalos de tiempo de una forma de onda de pulso.
El tiempo total que requiere un tra.'1sistor para cambiar del estado "encendido" al "apaga-
do" se le conoce como tapagado y se define así
(4.48)
t.l" = 120 ns
Id = 25 ns
1, = 13 ns
y I
f =
12 ns
así que tencendido = I, + Id = 13 ns + 25ns=38ns
y tl.l.?agadQ I , + I
f
= 120 ns + 12 ns 132 nS
Al comparar los valores anteriores con los siguientes parámetros de un transistor de conmutaCión
BSV52L, se observa una de las razones para elegir un transistor de conmutación cuando surge
la necesidad de éste.
t encendido = 12 ns y t apagado == 18 os
Las conexiones adecuadas para medir VaE aparecen en la figura 4.57. Obsérvese que
la punta de prueba roja (positiva) se encuentra conectada a la base para un transistor npn y la
negra (negativa) al emisor. Cualquier lectura totalmente diferente del nivel esperado de más o
menos 0.7 Y, como O Y, 4 Y O 12 Y, o si es negativo el valor se debe sospechar de él; por lo
mismo, es mejor verificar las conexiones del dispositivo o la red. Para un transistor pnp pueden
usarse las mismas conexiones, pero debe esperarse una lectura negativa.
.:::0.7 V Si Un nivel de voltaje de igual importancia es el voltaje del colector al emisor. Recuerde las
o::O.3VGe características generales de un BJT,con los niveles de VCEen la vecindad de 0.3 V que sugieren
un dispositivo saturado, una condición que no debe existir a menos que se esté usando como
interruptor. Sin embargo:
Para el amplificador típico a transistor que está en la región activa, V CE está por lo
general entre el 25 y el 75% de V cc"
~ ~
0.3 V = satu"ción
~ O O v = estado de corto circuito
\ (J) o de conexión pobre
~ + - Normalmente unos cuantos volts
~ -------Va) o más
+~
del emisor. o bien una conexión en la mal1a del circuito del colector-emisor o base-emisor
está abierta como en la figura 4.59. haciendo le O mA y VRe = O V. En la figura 4.59 la
punta de prueba negra del vólmetro está conectada a la tierra común de la fuente y la roja a lc=OmA Re
la terminal inferior del resistor. La ausencia de una corriente del colector y de la caída de
conexión ___ ~
voltaje resultante a través de Re darán por resultado una lectura de 20 V. Si el medidor está abierta
conectado a la terminal del colector del BJT. la lectura será de O V. porque V ee está blo- I
queado del dispositivo activo por un circuito abierto. Uno de los errores más comunes en ----/
la experiencia de laboratorio es el uso del valor erróneo de la resistencia para un diseño 20 v
dado. Imagine el impacto del uso de un resistor de 680 Q para Ra en lugar del valor de
diseño de 680 ka. Para V cc;;:;: 20 V Y una configuración de polarización fija, la corriente
. de base resultante seria
20 V - 0.7 V
= 28.4 mA
680 Q Figura 4.59 Efecto de una
conexión pobre o un dispositivo
en lugar del valor deseado de 28.4 pA, ¡una diferencia significativa! dañado.
Una corriente base de 28.4 mA es cierto que colocaría al diseño en una región de
saturación y es posible que se dañe el dispositivo. Ya que los valores reales de los resistores
a menudo son diferentes de los valores de los códigos de color nominales (recuerde que
los valores de tolerancia de los resistores), es una buena inversión de tiempo hacer la
medición de un resistor antes de insertarlo en la red. El resultado será tener valores reales
más cercanos a los niveles teóricos y cierta seguridad de que el valor correcto de la resis-
tencia se utiliza.
Habrá momentos en que surgirá la frustración. Se habrá verificado el dispositivo en un
trazador de curvas u otro instrumento para probar BJT y parecerá correcto. Todos los niveles
de los resistores parecen adecuados, las conexiones se ven sólidas y se ha aplicado la fuente
adecuada de voltaje, ¿qué sigue? Ahora, la persona encargada de resolver el problema debe
esforzarse para lograr un mayor nivel de sofisticación. ¿Podría ser que la conexión interna
entre el cable y la conexión final de una punta esté dañada? ¿Cuántas veces el simple hecho
de tocar una punta crea una situación "'correcta o incorrecta" entre las conexiones? Quizá la
fuente fue encendida y ajustada en el voltaje correcto. pero el control de limitación de co-
rriente se dejó en cero, evitando el nivel adecuado de corriente según lo demanda el diseño
de la red. Obviamente, mientras más sofisticado es el sistema, más extenso el rango de
posibilidades. En cualquier caso. uno de los métodos más efectivos para verificar la opera-
ción de una red es probando varios niveles de voltaje respecto a la tierra y al conectar la
punta de prueba negra (negativa) de un vólmetro a tierra y "tocando" las terminales impor-
tantes con la punta de prueba roja (positiva). En la figura 4.60, si la punta roja se conecta
directamente a Vcc , se deben leer V cc volts, porque la red tiene una tierra común para la
fuente y los componentes de la red. En Ve la lectura debe ser menor por la caída a través de
Re y V E debe ser menor que Ve por el voltaje colector emisor V eE . La falla en cualquiera
de estos dos puntos sirve para registrar lo que podría parecer un nivel razonable y ser
autosuficiente para definir la falla o el elemento defectuoso. Si VR , Y VR e son valores razo-
nables pero VCE = O V. existe la posibilidad de que el BIT esté dañado y presente un equiva-
lente de corto circuito entre las terminales del colector y del emisor. Antes dijimos que si VCE
registra un nivel de aproximadamente 0.3 V, como señala VCE;;;:; V C - V E (la diferencia entre
los dos niveles como se midió arriba), la red puede estar saturada con un dispositivo que esté
o no defectuoso.
Parecería obvio, a partir del análisis anterior, que la sección de vólmetro de un VOM
o DMM es muy importante en el proceso de localización de fallas. Por 10 general. los
niveles de corriente se calculan a partir de los niveles de voltaje a través de los resistores,
en lugar de "romper" la red para insertar la sección de miliamperímetro de un multímetro.
En los diagramas grandes se ofrecen los niveles específicos de voltaje respecto a la tierra,
para facilitar la verificación e identificación de las posibles áreas de problemas. Para las
Figura 4.60 Verificación de los
redes cubiertas en este capitulo se deben considerar los niveles típicos dentro del sistema, niveles de voltaje respecto a
como 10 definió el potencial aplicado y la operación general de la red. tierra.
EJEMPLO 425 Es importante basarse en las lecturas ofrecidas en la figura 4.61 para determinar si la red está
operando adecuadamente, y si no 10 está, encontrar la posible causa.
::!ov
3.3 kQ
211 Y
p= lOO
2kQ
Solución
Los 20 V en el colector revelan inmediatamente que le = O mA, debido a un circuito abierto o
a un transistor que no está operando. El nivel de VR , = 19.85 V también revela que el transistor
está en "apagado" porque la diferencia de Vec - VR ¡; == 0.15 V es menor que la necesaria para
encender el transistor y proporcionar algún voltaje para VE' Si se asume una condición de corto
circuito desde la base al emisor, se obtiene la siguiente corriente a través de R B'
20 V
= 79.4 }lA
252 kil
la cual asemeja a la obtenida de
19.85 V
= 79.4 }lA
250 kil
V cc - V 20 V - 0.7 V 19.3 V
lB = ----"''------''''--
BE
=--------- = = 42.7 }lA
RB + (/3 + l)R E 250 kQ + (101)(2 kil) 452 kil
Por tanto, el resultado es que el transistor está dañado en una condición de corto circuito entre
la base y el emisor.
EJEMPLO 426 Basándose en las lecturas que aparecen en la figura 4.62, determinar si el transistor se encuen-
tra "encendido" y si la red está operando de manera correcta.
Si nos basamos en los valores de los resistores RI y R 2 Yla magnitud de Vcc ' el voltaje Vs :::;:
4 V parece adecuado (y de hecho lo es). Los 3.3 Ven el emisor son el resultado de una caída de
0.7 V a través de la unión base-emisor del transistor lo que sugiere un transistor "encendido", 4.7 kQ
80 kQ
Sin embargo. los 20 Ven el colector revelan que le:;;;; O mA. aunque la conexión a la fuente
20\"
debe ser "sólida" o los 20 V no aparecerían en el colector del dispositivo. Existen dos posibi-
lidades: o bien puede existir una conexión pobre entre Re y la terminal del colector del transis- 4v
tor. o el transistor tiene abierta la unión base-colector. Primero se verifica la continuidad en la
unión del colector utilizando un óhmetro. y si está bien. debe verificarse el transistor usando 3.3 y
uno de los métodos descritos en el capítulo 3. 20 kQ
1 kn
Hasta ahora. el análisis se ha limitado totalmente a los transistores npn para asegurar que el
análisis inicial de las configuraciones básicas sean 10 más claras posible y simplificadas para
no intercambiar entre los tipos de transistores. Por fortuna. el análisis de los transistores pnp
sigue el mismo patrón que se estableció para los transistores npn. Primero se calcula el nivel de
lB' seguido por la aplicación de las relaciones adecuadas de los transistores para determinar la
lista de las cantidades que se ignoran. La única diferencia entre las ecuaciones resultantes para
una red en la que se reemplazó un transistor npn por un transistor pnp es la señal asociada con
las cantidades en particular.
Como se observa en la figura 4.63, la notacíón de doble subíndice continúa de manera
normal. como ya se mencionó. Sin embargo. las direcciones de las corrientes se invirtieron
para reflejar las direcciones reales de coriducción. En caso de que se utilicen las polaridades
definidas de la figura 4.63, tanto VSE como V CE serán cantidades negativas.
La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoffa la malla base-emisor dará por resultado la
siguiente ecuación para la red de la figura 4.63:
+
+
La sustitución de lE = «(3 + 1)1B Y solución para lB da por resultado
(4.49) R,
La ecuación resultante es la misma que la ecuación (4.17) excepto por el signo para VBE .
Sin embargo. en este caso VBE = -0.7 V Yla sustitución de los valores resultará el mismo signo Figura 4.63 Transistor pnp en
para cada término de la ecuación (4.49) y la ecuación (4.17), Considere que la dirección de lB una configuración de
ahora se definíó como opuesta para un transistor npn, según la figura 4.63. estabilización en emisor.
Para V CE la ley de voltaje de Kirchhoff se aplica a la malla colector-emisor, dando por
resultado la siguiente ecuación:
(4.50)
La ecuación resultante tiene el mismo formato que la ecuación (4.19), pero el signo antes
de cada término en el miembro de la derecha ha cambiado. Debido a que Vcc será mayor que
la magnitud del término subsiguiente, el voltaje VCE tendrá un signo negativo. como se pudo
observar anteriormente.
r---------~)-18V
2.4 k.Q
47 ka 10 ¡iF
t-c--~:~I(f-----<o '"
10 IlF +
8
-----1-1",,111----+---
", o>- - 0------1t-,. V eE p= 120
1"E -
lOkQ
1.1 kQ
Solución
Probando la condición
R, V ec (10 kf.l)(-18 V)
VB = = = -3.16 V
R, + R, 47 kQ + 10 kQ
Obsérvese la similitud en el fonnato de la ecuación con el voltaje resultante negativo para VB "
La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla base-emisor genera
+VB - VBE - VE = O
y VE = V B - VBE
Sustituyendo los valores, se obtiene
VE = -3.16 V - (-D.7 V)
= -3.16 V + 0.7 V
= -2.46 V
Nótese cómo en la ecuación anterior se utiliza la notación de subíndice sencillo y doble. Para
un transistor npn la ecuación VE = V B - V BE sería exactamente la misma; la única diferencia
aparece cuando se sustituyen los valores.
La corriente
VE 2.46 V
lE = = = 2.24 mA
RE 1.1 kQ
Cualquiera o todos estos factores pueden causar que el punto de polarización cambie del
punto de operación diseñado. La tabla 4.1 describe la forma en que leo y V BE camhiaron con
el incremento en la temperatura para un transistor en particular. A temperatura ambiente (cerca
=
de 25 OC) leo 0.1 nA, mientras que a lOO oC (punto de ebullición del agua) leo es aproxima-
damente 200 veces mayor a 20 nA. Para la misma variación en temperatura, (3 se incrementó
de 50 a 80 y VBE cayó de 0.65 a 0.48 V. Recuerde que lB es muy sensible al nivel de V8E •
especialmente para los niveles más allá del valor del umbral.
El efecto de los cambios en la comente de fuga (1col y la ganancia de comente (ff¡ sobre el punto
de polarización de dc se demuestra por las características de colector para emisor-común de las figuras
4.65a y 4.65b. La figura 4.65 muestra la forma como cambian las caractensticas de colector del
transistor desde una temperarura de 25 OC a una temperarura de 100 oC. Obsérvese que el incremento
significativo en la corriente de fuga no solamente causa que las curvas se eleven sino que también
existe un incremento en la beta, según se observa a través del mayor espaciamiento entre las curvas.
Se puede especificar un punto de operación mediante el dibujo de la recta de carga de dc
del circuito sobre la gráfica de las características de colector, y notando la intersección de la
recta de carga y la corriente de base de dc establecida por el circuito de entrada. Se marca un
punto de forma arbitraria en la figura 4.65a en lB = 30 ¡lA. Debido a que el circuito de polarización
fija proporciona una corriente de base cuyo valor depende aproximadamente del voltaje de la
fuente de alimentación y el resistor de la base, ninguno se ve afectado por la temperatura o el
cambio en la corriente de fuga o en la beta, pero existirá la misma magnitud de la corriente de
base a altas temperaturas, según se indica en la gráfica de la figura 4.65b. Como lo muestra la
figura, dará por resultado el cambio del punto de polarización de de a una mayor comente de
colector y a un menor voltaje colector-emisor en el punto de operación. En el extremo, el
transistor no podría llevarse a saturación. En cualquier caso, el nuevo punto de operación
puede no ser satisfactorio y ocasionar una distorsión considerable debido al cambio del punto
de polarización. Un mejor circuito de polarización es el que estabilizará o mantendrá la polari-
40 ¡lA
6O~A
5 5
I
i 50 ¡lA
30 ¡lA
4 4 punto Q
40 ¡lA
2
""" ~ pUnloQ
~
30 ¡lA
20 ~A
3
20 ¡lA
1 - ~ 10 ¡lA
• ~ IB=O¡lA
I
01 5 15 20 o 5 10 t 15 20
ICEO=f3lcBO
(a) (b)
Me
S(lco) = (4.51)
Meo
Me
S(VBE ) = (4_52)
'" VBE
Me
SCfJJ = - - (4.53)
"'/3
En cada caso el símbolo delta ("') significa un cambio en dicha cantidad_ El numerador de cada
ecuación es el cambio en la corriente del colector, según se estableció mediante el cambio de
la cantidad en el denominador. Para una configuración en particular, si un cambio en leo
no puede producir un cambio significativo en le' el factor de estabilidad definido por S(leo) =
Me /Meo será muy pequeño_ En otras palabras:
Las redes que son muy estables y relativamente insensibles a las variaciones en la
temperatura tienen bajos factores de estabilidad.
Parecería más apropiado en algunas ocasiones considerar las cantidades definidas por las
ecuaciones (4.5 1 a 4_53) como los factores de sensibilidad porque:
El estudio de los factores de estabilidad requiere del conocimiento del cálculo diferencial.
Sin embargo, el propósito aquí es revisar los resultados del análisis matemático y realizar una
evaluación total de los factores de estabilidad para las configuraciones de polarización más
comunes. Gran cantidad de literatura referente a este tema está disponible. y si el tiempo lo
permite se le propone leer más acerca del tema.
S(IcO>:
CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN EN EMISOR
Un análisis de la red para la configuración de polarización en emisor dará por resultado
(4.54)
5(1co),
Factor de estabilidad
~+l
2
Figura 4.66 Variación del factor
de estabílidad S(JcJ con el ~~~ ________~~______________~ RB
cociente de resistor Rs/RE para la ~+1 RE
configuración de polarización en
emisor.
(4.57)
según se muestra en la figura 4.66. Los resultados revelan que la configuración de polarización
en emisor es muy estable cuando la relación de RB f RE es tan pequeña como sea posible, y es
menos estable cuando dicha relación se acerca a (f3 + 1). "---
EJEMPLO 428 Calcular el factor de estabilidad y el cambio en le desde 25 oC hasta 100 oC para el transistor
definido por la tabla 4.1 para los siguientes arreglos de polarización en emisor.
=
a) RB / RE 250 (R B 250R E)· =
=
b) RB / RE 10 (R B 10RE)· =
e) RB / RE = 0.01 (RE = 100RB)·
Solución
I + RB/RE
a) S(leo) = ([3 + 1) - - - " - - " - -
1 + [3 + RelRE
El ejemplo 4.28 revela cómo los niveles más bajos de leo para el transistor BIT moderno
mejoraron el nivel de estabilidad de las configuraciones de polarización básicas. Aun cuando el
cambio en lees considerablemente diferente en un circuito con una estabilidad ideal (S ~ 1). de uno
con un factor de estabilidad de 42.53,el cambio en le de una corriente en de que se fijó, por ejemplo,
en 2 mA, sería de 2 mA a 2.085 mA en el peor caso, lo cual es obviamente lo suficientemente
pequeño como para que lo ignoren la mayoría de las aplicaciones. Algunos transistores de potencia
exhiben mayores corrientes de fuga, pero para la mayor pane de los circuitos amplificadores los
niveles más bajos de leo han tenido un impacto muy positivo sobre la cuestión de la estabilidad.
CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA
Para la configuración de polarización fija, si se multiplican el numerador y el denomina-
dor de la ecuación (4.54) por RE y se hace a RE ~ O Q. resultará la siguiente ecuación:
I S(lco) ~ [3 + I (4.58)
(4.59)
Nótense las similitudes con la ecuación (4.54), donde se determinó que S(lco) tenía su
nivel más bajo y la red tenía su mayor estabilidad cuando RE > R8' Para la ecuación (4.59), la
condición correspondiente es RE > RTh o bien, RTh/R E debe ser tan pequeño como sea posible.
Para la configuración de polarización por divisor de voltaje, RTh puede ser mucho menor que la
correspondiente R B en la configuración de polarización en emisor y aun así tener un diseño
efectivo. Figura 4.67 Circuito equivalente
para la configuración de divisor
de voltaje.
Configuración de polarización por retroalimentación (RE = O Q)
En este caso,
(4.60.)
Debido a que la ecuación es similar en formato a la que se obtuvo para las configuraciones de
polarización en emisor y de polarización por divisor de voltaje, también aquí pueden aplicarse
las mismas conclusiones respecto a la relación de R B /R e
Impacto físico
El tipo de ecuaciones que se desarrollaron arriba, a menudo fallan en cuanto a proporcionar un
sentido físico para el motivo, por el cual las redes se comportan de la forma en que lo hacen.
Ahora se sabe de los niveles relativos de estabilidad y cómo la elección de los parámetros
puede afectar la sensibilidad de la red, pero sin estas ecuaciones quizá resulte difícil explicar
con palabras por qué una red es más estable que otra. Los párrafos siguientes intentan llenar
e~te vacio a tIa'Vé~ del uso de algunas de las relaciDnes básicas asociadas con cada conflguración.
Para la configuración de polarización fija de la figura 4.68a, la ecuación para la corriente
de base es la siguiente:
(4.61)
+
v" + Re
VB, R,
Re
~lB
+
+
V
BE
_
V _ VB +
+ BE
VE
V,
."
VCC - V Bo - VE t
1B 1- -- (4.62)
RB
Una caída en lB tendrá el efecto de reducir el nivel de le a través de la acción del transistor.
y por lo mismo compensa la tendencia de le a incrementarse por un aumento en la temperatura.
En total, la configuración es tal que existe una reacción hacia un incremento en le' que tenderá
a oponerse al cambio en las condiciones de polarización.
La configuración de retroalimentación de la figura 4.68c opera de la misma forma que la
configuración de polarización en emisor cuando llega a los niveles de estabIlidad. Si le se incrementa
debido al aumento en la temperatura, el nivel de VRe se elevará en la siguiente ecuación:
Vcc - VBE - VR
e
t
(4.63)
~~
Ll. VBE
resultará en la siguiente ecuación para la configuración de polarización en emisor:
(4.64)
Sustituyendo RE;;;;; 0.0:, como ocurre con la configuración de polarización fija, dará por
resultado
(4.65)
(4.66)
-f3!R -f3/R 1
S(V ) "
BE
E" _ _e = __ (4.67)
13 + 1 13 RE
revela que mientras más grande sea la resistencia RE' menor será el factor de estabilidad y más
estable el sistema.
Detennine el factor de estabilidad S(VBE) y el cambio en le desde 25 oC hasta 100 oC para el EJEMPLO 429
transistor señalado en la tabla 4.1 para les siguientes arreglos de polarización.
a) Polarización fija con RB =240 ka y 13 = 100.
b) Polarización en emisor con RB =240 ka, RE = 1 ka y 13= 100.
e) Polarización en emisor con Re = 47 ka, RE = 4.7 ka y 13= 100.
Solución
a) La ecuación (4.65):
f3
100
= --'--'--
240 ka
= - 0,417 X 10-'
y Me = [S(VBEl](Ll.VBE)
= (-DA17 x 10,3)(0.48 V - 0.65 V)
= (-D.4l7 x lO,3)(-D.17 V)
= 70,9 pA
b) En este caso, (/3 + 1) = 101 Y RB I RE = 240. La condición (/3 + 1) j¡> RBIR E no está satis-
fecha, y no pennite el uso de la ecuación (4.67) Y requiere del uso de la ecuación (4.64).
La ecuación (4.64):
-100 100
= = ----
240 ka + (101)1 ka 341 ka
= -0.293 x 10-3
la cual es aproximadamente 30% menor que el valor de polarización fija debido al ténnino
adicional (13 + I)RE en el denominador de la ecuación S(VBE)'
Me = [S(VBE)](Ll. VBE )
= (-D.293 x lQ-3)(-D.17 V)
_ SOpA
e) En este caso,
RB 47 ka
(/3+1)= 101 j¡> - - = - - - = 10 (satisfecha)
RE 4.7 ka
= /
4.7 ka
= -0.212 x 10-3
y /!,le = [S(VBE)](L'< VBE )
= (-0.212 x 10-3)(-0.17 V)
= 36.04 pA
le
Q
= 2 mA + 70.9 pA
= 2.0709 mA
un incremento de 3.5%.
Para la configuración por divisor de voltaje el nivel de Rs se cambiará aRTh en la ecuación
(4.64) (según se definió en la figura 4.67). En el ejemplo 4.29. al utilizar una de R B = 47 ka
resulta ser un diseño cuestionable. Sin embargo, será RTh para la configuración del divisor de
voltaje; sin embargo, puede ser de este nivelo uno menor y todavía mantener buenas
características de diseño. La ecuación resultante para S(VSE) para la red de retroalimentación
será similar a la de la ecuación (4.64) con RE reemplaz~da por Re
S(f3):
El último factor de estabilidad que se investigará es el de S(fJ¡. El desarrollo matemático
es más complejo que el que se encontró para SUco) y para S(VBE)' como lo da a entender la
siguiente ecuación para la configuración de polarización en emisor:
= __l,,-e,,-e_1_+_R.::.B_IR--,E:...)__
S(fJ¡ = (4.68)
/3,(1 + /3, + RBIRE)
La notación le, y /3, se utiliza para definir sus valores bajo un conjunto de condiciones de
red, mientras que la notación f32 se usa para describir un nuevo valor de beta como lo establecen
causas como un cambio en temperatura, la variación de f3 del mismo transistor o un cambio de
transistores.
EJEMPLO 4.30 Calcule le a una temperatura de 100 oC e le =2 mA a 25 oc. Utilice el transistor descrito
en la tablaº4.1. donde /3, =50 Y /3, =80 Y un ¿ociente de resistencia RB I RE de 20.
Solución
le,(I + RBIRE)
La ecuación (4.68): S(fJ¡ =
/3,(1 + /3, + RBIRE)
(2 x 10-3 )(1 + 20) 42 X 10-3
= =
(50)(1 + 80 + 20) 5050
= 8.32 x 1~
y /!,le = [S(fJ¡l[L'<f3J
= (8.32 x 1()-<i)(30)
- 0.25 mA
198 Capítulo 4 Polarización en dc-BJT
En conclusión, la co~ente del colector cambió de 2 mA a una temperatura ambiente a 2.25
mA a 100 oC, representando un cambio de 12.5%.
La configuración de polarización fija está definida por S(fJJ = le, 1{3, y la RB de la ecuación
(4.68) puede reemplazarse por RTh para la configuración del divisor de voltaje.
Para la configuración de retroalimentación en colector con RE:;;: O n,
S(fJJ = (4.69)
Resumen
Ahora que se presentaron tres factores de estabilidad importantes, el efecto total sobre la co-
rriente del colector puede calcularse utilizando la siguiente ecuación:
(4.70)
Al principio, la ecuación puede parecer muy compleja, pero tome en cuenta que cada
componente sólo es un factor de estabilidad para la configuración multiplicado por el cambio
resultante en un parámetro entre los límites de interés de temperatura. Además, la Me que debe
determinarse simplemente es el cambio en le a partir del nivel a una temperatura ambiente.
Por ejemplo. si se examina la configuración de polarización fija, la ecuación (4.70) se
convierte en la siguiente:
(4.71)
después de sustituir los factores de estabilidad como se derivó en esta sección. Ahora, se usará
la tabla 4.1 para encontrar el cambio en la corriente del colector para un cambio de temperatura
desde 25 oC (temperatura ambiente) a lOO oC (el punto de ebullición del agua). Para este rango
la tabla revela que
Meo = 20 nA - 0.1 nA = 19.9 nA
l;VBE = 0.48 V - 0.65 V = -0.17 V (obsérvese el signo)
y l;{3 = 80 - 50 = 30
Empezando con una corriente de colector de 2 mA con una RB de 240 ka, el cambio
resultante en le debido a un incremento en la temperatura de 7S oC es el siguiente:
50 2 mA
Me = (50 + 1)(19.9 nA) - ---(-0.17 V) + - - (30)
240 ka 50
= 1.01 p.A. + 35.42 p.A + 1200 p.A.
= 1.236 mA
el cual es un cambio significativo debido principalmente al cambio en {3. La corriente de colector
aumentó desde 2 mA a 3.236 mA, pero esto era esperado, en el sentido que se reconoce en el
contenido de esta sección, que la configuración de polarización fija es la de menor estabilidad.
Si se hubiera utilizado la configuración más estable del divisor de voltaje, con un cociente
de RTh/R E : 2 y RE = 4.7 n, entonces
S(/co) = 2.89, S(VBE) = -D.2 X 10-3 , S({3) = 1.445 X 10-6
Y Me = (2.89)(19.9 nA) - 0.2 X 10-3(-D.17 V) + 1.445 X 1Q-6(30)
= 57.51 nA + 34 p.A + 43.4 p.A
: 0.077 mA
Aunque el análisis anterior puede resultar confuso porque las ecuaciones son muy com~
plejas para algunas de las sensibilidades, el propósito es desarrollar un alto grado de precau~
ción sobre los factores que se involucran en un buen diseño y para estar más cerca de los
parámetros de los transistores y el impacto que ejercen sobre el funcionamiento de la red. El
análisis de las secciones anteriores fue para las situaciones idealizadas con valores invariables
de parámetros. Ahora, se debe estar consciente de cómo puede variar la respuesta en de del
diseño con las variaciones de los parámetros de un transistor.
VCC 2 O 22V
IÚ 2 1 39r:
R2 1 O 3.911;
RC 2. 3 lOr:
RE 4 O 1.5lt
CE 4 O SOUY
01 3 1 4 oN
.IIODI!L QIf_IBF>o140 :[11-2"15)'
• OC VCC 22,22 1
.l'ItUIT De 1.(Re) Ve3,4)
.0P1'1011S IIORoGE
.DD
.*.. BJ'l' MODBL PARIIMBTERS
QIf
1fPIf
IS 2.000000B-15
Bl' 140
.....
YCC
,De TRAIISFER .CURVES
I(ac) V(l,.)
2.200E+Ol 8.512E-04 1.220E+Ol
FIgUra 4.7I Archivo de salida para el análisis con PSpice de la red de la figura 4.69.
8,242E-04
Vcc • , - - - - - " , . , - - - { " ) - - - - ,
R1 Re
39k 10k 1 3,7580
1,9 59
1.2588
+----<0>----'1/
R2 CEI
3.9k -'- 50uF
Figura 4.72 Presentación esq uemática
de PSpice (Windows) de la figura 4.69.
................................................................................
BJT MODEL PARAMETERS
Q2N22Z2~X
NPN
(S 2.000000E- t 5
BF 140
NF 1
VAF 74.03
IKF .2841
ISE \4.34ooooE·\5
NE 1301
BR 6,091
NR ,
RB 10
RBM 10
RC 1
eJE n.01OOOOE-12
MJE m
CJC 7.306OOOE-\2
MJC .3416
TF 411.l1XlOOQE..12
XTF 3
VTF 1.7
ITF .6
TR 46.91 0000E-09
XTB 1.5
............................................................................
.....
.....
SMAll SlGNAL BIAS soumON TEMPERATURE" 27.000 DEG e
VOLTAGESOURCECURRENTS
NA,,\1E. CURRENT
-1.338E-OJ
8.242E..04
TABLA 4.2 Ecuaciones y enunciados del programa para el TABLA 4.3 Variables para ecuación y el
módulo de cálculos de polarización de dc programa para el módulo de
cálculos de polarización de dc
Ecuación Enunciados para el programa
Variable en la ecuación Variable en el programa
R1R~
RTh = RT ;:::.(Rl * R2)(Rl + R2)
R, + R 2 R, RI
R, R, R2
ETh ;::: V cc VT = (R2 ' Cel/(R' + R2)
RT
R, + R,
CC
ETh - 0.7
lB = (VT - O.7)I(RT + (BETA + 1) , RE) VT
RTh + (13 + I)R E
lB
le = f3l s IC = BETA' lB
BE
lE = (BETA + 1) , lB
~ BETA
VE = IERE VE = lE ' RE
RE
V s = VE + 0.7 VB = VE + 0.7
IC
Ve Vcc - leRe vC = CC - IC ' RC lE
CE = VC - VE VE
VB
VC
CE
VCC=? 22
Transistor beta~? 140
The results of de bias calculations are:
Circuit currents:
lB= 6.04~233 uA
re=: .846:3327 mA
lE: .8523779 roA
Circuit qoltaqes!
V8= 1.978567 valts
VE= 1.278567 volts Figura 4.74 Programa BASle
VC= 13.53667 volts para el análisis de la red de la
VCE"" 12.25811 volts
figura 4.69.
2.2 kQ
4. Encuentre la corriente de saturación (le",,) para la configuración de polarización fija de la figura 4.75.
* 5. Dadas las características del transistor BJT de la figura 4.78:
a) Dibuje una recta de carga sobre las características determinada por E = 21 V Y Re = 3 kQ para
una configuración de polarización fija.
b) Escoja un punto de operación a la mitad entre el corte y la saturación. Determine el valor de RE
para establecer el punto de operación resultante.
c) ¿Cuáles son los valores resultantes de le () y de VCE Q?
d) ¿Cuál es el valor de f3 en el punto de operación?
e) ¿Cuál es el valor de a definido para el punto de operación?
f) ¿Cuál es la corriente de saturación (le,,) para el diseño?
g) Dibuje la configuración resultante de polarización fija.
h) ¿Cuál es la potencia dc disipada por el dispositivo en el punto de operación?
i) ¿Cuál es la potencia proporcionada por Vee ?
j) Detennine la potencia que los elementos resistivos disiparon al tomar la diferencia entre los
resultados de los incisos h e i.
6
re-:
:50uA '
,,; i<-Ij-k-Q--.<J VE
5
~
4
Figura 4.79 Problemas 6, 9, ~ 1,
3 20.24,48,51,54,58.62.
2
10,A '=ti:
~ t"l/~=o~A¡
5 15 25 30
° 10
12V
Problemas 207
* 11. a) DeterminelcY VCEpara la red de la figura 4.75.
b) Cambie f3 a 135 y calcule el nuevo valor de le y VCE para la red de la figura 4.75.
c) Determine la magnitud del porcentaje de cambio en le y VCf; utilizando las siguientes ecuaciones:
%tl.I
e
= /e,p",,,~ - /C'p,neo' I x 100%,
I e,p,"',J)
e) VE'
f) V•.
16V lV CC
,-------~~--~18V
2.7 kQ
3.9 Hl
R¡
62kU tICQ t le
10.6 V
Ve
-
R¡ 20 ~A +
VB + -+ V eE ~= 100
V CEQ ~=80
VB
lBe
VE V,
9.1 kQ
8.2 kQ
0.68 U"l l.2kD.
5.6kU
1.2 kD.
~
..gura 4.82 Problemas 12. 15, 18,
20,24,49,51,52,55,59,63. Figura 4.83 Problema 13. ..gura 4.84 Problema 14.
1.5 kQ 1 5~F
Figura 4.87 Problema 23. ...
Problemas 209
* 24. a) Determine le y VCE para la" red de la figura 4.88.
b) Cambie f3a 135 (50% de incremento) y calcule los nuevos niveles de le y VCE '
c) Resuelva la magnitud del porcentaje de cambio en le y VeE usando las siguientes ecuaciones:
%!::J == 11c.P.ll"I<;' - 1elo""o, 1 x 100o/c. %!>V = 1 Vcc ,,,,,,", - VCE """,,, 1 x 100%
e CE
e,p.,",", VeE,p"rt, "
d) Compare los resultados del inciso e con las soluciones de los problemas 11 c. 11 f y 20 c.
¿Cómo se compara la red de retroalimentación del colector en función de las otras configura-
ciones respecto a la sensibilidad a los cambios en j3?
25. Determine el rango de posibles valores para Ve para la red de la figura 4.89 empleando el
potenciómetro de l-MQ.
* 26. Dado VB ::; 4 V para la red de la figura 4.90. resuelva:
a) VE'
b) le
e) Vc ,
d) VCE '
e) lB'
f) 13
+22V +12Y
18 v
P=90 VE
...
FIgura 4.88 Problema 24. Figura 4.89 Problema 25. Figura 4.90 Problema 26.
18 V
b) le
e)
d)
Vcc '
Ve
f6V
12kQ
3.9 kQ
560 k.Q
ve t le
r---"oIV",",-h-.o Ve = 8V +
le
V e1=: j3 = 120
+
9.1 kQ
15kQ
... ...
Figura 4.91 Problema 27. -12 V Figura 4.92 Problema 28.
~
+18V 330 kQ
9.1 kQ
5JükQ "Ie Ve
~= 120
+ +
P=130
Figura 4.93 Problema 29. Figura 4.94 Problema 30. Figura 4.95 Problema 31.
33. Diseñe una red con estabilización en emisor a lc~ = flc, y V ccQ = +VcC' Utilice V cc = 20 V.
lc = 10 mA. f3= 120 Y Rc = 4RE • Utilice los valores estándar.
34. Diseñe una red de polarización por divisor de voltaje utilizando una fuente de 24 V, un transistor
con una beta de 110, y un punto de operación de lc(. =4 mAy VCE (. = 8 V. Elija VE = +Vcc Utilice
valores estándar.
* 35. Con las características de la figura 4.78. diseñe una configuración de divisor de voltaje que tenga
un nivel de saturación de 10 mA. Y un punto Q a la mitad entre el corte y la saturación. La fuente
que está disponible es de 28 V Y VE Y debe ser un quinto de VCC' La condición establecida por la
ecuación (433) también debe cumplirse para ofrecer un alto factor de estabilidad. Utilice los
valores estándar.
2.4kQ
v,
IOV 180 ka
5Y
v,
p= lOO
OY
ov
Problemas 211
38. a) Con las características de la figura 3 .23c, determine teTlcendido y tapagado para una corriente de
2 mA. Obsérvese cómo se utilizan las escalas logarítmicas y la posible necesidad de referir-
se a la sección 11.2.
b) Repita el inciso a para una corriente de 10 mA. ¿Cómo han cambiado tencendido y {apagado con
el incremento de corriente del colector?
~
e) Dibuje para los incisos a y b la forma de onda del pulso de la figura 4.56 y compare los
resultados.
OV 0.05 V
* 40. Las mediciones que aparecen en la figura 4.99 revelan que las redes no están operando adecuada-
mente. Sea específico al describir por qué los niveles reflejan un problema en el comportamiento
esperado de la red. En otras palabras, los niveles obtenidos señalan un problema muy específico en
cada caso.
16V 16V
3.6 kn 3.6 kn
91 kn 91 kn
VB =9.4V
fi= 100 2.64 v 9------1 fi=IOO
4V
18kn 18 kíl
1.2 kíl 1.2 kn
~---_-<O +Vee = 16 V
Re
3.6kn
C,) Cb)
+Vcc = 20 V
Re
IOkQ
V CC =+18V
/3= 80
Re
R, 2.2 kQ
10 kQ
* 43. Conteste las siguientes preguntas acerca del circuito de la figura 4.102.
a) ¿Qué le sucede al voltaje Vc si el resistor Rs se abre?
b) ¿Qué le pasa al voltaje VCE si f3 se incrementa debido a la temperatura?
c) ¿Cómo se verá afectado VE cuando se reemplace el resistor de colector con uno cuya resistencia
está en el extremo inferior del rango de tolerancia?
d) Si la conexión del colector del transistor se abre, ¿qué le pasará a VE?
...
e) ¿ Qué puede motivar que VCE tome el valor de cerca de 18 V? Figura 4.102 Problema 43.
-22 V
2.2 kQ
-12 V
82kQ
510 kQ
+
Ve
- lB
16kQ
~c
/3=2W
0.75 kQ
VCE /3= 100
...
Figura 4.103 Problema 44. FIgura 4.104 Problema 45. FIgura 4.105 Problema 46.
Problemas 213
§ 4.12 Estabilización de la polarización
47. Determine lo siguiente para la red de la figura 4.75.
a) S(lco).
~~~. .
e) S({J) utilizando T1 como la temperatura en la que los valores de los parámetros 6stán especifi-
cados y f3(T,) como el 25% mayor que f3(T,l.
d) Determine el cambio neto en le si resulta un cambio en las condiciones de operación con un incre-
mento de 'ca de 02 j.iAa 10 J1..A, una caída de V BE de 0.7 V a 0.5 V Y un incremento de j3del25o/c.
* 48. Para la red de la figura 4.79, determine:
a) S(lco).
b) S(VBE ).
e) S({J) utilizando T) como la temperatura en la cual las valores de los parámetros están especifi-
cados y {3(T2 ) como e125% mayor que {3(T 1).
d) Determine el cambio neto en le si resulta un cambio en las condiciones de operación con un
incremento de 1ca de 0.2 J1A a 10 J1A, una caída de VBE de 0.7 V a 0.5 V Y un incremento de f3
del 25%.
* 49. Para la red de la figura 4.82. detennine:
a) S(lco).
b) S(VBE).
c) S(fJJ utilizando T) como la temperatura en la que los valores de los parámetros están especifi-
cados y f3(T,) como el 25% mayor que f3(T]).
d) Determine el cambio neto en le si resulta un cambio en las condiciones de operación con un
incremento de leo de 0.2 ~A a 10 j1A, una caída de VBE de 0.7 Va 0.5 V Y un incremento de f3
del 25%.
* 50. Para la red de la figura 4.91, detennine:
a) S(lco).
b) S(VBE).·
c) S(fJJ utilizando T) como la temperatura en la cual Jos valores de los parámetros están especifi-
cados y j3(T,) como el 25% mayor que f3(T]).
d) Detennine el cambio neto en le si resulta un cambio en las condiciones de operación con un
incremento de lea de 0.2 ~A a 10 f..1.A, una caída de VBE de 0.7 V a 0.5 V Y un incremento de
f3 del 25%.
* 51. Compare los valores relativos de la estabilidad para los problemas 47 a150, Lc~. resultados para los
ejercicios 47 y 49 pueden encontrarse en el apéndice E. ¿Se pueden derivar algunas conclusiones
generales a partir de los resultados?
* 52. a) Compare los niveles de estabilidad para la configuración de polarización fija del problema 47 .
b) Compare los niveles de estabilidad para la configuración de divisor de voltaje del problema 49.
c) ¿Cuáles factores de los inciso a y b parecen tener mayor influencia sobre la estabilidad del
sistema, o no existe un patrón general sobre los resultados?
Transistores
de efecto de campo
-----------------------IDDivp---
5.1 INTRODUCCIÓN
El transistor de efecto de campo (FET) (por las siglas en inglés de Field Effect Transistor) es
un dispositivo de tres terminales que se utiliza para aplicaciones diversas que se asemejan, en
una gran proporción, a las del transistor BJT descrito en los capítulos 3 y 4. Aunque existen
importantes diferencias entre los dos tipos de dispositivos, también es cierto que tienen muchas
similitudes que se presentarán a continuación.
La diferencia básica entre los dos tipos de transistores es el hecho de que el transistor BJT
es un dispositivo controlado por corriente como se describe en la figura 5.1 a. mientras que el
transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje como se muestra en la figura 5 .lb. En
otras palabras. la corriente le de la figura 5.1a es una función directa del nivel de lB' Para el
FET la corriente ID será una función del voltaje VGS aplicado al circuito de entrada como se
muestra en la figura 5.lb. En cada caso, la corriente del circuito de salida está controlado por
un parámetro del circuito de entrada, en un caso se trata de un nivel de corriente y en el otro
de un voltaje aplicado.
.....
(Corriente de controi) 18
BJT FET
+
(Voltaje de control) V GS
De la misma manera que existen transistores bipolares npn y pnp, hay transistores de
efecto de campo de canal-n y canal-p. Sin embargo, es importante considerar que el transistor
BJT es un dispositivo bipolar; el prefijo bi indica que el nivel de conducción es una función de
dos portadores de carga, los electrones y los huecos. El FET es un dispositivo unipolar que
depende únicamente de la conducción o bien, de electrones (canal-n) o de huecos (canal-p).
El ténnino "efecto de campo" en el nombre seleccionado merece cierta explicación. Toda
la gente conoce la capacidad de un imán permanente para atraer limaduras de metal hacia el
imán sin la necesidad de un contacto real. El campo magnético del imán permanente envuelve
las limaduras y las atrae al imán por medio de un esfuerzo por parte de las líneas de flujo
magnético con objeto de que sean lo más cortas posibles. Para el FET un campo eléctrico se
215
establece mediante las cargas presentes que controlarán la trayectoria de conducción del cir-
cuito de salida, sin la necesidad de un contacto directo entre las cantidades controladoras y
controladas.
Existe una tendencia natural cuando se presenta un segundo dispositivo con un rango de
aplicaciones similar a uno que se dio a conocer previamente, para comparar algunas de las
características generales de cada uno. Uno de los rasgos más importantes del FET es una gran
impedancia de entrada. A un nivel desde 1 a varios cientos de megaohms excede por mucho
los niveles típicos de resistencia de entrada de las configuraciones con transistor BJT, un punto
muy importante en el diseño de amplificadores lineales de ac. Por otro lado, el transistor BJT
tiene una sensibilidad mucho más alta a los cambios en la señal aplicada; es decir, la variación
en la corriente de salida es obviamente mucho mayor para el BJT, que la que produce en el FET
para el mismo cambio de voltaje aplicado. Por esta razón,las ganancia,s normales de voltaje en
ac para los amplificadores a BJT son mucho mayores que para los FET. En general, los FET
son más estables a la temperatura que los BJT, y los primeros son por lo general más pequeños
en construcción que los BJT, lo cual los hace mucho más útiles en los circuitos integrados (le)
(por las siglas en inglés de, Integrated Circuits). Sin embargo, las características de construc-
ción de algunos FET los pueden hacer más sensibles al manejo que los BIT.
En este capítulo se presentarán dos tipos de FET: el transistor de efecto de campo de unión
(JFET) (por las siglas en inglés de, Junction Field Elfect Transistor) y el transistor de efecto de
campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) (por las siglas en inglés de Metal-Oxide-
Los doctores Jan Munro Ross y G. C. Semiconductor Field Elfect Transistor). La categoría MOSFET se desglosa después en los
Dacey desarrollaron juntos en 1955 tipos decremental e incremental, los mismos que describiremos. El transistor MOSFET se ha
un procedimiento experimental para convertido en uno de los dispositivos más importantes en el diseño y construcción de los cir-
medir las características de un
cuitos integrados para las computadoras digitales. Su estabilidad térmica y otras características
transistor de efecto de campo.
(Cortesía de AT&T Archives.) generales lo hacen muy popular en el diseño de circuitos para computadoras. Sin embargo,
como elemento discreto en un encapsulado típico de sombrero alto, se debe manipular con
Jan Munro Ross cuidado (tema que se analizará en una sección posterior)~
El doctor Ross nació en Una vez que se hayan presentado la construcción y las características del FET, los arreglos
Southport, Inglaterra
de polarización se cubrirán en el capítulo 6. El análisis que se desarrolló en el capítulo 4
PhD Gonville and
Caius College, utilizando' transistores BJT será muy útil para derivar las ecuaciones importantes y para el
Cambridge University entendimiento de los resultados obtenidos para los circuitos a FET.
Presidente emérito de
AT &T BeU Labs
Socio de IEEE,
Miembro de la
5.2 CONSTRUCCIÓN
National Science Board Y CARACTERÍSTICAS DE LOS JFET
Presidente del National
Advisory Committee Como se indicó anterionnente, el JFET es un dispositivo de treS terminales, con una tenninal
on Semiconductors
capaz de controlar la corriente de las otras dos. En el análisis del transistor BIT se utilizó el
G. C.Dacey transistor npn a través de la mayor parte de las secciones de análisis y diseño; también se
El doctor Dacey nació en dedicó sólo una sección al impacto del uso del transistor pnp. Para el transistor JFET, el dispo-
Chicago, lllinois sitivo de canal-n aparecerá como el dispositivo importante y se dedican párrafos y secciones al
PhD California Institute of impacto del uso de un JFET de canal-p.
Technology
Director de Solid State
La construcción básica del JFET de canal-n se muestra en la figura 5.2. Obsérvese que la
Electronics Research de mayor parte de la estructura es del material de tipo-n que forma el canal entre las capas interio-
Bell Labs res del material de tipo p. La parte superior del canal de tipo n se encuentra conectada por
Vicepresidente de medio de un contacto óhmico a la terminal referida como el drenaje (D), mientras que el
Investigación en Sandia extremo inferior del mismo material se conecta por medio de un contacto óhmico a una termi-
Corporation
Miembro de fRE, Tau Beta
nal referida como lafuente (S) (por su sigla en inglés, Source). Los dos materiales de tipo p se
Pi, Eta Kappa Nu encuentran conectados entre sí y también a una terminal de compuerta (G) (por la sigla en
inglés de, Gale). Por tanto, el drenaje y la fuente se hallan conectadas a los extremos del canal
de tipo n y la entrada a las dos capas de material tipo p. Durante la ausencia de cualesquiera
potenciales aplicados el JFET tiene dos uniones pon bajo condiciones sin polarización. El re-
sultado es una región de agotamiento en cada unión, como se muestra en la figura 5.2,la cual
se asemeja a la región de un diodo sin polarización. Recuerde también que la región de
agotamiento es aquella que no presenta portadores libres y es, por tanto, incapaz de soportar la
conducción a través de la región.
Cumpuerta(G)
0--'----1--1
Región de
Región de a!,'otamienlo
agotamiento
Hgura 5.2 Transistor de efecto de campo
ruentc. (5) de unión OFET).
En raras ocasiones son perfectas las analogías y a veces pueden causar confusiones; sin Fuente
embargo. la analogía del agua de la figura 5.3 proporciona cierto sentido sobre el control del
JFET a tI ~.vés de la terminal de compuerta y acerca de lo adecuado de la terminología aplicada
a las terminales del dispositivo. La fuente de la presión del agua se parece al voltaje aplicado
desde el drenaje a la fuente que establecerá un flujo de agua (electrones). a través de la llave
(fuente). La "compuerta", mediante una señal aplicada (potencial), controla el flujo de agua
Compuerta
ofFr
(carga) hacia el "drenaje". Las terminales del drenaje y de la fuente se encuentran en los extre-
mos opuestos del canal~n como en la figura 5.2 porque la terminología está definida para el
LDrenaje
flujo de electrones. figul1l 5.3 Analogía hídráulica
para el mecanismo de control del
VGS = O V, VDS algún valor positivo ¡FET.
En la figura 5 A se ha aplicado un voltaje positivo VDS a través del canal, y la entrada se conectó
directamente a la fuente con objeto de establecer la condición VGS = O V. El resultado es que la
compuerta y la fuente tienen el mismo potencial y una región de agotamiento en el extremo
inferior de cada material-p similar a la distribución de la condición de sin polarización de la
figura 5.2. En el instante en que se aplica el voltaje V DD (= VDS)' los electrones serán atraídos a
ia tenninal del drenaje, estableciéndose la corriente convencional ID con la dirección detlnida
de la figura 5A. La trayectoria del flujo de carga revela con claridad que las corrientes de
=
drenaje y fuente son equivalentes (lD 15), Bajo las condiciones que aparecen en la fIgura 5.4,
el flujo de carga se encuentra relativamente sin ninguna restricción y sólo lo limita la resisten~
cia del canal-n entre el drenaje y la fuente.
D Po +
Región de CanaJ-n
agotamiento 'N---~'-t'----,
SG.
figura 5.4 JFET en Ves'" OV Y
VDS>Ov.
+
D
Estrechamiento
JI) I
G
1 xivel de saturación
-(~ Vc,=OV +
1 Aumento de I~ resistencia debido al
estrechamH~nt\)
[
del canal
[
[
[
Re~lst<:ncia dd c,)l'.al-/1 s
o v,
Figura 5.6 ID en función VDS para Ves'" O V. Figura 5.7 Estrechamiento (Ves" OV, VDS'" Vp).
VGS<OV
El voltaje de la compuerta a la fuente denotado por V GS es el voltaje que controla al JFET. Así
como se establecieron varias curvas para JC en función de VCE para diferentes niveles de lB Y
para el transistor BJT. se pueden desarrollar curvas de ID en función de VDS para varios niveles
de Ves para el JFET. Para el dispositivo de canal-n el voltaje de control Ves se hace más y más
negativo a partir de su nivel Ves::: O V. Es decir, la terminal de la compuerta se hace a niveles
de potencial más y más bajos en comparación con la fuente.
En la figura 5.9 se aplica un voltaje negativo de -1 V entre las tenninales de la compuerta
y la fuente para un nivel bajo de VDS. El efecto del Ves aplicado de polaridad negativa es el de
establecer regiones de agotamiento similares a las que se obtuvieron con V GS = O V, pero a '
niveles menores de VDS' Por tanto, el resultado de aplicar una polarización negativa en la
compuerta es alcanzar un nivel de saturación a un nivel menor de VOS como se muestra en la fi-
=
gura 5.10 para VGS -1 V. El nivel resultante de saturación para ID se ha reducido y de hecho
continuará reduciéndose mientras Ves se hace todavía más negativo. Obsérvese también en la
figura 5.10 la manera en que el voltaje de estrechamiento continúa cayendo en una trayectoria
parabólica confomle VGS se hace más negativo. Eventualmente, cuando VGS= -Vp , Vas será lo
suficientemente negativo como para establecer un nivel de saturación que será en esencia OmA,
por otro lado. para todos los propósitos prácticos el dispositivo ha sido "apagado". En resumen:
G
Vos>ÜV
+
+
S~
o , 5 10 15 '0 15
FIgUra 5.10 Características del JFET de canal-n con loss '" 8 mAy Vp '" -4 V.
(5.1 )
Dispositivos de canal-p
El JFET de canal-p está construido exactamente de la misma manera que el dispositivo de
canal-n de la figura 5.2 con una inversión de los materiales tipo p y tipo n, como se muestra en
la figura 5.11.
ts
f
Figura 5.11. JFET de canal-p.
Las direcciones de corriente definidas están invertidas, como las polaridades reales para los
voltajes Ves y VDS' Para el dispositivo de canal-p, éste será estrechado mediante voltajes cre-
cientes positivos de la compuerta a la fuente, y la notación de doble subíndice para Vos' por
tanto, dará como resultado voltajes negativos para VDS sobre las características de la figura
5.12.la cual tiene una 1DSS de 6 mA y un voltaje de estrechamiento de Ves = +6 V. No se debe
confundir por el signo de menos para VD;' Éste simplemente indica que la fuente se encuentra
a un potencial mayor que el drenaje.
Figura 5.12 Características del JFET de canal-p con IDSS '" 6 mAy Vp '" +6 V.
Se observa en los niveles altos de VDS que las curvas suben repentinamente a niveles que
parecen ilimitados. El crecimiento vertical es una indicación de que ha sucedido una ruptura y
que la corriente a través del canal (en la misma dirección en que normalmente se encuentra)
ahora está limitada únicamente por el circuito externo. Aunque no aparece en la figura 5.10
para el dispositivo de canal-n, sucede para el canal-n cuando se aplica suficiente voltaje. Esta
región puede evitarse si el nivel de VDS m ." • de las hojas de especificaciones, y el diseño es tal,
que en nivel real de VDS es menor que el valor máximo para todos los valores de V cs'
D D
+ +
·h L
G G
VDS
+ +
vc,
S s
Figura 5.13 Símbolos del JFET: a)
¡,) (b) de canal-n; b) de canal-p.
Resumen
Una cantidad importante de parámetros y relaciones se presentaron en esta sección. Otros,
cuya referencia será frecuente en el análisis de este capítulo, así como en el siguiente para los
JFET de canal-n, se describen a continuación:
La corriente máxima se encuentra dejinida como 1DSS y ocurre c:lando Ves = O V Y
V DS ~ IV p I como se muestra en la jigura 5.14a ..
Para los voltajes de la compuerta a lafuente Ves menores que (más negativos que) el
nivel de estrechamiento, la corriente de drenaje es igual a OA (ID = OA), como
aparece en lajigura 5.14b.
Para todos los niveles de Ves entre O V Y el nivel de estrechamiento, la corriente ID se
encontrará en el rango entre IDSSY OA, respectivamente, como se encuentra en la
jigura 5.l4c.
Se puede desarrollar una lista similar para los jFET de canal-p.
D D
ves =- V ee
G
V ee
+
+
Vc,
1
S
I[)=O A VD!)
IVGGI~I vpl
(a) ¡b)
D <
OmA_ln</DSS
Figura 5.14 a) Vcs " OV.lD "
G IDSS ; b) corte (ID" O A) VGS es
menor que el nivel de
+ estrechamiento; e) ¡D se
encuentra entre OA ef.DSS
S
cuando VGS es menor o igual a O
V Y mayor que el nivel de
estrechamiento.
Ce)
En la ecuación (5.2) existe una relación lineal entre le e ¡ B" Si se duplica el nivel de 1H e le' se
incrementará también por un factor de 2.
Desafortunadamente. esta relación Ilneal no existe entre las cantidades de salida y de
entrada de un JFET. La relación entre ID Y Ves se encuentra definida por la ecuación de Shock/e)':
variable de control
)2
.. 0
~ -
¡?es (5.3)
ID IDSS
Vp
con stantes
I T
El ténnino cuadrático de la ecuación dará por resultado una relación no lineal entre ID Y Vcs' William Bradford Shockley (1910-
1989) coinventó el primer
produciendo una curva que crece exponencialmente con las magnitudes decrecientes de V cs'
transistor y formuló la teoría de
Para el análisis en dc que será desarrollado en el capítulo 6. un sistema gráfico más que "efecto de campo" que se utilizó
matemático será, en general, más directo y fáci1 de aplicarse. Sin embargo. la aproximación en el desarrollo de los
gráfica requerirá de una gráfica de la ecuación (5.3) con objeto de representar el dispositivo, y transistores y el FET. (Cortesía de
una gráfica de la ecuación de red que relacione las mismas variables. La solución está definida AT&T Archives).
por el punto de intersección de las dos curvas. Es importante considerar al aplicar la aproxima-
Shockley nació en Londres.
ción gráfica que las características del dispositivo no serán afectadas por la red en la cual se Inglaterra PhD Harvard. 1936
utilice el dispositivo. La ecuación de la red puede cambiar con la intersección de las dos cur- Director del Transistor Physics
vas, pero la curva de transferencia definida por la ecuación (5.3) permanece sin resu\tar afec- Department - BeU Laboratories
tada. Por tanto: Presidente de Shockley Transistor
Corp.
Las características de transferencia definidas por la ecuación de Shockley no Profesor Poniatoff de Enginnering
resultan afectadas por la red en la cual se utiliza el dispositivo. Science en Stanforc University
Premio Nobel en física en 1956
Se puede obtener la curva de transferencia utilizando la ecuación de Shockley o a partir de junto con los doctores Brattain y
las características de salida de la figura 5.lO. En la figura 5.l5 se proporcionan dos gráficas Bardeen
1010
9 9
-8 IDs~ __ - Ves=OV
11
Ves =-3 v
VU _\=---4 V
Figura 5.15 Obtención de la
5 10 15 20 25 curva de transferencia ·para las
características de drenaje.
- 0)2
e (5.4)
Ves) 2
ID = loss ( 1 - - -
Vp
=8mAI--- -l Y)'
( -4Y 8mA(1 - ~)' =8mA(0.75)2
= 8 mA(0.5625)
= 4.5 mA
como se muestra en la figura 5.15. Obsérvese el cuidado que se necesita tomar con los signos
negativos de Ves 'J Vp en los cálculos anteriores. La pérdida de un signo daría un resultado
totalmente erróneo.
Debe resultar obvio a partir de lo anterior que dados Vos s y Vp (como normalmente se
proporciona en las hojas de especificaciones) el nivel de ID se puede encontrar para cualquier
nivel de Vcs' Recíprocamente, utilizando álgebra básica se puede obtener [a partir de la ecuación
(5.3)] una ecuación para el nivel resultante de Ves para un nivel dado de ID. La derivación es
----:===----,
bastante directa y dará como re,:s.::ul:..:t"ad::.o=--_ _ _ _
Puede probarse la ecuación (5.6) si se localiza el nivel de Ves que dará por resultado una
corriente de drenaje de 4.5 mA para el dispositivo con las características de la figura 5.15.
_ 12)2 __
1DSsC0.5)2
Ves =V p 0 ~) I DSS
= Vp 0- ~ - - IDSsI2)
IDSS
= Vp(l - -{65) = Vp(0.293)
Ves ID
O lDSS
O.3Vp 1DSS/2
O.5Vp l/Jss/4
Ve DmA
Solución
Los dos puntos de la gráfica están definidos por
I DSS = 12 mA y
e ID = OmA y
En Ves = V p l2 =..{j V/2 =-3 V la corriente de drenaje está dada por ID =IDSs /4 = 12 mA/4=
= = =
3 mA. En ID I Dss /2 12 rnA/2 6 mA el voltaje de la compuerta a la fuente se encuentra
= =
determinado por Ves'" 0.3 Vp 0.3 (-6 V) -1.8 V. Los cuatro puntos están bien definidos
sobre la figura 5.1 f- ::on la curva de transferencia completa.
12ID =/DSS=12mA
11
9
S
7
6
5
4
3
2
\lGS = Vp =-6 V
"'"
-6 -5 -4 -3 -2 -1 O VGS
Figura 5.16 Curva de transferencia
para el ejemplo 5.1.
Para los dispositivos de canal-p, la ecuación (5.3) de Shockley puede todavía aplicarse
exactamente como aparece. En este caso, tanto Vp como VGS serán positivos, y la curva tendrá
la imagen en espejo de la curva de transferencia que se obtuvo para un dispositivo de canal-n
y los mismos valores limitantes.
Solución
En Ves = Vp l2 = 3 VI2 = 1.5 V,lD= I Dss l4 = 4mA14= l mA. En ID = IDssl2 = 4 mAI2 = 2 mA,
Ves = 0.3 Vp = 0.3 (3 V) = 0.9 V. Los dos puntos de la gráfica aparecen en la figura 5.17 junto
con los puntos definidos por medio de loss y Vp '
losS = 4 mA
Vp =3 V
Característica
CARACTERÍSTICAS "APAGADO"
CARACTERíSTICAS "ENCENDIDO"
Corriente de drenaje con voltaje de cero en la entrada"
(VDS = 15 Vde, Vos = O) 2N5457
(5.9)
Nótese la similitud en formato con la ecuación de disipación máxima de potencia para el tran-
sistor BJT.
El factor de pérdida de disipación se analiza con detalle en el capítulo 3, pero por el
momento reconocemos que el valor de 2.82 m W/oC revela que el valor de disipación decrece
en 2.82 mW por cada incremento en la temperatura de 1 oC arriba de 25 oC.
Características eléctrícas
Las características eléctricas incluyen el nivel de Vp en las CARACTERÍSTICAS DE APA-
GADO e lDSS en las CARACTERÍSTICAS DE ENCENDIDO. En este caso V p = VCs<,p"'do)
tiene un rango entre -0.5 a -6.0 e lDSS entre 1 y 5 roA. El hecho de que ambos tengan -una
variación de dispositivo a dispositivo del mismo tipo, se debe al proceso de fabricación. Las 2N2844
CÁPSULA 22-03. ESTILO 1:::
otras cantidades están definidas bajo las condiciones que aparecen entre paréntesis. Las carac-
To-n; (TQ-206AA)
terísticas de pequeña señal se discuten en el capítulo 9.
3 Drenaje
Construcción del encapsulado e identificación de terminales (encapsulado)
Este JFET en particular tiene la misma apariencia que proporciona la hoja de especificaciones
de la figura S .18. La identificación de las terminales también se proporciona directamente de-
bajo de la figura. Además los JFET se encuentran disponibles en encapsulado de "sombrero
com~o,:S
alto", como se muestra en la figura 5.19 con su identificación de tenninales. l Fuente
1/
1
\
\
5.5 INSTRUMENTACiÓN
Recuerde que, como se vio en el capítulo 3, hay instrumentos disponibles para medir el nivel
de f3dc para el transistor BJT. Una instrumentación similar no está disponible con objeto de
medir los niveles de I DSS y Vp . Sin embargo, el trazador de curvas presentado para el transistor
BJT puede también mostrar las características de drenaje del transistor JFET a través del ajuste
adecuado de varios controles. La escala vertical (en miliamperes) y la escala horizontal (en
volts) se han ajustado para mostrar las características completas, como se muestra en la figura
5.21. Para el JFET de la figura 5 .21. cada división vertical (en centímetros) refleja un cambio
de ¡-mA en le' mientras que cada división horizontal tiene un valor de ¡ V. El paso del voltaje
es de 500 mV/paso (0.5 V/paso), lo que revela que la curva superior se encuentra definida por
VGS == OV, Yque la siguiente curva hacia abajo -0.5 V para el dispositivo de canal-no Con el uso
del mismo paso de voltaje la siguiente curva es -1 V, luego -1.5 V, Y finalmente -2 V. Al
dibujar una línea a partir de la curva superior sobre el eje ID se puede estimar el nivel de I DSS de
cerca de 9 mA. El nivel de Vp se puede estimar si se observa el valor de Ves de la última curva
hacia abajo, pero tomando en cuenta la distancia más pequeña entre las curvas mientras VGS
se hace todavía más negativo. En este caso, V p es cierto que es más negativo que -2 V Yquizá
Vp se encuentre cercano a -2.5 V. Sin embargo, tenga en cuenta que las curvas VGS se contraen
muy rápidamente cuando se acercan a la condición de corte, por lo que quizá Vp == -3 V es una
ves= ov
/
i
I lI 1
j
,
¡f
IDSS=9mA
1 \
-~ Sensibilídad
Yt 1
,
i
!
!
!
I
!
i
vertical
ImA
por división
i". ¡
,
I
!
!
,
,
,
¿-
/
Sensibilidad
i !
\
!
I
1
, "" horizontal
IV
I
:
por división
/7
!
/
¡
.2
i j I I 500 rnV-
= -0.9 V) , por paso
'1.
(VGS
!
!
,
i
I " I
1---- L ____ ~--- .. f-- .._--_.- ---_..
-
1(, I
I
i
I
- -
I ,--
gm
~..
I
i
\
Ii 2m
-i 1
I
, • por división
_._.-..~_.- - - I
ImA{
di" V i
I
,
I
\ 1 i
I,
,
\
" i- VGS =-2V
'-,--' V p =-3 v
IV
t.1iv
Figura 5.21 Características de drenaje para el transistor JFET 2N4416 como se presenta en
un trazador de curvas.
ID = IDSS 1
~ VV)'
-
GS
p
= 9 mA f¡ _ -2 vV
~ -3 V!
_ 1 mA
como se fundamenta en la figura 5.21.
En Ves = -2.5 V la ecuación de Shockley dará por resultadoI D =0.25 mA, con Vp = -3 V,
lo cual revela con claridad cuan rápido las curvas se contraen cerca de Vp ' La importancia del
parámetro gm y la forma en que se determina a partir de las características de la figura 5.21 se
describen en el capítulo 8 cuando se examinen las condiciones de ac en pequeña señal.
JFET BJT
(5.10)
{::} le" lE
{::} VSE " 0.7 V
Construcción básica
La construcción básica del MOSFET de tipo decremental de canal-n se proporciona en la
figura 5.23. Una placa de material tipo p está formada a partir de una base de silicio y se le
conoce como substrato, que es la base sobre la que se construye el dispositivo. En algunos
casos el substrato se encuentra conectado interiormente con la teoninal de la fuente. Sin em-
bargo, muchos dispositivos discretos ofrecen una terminal adicional etiquetada SS, dando por
resultado un dispositivo de cuatro terminales, como el que aparece en la figura 5.23. Las termi-
nales de fuente y compuerta están conectadas por medio de contactos m~tálicos a las regiones
dopadas-n unidas por un canal-n como se muestra en la figura. La compuerta se encuentra
conectada también a una superficie de contacto metálico, pero permanece aislada del canal-n
por medio de una capa muy delgada de dióxido de silicio (Si0 2). El SiO, es un tipo particular
(Drenaje)
D
Canal-n
Substrato
Substrato
,P
Regiones
S
(Fuente) dopadas-n
Adicionalmente:
Se debe a la capa aislante de SiOl del MOSFET explica la alta impedancia, muy
deseable, de entrada del dispositivo.
o
, .. -----
ss +
_ - - - - - - - - - - Ve.;, = -1 \"
_ - - - - - - - - - - - Ves =-2-V
I'-_____________ \/c;s= V,.. =-3 V
2
-4V T
-5 V
-6 -5 --4 -3 -1 \1 O o I VD.'
Vp Vp 0.3 V p Ves =Vp =-6V
2
En la figura 5.26, VGS tiene un voltaje negativo tal como -1 V. El potencial negativo en la
entrada tenderá a presionar a los electrones hacia el substrato de tipo p (cargas similares se
repelen) y atrae huecos del substrato de tipo p (cargas opuestas se atraen) como se muestra en
la figura 5.26. Dependiendo de la magnitud de la polarización negativa que aplica V cs' sucede-
rá un nivel de recombinación entre los electrones y los huecos que reducirá el número de
electrones libres disponibles para la conducción en el canal-n. Mientras más negativa sea la
polarización, más alta será la tasa de recombinación. El nivel resultante de corriente de drenaje
es, por tanto, reducida con la polarización negativa creciente de VGS como se muestra en la
figura 5.25 para VGS = -1 V, -2 V, Y así sucesivamente, hasta el nivel de estrechamiento de
-6 V. Los niveles resultantes de corriente de drenaje y la gráfica de la curva de transferencia se
conduce exactamente igual a la descrita para el JFET.
Proceso de
recombinaci6n
G~---i
Substrato de
material-p
+) Huecos atraídos a!
potencia! negativo
Contacto en la compuerta
metálico +
FIgUra 5_26 Reducción de
portadores libres en el canal
Electrones repelidos por
el potencial negativo en debido a un potencial negativo
la compuerta en la terminal de la compuerta.
Para los valores positivos de VGS la entrada positiva atraerá electrones adicionales (porta-
dores libres) desde el substrato de tipo p debido a la corriente de fuga inversa, y creará nuevos
portadores mediante la colisión resultante entre las partículas en aceleración. Mientras el vol-
taje compuerta-fuente sigue aumentando en la dirección positiva, la figura 5.25 indica que la
corriente de drenaje se incrementará de manera acelerada debido a las razones listadas arriba.
Trace las características de transferencia para un MOSFET de tipo decremental de canal-n con EJEMPLO 53
IDss ~ !O mAy Vp = -4 V.
Solución
En VGS = OV. ID = IDSS = lOmA
VGS = V =-4 V.
p ID ~ OmA
Vp -4V IDSS lOmA
VGS =
2
~
2
= -2 V, ID =
4
~
4
= 2.5 mA
17
IDSS 16
yen ID =
2
VGS ~ O.3Vp = 0.3(-4 V) = -1.2 V
15
14
todas las cuales aparecen en la figura 5.27.
Antes de graficar la región positiva de V Gs ' se debe tener en cuenta que ID aumenta con
mucha rapidez con los valores mayores de V cs' En otras palabras, se tiene que ser conservador
con la selección de los valores que deben sustituirse en la ecuación de Shockley. En este caso
se intentará + 1 V de la siguiente manera:
(, +IV\' ,
~ !O mA~ - -4 V) = 10 mA(l + 0.25)' ~ !O mA(1.5625) I DSS :
1
2 1
4 1
'" 15.63 mA 1
3
IDSS :
-1
la cual es lo suficientemente alta como para terminar la gráfica. 2 4 1
1
1
-3 -2 -1 O +1 Yc;s
MOSFET de tipo decremental de canal-p v, 11:
LO.3V,
2
La construcción de un MOSFET de tipo decremental de canal-p es exactamente el inverso del que
aparece en la fIgura 5.23. Esto es. ahora existe un substrato de tipo n y un canal de tipo p, como lo figura 5.27 Características de
muestra la figura 5.28a. Las teITfÚnales permanecen como se encuentran identificadas, pero todas transferencia para un MOSFET de
las polaridades de los voltajes y las direcciones de las comentes están invertidas, como 10 ilustra la tipo decremental de canaJ~n con
misma figura. Las características de drenaje podrian aparecer iguales que en la figura 5.25, pero ~)SS:. 10 mAy V p = -4 V.
9
8
____-----------~S=-l V
D
7
6 ~----------.,--- Ves;::: O V
5
4 __------------------ves =+\ V
G 0--_1,
+ n ss 3
2
. . .----------------ves = +2 V
'f~--------------_VGS = +3 V
Ves =+4 V
Ves =+5 V
-1 O 2 3 4 5 6 Ves O
Vp Ves = Vp = +6 y
-6
S (,) (b) (e)
con valores negativos de VDS' ID positiva como se indica (debido a que la dirección definida
ahora está invertida) y V GS con las polaridades opuestas como se muestra en la figura 5.28c. La
inversión en Ves traerá como resultado una imagen de espejo (con respecto al eje ID) para las
características de transferencia como lo muestra la figura 5.28b. En otras palabras, la corriente
=
de drenaje aumenta desde el corte en VGS Vp en la región positiva de Ves a 1DSS' y después
c~mt.inúa su crecimiento para valores negativos mayores de V GS. La ecuación de Shockley
todavía se aplica. pero necesita sólo colocar el signo correcto tanto para V GS como para V p en
la ecuación.
2N3797
/t~~."
VALORES NOMISALES MÁXIMOS
Clasificación Símbolo Valor t;nidad
Voltaje drenaje·fuente Vos Vd,
2N3797 20
Vahaje comput'rta-fucme V GS ±JO Vdc
Corriente del drenaje 1, 20 mAdc 2 I ,,"'"OC I
Disipación total del dispositivo @ TA = 25 "C P, 200 mW
Pérdida de disipación arriba de 25 oc 1.14 mW¡OC
MOSFET DE AUDIO DE BAJA
POTENCIA- - - - - I!
Rango de temperatura de la unión T; +175 oC
Rango de almacenamiento de temperatura dd Lanal T,t~ -6S a +200 oC CANAL-~-AGOTAM~
CARACTERíSTICAS ELÉCTRICAS (T.. = 25 uc a meno~ que se especifique lo contrario)
I
I
(VDS = 10 V, Ves = +35 V)
2N3797 9.0 14 18
- SliNAL
CARACTERÍSTICAS EN PEQUENA
-
CARACTERISTICAS FUNCIONALES
Datos 'del ruido dB
(Vos = 10 V. Vos =0, f = 1.0 kHz. Rs = 3 megohms)
(1) Es[e valor en I~ corriente incluye tallto Ja COlTiente de fuga del FET como la corriente de fuga a,ociada con el contacto de prueba y sus conexiones cuando se mide bajo la, mejores
condIcione, alcanzildas.
Construcción básica
La construcción básica del MOSFET de tipo incremental de canal-n se ofrece en la figura 5.31.
Una placa de material tipo p se fonna a partir de una base de silicio y una vez más se le Conoce
como substrato. De la misma forma que con el MOSFET de tipo decremental, el substrato
algunas veces se conecta a la tenninal de la fuente, mientras que en otros casos hay disponible
una cuarta tenninal para el control externo de su nivel de potencial. Las terminales de la fuente
y drenaje se conectan una vez más por medio de contactos metálicos a regiones dopadas n,
pero se observa en la figura 5.31 la ausencia de un canal entre las dos regiones dopadas n. Esta
es la diferencia primaria entre la construcción de los MOSFET de tipo decremental y los de
tipo incremental: la ausencia de un canal como un componente construido del dispositivo. La
capa de SiO, aún está presente para aislar la plataforma metálica de la compuerta de la región
entre el drenaje y la fuente, pero ahora está simplemente separada de una sección de material
de tipo p. Por tanto, la construcción de Un MOSFET de tipo incremental es bastante similar
a la de un MOSFET de tipo decremental, excepto por la ausencia de un canal entre las terminales
del drenaje y la fuente.
Región
dopada-n
Sin canal
Contactos
metálicos
Substrato
G SS
Región
S dopada-n
ss +
(5.11)
Estrechamiento (principio)
Reg.ión de ag.otamiento
Substrato
tipop
(5.12)
Por tanto. es obvio que para un valor fijo de VT' mientras mayor sea el nivel de V cs' mayor será
el nivel de saturación para Vos' como se muestra en la figura 5.33 por la localización de los
niveles de saturación.
II
10
9
7f-
6
5
~__---------------------------- Vos=+6V
4
o 5 V, 10 V 15 V ~ov 25V~
6V
(5.13)
Una vez más, es el término cuadrático que resulta de la relación no lineal (curva) entre ID y
VGs ' El término k es una constante que, a su vez, es una función de la fabricación del disposi-
tivo. El valor de k se puede calcular a partir de la siguiente ecuación [derivada de la ecuación
(5.13)] donde ID(encendido) y Ves(f':nccn(itr:U) son los valores de cada uno en un punto en particular
sobre las características del dispositivo.
k = ____~ID~(~'"~C~en~d~id~O~)____ (5.14)
(VGS(encendido) - VT)2
lOmA 10 mA 10 mA
k = ----=--=
(8 Y - 2 Y)' (6 Y)2 36 y,
= 0.278 X 1()-3 AN2
y una ecuación general para ID para las características de la figura 5.34 da por resultado:
1[)(mA) ID (mA)
10 '10
9 9
8 8
--------7
•
7 \les=+7V
6 6
5 5
4 4
3 ---- _._--_._- 3
2 2
Ves =+4V
-------- Ves = +3 V
o 2
VT
3 4 5 6 7 8 VG; o 5 10 15 20 25\ vC,\,
v es =VT =2V
4 V)2
6 6
5 5
4 4
3 3
2 2
O 2 3 4 5 6 7 8 Ve; O 2 3 4 5 6 7 8 Ves
\/T V,
(a) (b)
l{)=(mAl
8
7
6
3
4
"
2
O 2 3 4 5 6 7 8 Ves
V,
(e)
y se obtiene un punto en el plano, como se muestra en la figura 5 .36b. Por último se eligen
niveles adicionales de V GS y se obtienen los niveles resultantes de ID' En particular, para
=
Ves 6 V, 7 V Y 8 Vel nivel de ID es 2 mA, 4.5 mA y 8 mA respectivamente, como se
muestra en el diagrama resultante de la figura 5.36 c.
8 8
D
7 7
6 6
5 5
___- - - - - - - - - - Ves = -5 V
4 4
n -o SS 3 3
2 2
-5 -4 -3 -2 -1 O Vas O
+ VT
D
(a) (b) (e)
Figura 5.37 MOSFET de tipo incremental de canal-p con VT : 2 Vy k = 0.5 x 10--3 AjV2.
canal-n canal-p
JD JD s
G~1 G~1
ss
s s
JD JD
G~9s G~9s Figura 5.38 Símbolos para
a) MOSFET de tipo incremental
de canal-n, y b) MOSFET de tipo
(,) (b) incremental de canal-p.
CARACTERISTICAS "ENCENDIDO"
CARACTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN
=
Ves = 10 V. ID 3 mA. Los niveles que se dieron de VGS(Th), 1D(encendido)' y VeS(enccndido) permi-
ten determinar k a partir de la ecuación (5.14) y escribir la ecuación general para las caracterís-
ticas de transferencia. En la sección 5,9 se revisan los requerimientos de manejo de los MOSFET.
Solución
¡D(mA)
o 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 J4 15 Ves
5.10 VMOS
Una de las desventajas del MOSFET típico consiste en los reducidos niveles de manejo de
potencia (por lo general, menos de 1 W) comparado con los transistores BJT. Se puede superar
esta carencia de un disposítivo con tantas características positivas mediante un cambio en la
forma de construirlo de una naturaleza planar como la que se muestra en la figura 5.23, a una
con una estructura vertical como la que se señala en la figura 5.42. Todos los elementos del
MOSFET planar están presentes en el FET vertical de metal-óxido-silicio (VMOS) (por las ini-
ciales en inglés de Vertical Metal~Oxide-Silicon), la conexión de la superficie metálica a las
terminales del dispositivo, la capa de Si0 2 entre la compuerta y la región de tipo p que se
encuentra entre el drenaje y la fuente con el objeto de crear el canal-n inducido (operación en
Terminales de la fuente
conectadas de forma externa
Longitud efectiva
del canal
n+ n+(substrato)
5.11 CMOS
Puede establecerse un circuito lógico muy efectivo al construir un MOSFET de canal-p y de
canal-n sobre el mismo substrato, como se muestra en la figura 5.43. Se observa a la izquierda
el canal-p inducido y a la derecha el canal-n inducido, para los dispositivos de canal-p y de
canal-n, respectivamente. La configuración que se conoce como un arreglo complementario
de MOSFET, y se abrevia CMOS, tiene extensas aplicaciones en el diseño de lógica de compu-
tación. La impedancia de entrada relativamente alta, las rápidas velocidades de conmutación,
y los bajos niveles de potencia de operación de la configuración CMOS dan por resultado una
disciplina totalmente nueva que se le llama diseño lógico CMOS.
v,
\.. "encendido"
'----v
MOSFET de canal-p
'-.. _-v
,. encendido"
MOSFET de canal-n
p
Substrato de típo n
Como muestra la figura 5.44. un inversor es un arreglo complementario de uso muy efec-
tivo. De l~ misma mai.1era que se presentó para los transistores de conmutación, un inversor es
un elemento lógico que "invierte" la señal aplicada. Esto es, si los niveles lógicos de operación
son O V (estado O) y 5 V (estado 1), un nivel de entrada de O V dará por resultado un nivel de 5 V
Y viceversa. Se absenta en la figura 5.44 que ambas entradas están conectadas a la señal de
entrada y los dos drenajes a la salida VO ' La fuente del MOSFET de canal-p (Q,) está conectada
directamente al voltaje aplicado Vss ' mientras que la fuente del MOSFET de canal-n (Q,) está
conectada a tierra. Para los niveles lógicos definidos arriba, la aplicación de 5 V en la entrada
deben dar por resultado una salida aproximada de O V. Con 5 Ven Vi (respecto a la tierra). V GS,
= Vi Y Q, está "encendido", dando por resultado una resistencia muy baja entre el drenaje y la
fuente, como se muestra en la figura 5.45. Ya que Vi y Vss están en 5 Y, Ves, = O V, lo cual es
menor que el VT necesario para el dispositivo y da por resultado un estado "apagado". El nivel
de resistencia resultante entre el drenaje y la fuente es muy alto para Q2' como se muestra en la
figura 5 AS. Una aplicación simple de la regla del divisor de voltaje indicará que V u se en-
cuentra muy cerca de O V o en el estado O. estableciendo el proceso de inversión deseado. Para
=
un voltaje aplicado Vi de O V (estado O). Ves. O V Y Q, estará apagado con Vss , -5 V. =
encendiendo el MOSFET de canal-p. El resultado consiste en que Q, presentará un 'pequeño
nivel de resistencia y Q¡ una gran resistencia y Vo == Vss = 5 V (el estado 1). Debido a que la
corriente de drenaje que fluye en cada caso está limitada por el transistor "apagado" en el valor
de fuga, la potencia que disipa el dispositivo en cada caso es muy bajo. En el capítulo 17 se
presentan más comentarios sobre la aplicación de lógica eMOS.
V
GS
,_t V
;s=5V
+ ~ MOSFET
de canal-p
Q,
Q} apagado
oVu=OV R]VSS
V" = - - == O V (estado O)
+ (estado O)
R] + R~
Q] encendido
5V I MOSFET
(estado 1) L-~"""1 de cana!-n
+ Q,
Ves, -
... Figura 5.45 Niveles relativos de resistencia para
Figura 5.44 Inversor CMOS. VI'" 5 V (estado 1).
JFET
(canal-n) ID
1DSS
IG=OA,ID=ls
~:
'oss
I Dss .
- --2 R¡> 100 Mil
C;, (1 - 10) pF
vp I loss
-f--
I 4
I
:
(
V 2 vp V, 0.3 vp O
lo=IDSS 1-~eJ Ves
T
MOSFET
tipo decremental
(canal-n) lo=OA.ID =ls
rD
)
~~:
f Ri> lOlOQ
DSS
I DSS , C,: (1 - 10) pF
/
Vp I
I
I
I
I
I
(
ID=IDSsl-VpeJ
V ' I
V, O Ves Ves
MOSFET ID
tipo incremental Ic=OA./D=Is
,._--}:
(canal·n) I
u
G 9JDVT
S
I D(~~"dido)
VGS(=ndido)
--------
I
R, > 10 1O .Q
C,: (1 - 10) pF
I
ID = k(Ves - Ves (n? :
/ D(cncend,do) O
k= V GS(Th) V GSlcnccndldo) Ves
(VGS(.ncendido) - VGS(Th?
Para PSpice se debe utilizar un formato específico para introducir los parámetros JFET de
manera adecuada. El formato para un dispositivo de canal-p o n es el siguiente:
JI 3 4 JN
El formato es muy similar al que se usa para el transistor BJT. El nombre consiste de la
literal J, que es un designador para JFET, junto con el número l. Los nodos a los cuales se
conectan las terminales están listados en el orden en que aparecen en el ejemplo anterior. Por
último, se debe introducir el nombre del modelo con objeto de proporcionar una ubicación que
definirá los parámetros del JFET.
El siguiente es el formato para la descripción del. modelo:
El .MODEL requerido es seguido por el nombre del modelo como se listó en la instrucción
anterior. NJF especifica que se trata de un JFET de canal-n, mientras que PJF explicaría un
JFET de canal-p. Se puede especificar una selección de hasta 14 parámetros. Sin embargo,
para estos propósitos será suficiente especificar VTO y BETA. VTO es el voltaje de umbral
que se especifica normalmente como Vp- BETA no es la f3 definida para los transistores BJT
sino la que se determina en la siguiente ecuación:
(5.15)
Por ejemplo, si Vp = -4 V e 1DSS = 8 mA, se generarán los valores ')ue aparecen en la instruc-
ción anterior del modelo. Esto es. VTO =-4 Vy BETA =IDss/1 Vp l' = 8 mAl (4V)' =8 mAl
16 V' = 0.5 X 10-3 AN'.
Ambas instrucciones aparecerán en un análisis de PSpice que se desarrollará en el capítu-
lo 6 en una configuración de divisor de voltaje. Se debe empezar a reconocer la similitud de las
instrucciones utilizadas para tener acceso a los parámetros a la red. Continúan las similitudes
para una amplia variedad de dispositivos, lo cual permite un ajuste relativamente fácil al aná-
lisis de las redes que contienen una gran variedad de elementos.
9 1/
8'
1 -IV
7
I
6
1/ I
5 2V f--
4
_1
3 , -3V
2 ,
I 4V
I
SV ;;6 v
O 5 10 15 20 25 VDS (V)
§ 5.5 Instrumentación
18. Con el uso de las características de la figura 5.21, determine ID cuando Ves = --0.7 V Y VDS = 10 V.
19. Al referirse a la figura 5.21, ¿se encuentran los valores de estrechamiento definidos por la región
VDS < IVpl =3V?
20. Determine V p para las características de la figura 5.21 utilizando loss e ID en algún valor de VGS'
Esto es. sólo sustituya en la ecuación de Shockley y resuelva para Vp- Compare el resultado con el
valor supuesto de -3 V de las características.
Problemas 253
21. Utilizando IDSS = 9 rnAy Vp =-3 V para las características de la figura5.21, calcule lo cuando Ves =
-1 V usando la ecuación de Shockley y compárela con el nivel que aparece en la figura 5.21.
22. a) Calcule la resistencia asociada con el JFET de la figura 5.21a para V GS = O V desde ID = O rnA
hasta 4 mA.
b) Repita el inciso a para Ves = -0.5 V desde lo = O mA hasta 3 mA.
c) Al asignar el nombre ru al resultado del inciso a y rd al resultado del inciso b, utilice la
ecuación (5.1) para determinar r d y compárelo con el resultado del inciso b.
25
20
,1
o 5 10
38. ¿Aumenta la corriente de un MOSFET de tipo incremental en la misma proporción que un MOSFET
de tipo decremental en la región de conducción? Revise con cuidado el fonnato general de las
ecuaciones, y si sus conocimientos en matemáticas abarcan el cálculo diferencial, calcule dIDI
dVesY compare sus magnitudes.
39. Trace las características de transferencia de un MOSFET de tipo incremental de canal-p si Vr =
-5 V Y k = 0.45 X 10-3 AN2
40. Dibuje la curva de ID = 0.5 X 10-3 (\12 es) elD = 0.5 x 10- 3 (Ves -4)2 para Ves desde O a 10 V. ¿Tiene
un impacto significativo VT = 4 V sobre el nivel de ID en esta región?
§ 5.10 VMOS
41. a) Describa con sus propias palabras por qué el FET VMOS resiste unos valores mayores de
corriente y potencia que la técnica estándar de constrUcción.
b) ¿Por qué los FET VMOS tienen niveles reducidos de resistencia del canal?
c) ¿Por qué se desea un coeficiente positivo de temperatura?
§ 5.n CMOS
* 42. a) Describa con sus propias palabras la operación de la red de la figura 5.44 con Vi::; OV.
b) Si el MOSFET "encendido" de la figura 5.44 (con Vi::; O V) tiene una corriente de drenaje de
4 mA con VDS::; 0.1 V, ¿cuál es el nivel aprox.imado de resistencia del dispositivo? Si lo::;
0.5 pA para el transistor "apagado", ¿cuál es la resistencia aproximada del dispositivo? ¿Su-
gieren los niveles de resistencia que sucederá el nivel deseado de voltaje de salida?
43. Investigue en su biblioteca escolar la lógica eMOS y describa el rango de operaciones y de venta-
jas básicas de esta tecnología.
Problemas 255
CAPÍTULO
6.1 INTRODUCCIÓN
En el capítulo 5 se estudió que para una configuración de transistor de silicio se pueden obte-
ner los niveles de polarización al utilizar las ecuaciones características VBE = 0.7 V, le = f3'B e
le ::= lEo La relación entre las variables de entrada y de salida la proporciona /3. la cual asumió
una magnitud fija para el análisis que se llevó a cabo. El hecho de que beta sea una constante
establece una relación lineal entre le e lB. El duplicar el valor de lB duplicará el nivel de le y
así sucesivamente.
Para el transistor de efecto de campo la relación entre las cantidades de entrada y de salida
es no lineal, debido al término cuadrático en la ecuación de Shockley. Las relaciones lineales
resultan en líneas rectas cuando se dibujan en una gráfica de una variable en función de la otra,
mientras que las relaciones no lineales dan por resultado curvas como las que se obtuvieron
para las características de transferencia de un JFET. La relación no lineal entre ID Y VGS puede
complicar el método matemático del análisis de dc de las configuraciones a FET. Una solución
gráfica limita las soluciones a una precisión de décimas, pero resulta un método más rápido
para la mayoría de los amplificadores. Debido a que el sistema gráfico es por lo general el más
común, el análisis de este capítulo tendrá una orientación más gráfica en vez de técnicas mate-
máticas directas.
Otra diferencia distintiva entre el análisis de los transistores BIT y FET es que la variable
de entrada que controla un transistor BJT es el nivel de la corriente, mientras que para el FET
la variable de control es un voltaje. Sin embargo, en ambos casos la variable de salida contro-
lada es un nivel de corriente que también define los niveles importantes de voltaje del circuito
de salida.
Las relaciones generales que pueden aplicarse al análisis en dc de todos los amplificadores
a FET son
(6.1)
(6.2)
(6.3)
256
Para los MOSFET de tipo incremental puede aplicarse la siguiente ecuación:
(6.4)
Es particularmente importante observar que todas las ecuaciones anteriores son ¡ sólo para
el dispositivo.' Éstas no cambian con cada configuración de red. siempre y cuando el dispositi-
vo se encuentre en la región activa. La red sólo define el nivel de corriente y el voltaje asociado
con el punto de operación por medio de su propio conjunto de ecuaciones. En realidad, la
solución de las redes de BJT y de FET es la solución de ecuaciones simultáneas establecidas
por el dispositivo y la red. La solución puede determinarse con el uso de un método matemáti-
co o gráfico, hecho que se demostrará en las primeras redes a analizar. Como se mencionó
anteriormente, el método gráfico es el más popular para las redes FET y es el que utilizamos en
este libro.
Las primeras secciones de este capitulo están limitadas a los JFET y al sistema gráfico con
objeto de analizarlos. El MOSFET de tipo decremental se examinará después con su rango
aumentado de puntos de operación seguido por el MOSFET de tipo incremental. Finalmente,
se investigarán los problemas de diseño para probar los conceptos y procedimientos presenta-
dos en el capítulo.
le ;o OA
y VR , = leRe = (OA)R e = OV
La caída de cero volts a través de Re permite reemplazar VG por un corto circuito equivalente,
como el que aparece en la red de la figura 6.2 redibujado de manera específica para el análisis
en de.
V DD
RD
D+
D
I;"-----lf----o v;, G
G C, +
v, o------l V GS - s -
C, l' -.L
cc
+
--~ ~,
i
'='
V
ee
1'=' Figura 6.1 Configuración de polarización fija.
257
El hecho de que la tenninal negativa de la batería esté conectada en fonna directa al
potencial positivo definido VGS refleja bien que la polarización de VGS está colocada de manera
opuesta y directamente a la de VGG' Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección de
las manecillas del reloj en la malla indicada en la figura 6.2 se tiene
- VGG - VGS = O
y (6.5)
Debido a que VGG es una fuente fija de de, el voltaje VGS es de una magnitud fija, lo que da por
resultado la notación "configuración de polarización fija".
Ahora, el nivel resultante de corriente de drenaje ID lo controla la ecuación de Shockley:
Ya que VGS resulta una cantidad fija para esta configuración, su magnitud y signo pueden
sustituirse con facilidad en la ecuación de Shockley, además de calcular el nivel resultante de
VD' Este es uno de los pocos casos en que una solución matemática es muy directa para una
configuración a FET.
En la figura 6.3 se muestra un análisis gráfico que hubiera requerido una gráfica de la
ecuación de Shockley. Es importante recordar que la elección de VGS = Vp /2 dará por resulta-
do una corriente de drenaje de 1DSS /4 cuando se grafique la ecuación. Para el análisis de este
capítulo serán suficientes los tres puntos definidos por 1DSS' VP Yla intersección recién descrita
con objeto de graficar la curva.
Red ...........
Punto Q -.............
(solución)
Miliamperímetro ID
Q \'CSQ
f~ I
+ -
Voltímetm
S
~'" de prueba negm
El voltaje del drenaje a la fuente de la sección de salida puede calcularse si se aplica la ley
de voltaje de Kirchhoff de la siguiente manera:
y (6,6)
Recuerde que los voltajes de un sOlO subíndice se refieren al voltaje en un punto respecto a la
tierra. Para la configuración de la figura 6.2.
(6,7)
VDS = VD Vs
o VD = VDS + Vs = VDS +OY
Y VD = VDS (6,8)
Además, Ves = Ve Vs
o Ve = VGS + Vs Ves + O Y
Y Ve = Ves (6,9)
El hecho de que VD = VDS Yque Ve = Ves parece obvio a partir del hecho de que Vs = O Y,
pero también se incluyeron las derivaciones anteriores con objeto de enfatizar la relación que
existe' entre la notación de doble subíndice y de un solo subíndice. Ya que la configuración
necesit~,,\e dos fuentes de dc, su empleo está limitado, y no podrá incluirse en la siguiente lista
de configuI:~ciones FET más comunes.
G Ios s = lOmA
+ Vp =-8V
Ves S
IMn
2V
+
.". FIgura 6.6 Ejemplo 6.1.
Solución
Método matemático:
a) Vcs ~ -VGG ~ -2V
Q
v),
~
-2
10 mA 1 - - -
-8 V
~ 10 mA(l - 0.25)' ~ 10 mA(0.75)' ~ 10 mA(0.5625)
~ 5.625mA
e) VDS ~ VDD - IrJl.D ~ 16 V - (5.625 mA)(2 kQ)
~ 16 V - 11.25 V ~ 4.75 V
d) VD ~ VDS ~ 4.75V
e) VG ~ VGS ~ -2 V
f) Vs ~ OV
[DSS= lOmA
9
8
7
6
- - ~ ID =5.6mA
5 Q
3 lDss=2.5mA
------"-
2 4
-8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 o
Vp Figura 6.7 Solución gráfica para
- =-4V
2 la red de la figura 6.6.
b) ID = 5.6mA
c) Vo~ = VOIJ - IdlD 16 V - (5.6 mA)(2 kQ)
= 16 V - 11.2 V = 4.8 V
d) VD VDS = 4.8 V
e) Ve = Ves = -2 V
f) Vs OV
Los resultados confinnan con claridad el hecho de que los sistemas matemático y gráfico
generan sol~cjgl}~S_ muy cercanas.
v, o----}r--~--o---..
c,
Para el análisis en de los capacitares pueden reemplazarse una vez más por "circuitos
abiertos", y el resistor Re puede cambiarse por un corto circuito equivalente dado que le = OA.
El resultado es la red de la figura 6.9 para el análisis en dc.
La corriente a través de Rs es la corriente de la fuente Is' pero Is = ID Y D
e
+
Para el lazo cerrado que se indicó en la figura 6.9 se tiene que
n
vc,
s
-Ves - VR ; =0 +
y v,; Rs
Ves = -VRs
o (6.10)
En este caso podemos ver que Ves es una función de la corriente de salida ID' Y no fija en Agura 6.9 Análisis en de de la
magnitud, como ocurrió para la configuración de polarización fija. configura.ción de a.utopo\ari2.ación.
ID = IDss(1 _ ~sj 2 •
( -Irfis)2
= 1DSS~ - ----v;:-
o
Al desarrollar el ténnino cuadrático que se indica y al reorganizar los términos. puede lograrse
una ecuación de la siguiente fanna:
IJ) + K/ D + K 2 = O
Puede resolverse la ecuación cuadrática para la solución adecuada de ID'
La secuencia anterior define el método matemático. El método gráfico requiere que pri-
mero se establezcan las características de transferencia del dispositivo como se muestra en la
figura 6.10. Debido a que la ecuación (6.10) define una línea recta en la misma gráfica, prime-
ro se identifican dos puntos sobre la gráfica que se localizan sobre la línea y simplemente se
dibuja una línea recta entre ambos puntos. La condición más obvia de aplicación es ID = O A,
ya·que da por resultado VGS = -Irfis = (O A)Rs = O V. Por tanto. para la ecuación (6.10) se
define un punto sobre la línea recta mediante ID = OAy VGS= O V, tal como aparece en la figura 6.10.
loss
4
/ VGS=OV,ID=OA(VGs=-lrfis)
__ ~~-L~L-~~ _ __
Vp Vp O \lGS f"lgura 6.10 Definición de un punto
2 sobre la recta de autopolarización.
luego -1 R = _ IDs!?s
/Y'S 2
El resultado es un segundo punto con el objeto de dibujar la línea recta como se muestra en la
figura 6.11. Luego se dibuja la línea recta por medio de la ecuación (6.10) y se obtiene el punto
loss
2
o
Figura 6.11 Trazo de la recta de
autopolarización.
estable en la intersección de la línea recta y la curva característica del dispositivo. Los valores esta-
bles de ID Y de V GS pueden determinarse y utilizarse para encontrar las otras cantidades de
interés.
Puede calcularse el valor de VDS si aplicamos la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de
salida, lo que da por resultado
pero
y (6.11)
Además:
(6.12)
(6.13)
y (6.14)
1M!>
ID (mA)
/ I D =8 mA, Ves =-8 V
~--"----
8
7
. ID"" 4 mA,Ves :::-4 V
Red- / :
4
3
2
VGS = -2,6V
Q
ID (mA)
8
7
5
4
3
I DQ = 2.6mA
2
figura 6.14 Trazo de las características del Figura 6.15 Cálculo del punto Q para la red de
dispositivo para el lFET de la figura 6.12. la figura 6.12.
ID = 2.6 mA
o
!
e) La ecuación (6.11): VDS = VDD - ID(R s + RD)
= 20 V (2.6 mA)( 1 kQ + 3.3 kQ)
20 V 11.18 V
= 8.82 V
d) La ecuación (6.12): Vs = Irfls
(2.6 mA)(l kQ)
= 2.6V
e) La ecuación (6.13): Ve = OV
f) La ecuación (6.14): VD = VDS + Vs = 8.82V + 2.6V = 11.42V
o VD VDD - IDR D = 20 V - (2.6 mA)(3.3 kQ) 11.42 V
Solución
Obsérvese la figura 6.16.
t 'n (mA)
Rs =100Q
J D = 4 mA. Ves == -0.4 V Punto Q
5
4
3
Punto Q
-6 -5 -4 -3 -2 -1 o Ves (V)
Ves(J=-4.6 V Figura 6.16 Ejemplo 6.3.
a) En el eje de ID.
IDQ =6.4mA
De la ecuación (6.10).
b) En el eje de Ves.
VesQ =-4.6V
De la ecuación (6.10).
ID
Q
=0.46 mA
Podemos observar cómo los niveles más bajos de Rs acercan la recta de carga de la red
hacia el eje JD' mientras que los niveles más altos de Rs acercan la recta de carga de la red hacia
el eje Ves'
\>-----1(,---0 v,
II
10
4../ D "3.8mA
3 Q
como se muestra en la figura 6.19. Al utilizar el punto de operación de la figura 6.19 se obtiene
vGS Q
'" -2.6V
b) De la figura 6.19.
ID Q '" 3.8mA
c) VD = VDD - IrJiD
= 12 V - (3.8 mA)(1.5 kQ) = 12V - 5.7V
= 6.3V
d) Ve = OV
e) Vs = Irl's = (3.8 mA)(680 Q)
= 2.58 V
f) VDS = VD - Vs
= 6.3 V - 2.58 V
= 3.72 V
Ro
VDO
ro VDD VDl)
RD
R, R, R,
v, o )
c,
(
C,
oVo
Ve
+
.. ... +
lCi,=.OA
+ t- Ve;
t lo
I,
0+
1
R, R, R, Ve;
R, VR, R,
C,
(6.15)
(6.16)
El resultado es una ecuación que todavía incluye las mismas dos variables que aparecen
en la ecuación de Shockley: V GS e f D' Las cantidades V G YRs están fijas por la construcción de
la red. La ecuación (6.16) es aún la ecuación para una línea recta, pero el origen ya no es un
punto de la recta. No es difícil el procedimiento para dibujar la ecuación (6.16) si se procede
como se indica a continuación. Debido a que cualquier línea recta requiere la definición de dos
puntos, primero está el hecho de que en cualquier punto a lo largo del eje horizontal de la
figura 6.22 la corriente ID = O mA. Entonces, si se selecciona JD para ser igual a. O mA, en
esencia se está estableciendo en algún lugar sobre el eje horizontal. Puede calcularse la locali-
zación exacta mediante la simple sustitución de ID = OroA en la ecuación (6.16) y encontrando
el valor resultante de Ves de la siguiente manera:
VGS = VG - f¡}?s
= Ve - (O mA)Rs
y (6.17)
El resultado especifica que siempre que se grafique la ecuación (6.16), en caso de haber selec-
cionado f D = O mA, el valor de VGS para el dibujo será de VG volts. El punto que se acaba de
determinar aparece en la figura 6.22.
I DSS
ID=OmA, vGs = vG
/'
-------4~---------+----------__~~---~
vp O +vo vos
Figura 6.22 Trazo de la ecuación de la red para la configuración mediante divisor de voltaje.
VGS = Ve - [Jis
OV = Ve - [Jis
e [D =Ve
-1 (6.18)
Rs vc;s=ov
El resultado especifica que las veces que se grafique la ecuación (6.16), siempre que VGS = O,
el nivel de [D está determinado por la ecuación (6.18). Esta intersección aparece también en la
figura 6.22.
Los dos puntos definidos arriba permiten dibujar una línea recta con objeto de representar
la ecuación (6.16). La intersección de la línea recta con la cunra de transferencia en la región a la
izquierda del eje vertical definirá el punto de operación y los niveles correspondientes de ID y
de Ves'
Debido a que la intersección sobre el eje vertical se calcula mediante ID = VG I Rs y VG está
fijo debido a la red de entrada, los valores mayores de Rs reducirán el nivel de la intersección
ID como se muestra en la figura 6.23. Parece muy obvio a partir de la figura 6.23 que:
Cuando aumentan los valores de R s dan por resullado valores menores eswbles de 1D'
así como valores más negativos de Vcs'
Una vez que se han calculado los valores estables de [D, Y de VGS Q ' el análisis restante de
la red puede desarrollarse de la manera usual. Esto es,
VDD
(6.22)
IR ,= [R ,=
R¡ + Rz
el V S'
dl VDS'
e) VDG " 2.4 kQ
>2.1 MQ
I~~F
,( o V;,
5 ~F l- Vp =--4V
270 k.Q
>1.5 kn =
r: 20 ~F
_L
Figura 6.24 Ejemplo 6.5.
Solución
(270 kQ)(l6 V)
2.1 MQ + 0.27 MQ
1.82 V
y VGS = VG - Irfls
= 1.82 V - [D(1.5 kQ)
ID=OmA:
VGS = +1.82 V
lo (mA)
8 (lDSS)
7
5
4
3
ID =2.4mA
2 Q
~ 10 = 1.21 mA(VGs = O V)
-4 -3 -2 -1 O 12 3
(Vp ) VGsQ =-1.8 V ve =1.82 V Figura 6.25 Cálculo del punto Q para la
(lo=OmA) red de la figura 6.24.
La recta de polarización que se obtuvo aparece en la figura 6.25 con los valores del punto de
operación
= 2.4mA
in'J
y Ves" = -1.8 V
b) VD = VDD - I¡fiD
= 16 V - (2A mA)(2. 4 kQ)
= 10.24 V
e) Vs = IDRs = (2A mA)(1.5 kQ)
3.6V
d) VDS VDD - ID(R D + Rs)
= 16 V - (2A mA)(2A kQ + 1.5 kQ)
6.64 V
o VDS VD - Vs 10.24 V - 3.6 V
= 6.64 V
e) Aunque raras veces se solicita, el voIta~e VDC puede determinarse así
VDe = VD - Ve
10.24 V - 1.82 V
= 8.42 V
~,lD
... Vos
S -Ves - [sRs + V ss = a
+ o Ves = Vss - [sRs
() R,~ 1.5 kQ
pero [s = 11)
y (6.23)
El resultado es una eCtlación muy similar en su formato a la ecuación (6.16) que puede
sobreponerse a las características de transferencia, empleando el mismo procedimiento de la
Figura 6.27 Cálculo de la ecuación ecuación (6.16). Para este ejemplo.
de la red para la configuración de la
figura 6.26.
Para Ves = a v,
a = lav - ID (1.5kQ)
lOV
e = 6.67mA
1.5kQ
Los puntos que se obtienen para la gráfica están identificados en la figura 6.28.
ID (mAl
9 (IDSS)
8
3
2
ID = 6,9mA
Q
VesQ =-O.35V
= 30 V - 22.77 V
7.23 V
e) VD = VDD - loRD
= 20 V - (6.9 mA)(1.8 kQ) = 20 V - 12.42 V
= 7.58 V
d) VDS = VD - Vs
o Vs = VD - VDS
= 7.58 V - 7.23 V
= 035 V
Para el MOSFET de tipo decremental de canal-n de la figura 6.29. determinar: EJEMPLO 6.7
a) lDQ y VGS,.
b) VDS' 18 V
FIgura 6.29 Ejemplo 6.7.
>1.81d1
110MO
¡OMU
750 O
+1 V)'
=6mAl---
-3 V~ 6 mA ~ + ~)' = 6 mA(l.778)
= 10.67 mA
La curva de transferencia que resultó aparece en la figura 6.30. Si seguimos de acuerdo con la
manera que se describió para los JFET, se tiene:
10 MO(l8 VJ
Ecuación (6.15): = 1.5 V
lOMO + 1l0MO
Ecuación (6.16): VGS = VG - l"Rs = 1.5 V - I D (750 O)
lo (mAl
V 1.5 V
-G= - - - = 2mA
Rs 750 O
En la figura 6.30 aparecen tanto los puntos de la gráfica como la recta de polarización obteni-
da. El punto de operación resultante:
I DQ '" 3.1 mA
VGS Q = -O.S V
Solución
a) Los puntos de la gráfica son los mismos para la curva de transferencia como se muestra en
la figura 6.31. Para la recta de polarización,
Iv (mA)
---- JD =7.6mA
Q
-3 -2 -1 O ,, 2 Ves
Vp V GS =+0.35 v Figura 6.31 Ejemplo 6.8.
VGS 1.5 V
VG 1.5 V
ID = - = - - - = lOmA
Rs 150 Q
La recta de polarización está incluida en la figura 6.31. Notamos en este caso que el punto de
operación estable da por resultado una comente de drenaje que excede 1DSS con un valor posi-
tivo para VGS. El resultado:
I DQ = 7.6 IDA
V GSQ = +0.35 V
6.2kQ
( o t~,
v, 0>---)11-----.-------'1---4
1MQ
2.4 kQ
--------
Solución
a) La configuración de autopolarización da por resultado
como la que se obtuvo para la configuración JFET. estableciendo el hecho que VGS debe ser
menor que cero volts. Por tanto, no existe la necesidad de graficar la curva de transferencia
para los valores positivos de VGs ' aunque en esta ocasión se hizo para completar las características
de transferencia. Un punto de la gráfica para las características de transferencia de VGS < OV es
I DSS 8mA
ID ~-- ~ ~ 2mA
4 4
Vp -8 y
Y VGS ~ ~ ~ -4Y
2 2
VGS ~ +2 Y
En la figura 6.33 aparece la curva de transferencia que se obtuvo. Para la recta de polarización,
en VGS ~ O Y, ID ~ O mA. Al elegir V Gs = -6 V se obtiene
VGS --6 Y
I ~---= ~ 2.5 mA
D R 2.4kU
s
El punto Q resultante:
I DQ = 1.7 mA
VGsQ ~ -4.3 V
b) VD = VDD - loRD
= 20 Y - (1.7 mA)(6.2 kU)
9.46 V
6
5
4
3
_2_--ID =1.7mA
1 Q
El siguiente ejemplo utiliza un diseño que también puede aplicarse a los transistores JFET.
A primera vista aparece algo simple, pero a menudo causa cierta confusión cuando se analiza
por primera vez debido al punto de operación especial.
Solución
La conexión directa entre las terminales de la compuerta y la fuente requiere que
20V
1.5 kQ
Debido a que Ves está fija en OV, la comente de drenaje debe ser I DSS (por definición). En otras
palabras.
D
VGS Q = OV
e ID Q = lOmA
~
+
Por tanto, no existe la necesidad de dibujar la curva de transferencia y
= 5V
figura 6.34 Ejemplo 6.10.
, I
/ V GS., "YGS
lD=OmA VGS(~ncendido) - "
(6.25)
Ya que las hojas de especificaciones por lo general proporcionan el voltaje del umbral y un
nivel de corriente de drenaje (1 D(enCendido), as{ como su nivel correspondiente de VG5(encendido)'
pueden definirse dos puntos de inmediato como lo muestra la figura 6.35. Para completar la
curva, primero tiene que determinar la constante k de la ecuación (6.25) a partir de los datos de
las hojas de especificaciones mediante la sustitución en la ecuación (6.25) y resolviendo para
k de la siguiente manera:
1D(encendido)
y k = ---==='---- (6.26)
(VGS(encendido) - VGS(Thj)2
Una vez que k está definida, pueden calcularse otros niveles de ID para los valores selecciona-
dos de V cs. Por lo general, un punto entre V GS(Th) y VGS(encendido) y uno un poco mayor que
Ves(encendido) ofrecerán una cantidad suficiente de puntos para graficar la ecuación (6.25) (ob-
sérvense IDI e IDzen la figura 6.35).
y (6.27)
,-------<r-------H(-----o~,
,--------<1 D
D +
O-----)I---______----o--t~l
G
'1,
-:;:
(6.28)
Se obtiene una ecuación que relaciona las mismas dos variables como la ecuación (6.25),
permitiendo graficar cada una en el mismo conjunto de ejes.
Debido a que la ecuación (6.28) es la de una línea recta, puede emplearse el mismo proce-
dimiento que se describió con anterioridad, para calcular los dos puntos que defínirán el trazo
sobre la gráfica. Sustituyendo ID = O mA en la ecuación (6.28) se obtiene
(6.29)
(6.30)
Las gráficas definidas por las ecuaciones (6.25) y (6.28) aparecen en la figura 6.38 con el
punto de operación resultante.
2ill
~---+---I~(---o ~,
I ~F
10 Mn.
v, O>--U)--
I~F
-+----191
... "'''',
Figu'ra.6.39 Ejemplo 6.11.
Solución
Gráfica de la curva de transferencia: Se definen de inmediato dos puntos como se muestra
en la figura 6.40. Resolviendo para k:
6mA 6x 10--3
; -----; Nv 2
('<l V - 3 V)2 25
12
11
10
9
8
7
1D(coccndido) - - 6
5
4
3
2
como aparece también en la figura 6.40. Los cuatro puntos son suficientes para grafiear la
curva total para el rango de interés como se muestra en la figura 6.40.
Ves ~ V DD - Id'D
= 12 V - 1D(2 kQ)
La ecuación (6.30):
y VGS = 6.4 V
Q
IO=mA
12
1\
\0
9
8
7
Voo 6
RD
5
4
ID =-2.7SmA-3
Q 2
o 2 3 4 5 8 9 10 11 12
(VDD )
D
o (6.32)
o (6.33)
Debido a que las características son una gráfica de''ID en función VcS' y que la ecuación
(6.32) relaciona las mismas dos variables, pueden graficarselas dos curvas en la misma gráfica y
hacer el cálculo de la solución en la intersección de ambas. U~ vez que se conocen 1DQ Y Veso'
pueden entonces calcularse todas las cantidades restantes de la'red, tales como VDS' VD Y VS.
\
EJEMPLO 6.12 Determinar ID" VGsQ ' así como VDS para la red de la figura 6.43.
4QV
3 k!l
22k!l
2N4351
VGs(Th) = 5 V
G ID (encendido) = 3 mA
+ Y Vos (encendido) = 10 V
18 M.o.
0.82 ill
30
VG
- = 21.95
Rs 20
Figura 6.44 Determinación del punto Q para la red del ejemplo 6.12.
Díspositivo:
1D(encendido)
La ecuación (6.26): k
3mA
- - - - - - = 0.12 X IQ-3 NV2
(lOY - 5 Y)'
e ID = k(V GS - V GS(Th»2
ID=6.7mA
Q
VGsQ = 12.5 V
{'f
In
RIJ ID,\)
JFET
con polarización fija _i RG
VDS
VCSQ::O -VCiG
Iv
d""
1055
JFET Ro
P"UIO~
Ves = -lrfis
con autopolarización - - 1'0
VDS = Voo -I¡ARo - RsJ
Re Rs
Vp:v-G.I' O Ve;
ID
.{
In
rJ- ~
lD'\S
Ro
Vos = Y ss - loRs Vss
Compuena común
JFET VDS = V¡:){) + Vs.\. - lo(Ro + Rs) PuulO
R,
-Vss V, O V5_\ Ves
d'"
Punto Q lo
""" ¡ f>S~
Ro
JFET
(Ves ,,=
OV)
Yc;sQ= O V
ID(i == Ivss ) /VesQ ::;; O V
~
O Ves
lo
d"
V(;S = -l,/?\ loss
JFET VD = V DO
(Ro = O a) Vs = loRs -ro
Re Rs PunIOQ':J)
Vos = VOD - IsRs
I o
,
VplV'GS Ve;
d'"
MOSFET ID
de tipo decremental Punto Q
Ro
-(Todas las configu.raciones Voso = -VCG
~
arriba de los caso, positivos VOS = VOD -loRs
donde VGS " + voltaje)
POlarizagión fija Voo
V, 01 V"" Ve;
Va' ID
tf
MOSFET de tipo R~VDD R'
=---
~OQ
R] RD ¡
decrementa! Ve
'7
RI - R 2
Polarización mediante Ves = Vo -lsRs
divisor de voltaje R2 R
s Vos = Vuo - lo(R D + Rsl
V, O Ve Ve~
CC
VOD lo
~
MOSFET de tipo Ro Ves = VDS Ro
incremental VGS = VDD -loRD D(encc
Configuración por Ro
retroalimentación O Vesnñl V VDD Ves
GSfcncend,dol
ve ID
S
V _ R;:YDD
~
MOSFET de tipo
G - RT + R2 R.¡
incremental R Ro
Ves = Ve; - 10ft!>
Polarización mediante
divisor de voltaje R: Rs
O VesiTl'ti Ve Ves
r-----------------~r-016V
2.7 ka
82kn
1Mn
p= 180
24kQ
1.6kn
Solución
A partir de la experiencia pasada, ahora se sabe que VGS es, por lo general, una cantidad im-
portante para determinar o escribir una ecuación con objeto de analizar las redes con JFET. Debido
a que Ves es un valor para el cual no es obvia una solución inmediata, se dará énfasis a la confi-
guración del transistor bipolar. La configuración mediante divisor de voltaje es una donde
puede aplicarse la técnica aproximada (/3RE =(180 x 1.6 kQ) =288 H.l > IOR, =240 kQ), lo
cual permite un cálculo de VB utilizando la regla del divisor de voltaje en el circuito de entrada.
Para VB:
24 kQ(l6 V)
= 3.62 V
82kQ + 24kQ
VE = VB - V BE = 3.62 V - 0.7 V
= 2.92 V
/D:/s:/e
y VD : 16 V - /D(2.7 kQ)
: 11.07 V
La pregunta sobre cómo calcular Ve no es tan obvia. Tanto VCE como VDS son cantidades
desconocidas que evitan que se establezca una relación entre VD Y VeO de VE y VD' Un examen
más cuidadoso de la figura 6.45 indica que Ve está relacionado a Vs mediante Ves (suponiendo
que VRc : O V). Si puede encontrarse VGS' se podrá conocer VB , y calcularse Vea partir de
Luego surge la pregunta acerca de cómo encontrar el valor de ~sQ a partir del valor
estable de ID' Los dos valores se encuentran relacionados mediante la ec~ción de Shockley:
y Vese puede detenninarse bajo un esquema matemático al resolver VesQ y sustituir los valores
numéricos. Sin embargo, se regresa al método gráfIco para trabajar sólo en el orden inverso
que se utilizó en las secciones precedentes. Primero se trazan las caracteósticas de transferen-
cia del JFET como se muestra en la figura 6.46. Luego se establece el nivel de 1DQ por medío de
una línea horizontal como se muestra en la misma figura. Luego se determina VGSQ al dibu-
jar una línea desde el punto de operación hacia el eje horizontal, dando por resultado
El nivel de Ve:
: 7.32 V
ID (mA)
12 'DSS
10
2
- ID =1.825 mA
--~~~~~~~~
-6 -5 O
Q
Figura 6.46 Cálculo del punto Q
Vp
para la red de la figura 6.45.
,---------~-o16V
3.6kf1
470 k.Q
fi= 80
2.4 kQ
Solución
En este caso no existe una trayectoria obvia para determinar un valor de vohaje o de corriente
para la configuración a transistores. Sin embargo, al revisar el JFET con autopolarización,
puede derivarse una ecuación para VGS y así calcular el punto de operación estable resultante
con la ayuda de técnicas gráficas. Esto es,
VGS = -2.6 V
Q
ID (mA)
8 lDSS
le 1 mA 7
e lB = - = - - = 12.5 J1A
f3 80 6
5
VB = 16 V - lB(470 kQ)
4
= 10.125 V
1. 1.61 mA
l--I D =lmA
Q
y VE ~ VD ~ VB - VBE -4 -31-2 -1 O
Vp !
~ 10.125 V - 0.7 V VGS =-2.6 V
Q
V
Rdesconocida = 1R (6.34)
R
donde VR e IR a menudo son parámetros que se localizan en forma directa a partir de los valores
de voltaje y corriente especificados.
EJEMPLO 6.15 Para la red de la figura 6.50 están especificados los niveles de VDQ Y de 1DQ' Calcular los valores
necesarios de RD y de Rs' ¿Cuáles son los valores estándar más cercanos disponibles en el
mercado?
20V
t IDQ = 2.5 mA
RD
20V - l2V 8V
y = = - - = 3.2ka
2.5mA 2.5mA
_-_(V-"G""SQ,--) -(- 1 V)
Rs = - - - = 0.4ka
2.5 mA
ID (mA)
6lDSS
5
4
3
.... ---ID =2.5mA
2 Q
- 1
-3 -2 -1, o
Vp ,
V
GSQ
= -1 V
Para la configuración de polarización mediante divisor de voltaje de la figura 6.52, calcular el EJEMPLO 6.16
valor de Rs si VD = 12 V Y VGsQ = -2 V.
r-·------------.-~16V
Solución
Ei nivel de VG se determina de la siguiente forma: 1.8kO:
91 ill
47 kQ(l6 V)
VG = = 5.44 V 0------0 12 V
47 ka + 91 ka
~ _ _ _....t--
VDD - VD +
con ID =
RD
47kQ
16V - 12V
= = 2.22mA
1.8 kQ
Luego se escribe la ecuación para VGS y se sustituyen los valores conocidos:
-
~
--
~
._------
~
----------------------------------------------
EJEMPLO 6.17 Para la red de la figura 6.53 están especificados los niveles de
1D{encendido}" Determine los valores de VDD Y de Rv'
VDS e ID como VDS = iVDD e ID =
10 M.o. VGS(eN:rodido) = 6 V
JD(enco:lldido) ::: 4 mA
í
VOS(rh) =3v
\
Figura 6.53 EjeIlll'lo 6.17.
Solución
Con ID == 1D(encendido) :;;; 4 mA Y VGS;;::: VGS(encendido) :;;; 6 V, para esta configuración,
VDS = V GS = +VDD
y 6V = iVDD
de tal forma que VDD = 12 V
R = V RD = V DD - VDS = V DD - iVDD +V
DD
D = ----'=--
ID 1D(encendido) 1D(encencido) 1D{encendido)
6V
y = -- = 1.5kQ
4mA
Hasta ahora el análisis se ha limitado sólo a los FET de canal-n, Para los FET de canal-p se
necesita una imagen de espejo de las curvas de transferencia y se invierten las direcciones
definidas de comente, como se muestra en la figura 6.55 para los diversos tipos de FET.
Se observa en todas las configuraciones de la figura 6.55 que cada voltaje de la fuente
de alimentación es un voltaje negativo que consume corriente en la dirección indicada. En
particular, se observa que continúa la notación de doble subíndice para los voltajes tal
como se definió para el dispositivo de canal-n: V GS' VDS' y así sucesivamente. Sin embar-
go, en este caso VGS es positivo (positivo o negativo para el MOSFET de tipo decrementa!)
y VDS negati va.
h+
VDS
+
VGS
tls
Rs O Vp VGS
VDD
ID
tlD
lDss
RD
=R¡
+
I~ VDS
+
VGS _
R,
Rs
O
., ,.
tls VG Vp VGS
-VDD
RD
tlD
RG +
VDS
+
Figura 6.55
VGS
1
Configuraciones de cana.l-p.
VGS
1.8k!l
'-_____+-+t/s
~F Figura 6.56 Ejemplo 6.18.
Solución
20kQ(- 20 V)
- - - - - = -4.55 V
20 kQ + 68 kQ
Ve - Ves + Irfis = O
y Ves = Ve + Irfis
Seleccionando ID = O mA se tiene
Ve -4.55 V
ID = - - = - = 2.53mA
Rs 1.8 kQ
que también aparece en la ligura 6.57. El punto de operación estable que se obtiene a partir de
la figura 6.57:
ID, = 3.4 mA
Ves, = 1.4 V
/D (mAl
ID=3.4mA.--
Q
= -20 V + 15.3 V
= -4.7 V
!.L IVpl
vGO
I DSS m=-- M=m x
IVpl
Rs IDss
ción para las configuraciones. Las ecuaciones de m y de M son las siguientes, con \/G tal como
se definió por medio de la ecuación (6.15).
IVpl (6.35)
m=---
IDssRs
(6.36)
R2 VDD
con VG =
R¡ + R 2
Es importante tener en cuenta que la belleza de este método se debe a que ya no es necesario
trazar la curva de transferencia para cada análisis, a que la sobreposición de la recta de
polarización resulta mucho más sencilla y a que son menos los cálculos. El uso de los ejes m y
M se explica mejor mediante unos ejemplos que utilicen dichas escalas. Una vez que ha queda-
do claro el procedimiento, es mucho más rápido el análisis y más preciso también.
Calcular los valores del punto de operación estable tanto de ID como de VGS para la red de la EJEMPLO 6.19
fIgura 6.59.
16V
3.9Hl
0.05 ¡ll'
I o V,
V; --...,)11----,----..
0-0
0.05 ~F
lMO
1.6kO 40 ¡ll'
Solución
Calculando el valor de m, se obtiene
IVpl 1-3VI
m = - - = - - - - - - = 0.31
IDssRs (6 mA)(1.6 kQ)
La recta de autopolarización definida por Rs se grafica al dibujar una línea recta desde el
origen y a través del punto definido por m = 0.31, así como se muestra en la figura 6.60.
El punto Q obtenido:
0.18 y -0.575
5
-1 H--·,-- ~ .. +--1
2
..J __ _
_.~ ~
H- j, ,,-,-~
0.2
t· PuntOQ:_'J'~~I016~9):_ T ~~t :1:-;:
+ -++ m O.3f~'~
, '
EJEMPLO 6.20 Calcule los valores en el punto de operación de ID Y VGS para la red de la figura 6.61.
~--------~~--~18V
2.2kO
91OkO
1.uF
......---1:'(1------<0 V,
Vi 0-0-_~:):~---+---11-
1.uF 1-
220kO
: 1.2 kO
La determinación de VG
(220 kQ)(l8 V)
~ = 3.5 V
910 kQ + 220 kQ
Al encontrar M se tiene
M ~ m x I
VG
~ 0.625 (3.5 V) ~ 0.365
vpl 6V
Ahora que se conocen m y M, puede dibujarse la recta de polarización sobre la figura 6.60.
Entonces, se observa que aunque los valores de IDSS y Vp son diferentes para las dos redes,
puede utilizarse la misma curva universal. Primero se encuentra M sobre el eje M como se
indica en la figura 6.60. Después se dibuja una línea horizontal hacia el eje m, yen el punto de
intersección con el eje se añade entonces la magnitud de m, como lo muestra la figura. Con el
punto que se obtuvo sobre el eje m y la intersección sobre M, se dibuja una línea recta para
intersecar la curva de transferencia y así definir el punto Q.
Esto es, y
W ¡8V
2.2kQ
9!OkQ
VTO_V __ 6V
p
220kQ
m
1.2kQ
•• ********.************************.*******.***************************.
VDD 2 O 18V
Rl 2 1 910K
R2 1 O 220K
RD 2 3 2.2K
RS 4 O 1.2"
J1 3 143M
.MODEL JK KJF(VTO--6V BETA-.222E-3)
.oc VOD 18 18 1
.PRINT OC V(l,4} I(RO)
.OPTIONS NOPAGE
• EllO
I?ar~metros son capturados, según aparecen en la figura 6.63, de igual fonna que en los capítulos
previos con el JFET introducido, usando los formatos descritos también en el capítulo 5. El
voltaje que se solicita como V(l,4) es VGS y la corriente I(RD) es ID . Se observa cómo son
similares los resultados con los del ejempl6 6.20 con ID = 4.24 rnA (ej¿mplo 6.20) e ID = 4.23
mA (PSpice), y VGS = -1.56 V (ejemplo 6.20) y VGS Q = -1.57 V (PSpice). Q
Q Q
procedimiento para inicializar la red con los enunciados VIEWPOINTS e IPROBE. El JFET
J2N3819 aparece dentro de la biblioteca eval.slb de la caja de diálogo Gel Part, la cual se
seleccionó mediante la secuencia Draw - Get New Part - Browse. Cuando se elige en la
biblioteca, la Descripción (Descriplion) que aparece sobre la lista en la caja de diálogo, se
BASIC
Si se utiliza un lenguaje como BASIC, entonces es necesario encontrar una solución común
mediante el empleo de técnicas matemáticas para las ecuaciones que se definieron por la red y
el dispositivo. Para la red de la figura 6.65a, se observa que el dispositivo está descrito por la
ecuación de Shockley (6.65b):
(6.37)
R2 VDD
con VG = (6.39)
R¡ + R2
R¡
Ipss
V, --)1--+--'" v,
R,
IDssRs
---V2 +
V2
p
GS
(1 - 2IDS sRs)
Vp
Ves + (lDSSRS - VG) = O
'-~ '--.-----" ~
a b e
-b ± -lb' - 4ac
2a
siendo la solución real aquel valor de VGS que caiga dentro del rango entre Oy Vr El programa
probará desde luego, el valor de b2 - 4ac, indicando que no existe solución en caso de tener un
valor negativo. Luego, los voltajes del drenaje y la fuente son
(6.40)
Vs = IvRs (6.41)
y VDS = VD - Vs (6.42)
En las tablas 6.2 y 6.3 se proporciona un resumen de las variables y las ecuaciones que se
utilizan en el módulo 11000. En la figura 6.66 aparece el listado del programa junto Con una
ejecución con los mismos valores utilizados en el análisis PSpice. Una vez más es importante
notar la correspondencia tan cercana entre los resultados.
TABLA 6.2 Ecuaciones y enunciados TABLA 6.3 Ecuaciones y variables del programa
para el módulo 11 000 para el módulo 11000
vG=--VDD
R2
R¡ +Rz
GG = (R2/(Rl + R2)) , DD
VG
VS
VD
Vs = l"Rs VS=ID'RS GG
vGs=vG-VS GS=VG-VS DD
GS
Vz=
-B-W V2 = (-B - SQR(D))/(2' A)
2A
VD= VDD-1aRD VD=DD-ID' RD
VS=ID'RS
DS=VD-VS
RUN
This program provides the de bias calculations
for a JFET or depletion MOSFET
yoltage-divider eonfiquration.
tnter tha following circuit data:
Rl (use lEJO if open)=? 910E3
R2 =? 220E3
RS-? 1.2E3
RD-? 2.2El
301
.-r;
-------
PROBLEMAS § 6.2 Configuración de polarización fija
1. Para la configuración de polarización fija de la figura 6.67:
a) Trazar las caractensticas de transferencia del dispositivo.
b) Sobreponer la ecuación de la red en la misma gráfica.
e) Calcular IDQ y VDSQ '
d) Con la ecuación de Shock.ley, resuelva IDQ y luego localice VDSQ ' Compárela con las solucio-
nes del inciso c.
12 V
IMn
2.2kíl
lvss = 10 rnA
+ Vp =-4.5 V
IMíl
3V
b) VDS. 14 V
e) VcC.
1.6 kíl
VD =9 V
+
VDS IDSs=8mA
Vp =-4 V
20V 18 V
2.2kil 2kil
VD
1 Mil
2 Mil
4V-¡
Figura 6.70 Problema 4. Figura 6.71 Problema 5.
18 V
1.5 kil
I pss = lOmA
Vp =-4 V
I Mil
750il
* 7. Determine IOQ para la red de la figura 6.72 utilizando un método puramente matemático. Esto es,
establezca una ecuación cuadrática para ID Y seleccione la solución compatible con las caracterís-
ticas de la red. Compárela con la solución que se obtuvo en el problema 6.
8. Para la red de la figura 6.73, calcule:
a) VesQelo '
V
b) VDS' VD' G y Vs'
9. Dada la medíción Vs = 1.7 V para la red de la figura 6.74, calcule:
a) I •
DQ
b) VGsQ'
c) I Dss'
d) VD'
e) VDS'
Problemas 303
* 10. Encuentre para la red de la figura 6.75:
a) ID'
b) VDS'
C) VD"
d) VS'
12V 18 V 20V
2.2kil 2kil
v, = 1.7 V
I Mil I Mil
1.6kil
0.51 kil 0.68 kn
Figura 6.73 Problema 8. Figura 6.74 Problema 9. FIgura 6.75 Problema lO.
IDSS=6mA
vp =-6 v
14 V 2.2kil
0.39 kil
b) ID Q Y VDS'
Q
e) VD y Vs' 20 V
d) V DS Q '
910kil
IDSS= lOmA
Vp =-3.5 V
LIHl
13. a) Repita el problema 12 con Rs = 0.51 ka (aproximadamente e150% del valor de 12). ¿Cuál es
el efecto de un Rs menor sobre ID Y VGS ?
• . Q Q
b) ¿Cual es el menor valor posible de Rs para la red de la figura 6.77?
750 kQ
+
Vo
.t- VDS
+ 1-
VOS Vs -
91 kQ
0.68 kQ
b) VDS Y VD'
* 18. Calcule para la configuración de la figura 6.82: 4V
a)
b)
ID Q y Ves'
VDS Y Vs.
Q
l +
2kQ
14 V 18 V
-3V
1 MQ
0.43 kQ 0.39 kQ
... -4V
Problemas 305
§ 6.6 MOSFET de tipo incremental
19. Para la configuración de la figura 6.83 calcule:
a) IDa
b) VeSQyVDSQ'
e) VD y Vs·
d) VDS-
20. Calcular para la configuración mediante divisor de voltaje de la figura 6.84:
a) y V GSQ '
[Da
b) VDyVs.
24 V
22 V
2.2 kQ
1.2 kQ
lOMQ
*lDQ
~IDQ VGS(Th) = 3 V
ID(meendido)== 5 mA
1MQ + VaS(Th) =4 V
VG5(cncendido) == 6 V
VDSQ VGS(=udid<l) == 7 V +
1f)(cncendidQ) = 5 mA VesQ
+
VGSQ
6.8MQ
0.75kQ
0.51 kQ
...
figura 6.83 Problema 19. figura 6.84 Problema 20.
d) lB.
e) VD.
f) Ve r-------~--------~--~20V
$ J.J kQ
>330kQ •
>
91kQ
r....
L:: ~= 160
lB
FE VD
flDQ
.1- IDss=6mA
+ 1- Vp =-6V
VasQ
>
18kQ ~
>I.2kQ
, .
306 Capítulo 6
*
Polarización del FET
Figura 6.85 Problema 21.
* 22. Detennine para la red combinada de la fígura 6.86:
a) VB' Vc'
b) VE'
e) lE' le ID'
d) lB'
e) Ve> Vs• VD' >
• 2.2 kQ
f)
g)
VCE'
VDS'
: 40 kQ •
•
v, Vc
+
r p= lOO
.... VCE
~ 10 kQ
~ lE
1.2 kQ
§ 6.9 Diseño
* 23. Diseñe una red de autopolarización empleando un transistor JFET con lvss = 8 rnA Y Vp = -6 V
para obtener un punto Q en 1D = 4 mA utilizando una fuente de 14 V. Asuma que J.. D = 3RS Y use
los valores estándar. Q
* 24. Diseñe una red mediante divisor de voltaje empleando un MOSFET de tipo decremental con 1DSS
= 10 mA y Vp = -4 V para obtener un punto Q en 1DQ = 2.5 mA utilizando una fuente de 24 V.
Además. fije Ve = 4 Vy utilice RD = 2.5R s con R¡ = 22 MQ. Utilice los valores estándar.
25. Diseñe una red como la que aparece en la figura 6.39 empleando un MOSFET de tipo incremental
con VGS(Th) = 4 V, k =0.5 x 10--3 AJV2 para obtener un punto Q en 1DQ = 6 mA. Utilice una fuente
de 16 V Y valores estándar.
12 V 12 V 12V
4V !--oOV +
1MQ 1 Mil 12 V 1 Mil
1kQ
Problemas 307
'" 27. Aunque las lecturas de la figura 6.88 por principio sugieren que la red/éstá comportándose de
forma adecuada. deterrnine una causa probable del estado indeseable dé\a red.
'" 28. La red de la figura 6.89 no está operando de manera adecuada. ¿Cuál es la causa específica de su
falla?
20V 20V
2kQ
2.2kQ
330kQ 330kQ
14.4 V
3.7V-r---......
6.25 V
75kQ 75 kQ
l ill 1 ill
...
F"lgura 6.88 Problema 27. F"lgura 6.89 Problema 28.
-IBV -16V
2.2kQ 2kQ
IMn
VGSml) =-3 V
1D(tllCeDdido) = 4 mA
IMn VGS(eocendido) = -7 V
0.51 ill
37. Desarrolle un análisis con PSpice (DOS) de la red del problema 15. Calcule I DQ , VesQ y VDS Q
Problemas 309
CAPÍTULO
Modelaje de
transistores
bipolares
7.1 INTRODUCCIÓN
En el capítulo 3 se presentaron aspectos como la construcción básica, la apariencia y las
características del transistor. En el capítulo 4 se examinó con detalle la polarización de de. En
este apartado se examinará la respuesta de ac en pequeña señal del amplificador a BJT mediante
la revisión de los modelos que se utilizan con más frecuencia para representar al transistor en el
dominio senoidal en ac.
Uno de los primeros intereses en el análisis senoidal en ac de las redes de transistores es la
magnitud de la señal de entrada, porque ésta detenninará si deben aplicarse las técnicas de
pequeña señalo de gran señal. No existe una línea divisoria entre ambas, pero la aplicación y
la magnitud de las variables de interés relacionadas con las escalas de las características del
dispositivo, por lo general, establecen con claridad cuál método es el adecuado, La técnica de
pequeña señal se presenta en este capítulo y las aplicaciones de gran señal se examinan en el
capítulo 16.
Existen dos modelos que se utilizan con frecuencia en el análisis en ac de pequeña señal
~
de redes de transistores: el modelo re y el equivalente hlbrido, Este capítulo presenta no sólo
ambos modelos, sino que define el papel de cada uno y la relación que hay entre ambos.
311
una señal relativamente pequeña al mecanismo de control puede ocasionar una oscilación mucho
~ I~
M"anismo Itr v:" ~1
de control
i
,.
mayor en el circuito de salida. Para el sistema de la figura 7.2 el valor pico de la oscilación está
controlado por el nivel de de establecido. Cualquier intento de exceder el límite establecido
por el nivel de dc dará por resultado un "recorte" (aplanado) de la región pico de la señal de
i~JE
salida. Por tanto, y en general, el diseño adecuado del amplificador requiere que los componentes
de y en ac sean sensitivos a los requerimientos y limitaciones del otro.
Sin embargo, en realidad es una fortuna que los amplificadores de pequeña señal a
transistores puedan considerarse lineales para la mayoría de las aplicaciones,
permitiéndose el uso del teorema de la superposición para aislar el análisis dc del
análisis ac.
Una vez que se determina el circuito equivalente en ac, se puede reemplazar en el esquema
el símbolo gráfico del dispositivo por este circuito y pueden, entonces, aplicarse los métodos
básicos del análisis de circuitos ac (análisis de mallas, análisis por nodos y el teorema de
Thévenin) para determinar la respuesta del circuito.
Hoy en día, ~xisten dos importantes corrientes de pensamiento respecto al circuito
equivalente que sustituirá al transistor. Durante muchos años tanto las instituciones industriales
como las educativas se apoyaban mucho sobre los parámetros h¡'bridos (los cuales serán
presentados en breve). El circuito equivalente de parámetros híbridos sigue siendo muy popular,
aunque ahora debe compartir su utilización con un circuito equivalente que se derivó
directamente a partir de las condiciones de operación del transistor: el modelo r,. Los fabricantes
continúan especificando los parámetros luaridos para una región de operación en particular en
sus hojas de especificaciones. Los parámetros (o componentes) del modelo r, pueden deri-
varse de manera directa a partir de los parámetros híbridos. Sin embargo, el circuito luarido
equivalente se condiciona por estar limitado a un conjunto en particular de condiciones de
operación si se debe considerar como preciso. Los parámetros del otro circuito equivalente
pueden determinarse para cualquier región de operación dentro de la región activa y no están
limitados por el conjunto único de parámetros proporcionados en las hojas de especificaciones.
En contraste, el modelo r, fracasa por no considerar el nivel de impedancia de salida del
dispositivo, ni en el efecto de retroalimentación de la salida a la entrada.
Debido a que ambos modelos se emplean en forma extensiva en la actualidad, los dos se
examinan con detalle en este texto. En algunos análisis y ejemplos se requerirá el modelo
híbrido, mientras que en otros se utilizará el modelo r, de manera exclusiva. Sin embargo, en el
texto se harán todos los esfuerzos para mostrar cuán relacionados están los dos modelos, y
cómo el aprovechamiento de uno conduce al aprovechamiento natural del otro.
En un esfuerzo para demostrar el efecto que tendrá el circuito equivalente en ac sobre el
siguiente análisis, se debe considerar el circuito de la figura 7.3. Es importante asumir por el mo-
mento que ya está determinado el circuito equivalente de ac en pequeña señal. Debido a que
sólo se está interesado en la respuesta en ac del circuito, todas las fuentes de de se pueden
reemplazar por un potencial equivalente de cero (corto circuito) debido a que sólo aproximan
el nivel de de (estable) del voltaje de salida y no la magnitud de la excursión de la salida en ac;
esto está claramente expuesto en la figura 7.4. Los niveles de dc fueron importantes sólo para
determinar el punto de operación Q adecuado. Una vez que éstos se fijaron, se pueden eliminar
los niveles de de del análisis en ac de la red. Además, se seleccionaron el par de capacitores de
acoplamiento el y e 2 y el capacitar de desvío e 3 para tener una pequeña reactancia a fa
frecuencia de la aplicación. Por tanto, para cualquier propósito práctico, pueden sustituirse
mediante una trayectoria de baja resistencia o por un corto circuito de polarización; pero es
Re
R¡
e e,I o
+
R,
V,
+r
'\¡
-.L
+
Vi
R,
E
RE
le ¡ 3
Vo
Re
R¡
e + ,
B
+ V,
R, E
+ Vi R,
V, '\¡ Figura 7.4 La red de la figura 7.3
evidente que esto ocasionará un "corto" del resistor de polarización RE" Recuerde que los
capacitores asumen un equivalente de "circuito abierto" bajo condiciones de estado de de
estable, lo que permite un aislamiento entre los estados de los niveles de de y las condicio-
nes estables.
Si se establece una tierra común y se reorganizan los elementos de la figura 7.4, R I Y R 2
estarán en paralelo, y Re aparecerá de colector a emisor como lo muestra la figura 7.5. Debido
a que los componentes del circuito equivalente del transistor que aparecen en la figura 7.5
+ --li
B
Circuito equivalente de
ac en pequeña señal
para el tran~istor e -lo
+
R,
-
Zi
Vi VD
+ R¡II R, E Re
Z,
V, '\¡
-.... .¡. .¡.
Figura 7.5 Redibujo de la figura 7.4 para el análisis en ac y pequeña señal.
-
1,
- 1,
-
+
-
+
V; Sistema de dos V,
z¡ puertos Z,
Impedancia de entrada, Z¡
Para el lado de la entrada, la impedancia de entrada 2¡ está definida por la ley de Ohm de la
siguiente forma:
(7.1)
Además:
No se puede emplear un óhmetro para medir impedancia de entrada en pequeña
señal debido a que éste opera en el modo de dc.
v-v.
S I
(7.2)
y (7.3)
--
+
Zi V¡ Sistema de dos
puertos
..
-
Rfueotc
..,. +
+ 600 Q
r Zi = 1.2 ka
I
Vs lOmV V, Amplificador
De este modo sólo el 66.70/0 de toda la señal de entrada está disponible en la entrada. Si 2i fuera
sólo de 600 n, entonces 11'. ;-~(l0 rnV); 5 mV o el 50% de la señal disponible. Desde luego.
si 2; 8.2 kn, v. será del '93.2% de la señal aplicada. Por tanto, el nivel de la impedancia de
, "
entrada puede tener un i~pacto significativo sobre el nivel de la señal que alcance el sistema (o
amplificador). En las sigulentes secciones y capítulos se demostrará que la resistencia de entrada
en ac es dependiente en eH caso de que el transistor esté en la configuración de base común,
emisor común, o de cole4tor común y la colocación de los elementos resistivos.
EJEMPLO 7.1 Para el sistema de la figu a 7.9, calcule el valor de la impedancia de entrada.
R,cmor
V,
+1
'\, 2mV
IkU
- Zi
vi = J.2m~
t
I
Sistema de dos
puertos
-1 l'
Figura 7.9 Ejemplo 7.1.
Solución'
v, - V, 2 mV - 1.2 mV 0.8 mV
; ; ; 0.8 !lA
Ikn Ikn
V, 1.2 mV
y Z¡= - = = 1.5 kQ
li 0.8 !lA
Impedancia de salida, Zo
La impedancia de salida;naturalmente se define en el conjunto de terminales de salida, pero
esta definición es un pocp diferente cuando se trata de la impedancia de entrada. Esto es:
La impedancia de s~lida se determina en las terminales de salida viendo hacia atrás
al sistema con la seíial aplicada igual a cero.
Por ejemplo, en la tlgura 7.10 la señal aplicada se hace cero volts. Para determinar 2 0 , se
aplica una señal, Vs' a las:tenninales de salida y se mide el nivel de Vo con un osciloscopio o un
DMM sensible. Luego s<t calcula la impedancia de salida de la siguiente manera:
1 = V-V
___o (7.4)
0
Rsensor
316
y
--
-"AA
'C,":'
+
--
lo _1 +
Sistema de
dos puertos VD
Z"
'VV
- I
Figura 7.10 Determinación deZo.
En particular, para las frecuencias en el rango bajo a medio (normalmente::; 100 kHz):
La impedancia de salida de un amplificador a transistor BJT es resistiva por
naturaleza y, dependiendo de la configuración y la colocación de los elementos
resistivos, Zo puede variar desde unos cuantos ohms a un valor que puede exceder los
2MQ.
Además:
No se puede utilizar un óhmetro para medir la impedancia de salida en pequeña señal R P:'\r3 Ro» R L
debido a que el óhmetro trabaja en el modo de de. L IL»IR o
Calcular el nivel de impedancia de salida para el sistema de la figura 7.12. EJEMPLO 7.2
Sistema de dos
puertos
+
-- z,
Vo = 680 mV
20kil
Solución
Vo 680 rnV
Y 20 = = = 42.5 kQ
1o 16 )lA
Ganancia en voltaje, Av
Una de las características más importantes de un amplificador es la ganancia en voltaje en
pequeña señal, como se detennina mediante
I =:, I
Av (7.6)
Vo !
;-1 (7.7)
Vi RL '" 00 Q (circuito abierto)
--
Z¡
+
Vi
+
Para el sistema de la figura 7.13 que tiene una resistencia de fuente Rs' el nivel de Vi
debería determinarse primero utilizando la regla del divisor de voltaje antes de calcular la
ganancia V/Vs. Esto es,
ZV
, ,
v., ;
Z, + Rs
v., Z,
con
V., Z¡ + R ,
Vo V, Vo
y Al',
V, V, V,
Vo Z¡
de tal forma que A,. ; A.\- :-"L (7.8)
V, Z¡ + R,
-IL--_--<>-~ o
Solución
v, V, 7.68 V
Y Vi = 24 rnV
V, A \} t"L 320
V, - Vi 40 rnV - 24 rnV
b) 1, = 13.33 j1A
R, 1.2 kQ
V, 24 rnV
e) Zi = = 1.8 kQ
1, 13.33 ¡LA
Zi
d) A
"
= AV
NL
Z., + R,
1.8 kQ
= (320)
1.8 kQ + 1.2 kQ
= 192
Ganancia en corriente, A¡
La última característica numérica que será tratada es la ganancia en corriente definida mediante
(7.9)
Aunque por lo general ésta recibe menor atención que la ganancia en voltaje, es, sin embargo,
una cantidad importante que puede tener un impacto significativo en la efIciencia total de un
diseño. En general:
Para los amplificadores a BJT, la ganancia en comente normalmente varía desde un
nivel apenas inferior a 1 hasta un nivel que puede exceder los 100.
Vi V,
l, = e lo =
Zi
o
+ -li
Vi .......
Amplificador
BIT
- l,
Z,
Figura 7.15 Determinación
de la ganancia de corriente
e>------ cargada.
li V¡/Z¡ V,RL
Zi
y Ai ~ -A , (7.10)
RL
Relación de la fase
La relación de la fase entre las señales senoidales de entrada y de salida es importante por una
variedad de razones prácticas. Afortunadamente:
Para el transistor amplificador tipico a frecuencias que permiten ignorar los efectos
de los elementos reactivos, ÚlS señales de entrada y de salida están o bien lS(f' fuera de
fase o en fase.
Resumen
Hasta aquí se han presentado los parámetros de importancia primaria de un amplificador: la
impedancia de entrada 21' la impedancia de salida Zf)' la ganancia de voltaje Av> la ganancia de
corriente A i Y la relación de la fase resultante. Otros factores. tales como la frecuencia aplicada
en los extremos bajo y alto del espectro de frecuencias. afectarán algunos de estos parámetros.
pero esto se discutirá en el capítulo 11. En las siguientes secciones y capítulos. todos los
parámetros se determinarán para una variedad de redes de transistores para pennitir una
comparación de las ventajas y de las desventajas de cada configuración.
t
-----=--..0 e
le = al,.
--
1,
B~------------~--------------~B b~------~----~------------~b
(b)
de la figura 7 .16b establece el hecho de que le = ale' apareciendo la corriente de control!e del
lado de la entrada del circuito equivalente como se detenninó en la figura 7 .16a. Por tanto. se
ha establecido una equivalencia en las tenninales de entrada y de salida con la fuente controlada
de corriente, proporcionando así un vínculo entre las dos; una revisión inicial hubiera sugerido
que el modelo de la figura 7 .l6b es un modelo válido del dispositivo real.
En el capítulo 1 se analizó cómo la resistencia en ac de un diodo puede detenninarse por
medio de la ecuación r" = 26 mVI1D , donde ID es la corriente de dc a través del diodo en el
punto Q (estable). Esta misma ecuación se puede utilizar para encontrar la resistencia en ac
del diodo de la figura 7 .16b si sólo se sustituye la corriente del emisor de la siguiente manera:
26 mV
r,'= .----- (7.11 )
1E~
.-1------00 --
1,
t le = al~
Debido al aislamiento que existe entre los circuitos de entrada y de salida de la figura 7.17, es
obvio que la impedancia de entrada Z¡ para la configuración de base común de un transistor
es simplemente re' Esto es,
z. = r I
L--.-'-'_::....'-' CH
(7.12)
Para la configuración de base común, los valores típicos de Z¡ varían desde unos
cuantos ohms hasta un máximo de aproximadamente 50 .0..
=
Para la impedancia de salida, si se hace cero la señal, entonces 1, O A e 1, al, a = =
(O Al = O A, obteniéndose una equivalencia de circuito abierto en las terminales de la salida.
El resultado es que para el modelo de la figura 7.17,
(7.13)
/e (mA)
Pendiente :: .!....
/ r" I¿=4mA
4~__----------~--------~
3~ ________________~lE = 3 mA
IE= 2 mA
2b------------------
y V, , , = IeTe
IZ
Vo aIeRL
así que A, =
V, 1,r,
aRL RL
y A, - (7.14)
r, r,
ICB
Para la ganancia en comente,
1o -1, al
A, = = •
li 1, 1,
y A, = -a '" -1 (7.15)
ICB
o
+ -/,
Vi
o
- Z,
Amplificador
BIT de base
común
+
- 1,
E 0---'-----_ _-" ,------="--0 e
le
e
- 1,
0---_--, Ir---------~~~DC
1,
f 1e = al,
Figura 7.20 Modelo aproximado para la configuración de base común para un transistor npn.
Para una configuración de base común de la figura 7.17 con lE = 4 roA. ex:= 0.98, y se aplica EJEMPLO 7.4
una señal en ac de 2 m V entre las tenninales de la base y el emisor:
a) Calcular la impedancia de entrada.
b) Determinar la ganancia en voltaje si se conecta una carga de 0.56 kQ a las terminales de
salida.
e) Encontrar la impedancia de salida y la ganancia en corriente.
Solución
26 mV 26 mV
a) re ~ - - - ~ - - - ~ 6.5 Q
lE 4 mA
2 mV
-- ~ 307.69 !lA
6.5 Q
Vo ~ I,R L ~ o:I,R L ~ (0.98)(307.69 !lA)(0.56 kQ)
~ 168.86 mV
vo 168.86 mV
y A ,. ~ ----~ 84.43
V; 2 mV
O a partir de la ecuación (7.14).
(0.98)(0.56 kQ)
A, ~ ~ 84.43
r, 6.5 Q
el 2 0
" 00 Q
lo
A; ~ - - ~ -o: ~ -0.98 como se definió por medio de la ecuación (7.15)
1,
E E eo-----------~------------------_oe
1') lb)
Figura 7.21 a) Transistor BJT en emisor común; b) modelo aproximado para la configuración de la
figura 7.21a.
(7.16)
1, = 1, + lh = f3lb + lb
Sin embargo, debido a que la beta en ac por lo general es mucho mayor que 1, se empleará la
siguiente aproximación en el análisis:
r---------,
(7.18)
VI Vbe
Z¡:;;; ;;:
l¡ lb
El voltaje Vbe está a través de la resistencia del diodo como se muestra en la figura 7.22. El
nivel de r, aún está detenninado por la corriente dc lE. Al aplicar la ley de Ohm da
oc
I
~ le = f3Jb
b
+
V¡
-
1¡=l"
V..
V
r.
En esencia, la ecuación (7.19) establece que la impedancia de entrada para una situación
como la que se muestra en la figura 7.23 es beta veces el valor de re" En otras palabras, un
elemento resistivo en la terminal de emisor se refleja en el circuito de entrada mediante b ~-----t
un factor de multiplicación {3. Por ejemplo, si re = 6.5 Q como en el ejemplo 7.4 y {3 = 160
(muy normal), la impedancia de entrada se ha incrementado a un nivel de
Z¡ '" {3r, = (160)(6.5 a) = 1,04 kQ
Para la configuración de emisor común, los valores típicos de Z¡ definidos mediante e o---------+---~e
j3re están en el rango desde unos cuantos cientos de ohms al rango de los kilohms con
tlgura 7.23 Impacto de re sobre
valores máximos de aproximadamente 6 a 7 kilohms.
la impedancia de entrada.
Para la impedancía de salida, las caracteósticas de interés son el conjunto de salida de la figura
7.24. Se observa que la pendiente de las curvas se incrementa en la corriente del colector; mientras
mayor es la pendiente, menores el nivel de impedancia de salida (Z). El modelo re de laflgura 7.21
no incluye una impedancia de salida, pero si ésta se encuentra disponible de un análisis gráfico
o de las hojas de especificaciones, se puede incluir como lo muestra la figura 7.25.
e
t le (mA)
_ _---,,--_ _-0
~endiente = ...!-.
10 '01"-....
8
_ _ _L-_ _--o e
6 20IJ.A
figura 7.25 Inclusión de ro en el
circ.uito equivalente de transistor.
4 ~ ____ -IO~A
2 - _ - - - - : : : : : : - - - - - 1, = O ~A
- '-- 1
Pendiente:::: -
r'¡2 FI.gura 7.24 Definición de ro para
O !O 20 la configuración de emisor común.
' - -_ _0 __0_--'
Z = r I CE
(7.20)
y (7.21 )
El signo negativo resultante para la ganancia de voltaje revela que los voltaje de salida y de
entrada están fuera de fase por 1800 •
La ganancia de corriente para la configuración de la figura 7.26:
y (7.22)
Empleando los hechos de que la impedancia de entrada es [3r" la corriente del colector es [3lh' y
la impedancia de salida es ro' el modelo equivalente de la figura 7.27 puede ser una herramienta
útil en el siguiente análisis. Para los valores nonnales de los parámetros, la configuración de emisor
común puede considerarse con un valor moderado de impedancia de entrada, una alta ganancia de
voltaje y de corriente, y una impedancia de salida capaz de incluirse en el análisis de la red.
-lb
~ P'.
I 4
f31, 4 "
e
e
• 4
e
Figura 7.27 Modelo re para la
configuración de emisor común.
EJEMPLO 7.5 =
Dados [3 120 e lE = 3.2 mA, para una configuración de emisor común con ro = ~ Q, calcular:
a) Z,.
b) A, si se aplica una carga de 2 kQ.
c) A, con la carga de 2 kQ.
ID
c) A, = = f3 = 120
1,
M'mImo
. Máximo
Impedancia de entrada
(lc = 1 mA de, VCE = lOV de, f e:: 1 kHz) 2N4400 h" 0.5 75 kQ
Admitancia de salida
= 1 mA de, Va - = 10 V de,
{le f e:: 1 kHz) he, LO 30 1 ~S
se emplea para proporcionar cierta medida de la impedancia de salida. Debido a que las hojas
de especificaciones proporcionan los parámetros híbridos y que el modelo híbrido continúa
recibiendo mayor atención, es muy importante que el modelo híbrido se cubra con cierto detalle
en este libro. Una vez desarrollado, serán muy aparentes las similitudes entre los modelos re e
híbrido. De hecho, una vez que se hayan definido los componentes de uno para un punto de
operación en particular, estarán disponibles de forma inmediata los parámetros del otro.
La descripción del modelo equivalente híbrido dará principio con el sistema general de
dos puertos de la figura 7.29. El siguiente conjunto de ecuaciones (7.23) es sólo una de las
muchas fannas en que se pueden relacionar las cuatro variables de la figura 7.29. Sin embargo,
es el que más se utiliza en el análisis de circuitos de transistores, por lo que se tratará en fonna
detallada en este capítulo.
-1,
1 00---'-- -
+
- Q
Q
- 1,
<> - - --'----<>0 2
+
,
t'oo---- -.------.-------------02'
Figura 7.29 Sistema de dos puertos.
(7.23a)
Los parámetros que relacionan las cuatro variables son llamados parámetros h, por la
palabra "híbrido". Se eligió este término debido a que la mezcla de variables (Ve l) en cada
ecuación ocasionan un conjunto "híbrido" de unidades de medición para los parámetros h. Se
puede entender mejor 10 que representan los diversos parámetros h y cómo puede determinarse
su magnitud mediante el aislamiento de cada uno examinando la relación resultante.
Si de forma arbitraria se hace V, = O(poniendo en corto circuito las terminales de salida),
al resolver h ll en la ecuación (7.23a), se obtendrá lo siguiente:
~i ohms (7.24)
Ji ivo=O
Esta relación indica que el parámetro h ll es un parámetro de impedancia con las unidades de
ohms. Debido a que se trata del cociente del voltaje de entrada entre la corriente de entrada
estando en cono circuito las tenninales de salida, se llama parámetro de impedancia de entrada a
corto circuito. El subíndice 11 en h II indica el hecho de que el parámetro se calculó mediante
un cociente de cantidades medido en las terminales de entrada.
Si se hace Ji igual a cero abriendo las terminales de entrada, se obtendrá 10 siguiente para
h 12 :
Por tanto, el parámetro h 12 es el cociente entre el voltaje de entrada y el voltaje de salida con la
corriente de entrada igual a cero. No tiene unidades, ya que se trata de un cociente entre los
valores de los voltajes, y se llama parámetro de la relación de voltaje de transferencia inversa
a circuito abierto. El subíndice 12 de h 12 revela que el parámetro es una cantidad de transferencia
calculada mediante un cociente entre mediciones de entrada y de salida. El primer dígito del
1
h 21 = " sin unidad (7.26)
1, ' ti" =0
Obsérvese que ahora se cuenta con el cocient~ de una cantidad de salida a una cantidad de
entrada. Ahora se utilizará el término directo en lugar de inverso como se aplicó para h l '2: El
parámetro h 21 es la relación de la corriente de salida a la corriente de entrada con las terminales
de salida en corto circuito. Este parámetro. así como h 12 • no tiene unidades debido a que se
trata del cociente entre valores de comente. De manera formal se llama parámetro de la relación
de transferencia directa de corriente a corto circuito. El subíndice 21 indica una vez más que
se trata de un parámetro de transferencia estando la cantidad de salida en el numerador y la
cantidad de entrada en el denominador.
El último parámetro. h 22 . se puede encontrar una vez más al abrir las terminales de entrada
para hacer 11 = O Y resolviendo h22 en la ecuación (7.23b):
+
v,
de la figura 7.32 es de una naturaleza más práctica porque relaciona los parámetros h con el cociente
resultante que se obtuvo en los últimos párrafos. La elección de las literales es obvia a partir del
siguiente listado:
h ll ~ resistencia de entrada (input) ~ h¡
h l2 -t relación de voltaje de transferencia inversa (reverse) --7 hr Figura 7.31 Circuito equivalente
híbrido de salida.
o
+-
v,
Ii h,
'\IV'>I
h,Vo
+1
'\, ~ h¡, h,
- 1,
8 -
lb
-- -
1,
e ~
lb
hi~
+
V",
l,~
+
V"
+ * +
V", ~,
E 1, ~
e
(a) (h)
Figura 7.33 Configuración de emisor común: a) símbolo gráfico; b) circuito equivalente híbrido.
E -
1,
+
--
+
1,
V,b V'b
+
-lb~
V",
8
b e
(a) (h)
F'tgura 7.34 Configuración de base común: a) símbolo gráfico; b) circuito equivalente híbrido.
--
1,
-- --
1, 1;
¡---¡- - 1,
~ J j h¡I,
i ;~ ~ .~ ~
j
hfl, v,
o-
Figura 7.35 Efecto de la eliminación de hre y de hoe Figura 7.36 Modelo equivalente híbrido aproximado.
del circuitc equivalente híbrido.
lb
bO-':""---.,
r--I:~oc --
1,
-lb
bo-:'---.,
e~ ________-4________
f
~
hk1b
________ ~e
--- eO-----------4-________4-______ ~e
(a)
e~
--
1,
__________,
¡,.-------,-<>c --
1,
e e
1,
,.=:::P=-------.,
I~C
1,
b>--_ _ _...J
... hfb lb
-- tal,
11-..--_--001,
1 bo----...J
"\. .,/ '. \:,3'
(b) \.' "-
Figura 7,37 Modelo híbrido contra re: a) configuración de emisor común; b) configuración de base
,
,",''':''
Común.
(7.29)
y
A partir de la figura 7.37b.
hj , = [3"
I
h ,h = r, (7.30)
Y
hjb = -ex '" -1 (7.31 )
En particular, se observa que el signo negativo en la ecuación (7.31) se toma en cuenta por el
hecho de que la fuente de corriente del circuito híbrido equivalente estándar apunta hacia abajo
en lugar de la dirección real como se muestra en el modelo re de la figura 7.37b.
EJEMPLO 7.6 Dados lE =2.5 mA, hj , = 140, ho , = 20 J.1.S (J.1.mho) y hah =0.5 J.1.S, calcular:
a) El circuito híbrido equivalente para de emisor común.
b) El modelo r, para base común.
Solución
26 mV 26 mV
a) r, = = = lOA Q
lE 2.5 mA
h ie = [3r, = (140)( 1004 Q) = 1.456 kQ
ro = = = 50kQ
20J.1.S
Obsérvese la figura 7.38.
-
bo-----,
/,
h,,'• 1.456 ill
•
r----------r--------------~c
I
't
140/, f• ~=50kO
h~
Figura 7.38 Circuito equivalente
híbrido de emisor común para los e < > - -_ _ _ _ -------+--1 ->0---------0 e
parámetros del ejemplo 7.6.
b) r, = lOA Q
ex ;: 1, ro = = - - - = 2 MQ
hob 0.5 J.1.S
Obsérvese la figura 7.39.
--
/,
" ~ 10.40
¡ /, " 'o=2MO
e
h ie =
av, (}v.ve _ t.v be I (ohms) (7.32)
di, = oih = llib \/u·=constante
h,e =
; av b, _ t.v b, I (sin unidad) (7.33)
avee = llv ce ls=constante
di o di ==
; _ _,_O
(sin unidad) (7.34)
di, ai/¡
di o
hoe = (siemens) (7.35)
*La derivada parcial av/a;, proporciona una medida del cambio instantáneo en Vi debido a un cambio instantáneo
en i,.
H- _+60 ¡lA
6 +50 1'A
3 ~ 1 / Punto Q
IJJ~ = +20 J..lA
Aie 2 '- I B -+15¡..¡.A
'- lBl = +10 ¡..tA
1
I ~ lB = O IlA
.-l I L "'-... 1
O 5 (8.4 V) 10 15 20 U CE(V¡
En la figura 7.40 se seleccionó el cambio en i/) para extenderse desde I SI hasta lB: a lo
largo de la línea recta perpendicular en VCE. El cambio correspondiente en i{" se encuentra más
adelante mediante el dibujo de líneas horizontales a partir de las intersecciones de
I BI e I Bl con VCE::; constante respecto al eje vertical. Todo lo que resta consiste en la sustitución
de los cambios resultantes de i h e i l " en la ecuación (7.34); esto es.
tú . (2.7 - L7) mA
,. I =
111 h vel:" =conMante (20 - 10) J.1A
10-3
= = 100
10x 10-6
En la figura 7.41 se traza una línea recta tangente a la curva de lB a través del punto Q para
establecer una línea en JB::; constante. como lo requiere la ecuación (7 .35) para h oe. Se seleccionó
un cambio en v CE y se calcula el cambio correspondiente en ic mediante el dibujo de unas
líneas horizontales al eje vertical en las intersecciones sobre la línea en que lB =:: constante.
Sustituyendo en la ecuación (7.35). se obtiene
ie (mA)
7- +60 J..lA
6 +50 ¡lA
5 +40 ¡lA
"
4
~ +30 IlA
I~
¡
1
1 lB -
, 1 "'-....1 1
O 5 7V 10 15 20
"
0.1 X 10-3
= - - - = 33 )1A/V = 33 X 10-6 S = 33 )1S
3
Para determinar los parámetros h ie Y h re primero debe encontrarse el punto Q sobre la
entrada o las características de base como se indica en la figura 7.42. Para h ie , se dibuja una
línea tangente a la curva en VCE = 8.4 V a través del punto Q, para establecer una línea en VCE
= constante como lo requiere la ecuación (7.32). Luego se seleccionó un pequeño cambio en
vbe ' dando por resultado un cambio correspondiente en lb' Si se sustituye en la ecuación (7.32),
se obtiene
(733 - 718) mV
Ih¡,1
= /lv b , I =
!:J.i b vCE =constante (20 - 10) )lA
15 X 10-3
= = 1.5 kQ
10x 10-6
jB(~A)
VCE=OV
VCE =lOY
¡CE=20V
30
:-- VCE == 8.4 V (con stante)
20
PuntoQ __ 1
15 Ai b = 10 ~
-
lO -
L /
I
I
0.6
El último parámetro, h", se puede encontrar: primero al dibujar una línea horizontal a
través del punto Q en lB = 15 )lA. Después, la selección natural consiste en elegir un cambio en
vCE y encontrar el cambio que resulta en vBE como lo muestra la figura 7.43.
Sustituyendo en la ecuación (7.33), se obtiene
Para el transistor cuyas características aparecieron en las figuras 7.40 a la 7.43, el circuito
híbrido equivalente en pequeña señal es el que se muestra en la figura 7.44.
30
20
Punto Q ~ t.u,," == 20 V
15 f--------------'CIH-- 18 = 15 ~ (constante)
lO
1,
~ 1.5 kQ(h"J
b o-----.IVV\.".---..,I
+ +
r-----~-----~·--oc
+
VI><
4 X 10-4 V,.,. '\,
I ~ 33 pAN
e 0 _ _ _-----'-
(.IlnYr)
IL______l______oe (h,,,J
Figura 7.44 Circuito híbrido
equivalente completo para un
transistor que contiene las
características que aparecen en las
figuras 7.40 a 7.43.
Como se mencionó con anterioridad. pueden hallarse los parámetros híbridos para
las configuraciones de base común y de colector común empleando las mismas ecuaciones
básicas con ias variables y características adecuadas.
La tabla 7.1 lista los valores típicos de los parámetros para cada una de las configuraciones
para el amplio rango de transistores disponibles hoy en día. El signo negativo indica que en la
ecuación (7.34) cuando una cantidad creció en magnitud. dentro del cambio seleccionado,
la otra disminuyó en magnitud.
TABLA 7.1 Valores típicos de los parámetros para las configuraciones de emisor
común, colector común y base común
h, 1 kn 1 kn 20 n
h, 2.5 x IO~
50
= 1
-50
3.0 X \0-'
-0.98
hj
h 25 I1AN 25 ~AN 0.5 ~AJV
IIh ,. 40 kQ 40 kn 2 :vIQ
20
lc = 1 mA
VCE == 5V
T=25°C
f=tkHz
~---hit'
OOO~ ~ h~
0.02
! ! ! ! !
0.01
O.t
I
0.2 0.5 2 5
!
10 20 50
•Ic(mAl
Figura 7.45 Variaciones de los parámetros híbridos respecto a la corriente del colector.
3000
2000
\000
700
500 h h" h"
"
300
lE = 1 mA 200
cE
V T=250(
=5V --\00 t-------------¡~~==~~~~~~~;;~~~
h, l
t= 1 kHz 70 hit!
50
30L-~~--~--L-~----L-~~~--~--~--__
0.2 0.5 2 5 10 20 50 JOO VCE (V)
de 0.5(50) = 25 hasta 1.5(50) = 75 con un cambio de le desde 0.1 mA hasta 3 mA. Sin embar-
go, debe considerarse el punto de operación cuando le = 50 mA. Ahora la magnitud de h re es
aproximadamente 11 veces, igual a cuando se definió en el punto Q, una magnitud que no
pennite eliminar 'este parámetro del circuito equivalente. El parámetro hoe es aproximadamente
35 veces su valor nonnalizado. Este incremento en hoe disminuirá la magnitud de la resistencia
de salida del transistor a un punto donde puede acercarse a la magnitud del resistor de carga.
Por tanto, no existiría una justificación para eliminar hoe del circuito equivalente sobre una
base aproximada.
En la figura 7.46 se)ndica la variación en magnitud de los parámetros h sobre una base
normalizada ron los cambios en el voltaje del colector. Este conjunto de curvas se normalizó
en el mismo punto de operación del transistor estudiado en la figura 7.45, de tal fcnna que
/
puede establecerse uná comparación entre los dos conjuntos de curvas. Se nota que h ie y h fe
son relativamente estables en magnitud, mientras que hoe y h re son mucho mayores a la izquierda
ya la derecha del punto de operación seleccionado. En otras palabras, hoe y h re son mucho más
sensibles a los cambios en el voltaje del colector, de lo que son hie y hfe'
Es interesante observar a partir de las figuras 7.45 Y 7.46 que el valor de h¡e es el que tiene
cambios mínimos. Por tanto, el valor específico de la ganancia de corriente, sea h fe o [3, puede,
sobre una base aproximada y relativa, considerarse constante para el rango de la comente y el
voltaje del colector.
El valor de h" =f3r, varía de manera importante con la corriente del colector, como era de
esperarse, debido a la sensibilidad de r, hacia la corriente del emisor (lE '" le)' Es por esto una
cantidad que debe determinarse 10 más cercana posible a las condiciones de operación. Para
los valores abajo del VCE especificado, hre es casi constante, pero aumenta de manera considerable
para valores más altos. Por fortuna, para la mayoria de las aplicaciones tanto la magnitud de h re
como la de hoe pueden a menudo ignorarse, porque so::J. muy sensibles a la corriente del colector
y al voltaje del colector al emisor.
En la figura 7.47 se graficó la variación en los parámetros h debido a los cambios en la
temperatura de la unión. El valor de normalización se tomó a temperatura ambiente: T = 25 nc.
La escala horizontal es lineal y no una escala logarítmica como la que se utilizó en las figuras
7.45 y 7.46. En general, todos los parámetros aumentan en magnitud con la temperatura; sin
embargo, el parámetro menos afectado es hoe' mientras que la impedancia de entrada hie cambia
con mayor rapidez. El hecho de que h¡, cambiará desde el 50% de su valor normalizado a
-50 oC hasta 150% de su valor normalizado a +150 oC, indica que la temperatura de operación
debe considerarse con cuidado en el diseño de circuitos de transistores.
2.0
0.5
0.4
t
O.3."-__h~"~I____~I__+--L____~I______LI____~I______~.
Figura 7.47 Variaciones de los
-100 -50 O 25' 50 100 150 200 T ('C)
parámetros híbridos respecto a la
Temperatura ambiente temperatura.
v~~
"º'~
FBJT
.~-'
3 2
nombre (+N) (-N) no'mbre de magnitud del
"---'--.~
fuente controlada la fuente de multiplicador
por corriente voltaje para la fuente
controladora controlada controlada
El nombre (hasta siete caracteres) asignado a la fuente controlada está seguido por los nodos
positivo y negativo para la fuente. La literal V debe aparecer antes del nombre de la fuente de
voltaje de dc estableciendo la dirección de la corriente de control. La fuente de voltaje debe
estar en el mismo circuito en serie que la corriente de control y polarizada, de tal fonna que se
establezca una corriente en la dirección opuesta de la corriente de controL Se requiere la dirección
opuesta porque en PSpice la corriente de una fuente independiente de voltaje está definida para
tener una dirección opuesta a la "presión" aplicada de la fuente. Su magnitud es de OV, en caso
de que su único propósito sea el de establecer la dirección de la corriente de control. El último
factor del formato es el factor de multiplicación para la fuente de corriente controlada. Debido a que
la definición de la fuente de volUUe debe ser parte de la red que aparece en el archivo de entrada, una
línea por separado debe definir el nombre, la polaridad y la magnirud de la fuente de de.
Se utilizará el modelo de la figura 7.48 para la configuración del transistor de base común.
Para la configuración del transistor de emisor común se empleará el modelo de la figura 7.49.
V sensor
--------~------oc r-------~----~c
1~lb r
('
I
0::=-
h" ..
~----------~------~------~~----~.h
I
eo-------------__--------~~--------__------~e
Figura 7.48 Modelo de base común para PSpice. Figura 7.49 Modelo de emisor común para PSpice.
EJEMPLO 7.7 Escriba el archivo de entrada para el amplificador de emisor común de la figura 7.50. solicitando
la magnitud y el ángulo de la fase del voltaje de salida V o '
~/h Re
120l h 4.7 ka
Solución
En la figura 7.51 aparece el archivo de entrada de la figura 7.50. Las primeras dos líneas
describen las dos fuentes de lared con un ángulo de 0° que no está incluido en la descripción de
la fuente de ac, debido a que se trata del valor implícito cuando nO se especifica. Se define la
impedancia de entrada f3r e en la tercera línea y la fuente de comente controlada en la siguiente
línea. Compárese la descripción de la fuente de comente controlada con la hecha anteriormente de
las fuentes CCCS. La impedancia de salida es de 40 kQ entre las terminales 3 y O. el resistor Re
es la resistencia de colector del diseño. La frecuencia seleccionada para el análisis en ac (se
debe especificar una frecuencia) es de 1 kHz y la siguiente línea solicita la magnitud y el
ángulo de fase del voltaje de salida V o ' Recuérdese que el comando .OPTIONS NOPAGE
elimina parte del material superfluo en el archivo de salida.
Figura 7.51 Análisis por medio de PSpice para la red de emisor común de la figura 7.50.
A,.. =
VI =
_0
630.9 mV
= 315.45
" I,Vi 1 2 rnV
un nivel que caerá cuando se conecte una carga. Los resultados también indican un cambio de
fase de 1800 entre V v y Vi tal como se esperaba para la configuración de emisor común.
c"
(
+
Re
Problemas 341
8. Dada la configuración BJT de la figura 7.53, calcular:
a) Vi'
b) Z¡
e) A,,,,
d) A",
+
v,
I
- -
li=IO~A
A
O,6kQ
Zi
+
V,
Amplificador a
+
~= 3.6 V
\
18mV transistor BJT
-,
+
l 12rnV
IkQ
-- Zi
,
1
+
V¡ = 4 rnV Amplificador a
+
V,
~
RL
1o
0.51 kQ
transistor BJT
I - -
Figura 7.54 Problema 9.
14. Dados [E (de) = 1.2 mA, (3= 120 Y r, =40 kQ. dibujar los:
a) Modelo híbrido equivalente de emisor común.
b) Modelo re equivalente de emísor común.
e) Modelo híbrido equivalente de base común.
d) Modelo re equivalente de base común.
15. Dados h¡e = 2.4 kQ, h¡e ~ 100. h" = 4 x l<r' y h" = 25 pS. dibujar los:
a) Modelo híbrido equivalente de emisor común.
b) Modelo re equivalente de emisor común.
c) Modelo híbrido equivalente de base común.
d) Modelo re equivalente de base común.
16. Redibujar la red de emisor común de la figura 7.3 para la respuesta en ac con el modelo híbrido
equivalente aproximado sustituido entre las terminales adecuadas.
17. Redibujar la red de la figura 7.55 para la respuesta en ac insertando el modelo re entre las terminales
adecuadas. Incluir ro.
18. Redibujar.la red de la figura 7 .56 para la respuesta en ac insertando el modelo re entre las tenninales
adecuadas. Incluir ro'
Re
V EE -vcc
R8 C
RE Re
Ce Ce
~e
+
v, '\,
B
E
+ r.
'\,
R,
1
V,
~ ...
Figura 7.55 Problema 17. FIgura 7.56 Problema 18.
19. Dados los valores típicos de h¡C = 1 kQ, h rc = 2 x 1()-4 y Av = -160 para la configuración de entrada
de la figura 7.57:
a) Determinar Vo en términos de V¡"
b) Calcular lb en términos de Vi'
c) Calcular lb si se ignora h re Vo. +
d) Precisar el porcentaje de diferencia en lb con la ayuda de la siguiente ecuacíón:
lb(sin h ) - ¡b(con h re )
% en diferencia en lb = re x 100%
lb(sin h re )
e) ¿Es válido el método de ignorar los efectos de h,e Vo para los valores típicos utilizados en este
ejemplo? Figura 7.57 Problemas 19,21.
Problemas 343
20. Dados los valores típicos de R L == 2.2 ka y ho~' = 20 pS, ¿resulta una buena aproximación ignorar
los efectos de 1/hoe sobre la impedancia total de carga'? ¿Cuál es el porcentaje de diferencia en la
carga total sobre el transistor utilizando la siguiente ecuación?
21. Repetir el problema 19 empleando los valores promedio de los parámetros de la figura 7.28 con
A,.~-180.
22. Realizar otra vez el problema 20 para R L = 3.3 ka y el valor promedio de hoe en la figura 7.28.
* 35. a) Al revisar las características de la figura 7.45, ¿cuál parámetro cambió lo menos posible para
el rango completo de corriente del colector?
bl ¿Cuál fue el parámetro que observó más cambios?
e) ¿Cuáles son los valores máximo y mínimo para lfhoe? ¿Es una buena aproximación llhoJ\
RL == R L más adecuada con los valores altos o bajos de la corriente del colector?
d) ¿En qué región del espectro de corriente es más adecuada la aproximación hreVce == O?
+
--
J,
:
1
'.
~
Jo
+
~ =4 mV llL '\., '. 20n
t O.98fc • 50kQ RL 2.2kQ Vo
38. Escriba el archivo de entrada para la red de emisor común de la figura 7.59 Y solicite:
a) La magnitud y la fase de Vo '
b) La magnitud de lo'
e) La magnitud de la comente Ir (y compárela contra 1).
d) La magnitud de la comente de entrada lb'
+ I
I
--
lb
:
t 1
'. ti" +
1
lOrnY '\., 2kQ h"
f lOOfb • h~
RL 3.3 kn V"
h¡l.
I 1
I I 20 ¡¡S
BASIC
39. Repita el problema 37 utilizando BASIC.
40. Repita el problema 38 utilizando BASIC.
Problemas 345
CAPÍTULO
Análisis a pequeña
señal del transistor
bipolar
- ] r-.........................................
L
8.1 INTRODUCCIÓN
Los modelos de transistores que se presentaron en el capítulo 7 se utilizan ahora para llevar a cabo
un análisis en ac a pequeña señal de las configuraciones estándar de redes de transistores. Las redes
analizadas representan la mayoría de aquellas actualmente utilizadas en la práctica. Las
modificaciones a las configuraciones estándar se examinarán con relativa facilidad una vez
que se revise y entienda el contenido de este capítulo.
Debido a que el modelo r, es sensible al punto real de operación, será el modelo primario
para el análisis que se desarrollará. Sin embargo, para cada configuración, se examina el efecto
de la impedancia de salida como es proporcionado por el parámetro hoe del modelo equivalente
híbrido. Para demostrar las similitudes que existen entre los modelos, se dedica una sección al
análisis a pequeña señal de las redes BJT que únicamente utilizan el modelo híbrido equivalente.
El análisis de este capítulo no incluye una resistencia de carga RL o la resistencia de la fuente
R,. Se reserva el efecto de ambos parámetros para un método para sistemas en el capítulo 10.
El análisis por computadora incluye una breve descripción del modelo de transistor
empleado en el paquete de programas PSpice. Este programa demuestra el rango y profundidad
de los sistemas de análisis por computadora, los cuales están disponibles en la actualidad y lo
relativamente fácil que resulta capturar una red compleja e imprimir los resultados deseados.
Se incluye un programa en BASIC para permitir una comparación entre el uso de un paquete
de programas y un lenguaje de computación.
346
JL
RB
J,
-
v, o-----}t---+-<>---!
- B
e,
z,
...
Figura 8.1 Configuración de Figura 8.2 Red de la figura 8.1 después
polarización fija de emisor común. de eliminar los efectos de Vco el y e2-
-
1,
l -- h1,
+
-
Z, b e
+
...
/3r;
~
.¡,
fllb
...
"
Re
--
z,
V,
1-
...
El siguiente paso consiste en calcular /3, re y ro' La magnitud de f3 por lo general se obtiene
mediante una hoja de especificaciones o por medición directa utilizando un trazador de curvas
o mediante un instrumento para probar transistores. Debe determinarse el valor de re a partir de
un análisis en de del sisterna~ por su parte, la magnitud de rose obtiene por lo general mediante
la hoja de especificaciones o de las características. Suponiendo que se hayan determinado f3, r,
y ro_ se obtendrán las siguientes ecuaciones para las características importantes de dos puertos
del sistema.
Z¡: La figura 8.3 revela que
ohms (8.1 )
Para la mayor parte de las situaciones, R B es mayor que f3r, más de 10 veces (se debe
recordar a partir del análisis de los elementos en paralelo que la resistencia total de dos resistores
en paralelo siempre es menor y muy cercana a la más pequeña en caso de que una sea mucho
mayor que la otra), lo cual pennite la siguiente aproximación:
Zi ;:
'------'RB
f3r, I 2= lO/3r,
ohms (8.2)
~
Si ro ;?:
I Zo Rc11ro
IZ o
"R c I r,,~ !ORe
(8.4) Figura 8.4 Determinación. de Zo
para la red de la figura 8.3.
de manera que
y (8.5)
(8.6)
Se observa la ausencia explícita de ¡3 en las ecuaciones (8.5 y 8.6), aunque se reconoce que ¡3
debe utilizarse para determinar re'
A i : La ganancia de corriente se calcula de la siguiente manera:
Al aplicar la regla del divisor de corriente a los circuitos de entrada y de salida,
(r)(¡3lb) lo r,¡3
1, e =
ro + Re lb ro + Re
(RB)(l) lb RB
con lb = o =
RB + ¡3r, li RB + ¡3r,
El resultado es
lo ¡3RBro •
A, = -
li (r)(R B)
y Ai - ¡3 (8.8)
1" > IORe R, > IOP'.
La complejidad de la ecuación (8.7) sugiere que puede desearse el retorno a una ecuación
como la ecuación (7.10) la cual emplea Ao y Z,. Esto es,
(8.9)
Relación de la fase: El signo negativo para Av en la ecuación obtenida indica que ocurre
un cambio de fase de 1800 entre las señales de entrada y de salida, como se muestra en la figura
8.5.
t Yo
Re I
Re
P-tr.
~,
O t V,
figura 8.5 Demostración del
I
cambio de fase de 1800 entre las
formas de onda de entrada y
salida.
3kQ
470 Iill
~ 1,
-
1;
V; o-----} 1--+-----1
10
(
~F
-
o ~,
-
z,
10 ~F
Solución
a) Análisis en DC:
eeV BE
- V l2V - 0.7V
¡B = ---""---""- --c~-- = 24.04}lA
470kQ
lE = (/3+ l)lB = (101)(24.04 ¡.LA) = 2.428 mA
26 mV 26mV
r =-- = = 10.71 Q
, lE 2.428 mA
b) {3r, = (100)(10.71 Q) = 1.071 kQ
Z; = RB 11 {3r, = 470 kQ 111.071 kQ = 1.069 kQ
e) Zo = Re '" 3 kQ
3kQ
= -280.11
10.71 Q
e) Dado que RB ~ 10{3r,(470 kQ> 10.71 kQ)
A; ;: f3 = 100
B
f3R ro (100)(470 kQ)(50 kQ)
_----.:~-"---- = --.:...-.:...-_-'-.:.-.:...-_-
(ro + Rc)(R8 + f3r,) (50 kQ + 3 kQ)(470 kQ + 1.071 kQ)
= 94.13 vs. lOO
Como verificación:
Z, -(-264.24)( 1.069 kQ)
A. = -A - = = 94.16
, ~ Rc 3 kQ
la cual difiere ligeramente debido sólo a la precisión que se lleva a través de los cálculos.
Vee
V,
Re
R,
e {----<o v,
-li
V, o-----}
B
e,
---
-Zi
e,
R,
E
RE CE
Z,
--
li
b
11
1b e
~I h
+ +
•
-
Zi
Vi R, R, ~ Pr, /JI, 'o Re V,
~
- e e Z, -
..... ~
R'
'*'
Figura 8.8 Sustitución del circuito equivalente re en la red equivalente de ac de la figura 8.7.
(8.10)
Zo = RJ ro I (8.12)
(8.13)
Va Rellro
y A, = - = (8.14)
Vi r,
la cual se nota que es una réplica exacta de la ecuación que se obtuvo para la configuración de
polarización fija,
Para ro;" lOR e
(8.15)
A i : Debido a que la red de la figura 8.8 es tan similar a la de la figura 8.3, excepto por el
hecho que R' = R, 11 Rz = RB , la ecuación para la ganancia de corriente tendrá el mismo formato
que la ecuación (8.7). Esto es,
(8.16)
lo f3R'r o
Ai = -
1, ro(R' + f3r,)
lo f3R'
y Ai = - - (8.17)
li R' + f3r e
ro ~ lOR c
y (8.18)
(8.19)
22 v
56Hl
10 ~F
-
V; o---}l~-+-----1
/,
-z,
8.2 kQ
Solnción
(8.2 kO)(22 V)
Vcc = = 2.81 V
56 kO+ 8.2 kO
e) Z" = Re = 6.8kQ
Re 6.8 kQ
d) A, = - - = - - - = -368.76
r ,. 18.44 Q
e) La condición R' 2 10[3r,. (7.1 S kQ 2 1O( 1.66 kQ) = 16.6 kQ no está satisfecha.
Por tanto,
[3R' (90)(7.15 kQ)
A¡ := - - - = - - - - - - = 73.04
R' +[3r, 7.15 kQ + 1.66 kQ
f) Z, = 1.35 ka
Zo = Re 11 r" = 6.8 kQ 1150 kQ = 5.98 ka vs. 6.8 kQ
Re 11 ro 5.98 kQ
A, = - =- = -324.3 VS. -368.76
18.44 Q
La condición:
r" 2 lOR e (50 kQ;o, 10(6.8 kQ) = 68 kQ)
No está satisfecha. Por tanto,
A, = _ _...:[3_R_'r..c.,,_ _ = _ _ _
(9_0)_O_._15_k_Q_)(_5_0_kQ_)_ _
(r" + Re)(R' + [3r) (50 kQ + 6.8 kQ)(7.15 kQ + 1.66 kQ)
64.3 VS. 73.04
Existió una diferencia considerable en los resultados de Z(). A\, y A¡ debido a que no se
satisfizo la condición ro;;::: 1ORe-
Sin desvío
En la figura 8.10 aparece la configuración más básica de las que no poseen desvío. El modelo
re equivalente se sustituyó en la figura 8.11, pero se observa la ausencia de la resistencia ro' Si
se considera el efecto de ro' el análisis será mucho más complicado; sin embargo, en la mayoría
de las situaciones se puede ignorar su efecto; por tanto. no se incluirá en el siguiente análisis.
y su efecto se discutirá más adelante en esta sección.
La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alIado de la entrada de la figura 8.11 dará
por resultado
~r I
e
- --
: pr, /5l,
Z,
R.
Zb
•
t h .- Z.
Vi Re
V.
e
figura 8.10 Configuración Figura 8.11 Sustitución del circuito equivalente re en la red
polarizac}ón de emisor común. equivalente de de la figura 8.10.
- Z.
Zb = f3re + (f3 + I )RE
y (8.21)
Fagura 8.12 Definición de la
impedancia de entrada de un Debido a que RE a menudo es mucho mayor que re' la ecuación (8.21) puede reducirse aún
transistor con un resistor de más a
emisor sin desvío. (8.22)
(8.23)
=
Zo: Al hacer Vi cero, lb O Y f3lb puede reemplazarse mediante un equivalente de circuito
abierto. El resultado es
(8.24)
V,
lb ~
Zb
y Vo = -loRe = -f3l bR e
= -f3( ;.) Re
R
con A, = -'i... = f3 e (8.25)
Vi Zb
(8.27)
e lb B R
- = ---"---
li R B + Zb
además,
lo = f3 l b
e
y (8.28)
o
"
ElJ
A = -A-'
, 'R
e
(8.29)
Relación de la fase: El signo negativo de la ecuación (8.25) revela una vez más un
cambio de fase de 1800 entre Vo y Vi'
Efecto de ro: Las ecuaciones que aparecen abajo revelarán con mayor detalle la
complejidad adicional que resulta al incluir ro en el análisis. Sin embargo, en cada caso se
observa que cuando se cumplen ciertas condiciones, las ecuaciones regresan a la fonna recién
derivada. La derivación de cada ecuación está más allá de las necesidades de este texto y se
deja como un ejercicio para el lector. Cada ecuación puede derivarse mediante la aplicación
cuidadosa de las leyes básicas del análisis de circuitos como las leyes de voltaje y de corriente
de Kirchhoff, las conversiones de las fuentes, el teorema de Thévenin y otros. Se incluyeron
las ecuaciones para eliminar la molesta pregunta del efecto de ro sobre los parámetros importantes
de una configuración de transistores.
Z¡:
(8.30)
(8.31 )
Z,
o'
(8.32)
Zo = Re I
L-...:._ _"'----' Cualquier nivel de r"
(8.33)
~
r ] Re
1+-:- +-r-
Av = ~= o o
(8,34)
Vi
V, Re
+-
ro
(8.35)
' -___
V'-, _ _ _Z,-h--1r" 2: JURe
A, (8.36)
Con desvío
Si RE de la figura 8.10 está en desvío mediante un capacitor CE de emisor, el modelo re
equivalente completo puede sustituirse. dando por resultado la misma red equivalente que la
figura 8.3. Por tanto. pueden aplicarse las ecuaciones (8.\) a (8.9).
Para la red de la figura 8.13, sin CE (sin desvío). calcular: EJEMPLO 8.3
a) re'
b) Z¡. _ 20 V
e) Zo'
d) A,.
e) Aj'
470kQ
10 ¡.¡.F
Vi e __ )1-4----1
1, el
0.56kQ
1ICE 10 ~F
Solución
Vee-VBE 20Y-O.7Y
a) De: lB = = = 35.89 ¡;.,A
+ ({3 + I)R E 470kfi + (12\)0.56 kU
RE
h = (f3 + l)I. = (121)(46.5 ¡;.,A) = 4.34 mA
26mY
y r, = = = 5.99.0
4.34 mA
J[
b) La prueba de la condición ro;" IO(R e + RE)'
40 k!l 2: 10(2.2 k!l + 0.56 ill)
40 k!l 2: 10(2.76 k!l) = 27.6 k!l satisfecha
Por tanto,
Zb == f3(r, + RE) = l20(5.99!l + 560 O)
= 67.92k!l
y Z; = RBllzb = 470 k!l1167.92 k!l
= 59.34kíl
e) Zo = Rc = 2.2kíl
d) ro;" IOR e está satisfecha. Portanto,
A, = _Vo f3R_c =
== __ _-,-O_20,..:),;",(2_.2_k:-!l...:..)
V; Zb 67.92 k!l
= -3.89
comparado con -3.93 cuando se utilizó la ecuación (8.27): Av '" -R¿R E .
EJEMPLO 8.4 Repítase el análisis del ejemplo 8.3 cuando CE está en su lugar.
Solucióu
d) A, = _ Re
r,
2.2k!l
= - 5.99!l = -367.28 (un incremento significativo)
EJEMPLO 8.5 Para la red de la figura 8.14, encontrar (mediante las aproximaciones adecuadas):
a) re.
b) Z,.
e) Zo'
d) A".
e) A;
tI,
2.2 kO
90kíl
o
+
-
e,
V, e • I p =210J,,= 50 kQ
1,
-z,
e,
IOkíl
0.68 kQ
I
1.. eE
T
z,
...-J
'=' Figura 8.14 Ejemplo 8.5.
Solución
-
z.
-
'~
+
"
2.2 kil
+
~
10kQ 90kíl
0.68k!l •
Las condiciones de prueba tanto de ro ;:;: IO(R e + RE) como de ro ;:;: IOR e se satisfacen. El
empleo de las aproximaciones adecuadas dan
Z¡ (8.47kO)
e) A¡ = -A~ Re = -( -3.24) 2.2 kO
= 12.47
--
el
V, o-}I---"----I
--
Zi
li
-
Z,
_1, B
V, 0--)1----+-<>--1
el' e,
-Z,
RE
E?--;---!!----o 'é,
~
f
t 1,
=
Ar 1 por lo general es buena. A diferencia del voltaje del colector, el voltaje está en fase con
la señal VI' Esto es, tanto Vo corno VI mantendrán sus valores pico positivos y negativos al
mismo tiempo. El hecho de que Vo "siga" la magnitud de Vi con una relación dentro de fase
acredita la terminología emisor-seguidor.
En la figura 8.17 aparece la configuración emisor-seguidor más común. De hecho. debido
a que el colector está conectado a tierra para el análisis en ac. en realidad es una configuración
de colector-común. En la parte final de esta sección aparecerán otras variaciones de la figura
8.17 que tienen la salida en emisor con Vo ;::: V¡-
La configuración de emisor-seguidor se utiliza con frecuencia para propósitos de aco-
plamiento de impedancia. Presenta una alta impedancia en la entrada y una impedancia baja en
la salida, la cual es directamente opuesta a la configuración de polarización fija estándar. El
efecto que se obtiene es muy similar al que se logra con un transformador, donde se acopla una
carga con la impedancia de la fuente para obtener una máxima transferencia de potencia a través
del sistema.
Al sustituir el circuito equivalente rl! en la red de la figura 8.17 se obtiene la red de la
figura 8.18. El efecto de ro se examinará más adelante en la sección.
+
-- 1,
e
--
z,
v,
+
\
(8.37)
y (8.40)
Zo: La impedancia de salida se describe mejor al escribir la ecuación para la comente lb:
Vi
lb = -
Zb
Vi
le = (f3 + I)h = (f3 + 1)-
Zb
Sustituyendo por Z/) se obtiene
le = ~-,,(f3_+,--l,-)V-,-i_
f3r, + (f3 + l )RE
1 = -:-:--:-::--~
Vi _____~
o , [f3r,/(f3 + 1)] + RE
(f3+l)~f3
pero
f3r e f3re
---~--=r
y
f3+1 f3 <
V
de manera que le == ----'-'-- (8.4l)
re + RE
REVi
v=
" RE + re
Vo RE
Y A,. :-: (8.44)
V, RE. + re
(8.45)
o
1, RB + Zh
e lo = -í, = -({3 + l)h
o -lo = -({3 + 1)
lh
R
=-({3+1) B
R B + Zb
y debido a que ({3 + 1) "" {3,
(8.46)
o (8.47)
Relación de la fase: Como se indicó por medio de la ecuación (8.44) y algunas discu-
siones anteriores de esta sección, tanto Vo como VI se encuentran en fase para la configuración
emisor-seguidor.
Efecto de ro:
Z¡:
({3+ I)R
E
Z" {3r, + -'----"- (8.48)
(8.49)
Z·
o'
(8.50)
z,,=,REllr, I (8.51 )
Cualquier r"
y A, = ---"---
RE
re + RE
I (8.53)
' - -_ _ _ _ _--' ' •. ~IOR,
12 V
f
220 ill
--
10 ~F
v,~I-~--I {3 = 100. ro =00 Q
li
-- Z, 3.3 kQ
Solución
a) lB = R
B
+ ({3 + I)R
E
l2V-O.7V
= 220 k!1 + (101)3.3 k!1 = 20.42pA
h=({3+ 1)/.
= (101)(20.42 ¡.tA) = 2.062 mA
26mV
r, = = 2.062 roA = 12.61 n
364 capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar
J[
b) Zh {3r, + ({3 + I)R E
=
= (100)(12.61 fl) + (101)(3.3 kfl)
= 1.261 kfl + 333.3 kfl
= 334.56 kfl == (3R E
Z, = RBI!Zb = 220 kfili334.56 kfl
= 132.72 ka
e) Z" = REllr, = 3.3 kfi1112.61 fl
= 12.56 a == r,
Vo RE 3.3 kfl
d) A, = V, = RE + r, = 3.3 kfl + 12.61 fl
= 0.996 ==1
(100)(220 kfi) = _ 9.67
e) A, == =
220 kfi + 334.56 kfl 3
contra
Z,
A = -A , - = -(0.996)
( 132.72 kfl) = -40.06
, , RE 3.3 kfl
f) Al verificar la condición ro 2 lOR E , se tiene
25 kfl ;", 10(3.3 kfl) = 33 kfl
la cual no se satisface. Por tanto,
Portanto, aunque no se satisface la condición ro ;::: 10R E, los resultados para Zo y Av son los
mismos y únicamente Z¡ es un poco menor. Los resultados sugieren que para la mayoría de las
aplicaciones se puede obtener una buena aproximación de los resultados reales sólo con el
hecho de ignorar los efectos de ro para esta configuración.
La red de la figura 8.21 es una variación de la red de la figura 8.17, la cual utiliza una
sección de entrada divisor de voltaje para establecer las condiciones de polarización. Las
ecuaciones (8.37) a (8.47) se pueden cambiar con sólo reemplazar RB por R'; R¡ 1\ R2•
La red de la figura 8.22 también proporciona las características de entrada/salida de
un emisor-seguidor. pero incluye un resistor colector Re En este caso RE se reemplaza una
vez más por la combinación en paralelo de R 1 YR2 . La impedancia de entrada Z¡ y la impe-
dancia de salida Z() no se afectan entre sí, porque Re no se refleja en las redes equivalentes
v, o \)
r
\
1-+~---1
--
z
-- l'--
1,
~.------~--~~.
1"
+
-- ~RL
1,
,
=Jl"
I
--
1,
e •
~ tI.
+
e
-
+
V,
~
Z,
RE E.
vi..f.
B
lé
--
z,
I
"
t al"
i
R, ~:, Z
"
Figura 8.23 Configuración de base común. Figura 8.24 Sustitución del circuito equivalente r~ en la red
equivalente de ae de la figura 8.23.
(8.54)
(8.55)
y (8.56)
1" (8.57)
con A¡ = = - a", -1
1,
Relación de la fase: El hecho de que Aves un número positivo indica que tanto V(J como
Vi se encuentran en fase para la configuración de base común.
Efecto de ro: Para la configuración de base común, ro = l/h oh está por lo general en el
rango de los megaohms y es más grande que la resistencia en paralelo Re como para permitir la
aproximación ro 11 Re == Re
Solución
V EE - V BE 2 V - 0.7 V 1.3 V
a) lE ~ ~ ~ -- ~ 1.3 mA
RE 1 kO 1 kO
r ~ 26mV ~ 26mV ~ 200
e lE l.3 mA
b) Z¡ ~ REllr, ~ 1 kOl120 O
= 19.61 fi == re
e) Zo=R e =5kfi
Re 5kO
d) A '" - = - - = 250
, re 20 O
e) A¡ = -0.98"" -1
Re
r-'V\RFI\r-t--,-t_J"-;~ V o
e el
-
J,
Vi o-----J f--~-<>--I
- 8
Zo
e,
- - 8 - RF +
+
h +
-
J,
l'
Vi
Z,
.Br,. ¡Jlb
tc~v " Figura 8.27 Sustitución del
circuito equivalente Te en la red
':' ':' equivalente de ac de la figura 8.26.
J' = Vo - Vi
RF
con Vv = -loRe
e lo = f3lb + l'
Debido a que /3Ib es mucho mayor que r,
lo '" f3l&
y Vv = -(f3l blRc = - f3I¡}1c
pero
Re = Re
pero Re es por 10 general mucho mayor que re y 1 +
f3r,
de tal fOnTIa que z=
,
I + f3R e
RF
r
o Zi = " (8,58)
Re
-+
13 RF
Zo: Si se hace Vi cero como se requiere para definir Zo' la red aparecerá como se muestra
en la figura 8.28. El efecto de f3rl' se elimina y RF aparece en paralelo con Re y
(8.59)
v, =O
¡ Figura 8.28 Definición de Zo para la
configuración de retroalimentación en
colector.
Vo Re
y A, = - = (8.60)
V, r ,
Vi + VRF ~ Vo = O
e
Ih f3 r , + (lh - l¡)R F + (,Re = O
Utilizando lo '" f3lh' se tiene
lo
13({3r, + RF + f3R c ) = IiRF
e I" = -=--~{3"-R-,,F,--I,--,--c---
{3r, + R, + f3R c
Ignorando f3r, y comparar con RF y f3R e
A, = ~ = f3R F (8.61 )
li RF + f3R e
lo
y A.=- (8.62)
, I,
1+
Rell ro
RF
Zi = (8.63)
-+-+
1 Rell ro
f3r, RF RFre
Zi=--:----
1 Re
-+--
f3r, RFr,
(8.651
(8.67)
A:,.
(8.68)
(8.69)
Re
1+-
RF
' -_ _ _ _ _ _- ' r,o?: ¡ORe
(8.70)
V, ~
__
Z,
--
/;
IO~F
10 ~F
f3 =200. r,/=ooQ
......
Z"
Solución
A:
I
- [~I
RF
+ ~ ] (ro¡¡R~)
re
- [ 1 +
180k!1
1 ] 2.38 k!1
11.21!1 ( )
A" = --'---r--'¡c-- - 2.38 k!1
1+~1R 1+ '::"":-'-...,-
R, 180 k!1
2
- [5.56 X 10- 6 - 8.92 X 10- )(2.38 kí1)
1 + 0.013
Z,
A, = -A" Re
617.7 !1
= -(-209.56)-Z-.7-k-:!1-
Para la configuración de la figura 8.30. las ecuaciones (8.71) a (8.74) determinarán las
variables de interés. Las derivaciones se dejan como un ejercicio al final del capítulo.
Re
~_'VRVF'V-+t!..l_,-If----<> v,
-
v,
1,
o---::-¡ f---"-----I
C,
-
-
z,
C,
z,
RE
Z¡ '"
[-i
------=----
j
+ _(_R=.E_;_F_R-,C':"')
(8.71)
z·
"
(8.72)
A'
"
(8.73)
1
A¡"'----- (8.74)
-+
f3
-
c,
v, o-:---ll
-
z,
1,
Figura 8.31 Configuración
de retroalimentación de de
en colector.
+ --
1,
:::lV'
te, t"--
I
+
~',
~
Z,
v, RF , fJJ, Re
'" 'é,
1 ... ... v
R'
I
I
"F
z" Figura 8.32 Sustitución del circuito
equivalente Te en la red equivalente
de ac de la figura 8.3!.
(8.75)
z·o'
(8.76)
(8.77)
A'
"
R' ~ r"ll RF,I\ Re
y V" = -f3I"R'
y V = -{3~ Vi R'
o {3rl"
de tal forma que
V rJRF,IIRc
A,. = - " =- (8.78)
Vi r,
V RF,IIR c
A, =o- ; (8.79)
V, r, I r" ~ JOR(
Rf/i lh = RF ,
In = o
RF , + {3r,. li RF , + {3r,
y para el lado de salida utilizando R' = ro 11 R F ,
R' {3lh
lo = R + Re o = -::-:'R'{3
-'-.:::..,-
R' + Re
1
La ganancia de corriente
A. = lo = lo Jh
I Ji Ih Ji
R' {3 RF ,
R/ + Re RFr + f3r('
Debido a que RF,es por lo general mucho mayor que f3re • RF, + f3r e == RF I
y A,--=
lo i3Rt:(r"IIR,.)
\ .
, - li - l4';(r"IIR F , + Re)
o (8.82)
-- r...
O.OlmF
1,
--
IOmF
z,
Figura 8.33 Ejemplo 8.10.
Solución
Vcc - VBE
a) oC: lB =
RF + {3R c
12 V - 0.7 V
=~~~~~~--~
(120 kf1 + 68 kf1) + (140)3 kf1
11.3 V
= 608 kf1 = 18.6 ¡.tA
+
--
1,
=nI, 1,
+
--
/JI,
120kU f3r,
~
-
1.395 k.Q 140 lb
r" 68 kU lkU
V, 30kíl V,
z,
... 1 ... ...
z,
Figura 8.34 Sustitución del circuito equivalente re en la red equivalente de ac de la figura 8.33.
30 kQ ~ 10(3 kQ) = 30 kQ
RF,\!R c 68 k!1113 W
A\.=-
r,
= 9,920
2.87 kO
=:::;-
9.920
'" -289.3
-- •
l,
>h¡~
t h"lb
•• h~
e
r------r----~c
Varios de los parámetros del modelo híbrido están especificados en una hoja de datos o
mediante el análisis experimental. El análisis en de asociado con el uso del modelo re 00 es una
parte integral del empleo de los parámetros híbridos. En otras palabras, cuando se presenta el
problema. los parámetros tales como h ie , hfe • h ib , y así sucesivamente, se especifican. Sin
embargo, debe tenerse en cuenta que los parámetros híbridos y los componentes del modelo re
están relacionados mediante las siguientes ecuaciones tal como se discutió a detalle en el capítulo
7: hle = f3r e, jhe = 13, hoe = llro , hfb =-a y h·¡b = re (obsérvese el apéndice A).
Re ~ 1"
(
-
o
1,
C, +
0-)1---+----1 h"
hje Z"
+ e,
V"
v,
Figura 8.37 Configuración de
polarización fija.
+ z, --
1,
T.l -h 1,
+
V, Ro: 1 : Re
-
h" h¡J,> hOl? V
•
- I z, -
Figura 8.38 Sustitución del circuito equivalente híbrido aproximado en la red equivalente de ac de
la figura 8.37.
emisor común. Compárense las similitudes aparentes con la figura 8.3 y el análisis del modelo
Las semejanzas sugieren que el análisis será muy similar y los resultados de uno pueden
1;:.
(8,83)
Z" (8,84)
con Vo = -h,-'
v
,eh. R'
"
(8.86)
~ 330 k!2
¿_)f-I_+---_---1 (
+---11---
h¡;. = 120
h". = 1.175k!2
Z"
0
-
V"
Solución
- 1,
z,
'
-:F.
ha,'=: 20 !lA/V
~R
/, i
v, o
-z,
• ll--+----i
el
- z"
(8.88)
(8.90)
V; o • )1-------1
1,
--
z,
figura 8.41 Configuración de
polarización en emisor sin desvío.
(8.91)
y
(8.92)
Z,:
(8.93)
y ~ (8.94)
~
(8.95)
Configuración emisor-seguidor
Para el emisor-seguidor de la figura 8.42 el modelo de pequeña señal igualará la figura 8.18
con f3r" ;; h ie y f3;; h f{'· Las ecuaciones obtenidas serán, por tanto. similares.
l¡:
(8.97)
(8.98)
1,
v, e
-
---.- )
z,
lQ: Para Z() la red de salida definida por las ecuaciones obtenidas aparecerá como se
muestra en la fígura 8.43. Al revisar el desarrollo de las ecuaciones en la sección 8.5 y
Z" - RE II~
h (8.99)
1<'
h"
1 .... h¡e
VV\¡ o
¡'e -
+ +
I Z"
v, '\, lt;¡
I l o
Figura 8.43 Definición de Zo para la
configuración de emisor-seguidor.
A~: Para la ganancia de voltaje se puede aplicar la regla del divisor de voltaje a la figura
8.43 de la siguiente manera:
hfc R8
A, = (8.101 )
RB + Zb
Z,
o A, = -A - (8. I 02)
r RE
+ --
J,
h i/¡· hfl,
--
f,
L +
V, --
z, RE
V
cc
Vo -
Zo
-
---"-'-h-:;'
-- + -J,- '--1
z, v" z,.
t
Figura 8.45 Sustitución del circuito equivalente híbrido aproximado en la red equivalente de ac de
la figura 8.44.
Z, (8.103)
;8.104)
lo
A, = (8.106)
1,
1,
o I lr--~--~.
--
+
z, h", = - 0.99
hin =: 14.3.Q
h"b= 0.5 ~N .
3.3 kQ
IOV
- Z"
Solución
d) Ai == hfb = -1
Las configuraciones restantes de las secciones 8.1 a 8.8 que no se analizaron en esta sección
se dejan como un ejercicio para la sección de problemas de este capítulo. Se supone que el
análisis anterior revela las similitudes en el método utilizando los modelos re O el híbrido
equivalente aproximado y eliminando, por tanto, cualquier dificultad real cuando se analicen
!as redes restantes de las secciones previas.
- -- 1"
--
1,
+ +
V,
R,
+
I\¡
-¡
-
Z,
v,
C>--
Transistor
v"
Z"
RL
-
1,
+
=¡tI"
~I +
=;-¡ 1"
-
h,
+
-
R,
+ Z
V, h,.V" "v t h,l" l/f¡
"
~;,
Z"
RL
V, I\¡
-1 I
Figura 8.48 Sustitución del circuito equivalente híbrido completo en el sistema de dos puertos de la
figura 8.47.
Se observa que la ganancia de corriente reducirá el resultado deA i ::: hfen caso de que el factor
hoRL sea suficientemente pequeño comparado con uno. .
(8.108)
En este caso se obtendrá la forma familiar de Al'::: -hrRL/h¡ en caso de que el factor (h/l()-
h¡hr)R L sea 10 suficientemente pequeño comparado con h i.
Vi = h¡l¡ + hrVo
Sustituyendo V, = -I"R L
se tiene VI = h¡l¡ - hrRLlo
lo
Dado que A=-
I li
lo = A¡l¡
de manera que la ecuación anterior se convierte en
Vi = hJi - hrRLA¡l¡
Al resolver la relación Vi/..
, , se obtiene
y sustituyendo
h¡
A¡ = -:I-+-h"-,-,R=-L-
V,
se obtiene Z¡ (8.109)
1,
1= -h,Vo
I Rs + h¡
Sustituyendo esta relación en la siguiente ecuación que se obtuvo a partir del circuito de salida
se tiene
y (8.110)
En este caso la impedancia de salida se reducirá a la fonna familiar de Zo = 1/h o para el transistor
cuando el segundo factor del denominador es suficientemente más pequeño que el primero.
EJEMPLO 8.13 Para lared de la figura 8.49, calcule los siguientes parámetros empleando el modelo equivalente
híbrido completo y compare los resultados obtenidos por medio del modelo aproximado.
a) Z¡ y Z;.
b) A,
e) A I =1//
o I
yA'=nr
I () I
d) Zo (dentro de Re) y
Z;, (incluido Re)' 18 v
>470Hl 4.7 kQ
R'~: + --
J,
Q ......
+f
v, '\¡
1Hl
_
z',
v, -Z¡
-1L-______~--------~~~------~------<
pA
1.6kQ.h" "" 2x 1O-4./1,}(. = 20v
Solución
Ahora que están derivadas las ecuaciones básicas para cada cantidad, el orden en que se calculan
es arbitrario. Sin embargo, a menudo es una cantidad útil la impedancia de entrada y por tanto
se celculará de manera inicial. El circuito equivalente híbrido de emisor común completo se
sustituyó y se volvió a dibujar la red como se muestra en la figura 8.50. Se obtendrá un circuito
Thévenin equivalente para la sección de entrada de la figura 8.50 en el equivalente de entrada
de la figura 8.51 debido a que ETh" V, Y RTh" R, = I kQ (un resultado debido a que R B =
470 kQ es mucho mayor que R, = 1 kQ). En este ejemplo RL = Re e 1, está definida como la
Z,:
+ .
.!.
Z L6kn
=i)l"
~l -- Z,;
~
~
R, Iko. +
+ V, 470'k12
"v 2xIQ-lV"
~ 110lb 50kQ
4,7ko.~
"v
:l
V,
-1 - -1 I
Théwnin
t:i.gun. S.S(} Sus.t\tudón del drc.ui.t0 e<:'¡\i\valente híbúdo c.offi?letQ en la red e<.'¡u\'lalente de ac de la
figura 8.49.
-
RJlkQ
,
- --(
9 Z/
::
+
1,
z,
h
"
I
--
z,;
1
-.::...
I~
z"
hr~ v" hQi' =50kO:
~
hIló
v, "v 2x 1()-4 v" llorb h"" =20pS
4.7 kn
v,
"v
-1 -1
Figura 8.51 Reemplazo de la seccióñ de entrada de la figura 8.50 mediante un circuito equivalente
Thévenin,
corriente Re igual que en los ejemplos anteriores de este capítulo, La impedancia de salida 20
que está definida mediante la ecuación (8.110) es sólo para las terminales de salida del transistor.
No incluye los efectos de Re Z~ simplemente es la combinación en paralelo de Zo y Re La
configuración que se obtiene en la figura 8.51 es una réplica exacta de la red definida en
la figura 8.48 y pueden aplicarse las ecuaciones derivadas anteriormente.
contra 110 mediante el simple empleo de IzV Ya que 470 kQ »Z,.I;= J" y A;= 100.55
también.
Vo
d) La ecuación (8.110): Z =~ = -~--~~--
o lo ho , - [h¡,h"J(h" + R,)]
1
=~--------~~---------
20 ¡J-S - [(110)(2 X 10 4)/( 1.6 ka + 1 k!1) J
= ------'----
J 1.54 ¡J-S
= 86.66 kfi
el cual es mayor que el valor detenninado mediante l/ho,' = 50 kQ.
Z~ = RcllZo = 4.7 k!11186.66 ka = 4.46 kfi
contra 4.7 kQ utilizando sólo Re
A partir de los resultados anteriores se observa que las soluciones aproximadas para Al
y Z¡ son muy cercanas a las calculadas con el modelo equivalente completo. De hecho, aún
A¡ se diferenció por menos del 10%. El valor alto de Zu sólo contribuyó a la conclusión an-
terior que Z() a menudo es tan alto que puede ignorarse comparado con la ca.rga aplicada. Sin
embargo, se debe considerar que cuando existe la necesidad de determinar el impacto de hrl'
y de huI" debe utilizarse el modelo equivalente como se describió arriba.
La hoja de especifIcaciones de un transistor en particular proporciona los parámetros de
emisor común, tal como se observó en la figura 7.28. El siguiente ejemplo utílizará los mismos
parámetros de transistor que aparecen en la figura 8.49 con una configuración pnp de base
común para presentar e1 procedimiento de conversión de parámetros y enfatizar el hecho de
que el modelo equivalente híbrido mantiene la misma distribución.
EJEMPLO 8.14 Para el amplificador de base común de la figura 8.52, calcúlese los siguientes parámetros
empleando el modelo híbrido equivalente completo y compárese con los resultados obtenidos
utilizando el modelo aproximado.
a) Z, y Z;.
b) A,yA;'
el A,.
d) Zo y Z~.
h".= 1.6kQ h/ r == J 10
hr l'=2x 10-:' h,,,,=20).l.S
lo
-- --
J~ -- -- t"~~
+ 1; 1,
-
3kíl
V, Vo
z; z, Zo z;
I\¡
r
V, 6V l2V
Los parámetros híbridos de base común están derivados de los parámetros de emisor común
empleando las ecuaciones aproximadas del apéndice A.
ú, _ =
h'b '" _h:c.. 1.6 kn = 14.41 n
1 + h". 1 + 110
Se observa lo cercano que están las magnitudes con los valo::-es detenninados por medio de
1.6kn
-'------ = 14.55 n
110
(1.6 kn)(20 ¡,tS)
- 2 X 10- 4
1 + 110
-h r, -110
hfb == = = -0.991
1 + hf , 1 + 110
ho , 20 ¡,tS
hob == = = 0.18 p5
1 + h(, 1 + 110
R,
1
~ 1 kll
-- --
¡;
z;
1,
z,
,
o
+1,- ~+
h;b
! .-:-
~
-1 -
Zo
=7)/0
Z·o
o
+
+ ]kQ V,
0.883 x 104 VI)
hrb Ve "v t -0.991 le
hfb 1,.
h ob =O.18IlS ~ 2.2 kQ Vo
V,
I\¡
i
-
Thévenin b b
0.295 ¡.tS
= 3.39 Mil
contra 5.56 MQ utilizando Z(/ == l/hobo Para Z: como se definió mediante la figura 8.53:
Z~ = Rcllzo ~ 2.2 kn113.39 MO = 2.199 kil
contra 2.2 kQ utilizando Z; == Re
Polarización fJja: Medio (1 kQ) Medio (2kQ) Alto (-200) Alto (lOO)
\
\l cc
RB
Re ~
hll~" I I
~ Re ll ,,, I ~ 1_ R; ',-1 11 I ~
¡3R B r"
f-o - [E] ~~ "
(r" + Rc1(R¡¡ + f3r,.l
,....
(R¡¡"2lO,Br,l (r,,2: 10 Re) ~[}] ~0
(r" 2: 1ORe
V,,;::: \O Re) RH"2 IO/3r)
Polarización m\!- \/cc Medio (1 kQ) Medio (2 kQ) A\to (-200) Alto (50)
diante divisor
Re ,
de voltaje· R,
f-o
~I R,IIR,II~". I I
= Re ll " I = 1_ Re ll , 1 ~
{J(R, 11 R,)'"
" (', + Re)(R, 11 R, + /3,,)
...
t'" ~~
R,
RE nCE
(ro "2 lORe )
~[}]
,
-
(J(R, 11 R,)
R, 11 R, + /3".
(r,,;::: 10 Re)
,¡.. (r,,"210R e )
PolarizaCIón de
emisor Sin RBr-Evee
Alto (100 kQ) Medio (2 kQ) Bajo (-5) I Alto (50)
I
~ RBllz I ~ ~ 1- ,,:eRc-1 ~
derivación: b
~
\
rn
RlJ + ZI,
Z¡, =. /3(r,.+REl (cualquier
)"
nivel de rol
=IRe ll /3RE I -
R¡.:
Emisor-seguidor Alto (lOO kQ) Bajo (20 Q) Bajo (=.1) Alto (-50)
\/ec
Re
) ~I RBllzb I ~~ ~
G@ RE ..¡- r,. -
[iB
.... Z¡) == f3(r,. + RE) =\3] Ro + Zb
f-o
= IR B II/3R E I (R lc » r)
=[0
RE
+ (RE » r)
Base común Bajo (20 Q) Medio (2 k.Q) Alto (200) I Bajo (-1)
=8]
°1
o ¡
RE
Vu
U1
• i~ee
Io
~
(RE
~
=GJ
» r,)
~
~ =[iJ "
RF Re ,
" =hIIRF\ =
/3RF
~
1 Re
-+-- (ro;::: ¡ORe)
=t=J
"
RF + f3Re
/3
(r" ~ tOR e )
RE (r" ~ ¡ORe
RF »Re) =[E
I
8.12 Solución de problemas 391
J[
dc como ac. En la mayoría de los casos, una red que se encuentra operando correctamente en el
modo dc también se comportará adecuadamente en el dominio ac. Además, una red que pro-
porciona la respuesta de ac esperada está polarizada como se planeó. En una instalación de
laboratorio se aplican tanto las fuentes de como ac y se verifica la respuesta de ac en varios puntos
de la red mediante un osciloscopio como se muestra en la figura 8.54. Se observa que la punta
negra (tierra) del osciloscopio está conectada directamente a tierra y la punta roja se mueve de
un punto a otro dentro de la red. con lo cual se obtienen los patrones que aparecen en la figura
8.54. Los canales verticales están en el modo ac para eliminar cualquier componente de dc
asociado con el voltaje en un punto en particular. La pequeña señal de ac aplicada a la base se
amplifica al nivel que aparece del colector a la tierra. Se observa la diferencia en las escalas
verticales para los dos voltajes. No existe una respuesta en ac en la terminal del emisor debido
a las características de corto circuito del capacitar en la frecuencia establecida. El hecho que 'l/o
se mida en volts y vi en milivolts sugiere una ganancia grande del amplificador. En general,
aparece que la red se encuentra operando de forma adecuada. Si se desea. puede utilizarse el
multímetro en el modo dc para verificar VBE y los niveles de Va- VCE Y V E con objeto de revisar
si caen en el rango esperado. Desde luego, ei osciloscopio también puede utilizarse para comparar
los niveles de de tan sólo con cambiar al modo de dc para cada canal.
vcc
C, v,
!---U(-~'
'\ o
C,
~(mv~
O~t
No es necesario decir que una respuesta pobre en ac puede deberse a una variedad de
motivos. De hecho, puede haber más de un área con problema en el mismo sistema. Sin embargo,
afortunadamente con el tiempo y la experiencia puede predecirse la probabilidad de problemas
en algunas áreas, de modo que una persona experimentada puede aislar las áreas problemáticas
con cierta rapidez.
Por lo general, no hay nada misterioso acerca del proceso general de solución de problemas.
Si se decide seguir la respuesta en ac, resulta ser un buen procedimiento el comenzar con la
señal aplicada y avanzar a través del sistema hacia la verificación de cargas en los puntos
críticos a lo largo de la trayectoria. Una respuesta inesperada en algún punto supone que la red
se encuentra bien hasta dicha área, definiendo entonces la región que debe investigarse más
a detalle. La forma de la onda que se obtiene en el osciloscopio ayudará con toda seguridad 1"
definición de los posibles problemas con el sistema.
Si la respuesta para la red de la figura 8.54 es como aparece en la figure 8.55. la red tiene
un problema y probablemente se trata del área del emisor. No se espera respuesta a través del
c,
I(
+ i 0:-0 V!
V, '\.,
Figura 8.55 •
Formas de onda obten!das a partir de un problema en el área del emisor.
emisor y la ganancia del sistema que está definida mediante vI) es mucho menor. Se recuerda
que para esta configuración la ganancia es mucho mayor en caso de que RE se desvíe. La
respuesta que se obtiene sugiere que REno está en desvío por el capacitor y las conexiones
tennínales del capacitor y el mismo capacitor deben ser verificados. En este caso una verificación
de los niveles de de probablemente no aislarán el área del problema debido a que el capacitor
tiene un equivalente de "circuito abierto" para de. En general. un conocimiento previo sobre
qué esperar. una familiaridad con la instrumentación y. lo más importante. la experiencia. son
los factores que contribuyen al desarrollo de un método efectivo en el arte de la solución de
problemas.
QXISTOR 9
-~ 7 QMODEL
requerido
1'------'
nombre
~--'
nodo nodo
~--'
nodo
'-=--'-"/
nombre
del de la del del modelo
colector base emisor de que estará
transistor definido
mediante la
• siguiente línea
Existen otros parámetros en esta línea, cuya explicación rebasa las necesidades de este libro.
aunque a veces se hace referencia a ellos en el manual PSpice.
La siguiente línea que se necesita para definir el transistor es la línea del modelo. la cual
tiene el siguiente fonnato básico:
Re 6.8 kll
R, 56 k!l
C
0 v"
o C 0B
r~F
~=90
1 0
+
V,:= \ mVLO a '\, R, f
8.2 ka
E
RE l.5 ka C E = 20 ~F
-1
[OJ
Figura 8.56 Definición de los nodos para un análisis por medio de PSpice de la configuración
mediante divisor de voltaje.
Hasta ahora. las primeras ocho líneas del archivo de entrada de la figura 8.57 deben resultar
bastante familiares y legibles. Luego se define el transistor en las dos líneas siguientes y
QMODEL es el nombre del modelo del tninsistor. Se observa en el renglón del modelo que
beta se especificó como de 90. Pero, no se especificó un valor de IS para demostrar el impacto
sobre los resultados obtenidos. La segunda corrida incluirá el nivel sugerido de IS para propósitos
de comparación. El comando .PRINT solicita tanto la magnitud como el ángulo de la fase para
el voltaje de salida del colector a la tierra. Como se requirió para la fuente de ac. se seleccionó
una frecuencia de 10kHz para la corrida. El único impacto real de la frecuencia aplicada será
sobre los elementos capacitivos y su efectividad como corto circuitos equivalentes para el
análisis en ac.
Una vez que se ha capturado el archivo de entrada, se ejecuta PSpice y se enumera una
lista de parámetros del modelo BJI. Se puede ver que f3 (BF) es 90 e l, (IS) tiene el valor
implícito de 1 x lO"" pA. NF (el coeficiente de emisión de corriente directa), BR (la beta
inversa máxima ideal) y NR (el coeficiente de emisión de corriente inversa) toman el valor
implícito de uno. Las últimas tres cantidades definen el comportamiento del modelo de una
manera que escapa a las necesidades de este libro y que tendrá un impacto despreciable sobre
el análisis actual en pequeña señal.
Por tanto, PSpice está diseñado para llevar a cabo un análisis de automático de la red. Los
resultados son
v, = VE = 1.9285 V
V1 = Ve = 2.7089 V
V3 = Ve = 13.354 V
V, = V aterrizado tpara o.c) = OV
V, = Vee = 22 V
Luego el archivo de salida ofrece la corriente de la fuente para Vce con el nivel de dc de la
fuente de ae. V" de 0.0 A. La potencia total disipada por los resistores y el transistor es de
35.6 mW.
Después se proporcionan otros niveles de de para las redes tales como lB = 14.1 p.A. le =
1.27 mA(eomparado contra 1A1 mAen el ejemplo 8.2). y VBE =0.78 V (el cual excede el nivel
de 0.7 V utilizado en el ejemplo 8.2). Debe tenerse en mente el nivel de V BE cuando se repasen
los resultados al fijar (. en 5 x 10- 15 A en la siguiente corrida. Los valores de de VBC y VCE
VCC 5 O OC 22V
RBl 5 2 56K
RB2 2 08.21<
llE 1 O 1.5K
Re 5 3 6.8K
el 4 2 lOUY
CE 1 O 20UF
VS 4 o AC 1MV o
01 3 2 1 QMOOEL
.MODEL QHODEL NPN(BF=90)
.OP
.AC LIN 1 lOKH lOKH
,PRINT AC \'1'1(3,0) VPC3,O)
.OPTIONS NOPAGE
.END
•••• BJT MOOEL PARAMETERS
QMODEL
NPN
15 lOO.aooaOOE-la
BF 90
NF 1
BR 1
NR 1
Figura 8.57 Análisis por medio de PSpice de la configuración mediante divisor de voltaje de la figura
8.56 con IS '" valor implícito.
VCC 5 O OC 22V
RBl 5 2 56K
RB2 2 O 8.2K
RE 1 O L5K
Re 5 3 6.8K
el 4 2 lOUF
CE 1 o 20UF
VS 4 o AC lMV o
Ql 3 2 1 QMODEL
.MODEL QMODEL NPN(BF=90 15=5E-15)
.OP
.AC LIN 1 lOxa lOKH
.PRI~ AC VM(l,O) VP(l,Q)
.OPTIONS NOPAGE
.ElID
QMODEL
NPN
IS S.OOOOOOE-15
BF 90
NF 1
SR 1
NR 1
figura 8.58 Análisis por medio de PSpice de la confíguración mediante divisor de voltaje de la figura
8.56 con 15", 5 x lD-1S A.
8.2. En especial se observa que VBE ahora es de 0.68 Y, el cual se compara de manera muy
favorable con el valor fijo aproximado de 0.7 V. Por tanto, para el análisis de pequeña señal
que se desarrolló en este libro mediante el uso de PSpice, IS se especificará como 5 x 10- 15 A.
+
---l-VCC
Rl
Re AC=ok
MAG=ok
22V 6.8< '3.1090
I
56k PHASf=ok
2.6 79'
01
e 02N2222 .9911
t""-~i-c-,~p
Figura 8.59 Red de la figura 8.56
VS~~.
'mvy ~r 8.~~ ~
RE
15k t j'20u F
+•
después de la aplicación de PSpice
para Windows.
La fuente senoidal es una parte (New Part) que aparece en la librería source.slb como
VSIN. Al oprimir dos veces la fuente sobre el esquema aparece una lista de atributos que
deben seleccionarse. Para el ejemplo,
Después de cada entrada debe asegurarse de guardar los atributos (Save the Attribute) antes
de dejar la caja de diálogo.
El símbolo de la impresora se obtiene de la librería specíal.slb de la caja de diálogo de Get
Part como VPRINTl. Cuando se coloca sobre el esquema, especifica el voltaje en el punto
que será impreso en el archivo de salida (.out). Al oprimir dos veces el símbolo sobre el esquema.
se produce una caja de diálogo PRINTl en la cual deben hacerse las siguientes selecciones
con objeto de obtener la magnitud y el ángulo de la fase del voltaje de salida:
AC=ok
MAG=ok
PHASE=ok
Las selecciones anteriores pueden listarse jumo al símbolo de la impresora sobre el esquema
con sólo oprimir la opción cambiar despliegue (Change Display) y seleccionando el nombre
del despliegue (Display Value) y el nombre (Name) para cada una.
Se insertan los tres puntos de vista (VIEWPOINTS) mediante la siguiente secuencia:
Draw - Get New Part - Browse - special.slb - VIEWPOINT. Cada uno se coloca en su
lugar y luego se oprime para rntroducirlos al sistema. Cuando se han colocado los tres. el
proceso se completa al oprimir el botón derecho del mouse.
Antes de ejecutar el programa deben definirse los nodos que sean iguales a los representados
en la figura 8.56 de forma que puedan compararse los resultados. En general, cuando se construye
una red, se colocan todos los elementos similares tales como el resistor antes de cambiarse a
otro elemento como el capacitar. El resultado es que puede no haber un orden lógico para los
nodos en la lista neta. Para ajustar los nodos asociados con cada elemento. simplemente se
selecciona análisis (Analysis) y luego examinar lista neta (Examine Netlist). El resultado que
se obtiene consiste de una lista de los elementos y los nodos asignados a cada uno. Los nodos
asignados para cada elemento pueden cambiarse después por medio de una sencilla secuencia
de insertarlborrar hasta que concuerden con aquellos de la figura 8.56. Cuando se ha completado,
se sale del listado. Surgirá un texto que; pregunta si se desean guardar los cambios, lo cual es
áhora el caso.
Ahora se está listo para desarrollar el análisis mediante la selección de Analysis seguido
por la inicialización (Setup). Dentro de la caja de diálogo de Setup se elige (barrido de ac)
(Ae Sweep) aunque la intención sea la de trabajar con una única frecuencia. Después de
oprimir dos veces la caja AC Sweep, deben tomarse algunas decisiones acerca de la frecuencia
aplicada. Se selecciona tipo de barrido ac lineal (Linear AC Sweep Type) junto con lo siguiente:
Total Pts. =1
Start Freq. = 10 kHz
End Freq. = 10 kHz
...............................................................................
.....
R RE O $N 0001 LSk
e-CE OSN:OOOI2Ouf
R:R2 oSN_OOO2 8,2k
<LQI SN_oooJ SN_OOO2 SN_OOOI Q2N=-X
V Vs. $N 00040 AC huV
+SlN o JmV 10kHz o o o
C_C SN_OOO4SN_OOO2 lOuF
R_RI SN_OOO2SN_OOOS S6i<
R Re SN 0003 SN OOOS 6.11k
V=Vc:c SN)OOSOOC22V
..........................................................................
.....
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE :'ItQDE VOLTAGE NODE
vOLTAGE
($N_OOO3) Z2 0000
O.OOOE+OO
-1653E"()3
................................•.....•...•...........••.•.....••••.....•
.....
•••• BIPOLAR. JUNCfION TRANSIStQR.S
NAME Q..Ql
MOPEL Q2N2222~X
I8 \.99E-OS
le 1.31E~3
VBE 6.77E-OI
VBC ·1.04E+01
VCE 1.l1E+Ol
BETAOC 6.SBE-+o}
GM 5.03E..02
RPl 1.42E+03
R.X I.OOE+Ol
RO 6.46E.~
CBE 5.80E~11
CBC 2.9OE~12
CBX O.OOE+OO
CJS O.OOE-+OO
BETAAC 7.l5E+OI
Fr 1.32E+08
.......................................•••••.....................••.••.•.
Se observa que los nodos listados tienen los mismos valores numéricos que los que apa-
recen en la figura 8.56. Luego. siguen los parámetros del modelo BJT (BJT MODEL
PARAMETERS). los cuales indican el valor seleccionado de 90 para la beta dc y 5 X 10- 15
para IS. Se proporcionan los niveles para los varios nodos: luego se igualan los valores que
aparecen con los puntos de observación (VIEWPOINTS) de la figura 8.56. El siguiente listado
de transistores bipolar es de unión BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS proporciona
una variedad de niveles de de y de parámetros de la red. Se observa que ahora la beta de de es
de 65.8 con la beta de ac de 71.5 en lugar del valor capturado de 90. La versión para Windows
ajusta la beta según las condiciones de operación. Por tanto. los resultados de ac serán un poco
diferentes de los obtenidos con anterioridad al emplear el modelo re' Si se requiriera una similitud
exacta. no se seleccionaría el símbolo del transistor sino que se insertaría en la red el transistor
del modelo re con una fuente de corriente controlada y los niveles de resistores adecuados. La
respuesta en ac indica que la magnitud del voltaje ac de salida es de 3()7.3 mV con un ángulo
de la fase de 177.9° comparado contra 334.0 mV y 177.7° de la versión para DOS de PSpice.
Los capacitares presentes crearon un cambio de fase menor a 180º.
Si se desea una impresión del voltaje de salida. puede utilizarse la opción Probe. El primer
paso consiste en regresar a la opcíón de análisis (Analysis) seguido por la selección de
inicialización (Setup). Ahora se selecciona la opción (Transient) transitorio y se desactiva el
barrido (AC Sweep) recién utilizada. Al oprimir dos veces la caja Transient. pueden hacerse
decisiones acerca del análisis que debe desarrollarse. El periodo de la señal aplicada de 10kHz
es de 0.1 ms o 100 ps. La opción del intervalo de impresión Print Step se refiere al intervalo
de tiempo entre la impresión o graficación de los resultados del análisis transitorio. Para el
ejemplo. se selecciona I ps para ofrecer 100 puntos por ciclo. El tiempo final (Final Time) es
el último instante en que se calculará la respuesta de la red. La selección es de 500 fls o 0.5 ms
para proporcionar cinco ciclos completos. Se eligió no imprimir el retardo (No-Print Delay)
í\ (\ .~.
... \.
,!
"3.2V-·
13. av· \
,,
'.
\
., ,, ¡
\ , \ :
:'2 .av --
V ·v· \./ \;
0' lOOus 200...,s 40C,,!>
" V(Ql:cl
TlIr.e
El rango del eje y se seleccionó automáticamente para mostrar con claridad la forma completa de
la onda. Se muestran cinco ciclos completos de la forma de salida de la onda (con 100 puntos
de datos para cada ciclo) dentro del periodo de tiempo seleccionado de cinco periodos completos de
la señal aplicada. El valor entre los picos de la forma de onda es de aproximadamente 13.42 V -
12.81 V =0.61 V, como resultado un valor de pico de cerca de 0.61 V / 2 =0.305 V =305 m V, el
cual se encuentra muy cercano al valor impreso con anterioridad.
Si debe hacerse una comparación entre los voltajes de entrada y de salida en la misma gráfica,
puede utilizarse la opción añadir eje (Add Y-Axis) Y dentro de la selección del menú de graficación
(Plot). Después de seleccionarse, debe regresarse al comando Trace para utilizar la opción ADD
(añadir) una vez más. Esta vez puede procederse con la lista de Alias Names, la cual incluye
V(Vs:+) como una opción. Tomar esta opción dará por resultado las formas de ondas de la figura
8.62, la cual incluye una escala para cada forma de onda a la izquierda de la gráfica.
Se añadieron los textos en los diagramas al elegir la opción herramientas (Tools) de la lista
del menú seguido por la etiqueta (Label) y texto (Text). Una vez que se selecciona Text,
aparece una caja de diálogo que solicita el texto que aparecerá en la gráfica. Después de teclear
.l',\
? \, /\ ..
i\
, .,
1).2V :lV I ----~----~----.,_.
,
,l. ,
I
.. ..
Ve (oC)
-,1 - --.:.---{ "-~
['
,,
lJ JV·
..
:2 8V "'
8:11V
.. ¡
\/ .Y \~./ ---_.\/
...
"V . \)
,.
V
\
\ :
.. ve
.
".
~ Q V(Ol:c) :::
100\.1s
• V(Vs:+:
200",0 3CCus 4001:'; ?OCUS
Vs (contra) y oprimir la opción OK, aparecerá Vs en la pantalla y podrá colocarse donde sea
necesario. De la misma manera se colocaron las etiquetas restantes en la gráfica. Las líneas se
añadieron al seleccionar otra vez la opción Tools y luego la opción línea (Jine). Aparecerá un
lápiz y utilizando la misma técnica que la que se emplea para las líneas en los trabajos de arte,
pueden añadirse las líneas que se muestran. Se observa la relación fuera de fase entre las dos
fonuas de onda y el hecho de que Ve se encuentra sobre un nivel de de 13.1 V.
En caso de desear dos gráficas por separado, puede seleccionarse la opción Plot y
seleccionar Add Plot (añadir gráfica). Al seleccionarse aparecerá otra gráfica esperando que se
tome la siguiente selección por medio del regreso a la opción Trace y Add de V(V s:+) a partir
de la lista de Alias. El resultado que se obtiene es el par de gráficas de la figura 8.63 que
! .OmV· .
,
,,
\. !
SSL:>;:-
-l.O::V -
V (Vs:':
l3.W~ ..
/~\
13 .2V '
\\ \\ ¡
/
,1
\\ /\
\j
\
\
\
\ /
/
/
12 av· . .~ .. .,
3CO\J~ 40Cu" ~CO\J"
" Y(Q1:c)
13 .<,v·:
:\
13 .ov·.
:\ i
\ !
\
-. \)
12.8V+·"_._ ... V"
,/
\
.\J. .v.
-- '
\ /
O, lOOu~ 200u, 3COu~ 4~Ou~
o V(Ql,c)
Al, (75. OOOu, 13.421) A2, (125. ooo·~, ~2. sel7) DlFF (111 , (-50. OOCu, 613.907:1'1
BASIC
El programa BASIC de la figura 8.65 analizará la configuración de polarización mediante
divisor de voltaje de la figura 8.56 con las características adicionales de que también puede
proporcionar una solución en caso que una porción del resistor del emisor no presente desvío
y pueda también incluir los efectos de una resistencia fuente y de carga. La resistencia del
emisor se ha designado como RE: en caso de no estar en desvío y RE" en caso de tener desvío.
10 REM *****-**********************************************
20 REM PROGRAM 8.1
30 REH ******************** •••• ***.*** •••• *.** •• ***.*******
40 REM 83T AC ANA1YSIS
50 REM USING re ANO BETA PA,AAMETERS
60 REM ••• * •• * •• -*** •••••• * •• * ••••••••• *•••••••••••• *••••••
70 REH
100 CLS
110 PRINT ftThis program performs the ac ealeulations"
120 PRINT nfor a 8JT vOltage-divider using the re and beta parameters."
130 PRINT
140 PRINT "Enter the following eireuit data:"
150 PRINT
160 INPUT "RB1=";Rl
170 INPUT "RB2:";R2
190 INPUT "Re-"iRe
190 INPUT "Unbypassed emitter resistance, RE1-d¡El
200 INPUT "Bypassed emitter resista~ce, RE2=";E2
210 PRINT
220 INPUT "Beta-"¡BETA
230 INPUT "Supply voltage, VCC-";CC
240 INPUT "Load resistance, RL=" ¡RL
250 INPUT "Source reslstance, RS-";~S
260 INPUT "Source voltage, VS-"¡VS
270 PRINT!'PRINT
280 cosue 11200:REM Perfor. ae analysis
290 PRINT "The resulta ol the ae analysis are:"
300 PRIN'I'
310 PRINT "Transistor dynamie resistanee, re-";RE;"ohms"
320 PRtNT
330 IF CC-IE*(RC+El+E2)<=O TREN PRI~ "circuit in saturation." :GOTO 420
340 PRINT "1nput impedance. Ri-~:RI~·ohaa"
350 PRINT "Output impedanee, Ro-"iRO;"ohms"
360 PRINT "Voltage-qain(no-load), Aq.";AV
370 PRINT "CUrrent gain, Ai-"iAl
380 PRINT
390 PRINT ·output voltage(no la.d), Voe"¡VO¡"volts·
400 PRINT
410 PRINT "Output voltage(under load), VL-"~VL;"volts·
42.0 PRINT
430 VM~CC-IE*(BETA/(BETA+1»*(RC+El+E2) :REM KaXimum signa1 swinq
440 IF ABSCVL»VM THEH PRINT "but maximum undistorted output is"¡VM;"volts"
450 END
11200 REM ~odule to perform BJT ac analysis using re .odel
11210 RB-Rl.CR2/CRl+P2»
11220 RP-RC*(RL{(RC+RL))
11230 BB-R2*CC{(Rl+R2)
11240 IE2(BB-.7)*(BETA+l)/(RB+BETA*(El+E2»
11250 REc.026{IE
11260 R3-BETA*CRB+El)
;;2,0 RI=RB*IR3/(RB+83»
11280 Ro-ltC
112'0 AI-(RC{(RC+RL»*BErA*(RB/(RB+83»)
11300 AV--RC/(El+RE)
11310 VI-VS*(RI/(RI+RSll
11320 VO=AV*VI
11330 VL-VO*CRL/CRO+RL»
113 4 O RE"l'URN
•
J[
RON
Thls proqram performs the ac calculations
tor a BJT voltage-divider using the re and beta parameters.
Enter the followin9 circuit data:
RaI-? 56E3
R82-? 8.2E3
RC-'? 6.8E3
Unbypassed emitter resistance, RElc? O
Bypassed emitter resistance, RE2=? l.5E3
Beta=? 90
Supply voltage, VeCe? 22
Load resistance. RL-? IOE3
Source resistance, RS-? 600
Source voltage, VS-? lE-3
El módulo de las líneas 11210 a 11260 calcularán los parámetros importantes para el
modelo de transistor de la figura 8.66 y llevaría a cabo el análisis requerido. Los pasos
secuenciales del módulo deben revisarse con cuidado y compararse con los cálculos
desarrollados de forma manual (calculadora).
1,
-+-
lb
-+-
"
-- -- --
1,
~ Z,
+
1,
R~ +
+ Re V, RL
-1 -
V, '\¡ Z, Vi
R, R,
RE,
FIgura 8.66 Red analizada mediante el módulo que se extiende desde la línea 11210 a la línea 11260
del programa BASIC de la figura 8.65.
Una ejecución del programa con los valores de la figura 8.56 proporcionará los resultados
que aparecen al final de la figura 8.65. En particular, debe observarse la forma en que puede
escribirse el programa BASIC con objeto de proporcionar infonnación acerca del sistema de
una manera clara, concisa, tabulada. El nivel de R¡ ; R' 11 f3r, ; 1,394.63 n, el cual es diferente
a RI en la versión para DOS de PSpice debido a que RI incluye sólo la impedancia de entrada
de la configuración del transistor (f3re). La ganancia sin carga es de 353.26, la cual se compara
favorablemente con los 334 que se obtuvieron al emplear PSpice. La ganancia de corriente d"
=
4.9 x 10-25 A OA, es debida a la ausencia de una carga para definir la corriente de salida. La
ausencia de una carga también da por resultado que A}, = A,~ :->L.
12 \
220 kQ
v,
--
0---::-11--------1
--
1,
Z,
Figura 8.67 Problemas 1,21,
2. Calcular Vce para la red de la figura 8.68 para una ganancia de voltaje de Al' ::: -200.
4.71d2
I \m (----<o v,.
lOY
Problemas 407
Ji:::
§ 8.3 Polarización mediante divisor de voltaje
4. Para la red de la figura 8.70:
a) Determinar r,,'
b) Encontrar Z¡ y Z{).
e) Encontrar Al' y A"
d) Repetir los incisos b y e cuando r" = 25 kQ.
, - - - - 1 - - - - - - 0 Va
82
~ ,., kn
39 k!2 kQ
I ~v,
----
I~F Ce
V, o----jl--+---I ft= 100 #= lOO
r" = 50 k,Q f,,= "" kQ
1,
4.7 kn 5.6kü
Z,
1.2W 1 kn
5. Calcular Vce para la red de la figura 8.71 si A,. = ~ 160 Y rv == 100 ki2.
6. Para la red de la figura 8.72:
a) Determinar re'
b) Calcular VB y Ve
e) Determinar Z¡ y A\, = V/Vi"
Vcc ==20V
6.8 kn
220kn
Ve
f-----o V o
Ce
V.
Vi o----j ft=180
--
Zi
Ce
56k!2
r o =50k,Q ----~r_-o20V
-- ~~.o.-----I
li
ft=140
r~= IOOkQ
--
polarización en emisor
b) Encontrar Z¡ y Zv'
e) Calcular A\, y A ¡'
d) Repetir los incisos b y e cuando r(, ':= 20 kQ. Figura 8.73 Problemas 7, 9.
r---~--<>22 V
5.61&
~ f-----o
20 V
3301& lo V
-
o
li Ce
O---:-:¡'I---<-----I /l= 80
--
8.2 ka Vi
Ce r,,=40kG.
Z,
1.2 kQ
~= 120
v, o---)I--~--I T,,=OOkQ
0.47 ka
16 V
12V
270 kQ
- 1,
--
V,
V, o----JI-L---I /3= 110 o =40k.O:
T
ro =50kn
-
li
t
f-----o Yo
--
Zi
t lo
(-------<> Yo
-
lo
Z,
5.6kU _
2.7 ka Zo
Zo
-8 V
Problemas 409
J[
* 13. Para la red de la figura 8,78:
a) Calcular lB e le
b) Detenninar re'
c) Detenninar Z¡ y Zo'
d) Encontrar Av y A¡.
Vcc = 2QV
56 k!l
-
v, 0---1t--+_--I
/,
8.2 kQ
p= 200
T
o
=40kn
+6V -IOV
6.8kQ
-Z;
8V
L
~,
-v
/,
3.9kQ
3.HU
220kU
-
v, o-------}'I--~---I
p= 120
...
r =40kO
Q
* 17. Dados re = 10 Q. !3=200,A\.= -160 y Al = 19 para la red de la figura 8.82, determinar R c' RrY Vcc
V¡ o---JI--~--I
P=200
r(J=80kO
39 kn 22 kn
,.-'VV\r-,........'\N\t--+---l~ v,
¡ IO~F
I ~F
--
-I¡
V¡ o--}I--~------l
Z,
-
Z¡
1 ~F
Problemas 411
][
§ 8.9 Circuito equivalente híbrido aproximado
20. a) Dados f3 = 120, re = 4.5 n y ro =40 n, trazar el circuito híbrido equivalente aproximado.
b) Dados h¡e = 1 k.o, h re =2 x 10--4, hfe = 90 Y hoe = 20 ps, trazar el modelo re·
21. Para la red del problema 1:
a) Detenninar re.
b) Encontrar hfe y h ie .
e) Encontrar Z¡ y lo utilizando los parámetros híbridos.
d) Calcular Av y A¡ con los parámetros híbridos.
e) Detenninar Z¡ y Zo cuando hoe = 50 pS.
f) Determinar Av y A¡ cuando hoe = 50 J1S.
g) Comparar las soluciones anteriores con aquellas del problema 1. (Nota: Las soluciones están
disponibles en el apéndice E en caso de no haberse llevado a cabo el problema 1.)
22. Para la red de la figura 8.84:
a) Detenninar Zj y Zo'
b) Calcular Av y Aj.
e) Detenninar re y comparar f3r e con h ie .
l8Y
2.2kO
68 kll
tI,
I oVo
-
1;
5 ¡1F
V; o • ) hf~ =180
5~F Z, =
hit 2.75 kO
h~=25¡15
--
Z;
l2kO
1.2kll IO~F
hJ> =-0.992
h. = 9.45 O
-
h" = 1 p.AN
li
o
IO'~F
)' 1/, '1 o
+
+ \. ,
>
--
>1.2 kll 2.7 kll
V,
Z; ... ~4Y -"p- 12 Y - Z,
v,
2.2 kU
470kU
~ lo
+-----n(---<>o Vo
5 ~F
- Zo
hfe := 140
h ie := 0.86 ka
h := 1.5 x lQ-4
h;::= 25 fJS
-
Z,
Vi
l.2 kQ 1 lO IlF
.,.
hib = 9.45 a
hJ> =0.997
hob = 0.5 pA!V
k m = 1 x lQ-4
ld1 '¡
+"v¡'~F+
0.6 11 -
\.
~lo
1
'(
5 '~F +
o
V,
-
Z
V,
-;
I.2kU
r=- 4 v ~
2.2 kU
~ 14V
- Zo
Vo
Problemas 413
J[
Vcc = 14 V
vo (V)
v¡(rnV) Re 2.2 kQ
R, 150kn
10 IlF
O
( 01'" O
10 ~F C,
VB =6.22 V
P=70
C, +
VBE =0.7V
R, O )"'
+ R, 39kn
RE l.5kn 10 ~F
V, '\,
Análisis a pequeña
señal del FET
9.1 INTRODUCCIÓN
Los amplificadores con transistores de efecto de campo proporcionan una excelente ganancia
de voltaje aunada a la característica de una alta impedancia de entrada. Además, se trata de
configuraciones de bajo consumo de potencia con un buen rango de frecuencia y tamaño y peso
mínimos. Los dispositivos IFET y el MOSFET de decremento pueden utilizarse para diseñar
amplificadores que tengan ganancias similares de voltaje. Sin embargo, el circuito con MOSFET
decrementaI tiene una impedancia de entrada mucho mayor que una configuración JFET similar.
Mientras que un dispositivo BJT controla una gran comente de salida (colector) por
medio de una corriente de entrada (base) relativamente pequeña. el dispositivo FET controla
una corriente de salida (drenaje) mediante un pequeño voltaje de entrada (voltaje en la com-
puerta). Por tanto, el BJT generalmente es un dispositivo controlado por corriente y el FET
un dispositivo controlado por voltaje, pero en ambos casos se observa que la corriente de
salida es la variable controlada. Debido a la característica de gran impedancia de entrada de los
FET, el modelo equivalente de ae es más sencillo que el utilizado por los BIT. Así que
mientras el BJT tuvo un factor de amplificación f3 (beta), el FET tiene un factor de
transconductancia, gm'
El FET puede utilizarse como un amplificador lineal o como un dispositivo digital en los
circuitos lógicos. De hecho, el MOSFET incremental es muy popular en los circuitos digitales.
especialmente en los circuitos CMOS que requieren un consumo muy bajo de potencia. Los
dispositivos FET también se utilizan en las aplicaciones de alta frecuencia y en las aplicacio-
nes de acoplamiento (interfases). La tabla 9. L localizada al final del capítulo, muestra un
resumen de los circuitos FET a pequeña señal y sus fórmulas asociadas.
Aunque la configuración de fuente común es la más popular al proporcionar una señal inver-
tida y amplificada, también existen circuitos de drenaje común (fuente-seguidor) que proporcio-
nan ganancia unitaria sín inversión, así como circuitos de compuerta común que proporcionan
ganancia sin inversión. Al igual que con los amplificadores BJT, las características importantes
del circuito que se describen en este capítulo íncluyen la ganancia de voltaje, la impedancia de
entrada y la impedancia de salida. Debido a la muy alta impedancia de entrada, la corriente
de entrada por 10 general se asume de OflA Y la ganancia de corriente es una cantidad indefinida.
Mientras que la ganancia de voltaje de un amplificador FET es casi siempre menor que la obteni-
da al utilizar un amplificador BIT, el amplificador FET proporciona una impedancia de entrada
mucho mayor que la de la configuración de un BIT. Los valores de la impedancia de salida son
comparables tanto para los circuitos BIT como para los FET.
Las redes de amplificadores FET también pueden analizarse mediante el empleo de pro-
gramas de computadora. Al utilizar PSpice puede llevarse a cabo un análisis en de para obtener
las condiciones de polarización del circuito y un análisis en ac para calcular la ganancia de
voltaje a pequeña señal. Al utilizar los modelos de transistores de PSpice se puede analizar el
415
circuito empleando los modelos específicos de transistores. Por otro lado, es posible desarro-
llar un programa utilizando un lenguaje como el BASIC que puede realizar tanto el análisis de
de como el de ac y proporcionar los resultados en un formato muy especial.
(9.1)
El prefijo trans (o tras) que se aplica a gm en la terminología indica que se establece una
relación entre las cantidades de salida y de entrada. Se seleccionó la palabra raíz conductancia
debido a que gm se determina por la relación del voltaje a la corriente, similar a la relación que
define la conductancia de un resistor G = II R = l/V.
Al despejar gm en la ecuación (9.1) se tiene:
(9.2)
Determinación gráfica de gm
Si ahora se examinan las características de transferencia de la figura 9.1, se encuentra que gm
es en realidad la pendiente de las características en el punto de operación. Esto es,
/',.y
=-= (9.3)
/',.x
MD
g", ;:; - - (= PeTldiente en el punto Q)
óVGS
Determinar la magnitud de gm para un JFET con IDSS = 8 mA y V p ::: -4 V en los siguientes EJEMPL09_J
puntos de polarización.
a) VGS ~ -0.5 Y.
b) VGS~-1.5 V.
e) VGS ~ -2.5 Y.
Solución
Las características de transferencia se generaron como en la figura 9.2 al utilizar el procedi-
miento definido en el capítulo 6. Cada punto de operación se identifica posterionnente y se
dibuja una línea tangente a través de cada punto para reflejar mejor la pendiente de la curva de
transferencia en esta región, Luego se selecciona un incremento adecuado para VGS para refle-
jar una variación a cualquier lado de cada punto Q. Entonces se aplica la ecuación (9.2) para
detenninar gm'
!1/D 2.1 mA
a) o ~--
- ~ 3_5mS
°m
!1VGS 0.6V
~ 1.8 mA
bl o
°m
!1/o
- =2_57 mS
!1VGS 0.7V
!1/D 1.5 mA
el gm ~-- ~ L5mS ~
!1VGS 1.0 V
Puede observarse la disminución en gm cuando Ves se aproxima a V po
g", en-O.5 V
(, VGS)' ______
I D =8mA\- -4V
-4 -1 Vos (V)
V,
o Figura 9.2 Cálculo de gm en diferentes
puntos de polarización.
Definición matemática de gm
El procedimiento gráfíco descríto está limitado por la exactitud de la gráfica de transfe~
rencia y el cuidado con que pueden determinarse los cambios en cada cantidad, pero en-
tonces puede tornarse un problema engorroso. Un método alternativo para calcular gm
d
gm MD 1
t.VGS PLQ =
dID 1
dV GS pLQ
=
dV GS
lDSS (1 VGS )2]
Vp
= I Dss _d_
dVGS
0 _ VGS )
Vp
2
= 2lDSS ~ - VGsJ_d
Vp dVGS
0_ VGs )
Vp
y (9.4)
donde I Vp 1 denota la magnitud, sólo con objeto de asegurar un valor positivo de gm.
Ya se mencionó que la pendiente de la curva de transferencia es un máximo cuando Ves =
O V. Sustituyendo VGS = O V en la ecuación (9.4) se obtiene la siguiente ecuación del valor
máximo de gm para un JFET, en el cual se han especificado 1DSS y Vp.
gm =
2IDss
Ivpl ~ ~J-
2IDss
y gmo = (9.5)
IVpl
donde el subíndice O que se añadió recuerda que se trata del valor de gm cuando VGS = O V.
Entonces la ecuación (9.4) se convierte en
(9.6)
EJEMPLO 9.2 Para el JFET que tiene las características de transferencia del ejemplo 9.1,
a) Encontrar el valor máximo de gmo
b) Encontrar el valor de gm en cada punto de operación del ejemplo 9.1 utilizando la ecuación
(9.6) y comparar con los resultados gráficos.
Solución
2(8mA)
a) gmO ;:: = = 4mS (máximo valor posible de gm)
4V
b) Cuando V GS = -D.5 V,
= 4mS ~
5V
gm = gmo [1 - VGS ] _ -D. l = 3.5mS (contra 3.5 mS de la
Vp -4 V J solución gráfica)
gm = gmo [1 - :GS] 4 [1
p
= mS -
-1.5 V]
-4V = 2.5mS (contra 2.57 mS de la
solución gráfica)
Cuando V GS = -2.5 V.
g
m
= g
mO
[1 - J VGS
V
p
= 4 mS 1 -
[
-2.5 V]
-4V = 1.5 mS (contra 1.5 mS de la
solución gráfica)
Los resultados del ejemplo 9.2 de hecho son 10 sufIcientemente cercanos como para vali-
dar la ecuación (9.4) a (9.6). para usos en el futuro cuando se requiera gm'
En las hojas de especificaciones, gm se proporciona como Yjs donde la y indica que es parte
de un circuÍto equivalente de admiranda. La! significa que es un parámetro de transferencia
directa (jomará) y la s revela que está conectada con la tenninal de la fuente (source).
En fanna de ecuación,
(9.7)
Para el JFET de la figura 5.18, Yj' está en el rango desde 1000 a 5000 IlS o de 1 a 5 mS.
Debido a que el factor (1 - ;;) de la ecuación (9.6) es menor que 1 para cualquier valor
ción
V
:5 p
se incrementa en magnitud. Cuando VGS = Vp ' gm =gmO(J - J) =O. La ecuación (9.6)
define una línea recta con un valor mínimo de O y un valor máximo de gm como se muestra en
la gráfica de la figura 9.3.
v, o V GS(V)
FIgUra 9.3 Gráfica de gm en función de Vcs.
La figura 9.3 también indica que cuando VGS es igual a la mitad del valor de estrechamiento,
gm tendrá únicamente la mitad del valor máximo.
Graficar gm en función de V GS para el JFET de los ejemplos 9.1 y 9.2. EJEMPLO 9.3
Solución
Obsérvese la figura 9.4.
~-----> 2mS
Impacto de ID sobre gm
Puede derivarse una relación matemática entre gm y la corriente de polarización ID al observar
que la ecuación de Shock1ey puede escribirse de la siguiente manera:
(9.8)
(9.9)
Al utilizar la ecuación (9.9) para determinar gm para algunos valores específicos de ID' los
resultados son
a) Si ID =IDSS'
gm = gmiJ ~
- - = gmo
I DSS
b) SilD = IDSP'
gm = grnO ~ -
IDS!2
- = O.707gmO
IDSS
c) Si ID = IDS!4,
~-IDS-!4- -
_ grnO
- - = O.5gmo
gm = gmü
IDSS 2
EJEMPLO 9.4 Graficar gm en función de ID para el JFET de los ejemplos 9.1 a 9.3.
Solución
Ver figura 9.5.
Figura 9.5 Gráfica de gm en función de JDpara un JFET con IDSS =8 mAy Ves =-4 V.
Las gráficas de los ejemplos 9.3 y 9.4 revelan con claridad que los valores más altos de gm
se obtienen cuando Ves se aproxima a O V e ID a su valor máximo de 1DSS'
Z¡(FET) = ~ Q (9.10)
Así como para un JFET un valor práctico de lO' Q (1000 MQ) es un valor característico,
un valor entre 10 12 y 10 15 Q es típico de los MOSFET.
1
Zo(FET) = rd =- (9.11)
Yo,
Con base en la figura 9.6 puede definirse la impedancia de salida como la pendiente de la
curva horizontal característica en el punto de operación. Mientras más horizontal sea la curva,
mayor será la impedancia de salida. Cuando la curva es perfectamente horizontal, se tendrá la
situación ideal pues será la impedancia de salida (un circuito abierto) infinita; esta es una
aproximación que se utiliza a menudo.
En forma de ecuación,
(9.12)
Punto Q /
v
-2V
o ~M
Obsérvese que al aplicar la ecuación (9.12) el voltaje VGS pennanece constante cuando se
calcula rd. Esto se logra dibujando una línea recta aproximada a la línea VGS en el punto de
operación. Luego se selecciona un ~VDS o ~ID y se mide la otra cantidad para utilizarse en la
ecuación.
EjEMPLO 9.5 Determinar la impedancia de salida para el FET de la figura 9.7 para VGS = O V Y VGS = -2 V
cuando Vos = 8 V. .
2
Vos=~3 V
íI vos=-4V
o 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 VDS (V)
Figura 9.7 Características del drenaje de uso para calcular rd en el ejemplo 9.5.
Solución
Para VGS = O V se dibuja una línea tangente y se selecciona d Vos como de 5 V Y así se obtiene
un dIo de 0.2 mA. Sustituyendo en la ecuación (9.12).
~~S Ivc,=ov =
5
rd = 0.2 mA = 2S kQ
Para VGS = -2 V se dibuja una línea tangente y se selecciona d Vos como de 8 V Yasí se obtiene
un dIo de 0.1 mA. Sustituyendo en la ecuación (9.12).
lo cual muestra que rd sí cambia entre una región de operación y la otra, y que comúnmente se
presentan los valores más pequeños en los niveles bajos de Ves (más cercanos a O V).
G o>---~o ,---t-----'O D
+
v"
Dados YI' = 3.8 mS e YM = 20 )1S, dibujar el modelo en ac del FET. EJEMPLO 9.6
Solución
G 0 _ _ _0
r------~r-----O D
+
so------=+-------------~s
Figura 9.9 Modelo para equivalente de ac del FET para el ejemplo 9.6.
RG S -+-
z,
-+
Z¡
I+VGG
.,.. .,.. Figura 9.10 Configuración JFET con polarización fija .
Una vez calculados los niveles de gm y rd a partir del arreglo de polarización de la hoja de
especificaciones. o de las características, el modelo equivalente en ac puede sustituirse entre
las terminales adecuadas como se muestra en la figura 9.11. Ambos capacitares tienen el equi-
valente de corto circuito porque la reactancia Xc = 1/(21ifC) es pequeña comparada con los
otros niveles de impedancia de la red, y las baterías V GG Y V DD se hacen cero volts mediante un
corto circuito equivalente.
-+ RD -+-
z, Z,
Batería VDD reemplazada
Batería V GG ~
reemplazada mediante S --- mediante un corto
un corto circuito circuito
FIgUra 9.11 Sustitución del circuito equivalente del JFET en la red de la figura 9.10.
Luego se redibuja con cuidado la red de la figura 9.11 como se muestra en la figura 9.12.
Se observa la polaridad definida mediante Vg,' la cual define la dirección de gm Vg,' Cuando Vg,
es negativo, la dirección de la fuente de corriente se invierte. La señal aplicada se representa
mediante V, y la señal de salida a través de RD se representa mediante VD.
Z,: La figura 9.12 revela con claridad que
(9.13)
~ ~R0 1 -+-
V '., Z,
V gm~~_' RD lé.
~
1 - s I
Z:o
Al hacer V.I ~ O V como se requiere debido a la definición de ZU V. . se hará O V ~
Si la resistencia r¡j es suficientemente grande (por lo menos 10: 1) comparada contra R D' a
menudo puede aplicarse la aproximación rJ 11 R D " R D Y
Z, "RD I
,¡}?:\OR D
(9.15)
;------.----..----oD
v~ = -gm Vgird 11 R D)
pero v." ~ V,
y Vo ~ -gm V¡CrJ RD )
Av = (9.16)
Vi
Relación de la fase: El signo negativo en la ecuación obtenida para Av revela con clari-
dad un cambio de fase de 180' entre los voltajes de entrada y de salida.
a) Detenninar gm'
b) Encontrar r d'
e) Determinar Z¡,
d) Calcular Zo'
e) Determinar la ganancia de voltaje Al"
f) Determinar Av ignorando los efectos de r d'
20 V
2kº
C,
D
~
I vss = 10 mA
~ vp = -8 V
v,
-T
Z,
lMn
2V
S +-
z,
v,
Solución
b) rd - = - - = 25kQ
Yos 4O.uS
e) Z, RG = 1 MQ
d) Zo = R D11 rd = 2 kQ 1125 kQ = 1.85 kQ
e) A, = -gm(R D 11 rd ) = -(1.88 mS)(1.85 kQ)
= -3.48
f) A, = -gmRD = -(1.88 mS)(2 kQ) = -3.76
Como se demostró en el inciso (f). se obtuvo una relación de 25 kQ: 2 kQ = 12.5 : 1 entre
rd y R D en una diferencia del 8% en la solución.
Rs con desvío
La configuración de polarización fija tiene la desventaja de necesitar dos fuentes de voltaje de. La
configuración de autopolarización de la figura 9.15 requiere sólo de una fuente para establecer
el punto de operación deseado.
Ro
C,
D
e ( oVo
G
-
V, o-------)
S
----.. Re
Z,
r...
Z, Rs cs
s
____ R s en desvío
mediante Xc,
Figura 9.16 Red de la figura 9.15 después de la sustitución del circuito equivalente de ac para el JFET.
G D
+
v, --
Z, Re
+
V
"
1 g",Vg• 'd
+
- S
Debido a que la configuración que se obtiene es la misma que aparece en la figura 9 .12, las
ecuaciones resultantes para Zi' 20 y Ar serán las mismas.
Z¡:
(9.18)
Zo =RD I
rd ?10R D
(9.20)
A'
"
(9.21)
Relación de la fase: El signo negativo en las soluciones para A)' de nuevo indica un
cambio de fase de 18('" ,ntre V., y V.o .
Rs sin desvío
Si se elimina es de la figura 9.15, la resistencia Rs será parte del circuito equivalente de ac,
como se aprecia en la figura 9.18. En este caso.no existe una manera obvia de reducir lared con
objeto de bajar su nivel de complejidad. Al determinar los niveles de Z" Zo y A" es necesario
.ser muy cuidadoso con la notación, las polaridades y la dirección definidas.
v,
-+
z,
RG
G
+
V"
ls
gm Vg3
D
~r
'd
-,¡
ID '
RD
-- 1"
Z"
v"
+
R,
l
F'"!gura 9.18 Configuración JFET con autopolarización incluyendo los efectos de Rs'
(9.23)
Z v I
=_0
o lo vJ=o
Al hacer Vi = OV en la figura 9.18 se obtiene el circuito que se muestra en la figura 9.19, debido
a que la terminal de la compuerta y la tierra estarán con el mismo potencial. En otras palabras,
establecer el voltaje a través de Re igual a O V es como "cortar" los efectos de Re'
+
ID
D
t
RD
-- le
Z,
-+
V,
R,
J
Vgs
V o = -IDRD
con ~:;s:;;; -IDR[/~
---.!:l... = _V"-u_+_"-,,~~,-, =
V
y l' =
rd
V -lnRO
y Z = " =
"
~
lo Ro + RsJ
-ID + gmRs +
rd
RD
de manera que Za = (9.24)
Ro + Rs
1 + gmRs +
rd
(9.25)
A,: Para la red de la figura 9.18, la aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff sobre el
circuito de entrada tendrá como consecuencia:
V-V-VR=O
1 gs 5
o Vp . ;::: Vi - IDRs
vo - V R,
v() - V
gm Vgs + Rs
rd
de modo que
gm V¡
o ID =
RD + Rs
I + 8mRs +
rd
V gmRo
y A, =- o = - (9.26)
V; Ro + Rs
I + gmRs +
rd
(9.27)
Relación de la fase: El signo negativo en la ecuación (9.26) indica que existirá un cam-
bio de fase de 180' entre V; y V"
EJEMPLO 9.8 La configuración de autopolarización del ejemplo 6.2 tiene un punto de operación definido
mediante V GS = -2.6 V e ID = 2.6 mAcon I DSS = 8 mA y V p =-6 V. La red se redibuja según
la figura 9.20 con una señal ~plicada de V;. El valor de Yo, está dado como 20 ¡J.S.
Q
al Determinar gm.
b) Encontrar r d.
e) Encontrar 2;-
d) Calcular 20 con y sin los efectos de rd . Comparar los resultados.
e) Calcular A, con y sin los efectos de r d . Comparar los resultados.
3.3 kil
c,
c. ----If-----o 'é.
V. o------} 1-----.----+1 I DSS = lOmA
---+-
z, 1M" 1 k!l
Vp ==-6V
--
Z"
Solución
= 2.67 mS (1 -
(-2.6 V)) = 1.51 mS
(-6 V)
b) rd =-=--=50kQ
Ym 20l1S
e) Z¡ = Re = 1 MQ
d) Con ri
Ro 3.3kQ
Zo - =
Ro + Rs 3.3 kQ + 1 kQ
1 + gmRs + + (1.51 mS)(l kQ) +
rd 50kQ
3.3 kQ 3.3 kQ
=------ = = 1.27kQ
1 + 1.51 + 0.086 2.596
3.3kQ
=
1 + gmRs 1 + 1.51 2.51
= 1la1 kQ -:: . '2, -;:"'--
Si se revisa la condición r d ;;' IO(RD + Rs) se encontrará que ya está satisfecha. Esto es,
50 kQ ;;, 10(3.3 kQ + 1 kQ) Y 50 kQ ;;, 43 kQ se satisface, indicando que rd tendrá el
mínimo impacto sobreZo . Los resultados indican que así es. También se observa que Zo no
es igual a RD • la cual es una suposición que a menudo se aplica de manera incorrecta. En
este caso, el nivel correcto es menor que la mitad del valor definido solamente por RD.
= -1.92
Como antes, el efecto de rd fue mínimo debido a que la condición rd ;:' lÜ(RD + Rs) se
cumplió.
La ganancia típica de un amplificador JFET es menor que la que normalmente se encuen-
tra para los BJT de configuraciones similares. Sin embargo. debe tenerse en cuenta que Z¡ es
varias veces mayor que la Z¡ típica de un BJT. lo cual tendrá un efecto muy positivo sobre la
ganancIa total de un sistema.
RD
/1, C,
0\.;,
--
e, D
r
G
z"
\
'\, -+
z,
...
I figura 9.21
de voltaje.
Configuración JFET mediante divisor
T
I t
~ R, fR"
- f 1¡~ -
D
-
G
V e
.;- I o
+
V,
+
~ z, Z,
Z R,
V
~,'
R, R, VgJ
t g",Vft" "
...
,
.L -
-=-
I
..L
-=-
z"
- ~ -l- ...
Figura 9.22 Red de la figura 9.21 bajo condiciones de ac. Figura 9.23 Redibujo de la red de la figura 9.22.
(9.29)
Para rd ~ lORD'
(9.30)
,
A:
\/gs : : ; v.
1
-o V (rd
On¡ gs
11 RD )
de modo que ~
V1-':,\
y (9.31 )
(9.32)
Se ~bser.;a que \a's eCUaciones para Zo 'f Al - s~n \as mismas que \as obtenlüas para \as
configuraciones de polarización fija y autopolarización (con Rs en desvío). La única diferencia
es la ecuación para 2 1 que ahora es sensible a la combinación en paralelo de R 1 Y R::!..
e
Vi o----}I--~--=G-+I
--
z¡
- z"
.".
figura 9.24 Configuración JFET fuente-seguidor.
v
" S
-- I
Zo
+
-- rd
1
Rs Vo
Zo
-4:- ...
Figura 9.25 Red de la figura 9.24 después de la sustitución Figura 9.26 Redibujo de la red de la fígura 9.25.
del modelo equivalente de ac para el JFET.
Zi: La figura 9.26 indica con claridad que Zi está definida por
(9.33)
-1
s
>
----
1"
~
+
El resultado es Io~V
o
[_I_+_I_J_gVR m g'
rd S
la cual tiene el mismo fonnato que la resistencia total de las tres resistencias en paralelo. Por tanto.
(9.34)
(9.35)
y al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del perímetro de la red de la figura 9.26 se
obtiene
v, ~ Vgs + Vo
y Vgs ~ v, - vo
de manera que Vo ~ gm(V; - Val(r)1 Rs)
o Vo ~
gm v;Cr)1 Rs) - gm Vo(r)1 Rs)
y Voll + gm(r)1 Rs)] = gm Vir) 1Rs)
V gm(rd 11 Rs)
de modo que A = _o = (9.36)
, V, 1 + gm(rd 11 Rs)
(9.37)
' -_ _ _ _ _ _ _ _ _ _..J rJ"2
lOR s
Debido a que el denominador de la ecuación (9.36) es mayor que el numerador por un factor de
uno, la ganancia nunca puede ser igualo mayor a uno (como se encontró en la red BJT emisor-
seguidor). '
Relación de la fase: Debido a que A, de la ecuación (9.36) es una cantidad positiva, V,
y Vj se encuentran en fase para la configuración JFET emisor-seguidor.
+
V; ' \ , --
z; ¡Mil
--11-(--~
0.05 ~F
L-_ _ _~-----+.-----~o
Figura 9.28 Red para el análisis del ejemplo 9.9.
~
(-2.86 V) ) ~
8 mS l - - 2.28mS
(-4 V)
= 40kQ
25 f.1S
e) Z¡ = Re = 1 MQ
d) Con r d :
= 40 kQ 112.2 kQ 11112.28 mS
= 40 kQ 112.2 kQ 11438.6 Q
= 362.52 Q
lo cual indica que rd por lo general tiene poco impacto sobre Zo·
e) Con r d :
g,/rd 11 Rs) (2.28 mS)(40 kQ 112.2 kQ)
v, -- -
z,
s
¡--It-----¡--o--,
R, G
D
Ro - ~
Z,
v,
¡--I:
Vi -z,
Rs ~~,\
gmVg,
- - Z'(,
RD
('
Z,
~':,
z~
+G
~------~------~r---------~----~
Z,: El resistor Rs está directamente a través de las terminales que definen a Z¡O Por tanto,
se encuentra la impedancia Z~ de la figura 9.29, la cual simplemente estará en paralelo con Rs
cuando se defina Zi'
La red de interés se redibuja como la figura 9.31. El voltaje V' Y". Al aplicar la ley de =-
voltaje de Kirchhoff alrededor del perímetro se salida de la red se obtiene
V' - V - VR = O
" D
--
rd RD
r
r r
--"'1
+
V,
-- z',
V¡;¡
gm~~¡ ~
;::) +
r" VrJ
o I' ;;
de modo que
V'
y ,
2',= (9.38)
I'
, V'
o Z.= - =
, I'
y (9.40)
Zo: Sustituyendo Vi = O V en la figura 9.30 hará corto circuito en los efectos de Rs y hará
Vg, a O V. El resultado es que gm Vg, = O Y que rd estará en paralelo con R D . Por tanto,
(9.41)
(9.42)
V-V
o ,
y
l,;¡ + ID + gmVgs = O
y 1
D -
- Ir- g V
m gs
d
V,R D VoRD
= - - - - - + gm
rd rd
~
V,
+ :;]
Para rd 2': lORD' el factor RO/rd de la ecuación (9.43) se puede eliminar como una buena aproxi-
mación y
(9,44)
Aunque la red de la figura 9.32 puede en principio no parecer de la variedad de compuerta EJEMPLO 9.10
común, un examen cercano indicará que posee todas las características de la figura 9.29. Si
VGsQ = -2.2 V e IDQ = 2.03 mA,
a) Determinar gm'
b) Hallar r d'
e) Calcular Z¡ con y sin rd" Comparar los resultados.
d) Encontrar 20 con y sin rd\:omparar los resultados. +12 V
e) Determinar Vo con y sin r d " Comparar los resultados.
3.6 kQ
10 .uF
f---ov"
1D55 = 10 mA
V p .=-4 V
Yos=50j.lS
1.1 kQ
Solución
2(10 mAl
a) = 5 mS
4V
~
(-2.2 V»)
5 mS 1 - = 2.25mS
(-4 V)
b) rd =-=--=20kí2
Yo. 50,uS
cl Con rd :
z;=RsII[rd+RDJ=l.lkQII[ 201d1+3.6kQ ]
1 + gmrd 1 + (2.25 mS)(20 kQ)
1.1 kQ 110.51 kQ = 0.35 kQ
Aunque la condición
Una vez más la condición Yd ;::: lORD no está satisfecha, pero ambos resultados están razona-
blemente cercanos uno del otro. RD es ciertamente el factor predominante en este ejemplo.
e) Con r d :
3.6kQ]
[ (2.25 mS)(3.6 kQ) + - -
20kQ
8.1 + 0.18
7.02
1 + 0.18
El ejemplo 9.10 demuestra que aunque no se satisfizo la condición r d ~ 10RDo los resulta-
dos para los parámetros dados no fueron significativamente diferentes utilizando las ecuaciones
exactas y aproximadas. De hecho. en la mayoría de los casos ·se pueden emplear las ecuacio-
nes aproximadas para tener una idea razonable de los niveles particulares con poco de esfuerzo.
vF-'
---W • f 3 rn Vg., 'd
S
Se S
Figura 9.33 Modelo equivalente de ac para el DMOSFET.
La red de la figura
.....
9.34 se analizó en el ejemplb 6.7 y se obtuvo Ves () = 1.5 V e ID (! = 7.6 mA. EJEMPLO 9.11
a) Determinar gm y compararla con gmO· ~
b) Encontrar r d"
e) Dibujar la red equivalente de ae para la figura 9.34.
d) Encontrar Zj' lB y
e) Calcular Zo.
f) Encontrar Al'·
1.8kO
IIOMO
- e, IDSS=6mA
-
Vp =-3V
-
v, o-~~--t----' Y"". = lO.lIS
z,
z,.
!O ).10 1500
Solución
2(6 mAl
a) gmü = 4mS
3V
~
(+1.5 V))
= 4 ruS 1 - 4 mSO + 0.5) = 6 mS
(-3 V)
1
b) rd = - = - - = 100kQ
)'0.1' 10 !,S
e) Obsérvese la figura 9.35. Se observan las similitudes con la red de la figura 9.23. Por
tanto. se pueden aplicar las ecuaciones (9.28) a la (9.32).
-
D
+
V,
-
-
z¡
: 10 \10
<
: IIOMD
+
vgs
J
I
~ 6 X 10- 3 Vg, ~ lOOkD
<
1.8kO
Z,.
+
v,.
-
-- s S
G D
0---0
+
v" ~ gmvK.'
S
"MOS
gm =f.,j, 1. rd = 1-1- 1
}o.1 I
En el análisis de los JFET se derivó una ecuación paragm a partir de la ecuación de Shockley.
Para los EMOSFET la relación entre la corriente de salida y el voltaje controlador está defini-
do mediante
puede tomarse la derivada de la ecuación de transferencia para determinar gl1l como un punto
de operación. Esto es,
d
= k--(V -
dV es
es
= 2k(lies -
y (9.45)
Voo
Ro
RF
C2
(--oVo
...J
D
- Zo
-
Z
G
t .".
v"
----
r)IRo
y V" ~ V,
de manera que
\1"
o 1i - gil! Vi ;:: _.c"-_
r)iRa
Por tanto. Vo == (r)IRD)(l¡ -gnY)
(9.47)
(9.48)
r,¡
Zo=r)lR D
(9.49)
Va
Ji = g m Vg.I , + _cc-"C-
rdllRD
V-V
, o
pero v g.1
= V.1 el,. =
v, - Vo
por tanto,
de modo que
de manera que
(9.50)
(9.51 )
Relación de la fase: El signo negativo de Al' índica que tanto Vo como Vi se localizan
fuera de fase por 180 0
•
El EMOSFET de la figura 9.40 se analizará en el ejemplo 6.11 con el resultado k ~ 0.24 x 10-3 EJEMPLO 9.12
AN'. VGSe ~6.4 VeI DQ =2.75mA.
a) Detenninar gm'
b) Encontrar rd .
e) Calcular Z¡ con y sin rd' Comparar los resultados.
d) Encontrar Z() con y sín rd . Comparar los. resultados.
e) Encontrar Av con y sÍn rd . Comparar los resultados.
12V
2kfl
IOMfl
1D(c~~c~d,do) = 6 mA
V GS(C11Ccndlllo) "" 8 V
\/Gs(Th¡ =3 V
Yu" :; 20 f.lS
Solución
a) gm ~ 2k(VCSQ - VCS(Th,) ~ 2(0.24 x 10-3 AN')(6.4 V - 3 V)
= 1.63 mS
b) rd ~ - ~ -- = SOkQ
Yo, 20l1S
e) Con r d :
RF + rdllRD 10 MQ + 50 kQI12 kQ
=--------¡;---
1 +gm(r)IRD ) 1 + (1.63 mS)(50 kD 112 kD)
10 MQ + 1.92 kQ
= - - - - - - - == 2.42 Mil
1 + 3.13
A, = -g",(R F 1I r d 1 R D )
= -(1.63 mS)(lO MQ 1150 kQ 112 kQ)
= -(l.63 mS)(l.92 kQ)
= -3.21
R,
--
VI e • , °G •,
, :) \1;,
+
.-
t," ~
Z,
1
I Z
~Rl
"
R, V,-'
~ " Vg'
óm
R"
1
-!
Figura 9.41 Configuración EMOSFET ? ... ..!J
... ? ...
-'-
con divisor de voltaje. Figura 9.42 Red equivalente de ac para la configuración de la figura 9.41.
Z, = R¡IIR, (9.52)
Z·
"
Z = r)lR D (9.53)
"
Para r d ~ lORD'
Z():;::;R D
I
rJ?: lORD
(9.54)
,.
A:
V
A, = -'-' = -gm(rD 11 RD) (9.55)
V,
Y si rd ? 1OR D'
Vo
A,. = - -gmRD (9.56)
V,
EJEMPLO 9.13 Diseñe la red de polarización fija de la figura 9.43 para tener una ganancia ac de 10. Esto es,
calcule el valor de RD .
t------<> v,
e, lnss = 10 mA
v, 0---11--.....---.. V p =-4 V
Yo, = 20 ¡..tS
0.1 ~F
Re
lOMO.
Figura 9.43 Circuito para la ganancia
de voltaje deseada en el ejemplo 9.13.
Solución
Debido a que VesQ ;;;: O V, el nivel qe gm es de gmO. Por tanto la ganancia se encuentra determi-
nada mediante
rd = - - = - - - - - = SOkQ
Y",20xlO-6S
Sustituyendo, se encuentra
El valor estándar más cercano es de 2 kO (apéndice E), el cual se utilizaría para este diseño.
El nivel obtenido de VDS se determinará más adelante de la siguíente forma:
o
VDSQ ~ VDD - IDQRD = 30 V - (ID mA)(2 kO) ~ 10 V
2¡ = RG = lOMO
20 = R D 11 rd ~ 2 kQ 1150 kQ = 1.92 kO '" RD = 2 kQ.
V DD
+20 Y
Ro
C,
v"
0.1 ~F
el OY
v, o---}I--~----l~ RL
0.1 ~F ] ; lOMO
:
...
Figura 9.44 Red para la ganancia de voltaje deseada en el ejemplo 9.14.
Solución
El punto de operación se encuentra definido mediante
1 1
Ves ; - Vp ; - (-4 V) ; -1 V
J IJ 4 4
La determinación de gm'
gm o
OmO 0- V
esQ
Vp
)
(,
; 5 mS ~ - (-4 V)
(-1 V)) ; 3.75 mS
1 A, 1 ; gm(R D 11 rd )
Al sustituir los valores conocidos se obtiene
8
de manera que - - - ; 2.13kQ
3.75 mS
El nivel de rd está definido por
- - - ; 50kQ
20 )lS
y
Con el resultado de
EJEMPLO 9.15 Detenninar RD YRs para la red de la figura 9.44 para establecer una ganancia de 8 en el caso de
que se elimine el capacítor de desvío Cs'
Solución
Tanto VesQ como IDQ aún son -1 V Y 5.625 mA. y debido a que la ecuación Ves; -laRs no ha
cambiado. R s continúa siendo el valor estándar de 180 Q que se obtuvo en el ejemplo 9.14.
La ganancia de la configuración de autopolarización sin desvío es
Por el momento se asume que rd ? 1O(R D + Rsl. El empleo de la ecuación completa paraA.,
en esta fase del diseño sólo complicaría el proceso de forma innecesaria.
Al sustituir (por la magnitud especificada de 8 para la ganancia),
Isi ;
-(3.75 mS)R D ¡; (3.75 mS)R D
i 1 + (3.75 mS)(lSO Q) I 1 + 0.675
rd ? lO(R D + Rsl
SO kQ ? 10(3.6 kQ + 0.18 kQ) ; 10(3.78 kQ)
y 50 kQ ? 37.8 kQ
Configuración Z, Zo
,
I
A,. " -
l/o
i v~
J I
Po]ari!<l\:ión fija
,
i
!
,I I
JFET u D:\10SFET I
d'{J/)
I,
Media (1 kG.) \1edia (-10)
, f----------o \'"
!
I
Alt::!(IOMQ)
"@J RD) I
1
"5]
1,
T;~ /" I
¡
=~
Ir, ~ lOR)
=~
", ~ IORI.,1
~v(J(j I
I
.". .".
i
1
AUlOpolarización
des\,'ío en Rs
JFET o D"IOSFET Media (2 kO:) \ledia (-10)
+v{){)
o Alta (10 Mn)
R r• =@J "r -g",v)i I
"~
e, RD )
f----lj:---- "
v,·--i
c,
.r - z, ,
=5] \ "1 I -8.)1 0
-
! I
1
i t i
Z,
ir.i~ IOR!)! ! (r,,'?:! lORD)
RC
IR
S cs
\
i
";" ? i
I, I
!
\
I
Autopoiarización
sin desvío en Rs Media (2 Q) \ledi<i (-2)
JFET o D"IOSFET -voo II
RD gmRD
RD c, Alta (lO "IQ) =
" i
Ro + Rs R D + Rs
~; .1-
f-----ij:---- I
_ =~ I + gmRs +
'J
I + g",Rs + - - - -
Y,¡
",0-----1, Zo
- ~R{; 1-
~
7, gmRD
I
- -
Rs == 1 + g",Rs I + gmRs
.,.. I
....
Ir,,2:10(R1) + R,J) Ir,,;;: 101R . - R,JJ
I
Poiarización por di\lisOi de voltaje I
j
JFET o D"IOSFET +\'OD i
-"
Media (2 k,Q)
I ,
\,~«
I
I =~
~ t
.......
R'
~
P
.J... Rs les
Z,
!
i
i
{~~
Ir",:::: IDR¡¡!
=I
(r,.'
I R
-8 m O
<: lORD)
":;:" ..,. ~
1
,
VD
Configuración Z, Zo Aa = -
V,
Fuente-seguidor
JFET o DMOSFET Baja (lOO kQ) Baja« 1)
Alta (la MQ)
=l,)IR,IIJIK 1 gm(,)I R,l
m
=
J+
=~
+VDD
Smv)1 Rsl
=~
?
e,
v¡o---Ji
-
l , Ro I-~I'----ovo
Rs
-Zo
(rd~ 10R.,) ~
J+
gm Rs
gr¡Rs
T ¡, Ud ~ 10R,,)
=IR,II I
Vo
~ 'd
~ Rs
s
-Zo
(rd~
gm
1
10R,,)
(r,l~ 10RI>I
+mRo I
- T
(rJ ~ ION,,!
Zo 1 + gmRD
.L
T
iR,." r,,'<: tORil) (R" r,:<: lORo)
Z,
(rJ;:: lORI»
RD e,
Media (1 ill)
=~ I
= ~gm(,)1 Ro) I
=~
v,
e,
.
R,
d~
Df---4~vo
Z;
=5] =I~gmRD I
"- Z, R,
S
Rs
(r",;:: 10RIl ) (r",;:: 10R,,)
.,..
1. Observar la tableta del circuito para ver si se pueden detectar algunos problemas obvios:
un área quemada debido al exceso de calor de un componente, un componente que parezca
demasiado caliente como para tocarse, lo que pueda ser un punto de soldadura pobre o
cualquier conexión que aparente estar suelta.
2. Utilizar un medidor dc: tomar algunas medidas como lo marca el manual de reparación que
contiene el diagrama esquemático del circuito y un listado de los voltajes dc de prueba.
3. Aplicar una señal de prueba: medir los voltajes empezando en la entrada y trabajando a lo
largo hacia la salida.
4. En caso de identificar el problema en una fase en particular, se tiene que verificar la señal en
varios puntos empleando un osciloscopio para ver la fonua de la onda. su polaridad. amplitud
y frecuencia, así como los "centelleos" inusuales en la forma de onda que puedan presentar-
se. Es importante que la señal se encuentre presente para el ciclo completo de la señal.
JXXXX ND NG NS MODNAME
donde JXXXX es el nombre del transistor: ND. 1\G Y NS son los números de nodo para el
drenaje. compuerta y fuente. respectivamente: y MODNAME es el nombre del modelo utiliza-
do en la línea .MODEL que se describe a continuación.
donde MODNAME es el nombre del modelo dado en la línea del elemento. NJF identifica un
dispositivo de canal-n y PJF identifica un dispositivo de canal-p. De los varios parámetros del
modelo JFET. dos de los más importantes son
EJEMPLO 9.16 Escriba las líneas del circuito en PSpice para describir los siguientes dispositivos JFET.
a) Un JFET de canal-n cuyo I DSS : 12 mA y VI': -4 V.
b) Un JFET de canal-n cuyo 1DSS: 8 mA y Vp : -3 V.
Suponer que cada dispositivo se encuentra conectado en los nodos: drenaje:; 5. fuente =4 Y
compuerta = 2.
Solución
a) JUP 5 24 JN
.MODEL JN NJF VTO: -4 BETA 750E-6 =
b) JDOWN524JJ
.MODEL JJ NJF VTO: -3 BETA: 889E-6
~RD~2kQ
~ C~- 4
el O,~'
,!----i 1---.2_-----;~ - ~ 1
\ 0,02 ,uF
Vp ::: -4 \'
+ I Re ~ IOMn
IOMn i 1",," 10 mA
v,==!OmV'\,
5 I, -
1
-1 ...i...
\,'
ce
1.5 V
Figura 9.45 JFET amplificador
........
i
O para el análisis PSpice .
vao 6 O OC 20VOLTS
VGG O 5 OC 1.5VOLTS
J1 3 2 O JFET
RG 2 5 10MEGOHM
RO 6 3 2KOIIM
RL 4 O lOMEGOfIH.
el 1 2 O.02UF
e2 3 4 2UF
VIlO AC lOMV
.MOOEL JFET NJF VTO=-4V BETA-6.25E-4
.AC LIN 1 leRH lOKH
.PRINT Ae V(l) V(2) V(3) V(4)
,OPTIOIlS NOPAGE
,END
**** Junction FET MODEL PARAMETERS
JFET
NJF
VTO -4
BETA 625.000000E~06
+Voo (+30V)
RD
4.7kfl
C,
e,
V p =-4 V
I vss = iOmA
Rs
-1 5lOfl
Figura 9.47 JFET amplificador
? ... con autopolarización .
VDD 6 o OC 30V
Jl 3 2 4 JFET
RG 2 O lOMEe
RO 6 3 4.7K
RS 4 O 510
RL 5 O lOMEe
el 1 2 O.lUP
C2 3 5 lOUF
es 4 O 20UF
VIlO AC lKV
.MODEL JFET NJF VTQ=-4V SET~=6.2SE-4
.~e LXH 1 10KH 10KH
.PRXHT ~e V(l) V(2) V(3) V(5)
.OPTIOHS HOPAGE
.EHD
•••
1I00E
SMALL SIGHAL BIAS SOLU'IIOH
VOL'IAGE HaDE VOL'IAGE
TEllPERATURE -
HaDE VOL'IIIGE
21.000 OEG e
}tODE VOLTA.GE
( 1) 0.0000 ( 2) 161.0E-06 ( 3) 14.3840 ( 4) 1.6945
( 5) 0.0000 ( 6) 30.0000
+VOD (+20 V)
Rv
R, 2.2 kO
40Ma v,
e, e, =·10 ~F
Vp ... -4 v
IDss"" lO mA
R¡.
10 Ma
V, R,
I mV '\" lOMa
Rs es
1 I4O~F
2.4 ka
Figura 9.49 Amplificador polarizado
mediante divisor de voltaje. .". .".
-
.IIIID
-
9'rO ...
lIftA 425.000000"''''
...... _
_InGllllL· BIAS SOLUTI011
IIODB WVl'AGB IIODE
TBIIPI!RMtIRII -
VOL'l'ME
27,,000 DJIG e
BODE VOUl'AGE
---
( 1) 0.0000 ( 2) 4.0001 ( 3) 14.5000 ( ') 6.0001
( 5) 0.'0000 ( 6) 20.0000
_ CIIIIIUIII'1'
~ -2.5OOB-03
-. _ OtsBnA'rIOK $.00"""2 lIAftS
la cual identifica el elemento como un dispositivo MOSFET (MI), conectado desde el drenaje
(nodo 3), compuerta (nodo 2), fuente (nodo O) y sustrato (nodo 4), con un dispositivo MOSFET
Vno (+22 V)
RD
2.2kO
-
.IIIIP
•••• ~IIODBL_
1
2
_. 20.00000011:-0.
(
-- 1)
IIIIALL . SXGIIAL BUS 1IOImI0lI
'IOLTJIG&
0.0000 (
_ votIrAGB
2) 1».'290 (
IIOI>I!
'JI
_
".I'IIIPBIIM'II
'.52'0
- 27.000 DIIG
IIOOB
(4)
_ e
.1765
- -
( 5) 0.0000 e 6) 22.0000
+r---------,
VOO RO
4.7k Ae=ok
30V
-r
MAG=ok
e2
PHASE=ok
Ae=ok
MAG=ok
el - PHASE=ok AC=ok
RL
MAG=ok
0.1 uF 10Meg
RG PHASE=ok
'\.., VI lOMeg
- lmV
El voltaje de salida (en el nodo 5) tiene una magnitud de 13.31 mV comparado con los
13.54 mV del análisis DOS. El ángulo de la fase es de -179.9°, el cual es en esencia -180". La
señal aplicada (en el nodo 1) es de 0.999 mV (= 1 mV) a 0.001 ° (= 0°) y el voltaje a través de
la resistencia Rs es de 2.25)1V a -89.9° (= 90°). El voltaje de ac a través de Rs es en esencia
de OV, como debe ser en el caso que el capacitar esté desarrollando su papel de forma adecua-
da. Los niveles de en los puntos de observación (VIEWPOINTS) de la figura 9.53 aparecerán
una vez que se haya completado la simulación.
••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••
••••••••••••
J'Z.3819-X
...., JI.lF
-4
11ft" 625.0000008-06
UIIGIDIL ~.~500oaa-ol
lB 33.570000.15
XSIt '322 •• 000001l-15
ALPIIA 3U.7
VI< 243.6
RI> 1
as 1
COI> 1.600000B-12
ces 2.414000.-12
•
V'I'O'1'C
.......'1'CI!
.. 3622
-2.5000008-03
-.5
--
Kl' 9.1""0002-18
...- 27.000
..... "
..................................................................
.............
..o- _
"""" V
0.0000 .0045
1.4.2040 0.0000
1.71011 30.0000
0.000• ...00
-3.3618-03
•••• JPftS
.....
IIODI!L
m
.....
-....
"""
GIl
QID
Figura 9.54 Archivo de salida para el análisis Windows de la red de la figura 9.53.
ID (mA)
10
9
8
7
6
5
4
3
2
Figura 9.55 Características de transferencia
del JFET para el problema 11.
-5 -4 -3 -2 -1 o VGS (V)
Problemas 461
gm
D (mA)
10
o 2 3 4 5 6 7 8 9 JO II 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Figura 9.56 Características de drenaje del JFET para el problema 12.
13. Para un JFET de canal·n 2N4220 (y¡,(núnimo) = 750 liS. y,,(máximo) = 10 liS):
a) ¿Cuál es el valor de gm?
b) ¿Cuáleselvalorcterd ?
14. a) Grafique gm en función de VGS para un JFET de canal-n con 1DSS = 8 mA Y V p = --6 V.
b) Grafique gm en función de ID para el mismo JFET de canal-n del inciso a.
15. Dibuje el modelo equivalente para un JFET si )js = 5.6 mS e Yos = 15 J.1S.
16. Dibuje el modelo equivalente de ac para un JFET si 1DSS = 10 mA, Vp = -4 V, VGSQ::: -2 V e Yos
= 25 liS.
+\8V
1.8kn
!------If---<> V,
-z,
IMn
--
z,
1.5 Y +T
"=" "='
+12V
20V
3.3 kn
2kn
.-
--Z, JO Mil
J.l kil ¡ 20¡J.F
--
Z,
1 Mil
Z,
+20 V
2kn
82 Mil
I DSS = 12rnA
o-----}I---+---I.-
--
Vi Vp =-3 V
Td = lOOk,Q
Zi
IIMil
Rs
6JOil F.gura 9.60 Problemas 23, 24, 25,
26y48.
24. Calcule Z¡. 20 y Vo para la red de la figura 9.60 si Vi = 20 rnV y se elimina el capacitor Cs·
25. Repita el problema 23 si r¿ = 20 kQ Y compare los resultados.
26. Elabore nuevamente el problema 24 si r d = 20 U2 y compare los resultados.
Problemas 463
§ 9.6 Configuración fuente-seguidor para el JFET
27. Detennine Z¡, 20 y Av para la red de la figura 9.61.
28. Repita el problema 27 si rd = 20 kQ,
29. Calcule Zi' Zo y Av para la red de la figura 9.62.
20V
+20 V 3.3 kO
--
Vp =-4.5V Vp :::-6V
--
rd =40kQ 30 kQ
ra::i
-
Z¡
lOMO
2.2 kO .-
Z,
Z, lOMO
3.3 kO Z,
...
Figura 9.61 Problemas 27 y 28. Figura 9.62 Problema 29.
+22 V
+15 V
91 MO 2.2 kO
3.3 kO
v, <>--tt---...---~...,
--
Z¡ 1.5 kO
=8mA
I DSS
Vp =-2.8V
rd =40kO
- --
Z,
z., 1 kíl
liMO
I DSS = 7.5 mA
V p :::-4 V
l ..
Figura 9.63 Problemas 30, 31 Y49. Figura 9.64 Problema 32.
+16 \'
1.1 kQ
+22 V
1.8 k!2
+---~I---~O v.
lDSS= 12 roA
--
Vp =-35 V
Z,
lOMO
-
Z.
1000
¡ Figura 9.66 Problemas 34, 35 Y50.
+18 V
+20 V
6.8 k!2
91 Mn
t----1I(---oo V,
91 MO 10ss = 12mA
Vp =-3 V
v,o----)t--+---' v, o-----)I--+_--' r d =45kQ
15MO
3.3 k!2
¡
--
z, JOMO
f--o V,
J.J k!2
- Z,
...
Figura 9.67 Problema 36. Figura 9.68 Problema 37.
+16V
2.2kO
,----+--1(------<>
-
V,
JOMO
z,
Problemas 465
40. Repita el problema 39 si k cae a 0.2 x 10-3 • Compare los resultados.
41. Determine Vo para la red de la figura 9.70 si Vi = 20 mV.
42. Calcule Vo para la red de la figura 9.70 si Vi = 4 mV, VGS(Th) =4 Ve ID(encendido) = 4 mA con
VGS(encendído) =7 V con Yos =20 p.S.
+20 V
IOkQ
30V
3.3 kQ
40MQ
+VDD (+22V)
f------ov,
IDSS=8mA
Vp =,,-2.5 v
rd = 25 pS
IOMQ
I DSS = 12mA
Vp =-3 V
rd =401dl
la \-In
Problemas 467
CAPÍTULO
Aproximación
a los sistemas:
efectos de Rs y RL
_ _ R/RL --------------------
10.1 INTRODUCCIÓN
En años recientes la aparición de una gran variedad de redes y sistemas en un solo encapsulado
ha generado un creciente interés en la aproximación a los sistemas para el diseño y el análisis.
Fundamentalmente, esta aproximación se concentra en las características de las terminales del
encapsulado y trata a cada una como un bloque constructivo en la formación del encapsulado
total. El contenido de este capítulo representa un primer paso en el desarrollo para familiarizar-
se con esta aproximación. Las técnicas que se tratarán se utilizan en los capítulos restantes,
pero ampliadas según surja la necesidad. La tendencia hacia los sistemas en un solo encapsulado
es muy comprensible cuando se consideran los enormes avances en el diseño y manufactura de
circuitos integrados, ci (también le, según las iniciales en inglés de: integrated circuits). Los
pequeños encapsulados de ic contienen diseños estables, confiables, auto verificados, sofisti-
cados, que serían algo voluminosos si se fabricaran con componentes discretos (individuales).
La aproximación a los sistemas no es difícil de aplicar una vez que las definiciones básicas de
los diferentes parámetros hayan sido entendidas correctamente y demostrado con claridad la
manera en que éstos se utilizan. En las siguientes secciones se desarrolla la aproximación a los
sistemas de manera deliberadamente lenta, la cual incluirá gran cantidad de ejemplos para resal-
tar cada punto. Si el contenido de este capítulo es claro y entendido correctamente, se logrará
una primera parte en el entendimiento del análisis de sistemas.
,
+
v,
---
J,
z,
A"m. AiNL
-
-+
1"
z"
o
v"
En la figura 10.1 se han identificado los parámetros importantes de un sistema de dos
puertos. En particular se observa la ausencia de una carga y de resistencia de la fuente. En una
sección posterior se considera a detalle el impacto de estos importantes elementos. Por el
momento debe reconocerse que tanto los niveles de impedancia como las ganancias de la
figura 10.1 están determinados para las condiciones sin carga (ausencia de R L ) y sin resistencia
de la fuente (R,),
~
TThévenin
Si se observan las terminales de salida de una "manera Thévenin", se encuentra que si Vi
se hace cero
468
ETh es el voltaje del circuito abierto entre las terminales de salida identificadas como Vo ' Sin
embargo,
V,
A V¡';L =
V,
Y Vo = A v:-.1.. VI
Obsérvese el uso del subíndice adicional NL para identificar una ganancia de voltaje sin carga
(del inglés, No Load).
Al sustituir el circuito equivalente Thévenin entre las terminales de salida se obtendrá la
configuración de salida de la figura 10.2. Para el circuito de entrada los parámetros Vi e Ii se
encuentran relacionados mediante Z¡ = R¡, lo cual permite el empleo de R¡ para representar el
circuito de entrada. Debido a que el interés por el momento se concentra en los amplificadores
BJT y FET. pueden representarse tanto Z(J como Z¡ mediante elementos resistivos.
+
Vi
--
Ii
R, _Vo
Zo Figura 10.2 Sustitución de los
elementos internos para el sistema·
de dos puertos de la figura 10.1.
Dibujar el equivalente de dos puertos de la figura 10.2 para la red del transistor con polarización EJEMPLO 10.1
fija de la figura 10.3 (ejemplo 8.1).
r---~r--<> 12 V
470kQ
- li
Vi o------}t--.+----t
--
- Zi
lO~F p= 100
r()=SOkO
Zo
2i = 1.069 kQ
20 = 3 kQ
A = -280.11
'NC
+ {~o ~
VI R¡ 1.069 k:O. ,'\" -2&O.l1V¡ Vo
-
li
vo =
y (10.3)
-
+
li
R,
>
+\
'\¡
R"
v,.
- 1"
RL v"
+
v, AVNL
-1
.... Figura 10.6 Aplicación de una carga al
sistema de dos puertos de la figura 10.2.
Se puede ver que la fórmula para la ganancia de voltaje no incluye la impedancia de entrada o
la ganancia de corriente.
Aunque puede variar el nivel de R¡ con la configuración, el voltaje aplicado y la corriente
de entrada siempre estarán relacionados mediante
Vi V,
Ii = - = (10.4)
Z, Ri
8J o
=_Vo
R
L
(10.6)
para la situación sin carga. Por tanto, en general, puede obtenerse la ganancia de corriente a
partir de la ganancia de voltaje y los parámetros de impedancia Z¡ y R¿- El siguiente ejemplo
demostrará la utilidad y validez de las ecuaciones (10.3) a (10.6).
,----,---012 v
3kU
470 ill
1"
- ----
~---~~--~--~---o+
1;
+o
v,
•
-
11----+-----/
z,
/l= 100 Z" RL 2.2kn v"
Solución
a) Recuerde del ejemplo 10.1 que
2.2kn
= -----(-280.11)
2.2 kn + 3 kn
= (0.423)(-280.11)
= -118.5
1.071 kn
A = -(-118.5) = 57.69
, 2.2kn
El voltaje de salida
+ +
z I z"
V, RB 470kQ P', PI. Re 3kQ R L ~ 2.2 kQ V
-
~
t ,
•
-
..!.. R'L
Figura 10.8 Sustitución del modelo r" en la red equivalente de ac de la figura 10.7.
V,
con
f3r,
V
y V
o
=-13-'
13 r, R'L
A, =
V L
R' =
de modo que _0 :;::; __
(10.7)
Vi re r,
1.269 kQ
Av::;: - = -118.5
10.71 Q
como se obtuvo arriba. Para la ganancia de corriente, mediante la regla del divisor de corriente,
(470 kQ)/;
lb = = 0.99771; '= li
470 kQ + 1.071 kQ
3 kQ(/3Ib)
e lo = -----''-''--
3kQ + 2.2kQ
= 0,5769/3lb
lo 0.5769/3lb 0.5769/31;
de manera que ,
A= = =
= 0.5769(100) = 57.69
El ejemplo 10.2 demostró dos técnicas para resolver el mismo problema. Aunque puede
resolverse cualquier red utilizando el método del modelo r" la ventaja del modelo de los siste-
mas es que una vez que se conocen los parámetros de los dos puenos, puede calcularse direc-
tamente el efecto de una variación de la carga directamente por medio de la ecuación (l0.3).
No existe la necesidad de regresar al modelo equivalente de ac y analizar toda la red. Las
ventajas del método de los sistemas es similar a aquellas ventajas asociadas con la aplicación
del teorema de Thévenin. Ya que penniten concentrarse en los efectos de la carga sin tener que
volver a examinar por completo la red. Desde luego, si la red de la figura 10.7 se presentara sin
los parámetros de sin carga, sería una incógnita interesante saber cuál genera los resultados
deseados en la forma más directa y eficiente. Sin embargo, considere que el método del "pa-
quete" es la tendencia de desarrollo. Cuando se adquiere un sistema se proporcionan los dos
puertos, y como con cualquier tendencia, el usuario debe estar alerta sobre la fonna de utilizar
los datos proporcionados.
El efecto de la recta de carga se muestra en la figura 10.9b con los niveles para determinar las
nuevas intersecciones de los ejes. Obsérvese la particular importancia que ambas rectas de ac
y de pasan a través del mismo punto Q, condición que se debe satisfacer para asegurar una
solución común para la red bajo las condiciones de de y/o ac.
Para la situación sin carga, la aplicación de una señal senoidal relativamente pequeña a la
base del transistor podría causar que la corriente de base tuviera excursión de un nivel de lB, a
uno de lB • como se muestra en la figura 1O.9b. Por tanto, el voltaje de salida resultante u v
tendría entonces la excursión que aparecería en la misma figura. La aplicación de la misma
señal para una situación con carga ocasionaría la misma excursión en el nivel lB' como se
muestra en la figura 10.9b. Sin embargo, el resultado de una pendiente más pronunciada de la
le
Línea de carga de ac
r----..---<> vee
Ce +
(a)
(b)
Figura 10.9 Demostración de las diferencias entre las líneas de carga dc yac.
+ R,
-- Ji
+
+ I
~
Ro +
o
V. '\,
-
Zi
Vi R, '\, A "m. v., v,
Sin embargo:
La impedancia de salida sí puede verse afectada por la magnitud de Rs'
(10.8)
La ecuación (l0.8) muestra con claridad que mientras mayor sea la magnitud de Rs' menor será
el voltaje en las terminales de entrada del amplificador. Por tanto:
Para un amplificador en particular, mientras mayor sea la resistencia interna de una
fuente de señal, menor será la ganancia total del sistema.
vo = A V"L VI
de manera que
y Av = ~ = __R'-.;-A, (10.9)
NL
VS Ri + R s
EJEMPLO 10.3 En la figura 10.11 se ha aplicado una fuente con una resistencia interna al amplificador a
transistor con polarización fija del ejemplo 10.1 (figura 10.3).
a) Calcular la ganancia de voltaje A v_, ;;;;: Vo /V~,' ¿Qué porcentaje de la señal aplicada aparece
en las terminales de entrada del amplificadoro
b) Determinar la ganancia de voltaje A = V0IV ~', .\
usando el modelo r e.
12 V
3kQ
41G 1ill
+
V,
~
'\¡ Vi _
Zi
Solución
a) El equivalente de dos puertos para la red aparece en la figura 10.12.
R,
0.5 kl'l +
+
V, '\¡ V,
Figura 10.12 Sustitución de la red
equivalente de dos puertos para el
transistor amplificador con
polarización fija de la figura 10.11.
1.071 kQ
La ecuación (10.9): ------(-280.11)
1.071 kn + 0.5 kn
= (0.6817)(-280.11)
= -190.96
(1.071 kQ)V,
La ecuación (10.8): -~--:.....:..-= 0.6817V,
1.071 ka + 0.5 kn
con
y V, ~-!OO( V, ~3kQ
\I.571 kQ)
V (100)(3 kQ)
de modo que A ~
" ~
" V, 1.57 kQ
~ -190.96
-- --
corno antes.
Ji R lb
,
SOOQ +
+ I I
v, '\, •
RB • 470kQ
• 1.071 kU
fi', •
fijo
: 3kQ Vo
I
T...
t 100 lb
•
Figura 10.13 Sustitución del circuito Te equivalente para el amplificador a transistor de polarización
fija de la figura 10.11.
+
v,
-- --
'\,
l,
R,
li
+
V. R,
+
'\, A
VSL
Ro
V
'
-lo
RL
+
Vo
Ecuación (10.8): V,
V¡ R¡
o = ---'--- (10.11)
y en el lado de la salida
RA Vi
Vo = L \':>1.
o (10.12)
Ri RL
A =-= (10_14)
" v, R¡ + Rs RL + Ro
Sin embargo, 1, = 1, de tal forma que tanto las ecuaciones (10.15) como (10.16) generarán el
mismo resultado. La ecuación (10.14) indica con claridad que tanto la resistencia de la fuente
y de la carga reducirán la ganancia total del sistema. De hecho:
Mientras mayor sea la resistencia de la fuente y/o menor la resistencia de la carga,
menor será la ganancia total de un amplificador.
Los dos factores de reducción de la ecuación (10.14) forman un producto que debe consi-
derarse con cuidado en cualquier procedimiento de diseño. No es suficiente con asegurarse Rs
es relativamente pequeño si se ignora el impacto de la magnitud de Rv Por ejemplo, en la
ecuación (10.14), si el primer factor es 0.9 y el segundo es 0.2, el producto de los dos resulta-
dos será un factor total de reducción igual a (0.9)(0.2) = 0.18 el cual es cercano al factor más
bajo. El efecto del excelente nivel de 0.9 se borró completamente debido al segundo multipli-
cando que es significativamente inferior. Si ambos fueran factores con un nivel de 0.9, el
resultado neto seria de (0.9)(0.9) = 0.81, el cual sigue siendo muy alto. Incluso si el primero
fuera de 0.9 y el segundo de 0.7, aún seria muy respetable el nivel de 0.63. Por tanto, para una
buena ganancia total, deben evaluarse en forma individual y como un producto el efecto tanto
de Rs como de R L .
12 V
3ill
470 k!2
V,
20~F
-
p= 100
Z, RL 4.7 kQ
Solución
1.071 kQ )( 4.7kQ )
; (-280.11)
(
1.071 kQ + 0.3 kQ 4.7 kQ + 3 kQ
; (0.7812)(0.6104)(-280.11)
; (0.4768)(-280.11)
; -133,57
(4.7 kQ)(-280.11)
b) A"
Vi 4.7 kQ + 3 kQ
; (0.6104)(-280.11) ; -170.98
R, R
"
+
V, I\¡ z,- +
V,
R,
{fr,
+
I\¡ A
Re
"NL
V
'
+
-
V,
Z, R,
V RLRe
y A, ;_0 ;
V, R L + Re r,
RLRe
pero RJRe;
Re + Re
RLllR e
y A, = (10.17)
r,
- -
R,
I
z, v,
+
r > z,
+
fi', ~ fi1b Re RL
~
V
Zi
y =
Vs ZI + Rs
Vo v.,
con Ar , :::: = - -VD
V, V, Vi
Debido a que la carga está conectada a la terminal del colector de la configuración de emisor
común,
(10.19)
y (10.20)
Zo Re (10.22)
Vce
Re
C,
R,
~I + --
lb
-
+
+
V, '\,
--
Z,
V,
R,
RE CE
Z.
RE V.
....
Figura 10.18 Configuración de polarización mediante divisor de voltaje con Rs y RLo
RellRL
A, = (10.23)
r,
Z,
con A0. = A, (10.24)
Z, + R,
(10.25)
Vee
1,
R,
Re e,
- 1"
~, +
-
+
V,
'" -l,
v,
RE
l,
R, V,
.".
Figura 10.19 Configuración de polarización en el emisor de emisor común sin desvío con R" y Re
(10.26)
Para la ganancia de voltaje, la resistencia Re estará una vez más en paralelo con R L y
Vo RcllRL
A, = = ---- ( 10.27)
V, RE
V Zi
con A = _0_ ~ A, (10.28)
" V, Z¡+Rs
y (10.29)
Retroalimentación en colector
Para mantener la conexión de la carga a la terminal del colector, la siguiente configuración que
se examinará es la configuración de retroalimentación en colector de la figura 10.20. En el
modelo de pequeña señal del sistema Re y RL estará de nuevo en paralelo y
+ v,
-
z,
v,
con (10.31)
La impedancia de salida
(10.32)
F
y Z¡ = J3r,11 I: , 1 (10.33)
El hecho que A, en la ecuación (10.30) sea una función de RL altera el nivel de Z¡ a partir del
valor sin carga. Por lo mismo. si no está disponible un modelo sin carga, debe modificarse el
nivel de Z¡ como se demostrará en el siguiente ejemplo.
El amplificador con retroalimentación en colector de la figura 10.21 tiene los siguientes EJEMPLO 10,5
parámetros de sistema sin carga: A", = -238.94, Zo = Re 11 RF = 2.66 kQ YZ, = 0.553 kQ, con
r, = 11.3 Q Y J3 = 200. Usando el método de los sistemas, determine:
al A,.
b) A,..
e) A¡: 'JV
2.7 k!2
+
v,
~
O.6kQ
-/,
+
3.3 kQ
'\, Vi
...
'*"
Figura 10,21 Ejemplo 10.5.
Solución
al Para el sistema de dos puertos:
RellRL 2.7wll33w
A, = -
r, 11.3 Q
l.485 kQ
= - = -131,42
1l.3 Q
R 180 kQ
con Z, = J3r,II-
F
= (200)(11.3 Q) 1 1 - -
lA) 13l.42
= 2.26 kQ 111.37 W
= 0.853 kQ
(3.3 kfl)(-238.94)
Av = = -1323
3.3 kQ + 2.66 kQ
+
J
~ ó:6ill +
I+
2.66kO
- J"
+
Vi '\, Vi 0.853 kQ
'\, -238.94V¡ Vo 3.3kO
+
--
Z¡ Vi
+
fuente de un circuito Thévenin equivalente para la configuración de la figura 10.25 y que daría
simplemente Rs y Vs como se muestra en la figura 10.24. Desde luego, si los niveles de corrien-
te deben determinarse como Ii en el diagrama original, se incluye el efecto de R s'
R,
Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada de la figura 10.24 se obtiene
RB
v, - IbR, - Ib[3r, - ([3 + 1)lbR¡ = O
+
v, I\¡
y V, - Ib(R, + [3r, + ([3 +I)RD = O =¡
Thévenin
de manera que
Figura ){).25 Determinación del
Al establecer le se tiene que circuito equivalente a Thévenin
para el circuito de entrada de la
([3 + 1)V, figura 10.23.
le ([3 + 1)lb =
R, + [3re + ([3 + 1)R;
V, _ _ _ __
le = _ _ _ _---C.
e
[(R, + [3re)/([3 + 1») + R¡
Al utilizar [3 + I :; [3 se obtiene
V,
le = ----'------ (10.34)
(R/[3 + re) + R~
+ +
v, I\¡ R' E v, I\¡ Figura 10.26 Redes resultant.es
de la aplicación de la ley de
J,. ... J,. voltaje de Kirchhoff al circuito de
entrada de la figura 10.24 .
(a) (b)
R'V
E ,
Vo =
R~ + (R/[3 + re)
Va R'E
o A}~ = - =
V, R¡ + (R/[3 + re)
(10.36)
(10.38)
EJEMPLO 10.6 Para la configuración emisor-seguidor con carga de la figura 10.27 con la resistencia de la
fuente y los siguientes parámetros de dos puertos sin carga: Z¡ = 157.54 kO, Zo = 21.6 O Y
A VNL =0.993 con re = 21.74 O y j3 =65. determinar:
a) Los nuevos valores de Z¡ y de 20 como se calculan mediante la carga y Rs' respectivamente.
b) A, utilizando el método de los sistemas.
e) A, por medio del método de los sistemas. 15 Y
d) A¡'= l/Ir
560kQ
P=65
+
.- v,
C~2 v, J,
z, 3.~ 2.2kO
Solución
La ecuación (l0.37): Z¡ = RBII{:l(r, + REllRcJ
= 560 kQ 1165(21.74 O + 3.3 kO 112.2 kQ)
~
= 560k01187.21 kQ l.32kQ
= 75.46kQ
3.3 kO 1130.36 O
30.08 Q
contra 21.6 O (sin R).
b) Al sustituir la red equivalente de dos puertos se obtiene la red equivalente de pequeña
señal de la figura 10.28.
(2.2 kO)(0.993)Vi
2.2 kO + 30.08 O
'" O.98V,
Vi
li
~
30.08 a
+
V,
"
'\,
0.56 kQ +
Vi 75.46 ka
+
'\, 0.993 V,
+
V, 2.2kn
Figura 10.28 Circuito equivalente de ac a pequeña señal para la red de la figura 10.27.
1" ; -A Zi
,
RL
75.46 kOj
; -(0.98)
(
2.2kO
; -33.61
10.8 REDES eB
En la figura 10.29 aparece un amplificador de base común con las resistencias de la carga
aplicada y de la fuente. El hecho de que la carga se encuentra conectada entre las terminales de
la base y del colector la aísla del circuito de entrada y Z¡ permanece esencialmente igual para
condiciones sin carga o con carga. El aislamiento que existe entre los circuitos de entrada y de
salida también mantiene a Zo en un nivel fIjo aun cuando pueda cambiar el nivel de Rs' Ahora,
la ganancia de voltaje se detenninará mediante
I~-r-· '1 o
Rs ~: + \...1 ~2 01 +
-
+
'" -
V, V,
R, ~ Re RL V.
z, ~ ~ VE' ~ F- Vec Z.
1
(10.39)
y la ganancia de corriente:
, -1
A", (10.40)
EJEMPLO 10.7 Para el amplificador de base común de la figura 10.30, los parámetros de dos puertos sin carga
son (utilizando a", 1) Z.",
le
r = 20 Q, A V = 250 YZo = 5 ka. Con el modelo equivalente de dos
NL
puertos, determine:
a) A~.
b) A,,.
e) A,.
1 ltO 51tO
a:;¡l
2V 8V
Solución
a) En la figura 10.31 aparece la red equivalente de pequeña señal.
+
~
0.2 kíI
--
1,
+
+1 5kí1
1
.--;,
+
V,
l
- z,
V, • lkQ 20Q
'V
-1
250 V, •>8.2 kQ
•
Vo
Figura 10.31 Circuito equivalente de ac a pequeña señal para la red. de la figura 10.30.
Vi
Re 11 RL 5 kQ 118.2 kQ 3.106 kQ
o =
200. 200.
155.3
V V, V
b) A
'.
= " = --"
V, V, V,
R,
A,. =
( 200. ) (155.3)
R¡ + R 1, 200.+2000.
= 14.12
Se observa una ganancia relativamente baja debido a una impedancia de la fuente mucho ma-
yor que la impedancia de entrada del amplificador.
Z ( 20Qi)
e) Ai = -A, - ' = -(1553\
RL 8.2 k
= -0.379
la cual es significativamente menor a 1 debido a la división de la corriente entre Re y Re
(10.41)
-
c,
r'VV'V-l1-o._-.-J
+ 1 R,," e, + l,
v, '\¡
t ...
Figura 10.32 Amplificador JFET con RS<!ñ y Re
(10.42)
(10.43)
V
A" = Vo = (10.44)
,
con (10.45)
y (10.46)
e,
EJEMPLO 10.8 Para el amplificador a FET de la figura 10.34, los parámetros de dos puertos sin carga son
A,'''L =-3.18,Z.=R
I j
IIR,=239kQyZ
_ o
=2.4kQ.cong m =2.2mS.
a)' Por medio de los parámetros de dos puertos de arriba. determinar A" y A, .
b) Con la ecuación (10.44), calcule la ganancia con carga y compárela con 'el resultado del
inciso a.
:O.uF +
--
R, 10,",
~ + z,
+ I Rs , 0.3 kil 4,7 kO
v, '\, v, 270kil
Figura 10.34
490
Ejemplo 10.8. 1 .... ....
Capítulo 10 Aproximación a los sistemas: efectos de Rs y R L
Solución
a) En la figura 10.35 aparece la red equivalente a pequeña señal y
V RA
L \ \1
(4.7kQ)(-3.18)
A, = " =
V, RL + R 4.7 kQ + 2.4 kQ
"
= -2.105
(239 kQ)(-2.IOS)
239 H2 + I kQ
= -2.096",A ,
Ikl1
+
v, '\¡
-z
+
v, 239kQ
+I
~--~r----o
2.4kQ
'\¡ ~3.18V
~1
e~4.7k11
+
Vo
Figura 10.35 Circuito equivalente de aC a pequeña señal para la red de la figura 10.34.
b) La ecuación (10.44): A, =
l + gll,R s 1
-(2.2mS)(2.4 kQ 114.7 kQ) -3.498
Fuente-seguidor
Para la configuración fuente-seguidor de la figura 10.36. el nivel de Z¡ es independiente de la
magnitud de R L y está determinado mediante
(10.47)
Vcc
r,
,
r
R,dl
+
t ( 1 o
¡ - - }L...
v, '\¡ e, +
Re
Rs Ve
Z, Z"
":" ...
Figura 10.36 Configuración de fuente-seguidor con Rseñ y Rr
gm(R S 11 RL)
(10.48)
1 + gm(RsIIR L )
1
20 = R
s
11_
gm
(10.49)
Compuerta comúu
Aunque la configuración de compuerta común de la figura 10.37 sea un tanto diferente a aque-
llas que se describieron anteriormente respecto a la colocación tanto de R L como de Rscn " los
circuitos de entrada y de salida permanecen aislados y
(10.50)
(10.51)
(10.52)
o
e, +
...
Figura 10.37 Configuración de compuerta común con Rseñ y RL •
-
~
v ee ,
r -'
-- - ,
-(RdlRcl
r,
R.IIllr, Re
--
~
Re ,
.. Vf\
"
R.
Vo -h
-f'-(RdIRcl RBllh .. Re
+ ,1
R, V, A
--
v
1-." - Zo
RL
"
-+
V, ' " Z,
.. .
Incluyendo r,,:
(RdIRellro)
r,
RBlIllr,
I
I
Rellr"
Re
R, f\ Vo
-- V -h
Rs u Vi 1\. V h,: (RLIIRcl R,!lR,llh" Re
" v 1-., Zo
I
-1 --
+ RL
~le
R,
v, '" Zi Incluyendo r,,:
-(RdIRellro)
r,
R,IIR,II/3r, R("lir"
V ee
R,
R~ U V, 1\ V
v
" 1-." Rell( R; + h" )
+1 .
~I R,IIR,II(h" + h¡,RÉ)
-1 --
h¡,
"v v,
v, '" Zi
•
R2
RE
-- Zo
RL
Incluyendo ro:
-(R,IIRellr.)
~ Rellr, Rellr"
"
+
\', '\,
Incluyendo 1',,:
Incluyendo ro:
-RLIIR c
RE,
-(RdIRcl R,
13r,II-1-,
r. A,·I
, R,
h"'TAJ
1
Incluyendo r,,:
-(RdiRcllrol R,
ilr,ll-I-,
r. A,I
-, ' .
h . R,..
r.REI'IAJ
+ ,
\, '\,
- !
i
-Z,
I
-(R,iIRcl R,
~ ~aR
- 1-' E.
'1-
lA,,!
I RE
+r-
v, ' "
- I
1/, ..
Z,
v
Incluyendo ro:
~
-8mlRolIRd
1 + 8mRs
..
vf\ V"
Incluyendo r,,:
RD + Rs
1 +g",Rs + - - -
R, r,
Incluyendo ru:
- gm(RDIIRLllr,) R,IIR,
8ml RsIIRLl
1 + gm(R,IIRL )
~ 8m rdiR,llRd
Re Td + RD "" gmT,¡{RsIIRL) g",rrfR
s
1+---
rd + Ro
R,
gmlRDliRd
R,"~ v. ... 1\ 1 + g",R s
~r'-v ""l.f -.~ v"
\J
+
v, '"
-
l
-
z,
b-
Rs
=
VDDt Zo
R[J
- =
",
Incluyendo r(J:
" gmlRDIIRLl Z ~
1+
R,
g",rdRs
T" + RollRL
Z
A -A -'-' (10.54)
" Vr R
L
No importa qué tan perfecto sea el diseño del sistema. la aplicación de una carga en un
sistema de dos puertos afectará la ganancia de voltaje. Por tanto, no existe la posibilidad de una
situación donde A VI-. A V2 ,y así sucesivamente, como en la figura 10.38 sean sólo los valores sin
carga. Es importante considerar la carga de la etapa siguiente. Los parámetros sin carga se
pueden utilizar para calcular las ganancias con carga de la figura 10.38, pero la ecuación (10.53)
requiere los valores con carga.
v = v'2
/ °1
v
/ ()2
=v
"
~:j ~ t
--·-f--~------!-----}
W
+
Av , Av, Av) I v4 I RL v"
L-________ ~
-'
I '-'
I
__ ... _l _________ I
~ r-------
2,=2'1 Z"i 2'2 Z"2 i 1 Zl~ Z,,:::. '
EJEMPLO 10.9 El sistema de dos etapas de la figura 10.39 utilizó una configuración de transistor emisor-
seguidor antes de una configuración de base común para asegurar que el máximo porcentaje de
la señal aplicada aparezca en las terminales de entrada del amplificador de base común. En la
figura 10.39 se proporcionan los valores sin carga de cada sistema, con excepción de 2, y de 20
para el emisor-seguidor, los cuales son valores con carga. Determinar para la configuración de
la figura 10.39:
a) La ganancia con carga para cada fase.
b) La ganancia total del sistema, A\, y A~..
e) La ganancia total de corriente del sist'ema.
d) La ganancia total del sistema en el caso de que se eliminara la configuración emisor-
seguidor.
+ I
R,
1 k!l
- 1
"
+
V
Emisor-seguidor
z¡= IOkO +
vo == V,
A"2
Base común
2,=260 +
Y,
----."
1
1
8.2 kQ
+
I ~
Z,,=12kQ
A ;;::<1
~Sl.
11 '- 2i~
Z,,=5.1kQ
A = 240
"~L
~
-
V
-
I
I = z, I I z, -
-(101.20
f OkQ
--
8.2 kQ )
= -123.41
Z ce Vs (26 Q)V,
d) VICR I
= 0.025 V,
Z + R., 26Q+lkQ
''" V; V
Y
V,
= 0.025 eon
V,
" = 147.97 de arriba
Por tanto, la ganancia total es aproximadamente 25 veces mayor con la configuración emisor-
seguidor para acoplar la señal en la entrada del amplificador. Sin embargo, considérese que
la importancia de la impedancia de salida de la primera etapa fue relativamente parecida a la
impedancia de entrada de la segunda etapa, o en caso contrario la señal se hubiera "perdido"
una vez más debido a la acción de divisor de voltaje.
6.8 kO
56kQ
m 11
ill
6 GJ [I I¿~F
VV\;
6000
•,, )1
1O'~F
~ = 90
,,
+ 1 ~ IOk¡)
r.:--t
'>
1mV
~ 10'MO
8.2 kO
.. *. CIRCUIT DESCRIPTlotl
VCC 5 O OC 22V
RB1 5 2 56K
RB2 2 O 8.2K
RE 1 O 1..5K
Re 5 3 6. SR
el 4 2 lOUF
CE 1 o 20UF
vs 6 o AC 1MV o
RS 6 4 600
RR 4 o 1t:12
e2 3 7 lOUF
RL 7 OlOR
Q1 3 2: 1 QMODEL
.MODEL QMODEL NPN{eF~90 IS=5E-lS)
.op
.AC LIN 1 10KH 10KH
.PRINT AC VM(3) VM(7) VM(4)
.OPTIONS NOPAGE
.END
asegurar una trayectoria de dc a ~ierra para el capacitor (un requisito de PSpice). La instrucción
PRINT incluye una solicitud para la magnitud del voltaje en los nodos 3. 7 Y4 para una señal
de entrada de l m Y.
Se observa en la solución para la polarización que los nodos 4. 6 Y7 tienen una respuesta
de O V debido al aislamiento ofrecido por los capacitores. El nodo 5 es de 22 V tal como debe
ser y VE = 2.0235 V. Ve = 2.703·9 V Y Ve = 12.9280 V son similares a la solución en dc del
capítulo 8.
El análisis en ac indica que V~ y V7 tienen en esencia el mismo nivel porque los capacitores
ofrecen un vínculo directo de impedancia mínima de un nodo al míO en la frecuencia que se
aplicó. Su magnitud revela una ganancia de 146.2 comparada con una ganancia sin carga de
350.4. La magnitud de V..¡ indica que el 309¿ (0.3 mV) de !a señal que se aplicó se perdió a
través de la resistencia de la fuente de 0.6 kn.
Por mero interés. ahora se calculará la ganancia del voltaje con carga y se hará Una compa-
ración con la solución de PSpice de 146.2.
r,. = 18.44 Q
y Z = R 1 1111 R, 1! f3r,
56 kQ 118.2 kQ i1(90)( 18.44 Q)
= 1.35 kQ
ZV
, , (1.35 kQ)V,
V, = 0.69 V,
Z, + R , !.35 kQ + 0.6 kQ
V,
Y = 0.69
V,
V, RLA\,:-" (lO kQ)(-350A)
A, = = =
V, R L + R" IOkQ + 6.8kQ
= -208.57
V, V,
con A = = (0.69)(-208.57)
'. V., V.,
- -144
la cual se compara de manera muy favorable con el -146.2 que se obtuvo anteriormente al
utilizar PSpice.
m
r 18 v
~2~k0 III
W
6OO!l
m 0 iOt¡
0.1 J!F
+ 3.3 k!l
I\¡
t40~F
V, 1 mV 10 M(l
\800.
Figura 10.42 Definición de los nodos de un JFET amplificador que tiene una resistencia de la fuente
de Rseñ y una resistencia de la carga de RL.
voo 6 O OC 18V
Jl 4 3 5 JYET
RG 3 O lOKI!G
RO 6 4 2.2](
RS 5 O 180
el 2 3 O.ltrF
es 5 O 40Ut
CO 4 7 lOUF
.HODEL JFEr NJF VTO=-4V B~A=6_25E-4
VSIG 1 o AC lMV
RSIC 1 2 600
RL 7 o 3.31<
.OP
.AC LIN 1 lOKH lOKK
.PRINT AC VIl) VI)) VIO) VIS) V(7)
.OPTIONS NOPAG!
.nI"
Figura 10.43 Análisis mediante PSpice del JFET amplificador de la figura 10.42.
JFET
NJF
VTO -4
BETA 625.000QQOE-06
...
NODE
SMALL SIGNAL BIAS SOLUTIQN
VOLTAGE NODE VOLTAGE
TEMPERATURE ""
NODE VOLTAGE
27.000 OEG
NODE
e
VOLTAGE
( 1) 0.0000 ( 2) 0.0000 ( 3) 57.14E-06 ( 4) 5.6862
( 5) 1.0075 ( 6) 1.8,0000 ( 1) 0.0000
VOD -5.597E-a3
VSIG O.OOaE+aa
TOTAL POWER DISSIPATION 1. OlE-al WAT'l'S
OPERATING POINT INFORMATION TEMPERATURE 27.000 DEG e
•••• JfETS
NAME J1
MODEL JFET
ID 5.60E-OJ
VGS -l.OlE+OO
VOS 4.68E+oa
GK 3.74E-03
GOS O.OOE+OO
CGS O.OOE+OO
eGO O.OOE+OO
= 3.75 mS
pala comparar con el 3.74 mS en la descripción del JFET de la salida en PSpice.
A, = -gm(RD 11 R L )
-4.95
rIr; V
I 3.3 ¡"i"l
~ 6ROHl
I-----ll---~..-~:J V"
1.8~F I
-
v, o---III---~---f
1,
p
-
= 100
-
Z,
Z,
* 2. a) Dibuje las rectas de carga de ac y de para la red que está en la figura 10.44 sobre las caracterís+
ticas de la figura 10.45.
b) Calcule el valor de pico a pico de J, y de V". a partir de la gráfica en caso de que Vi tenga un
valor pico de 10 mV Determine la ganancia de \'oltaj~ A, = V,/V y compare con la soluciór.
que se obtuvo en el problema l.
le (mA)
9
. .¡...;.•
~
8
, F '"
7
··Jf . i ¡:
5
c::::. ,', :tt:.. :. '
ccT: .,. ¡ . ,.'
3 ,.,; .
. -. . ~ ..~ .. ~ •• .l_!
2
~,~-:" " .. , 1-: .. ¡, 't··
o 5 10 15 20 25
~ -
I( o ~,
R I ~F V
~!-----C~'-+----1 fi=180
+ 0.6 Hl
---+ Z"
z,
!
4.3 k!l
} 560 kn
IO~F ~
1,
~~~'----1
R IO~F V, í '-----11-(--T'-r+---<o Vo
fi = 80
+ I lW
RLf2.7kn
v'\, ---+
Z,
I I
.,.,.i ~ -=F Figura 10.47 Problemas 5, 17y21 .
Problemas 503
§ 10.6 Redes BJf de CE
6. Para la configuración con divisor de voltaje de la figura IOA8:
a) Determine AVI't.' Z, y Zo'
b) Dibuje el modelo de dos puenos de la figura 10.2 con los parámetros que se determinaron en
el inciso a.
e) Precise la gananciaA¡. utilizando el modelo del inciso b.
d) Calcule la ganancia de corriente Al'
e) Detennine Av' Zj y Zo utilizando el modelo r" y compare las soluciones.
16V
2.2kO
68 k!l
6.8~F 1"
v"
1,
-
V, o • ) fJ = 100
-
6.8~
Z"
RL 5.6 In
Z,
16 k!l
0.75 In
1 lO~F
...
-
Figura 10.48 Problemas 6, 7 Y 8.
* 7. a) Dibuje las rectas de carga de de y ac para la red de la figura 10.48 sobre las características de
la figura 10.45.
b) Calcule el valor de pico a pico de le y de Va a partir de la gráfica en caso de que Vi tenga un
valor pico de 10 m V. Determine la ganancia de voltaje A" = Vo IVI y compare con la solución
que se obtuvo en el problema 6.
8. a) Determine la ganancia de voltaje Av para la red de la figura 10.48 cuando R L == 4.7 kn, 2.2 kQ Y
0.5 ka. ¿Cuál es el efecto de disminuir los niveles de RL sobre la ganancia de voltaje?
b) ¿Cómo cambiarán Z.,, Zo y A.'7'L con la disminución de los valores de RL '
9. Para la red de emisor estabilizado de la figura 10.49:
a) Determine AV:-<L ' Z¡ y 20'
b) Trace el modelo de dos puertos de la figura 10.2 con los valores que se detenninaron en el
inciso a.
c) Detennine la ganancia A y Av'
d) Cambie Rs a 1 ill. ¿Cuál es el 'efecto sobre AV:-;L' Z, y Zo?
e) CambieR s a 1 kn y calcule Av y Av,' ¿Cuál es el efecto de aumentar los niveles de Rs sobre A,
y Av,?
18 V
3kil
680 k!l I~
--
Z,
-
P = llO
O.82kQ
Zo RL 4.7 kQ
20 V
o
6.8 kíl
\ ~ sL j3 ::; 120
+
I'\¡
--
z,
V,
12kQ f:'1;
1
Figura 10.50 Problemas 10. 18 Y 22.
'*"
§ 10.8 Redes CB
* 11. Para la red de base común de la figura 10.51:
a) Detennine 2 1 ,2(1 Y A" 'L
b) Trace el modelo de dos puertos de la figura 10.2 con los parámetros del inciso a.
c) Determine la ganancia AL' y A,."
d) Determine AL y A,., utilizando el modelo r" y compare los resultados con los que se obtuvieron
en el inciso c.
e) Cambie R, a 0.5 kQ Y RL a 2.2 kQ Y calcule A" y A"" ¿Cuál es el efecto de cambiar los niveles
de R, y R L sobre las ganancias de voltaje?
f) Calcule Z" si se cambia R, a 0.5 kD. cuando todos los demás parámetros pennanecen como en
la figura 10.51. ¿Cómo se afecta Zu al cambiarlos niveles de R.,:
g) Detennine Z¡ cuando se reduce R L a 2.2 kQ. ¿Cuál es el efecto de cambiar los niveles de R L
sobre la impedancia de entrada?
6V -22 V
i r
~ ~ 4.7 kU
r:: 2.2 kíl
:,
I
R 4.7."F
v 1
~ z,':I--<>-' -~I~-~O-----l~:.
-4-1
(1,,1
!
I 4.7¡¡F
"l,~.
Jo
..... ? ?
Problemas 505
-----~---
12 V
2.7kQ
10~F
+
--
z, lMQ
--Z. RL 4.7 kQ
0.5 1 k!l
I20~F
12V
--
+
fF
V.
v, 'V 2MQ 8.2~F
1
Z;
IX V
3.3 k.O:
I
R . 5.6MF V" 1
~I-I-O-'--
+ ' 1 ka 1
v, ~ z:- ~ 1.2k!2
+
Figura 10.54 Problema 14.
Ampliticador de Amplificador de
+
-
emisor común emisor común
Z,= I kQ Z¡= I kQ
2.7 ka
Z¡ Z()=3.3kQ Z,,=3.3kQ
A
'"
"" -420 A
",1 = --420
Problemas 507
* 16. Para el sistema en cascada de la figura 10.56, detennine:
a) La ganancia del voltaje con carga en cada fase.
b) La ganancia total del sistema. A\. y A\.,'
c) La ganancia de corriente con carga en cada fase.
d) La ganancia total de corriente del sistema.
e) Cómo se afecta Zj debido al segundo estado y Re
f) Cómo se afecta 20 debido al segundo estado y R.,'
g) La relación de la fase entre Vo y Vj'
+
V,
~~F
'\¡
R,
-
Z,
V
Emisor-seguidor
Z¡:50kQ
20=200:
Amplificadorde
emisor común
Zi=I.2kQ
Z,,=4.6kQ
1-_-1+'
_
IO~F
Z"
R¿
V
2.2kQ
A \'~L == 1
A :-640
"¡q
11.2 LOGARITMOS
No es posible escapar a la necesidad de sentirse cómodo con la función logarítmica. El graficado
de una variable entre límites amplios, la comparación de niveles sin enormes cifras y la
identificación de niveles de particular importancia en el diseño, revisión y procedimientos de
análisis, son caracteristicas positivas del uso de la función logarítmica.
Como primer paso para aclarar la relación entre las variables de una función logarítmica.
considere las siguientes ecuaciones matemáticas:
a = bx = (10)2 = 100
pero x = log/) a = loglo 100 ;:: 2
En otras palabras, si se pidiera encontrar la potencia de un número que diera como resultado un
nivel particular, como el que se muestra a continuación:
10,000 = 10"
509
f el nivel de x podría ser detenninado usando logaritmos. Esto es.
x = logiO 10.000 =4
En la industria eléctrica/electrónica. y para la mayor parte de la investigación científica. la
base en la ecuación logarítmica se limita a 10 Y al número e = 2.71828 ...
Los logaritmos de base 10 son Hamados logaritmos comtmes y los logaritmos base e se les
conoce como logaritmos naturales. Resumiendo:
Logaritmo natural: v=
•
10(1
0('
a (11.3 )
En las actuales calculadoras científicas, el logaritmo común está indicado, por lo generaL por
I
la tecla Ilog y el logaritmo natural por la tecla [!!l.
EJEMPLO 11.1 U sando la calculadora determine el logaritmo de los siguientes números en la base indicada.
a) loglo 106
b) log, e 3
e) .loglo 10-2 .
d) log,e- I .
Solución
a) 6 b) 3 e) -2 d) -1
Los resultados del ejemplo 11.1 revelan con más claridad cómo el logaritmo de un número
elevado a una potencia es simplemente la potencia del número. si es que el número es igual a
la base del logaritmo. En el siguiente ejemplo. la base y la variable x no están relacionadas por
una potencia entera de la base.
Solución
Obsérvese que en los incisos a y b del ejemplo 11.2 los logaritmos logiO a y loge a están
relacionados como lo define la ecuación (11.4). Además, nótese que el logaritmo de un número
no se incrementa en la misma forma lineal que el número. Esto es. 8000 es 125 veces más
grande que 64. pero el logaritmo de 8000 es sólo 2.16 veces más grande que la magnitud del
logaritmo de 64. revelando con esto una relación extremadamente no lineal. La tabla 11.1
muestra con mayor claridad cómo se incrementa el logaritmo de un número sólo como el
TABLA 11.1
loglo !00 =O
logw10 =1
loglo 100 =2
log][) 1.000 =3
log lO 10.000 =4
loglo 100,000 =5
logl(l LOOO.OOO =6
logj() 10.000.000 =7
loglo 100.000.000 =8
Y así suce!>ivamente
Usando una calculadora, determine el antilogaritmo de las siguientes expresiones: EJEMPLO 11.3
a) 1.6 = lag 10 Q.
b) 0.04 = log, u.
Solución
a) = 10 16
Q
Teclas de calculadora:
ya = 1.0408
Debido a que el resto del análisis de este capítulo emplea el logaritmo común, revisemos
ahora unas cuantas propiedades de los logaritmos empleando solamente el logaritmo común.
Por lo general, las mismas relaciones son ciertas para los logaritmos de cualquier base.
loglO 1 = O (11.5)
(11.6)
(11.7)
revelando que para cualquier b mayor de 1 el logaritmo de un número menor que 1 siempre es
negativo.
(11.8)
En cada caso, las ecuaciones que empleen logaritmos naturales tendrán el mismo fonnato.
Solución
al --0.3
b) log!04000 -log,o 250 ~ 3.602 - 2.398 ~ 1.204
4000
Verificación: log,o-- ~ logIO 16 ~ 1.204
250
e) loglO 0.6 + loglO 30 ~ -0.2218 + 1.477 ~ 1.255
Verificación: log,o (0.6 x 30) ~ log,o 18 ~ 1.255
~
,
¡¡mE =I1lIII: II I
11
I
3
l:l:IlI=
•
\:lllII:
•
?
I
2 3
I;·~ 4 5 6 7 8 9 1 2 J 4 5 6 7
•
8 9 1
I ~
\\
=30%
10g,o 2 ~ 0.3010 / \ \
\ogI0 9 =0.9543
log¡o8=O.9031
• 10g 10 7 = 0.8451
=48% loglO 6 == 0.7781
loglO 3 == 0.4771
10g 1O 5 ~ 0.6999
log,0 4=0.6021 (,,60%)
I I I I I I I i
0.1 0.7 10 lOO log
~
Cl'ii tres cuanos (0..5)
Figura 11.2 Identificación de los valores numéricos de las marcas en una escala logarítmica.
Fíjese cómo la graficación de una función en una escala logarítmica puede cambiar la apa-
riencia general de la forma de onda, comparada con una graficación en una escala lineal. La
gráfica de una línea recta en una escala lineal puede producir una curva en una escala logarítmica,
y una gráfica no lineal en una escala lineal puede tomar la apariencia de una línea recta en una
gráfica logarítmica. El punto importante es que los resultados extraídos a cada nivel deben
éstar correctamente etiquetados. desarrollando una familiaridad con el espaciado de las figuras 11.1
y 11.2. Esto es muy cierto para algunas de las gráficas lag-lag que aparecen más adelante en el libro.
11.3 DECIBELES
El concepto de decibel (dB) y los cálculos asociados serán cada vez más importantes en las
secciones restantes de este capítulo. El fondo que rodea al término decibeZ tiene su origen en el
hecho establecido de que la potencia y los niveles de sonido están relacionados con la base
logarítmica. Esto es, un incremento en el nivel de potencia, digamos de 4 a 16 W, no resulta un
incremento del nivel de audio por un factor de 16/4 = 4. Se incrementará por un factor de 2, que
se deriva de la potencia de 4 de la siguiente manera: (4)2 = 16. Para un cambio de 4 a 64 W, el
nivel de audio se incrementará por un factor de 3, debido a que (4)3 = 64. En forma logaritmica,
la relación puede escribirse como log4 64 = 3.
Para efectos de estandarización. se definió al beZ (B) mediante la siguiente ecuación que
relaciona los niveles de potencia PI y P2:
bel (11.9)
dB (11. JO)
Existe una segunda ecuación para los decibeles que se aplica frecuentement~. Puede
describirse mejor mediante el sistema de la fIgura 11.3. Siendo Vi igual a algún valor V¡, P I ~
V? IR¡, donde R¡ es la resistencia de entrada del sistema de la figura 11.3. Si Vi debiera aumen-
tarse (o disminuirse) a algún otro nivel, V2 , entonces P'1 = ViIR¡. Si sustituimos en la ecuación
(1 1,10) para detenninar la diferencia resultante en decibeles entre los niveles de potencia,
y dB (11,12)
-R,
(l Ll3)
en cambio. en una ganancia mucho más alta de 10,000 el nivel de dB es de 80 dB. significa que
el incremento es de solamente 20 dB como resultado de la relación logarítmica. La tabla 11.2
revela que las ganancias de voltaje de 50 dB o mayores deben reconocerse inmediatamente
como demasiado altas.
Encuentre la magnitud de la ganancia que corresponde a una ganancia de decibeles de 100. EJEMPLO 11.5
Solución
Este ejemplo muestra muy bien el rango de valores que deben esperarse de los dispositi-
vos prácticos. Es cierto que, un cálculo futuro que dé un resultado en decibeles cercano a 100.
debe ser por tanto cuestionado de inmediato.
Solución
Po 500 W 1
a) G dB = lO loglo - = lO 10glO - - - lO logl~ - = -10 loglo 20
P, lO kW 20
= -10(1.301) = -13.01 dB
Vo VPR V(500 W)(20 !1)
b) G, = 2010"10 - = 20 loglo - - = 2010"10 -'-------'-'--'-
b Vi 1000" 1000 V
lOO I
= 20 10°10 -
b
- = 20 10010 -
1000 "10
= -20 loglo
-
10 = -20 dB
R =-'
v2 (1 kV)' 10 6
e)
I Pi ""1""O""k-:-'W"" = -10-4 = 100 n "'" Ro = 20 n
11.3 Decibeles 515
f
EJEMPLO 11.7 Un amplificador de 40 W de potencia nominal de salida se conecta a una bocina de 10 Q.
a) Calcule la potencia de entrada que se requiere para una salida a potencia total si la ganan-
cia de potencia es de 25 dB.
b) Deduzca el voltaje de entrada para la salida especificada si la ganancia de voltaje del
amplificador es de 40 dB.
Solución
40W 40W 40W
a) Por la ecuación (11.10): 25 = 10 loglO - - ::} P; =·1 = 3.16 x 102
P; antlog (2.5)
40W
= 316 == 126.5 mW
Vo Vo
b) Gv = 20 log,o - ::} 40 = 20 loglO -
VI V¡
Vo
- = antilog 2 = 100
V;
Vo = vPR = Y(40 W)(10 n) = 20 V
Vo 20 V
V; = 100 = 100 = 0.2 V = 200 mV
'RbUlbO)
y la dependencia en frecuencia
de la ganancia del transistor.
Baja
frecuencia
lO
V J, lOO
, ,
1000
Frecuencia media
,
10,000
Ca)
,
100,000 1 MHz
I Alta frecue.!!.:,j~
'v'
tIIAul;II;,'I~ _ _ _ __
r- Ancho de banda--------~
0707A ." ,
\0""
====~2::============::::==:~~':-~Transformador
¡-CTranSfOrmador)
..... \./
i Baja \
i ~cuenCia I Frecu~ncia media I Alta fre~ncia
Cb)
IV:
lA I --1
I 01
.. 1) -1,VI, (Las capacitancias
'-0-_______ Ancho de banda _ _ _ _ _ _ _ _ parásitas de la red y los
A
0707A,<""
'",cd 'e==================::::::",. . __ dispositivos activos y la
dependencia en frecuencia
~/ ~r:~~¡~~nanCia del
, , 1 , ~or,FETObUlbO)
Figura 11.4 Ganancia en función de la frecuencia para a) amplificadores con acoplamiento Re; b)
amplificadores acoplados por transformador; c) amplificadores acoplados directamente.
Como lo señala la figura, es una respuesta plana hasta la alta frecuencia de corte, por las cuales
se determinan las capacitancias parásitas del circuito o la dependencia en frecuencia de la
ganancia del dispositivo activo.
La magnitud de la ganancia es igualo muy cercana al valor de banda media. Para poner las
fronteras de frecuencia a una ganancia relativamente alta, se escogió que O.707A,lmed fuera la
ganancia a los niveles de corte. Las frecuencias JI y f 2 correspondientes son denominadas
generalmente como las frecuencias de esquina, corte, banda, o de media potencia. Se escogió
el multiplicador 0,707 debido a que en este nivel la potencia de salida es la mitad de la potencia
de salida en la banda media, esto es, a las frecuencias medias,
Para aplicaciones de naturaleza de comunicaciones (audio, video) es más útil una gráfica
en decibeles de la ganancia de voltaje en función de la frecuencia que aparece en la figura 11.4.
Sin embargo, antes de obtener la gráfica logarítmica. por lo general se normaliza la curva.
como se señala en la figura 11.5. En esta figura, la ganancia para cada frecuencia está dividida
entre el valor de banda media. Obviamente. el valor de banda media es 1. corno se indica. A las
frecuencias de media potencia el nivel resultante es de 0.707 = 1I--J 2. Ahora. puede obtenerse
una gráfica en decibeles aplicando la ecuación 11.12 de la siguiente manera:
A,
20log lo (11.18)
A \'med
0.707 f------,t-'-------------------"'~
A las frecuencias de banda media, 20 loglO 1 = O Y a las frecuencias de corte. 20 lag 10 1rJ2
= -3 dB. Ambos valores están indicados con claridad en la gráfica de decibeles resultante en la
figura 11.6. Entre más pequeña es la relación de la fracción. más negativo será el nivel de decibeles.
Para la mayor parte de la exposición que viene a continuación, se realizará una gráfica de
decibeles para las regiones de frecuencias baja y alta. Recuerde la figura 11.6 para pennitir una
visualización de la respuesta del sistema total.
Debe comprenderse que la mayoría de los amplificadores introducen un desplazamiento
de fase de 180 0 entre las señales de entrada y salida. Ahora, este hecho debe ampliarse para
indicar que sólo ocurre en la región de la banda media. A bajas frecuencias, hay un
desplazamiento de fase tal que Vo se retrasa de Vi por un ángulo cada vez mayor. A altas
frecuencias el desplazamiento de fase caerá a menos de 1800 . La figura 11.7 es una gráfica de
fase estándar para un amplificador con acoplamiento RC
2iO
--.....- .
I:-::()<--~
(JO
__+I_____________~
[) I
i () f, 1(lO 100n IO.oon I Dü.(lOO f: I \1Hl 10 :'I.·lHz f (c~c~tla logarítmica¡
X =--= =oofl + +
C 27rfC 27r(O)C
v,
y la aproximación de circuito abierto puede aplicarse como se ve en la figura 11.1 O con el
resultado de Vu ; O V.
Entre los dos extremos, la relación Av = Va Ni variará como lo indica la figura 11.11.
Conforme aumenta la frecuencia, disminuye la reactancia capacitiva, y aumenta el voltaje de Figura 11.10 Circuito R-C de la
entrada. porque aparece entre las tenninales de salida. figura 11.8 a f = O Hz.
r"= v,/v,
on; ~-----------
I
o~~--------+------------------------c
~ f
Figura 11.11 Respuesta a baja frecuencia para el circuito R-C de la figura 11.8.
y IA"I (11.19)
1
y f =-- ( 11.20)
1 27rRC
En términos de logaritmos,
1
Gv = 20 IOglO Av = 20 IOglO v2 = -3 dB
1
A, = - - - - - (11.21)
1 - j (f¡Ij)
= -m(20) lOglO[ 1 + (] n
= -lO loglO[1 + (]rJ
Para las frecuencias donde f <.g JI o (fl !f)2 ~ 1, la ecuación anterior puede calcularse por
f
' - _ _ _ _ _ _ _ _ _.....Jf ~ JI
/-2010g ,o 1 =OdB
1, 10 1,/4 /¡/2 1, 21, 3/, 51, 10/,
O
______ L ____ .L _
I 1
_ ,.-- \
... __ ... -- f(escala logaritmica)
-3 I : ","
______ ~ ____ ~~ , , ' Respuesta en frecuencia real
-6
-9
, "
-12 \ -6 dB/octava o -20 dE/década
\ -20 log" NI
521
f se traza una línea recta para la condición de OdB paraf P JI' Como se dijo antes. los segmentos
de linea recta (asíntotas) son solamente exactos para O dB cuandof Y JI y la línea con pendien-
te cuando /1 ~ f Sin embargo. sabemos que cuando f = JI' hay una caída de 3 dB desde el ni vel
de banda media. Empleando esta infonnación junto con los segmentos rectos. permite una
gráfica 10 suficientemente exacta de la respuesta de frecuencia. como se indica en la misma
figura. La gráfica de segmentos lineales formada por las asíntotas y puntos de corte asociados
se le llama gráfica de Bode de la magnitud en función de la frecuencia.
Los cálculos anteriores y la curva misma muestran que:
Un cambio en frecuencia por un/actor de 2, equivalente a 1 octava, resulta un
cambio de 6 dB en la relación, tal como se observa por el cambio en ganancia de
J/2 aJI •
Como se indica por el cambio en ganancia def/2 aft.
Para un cambio de 10:1 enlrecuencia, equivalente a 1 década, hay un cambio de 20
dB en la relación, como se señala entre las frecuencias deI/lO Y/I •
Por tanto, en el futuro puede obtenerse con facilidad una gráfica en decibeles para una
función que tenga el fonnato de la ecuación (11.23). Primero obtenga!]. sólo a partir de los
parámetros del circuito, y luego tr.ace dos asíntotas. una a lo largo de la línea de O dB Y la otra
a partir deJ, y con una pendiente de 6 dB/octava o 20 dB/década. Luego encuentre el punto de
3 dB que corresponda aJ, y trace la curva.
1A.(dB)
-9
-12
-15
-18
-21
pero
y A, (11.24)
A =-=
VD 10.20
(A",,) = 10(-1/20) = 10(-0.05) = 0.891
v Vi
y VD = 0.891 V,
e= tan-I fl (11.25)
f
a partir de la ecuación (11.22).
Para frecuencias f <{ JI'
Paraf = f l •
Paraf ~ fJ'
v,,, v,
~ -- --
'" d,
90'" .....- - - -
45" t ----~~~-~'c-1",,_
0°
0.1/,
'1'
0.2/, 0.3!, 0.5/,
1
I
1,
(
2/,
'_
3/,
--
! t--J...
5/, lO!, f
Figura 1 I.16 Amplificador BJT cargado con capacitores que afectan la respuesta a baja frecuencia.
es
Debido a que C, está conectado casi siempre entre la fuente aplicada y el dispositivo activo, la
forma general de la configuración R-C se establece por el circuito de la figura 11.17.
La resistencia total es ahora Rs + R¡ Yla frecuencia de corte, como se dijo en la sección 11.5 es
R·r
+
v. '\,
I
J
,.......... v,
R,
+
Sistema
( 11.27)
Figura 11.17 Determinación del
efecto de es en la respuesta en
baja frecue~cia.
A f L , el voltaje Vi será el 70.7% del valor detenninado por la ecuación (11.27). suponien-
do que el' es el único elemento capacitivo que controla la respuesta a baja frecuencia.
Para el circuito de la figura 11.16. cuando analizamos los efectos de es
debemos suponer
que eE y Ce están realizando su función de diseño o el análisis será muy difícil de controlar; es
decir, que la magnitud de las reactancias de eE y Ce pennite emplear un equivalente de corto
circuito al comparar con su magnitud con la de las otras impedancias en serie. Usando esta
hipótesis, el circuito equivalente de ac para la sección de entrada de la figura 11.16 aparecerá
como se muestra en la figura 11.18.
h,~ = f3r,.
(11.28)
El voltaje Vi aplicado a la entrada del dispositivo activo puede calcularse si se usa la regla de
divisor de voltaje:
+
(1129) Sistema
l-
• R"
Th¿venin
Ya que el capacitor de acoplamiento está conectado con frecuencia entre la salida del dispositivo
activo y la carga aplicada, la configuración R~C que detennina la frecuencia de corte debida a Ce Figura 11.19 Determinación del
aparece en la figura 11.19. A partir de la figura 11.19 la resistencia en serie total es ahora efecto de Ce en la respuesta en
Ro + RL' Y la frecuencia de corte debida a Ce se detennina por baja frecuencia.
(11.30)
e
'1
+ +
Si se ignora los efectos de C, y CE' el voltaje de salida Vo será el 70.7% de su valor de banda '" v, Re......... RL V"
media afLc0 Para el circuito de la figura 11.16, el circuito equivalente de ac para la sección de
salida con V;; O V aparece en la figura 11.20. El valor resultante para Ro en la ecuación (11.30) ... ... R"
.~-l~l
CE
Para determinar f L debe obtenerse el circuito "visto" por eL' como se muestra en la figura
\\.2\. Una vu qul se estable<:e el nivel de Re' la frecuencia de corte debida a CE puede deter-
minarse con la siguiente ecuación:
(11.32)
Figura 11.21 Determinación del
eiecto de CE en la respuesta en
baja frecuencia. Para el circuito de la figura 11.16, el equivalente de ac que "ve" eE aparece en la figura 11.22.
El valor de Re se determina por tanto.
donde R: = R, 11 R, 11 R,.
El efecto de e E sobre la ganancia se describe mejor en una forma cuantitativa, recordando
que la ganancia para la configuración de la figura 11.23 se da por
La ganancia máxima está disponible obviamente cuando R/.. es cero obms. A bajas frecuencias.
... con el capacitar de desvío CE en su estado equivalente a "circuito abierto", RE aparece en la
ecuación de ganancia anterior y resulta la ganancia mínima. Conforme la frecuencia aumenta,
la reactancia del capacitor e E disminuye, reduciendo la impedancia en paralelo de Rf. y C t
hasta que el resistor RE es efectivamente '·puesto en corto" por Ce El resultado es máximo o la
f----cl'" ganancia de banda media determinado por Al" = -Relre , EnIL ,la ganancia será 3 dB menor que
el valor de banda media determinado con RE "en corto'·. r.
V,o------1 e
Antes de continuar, no olvide que C.I ., Ce y E afectarán sólo la respuesta a baja frecuen-
cIa. Al nivel de las frecuencias de la banda media pueden insertarse los equivalentes de corto
circuito para los capacitares. Aunque cada uno afectará la ganancia Al' = VjV¡ en un rango de
frecuencia similar, el mayor punto de corte a baja frecuencia determinado por el' Ceo CE
tendrá el mayor impacto, ya que será el último localizado antes del nivel de banda media. Si las
frecuencias están relativamente distantes. la frecuencia de corte más alta determinará en esen-
cia la frecuencia de corte baja para el sistema completo. Si hay dos o más frecuencias de corte
Figura 11.23 Red empleada para ··altas", el efecto elevará la frecuencia de corte baja y reducirá el ancho de banda resultante del
describir el efecto de CE en la sistema. En otras palabras, hay una interacción entre los elementos capacitivos que puede
ganancia del amplificador. afectar la frecuencia baja de corte resultante. Sin embargo, si las frecuencias de corte estable-
cidas por cada capacitor están lo suficientemente separadas. puede ignorarse el efecto de uno
sobre el otro con un alto grado de precisión. un hecho que se demostrará en el siguiente ejemplo.
EJEMPLO 11.9 a) Determine la frecuencia de corte inferior para el circuito de la figura 11.16, usando los
siguientes parámetros:
C,: = 20!lF.
R.=
.• 1 kQ, R, =40kQ, R, = 10 ka, RE =2kQ. Re = 4 kQ,
RL ~ 2.2 kº
10 kO(20 V) = 200 V = 4 V
10 kO + 40 kO 50
con _ VE _ 4 V - 0.7 V _ 3.3 V _
1E - - - - -- - 1.65 mA
RE 2 kO 2 kO
26 mV
por tanto. r ,= 15.76 fl
1.65 mA
y f3r, = 100(15.76 O) = 1576 O = 1.576 kfl
Zi = Ri = R¡IIR211f3r,
= 40 k01l1O kOII1.576 kO
"" 1.32 kO
y de la figura 11.24.
---,-,R",Y-,:':-
Vi = --=
R, +R,
o Vi = R, = 1.32 kO = 0.569
V, R, + R, 1.32 kO + 1 kO
por tanto. V V V
A, = -E. = -E._' = (-90)(0.569)
s Vs Vi Vs
= -51.21
R, v,
Figura 11.24 Determinación del
efecto de R s sobre la ganancia A,.,.
c:,
Ri = R¡IIR211f3r, = 40 k01l1O kOII1.576 kO "" 1.32 kO
1 1
iL, = 21T(R, + Ri)e, = (6.28)(1 kO + 1.32 kO)(10 ¡LF)
Vcc o:o:20V
i m
Re 4Hl
R, 40kQ
m Ce
11
m
C, [TI
"
I~F
11
10
.
~F
~ = lOO
1 kQ W
R¡ 2,')
R, IOkQ
RF >2Hl :FCE=20~F
I
d.
Figura 11.25 Determinación de los nodos de la red de la figura 11.16 para un análisis PSpice.
VCC 4 o 20V
RBl 4 J 40K
RB2 J OlOR
Re 4 5 4K
RE 6 o 2K
RS :2 1 lK
RL 7 o 2.21(.
*CE and ce made very large(so they have no effect)
es :2 J lOUF
CE 6 o lF
ce 5 ? 1F
Q1 5 3 6 QN
.HODEL QN NPN(BF:IOO IS=5E-15)
VS 1 o AC 1M
.AC LIN 1001HZ 100HZ
.PROBE
.OPTIONS NOPAGE
.ENO
40my'
'e: .,'. '- _______________/ ' /
• I
30mY
20mY; t
- -d'
OmV ~ -_. --. ------ _•• --._- - .+- ••• - - -- - - - ," ••••• l. -:.~ • .0+--- _ • • , • • • • • • • ~* ______ +- •••• _____ ••• ________ •• _~
1. Oh 3. Oh ¡Oh 30h lOOh
O V(7,O)
Frequency
Figura 11.27
!L, = -2-?T(-=R:--'+'--=-R¡-c-J--=C-
c c
1
=---:-:c:::--:-:-:-::-c--::-::-:-:::-c.".-=
(6.28)(4 kn + 2.2 kfl)(1 ¡LF)
== 25.68 Hz
Para investigar los efectos de e e se modifica el archivo de entrada de la fIgura 11.26 para que
CC; 1 J1F con CS ; 1 F Y CE ; 1 F El resultado es el archivo de salida de la figura 11.28,
que comprueba los resultados que se obtuvieron antes.
327 Hz
(6.28)(24.35 íl)(20 ¡LF) 3058.36
Para CE se modifica el archivo de entrada de la figura 11.26, de manera que CE; 20 J1F con CS
; 1 F YCC ; 1 F La respuesta de PROBE de la figura 11.29 confirma el resultado teórico. El
hecho de quefL sea significativamente mayor quefL ofL ' sugiere que será el factor predomi-
nante en la dethminación de la respuesta a baja fnbcuencia para el sistema completo. Para
~+ +
36.2ImV~----_--.----------------
30mV +
I
20mV + I
I
. t
I
I
I
I
I
I
I
I
I
• 1 ,
40IDV + +
36.2ImV r-.----------- -- ---- --.----------
lOmV~
40mV
30mV + +
20mV' t
lOmV ,
OmV l. _... _. ___ .__ .. _._._ .. _.. ___ .... ----... -_.- -.. _. ---~_. -.. -___ --_ .......... .1 __ ~ ,__-:, _~~.'..f:!!._ .-- .--1 Figura 11.30 Efecto neto de Cs '
lOh 30h lOOh 300h 1, OKh Ce y CE en la respuesta a baja
oV(7,Ol frecuencia del amplificador BJT de
Frequency la figura 11.25.
Gráfica de Bode
Década
_~ ~o:-.:-I_._-,-__-_-_---i-l-1i-,-_----f-+--r--+--T-r-:;'1=o-()():_·:
/ _-_-_-_-:-'":'\---:'.r i~~~~miCa)
-6 Nivel de banda
media
-9 20 dB
-12 I
-15
-\8
-21
-24
-27
Figura 11.31 Gráfica de baja
-30 frecuencia para la red del ejemplo
-i2 dBJoctav~
11.9.
-~1. I./ f /
- 12dB1octave
-30t ¡,l -4OdBIdocade
-40 •.• -0--.. --_____ ..... ,,_0"-_______ --0.-___ ... _..... __ -__ --__ -____ -__ --__ . . _--__ o" ____ .. ____ • ___ ••• -+
~_
Figura 11.32 Gráfica dB de la respuesta a baja frecuencia del amplificador BJT de la figura 11.25.
¡VDn
Ro
V"
Vi Ce
+
r~-t R¡.
V,
"v R(I
Rs S
lC
1 ... ... J,
Figura 11.33 Elementos capacitivos que afectan la respuesta a baja frecuencia de un
amplificador lFET.
CG
Para el capacitor de acoplamiento entre la fuente y el dIspositivo activo, el circuito equivalente
de ac aparecerá igual que en la figura 11.34. La frecuencia de corte determinada por CG será
(11.34)
(11.35)
+
--
R,
Sistema
Figura 11.34 Determinación del
efecto de CG sobre la respuesta a
baja frecuencia.
f L, ~ ------ (11.36)
27r (R" + RL )Cc
Sistema
- R"
Sistema _
R"
=;: c,
Figura 11.35 Determinación del efecto Figura 11.36 Determinación del efecto de
de Ce en la respuesta a baja frecuencia. (<; en la respuesta a baja frecuencia.
Para el capacitor de fuente, C s' el nivel de resistencia importante se puede ver definido en la
figura 11.36. La frecuencia de corte es
(11.38)
(11.39)
( 11.40)
EJEMPLO 11.10 a) Determine la frecuencia de corte inferior para el circuito de la figura 11.33 con los si
guientes parámetros:
g =g mO
111
(] - -VGS,)
-=
VI'
(-2 V)
=4mS ] - - - =2mS
-4 V
]
Ecuación (I 1.36): ¡- ~ 46.13 Hz
JL, 21T(4.7 kO + 2.2 kO)(0.5 ¡.tF)
es:
Rec -- RSr'1 ] ,-- ] k D2 lmS
- 1l - = I k0110.5 kO =' 333.33 o
gm
1
Ecuación (11.38): fL = = 238.73 Hz
, h(333.33 fi)e2 ¡.tF)
Debido a que fu es la mayor d~ las tres frecuencias de corte, es entonces la que define la
frecuencia de corte inferior para el circuito de la figura 11.33.
b) La ganancia en la banda media del sistema está determinada por
== -3
Si se usa la ganancia de la banda media para normalizar la respuesta del circuito de la figura
11.33 resultará la gráfica de frecuencia de la figura 11.37, verificada a su vez por la respuesta
de PROBE de la figura 11.38.
Gr:ítica de Bode
o
0.1 \000 J(escala
logarítmica)
-3
-6
-~
\,
Respuesta en frecuencia real
-12
-21 535
f Loio' frequency response of JFET amplifier - f'ig. 11.. JJ
VOO 4 O 20V
RG 3 O lMEe
RSIG 2 1 lOR
RS 6 O 1R
RO 4 5 4.71<
RL 7 O 2.2K
ce :2 3 O.OlUF
ce 5 7 Q.5UF
es 6 o 2UF
JI 5 3 6 J'N
.MODEL JN NJF(VTO=-4V BETA~500E-6)
CWl 3 o SPF
CW2 7 o 6PF
VSIG 1 o AC lKV
.AC DEC 1010HZ 10KHZ
.OP
.PROSE
.OPTIONS NOPAGE
.END
-3~--------------------
-5 +
.
-30 +.- ------ •• --- ... -------------- ........ 0_- -_.-. _o ..... _--"0-.- 0---- ___ o - - ••• _. - . . . . . . . . . - -- --- - - - - - ••• _
.
10h 30h 100h 300h 1.0Kh 3. OKh lOKh
• OB(V(7l/3E-3l
Frequency
Figura 11.38 Análisis PSpice del amplificador JFET del ejemplo 1 L 10.
r¡= \{
l.
I
I {t
-1-
--
+ +
V"
\ , A, =-
l, R, V, v"
li = 1, + 12
U sando la ley de Ohm se obtiene
Vi Vi
1=- 1, = -
I .Z¡' Ri
e Vi - Va (1 - A,)Vi
12 =
XcJ XC,
Sustituyendo. obtenemos
_V, = _Vi + .::.(::...l_-",A=,),-V-,-i
Z¡ R¡ Xc,
y I 1
-=-+-----
Z¡ R¡ Xc/O - A,)
Xc, 1
pero ---'- = - - - - - = Xc.
1 - A,.
1
-------
w(l - AJC!
1
CM
1
y -=-+--
Z¡ R¡ X CM
+-
v,
-
/,
z,
Figura 11.40 Demostración del
impacto de la capacitancia por
efecto Miller.
(11041)
El dilema de una ecuación como la ecuación (11.41) es que a altas frecuencias la ganancia
A será una función del nivel de CM . Sin embargo. ya que la ganancia máxima es el valor de ban-
d~ media, usar el valor de banda media resultará el nivel más alto de eM y un escenario de peor
caso. Por tanto, se emplea por lo general el valor de la banda media para A, en la ecuación
(11.41).
La razón más importante sobre la restricción de que el amplificador sea de la variedad
inversora, es ahora más aparente cuando se examina la ecuación (11.41). Un valor positivo de
A" resultaria una capacitancia negativa (para A, > 1).
El efecto Miller también incrementará el nivel de la capacitancia de salida, el cual también
debe considerarse cuando se determine la frecuencia de corte a alta frecuencia. En.!a figura
11041 están en su lugar los parámetros importantes para precisar el efecto Miller. Si se aplican
las leyes de corriente de Kirchhoff resultará
con e
La resistencia Ro por lo general es lo suficiente grande para permitir que se ignore el primer
término de la ecuación, comparado con el segundo, y suponiendo que
= Vo - Vi
10 -
Xc!
Sustituyendo Vi =V/A t
, en Av = V/Vi dará como resultado
cI
"
"
t/,
+ --"
lo
+
vi
-
v,
A =-
, V.,
- Ro
V,
(l1.42a)
(l1.42b)
En las siguientes dos secciones aparecerán ejemplos delllso de la ecuación (11.42) cuando
investiguemos la respuesta en alta frecuencia de los amplificadores BJT y FET.
Parámetros de la red
En la región de alta frecuencia el circuito Re que nos preocupa tiene la configuración que
aparece en la figura 11.42. Si las frecuencias son cada vez más altas, la reactancia Xc disminuirá
en magnitud, y dará como resultado un efecto de corto a la salida; por lo mismo, disminuirá la
ganancia. La derivación que neva a la frecuencia de esquina para esta configuración Re sigue
líneas similares a las que se localizan en la región de baja frecuencia. La diferencia más
significativa está en la forma general de Av que aparece a continuación:
1
A,=---- (11.43)
Figura 11.42 Combinación R·e
1 + jU!f2)
que definirá una alta frecuencia
de corte.
que resultará una gráfica de magnitud como lo muestra la fIgura 11.43, Yque lÍene una caída de
6 dE/octava con la frecuencia en aumento. Obsérvese que!, está en el denominador de la
relación de frecuencia, en lugar que en el numerador como sucede con!, en la ecuación (11.21).
¡(escala logarítmica)
- - _ . - --_ __._--..
f
R,
Ce
t-----'".,-,--1(---
C,
,,
:r~
:;: Ca
+ ,,,
,, , ,,
I ,,'# R¡
I /,'-_
v, e ni .."j"
1... ebe
Figura 11.44 Red de la figura
11.16 con los capacitores que
afec1an la respuesta en alta
frecuencia. ...
+ I
R,
--
1"
ii0 I >~-
v"
(11M)
21tRTh C.
, '
y (11.46)
con (H.48)
y (11.49)
h
hf' = -__~fi"'m,,'""--_
. (11.50)
1 + Nlfp )
El uso de h¡, en vez de f3 en alguna parte de este material descriptivo se debe en principio
al hecho de que los fabricantes emplean, por lo general, los parámetros híbridos cuando tratan
este parámetro en sus hojas de especificación o en otros lugares.
La única cantidad indefinidafp- se determina por un conjunto de parámetros empleados en
el modelo 7C híbrido O Giacoletto; y se aplica con frecuencia para representar mejor al tranSIS-
tor en la región de alta frecuencia, y aparece en la figura 11,47. Los diversos parámetros mere-
cen una explicación. La resistencia r bb' incluye las resistencias de contacto, el volumen y de
propagación de la base. La primera se debe a la conexión real de la base, la segunda incluye la
resistencia de una terminal externa con la región activa de los transistores y la última es
~
"V"
,,'.
B b' ¡ e
_"VVV
~~, ¡
f,., rw
1
~ I', ,I'
1 •
rb't=- gm =
gb'~ : !:: C", re = hoc
V¡"e
Figura 11.47 Circuito
E
t E
equivalente de ac Giacoletto
(o Jr híbrido) de transistor en
alta frecuencia y pequeña señal.
(l1.52)
(U.s3)
La ecuación (11.53) revela que debido a que r, está en función del diseño de la red:
fft está en función de las condiciones de polarización.
El formato básico de la ecuación (11.50) es exactamente el mismo al de la ecuación (11.43);
y si extraemos el factor multiplicante h¡'m,/ revelamos que h¡, caerá de su valor de la banda
media con una pendiente de 6 dB/octava, como se muestra en la figura 11.48. La misma figura
tiene una gráfica de hfIJ (o a) en función de la frecuencia. Obsérvese el pequeño cambio en hfIJ
para el rango de frecuencia seleccionado, lo que descubre cómo la configuración de base común
presenta mejores características de alta frecuencia que la configuración de emisor común. Nóte-
se también la ausencia de la capacitancia por efecto Miller, debido a la característica no inversora
de la configuración de base común. Por esta razón, los parámetros de alta frecuencia de base
común en lugar de los parámetros de emisor común se especifican con más frecuencia para un
transistor, en especial para aquellos diseñados específicamente para operar en las regiones de
alta frecuencia.
La siguiente ecuación permite una conversión directa para determinar f{3 si están
especificadas fa ya.
f~ = fa (1 - a) (11.54)
h(,=, 1- 1
11 + )(f%)
542 Capítulo 11 Respuesta en frecuencia de transistores BJT y JFET
J
40dB
Valor en la banda media de h¡,.
/
1.0 ~~;-;+;;....~--===:::::-~
~-3dB l~_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _-=~'
0.707 30 dB'
20dB
lOdB
\OdB~/::::::::::::::::¿:1:::::::t:::::::~~
-3dB~
-IOdB
-20dB
0.1 MHz 1.0 MHz lO,OMHz 100.0 MHz 1 kMHz 10 kMHz f(escala logarítmica)
por lo que
=
La frecuencia a la cuallh¡)dB O dB se indica porfTen la figura 11.48, La magnitud de h¡,
en el punto definído por la condición (fT ~ f está dada por i>
o (1156)
con ( 1157)
y (11.58)
con la adición de
Solución
• A I
IAun:cd dB
fH, ff3
100 AF. 1 kHz 10kHz 100kHz ~MHz / IOMHz 100 YlHz
o f(escala logarítmica)
-)
-5 1 - - - - - BW----...¡
-lO
-15
. ~ + 20 dB/década
-12 dB/octava
Por tanto, la más baja de las frecuencias superiores de corte define el ancho de banda
máximo posible de un sistema.
d) En la figura 11.50 aparece el archivo de entrada para obtener la respuesta PROBE usando
PSpice. Los niveles de las capacitancias parásitas no se incluyen en el enunciado del modelo,
1u"'..i. lrequefl(;y response of BJT cucuit - Fig. 11.44 (Q cap. " wirinq cap.)
VcC 4 o 20V
RRl 4 ] 40K
RB2 3 O lOK
Re 4 5 4K
RE 6 o 2K
RS .2 1 lK
RL i o 2. 2K
es 2 J lOUF
CE 6 o 20UF
ce 5 7 lUF
eRE 3 6 36PF
ese 5 ) 4PF
eeE 5 6 lPF
Ql 5 3 6 QN
.MODEL QN NPN(BF=lOO IS=5E-15)
eWl J o 6PF
CW2 7 o 8PF
VS 1 o AC lKV
.AC DEC 1010HZ lOOMEGHZ
.PROBE Figura 11.50 Análisis PSpice de la
.OPTIONS NOPAGE respuesta en frecuencia completa
.END
de la red de la figura 11.44.
-10+ "'
~t ¡
-~1+
-25 t t
-30 ¡-- ._----.. -.. . ---_ ... -----.. . ------------.. . ----.--------.. ----------.. . --------.__ ...... --- -_._-_._~
10h 100h 1.OKh lOKh 100Kh 1.0Mh lOMh l00Mh
• OB(V(7)¡0.051)
Frequency
Debido a que la red de la figura 11.52 es un amplificador inversor, aparecerá una capacirancia
por el efecto Miller en el circuito equivalente de ac para alta frecuencia que aparece en la
figura 11.53. A altas frecuencias, C¡ se aproximará a un equivalente de corto circuito, y Vgs
caerá en valor y reducirá la ganancia general. En las frecuencias donde Co se acerque a uno
igual que el corto circuito, el voltaje de salida paralelo Vo caerá en magnitud.
R,.,\
v"
+
+
C, I
v, '\, R(;
~ RIII VI:' 'd RI) • RI.
IV" • ICo
1 !h.l ... 1 ..- -.::- -:::-Th 2 1
...
Hgura 11.53 Circuito
eq uivalente de ac en alta
frecuencia para la figura 11.52 .
Las frecuencias de corte definidas por los circuitos de entrada y salida pueden obtenerse
encontrando primero los circuitos Thévenin equivalentes para cada sección, como se muestra
en la figura 11.54. Para el circuito de entrada,
1
fH, = (11.59)
21rRTh ,C.,
+
El>, '\, 1T C
'
E""
+
'\,
1
1T
C
(11.63)
con (11.64)
y
(11.65)
y CM() =~ -~)C
A gd
~
EJEMPLO 1l,12 a) Determine la alta frecuencia de corte para la red de la figura 11.52 usando los mismos
parámetros que los del ejemplo 11.10:
R"" -- 10 kA u,
RG = 1 M u"
A
RD = 4.7 kO, R,' = 1 kO, R¡. = 2.2 kO
I DSS = 8 mA, Vp = -4 Y, VDD = 20Y
con la adición de
Cgd = 2 pF, Cg, = 4 pP, Cd, = 0.5 pF, Cw, = 5 pP, Cw" = 6 pP
b) Revise una respuesta PROBE para el rango completo de frecuencia y obsérvese si soporta
las conclusiones del ejemplo 11.10 Y los cálculos anteriores.
Solución
-'15 + t
-20 t t
-25 t +
,
:
-30 ~_ .. __
·· o ---- -- - - -..;- - --- - ----- -
..
---+---------- ----~ --.------------+-- - - --------- --.... ----.- -- - -- - --~
10h 100h 1. OKh lOKh 100Kh 1. OMIí 10Mh FlgUra 11.56 Respuesta en
frecuencia de la red de la figur a
• OB(V(7)/3E-3) Frequency 11.52.
Av
t====::-¡'¡;;;;;:;~~~::~::=:=:~~;;;:~;;~~~;=~jf;(e'SCala logarítmica)
O
-3dB
-6dB
-9dB
-12dB
-15 dB
-18dB
n=3 n=3
f\ f\ f'\ 1"1 f1 h
(n = l)(n =2)(n =3) (n =3)(n =2)(. = 1)
Figura 11.57 Efecto de incremento en el número de etapas sobre las frecuencias de corte y el ancho
de banda.
o
A
~
AVmed
(general) ~ (:"'""
"m,"
r = _ _1_ _
(1 - jJ.!j)n
Al hacer la magnitud de este resultado igual a 1/-12 (nivel de -3 dB) da como resultado
1 1
[\11 + (J.!fí)2J" = V2
o {[ 1 + (;'í rrr = {[ 1 + (;; rrr = (2)'/2
Obsérvese la presencia del mismo factor ..j 2 l1n - 1 en cada ecuación. A continuación se
enumera la magnitud de este factor para diversos valores de n .
n ."j 211n_ 1
1 1
2 0.64
3 0.51
4 0.43
5 0.39
Para n ~ 2, nótese que la alta frecuencia de corte esI, = 0.64f2 o 64% del valor que se obtuvo
para una sola etapa, mientras quef; = (1/0.64)f, ~ 1.56f,. Para n =3,J'2 =0.51 f 2 o aproxima-
damente ~ del valor de una sola etapa con f; = (1/0.51 )f, = I .96 f, o más O menos el doble del
valor de una sola etapa.
Para el amplificador a transistor con acoplamiento Re, si f 2 = f~ o, si son lo suficiente
cercanos en magnitud para que ambos afecten la alta frecuencia de 3 dB, el número de etapas
debe aumentarse por un factor de 2 cuando se determine1 2 , debido al número incrementado de
factores 1/(1 + jf /f).
Una disminución en el ancho de banda no está siempre asociada con un incremento en el
número de etapas, si la ganancia de la banda media puede permanecer fija e independiente de
la cantidad de etapas. Por ejemplo, si un amplificador de una sola etapa produce una ganancia
de lOO con un ancho de banda de 10,000 Hz, el producto ganancia-ancho de banda que resulta
es 102 X 104 = 106 . Para un sistema de dos etapas puede obtenerse la misma ganancia teniendo
dos etapas con una ganancia de 10, ya que (10 x 10 = 100). El ancho de banda de cada etapa se
incrementará entonces por un factor de 10 a 100,000, debido a los requerimientos menores de
ganancia y al producto ganancia-ancho de banda fijo de 106 . Por supuesto, el diseño debe ser
tal que permita aumentar el ancho de banda y establecer un nivel de ganancia.
v= -;V
4 ( l l l
m sen 21Tj,t + "3 sen 277\3j,)t + 5 sen 277\Sj,)t + -:¡sen 277\7j,)t
Fundamental + 3 o. 5°
Y7° armónicas
/ Onda cuadrada
l'
\
o o
\1 T
2
T T
/
Tercera
armónica
1'
() .,. T :'T 2T ()
(a) (b)
l'
La alta frecuencia de corte real (o BW) puede determinarse a partir de la forma de onda de
salida midiendo con cuidado el tiempo de subida definido entre el 10 y 90% del valor pico,
como se muestra en la figura 11.61. La sustitución en la siguiente ecuación proporcionará la
alta frecuencia de corte, y debido a que BW = f H , - f L , '" f H, ' la ecuación también dará una
indicación del amplificador.
100% Inclinación
-----------~
90%
v- V'
% inclinación = P% = x 100% (11.70)
V
V- V'
inclinación == P = (forma decimal) (11.71)
V
(\ 1.72)
EJEMPLO 11.13 La aplicación de una onda cuadrada de 5 kHz y de 1 m V a un amplificador resulta la forma de
onda de salida de la figura 11.62.
a) Escriba la expansión en serie de Fourier para la onda cuadrada hasta la novena arménica.
50mV¡r" 90%
b) Determine el ancho de banda del amplificador.
e) Calcule la baja frecuencia de corte.
Solución
i
4 mV ( 1 1
a) V; =- - sen 2.".(5 X 103)1 + -sen 21T(15 X 103)1 + -sen 21T(25 X 103)1
1
.". 3 5
10%1
1 1
+ -sen21T(35 x 103)1 + -sen21T(45 x 103)1
7 9
b) 1, = 18 ¡.ts - 2 ¡.ts = 16 ¡.ts
0.35 0.35
BW = -1,- = - - = 21,875 Hz '" 4.4j,
16¡.ts
Figura 1\.62 Ejemplo 11.13.
e) p =V- V' = 50 mV - 40 mV = 0.2
V 50mV
jL p = (0.2)
= -1, - 7r (5 kHz) = 318.31 Hz
".".
A,.
Problemas 555
f § 11.5 Análisis a baja frecuencia, gráfica de Bode
11. Para la red de la figura 11.64-:
O.OóX ~ F a) Detennine la expresión matemática para la magnitud de la relación V/Vi'
<>-----II---~---<o b) Con el resultado del inciso a, resuelva VjV , a 100 Hz, 1 kHz, 2 kHz, 5 kHz y 10 kHz. J'
+ + grafique la curva resultante para e) rango de frecuencia de ) 00 Hz a 10 kHz. Use una escaia
logarítmica.
v, e) Detennine la frecuencia de corte.
d) Trace las asíntotas y localice el pumo a -3 dE.
e) Grafique la respuesta en frecuencia para V/V, y compárela con ios resultados del inciso b.
<>-·------------~~----~o
12. Para la red de la figura 11.64:
. a) Detennine la expresión matemática del ángulo por el cual V" se desfasa respecto a V"
Figura 11.64 Problemas 11, 12
b) Obtenga el ángulo de fase af = 100 Hz, 1 kHz. 2 kHz. 5 kHz y 10 kHz y grafique la CUrva
Y 32.
resultante para el rango de frecuencia de 100 Hz a 10kHz.
e) Detennine la frecuencia de corte.
d) Dibuje la respuesta en frecuencia de e para el mismo espectro de frecuencias del inciso b y
compare los resultados.
14 V
C w :: Spr el¡, =- i2 pF
Cw;¡ ~ 8pF Cl¡~ == 40pF
C,.~ = 8 pF
5.6 ka
68 k¡l 0.47.uF
1---------11---------,----0 v,
0.82 kQ v.
~~~~F~'~------i Jl = 120
+
v, 'V - z,
10 ka
1.2 ka T 20f!F
J.J ka
1 ~
I
r~'
fi~110
+
V,\
'" Z
' 0.91 kO
16.8 ~F
4.7kn
14V
fi~ 100
0.1 ~F
v, ' " -- z,
."ili f-1"ill
1
Figura 11.67 Problemas 17 y 24.
* 18. Repita el problema 15 para la configuración de base común de la figura 11.68. No olvide que la
configuración de base comón es un circuito no inversor cuando se considera el efecto Miller.
C" = 18 pF 4V -16V
Crn-= 24pF C w = 8 pF
C,.,.= 12pF
1.2kn 3.3 k!l
c w:, = lOpF
0.1 kO V IOJlF
+
V,
~~F'
'J.." - Z
.".
fi= 80
1'" .".
4.7 kO
Problemas 557
f § 11.7 Respuesta a baja frecuencia, amplificador FET
19. Para la red de la figura 11.69:
a) Detennine VGS'J e ¡Ov'
b) Encuentre g",ü y g""
e) Calcule la ganancia en la banda media para A, :::: VjV¡"
d) Resuelva Z.
el CalculeA. = V IV.
f) Detennin~ f L ' fL ; f L •
g) Especifique l~ baja fr~cuencia de corte.
h) Trace las asíntotas de la gráfica de Bode definida en el inciso f
i) Grafique la respuesta a baja frecuencia del amplificador usando los resultados del inciso l
~~F
IDSS= 6 mA
Vp =-6V.rd =ooQ
+ 3.9 ka
V, ' \ , lMQ
Figura 11.69
26 Y 35.
Problemas 19, 20,
1
"" 20. Repita el análisis del problema 19 con rd :::: 100 k.Q. ¿Tiene algún impacto de alguna consecuencia
sobre los resultados? De ser así, ¿cuáles elementos?
* 21. Repita el análisis del problema 19 para la red de la figura 11.70. ¿Qué efecto tuvo la configuración
de divisor de voltaje sobre la impedancia de entrada y la ganancia Al, . comparada con el arreglo de
polarización de la figura 11.69?
2QV
e l\ := -1- pF C~.J :-= 8 pF
C.r;, ; : 6pf C~,:=. t2pF
eJ.,:=' JpF
)9 kQ
220 kü
'oss= lOmA
Vp =--6V
+
v, '\,
-
z,
68 k!í
2.2 kO,
).óki2
28. Calcule la ganancia de voltaje general de cuatro etapas idénticas de un amplificador, teniendo cada
una ganancia de 20.
29. Calcule la alta frecuencia de 3 dE general de un amplificador de cuatro etapas que tenga un valor
de etapa individual def2 = 2.5 MHz.
30. Un amplificador de cuatro etapas tiene una baja frecuencia de 3 dE para una etapa individual de
f 1 = 40 Hz. ¿Cuál es el valor de f 1 para este amplificador completo?
lOO
90
80
70
60
50
40
30
20
10
Figura 11.71 Problema 3l. O 2 3 4 t(~s)
5 6
Problemas 559
CAPÍTULO
Configuraciones
compuestas
12.1 INTRODUCCIÓN
En el presente capítulo presentaremos varias conexiones de circuito que, aunque no son los
estándares de emisor común, colector común o base común, son muy importantes, porque
todavía se usan mucho tanto en circuitos discretos como integrados. La conexión en cascada
proporciona etapas en serie, pero en cambio, la conexión cascade pone un transistor sobre otro.
Estas fannas de conexión se localizan en circuitos prácticos. La conexión Darlington y la
q:mexión de par retroalimentado proporcionan varios transistores conectados para operar como
un solo transistor para un mejor funcionamiento, por lo general con mucha mayor ganancia de
corriente.
Si se usa la conexión CMOS, junto con transistores MOSFET incrementales, tanto tipo p
como tipo n, resulta un circuito que opera con muy poca potencia, mismos que también se
presenta en este capítulo. Muchos de los más recientes circuitos digitales utilizan circuitos
CMOS para pennitir operaciones portátiles con muy poca potencia de baterías, o para permitir
una densidad muy alta en circuitos integrados con la más baja disipación de potencia en el
pequeño espacio usado por un circuito integrado.
Los circuitos discretos y los integrados utilizan la conexión de fuente de corriente. La
conexión de espejo de corriente proporciona corriente constante a otros diversos circuitos. y es
muy importante en circuitos integrados lineales.
El amplificador diferencial es la parte básica de los circuitos de los amplificadores
operacionales (que se tratarán por completo en el capítulo 14). En este apartado se presenta la
conexión del circuito diferencial básico y su operación. Un circuito bipolar-JFET usado en los
le es la conexión BiFET, y a la conexión bipolar-MOSFET se le denomina una conexión
BiMOS. Ambas se utilizan en los circuitos integrados lineales.
(12.1 )
560
v
t------l(- t - - - - - j ( - --'
c, e,
~I---r---H Q,
c,
v,
R.\ I
Etapa 1 Etapa 2
(12.2)
(12,3)
La función principal de las etapas en cascada es una mayor ganancia global. Debido a que la
polarización de de y los cálculos de ac para un amplificador en cascada siguen a aquellos
derivados de las etapas individuales. un ejemplo mostrará los diversos cálculos para detenni-
oar la polarización de de y la operación de ac.
+20 V
+----~f-----<::l V"
0.05 ~F
V, o---JI----t"--
10 mV 0.05 ~F
3JMí1
1 +
!OO~F
3.3Mí1
... ...
Figura 12.2 Circuito de amplificador en cascada para el ejemplo 12.1.
+Vcc
Re, R, Rc ,!-
R, e, e,
( o V"
e,
V, o ) Q, Q,
R,
RE, res, + R,
RE].
+
..,.... es].
A, = (12.4)
Z, = R,IIR,II,6rc (12.5)
Calcule la ganancia de voltaje, voltaje de salí da, impedancia de entrada e impedancia de salida EJEMPLO 122
para el amplificador BlT en cascada de la figura 12.4. Calcule el voltaje de salida resultante si
se conecta una carga de 10 ka a la saIída.
'"!'10 V
9
15 k!l 2.21.:0
15 kQ
I V ••
III .uF lO¡.¡F
v, =: 25 ~lV ----ll'~--+-----I Ih200
1 l
1{) .uF
~"7kQ
~ l/...O
+ VkQ
1 kIl~I
I
+ .,.
Figura 12.4 Amplificador BJT con acoplamiento Re para el ejemplo 12.2.
~ ~
Solución
El análisis de la polarización da como resultado
VB = 4.7 V,
En el punto de polarización,
26 26
= - -= 6.5 Q
4.0
La ganancia de voltaje de la etapa 1 es,
A =
"
(2.2 kQ)II[15 kQ1I4.7 kQlI(200)(6.5 Q)]
=
6.5 Q
665.2 Q
= = -102.3
6.5 Q
Re 2.2 k.Q
A = - - =- = -338.46
" 6.50
para una ganancia de voltaje de
A,. = A"A" = (-102.3)(-338.46) = 34,624
El voltaje de salida es,
Vo = AYi = (34,624)(25 ¡N) 0.866 V
La impedancia de entrada del amplificador es
Zo = Re = 2.2 kO
Si se conecta una carga de 10 kO a la salida del amplificador, el voltaje resultante a través de la
carga es
RL 10 kO
VL = -Z-o-+=-R-- Vo = -2-.2-k-0-+-l-0-k-0- (0.866 V) = 0.71 V
L
También puede usarse una combinación de etapas con FET y BJT para proporcionar una
ganancia alta de voltaje, y una alta impedancia de entrada, como se señala en el siguiente
ejemplo.
EJEMPLO 123 Para el amplificador en cascada de la figura 12.5, utilice la polarización calculada en los ejem-
plos 12.1 y 12.2 para deducir la impedancia de entrada, impedancia de salida, ganancia de
voltaje y el voltaje de salida resultante.
+20 v
2.4 kQ 15 kQ 2.2 kQ
0.5~F
!----II(-- V"
0.5~F
Vi
'rnV = 10 mA
I DSS p= 200
0.05 )!F Vp =-4V
Z¡ = 33MQ
Vee
1
Re
Q,
R8 ,
Vo
V, Q,
,
,
~RB2
~
f"lgura 12.6
...
RE
Configuración cascode.
¡CE F}·
":" "'="
l'
...
{
C=5~F
-o V .. ,
Q,
Solución
El análisis de la polarización usando los procedimientos del capítulo 4, da como resultado
VB ,=4.9V.
La resistencia dinámica de cada transistor es
26 26
r, = - = - = 6.8 Q
lE 3.8
La ganancia de voltaje de la etapa 1 (emisor común) es aproximadamente
Re = 1.8 kQ = 265
r, 6.8 Q
dando como resultado una ganancia total del amplificador cascade de
Como se esperaba, la etapa CE con una ganancia de:-l proporciona la mayor impedancia
·de entrada de una etapa CE (superior a la de la etapa CB). Con una ganancia de voltaje de
solamente -1, la capacitancia Miner de entrada se mantiene muy pequeña. Luego se propor-
ciona una ganancia de voltaje más grande con la etapa CB, que da como resultado una ganan-
cia total grande (A, = -265).
e e
8
8---1
E E
¿Qué ganancia de corriente proporciona una conexión Darlíngton con dos transistores idénti- EJEMPLO 12.5
cos cada uno de los cuales tiene una ganancia de corriente de f3 :; : 200?
Solución
Ecuación (12.8): /3D = /3' = (200)' = 40,000
Tipo 2N999
N~P-N con conexión Darlington
Transistor encapsulado de silicio
V aE Ic=lOOmA 1.8V
Figura 12_9 Información de
h
fE
(PD) Ic=lOmA 4000 especificaciones sobre el transistor
7000 70.000 Darlington en un encapsulado
Ic=IOOmA
(2N999).
Solución
La corriente de base es
+18 Y
? 18 V - 1.6 V
Ecuación (12.9): lB ~ 2.56 JlA
3.3 MQ + 8000(390 Q)
y el voltaje de la base es
390 n
Ecuación (12.12): VB = 8 V + 1.6 V 9.6 V
Circuito equivalente en ac
En la figura 12.12 se muestra un circuito Darlington emisor-seguidor. La señal de entrada se
aplica a la base del transistor Darlington a través del capacitar el' así como con la salida Vo
que se obtiene del emisor a través del capacitar e2" En la figura 12.13 está el circuito equiva-
lente. El transistor Darlington se reemplazó por un circuito equivalente que comprende una
resistencia de entrada. ri' y una fuente de corriente de salida. {3db'
+Vec (+18 V)
C,
V, o~_ _)II--~--I
U.5
3.3
~F
RE
"In
~D = 8000
VRF. = 1.6 V
- Ir'
- 1"
Vi o----'------...---'_~
r,
I
~
"*'
f3D l¡,
I
C'I-l----<>0 V"
-
1"
V"
P
0.5 ~F RE
. RE
390 n
...
.l...
v.-v
, "
I ¡, = (12.13)
r,
Debido a que (12.14)
(12.15)
Calcule la impedancia de entrada del circ.uito de la figura 12.12 si r i = 5 kO. EJEMPLO 12.7
Solución
Ecuación (12.15): Z, 3.3 MOII[5 kO + (8000)(390 O)] = 1.6 Mn
GANANCIA DE CORRIENTE
La corriente de salida a través de RE es (véase la figura 12.13)
lo lo lb
A=-=--
1 Ji lb Ji
(12.16)
Solución
IMPEDANCIA DE SAliDA
La impedancia ac de salida puede determinarse mediante el circuito que se muestra en la
figura 12.14a. La impedancia de salida vista por la carga R L se determina aplicando un voltaje,
Vo y midiendo la corriente lo (con la entrada V~ igual a cero). La figura 12.14b muestra esta
<
1" +v"- -
r,
r r
= Rllrll-' = - ' (12.17)
E 'f3 f3
D D
-- -- V, r,
1,
--
V,
t·
Z¡ Z"
'\¡ v, t f31) lb RE RL
~ ~ ... ...
(a)
r,
-- l' ,
I~
--
1,
t f3n 1"
i~·...
V,
... ~
(b)
Solución
5kO 5kQ
Ecuación (12.17): 2" = 3900115 kOIl 8000 0.625 n
8000
GANANCIA DE VOLTAJE
La ganancia de voltaje para el circuito de la figura 12.12 puede detenninarse usando el
circuito equivalente de la figura 12.15. Dado que
v, = ¡herí + RE + f3DRE)
V,
por lo que ~, = (RE + f3vRE)
r , + (RE + f3vRE)
V RE + f3vRE
A,. " = = (12.18)
V, r, + (RE + f3nRE)
Solución
390 O + (8000)(390 O)
A, = - - - - - - - - - - - = 0.998
5 kO + [390 Q + (8000)(390 Q)]
le I ~ Re
t~7Hl
\,'"
I
~
V,
-
----.----::=::--1 Q, ' ~/c, fi , = 140
'. t
1, , P. = ¡SO
~
le, = lB:
2MQ ""$'"
+I El
Polarización
Los cálculos de polarización que vienen a continuación utilizan cada vez que es posible sim-
plificaciones prácticas, para proporcionar resultados más simples. Para el lazo emisor base ºl
se obtiene
Vee - leRe - VEB , - IB,R E O
Vee - f3,f3/ B,Re - VES - IB,R B = O
La corriente de base es entonces
V cc - V
ENl
(lLI9)
RB T f3,f3,R e
La corriente de colector de Q 1 es
( 12.20)
EJEMPLO 12.11 Calcule las corrientes y voltajes de polarización de la figura 12.17 para que V" sea de la mitad
del voltaje de alimentación (leRe = 9 V).
Solución
18V-0.7V 17.3 V
lB = = ---- 4.45 ¡lA
, 2MQ + (140)(180)(75 Q) 3.89x 106
Operación en ac
El circuito equivalente en ac para el círcuito de la figura 12.17 está dibujado en la figura 12.18. El
circuito está dibujado primero en )a figura 12.18a para mostrar con detalle cada transistor y
la colQcación de las resistencias de base y colector. El siguiente paso es volver a dibujarlo en la
figura 12.18b para permitir el análisis.
--
BI cI B, e,
O~----~--~~--~
• •
"l I I
+ /h2
RB •E, I
I ... V"
1
Re
... J.,.
-- t
(a)
B,
, lh l
e,
,J,
c~---":------''V\I'v •I o
IMPEDANCIA DE ENTRADA, Z;
La impedancia de entrada vista en la base del transistor Q¡ se determina (véase la figura
12.18b) de la manera siguiente:
V, - Vu
rl •
donde
por lo que
(12.21)
GANANCIA DE CORRIENTE, A¡
La ganancia de corriente puede determinarse de la manera siguiente:
I o = f3-ib~ - f3/b1 - ¡!JI
= N/Vh,) - (1 + f3¡)l h , Z
lo
= f3¡f3,
lb,
Incluyendo R B , la ganancia de corriente es
(12.22)
IMPEDANCIA DE SALIDA, Zo
Puede obtenerse Zo aplicando un voltaje, Vo' con Vi igual a O. El análisis que resulta
prueba que
r r. r.
R IIr 11-'-'11-" = -'-' (12.23)
e " f3¡ f3¡f3, f3¡f3 2
GANANCIA DE VOLTAJE, A,
El voltaje de salida Vo es
v()
= -1('"Re· Z f3,f3,Ih
1 _ I
Re
Debido a que
v-v
, o
r
"
Vo
v() = V ( - Ib r I 1I
=V 1
- ---r 1 I
f3¡f3 2Rc
(12.24)
EJEMPLO ]2,12 Calcule, a partir del circuito ac, los valores de Z¡, Zo' A¡ y A, para el circuito de la figura 12.17.
Suponga que r = 3 kQ.
"
Solución
Z, = RBII(r¡, + f3J32Rc) = 2 MQII[3 kQ + (140)(180)(75 Q)]
Z 974kQ
A, = f3¡f3 RB
_ _O - - = (140)(180)( 2 MQ '\
2
R B + Z, 2MQ + 974kQJ
= 3.7 x lO.
f3 1f32Rc (140)(180)(75 Q)
y A, ~ ~
= 0.9984 ~ 1
El ejemplo 12.12 muestra que la conexión del par retroalimentado proporciona una operación
con ganancia de voltaje muy cercana a 1 (al igual que con un emisor seguidor Darlington).
muy alta ganancia de corriente. muy baja impedancia de salida y alta impedancia de entrada. -;"-'!,'nn
tario. o CMOS. usa estos transistores de tipo opuesto (o complementario). La entrada, Vi> se
aplica para ambas compuertas, y la salida se toma de los drenajes conectados. Antes de pasar
a la operación del circuito CMOS. revisemos la operación de los transistores MOSFET
incrementales. i~ '9 s Q¡
"MOS
\AVGS~-5V
AVGS=OV
JI) "= o (el dispositivo está apagado)
\ AVcs::::+SV
ID"" está presente (el
dispositivo está encendido)
ID'" estJ presente
(el di:.positivo
\
°
A VC;s::: V
ID"" O (el dispositivo
Figura ]2.20 Características del
MOSFET incremental indicando
e~tá encendido) está apagado) las condiciones de encendido y
(a) (h) apagado: a) nMOS; b) pMOS.
VDD V DD
Q,(pMOS)
Ves
/
=ovt;J (+5 V)
S Q,lpMOS)
G Encendido G Apagado
~V"=+5V }--v,,=ov
1
V, = +5 V -----4
~
G
VGS=OV~
S
Q,lnMOS)
Apagado
"
G 1
! S
Q,(nMOS)
Encendido
V Gs =+5V
ENTRADA DE O y
Cuando se aplica OY como entrada al circuito CMOS, proporciona OY a ambas compuer-
tas nMOS y pMOS. La figura 12.21a muestra que
ENTRADA DE +5 V
Cuando Vi = +5 Y proporciona +5 Y a ambas compuertas. La figura 12.21b muestra que
~(V) Q, Q, v, (V)
O Apagado Encendido +5
+5 Encendido Apagado O
Fuente de Fuente de
voltaje práctica voltaje ldeal
(a)
r-¡ ~o
R 1 t
LI_~o
Fuente de Fuente de
corriente práctica corriente ideal
figura 12.22 Fuentes de voltaje
(b) y <::orriente.
Una fuente de corriente ideal suministra una corriente constante, sin importar la carga que
esté conectada a ella. Existen muchos usos en electrónica para UD circuito que proporciona una co-
rriente constante a una impedancia muy alta. Los circuitos de corriente constante pueden
construirse si se utilizan dispositivos FET, dispositivos bipolares y una combinación de es-
tos componentes. Hay circuitos que se usan en forma discreta y otros más adecuados para
operación en circuítos integrados. Consideraremos algunas fonnas de ambos tipos en esta
sección y en la sección 12.8.
Por tanto, el dispositivo opera como una fuente de corriente con un valor de lOmA. Aunque el
JFET real tiene una resistencia de salida, la fuente de corriente ideal seria una fuente de 10 mA,
como se muestra en la figura 12.23.
RD
1.2 kO
t----\:"
los.\ = 4 mA
\//-' = ~3.5 V
Solución
Debido a que Ves =O V.ID = I DSS = 4 mA.
a) V" = VDD - IvRD = 18 V - (4 mA)(1.2 kQ) = 13.2 V
b) V" = VDO - IDR D ~ 18 V - (4 mA)(3.3 kQ) = 4.8 V
Observe que el voltaje de salida cambia con R D , pero la corriente a través de R[) es 4 roA.
debido a que el JFET opera como una fuente de corriente constante.
VE - (-VE")
... con lE = le (12.25)
RE
Figura 12.25 Fuente de corriente
constante discreta. donde le es la corriente constante proporcionada por el circuito de la figura 12.25.
= -10.7 V
k"~ = -10 V
5.1 kQ
VE = VB - 0.7V - 0.7 V
2kQ
5. i
VE - (-Va') -10.7 V - (-20 V)
I lE ~
1 -20 v
Figura 12.26 Fuente de corriente
=
9.3 V
2kQ
RE
4.6SmA
2kQ
(12.26)
Un punto principal a considerar es que la corriente constante depende del voltaje del diodo
Zener. el cual permanece constante y la resistt::ncia del emisor RE" El voltaje de la alimentación
Vt.E no tiene efecto sobre el valor de l.
~I
+
6.2 v
2.2 kQ
1.8kQ
Q2
un lado del circuito. El circuito es en particular adecuado para la fabricación de le. debido a
que requiere que los transistores utilizados tengan idénticas caídas de voltaje base-emisor e
idénticos valores de beta. Los mejores resultados se logran cuando los transistores se fonnan al
mismo tiempo en la fabricación dellC. En la figura 12.29 la corriente Ix del transistor Q¡ yel
resistor Rx se refleja en la corriente 1 a través del transistor Q2'
Las corrientes Ix e 1 pueden obtenerse utilizando las corrientes de circuito listadas en la
figura 12.30. Suponemos que la corriente de emisor (lE) para ambos transistores es la misma
(Q¡ y Q2' siendo fabricados uno junto a otro en el mismo microcircuito). Las dos corrientes de
base del transistor son aproximadamente
le ~ le
Por último. la corriente a través del resistor Rx' Ix es
(12.27)
la corriente Ix que fijan Vce y Rx se refleja (o es un "espejo") en la corriente del colector de Q,.
Se dice que el transistor º¡
es un transistor conectado como diodo, debido a que la base y
el colector están conectados juntos (en corto).
+vcc
IX~ Rx
ht t 2;E
Q¡
lE t ...
.-
lE
~
--
lE
~
Q,
+12 V
1.1 k!1
~¡
Solución
12V-0.7V
Ecuación (12.27): = = 10.27 mA
1.1 kQ
Q,
Solución
La corriente Ix es
Por tanto,
6 V - 0.7 V
I ~ Ix = = = 4.08mA
1.3 kQ
1=IE=lx
De nuevo, vemos que la corriente de salida 1 es un "reflejo" del valor de la corriente que se fijó
a través de Rx'
La figura 12.34 muestra otra forma de reflejo de corriente. El JFET proporciona una co-
rrienté constante de valor 1DSS' Esta corriente se refleja, dando como resultado una corriente a
través de Q2 del mismo valor:
+vcc
+V
Ix ~ Rx
~I t IDSS
IE/~
---- Q3
Ql
~l
lE ~
Q, Q, Q, Q,
...
Figura 12.33 Circuito reflejo de corriente Figura 12.34 Conexión de espejo de corriente.
con impedancia de salida más alta.
Si se aplica una señal a alguna entrada, estando la otra entrada conectada a tierra, a dicha
operación se le llama con una sola terminal.
Si se aplican dos señales de entrada de polaridad opuesta, a la operación se le llama de
doble terminal.
Si se aplica la misma entrada a ambas entradas, a la operación se le llama de modo común.
En la operación de una sola tenninal se aplica una sola señal de entrada. Sin embargo,
debido a la conexión de emisor común, la señal de entrada opera en ambos transistores dando
como resultado una salida en ambos colectores.
Polarización
Consideremos primero la operación de polarización del circuito de la figura 12.35, Con entra-
das de ac que se obtuvieron de fuentes de voltaje. el voltaje dc en cada entrada está esencial-
mente conectado a O V como se muestra en la figura 12.36. Con cada voltaje de base a O V, el
voltaje de polarización del emisor común es
\'11::= () V
lE
le = le = - (12.29)
1 2 2
(12.30)
EJEMPLO 12.18 Calcule los voltajes y corrientes de de del circuito de la figura 12.37.
+9v
3.9kQ 3.9kQ
VOl V"2
Q¡ Q2
V'I 'E
V'2
3.3 kQ
Solución
9V - 0.7 V
Ecuación (12.28): 2.5mA
3.3 kQ
I
V
'"
Q,
B,
.....
\ e,
v"' VOl
e, ~ B,
,
~ ~
", /3Jbl /3: lb~ "
Re Re
V"
'..."
,
E, ~t{e, le, t ... E,
'V
!
..l,.
V,::,
--
(1 + (3 1) 1"1
R¡:
-
(l + f3z)I~
+vcc
Q, Q,
V
"
base puede calcularse utilizando la ecuación de la LVK (ley de voltaje de Kirchhoff) en la base
1 de la entrada. Si se supone que los dos transistores están bien pareados
lb, ~
lb, ~
lb
r. ~ r ~ r,
" "
Con RE muy grande (idealmente infinito), el circuito para obtener la ecuación de la LVK se
simplifica al de la figura 12.42, del cual podemos escribir
V1] - lbr.I - lbr I ~ O
V
por lo que l b -- - "
2r,
Si también suponemos que
V
entonces fJ-'-'
2r,
y la magnitud del voltaje de salida en ambos colectores es
Vi f3R e
Vo ~ leRe ~ fJ-' Re ~ - Vi
2r 1 2fJr,
por lo que la magnitud de la ganancia de voltaje de una sola terminal en uno u otro colector es
(12.31)
+
v" "v
586
1 •
Figura 12.42
calcular 'b"
Circuito parcial para
Calcule el voltaje de salida en una sola tennina!, V(I l' para el circuito de la figura 12.43. EJEMPLO 12.19
+9 V
43 ka
-9 V
Solución
Los cálculos de polarización proporcionan
9V - 0.7V
= 193 ¡;.A
43kO
La corriente del colector es entonces
lE
= 96.5 f.JA
2
El valor de re es
26
r ,. = " 2690
0.0965
La magnitud de la ganancia de voltaje ac puede calcularse utilizando la ecuación (12.31):
(47 kQ)
= 87.4
2(269 O)
la cual proporciona un voltaje ac de salida de magnitud
V" = AYi = (87.4)(2mV) = 174.8mV = O.175V
(12.32)
r.,
[3V;Rc
Vo = / cR e = [3/"R e = ---'----'-"----
r, + 2([3 + J)R E
proporcionando una ganancia de voltaje de magnitud de
(J2.33)
+vcc
Re
Q, Q,
-1,
--
(~+\) 1,
2(/3+\) I,t
I
Solución
75(47 ka)
Ecuación (12.33): 0.54
20 ka + 2(76)(43 ka)
Re Re
RI
+9 V
o
Vi '\¡
Q,
1 R,
8.2 kD. 5.1 kQ
r,:=200kD.
fJ, = 75
-y v
Solución
Usando RE; ro ; 200 kQ da
75(10 kQ)
·A, ; ;--~~-- 24.7 X }()-3
ri + 2(/3 + J)R E 11 kQ + 2(76)(200 kQ)
Entrada -
~¿+V
VI NI N2 AC VOLTAGE
p. ej.,
VI 2 AC JOMV Vi = JO mV (ac)
.AC UN NS FS FE
p. ej.,
.AC UN JOKH IOKH (Ji = 10 kHz)
Para especificar la salida: Habiendo solicitado el análisis en ac, se puede incluir una
Hnea de impresión que liste los voltajes o corrientes del circuito deseados. La forma de la línea
de impresión es
.PRINT AC VOLTAGE_UST
p. ej.,
.PRINT AC V(1) V(6) I(RO) V(3,4)
ÚNEAS DE MODELO
1. Para un dispositivo BJT la línea de modelo incluye la beta del dispositivo .
p. ej.,
.MOOEL TRANI NPN (BF = 200)
p. ej.,
.MOOEL FET3 NJF VTO = -4 BETA = 0.625E-3
VOLTAGE:
._ SOURCE CURRENTS
CURIU!NT
VDD -5.561E-03
TOTAL POWER DISSIPATION l.llE-Ol ~TTS
--
••••
MOllE!.
'0
VOS
VDS
OPERA'l'INC POINT INFORMATIOH
J1
"""
2.78E-03
"l. 89t+OO
1.l4E+Ol
2.6.4E-03
-.....
J2
2.1SE-Ol
-l.89E+OO
1.14E+01
2.UE-03
.* •• JFETS
""
-_.* AC ANALYSIS TZKPERATURE· 27~OOO DEG e
FREQ V(l) V(3} V(6} V(')
1.OOOE+04 1.000E-02 6.323E-02 3. 992E-01 3.9921-01 Agura 12.52 Salida del PSpice
para el circuito de la fígura 12.53.
VDD (+20V)
8
I DDS = 10 roA
V p = -4 V
RD , RD,
2.4ill 2.4 ill
e, e, 9
3
O.05~F 6 O.05!1F
e, 2 5
Q, Q,
O.05~F
4 7
RL
lMQ
V; RG,
'\, RG,
lOmV
1
3.3 M.Q
.".
R"
680Q
I~~!1F o
3.3MQ
RS2
680Q
1 C'2
J(Xl~F
Resultados ac:
V(3) 6.323 x 10-2
Av] = = = 6.3 (--'>.2 en el ejemplo 12.1)
VO) I x 10-2
V(6) 3.992 x 10- 1
A = = = 6.3 (--'>.2 en el ejemplo 12.1)
" V(3) 6.323 x 10-2
V = V(9) =3.992 x 10- 1 = 399 mV (V" = 384 mV en el ejemplo 12.1)
"
La ganancia de voltaje ac y el voltaje ac de salida que se obtuvieron en el ejemplo 12.1, Y
los cálculos utilizando PSpice se comparan muy bien. Recuerde que PSpice usa un modelo
más sofisticado que el del ejemplo 12.1; Y que todos los pasos en PSpice se ejecutan con más
cifras decimales, haciendo que los resultados sean un poco diferentes.
VOD~
~273~
20V -=- R02
~C1 1 "
.0 .
0.05uF
•
~
0165ur
Vi
10mV ~ RG2 RL
RGl
3.3MEG
RS1 e51 I RS2 10k Figura 12.54 Circuito del centro
680 20u r -'-- 3.3MEG 680 ~20uF de diseño para analizar un
amplificador JFET de dos etapas .
';2K~alSl-X
NJf
~;~=~~;;!
20.COCC, :3.2730
~.$oc6': :C'7.')E-D6
('W OC05'; :::.CC00 ':.0000
(SN-OOO-";. ::>.2730 1. 9061
(SN~0009;
VccC+20 V)
8
I DDS =10 mA
Rc , R, Rc ,
Vp =
-4 V
6
3 1O~ IO~F
e, 5
2
Q, Q,
1O~ /3= 200 P= 200
4 7 Re
IMO
R,
25
Vi
~V
'\, 4.7kO
R,
4.7kO
es,
I~~~F
RE, RE,
1 lkO
.,..
Ftgura 12.57 Circuito para el programa 2 de PSpice.
o 'r ...
IkO I2O~F
.... .,..
VB
o
= 4.7 V, v,'0 = 4.0 V,
lB = 19.9 !lA
le = 3.98 mA ([3 = lellB = 3.98 mAlI9.9!lA = 200)
V8E = 0.7 V
Resultados de ac:
Otra comparación de los resultados que se ohtuvieron con los dos métodos con los que se
puede hacer, involucra a r, a partir del listado PSpice
Esta es la impedancia de entrada viendo hacia la base del BJT. Debido a que
RPI = r, = [3r,
podemos escribir
r, 1.3 X 103
re ::;: - :::; ;;;: 6,5 .Q
[3 200
Ejecute una simulación para obtener el archivo de salida FIGI2-59.0UT. En la figura 12.59 se
proporciona una versión editada. Compare los valores de polarización que se obtuvieron gra-
cias al uso del esquema y a los de la figura 12.57. utilizando la versión del DOS de PSpice (Ver.
6.0). Compare también las magnitudes de señal que se encontraron usando ambos métodos.
Los resultados se comparan bien.
vcc +,---------t----ooñD"~--------------~------,
2DV ~ R81 2.2k
1Sk
C; 4 6535
RB2
4.7
RS1
1k CS1
084
4.7k
~! CS2
~ ,"k'"
RL
1 Dk
--r- 20u r
20ur
Figura 12.58 Circuito del centro de diseño para analizar un amplificador BJT de dos etapas.
•••
NOOE VOLTAGE NODE VOLTAGE
($N Oa01} 4..652.0 ($N 0002) l1.3790
($R-0003) 3.9519 ($N-00Q4) 20.0000
(SN-OOOS) .; .6520 CS-N-0006) 0.0000
($N-0007) 11.3790 ($t(0008) 3.9519
($N::::0009) 0.0000
••••
FREO VM($N 0009) VM($N 0006) \'MeSH 0005)
Figura 12.59 El listado Hg. 12~58.
1.000E~O) 2.367[-01 2.500E-05 1.460E-03
OUT (editado).
Darlington Acplifier
.... CIRCUIT DE:SCRIP'l'ION
••••••••••••••••••••• *** •••••• * •••••• *.* ••• *** •••••••••••• - ••• _•••••••
VCC 6 o lS\'
R:a 6 2 3.3HEG
el !. 2 O.seF
RI: .; o 390
e2 .:. 5 O.SUF
RL 5 o lMEG
Ql 6 2 :3 BJ'T
Q2634BJT
.MODEL BJT NPN(BF~89.4)
VIlO AC lOOMV
.AC LIN 1 lOKH lOKH
.PRINT AC V{l) V(4) VeS}
.aP'I'IONS NOPAGE
• ENe
+Vcc (18 V)
RB
3.3 Mn.
e, 2 p, =f!, =89.4 (PD =8000)
0.5 ~F
Q,
V,
lOOrnV 40.5C~2F '''5
RL
¡MQ
o
Figura 12.61 Circuito para el programa 3 de PSpice.
"*"
12.11 Análisis por computadora 599
Polarización:
lB, = 229 jiA, le, = 20.4 mA (f32 = 20.4 mN229 !lA = 89.1)
Es difícil forzar el modelo de transistor PSpice para que coincida exactamente con el
modelo de transistor ideal usado en la figura 12.12. Observe que los resultados de PSpice
proporcionan
V BE , = 0.736 V, V BE , = 0.852 V
mientras que el modelo utilizado en la figura 12.12 especifica VBE (D) = 1.6 V (casi lo
mismo que 0.736 V + 0.852 V).
Operación en ac; para una entrada de Vi = 100 m V, la salida en el listado del PSpice es
en tanto que los resultados del ejemplo 12.10 ofrecen A, = 0.998. que está bastante cerca.
•••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••
VD050SV
1I15125PX
1122100101
.KOOEL PM PItOS (V'l'O--2V)
.MODa. 10( RIIOS (V'1"O-2V)
Vl'105V
.De VI o 5 5
.PlUM oc V(2)
.OP1'IORS lfOPAGE
.EIII>
•••• MOSPET MOOEL PAR»IB"rERS
VTO
PK
PIlOS
-2
JO(
_s
2
KP 20.00DDOOE-06 20.000000g-06
•••• oc TRAHsY2R CURVES
VI V(2)
Figura 12.62 Salida PSpice para O.OOOE+OO 5.000E+OO
5.000E+OO 8.3fiOE-08
el circuito de la figura 12.63.
de OVa un valor dc de +5 V. el voltaje de salida calculado se lista con el programa PSpice. Esta
variación de voltaje de entrada la proporciona la línea
.De VI O 5 5
que varía VI desde O a 5 V con un valor final de 5 V. El listado ofrece los datos de salida
VI " 5 V V(2) ~ OV
se demuestra que el circuito opera como un inversor lógico, ya que proporciona el voltaje de
salida opuesto.
+18 V
2.2 kn 2.2 kn
0.05 ¡lF
U.05 )lF
V
20mV
IOMn IOMíl
390n 390n
i
? ... ...
Figura 12.64 Problema.s 1·5, 30~31.
2. Para el amplificador en cascada JFET de la figura 12.64, utilizando JFET idénticos con IDSS ==
8 mAy Vp = -4.5 Y, calcule la ganancia de voltaje en cada etapa, la ganancia general del amplificador
y el voltaje de salida V o .
Problemas 60l
3. Si ambos JFET del amplificador en cascada de la figura 12.64 son cambiados por otros que tengan
las especificaciones 1DSS = 12 mA y Vp = -3 Y, calcule la polarización resultante de cada etapa.
4. Si ambos JFET del amplificador en cascada de la figura 12.64 son cambiados por otros que tengan
las especificaciones 1DSS = 12 mA y V p = -3 Y Y y(", ::: 25 pS, calcule la ganancia de voltaje
resultante para cada etapa, la ganancia de voltaje general y el voltaje de salida V o '
5. Para el amplificador en cascada de la figura 12.64. utilizando JFET con especificaciones I Dss = 12
mAy Vp = -3 Y YYo" = 25 pS. calcule la impedancia de entrada del circuito (Z¡) y la impedancia de
salida (Z).
6. Para el amplificador en cascada BJT de la figura 12.65. calcule los voltajes de polarización dc y la
corriente de colector para cada etapa.
+15 V
6.2kQ 6.2k!1
1.5kQ 1.5kQ
+lOV
0.05 ~F
= 6 roA
---11--r-~'"
1D55
V;.
2mV Vp =-3V p= 150
1
lOM!1 8.2kQ
+
330n
lOO~F 2.2kQ
Vs:: y Ve:' I
-+-20 V
1.5 kQ
7.5 kQ
50 >ú'
.r 6.2 kQ
Q,
P=200
1O>ú'
V -----.I,I--~--I Q,
lO~V -1
p= 200
3.9kU
1kQ
*' 13. Para el circuito del amplificador cascode de la figura 12.67. deduzca la ganancia de voltaje. A". y el
voltaje de salida. Vo .
14. Calcule el voltaje de ac a través de una carga de 10 kQ conectada a la salida del circuito de la figura
\2.67.
+16 V
2.4MQ
0.1 ~F
V,~
120rnV
---"',,1;1 --L----1'" Q, (~D =60(0)
VsE =1.6V
+:1 oV"
20J-lF
510 Q
* 16. Para el circuito de la figura 12.68, calcule la ganancia de voltaje del amplificador.
Problemas 603
§ 12.5 Par relroalimentado
17. Para el circuito del par retroalimentado de la figura 12.69, calcule los valores de polarización de de
V B ¡, Vc~elc
+16 V
loan
___--+---1{---- ~,
v -----}I--r---l
120rnV ~, = 160
~, = 200
l.5MO:
QI
v,
.... +5V Q,
v, ---+-~-----'
VI V2 V,
QV QV
QV +5V
+5V QV
+5V +5V
~1 ~1
fi= 100 fi = 200
2kn
+
4.3 kQ J.5kQ 5.1 V
4.3 kQ J.8kQ J.2kQ
¿
-18 V -12 V
Figura 12.71 Problema 21. Figura 12.12 Problema 22. Figura 12.73 Problema 23.
+18 V I
~ 2mA 2.4 kQ
2kQ
Q, r---c
fi= 250 ;
Q3
p= 200
¡
Figura 12.74 Problema 24. Figura 12.75 Problema 25.
+15 V
4.7kQ
Problemas 605
27. Haga un cálculo de los valores de polarización dc de le y Ve para los transistores pareados de la
figura 12.77.
* 28. Calcule V o en el circuito de la figura 12.78.
* 29. Realice un cálculo de V" en el circuito de la figura 12.79.
+18 V
18kQ 18 kQ
+12 V
V'I----I I----v,::'
t---- v"
~ 2mA
+------v"
V, = -12 V
2mV
Figura 12.79 Problema 29.
33 kQ
Técnicas de fabricación
de circuitos discretos
e integrados
13.1 INTRODUCCIÓN
Las técnicas aplicadas a la fabricación de dispositivos semiconductores están siendo
continuamente revisadas, modificadas y mejoradas. En años recientes, se ha hecho énfasis
principalmente en aumentar la tasa de rendimiento (cantidad de elementos buenos en un lote),
expandir los niveles de automatización (menor necesidad de mano de obra) y aumentar los
niveles de densidad. La secuencia de pasos para la fabricación de unidades discretas (elementos
solos) o circuitos integrados (le) (microcir<:uitos de alta densidad con millones de elementos)
no ha cambiado dramáticamente. Sin embargo, la forma de hacer cada paso ha experimentado
un cambio radical en la última década.
Este capítulo está diseñado simplemente para desarrollar una imagen general del ciclo de
producción para los circuitos discretos e integrados (lC)~ presenta algunas de las fases más
Jac).;. Sto Clair Kilby. inventor del circuito
ímportantes de producción y la tenninología que se aplica. Un análisis más detallado de cualquier
integrado y coinventor de la calculadora
paso del ciclo requeriría de todo un libro. electrónica de pilas. (Cortesía de Texas
Instruments. lnc.)
Clair Kilby nació en Jefferson. Missouri,
1923.
M.S. de la Universidad de WisCDnsin.
13.2 MATERIALES SEMICONDUCTORES, Director de Ingeniería y Tecnología.
Si, Ge y GaAs Grupo de componentes. Texas
Instruments.
Miembro de la IEEE.
El primer paso en la fabricación de algún dispositivo semiconductor es obtener materiales Tiene más de 60 patentes en Estados
Unidos.
semiconductores del nivel de pureza deseado. como el silicio. gennanio y arseniuro de galio.
En la actualidad se requieren niveles de impureza de menos de una parte por mil millones (1 en
1,000,000,000) para la fabricación de la mayoría de los dispositivos semiconductores.
Las materias primas se sujetan primero a una serie de reacciones químicas y a un proceso de
refinación por zona para formar un cristal policristalino del nivel de pureza que se desea. Los
átomos de un cristal policristalino están acomodados en forma aleatoria. mientras que en el cristal
único, los átomos están acomodados en una red cristalina geométrica, simétrica y uniforme.
El aparato para refinación por zona de la figura 13.1 consiste de un recipiente (bote) de
grafito o cuarzo, para tener la contamÍnación mínima, un tubo contenedor de cuarzo y un juego
de bobinas de inducción de RF (radiofrecuencia). Las bobinas o el bote deben ser movibles a lo
largo de la longitud del tubo de cuarzo. Se obtendrá el mismo resultado en cualquier caso,
aunque aquí se presenta el método de las bobinas móviles porque parece ser el más común. El El primer circuito integrado. un oSI:ilador
interior del tubo contenedor de cuarzo está lleno con un gas inerte (con poca o ninguna reaccíón de corrimiento de fase inventado por
química) o al vacío, para reducir más la posibilidad de contaminación. En el proceso de Jaek S. Kilby en 1958. (Cortesía de
Texas Instruments, Ine.)
refinación por zona se pone en el bote una barra de silicio con las bobinas en un extremo de la
barra, como se muestra en la figura 13.1. Luego se aplica la señal de radiofrecuencia a la bobina,
la cual induce un flujo de carga (corrientes parásitas) en el lingote de silicio.·Se aumenta la
607
Bobinas de
calentamiemo Tubo contenedor de cuarzo
por inducción ~ ~ Gas inerte o vado
Bote de grafito
Figura 13.1
Silicio de
alta pureza
--
MOllim\en\o
de las bobinas
magnitud de estas corrientes hasta que se desarrolla suficiente calor para fundir esa región del
material semiconductor. Las impurezas del lingote entrarán en un estado más líquido que
el material semiconductor que las rodea. Si las bobinas de inducción de la figura 13.1 se mueven
lentamente hacia la derecha para inducir la fusión de la región vecina, las impurezas "más
fluidizas" "seguirán" a la región fundida. El resultado neto es que un gran porcentaje' de las
impurezas aparecerán al extremo derecho del lingote cuando las bobinas de inducción hayan
llegado a ese extremo. Este lado de la pieza con impurezas puede después cortarse y se repite
el proceso completo hasta que se llega al nivel de pureza deseado.
El siguiente paso en la secuencia de fabricación es la fonnación de un solo cristal de
gennanio o silicio. Esto se logra. por lo general, usando la técnica Czochralski; la figura 13.2a
muestra el aparato empleado por esta técnica. El material policristalino primero se transfonna
en un estado fundido por medio de bobinas de inducción. Luego se sumerge una "semilla" de
J
_' Llenado con argón
--t1-,MOlO<
después Il.e la e"l<l.cu<\ción
Barr3 de estiramiento
/' rotativa
/" Cuña soporte
Mirilla - SemiJla
, A
Cuello
(b)
" Crisol de sl1ice
Camisa
enfriada J Bobinas de calentamiento
por agua
Susceptor de carbón
Silicio
"fundido" Eje del susceplor
Crecimiento de la unión
Los diodos de este tipo se forman durante el proceso de estiramiento de cristal Czochralski. Se
./"'"' Barra de estiramiento
pueden añadir altemadarnente impurezas tipo p y n al material semiconductor fundido en el del cristal
crisol, y da como resultado una unión p-n cuando el cristal se estira como se indica en la figura
"Semilla"
13.3. Después de rebanar, el dispositivo de área grande puede cortarse en grandes cantidades
(a veces miles) de diodos semiconductores de área más pequeña. El área de los diodos de unión
Uniónp-n
por crecimiento es lo suficientemente grande para manejar altas corrientes (y por tanto tener
valores nominales de potencia altos). Sin embargo, el área grande introducirá efectos capacitivos
indeseables en la unión. Proceso de •
"rebanado"
Aleación ~undida
El proceso de aleación dará como resultado un diodo semiconductor del tipo de unión que
Figura 13.3 Diodo de
también tendrá un alto valor nominal de corriente y PIV grande. Sin embargo, la capacitancia crecimiento de unión.
de la unión es también grande. porque el área de unión también es grande.
La unión p-n se forma poniendo primero una impureza tipo p en un sustrato tipo n y
calentando ambos hasta que sucede la licuefacción y los dos materiales se juntan (figura 13.4),
El resultado es una aleación que cuando se enfría produce una unión p-n en la frontera entre la
aleación y el sustrato. Los papeles que desempeñan los materiales tipo 11 y P pueden
intercambiarse.
Material
"po~ 1
J s, 'p",a ,,¡oe
Unión p-n
-----.. ~ --r -+
J ~
'-:mato tipo n Figura 13.4 Diodo por el proceso de aleación.
Difusión
El proceso de difusión para fonnar diodos semiconductores de unión puede emplear difusión
sólida o gaseosa. Este proceso requiere más tiempo que el proceso de aleación, pero es
relativamente barato y puede controlarse con mucha más precisión, La difusión es un proceso
por el cual una alta concentración de partículas se "difunde" en una región que la rodea con
menor concentración. La principal diferencia entre los procesos de difusión y aleación es el
hecho de que no se llega a la licuefacción en el proceso de difusión. Solamente se aplica calor
en el proceso de difusión para incrementar la actividad de los elementos involucrados.
~".\\ 1; ----.", \ ~ 1;
Depósito
de Indio Sustrato Atmósfera gaseosa
con partículas de
tipo n I Indio
Indio
'"removido"
•
~ Proceso
de corte
* ProcesO
de corte
Crecimiento epitaxial
El término epitaxiaf se deriva de las palabras griegas epi, que significa "sobre", y taxis, que
significa "arreglo". Una oblea base de material n+ se conecta a un conductor metálico, tal como
se muestra en la figura 13.6. La n+ indica un nivel de dopado muy alto para una característica
de resistencia reducida. Su propósito es actuar como una extensión semiconductora del con-
ductor y no como el material tipo n de la unión p-n. La capa tipo n se depositará sobre esta capa
usando un proceso de difusión, como lo indica la figura 13.6. Esta técnica de utilizar una base n+
da al fabricante ventajas definitivas de diseno. Luego se aplica el silicio tipo p usando una téc-
nica de difusión y se agrega el conector metálico del ánodo, tal como se muestra en la figura 13.6.
(región aislante)
Difusión
El método de fabricación que más se utiliza en la actualidad es la técnica de difusión, El
proceso básico se presentó en el análisis de la fabricación de diodos semiconductores. La " Fundido
técnica de difusión se emplea en la producción de transistores en meseta y planares, donde
Figura 13.8 Transistor de
cada uno de ellos puede ser de tipo de difusión O epitaxial, crecimiento de la unión.
En el transistor pnp en meseta de difusión, el primer proceso es una difusión tipo n en una
oblea tipo p, como se aprecia en la figura 13.9, para fonnar la región de la base. Luego, se
difunde o se une en aleaCÍón el emisor tipo p a la base tipo n. Después se hace una corrosión
para reducir la capacitancia de la unión del colector. El término "meseta" se deriva de su
similitud con la formación geográfica. Como se dijo anteriormente en el estudio sobre la
fabricación de diodos, la técnica de difusión permite un control muy preciso de los niveles de
dopado y el espesor de las diversas regiones.
Atmósfera gaseosa
con impurezas tipo n
E B
=,'---,.\\) J,;
i~
/' ) / I ) \
p
#;1
---'"- -'
-----;
~1/4Pulg·~1 !
"~"
Hoja recubierta
de diamante
Cuchilla
cortadora rotati va
Bloque de
soporte para
el lingote
(a) (b)
Figura 13.13 Rebanado del lingote monocristal en obleas. (Cortesía de Texas lnstruments, lne.)
Disposición del
circuito
1 b
Proceso de Mascanllas (2) I
Ohlea de Limpieza difusión Mascanlla de Mascanlla Mascanlla de contactos e DleJectnCOs PaslvaclOn
silicio y pulido cpitaxia\ aislam\ent~ de bas.e de emisor imerconexión entre capas fin<.ll
Microcircuito
L.,m!m~~~m!)-..;.:indi:dU~~O--.O
Pruebas Coney Ensamble en Soldadura del Prueba
fragmentación encapsulado encapsulado final
actual proceso de implantación de iones para cada fase es similar al que se aplica en la fabrica-
ción de transistores por difusión. La última mascarilla de la serie controlará la colocación del
patrón conductor que interconecta los diversos elementos. Luego la oblea pasa por varios pro-
cedimientos de prueba, es fragmentada y separada en microcircuitos individuales, encapsulada
y ensamblada como se indica. En la figura 13.15 aparece una oblea de silicio procesada. La
oblea original puede ser de 4 a 8 pulgadas de diámetro. El tamaño de cada microcircuito deter-
.3,
.
)
;
~.
...r:: ..._ _ _...... --- ---
-----::_-11!I115~m
8).1m Diodo
Oblea de le
Dimensiones
Oblea de silicio procesada con re típicas de elementos
difundidos
Figura 13.15 Oblea de IC monolítico procesada con las dimensiones relativas de los diversos
elementos_
Procesamiento
Procesamiento
"(2S?"l
....
. (30%)
. . ~;{
Encapsulado
(40%)
Encapsulado
(65%)
diferente. Es en esta capa epitaxial delgada en donde serán difundidos los elementos activos y
pasivos. El área tipo p es esencialmente una estructura de soporte y añade algún grosor a la
estructura para aumentar su resistencia y permitir un manejo más fácil.
El aparato que con más frecuencia se utiliza en el proceso de depósito es el reactor cilíndrico
de calentamiento por radiación de la figura 13.21. El suseepror (grafito recubierto de silicio) es
una estructura de sección transversal hexagonal sobre la cual se colocan varias obleas en cada
cara. Los gases con las impurezas deseadas se inyectan en la cámara y se extraen por la parte
superior. Las obleas se calientan mediante lámparas de cuarzo enfriadas con agua. Sosteniendo
las obleas en una posición casi vertical (solamente 2.5 0 de la vertical) hay menos probabilidad
de contaminación.
Luego, se tiene que definir la región de estructura monolítica que va a ser dopada. Se hace
crecer una capa de dióxido de silicio (SiO,) en la superficie de la oblea, tal como se muestra en
la figura 13.22. Esta capa superficial impedirá que se introduzca cualquier impureza al silicio
tipo p. Sin embargo, la corrosión selectiva de esta capa de SiO" permitirá la implantación de
iones y la difusión de las impurezas adecuadas en las áreas indicadas del material tipo p.
T
I
de aplanado
\ '-------)\' Irt
""~
[r
~ 1
II
O-
~
ntrada
I - fO-S O ~~ e ontenedores
I O \1 de obleas
,
~ 1\ misión de e"cape
Ventilador
principal n
11
~ ¡ 1
eámara
de proceso
I
f- I~ I
~
r- Figura 13.21 Reactor cilíndrico
I I @ calentado por radiación: a)
esquema; b) colocación de obleas
!I I no contaminadas; c) control
externo. (Cortesía de Applied
(a) Materials, Inc,)
(b) (e)
Capa de SiO~
El siguiente paso es usar una mascarilla para determinar las áreas de la capa de SiOz ' que
deben eliminarse en la preparación para el proceso de difusión del aislamiento usando un
proceso fotolitográfico. Se aplica luz ultravioleta usando un sistema de proyección por pasos,
que expondrá aquellas regiones del material fotosensible que no están cubiertas por el patrón
de la mascarilla (fIgura 13.24).
La oblea resultante se somete luego a una solución química o una corrosión por iones
reactivos para eliminar el material fotosensible no expuesto. Una sección transversal de un
microcircuito (s-s en la fIgura 13.24) aparecerá entonces como se indica en la figura 13.25.
Una segunda solución corroerá luego la capa de Si0 1 que no esté cubierta por el material foto-
rresistivo (figura 13.26).
Patrón de enmascarado
Mascarilla de vidrio
Fotoresist
Región epitaxjal ~po" n
Figura 13.24 Proceso fotolitográfico: la aplicación de luz ultravioleta después de que la mascarilla
se coloca de manera correcta; la estructura puede ser solamente una de cientos de miles de circuitos
de compuertas NAND que se están formando en una sola oblea.
Fotoresisl
SjO~
~
! !
Si02
~p \~ It\..-..-(~~ 1 p
• •
Estructura de silicio tipo p original
Figura 13.27 Seccíón transversal de la figura 13.26 después del proceso de difusión del aislamiento.
totalmente por un microprocesador. Tres o cuatro personas pueden operar 16 hornos y toda la
operación, desde meter y sacar los botes en los hornos hasta monitorear la temperatura y nivel
de dopado, es controlada por computadora.
Una alternativa al proceso de difusión a alta temperatura es la implantación de iones. Un
rayo de iones dopantes (de un tamaño similar a un lápiz) es dirigido hacia una oblea a muy alta
velocidad por medio de un acelerador de iones. Los iones penetrarán el medio a un nivel que
puede ser controlado a menos de 0.1 /lm. Además de un mejor control, la temperatura de
procesamiento es mejor y se dispone ahora de un rango más amplio de parámetros eléctricos.
El proceso de difusión o implantación de iones se repetirá en una cantidad de ciclos usando un
juego de mascarillas, tales como las que aparecen en la figura 13.29, hasta que resulte la estructura
de la figura 13.30. En la sección transversal de la figura 13.30 puede apreciarse que se construyó
un transistor npn.
Una mascarilla con el patrón final expone aquellas regiones de cada elemento sobre las
cuales se debe hacer un contacto metálico. Luego, la oblea completa se recubre con una capa
delgada de aluminio (oro u otras aleaciones para aplicaciones especiales) que, después de
haber sido atacada adecuadamente, dará como resultado el patrón de conducción o interconexión
deseado. El proceso de metalización terminado aparece en la figura 13.31.
Difusión de emisor
Difusión de base ~
p+
p n
I / Región epitaxial tipo n
p+
Figura 13.30 Corte transversal del
Estructura original de silicio tipo p transistor después de los ciclos de
difusión de base y emisor.
Los dos métodos que se aplican más para establecer la capa uniforme de material conduc-
tor son la dis'#..ersión y la evaporación.
Un siste~a de dispersión automatizado que emplea unidades robóticas. como las que se mues-
tran en la figura 13.32, pone el metal fuente (a un potencial negativo muy alto) enfrente. pero sin
tocar a una placa de ánodo a un potencial positivo. Un gas inerte como el argón, introducido entre
las placas. liberará iones positivos que bombardearán la placa negativa y dispersarán algo del metal
fuente. El metal "libre" luego será depositado en las obleas sobre la superficie del ánodo.
Metalización
Placa
supenor
,
..e: " ~
"
,.
_:
. .I -
Portadores ........ c
de sustrato •• ~~c:
Obleas _ _ _ _L.._
Fuente del
Orbitador ¿;,---
C')
kU
kU
:;rG~:' 1<, V
I -
I
D, D, I
I
_1
... Salida
lb'
\0
I
i
Pasivación
Una capa de SiD, que se depositó sobre la superficie de la estructura completa será una capa de
protección efectiva ante el vapor de agua y algunos contaminantes. Sin embargo, ciertos iones
metálicos pueden emigrar a través de la capa de Si0 2 y perturbar las características del
dispositivo. En un esfuerzo para mejorar el proceso de pasivación, se aplica una capa de vidrio
dopado con fósforo (2,000 a 5,000 Ál para atrapar iones, balancear los esfuerzos y reducir aún
más el problema de degradación.
(b) (e)
Figura 13.35 Prueba eléctrica de los dados individuales. [a) estación de prueba con varios
probadores, cortesía de Electroglas loe.; b) inspección manual, cortesía de Texas Instruments, Ine.;
e) contactos multiprueba sobre los microcircuitos, cortesía de Autonetics, North American Rockwell
Corporation.]
Encapsulado
Una vez que se han terminado los procesos de metalización y prueba, la oblea debe ser
fragmentada en sus microcircuitos individuales. Esto se hace por medio del proceso de corte.
Luego puede encapsularse cada microcircuito individual en alguna de las fonnas que se muestran
en la figura 13.36.
do de película, aunque el circuito resultante será mucho más grande. El costo de los circuitos
integrado"S de pelicu1a con una gIan cantidad de elementos es también considerablemente ma-
yor que el de los circuitos integrados monolíticos.
--l
I
13.9 CIRCUITOS INTEGRADOS HÍBRIDOS :...J
El término circuito integrado híbrido se aplica a una amplia variedad de circuitos integrados
formados por varios microcircuitos, y también en aquellos formados por una combinación de
wJU
las técnicas de película y de le monolítico. Un circuito integrado por varios microcircuitos
emplea las técnicas monolítica o de película para crear los diversos componentes, o juegos de 11 1,'
circuitos individuales, que luego se interconectan sobre un sustrato aislante y son encapsulados 4 8 12 16 28
Ji:
juntos. En la figura 13.37 aparecen circuitos integrados de este tipo. En un tipo más sofisticado 64
de circuito integrado híbrido, primero se forman los dispositivos activos dentro de una oblea 8 :6 24
semi conductora. cubierta después con una capa aislante, como el Si0 2. Después se emplean
las técnicas de peHcula para formar los elementos pasivos sobre la superficie de Si0 2 . Las Figura 13.37 Circuitos integrados
conexiones se hacen de la película hacia la estructura monolítica a través de "ventanas" corta- híbridos. (Cortesía de Texas
das en la capa de Sí02 . Instruments, Ine.)
Amplificadores
operacionales
-~~------------
14.1 INTRODUCCIÓN
Un amplificador operacional, u op-amp, es un amplificador diferencial con una ganancia muy
alta, con una elevada impedancia de entrada y una impedancia de salida baja, Los usos más
típicos del amplificador operacional son proporcionar cambios de amplitud de voltaje (ampli-
tud y polaridad), osciladores, circuitos de filtros y muchos otros tipos de circuitos de
instrumentación. Un op-amp contiene varias etapas de amplificador diferencial para lograr una
ganancia de voltaje muy alta,
La figura 14,1 muestra un op-amp básico con dos entradas y una salida, como podría
resultar con el uso de una etapa de entrada diferenciaL Recuerde lo que se explicó en el capítu-
lo 12, que cada entrada da como resultado una salida de la misma polaridad (o fase) o de la
opuesta, dependiendo de si la señal se aplica en la entrada con el signo de más (+) o a la del
signo de ménos (-).
Entrada 1 - - - - +
- - - Salida
Entrada 2 - - - -
Figura 14.1 Op-amp básico.
v" v"
(a) (b)
628
14.2 muestra las señales conectadas para esta operación. En la figura 14.2a la entrada se aplica
a la terminal de entrada con un signo más (con la terminal de entrada con signo menos a tierra),
lo que da como resultado una salida que tiene la misma polaridad que la de la señal aplicada a
la entrada. La figura 14.2b muestra una señal de entrada aplicada a la terminal de entrada con
un signo menos, siendo la salida opuesta en fase con la señal aplicada.
+ +
Vo
I I
V,I
V, '\,
I-
I
¡
v, '\,
¡
(a) (b)
V
r-----+ --"'-'- - - /
// v ~
1+
VOl
1
Vd
(
V, ' \ ,
¡ ¡-- V;':
Figura 14.5 Salida en doble terminal con entrada en una sola terminal. FlgDra 14.6 Salida en doble terminal.