Unidad 3: Fase 3 - Diseñar la etapa de potencia y filtrado

Informe Grupal

Presentado por:
Carlos Clive Anchante Cód:
Hermes Cipagauta Suárez Cód: 7.173.830
Luis Hernando Martinez Cód: 1.024.498.640
Angelo Eric Gonzalez Cód: 80901603

Grupo: 203039_6

Presentado A:
Ingeniero Esp. JAIRO LUIS GUTIÉRREZ

Universidad Nacional Abierta y a Distancia

Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería
CEAD José Acevedo y Gómez
Electrónica de Potencia
Bogotá D, C. noviembre de 2018
 Unidad 3: Fase 3 - Diseñar la etapa de potencia y filtrado

Introducción

En esta actividad se investiga todo lo relacionado con el circuito driver, su funcionamiento y diseño
del circuito, además se diseñara el circuito LC con la meta de realizar el filtrado de salida del
puente inversor.
Con aportes de todos los compañeros se propone un método de regulación de la tensión y corriente
de salida frente a la distorsión armónica inyectada por la conexión de cargas no lineales.
 Contenido (Fase 3)

3.1 Se debe presentar el circuito driver de la etapa de potencia y se debe explicar la función
de este.

Figura 1.Circuito etapa de Potencia. Fuente: Fase 5 - Simular y analizar los resultados obtenidos
Tomado de https://www.youtube.com/watch?v=M3tTtpDsNdU

Circuito etapa de potencia y filtrado

Elementos: Comparador LM324
2 Driver para Mosfet de alta potencia IR2112
Puente H completo con IRFZ44N
Transformador Elevador con su respectivo filtro LC

El driver se caracteriza por cumplir con la función de suministrar una entrada de alta impedancia
con respecto al circuito de control, además de regular los niveles presentes en la tensión y crea
espacios de tiempo "muerto" y las adecuadas protecciones.
DRIVER IR2112

Figura 2.Conexión tipica Driver IR2112

La mayoría de dispositivos eléctricos y electrónicos requieren tensiones y corrientes que

destruirán los circuitos digitales, por tanto, en términos generales, debemos confiar dicha labor a
los llamados circuitos controladores o drivers.
Normalmente una salida de un micro controlador, puede tener tres estados (alto, bajo y alta
impedancia), naturalmente al proyectar un driver tenemos que tener en cuenta este detalle. De
modo que, en primer lugar se debe proteger la patilla de salida del micro controlador, mediante
una resistencia, limitando la corriente que circulará por dicha patilla, para hacer muy general el
dispositivo que vamos a proyectar, consideraremos que la corriente máxima de la salida estará
entorno a los 20mA y la tensión no mayor de los 5V. Con estos datos, podemos asegurarnos que
el driver será útil para la mayoría de los micros controladores que podamos a manejar.
El circuito driver es en el que recae la función de tomar la señal de control de cualquier transistor
y adaptarla o convertirla en una señal que cumpla las condiciones que en la zona de saturación o
corte se necesitan.
Las características principales que debe tener el Driver, son el suministrar una entrada de alta
impedancia respecto al circuito de control, regular los niveles presentes en la tensión, así como
crear espacios de tiempo “muertos” y las adecuadas protecciones.
 Para la selección del driver se debe tener en cuenta aspectos tales como la tensión máxima de
salida del driver sea mayor que la tensión mínima necesaria en la puerta del MOSFET para que
así se realice la conmutación a la frecuencia seleccionada.
Existen diferentes opciones a la hora de seleccionar un driver. Se pueden emplear
componentes discretos para diseñar un driver, opto-acopladores o drivers fabricados como
circuitos integrados. Cada uno de ellos tiene unas ventajas e inconvenientes.

Figura 3. Drivers “control de los mosfet en el puente H”

En todo sistema electrónico de control de potencia se requieren circuitos especializados para

controlar la actuación de los dispositivos conmutadores de potencia.

Estos circuitos de manejo de compuerta (drivers), deben cumplir las siguientes funciones
básicas:

Proporcionar aislamiento entre los circuitos de control y los altos niveles de tensión y
corriente manejados por los dispositivos electrónicos de control de potencia.

Generar las formas de onda de voltaje y corriente necesarias para que los dispositivos de
potencia operen hasta en las condiciones máximas de voltaje y corriente definidas por el
fabricante.
 Proporcionar protección local contra fallas especialmente en situaciones de sobre cargas.

Adicionalmente, es imprescindible que estos circuitos estén incluidos en un circuito impreso

que contenga también todas las fuentes de alimentación y los componentes de interfaz
necesarios, para minimizar las inductancias y capacidades parásitas y facilitar el armado del
sistema de potencia.

Algunos fabricantes, como I.R. y H.P., ofrecen circuitos integrados que contienen algunas de
las funciones básicas de un circuito de manejo de compuerta; estos integrados son económicos
pero no pueden ser conectados directamente a los dispositivos de potencia. Es necesario
construir fuentes de tensión de alimentación independientes con aislamiento de tierra y
proporcionar las funciones faltantes de protección o de interfaz aislada con el controlador.
Circuito de Manejo de Compuerta de Bajo Costo para MOSFET e IGBT.

Figura 4. Niveles de entrada y salida circuito para MOSFET e IGBT

MOSFET DE POTENCIA

Un transistor MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, que requiere solo
de una pequeña corriente de entrada. La velocidad de conmutación es muy alta siendo los
tiempos de conmutación del orden de los nanosegundos. Los MOSFET DE POTENCIA están
encontrando cada vez más aplicaciones en los convertidores de alta frecuencia y baja potencia.
Los MOSFET no tienen los problemas de los fenómenos de ruptura secundaria que tienen los
BJT, sin embargo los MOSFET tienen problemas de descargas electrostáticas, por los que su
manejo requiere de cuidados especiales además, es relativamente difícil protegerlos bajo
condiciones de falla por corto circuito. Los MOSFET son de dos tipos: (1) los MOSFET de
agotamiento y (2) los MOSFET de enriquecimiento. Un MOSFET tipo agotamiento, de canal n
se forma en un substrato de silicio de tipo p, tal y como se muestra en la siguiente figura. Con
dos silicios n fuertemente dopados para tener conexiones de baja resistencia. La compuerta está
aislada del canal mediante una delgada capa de óxido. Las tres terminales se conocen como
compuerta. Drenaje y fuente. Normalmente el substrato se conecta a la fuente. El voltaje de
compuerta a fuente, VGS, puede ser positivo o negativo. Si VGS es negativo, algunos de los
electrones del área del canal n estarán repelidos, y se creara una región de agotamiento, por
debajo de la capa de óxido, que resultara en un canal efectivo más angosto y en una alta
resistencia de drenaje, a fuente RDS. Si VGS se hace suficientemente negativo, el canal se agotara
totalmente, ofreciendo un alto valor en RDS y no habrá flujo de corriente de drenaje a fuente, IDS
= 0. Cuando esto ocurre, el valor de VGS se conoce como voltaje de estrechamiento, Vp por otra
parte VGS se hace positivo, el cual se ensancha, e IDS aumenta debido a la reducción en RDS. Con
un MOSFET tipo agotamiento de canal p se invierten las polaridades de VDS, IDS, y VGS. Un
MOSFET tipo enriquecimiento de canal n y p, sucede un proceso similar al anterior.

Figura 5. Etapa drivers MOSFET de Potencia.

Desde una fuente de CD constante se debe generar un voltaje senoidal a partir de la conmutación
de los 4 interruptores en el puente monofásico. Para ello se controlan 4 IGBT’s de potencia
ultrarrápidos (IRG4PC50U, VDSS=600V, ID=30A,) los cuales tienen la capacidad de conmutado
rápido a parte de soportar rangos de voltajes altos. El voltaje CD a la entrada del puente, se obtiene
por medio de un puente de diodos y un filtro capacitivo de 1200 µF. (Gabriel Luna Mejía, 2018).

Figura 6. Etapa de Potencia del Inversor Monofásico. Tomado de

http://galia.fc.uaslp.mx/lic/P1_09a.pdf

3.2 Se debe diseñar el circuito LC que filtrara la salida del puente inversor. ¿Por qué es
necesario filtrar la salida?

Cuando se habla se SPWM, se hace referencia a una onda sinusoidal pura y para ello los filtros
más apropiados de tipo LC pasa bajos pues tienen la propiedad de eliminar las componentes
armónicas que puedan aparecer en las bandas laterales a la frecuencia de la onda portadora.
Un circuito LC está conformado por una bobina L y un condensador eléctrico C. En el circuito
LC hay una frecuencia para la cual se produce un fenómeno de resonancia eléctrica denominada
frecuencia de resonancia, en ese momento la reactancia inductiva (parte imaginaria de la
impedancia de la bobina) es igual a la reactancia capacitiva (parte imaginaria de la impedancia
del condensador). Por lo tanto, la impedancia será mínima e igual a la resistencia óhmica.
El circuito diseñado presenta una salida en paralelo lo que permite reducir el contenido
armónico, sin afectar la salida de la frecuencia fundamental.

Los valores de los componentes a utilizar que cumplen con los valores solicitados en la guía se
muestran en la siguiente imagen:
 Figura 5. Aplicación filtros LC

Es necesario filtrar la salida porque se debe atenuar la distorsión armónica producida por la
conmutación, el armónico fundamental debe ser limpio y no debe amplificar los armónicos de
baja frecuencia en relación con el pico de resonancia. Se deben evitar las pérdidas a frecuencias
bajas, pero sí obtener muchas pérdidas a altas frecuencias manteniendo así la frecuencia de
referencia necesaria para que funcionen las cargas comerciales en el circuito, lo anterior permite
obtener un filtro de alto rendimiento, sin pérdidas en el transformador ni en el mismo y tener en
la carga, una señal senoidal lo más pura posible sin ningún componente de distorsión armónica.

Sin filtro LC en el voltaje de salida se presenta un factor de distorsión armónica (TDH) de

aproximadamente del 10% y una amplitud de superior a la deseada en el Vrms, por lo cual se
requiere la activación del filtro LC con el fin de corregir esta falla.

Para la calidad de los inversores por lo general se evalúan en términos de los parámetros de
rendimiento con THD. Para el mejoramiento de esto, se implementa un filtro LC. Los parámetros
del filtro son L=300µH y C=13.2µF, resultando en una frecuencia de corte de 2.5KHz la cual es
adecuada ya que la frecuencia de la señal portadora es de 20 kHz. (Gabriel Luna Mejía, 2018).

Figura 7. Puente Inversor Con filtro LC. Tomado de

http://galia.fc.uaslp.mx/lic/P1_09a.pdf
3.3 Proponga un método de regulación de la tensión y corriente de salida frente a la
distorsión armónica inyectada por la conexión de cargas no lineales.

Un método muy utilizado para la regulación de la tensión y corriente de salida frente a la

distorsión armónica inyectada por la conexión de cargas no lineales es la utilización de Filtros
Activos.
Los filtros activos o acondicionadores de armónicos activos cancelan los armónicos inyectando
corrientes armónicas exactamente iguales donde surgen. Este tipo de filtros reaccionan en tiempo
real (es decir, de forma activa) frente a los armónicos existentes para eliminarlos.
Son más eficaces y flexibles que los filtros pasivos, evitan sus inconvenientes ofreciendo un gran
rendimiento.

Figura 8. Filtro Activo

Las características del filtro activo son las siguientes:

Es flexible y se puede adaptar (posibilidad de configurar la acción) y reutilizar.
Es posible seleccionar órdenes de armónicos individuales para acondicionamiento.
No existe riesgo de sobrecargas, límites de acondicionamiento en la potencia nominal máxima,
aunque la alimentación de carga supere el valor nominal.
Se adapta automáticamente a todos los tipos de cargas, monofásicas y trifásicas.
Compatible con todas las disposiciones de conexión a tierra del sistema.
Corrección de factor de potencia.
Económico, cuando los armónicos están cortados por la mitad, las pérdidas se
reducen cuatro veces.
Se puede reutilizar en otras instalaciones.
Se puede actualizar con unidades conectadas en paralelo.

Pantallazos:
 Conclusiones

Se logró establecer el circuito driver para la etapa de potencia, profundizando en conceptos y el

funcionamiento de los diferentes elementos utilizados en el mismo.
Se realizó una explicación del funcionamiento y la importancia del circuito LC para la etapa de
filtrado.
 Bibliografía

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Zach Wendt. (4 de 10 de 2017). arrow.com. Obtenido de https://www.arrow.com/es-
mx/research-and-events/videos/inverter-vs-converter-vs-rectifier-vs-transformer