CAPÍTULO 3

BANDAS DE ENERGÍA Y PORTADORES DE CARGA EN SEMICONDUCTORES

En este capítulo empezamos a discutir los mecanismos específicos por los cuales fluye la corriente en un sólido. En el
trascurso de este vamos a aprender por qué algunos materiales son buenos conductores de la corriente eléctrica,
mientras que otros no son tan buenos conductores. Vamos a ver cómo la conductividad de un semiconductor se puede
variar cambiando la temperatura o el número de impurezas. Estos conceptos fundamentales de transporte de carga son
fundamentales para las discusiones posteriores en el comportamiento de los sólidos.

3.1 Fuerzas de enlace y bandas de energía en sólidos

En el Capítulo 2 se encontró que los electrones se distribuyen en conjuntos de niveles de energía dentro de los átomos.
Existen grandes diferencias entre las bandas de energía donde no hay estados de energía disponibles. De manera
similar, los electrones en los sólidos están restringidos a ciertos niveles de energía y no se permiten en otros niveles. La
diferencia básica entre la ubicación de un electrón en un sólido y de un electrón en un átomo aislado es que el sólido en
el electrón tiene un rango, o banda, de energías disponibles. Los niveles de energía del átomo aislado se extendien en
bandas de energía en el sólido, porque en el sólido las funciones de onda de los electrones en los átomos vecinos se
solapan, y un electrón no está necesariamente localizado en un átomo en particular. Así, por ejemplo, un electrón en la
órbita externa de un átomo siente la influencia de los átomos vecinos, y su función de onda general se altera. Natural-
mente, esta influencia afecta el término de energía potencial y las condiciones del límite en la ecuación de Schrödinger,
y esperaríamos obtener diferentes energías en la solución. Por lo general, la influencia de los átomos vecinos en los
niveles de energía de un átomo en particular pueden tratarse como una pequeña perturbación dando lugar al desplaza-
miento y la división de los estados de energía en las bandas de energía.

3.1.1 Fuerzas de enlace en los sólidos

La interacción de los electrones en los átomos vecinos de un sólido sirve como una función importante de mantener los
cristales juntos. Por ejemplo, los haluros alcalinos, tales como NaCl se caracterizan por la unión iónica. En la celdilla
unitaria del NaCl, cada átomo de Na está rodeado por seis átomos de Cl más cercano, y viceversa. Cuatro de los
átomos más cercanos son evidentes en la representación de dos dimensiones, que se muestra en la figura 3.1. La
estructura electrónica del Na (Z = 11) es [Ne] 3s-1 y Cl (Z = 17) tiene la estructura [Ne] 3s2 3p5. En la celdilla, cada
átomo de Na entrega sus 3s electrones exteriores a un átomo de Cl, de manera que el cristal se compone de iones con
las estructuras electrónicas de los átomos inertes Ne y Ar (Ar tiene la estructura electrónica [Ne] 3s2 3p6). Sin embargo,
los iones tienen cargas netas eléctricas tras el intercambio de electrones. El ion Na + tiene una carga neta positiva,
después de haber perdido un electrón, y el ion Cl– tiene una carga neta negativa, después de haber ganado un electrón.

Cada ion Na+ ejerce una fuerza de atracción electrostática sobre sus seis Cl – vecinos, y viceversa. Estas fuerzas
culómbicas tiran de la red juntas hasta que se alcanza un equilibrio con las fuerzas repulsivas. Un cálculo bastante
exacto de la separación atómica se puede hacer considerando los iones como esferas duras siendo atraídas (Ejemplo
3.1).

Una observación importante en la estructura del NaCl es que todos los electrones están estrechamente unidos a los
átomos. Una vez que los intercambios de electrones se han hecho entre el Na y Cl para formar los iones Na + y Cl–, las
órbitas exteriores de todos los átomos están completamente llenas. Puesto que los iones tienen las configuraciones de
capa cerrada de átomos inertes Ne y Ar, no hay electrones débilmente ligados participando en el flujo de corriente, y
como resultado, NaCl es un buen aislante.

En un átomo de metal el último nivel de energía está sólo parcialmente lleno, por lo general no tiene más de tres
electrones. Ya hemos observado que los metales alcalinos (por ejemplo, Na) tienen sólo un electrón en la órbita
externa. Este electrón se une débilmente y se da por vencido fácilmente en la formación de iones. Esto explica la gran
actividad química de los metales alcalinos, así como por su alta conductividad eléctrica. En un metal el electrón
exterior de cada átomo alcalino es cedido al cristal completamente, de modo que el sólido está hecho de iones con
capas cerradas inmersos en un mar de electrones libres. Las fuerzas de adherencia de la red surgen de una interacción
entre los núcleos de iones positivos y los electrones libres circundantes. Este es un tipo de enlace metálico.
Obviamente, hay diferencias complejas en las fuerzas de enlace de diversos metales, como lo demuestra la amplia
gama de temperaturas de fusión (234 K para Hg, 3.643 K para W). Sin embargo, el mar de electrones es común
denominador en los metales, y dichos electrones son libres de moverse sobre el cristal bajo la influencia de un campo
eléctrico.

Figura 3.1. Ejemplo de enlace iónico en NaCl Figura 3.2. Enlace covalente en el Si

Un tercer tipo de unión es exhibida por los semiconductores de red cristalina de diamante. Recordemos que cada átomo
en la red Ge, Si, o diamante C está rodeado por los cuatro átomos más próximos, cada uno con cuatro electrones en la
órbita externa. En estos cristales cada átomo comparte sus electrones de valencia con sus cuatro vecinos. El enlace
entre los átomos vecinos más cercanos se ilustra en la estructura reticular de diamante de la figura 3.2. Las fuerzas de
unión surgen de una interacción mecánica cuántica entre los electrones compartidos. Esto se conoce como enlace
covalente; donde cada par de electrones constituye un enlace covalente. En el proceso de intercambio ya no es
relevante preguntar cuál electrón pertenece a un determinado átomo, todos pertenecen a una unión. Los dos electrones
son indistinguibles, excepto que deben tener spín (giro) opuesto para satisfacer el principio de exclusión de Pauli. El
enlace covalente se encuentra también en ciertas moléculas, tales como H 2.

Como en el caso de los cristales iónicos, hay electrones libres que están disponibles para la red en la estructura del
diamante covalente de la figura 32. Mediante este razonamiento Ge y Si también debe ser dieléctricos. Sin embargo,
hemos descrito un retículo idealizado a 0 K en esta figura. Como veremos en las secciones siguientes, un electrón
puede ser térmica u ópticamente excitado en un enlace covalente y por lo tanto quedar libre para participar en la
conducción. Esta es una característica importante de los semiconductores.

Los compuestos semiconductores como GaAs tienen contacto mixto, en el cual las fuerzas de unión tanto iónicas como
covalentes participan. Algunos enlaces iónicos son de esperar en un cristal como lo es GaAs, por la diferencia en la
ubicación de Ga y As en la tabla periódica. El carácter iónico de la unión se hace más importante cuanto más separados
en la tabla periódica estén los átomos del compuesto. Tal estructura electrónica, y en concreto la idea de que la valencia
más externa (Shell) es completa si no tiene un conjunto estable de ocho electrones (Ne, Ar, Kr), es la base de la mayor
parte de la química y muchas de las propiedades semiconductoras.

3.1.2 Bandas de energía

Como los átomos aislados se unen para formar un sólido, las interacciones se producen entre diferentes átomos
vecinos, incluyendo los descritos en la sección anterior. Las fuerzas de atracción y repulsión entre los átomos
encuentran un equilibrio en la separación interatómica adecuado para el cristal. En el proceso, se producen cambios
importantes en las configuraciones de nivel de energía de electrones, y estos cambios dan lugar a las variadas
propiedades eléctricas de los sólidos.
En la figura 2.8, que mostró el modelo orbital de un átomo de Si, junto con los niveles de energía de los diversos
electrones, su potencial culómbico, y el núcleo. Centrémonos en la capa más externa o capa de valencia, n = 3, donde
dos y dos electrones 3s 3p interactúan para formar los cuatro electrones “hibridación” sp3 cuando los átomos se ubican
juntos. En la figura 3.2, se muestra esquemáticamente los pozos de potencial culombianos de dos átomos cercanos
entre sí, junto con las funciones de onda de dos electrones centrados en los dos núcleos. Al resolver la ecuación de
Schrödinger para un sistema con este tipo de interacción, nos encontramos con que las funciones de onda de dos
electrones compuestos son combinaciones lineales de los orbitales atómicos individuales (CLOA). La combinación
impar o antisimétrica se denomina antienlace orbital, mientras que la combinación par o simétrica es la unión orbital.
Se puede observar que el enlace orbital tiene mayor valor en la función de onda (y por lo tanto en la densidad de
probabilidad de electrones) que el estado de antiunión en la región entre los dos núcleos. Esto corresponde con el
enlace covalente entre los átomos.

Figura 3.2.Combinaciones lineales de orbitales atómicos (CLOA): La CLOA se da cuando se unen 2 átomos de 2 modos distintos –
uno “normal”–, la energía más alta de antienlace orbital, y una unión de menor energía orbital. Tenga en cuenta que la densidad de
probabilidad de electrones es alta en la región entre los núcleos de iones (unión covalente), lo que lleva a la reducción del nivel de
energía del enlace y la cohesión del cristal. Si en lugar de 2 átomos, se reúnen N átomos, habrá N distintas CLOA y N espaciados
en una banda secular de energía.

Para determinar los niveles de energía de la unión y los estados de antienlace, es importante reconocer que en la región
entre los dos núcleos la energía potencial culómbica V(r) es baja (línea continua en la figura 3.2) en comparación con
átomos aislados (líneas de trazos). Es fácil ver por qué la energía potencial se reduciría en esta región, dado que un
electrón en este caso sería atraído por dos núcleos, en lugar de sólo uno, para el estado de unión la densidad de
probabilidad de electrones es mayor en esta región de baja energía potencial que para el estado de antienlace. Como
resultado, el nivel de energía atómica aislado original, se dividiría en dos, un nivel de energía de enlace inferior y un
nivel superior antienlazante, es la reducción de la energía del estado de enlace que da lugar a la cohesión del cristal.
Para separaciones interatómicas aún más pequeñas, la energía del cristal sube debido a la repulsión entre los núcleos, y
otras interacciones electrónicas. Dado que la densidad de probabilidad está dada por el cuadrado de la función de onda,
si la totalidad de la función de onda es multiplicado por –1, esto no conduce a una cantidad de CLOA diferente. El
punto importante a destacar en este tema es que el número de distintas CLOA, y el número de niveles de energía
distintos, depende del número de átomos que son llevados juntos. El nivel de energía más bajo corresponde a la CLOA
totalmente simétrica, la más alta corresponde al caso totalmente asimétrico, y cualquier otra combinación a niveles de
energía en el medio.
Cualitativamente, podemos ver que a medida que los átomos se unen, la aplicación del principio de exclusión de Pauli
se vuelve importante. Cuando dos átomos están completamente aislados entre sí de modo que no hay interacción de las
funciones de onda de electrones entre ellos, pueden tener estructuras electrónicas idénticas. A medida que la separación
entre los dos átomos se hace más pequeña, sin embargo, las funciones de onda de electrones comienzan a soltarse. El
principio de exclusión establece que dos electrones en un sistema de interacción pueden tener el mismo estado
cuántico, por lo que debe haber un desdoblamiento de los niveles de energía de los átomos aislados a nuevos niveles
pertenecientes a la par en vez de a los átomos individuales.

Figura 3.3. Los niveles de energía en Si como una función de separación interatómica. Los niveles de núcleo (n = 1, 2) en Si
completamente llenos de electrones. En la separación atómica real del cristal, los electrones 2N en el subnivel 3s y los electrones
2N en el subnivel 3p se someten a hibridización sp3, y todos terminan en los estados 4N inferiores (banda de valencia), mientras
que los estados 4N mayores (banda de conducción) están vacíos, separadas por la brecha.

En un sólido hay muchos átomos que se unen, de modo que los niveles de energía se separan para formar esencial-
mente bandas continuas de energía. Como ejemplo, la figura 3.3 ilustra la formación imaginaria de un cristal
diamantino de átomos de carbono aislados. Cada átomo de silicio aislado tiene una estructura electrónica 1s2 2s2 2p6 en
el estado fundamental. Cada átomo tiene disponible dos estados 1s, dos estados 2s, seis estados 2p, y los estados
superiores (ver tablas 2.1 y 2.2). Si consideramos N átomos, habrá 2N, 2N, 6N, 2N y 6N estados de tipo 1s, 2s, 2p y 3s,
respectivamente. A medida que aumentan estos niveles de energía divididos en bandas disminuye el espaciamiento
interatómico, comenzando con el nivel exterior (n = 3). En la medida que los niveles de energía “2s” y “2p” crecen, se
funden en una sola banda compuesta de una mezcla de los niveles de energía. Esta banda de niveles “3 s – 3p” contiene
8N estados disponibles. Cuando la distancia entre los átomos se aproxima a la separación interatómica de equilibrio de
diamante, esta banda se divide en dos bandas separadas por una brecha de energía Eg. La banda superior (llamada la
banda de conducción) contiene 4N estados, al igual que lo hace la banda menor (de valencia). Así, además de la
reducción el cristal de diamante es fuertemente unido por el nivel “1s” y tiene dos bandas de energía disponibles,
separadas por una brecha de energía Eg, que no contiene niveles de energía permitidos para los electrones. Esta brecha
es a veces llamada “brecha de energía” ó “banda prohibida”, ya que en un cristal perfecto, no contiene estados de
energía de electrones.

Deberíamos hacer una pausa en este punto y contar electrones. Cuanto más bajo esta “1s”, la banda está mas llena de
los electrones 2N que originalmente residían en los estados colectivos 1s de los átomos aislados. Sin embargo, había
4N electrones originalmente en los átomos aislados en el nivel n = 3 (2N en estados 3s y 2N en estados 3p). Estos 4N
electrones deben ocupar los estados en la banda de valencia o la banda de conducción en el cristal. A 0 K los electrones
ocupan los estados de energía más bajos disponibles. En el caso del cristal de diamante, hay estados exactamente 4N en
la banda de valencia a disposición de los 4N electrones. Así, en 0 K, todos los estados de la banda de valencia se llenan,
mientras que la banda de conducción estará completamente vacía de electrones. Como se verá, esta disposición de
bandas de energía completamente llenas o vacías tiene un efecto importante en la conductividad eléctrica del sólido.

3.1.3 Metales, semiconductores y aislantes

Cada sólido tiene su propia estructura característica de banda de energía, esta variación en la estructura de la banda es
responsable de la amplia gama de características eléctricas observadas en varios materiales. La estructura de banda de
diamante de la figura 3.3, por ejemplo, puede dar una buena imagen de por qué el carbono en la red cristalina del
diamante es un buen aislante. Para llegar a tal conclusión. Debemos tener en cuenta las propiedades de las bandas de
energía completamente llenas o vacías en el proceso de conducción de la corriente.

Antes de discutir los mecanismos de flujo de corriente en los sólidos adicionales. Podemos observar que para que los
electrones experimenten aceleración en un campo eléctrico aplicado, deben ser capaces de moverse en nuevos estados
de energía. Esto implica que debe haber estados vacíos permitidos (estados de energía que no estén ya ocupados por
electrones) a disposición de los electrones. Por ejemplo, si los relativamente pocos electrones pueden residir en una
banda, hay otros estados desocupados disponibles en los cuales los electrones pueden moverse. Por otro lado, la
estructura del diamante es tal que la banda de valencia está completamente llena con electrones a 0 K y la banda de
conducción está vacía, no puede haber transporte de carga dentro de la banda de valencia, ya que no se dispone de
estados vacíos en la que los electrones puedan moverse. No existen electrones en la banda de conducción, por lo que no
hay transporte de carga allí. Así el carbono en la estructura del diamante tiene una alta resistividad típica de los
aislantes.

Los materiales semiconductores tienen básicamente la misma estructura que los aislantes, una de banda de valencia
separada de una banda de conducción vacía por un espacio de banda que no contiene estados de energía permitidos
(figura 3.4). La diferencia radica en el tamaño de la brecha de banda Eg, que es mucho menor en los semiconductores
que en aislantes. Por ejemplo, el silicio semiconductor tiene un espacio de banda de aproximadamente 1,1 eV en
comparación con 5 eV para el diamante. Los intervalos de banda son relativamente pequeños en semiconductores
(Apéndice III) para permitir la excitación de electrones desde la banda inferior (valencia) a la banda superior (conduc-
ción) por cantidades razonables de energía térmica u óptica. Por ejemplo, a temperatura ambiente un semiconductor
que tiene 1-eV en la brecha de banda tendrá un número significativo de electrones excitados térmicamente a través de
la brecha de energía en la banda de conducción, mientras que un aislante con Eg = 10 eV tendrá un número
insignificante de excitaciones. Así, que una diferencia importante entre semiconductores y aislantes es que el número
de electrones disponibles para la conducción se puede aumentar en gran medida en los semiconductores por energía
térmica u óptica.

En los Metales las bandas o bien se superponen o se llenan sólo parcialmente. Así, los electrones y los estados vacíos
de energía se entremezclan dentro de las bandas de modo que los electrones pueden moverse libremente bajo la
influencia de un campo eléctrico. Como era de esperar a partir de las estructuras de bandas metálicas de la Figura. 3-4,
los metales tienen una alta conductividad eléctrica.

3.1.4 Semiconductores Directos e Indirectos

El “experimento” de la sección 3.1.2, en la que los átomos aislados se unen para formar un sólido, es útil para señalar
la existencia de bandas de energía y algunas de sus propiedades. Otras técnicas se utilizan generalmente cuando los
cálculos cuantitativos son de estructuras de bandas. En un cálculo típico, un solo electrón se supone que viaja a través
de una red perfectamente periódica. La función de onda del electrón se supone que es en la forma de una onda plana en
movimiento, por ejemplo, en la dirección x con constante k de propagación, también llamado un vector de onda. La
función de onda espacio-dependiente para el electrón es:

Donde la función U(kx, X) modula la función de onda de acuerdo con la periodicidad de la celdilla.

En dicho cálculo. Valores permitidos de energía se pueden trazar contra la constante de propagación k. Dado que la
periodicidad de la mayoría de los retículos es diferente en distintas direcciones. El diagrama (E, K) debe establecerse
con respecto a las diferentes direcciónes de cristal, y la relación total entre E y k es una superficie compleja que debe
ser visualizada en tres dimensiones.

Figura 3.4. Estructuras típicas de banda a 0 K.

Figura 3.5. Transiciones electrónicas directas e indirectas en los semiconductores, (a) la transición directa con el acompañamiento
de emisión de fotones, (b) transición indirecta a través de un nivel de detección.

La banda estructural de GaAs tiene un mínimo en la banda de conducción y un máximo en la banda de valencia para el
mismo valor de k (k = 0). Por otra parte, el Si tiene en su banda de valencia a un valor máximo de k diferente que el
mínimo de la banda de conducción. Así, un electrón con una menor energía puede hacer una transición de la banda de
conducción a la banda de valencia en GaAs sin un cambio en el valor k; por el contrario, una transición desde el punto
mínimo en la banda conducción de Si hasta el punto máximo de la banda de valencia requiere algún cambio en k por lo
tanto, existen dos clases de bandas de energía de semiconductores: directos e indirectos (figura 3.5). Podemos
demostrar que una transición indirecta, que implique un cambio en k, requiere un cambio de impulso para el electrón.
Ejemplo 3.1

Suponiendo que U es constante en la ecuación (3.1) para un electrón esencialmente libre, mostrar que el componente x
de la fuerza de electrones en el cristal está dada por <Px> = hKx

Solución

De la ecuación (3.l).

Utilizando la ecuación (2-2) y el operador de momento.

Este resultado implica que (E, k) como se muestra en la figura 3-5 se puede considerar como fracciones de energía de
los electrones con respecto al impulso, con un factor de escala h.

Los semiconductores directos e indirectos se identifican en el Anexo III. En un semiconductor directo, como GaAs, un
electrón en la banda de conducción puede caer a un estado vacío en la banda de valencia, emitiendo la diferencia de
energía Eg como un fotón de luz. Por otro lado, un electrón en el mínimo de la banda de conducción de un semi-
conductor indirecto tal como Si no puede caer directamente en el máximo de la banda de valencia, sino que debe
someterse a un cambio de momento, así como a un cambio de su energía. Por ejemplo. Puede ir a través de algún
estado de detección (Et), dentro de la banda prohibida. Vamos a discutir estos estados en las secciones 4.2.1 y 4.3.2.
En una transición indirecta que implica un cambio en k, la energía se da generalmente en forma de calor a la red en
lugar de como un fotón emitido. Esta diferencia entre las estructuras de banda directa e indirecta es muy importante
para decidir qué semiconductores se pueden utilizar en dispositivos que requieren la salida de luz. Por ejemplo,
emisores de luz semiconductores (Sección 6.4) y láser (Capítulo 10) en general, deben estar hechos de materiales
capaces de transición directa de banda a banda o de materiales indirectos con transiciones verticales entre estados de
defecto.

Diagramas de banda tales como los mostrados en la figura 3.5 son engorrosos para dibujar en el análisis de los disposi-
tivos, y no proporcionan una visón de la variación de la energía de los electrones con la distancia en la muestra. Por lo
tanto, en la mayoría de las discusiones que en las que se utilicen imágenes sencillas de banda tales como las mostradas
en la figura 3-4, se debe recordar que las transiciones de electrones a través de la brecha de banda pueden ser directas o
indirectas.

3.1.5 Variación de bandas de energía con una composición de la aleación

Aleaciones ternarias y cuaternarias varían sobre sus rangos de composición (véanse las secciones 1.2.4 y 1.4.1) y su
estructura de bandas. Por ejemplo, la fig. 3-6 ilustra la estructura de bandas de GaAs y AlAs, y la forma en que el
cambio de bandas con x de composición en el compuesto ternario Al x, Ga1–xAs. El compuesto binario GaAs es un
material directo, con un intervalo de banda de 1,43 eV a temperatura ambiente. Como referencia, llamamos a la banda
de conducción directa mínimo T (K = 0). Hay también dos mínimos en la banda de conducción del GaAs de mayor
apariencia indirecta, pero estos estados no son lo suficientemente mayores que T, son pocos los electrones que residen
allí (hablamos de una excepción importante en el capítulo 12 en la que un alto campo de excitación indirecta de
electrones presta para el efecto arma). Llamamos a los de GaAs baja apariencia L, indirecto mínimo, y el otro X. En
aleaciones el mínimo T directo, es mucho mayor que el mínimo X indirecto. Y este material es por lo tanto indirecto
con un intersticio de banda de 2,16 eV a temperatura ambiente.

En la aleación ternaria Al x, Ga1–xAs, los mínimos de banda de conducción se mueven hacia arriba con relación a la
banda de valencia, como la composición X varía de 0 (GaAs) a 1 (AlAs). Sin embargo, el mínimo X indirecto se
mueve hacia arriba en menor medida que el otro, y para la composición por encima de aproximadamente 38 por ciento
de Al este mínimo indirecto se convierte en la banda de conducción a menor altura. Por lo tanto, la aleación ternaria
AlGaAs es un semiconductor directo para las composiciones de Al en la columna III hasta alrededor de 38 por ciento, y
es un semiconductor indirecto para mayores cantidades de Al. La banda de energía Eg se muestra en color en la figura
3.6 (c).

La variación de las bandas de energía para la aleación ternaria GaAs1–xPx es generalmente similar a la de AlGaAs como
se muestra en la figura 3.6. GaAsP es un semiconductor directo desde GaAs hasta GaAs ,55P,45 y es indirecto de esta
composición hasta GAP (ver fig.6.19). Este material se utiliza a menudo en LEDs visibles.

Figura 3.6. Variación de las bandas de conducción directa e indirecta en AlGaAs igual que en función de la composición: (a) El
diagrama (E, k) para GaAs, mostrando tres mínimos en la banda de conducción; (b) AlAs como diagrama de banda;
 Figura 3.6.c. Las posiciones de los mínimos de la banda de conducción en tres Al xGa1–xAs a medida que x varía sobre las
composiciones de GaAs (x = 0) a AlAs (x = 1). La brecha más pequeña, banda Eg, por ejemplo (se muestra en color), sigue el
directo de la banda para x = 0,38, y luego sigue a la banda x indirecta.

Dado que la emisión de luz es más eficaz para los materiales directos, en la que los electrones pueden caer de la banda
de conducción a la banda de valencia sin cambiar k (y por lo tanto sin impulso). Los leds en GaAsP se hacen
generalmente de material con una composición menos de x = 0,45. Por ejemplo, los leds rojos en la mayoría de este
material se realizan en aproximadamente x = 0,4, donde el mínimo T es todavía el borde de conducción situado a
menor altura en la banda, y donde el fotón que resulta de una transición directa de esta banda a la banda de valencia
está en la porción roja del espectro (aproximadamente 1,9 V e). El uso de impurezas para mejorar la recombinación
radioactiva en material indirecto se discute en la Sección 6.4.
3.2 Portadores de Carga en Semiconductores

El mecanismo de conducción de la corriente es relativamente fácil de visualizar en el caso de un metal, los átomos
metálicos están incorporados en un “mar” de electrones relativamente libres, y estos electrones pueden moverse como
un grupo bajo la influencia de un campo eléctrico. Desde este punto de vista el electrón libre está muy simplificado,
pero muchas propiedades de conducción importantes de metales se pueden derivar de tal modelo. Sin embargo, no se
puede dar cuenta de todas las propiedades eléctricas de los semiconductores de esta manera.

Dado que el semiconductor tiene una banda de valencia, banda de conducción y vacío a 0 K, debemos tener en cuenta
el aumento de los electrones de la banda de conducción por excitaciones térmicas a través de la brecha de banda a
medida que se eleva la temperatura. En adición, al tener electrones sobre excitados en la banda de conducción, los
estados vacíos que quedan en la banda de valencia pueden contribuir al proceso de conducción. La introducción de
impurezas tiene un efecto importante sobre la estructura de banda de energía y de la disponibilidad de portadores de
carga. Por lo tanto existe una considerable flexibilidad en el control de las propiedades eléctricas de los
semiconductores.

3.2.1 Electrones y Huecos

Cuanto mas se eleva la temperatura de un semiconductor desde 0 K, en algunos electrones la banda de valencia recibe
suficiente energía térmica para desplazarse en toda la brecha de la banda de conducción. El resultado es un material
con algunos electrones en un lado de conducción por lo demás vacía y algunos estados no ocupados en una banda de
valencia llena en otro caso (Figura. 3.7). Por conveniencia, un estado de vacío en la banda de valencia se conoce como
un agujero o hueco. Si la banda de conducción de electrones y el agujero se crean por la excitación de un electrón de la
banda de valencia a la banda de conducción, se llaman un par Electrón-Hueco (abreviado EHP).

Después de la excitación a la banda de conducción, un electrón está rodeado por un gran número de estados energéticos
desocupados. Por ejemplo, el número de equilibrio de pares electrón-hueco en Si puro a temperatura ambiente es de
sólo 1010 EHP /cm3, en comparación con la densidad de átomos de Si que es de el orden de 10 22 átomos/cm3.

Figura 3.7. Pares electrón-hueco en un semiconductor.

Así, pocos electrones en la banda de conducción son libres de moverse a través de los muchos estados vacíos
disponibles.

El problema correspondiente de transporte de la carga en la banda de valencia es algo más complicado. Sin embargo, es
posible demostrar que los efectos de la corriente en una banda de valencia que contiene orificios se pueden explicar
simplemente por hacer el seguimiento de los propios agujeros.

En una banda llena, todos los estados energéticos disponibles están ocupados. Por cada electrón que se mueve con una
velocidad dada, hay un movimiento de los electrones igual y opuesto en otra parte de la banda. Cuando se aplica un
campo eléctrico, la corriente neta es cero porque para cada j electrón que se mueve con velocidad v, hay un
correspondiente j electrón con velocidad -v. La Figura 3-8 ilustra este efecto en términos del vector de energía de
electrones con respecto a la onda para la banda de valencia. Dado que k es proporcional al impulso de electrones, está
claro que los dos electrones están en sentidos y velocidades opuestos. Con N electrones/cm 3 en la banda que expresar la
densidad de corriente usando una suma sobre todas las velocidades de electrones, e incluyendo la carga q en cada
electrón. En una unidad de volumen.

J= (3.2a)

Ahora bien, si se crea un orificio mediante la eliminación de la j-ésima parte de electrones, la densidad de corriente
neta en la banda de valencia implica la suma sobre todas las velocidades, menos la contribución del electrón que hemos
eliminado,

J= (3.2b)

Sin embargo, el primer término de la ecuación. (3.2a) es cero. Así, la actual J neta es de + qVj. En otras palabras, la
contribución de corriente del orificio es equivalente a la de una partícula cargada positivamente con la velocidad Vj, la
del electrón que falta.

Figura 3-8. Una banda de valencia llena con todos los Estados, incluidos los Estados j y j’. El j-ésimo electrón con
vector de onda k, se combina con un electrón en j' con la onda vectorial opuesta -k. No hay ninguna red de corriente en
la banda a menos que un electrón se retire. Por ejemplo, si el electrón j-ésimo se retira, el movimiento del electrón en j’
ya no está compensado.

Por supuesto, el transporte de la carga es, en realidad, debido al movimiento de la ahora no compensado de electrones
(j). Su contribución actual (–q) (–Vj) es equivalente a la de una partícula cargada positivamente con la velocidad +vj.
Por simplicidad, se acostumbra a tratar los estados vacíos en la banda de valencia como portadores de carga con carga
positiva y masa positiva. En todos los siguientes debates nos concentraremos en los electrones en la banda de
conducción y en los agujeros en la banda de valencia. Podemos representar el flujo de corriente en un semiconductor
por el movimiento de estos dos tipos de portadores de carga. Sacamos bandas de valencia y de conducción en una
energía E, en escala de electrones, como en la figura 3.8. Sin embargo, debemos recordar que en la banda de valencia,
la energía de un agujero aumenta en sentido opuesto a la energía de electrones, ya que las dos partículas tienen carga
opuesta. Así, la energía aumenta en el agujero hacia abajo , como en la figura 3.8, y agujeros, buscando el estado de
menor energía disponible, se encuentran generalmente en la parte superior de la banda de valencia. En contraste, los
electrones de banda de conducción se encuentran en la parte inferior de la banda de conducción.

3.2.2 Masa Efectiva

Los electrones en un cristal no están completamente libres, sino que interactúan con el potencial periódico de la red.
Como resultado, de su “onda-partícula” de movimiento no se puede esperar que sea la misma que para los electrones
en el espacio libre. Por lo tanto, al aplicar las ecuaciones usuales de la electrodinámica, las de de cobrar los portadores
en un sólido, debemos utilizar los valores alterados de la masa de partículas. De este modo, tenemos en cuenta la
mayoría de las influencias de la red, de forma que los electrones y los huecos pueden ser tratados como portadores
“casi libres” en la mayoría de los cálculos. El cálculo de la masa eficaz debe tener en cuenta la forma de las bandas de
energía en tres dimensiones del espacio k, tomando las medidas apropiadas sobre las bandas de energía diferentes.

Ejemplo 3.2

Encontrar la relación (E, k) para un electrón libre y se referirse a la masa del electrón.

Solución

A partir del ejemplo 3.1. El impulso de electrones es p = m·v = h·k. Entonces

E=

Así, la energía de los electrones es parabólica con vector de onda k. La masa del electrón es inversamente proporcional
a la curvatura (segunda derivada) de la relación (E, k), ya

Aunque los electrones en los sólidos no son libres, bandas más energéticas están cerca de sus mínimos en parabólico
(para bandas de conducción) o máximos (para las bandas de valencia).

También podemos obtener masa efectiva aproximada cerca de los extremos de la banda de la curvatura de la banda.

La masa efectiva de un electrón en una banda con un dado (E, k) viene dada por la relación

(3.3)

Así, la curvatura de la banda determina la masa efectiva de electrones. Por ejemplo, en la figura 3.6a es evidente que la
masa del electrón eficaz en GaAs es mucho más pequeña en la banda de conducción directa T (fuerte curvatura) que en
el L o X mínimos (curvatura más débil, menor valor en el denominador de la expresión m*).

Para una banda centrada en k = 0 (tal como la banda T en GaAs), el (E, K). Cerca de la relación mínima es
generalmente parabólico:

(3.4)

Comparando esta relación a la ecuación (3.3) se ve que la masa efectiva m* es constante en una banda parabólica. Por
otro lado, muchas bandas de conducción tienen relaciones (E, k) complejas que dependen de la dirección de transporte
de electrones con respecto a las direcciones principales de cristal. En este caso, la masa efectiva es una cantidad
tensorial. Sin embargo, podemos utilizar promedios adecuados de los grupos de este tipo en la mayoría de los cálculos.
Una característica particularmente interesante de las figuras 3.5 y 3.6 es que la curvatura es positiva en el mínimo de la
banda de conducción, pero es negativa en los máximos de banda de valencia. Por lo tanto, los electrones cerca de la
parte superior de la banda de valencia tienen masa efectiva negativa, de acuerdo con ecuación (3.3). Los electrones de
valencia de la banda con carga negativa y movimiento de masa negativo en un campo eléctrico en la misma dirección
que los agujeros con carga positiva y masa positiva. Como se discutió en la sección 3.2.1, se puede explicar completa-
mente para el transporte de carga en la banda de valencia, considerando movimiento de agujeros.

En cualquier cálculo que implica la masa de los portadores de carga, debemos utilizar los valores eficaces de
comunicación para el material particular en cuestión. La Tabla 3.1 enumera las masas efectivas para Ge, Si, y GaAs
Según sea apropiado para el tipo de cálculo. En esta tabla y en todos los debates posteriores, la masa efectiva de
electrones es y se denota la masa del agujero efectiva como mp*. El subíndice n indica el electrón como un portador
de carga negativa, y el subíndice p indica el agujero como un portador de carga positivo.

TABLA 3.1. Valores eficaces de comunicación para Ge, Si, y GaAs. La masa del electrón libre es m0. Esto son valores
promedio para la masa efectiva, adecuada para su uso en el cálculo de la densidad de estados de la Sección 3.3.2;
Tienen en cuenta el número de bandas equivalentes en cada material (4 valles equivalentes a banda de conducción en
Ge, 6 en Si). Un promedio diferente se utiliza para los valores de masa efectiva en los cálculos de conductividad.

Ge Si GaAs
m n* 0,55 m0 1,1 m0 0,067 m0
m p* 0,37 m0 0,56 m0 0,48 m0
3.2.3 Materiales Intrínsecos

Un cristal semiconductor perfecto sin impurezas o defectos en la red se llama un semiconductor intrínseco. En tal
material no hay portadores de carga a 0 K, es decir que la banda de valencia está llena de electrones y la banda de
conducción está vacía. A temperaturas más altas pares electrón-hueco se generan en la medida que electrones de
valencia de la banda se excitan térmicamente a través de la brecha de banda hacia la banda de conducción. Estos EHPs
son los únicos portadores de carga en el material intrínseco.

La generación de EHPs puede ser visualizado de forma cualitativa considerando la ruptura de los enlaces covalentes en
la red cristalina (figura 3.9). Si uno de los electrones de valencia se sale de su posición en la estructura de unión de tal
manera que queda libre para moverse en la red, un electrón de conducción se crea y un enlace roto (agujero) se queda
atrás. La energía necesaria para romper el enlace es la banda prohibida Eg de energía. Este modelo ayuda a visualizar el
mecanismo físico de la creación de EHP, pero el modelo de bandas de energía es más productivo en cuanto al cálculo
cuantitativo. Una dificultad importante en el modelo de “enlace roto” es que el electrón libre y el agujero parecen
engañosamente localizados en la red. En realidad, la posición de un electrón libre y el agujero se extienden por varios
espaciamientos de red y se debe considerar la mecánica cuántica por distribuciones de probabilidad (ver sección 2.4).

Dado que los electrones y los huecos se crean en pares, la banda de conducción electrónica de la concentración de N
(electrones/cm3) es igual a la concentración de huecos en la banda de valencia P (orificios por cm3). Cada una de estas
concentraciones de portadores intrínsecos se refiere comúnmente así, por material intrínseco:
 Figura 3.9. Pares electrón-hueco en el modelo de enlace covalente del cristal de Si.

A una temperatura dada hay una cierta concentración de pares electrón-hueco. Obviamente, si una concentración de
portadores se mantiene, debe haber recombinación de EHPs a la misma velocidad a la que se generan. La
recombinación tiene lugar cuando un electrón en la banda de conducción hace una transición (directa o indirecta) a un
estado vacío (agujero) en la banda de valencia, por lo que termina la pareja. Si denotamos la tasa de generación de
EHPs como. (EHP / cm3·s) y la velocidad de recombinación como ri, el equilibrio que requiere es:

r i = gi (3.6)

Cada uno de estos tipos depende de la temperatura. Por ejemplo, gi (T) aumenta cuando se eleva la temperatura, y una
concentración de portadores nueva se establece de tal manera que la tasa de recombinación más alta ri (T) sólo
equilibra la generación.

A cualquier temperatura, se puede predecir que la tasa de recombinación de electrones y huecos es proporcional a la
concentración de equilibrio de los electrones n0 y la concentración de huecos P0:

(3.7)

El factor es una constante de proporcionalidad que depende del mecanismo particular por el que tiene lugar la
recombinación. Discutiremos el cálculo de como una función de la temperatura en la sección 3.3.3; procesos de
recombinación será discutido en el capítulo 4.1

3.2.4 Materiales Extrínsecos

Además de los portadores intrínsecos generados térmicamente, es posible crear portadores en los semiconductores por
la introducción deliberada de impurezas en el cristal. Este proceso, llamado dopaje, es la técnica más común para la
variación de la conductividad de los semiconductores. Por dopaje, un cristal puede ser alterado de manera que tiene un
predominio de electrones o agujeros. Así, hay dos tipos de semiconductores dopados, de tipo n (en su mayoría
electrones) y de tipo p (en su mayoría agujeros). Cuando un cristal se dopa de manera que las concentraciones de
portadores en equilibrio son diferentes de la concentración de portadores intrínsecos, el material se dice que es
extrínseco.

Cuando las impurezas o defectos en la red se introducen en un cristal perfecto, los niveles adicionales se crean en la
estructura de bandas de energía, por lo general dentro de la banda prohibida. Por ejemplo, una impureza de la columna
V de la tabla periódica (P, As, y Sb) presenta un nivel de energía muy cerca de la banda de conducción en Ge o Si. Este
nivel se llena con electrones a 0 K, y la energía térmica que se requiere para excitar estos electrones a la banda de
conducción (Figura. 3-l0) es poca. Así, en alrededor de 50-100K prácticamente todos los electrones en el nivel de
impurezas son “donados” a la banda de conducción. Tal nivel de impurezas se denomina un nivel donante, y las
impurezas de la columna V en Ge o Si se llaman impurezas donantes. Desde la figura 3.l0 observamos que el material
dopado con impurezas donantes puede tener una considerable concentración de electrones en la banda de conducción,
incluso cuando la temperatura es demasiado baja para que la concentración de EHP intrínseca sea apreciable. Así
semiconductores dopados con un número significativo de átomos donadores tendrán conductividad a temperatura
ambiente. Esto es un material de tipo N.
 Figura 3.10. La donación de electrones a partir del nivel de los donantes a la banda de conducción.

Los átomos de la columna III (B, Al, Ga, y In) introducen los niveles de impureza en Ge o Si cerca de la banda de
valencia. Estos niveles están vacíos de electrones a 0 K (Figura. 3.11). A bajas temperaturas, la energía térmica
suficiente para excitar electrones desde la banda de valencia en el nivel de impurezas está disponible, dejando detrás
agujeros en la banda de valencia. Dado que este tipo de nivel de impureza “acepta” los electrones de la banda de
valencia, se llama un nivel aceptor, y las impurezas de la columna III son impurezas aceptoras en Ge y Si. Como la
(Figura. 3-11) indica, el dopaje con impurezas aceptoras puede crear un semiconductor con una concentración de
huecos mucho mayor que de electrones(esto es tipo-P de un material).

En el modelo de unión covalente átomos, donante y aceptor puede ser visualizado como se muestra en la (Figura 3-12).
Un átomo de Sb (columna V) en la red de Si tiene los electrones de valencia cuatro necesarios para completar los
enlaces covalentes con los átomos de Si vecinos, más un electrón extra.

Figura 3.11. Aceptación de la banda de valencia de electrones por un nivel aceptor, y la consiguiente creación de agujeros.

Figura 3.12. Donante y aceptor de átomos en El modelo de unión covalente de un cristal de Si.

El quinto electrón no se enlaza en la unión estructural de la red y por lo tanto es unido débilmente al átomo de Sb. Una
pequeña cantidad de energía térmica permite que este electrón extra para supere su unión culómbica al átomo de
impureza y se done a la red como un todo. Por lo tanto es libre de participar en la conducción de corriente. Este
proceso es un modelo cualitativo de la excitación de electrones de un donante y el nivel en la banda de conducción
(Figura. 3-10). Del mismo modo, la columna III (A1) como impureza tiene sólo tres electrones de valencia para
contribuir a la unión covalente (Figura. 3-12), lo que deja un enlace incompleto. Con una pequeña cantidad de energía
térmica, esta unión incompleta puede ser transferida a otros átomos en la medida que las posiciones de enlace
intercambien electrones. Una vez más, la idea de el salto de un electrón de un enlace adyacente, deja un enlace
incompleto en el sitio de Al proporciona la penetración física en el comportamiento sonoro de un aceptor, pero el
modelo de la (figura 3.11) es preferible para la mayoría de las discusiones.

Podemos calcular simplemente la energía aproximada requerida para excitar el quinto electrón de un átomo donante en
la banda de conducción (la energía de unión donante). Supongamos por cálculos aproximados que el átomo de Sb de la
(figura 3.12) tiene sus cuatro electrones de enlace covalente fuertemente unidos y el quinto electrón “extra” libremente
al átomo. Podemos aproximar esta situación mediante el uso de los resultados del modelo de Bohr, teniendo en cuenta
el electrón débilmente ligado como va estrechamente unido sobre los “principales” electrones en una órbita similar al
hidrógeno. Desde la ecuación (2.15) la magnitud de la energía del estado fundamental (n = 1) de tal electrón es:
 (3-8)

El valor de K debe ser modificado a partir del valor de espacio libre utilizado el problema átomo de hidrógeno a

(3-9)

Donde εr es la constante dieléctrica relativa del material semiconductor. En adición, hay que utilizar la masa efectiva
mn* típica de los semiconductores.
Ejemplo 3.2. Calcular la energía donante aproximada vinculante para Ge (

SOLUCIÓN a partir de la ecuación. (3-8) y el Apéndice II que tenemos

Así, la energía necesaria para excitar el donador de electrones desde el estado n = 1 para el estado libre (n = ∞) es igual
a 6 meV. Esto corresponde a la diferencia de energía en la (Figura. 3-10) y está de acuerdo con los valores reales
medidos.

En general, los niveles donantes de la columna V se encuentran aproximadamente 0,01 eV por debajo de la banda de
conducción en Ge, y los niveles aceptores de la columna III sobre 0,01 eV por encima de la banda de valencia. El
donante habitual y los niveles aceptores se acercan al rango de 0,03 – 0,06 eV de los bordes de una banda.

En los compuestos III-V, la columna VI son impurezas que pueden ocupar sitios de columna V, que sirven como
donantes. Por ejemplo, S. Se. Y Te son donantes en Ga As, ya que sustituyen a medida y proporcionan un electrón extra
en comparación con la medida por átomo. Del mismo modo, las impurezas de la columna II (Be. Zn. Cd) son sustituto
de átomos de columna III para formar aceptores en los compuestos III-V. Un caso más ambiguo surge cuando un
material III-V está dopado con Si o Ge, de la columna IV. Estas impurezas se denominan anfótero, lo que significa que
de Si o Ge pueden servir como donantes o aceptores dependiendo de si residen en la columna III o columna de subred
V del cristal. Es común para las impurezas de Si ocupar sitios de Ga. Puesto que el Si tiene un electrón extra en
comparación con el Ga que reemplaza, sirve como un donante, sin embargo, un exceso de vacantes que se produzcan
durante el procesamiento de GaAs puede causar que impurezas de Si ocupen sitios donde sirven como aceptores.

La importancia del dopaje se hará evidente cuando hablamos de dispositivos electrónicos hechos de uniones entre
semiconductores de tipo P y tipo N. La medida en que el dopaje controla las propiedades electrónicas de los
semiconductores puede ser ilustrada aquí al considerar los cambios en la resistencia de la muestra que se producen con
el dopaje. En Si, por ejemplo, la concentración ni es de aproximadamente 1010 cm–1 portadores intrínsecos a
temperatura ambiente. Con el dopaje de (Si) con átomos de Sb/ cm 3 es de 1015/cm3, los cambios de concentración de
electrones con conducción es de cinco órdenes de magnitud, el cambio de resistividad de (Si) es de aproximadamente
2×105 Ω-cm a 5 Ω-cm con este dopaje.

Cuando un semiconductor está dopado de tipo N o de tipo P, domina un tipo de portador. En el ejemplo dado
anteriormente, los electrones de la banda de conducción superan en número a los orificios de la banda de valencia en
muchos órdenes de magnitud. Nos referimos al pequeño número de agujeros en material de tipo N como portadores
minoritarios y el número relativamente grande de electrones de la banda de conducción como portadores mayoritarios.
De manera similar, los electrones son los portadores minoritarios en el material de tipo P, y los agujeros son los
portadores mayoritarios.

3.2.5 Los Electrones y Huecos en Pozos Cuánticos

Hemos discutido con valores de los niveles de energía de la banda prohibida resultantes de dopaje, y un continuo de
estados permitidos en la bandas de valencia y de conducción Una tercera posibilidad es la formación de niveles de
electrones y huecos como resultado del confinamiento mecánico cuántico.

Una de las aplicaciones más útiles de MBE u OMVPE de semiconductores compuestos de múltiples capas, tal como se
describe en la Sección 1.4, es el hecho de que un cristal único continuo que se puede cultivar en el que las capas
adyacentes tienen diferentes entalladuras en la banda. Por ejemplo. La (figura. 3.13) muestra la variación espacial en
bandas de conducción y de valencia para una estructura de múltiples capas en las que se intercala una capa muy fina de
GaAs entre dos capas de AlGaAs, la cual tiene una brecha de banda más ancha que el GaAs. Se discutirán los detalles
de tales heterouniones (uniones entre materiales disimilares) en la sección 5.8. Es interesante señalar aquí, sin embargo,
que una consecuencia de los electrones y los huecos de confinamiento en una capa muy delgada es que estas partículas
se comportan de acuerdo con la partícula en un pozo de potencial problema, con los estados cuánticos calculados en el
punto 2.4.3; Por lo tanto, en lugar de tener el continuo de estados normalmente disponibles en la banda de conducción,
los electrones de la banda de conducción en el material estrecho-boquete se limitan a los estados cuánticos como se
describe por la ecuación (2.33), modificada por la masa y altura barrera finita. Del mismo modo, los estados de la
banda de valencia disponibles para los agujeros están restringidos a los niveles en el pozo cuántico. Esta es una de las
más claras demostraciones de los resultados de la mecánica cuántica en el capítulo 2. Desde un punto de vista práctico
en dispositivos, la formación de estados cuánticos discretos en la capa de GaAs de la (Figura 3.13) cambia la energía
con la que los fotones pueden ser emitidos. Un electrón en uno de los estados discretos de banda de conducción (E1 en
la Figura. 3-l3) puede hacer una transición a un estado vacío en la banda de valencia en el pozo cuántico de GaAs
(como Eh), emitiendo un fotón de energía superior a la GaAs en la banda prohibida. Los láseres semiconductores se
han hecho de forma que dicho pozo cuántico se utiliza para elevar la energía de la transición desde el infrarrojo, típico
de GaAs, a la porción roja del espectro. Veremos otros ejemplos de pozos cuánticos en dispositivos semiconductores en
capítulos posteriores, incluidas las aplicaciones de electrones a través de tales estados cuánticos.

Figura 3-13. Discontinuidades de energía de banda de una fina capa de GaAs intercalado entre capas amplias de
AlGaAs. En este caso la región de GaAs es tan delgada que los estados cuánticos se forman en la bandas de valencia y
de conducción. Los electrones en la banda de conducción del GaAs residen en estados “partícula en un pozo de
potencial” como se muestra aquí, más que en los estados habituales de la banda de conducción. Agujeros en el pozo
cuántico ocupan similares estados discretos, tales como Eh.

3.3 Concentraciones de Portadores

En el cálculo de las propiedades eléctricas de semiconductores y análisis de comportamiento de los dispositivos, a

menudo es necesario conocer el número de portadores de carga por cm 3 en el material. La concentración de portador
mayoritario es generalmente evidente en el material dopado fuertemente, ya que una mayoría portadora se obtiene para
cada átomo de impureza (para las impurezas dopantes estándar). La concentración de portadores minoritarios no es
evidente, sin embargo, ni lo es la dependencia de la temperatura de las concentraciones de portadores.
Para obtener las ecuaciones de las concentraciones de portadores debemos investigar la distribución de portadores a
través de los estados de energía disponibles. Este tipo de distribución no es difícil de calcular, pero la derivación
requiere cierta formación en métodos estadísticos. Desde que se ocupan principalmente aquí con la aplicación de estos
resultados a los materiales y dispositivos semiconductores, se aceptará la función de distribución como dada.

3.3.1 Nivel de Fermi

Los electrones en los sólidos obedecen a estadísticas Fermi-Dirac. En el desarrollo de este tipo de estadísticas, se debe
considerar la indistinción de los electrones, su naturaleza ondulatoria, y el principio de exclusión de Pauli. El resultado
es bastante simple por estos argumentos estadísticos, y es que la distribución de los electrones en un rango de niveles
de energía permitidos en equilibrio térmico es

f (E) = (3.10)

donde K es la constante de Boltzmann (K = 8,62 × eV/K = 1,38 × J/K). La función f (E), la función de distribución de
Fermi-Dirac, da la probabilidad de que un estado de energía disponible en E será ocupado por un electrón a la
temperatura absoluta T. La cantidad se llama el nivel de Fermi, y representa una importante cantidad en el análisis del
comportamiento de un semiconductor. Nos damos cuenta de que, para una energía E igual a la energía nivel de Fermi,
la probabilidad de ocupación es

f( ) = [ 1+ ]-1 = = (3.11)

Así, un estado de energía en el nivel de Fermi tiene una probabilidad de ½ de ser ocupados por un electrón.

Un examen más detenido de f (E) indica que a 0 K la distribución toma la forma rectangular simple como se muestra en
la figura. 3-14. Con T = 0 en el denominador de la exponente f (E) es 1 / (1 + 0) = 1 cuando el exponente es negativo (E
< Ef), y es 1/(1 + ∞) = 0 cuando el exponente es positivo (E > Ef). Esta distribución rectangular implica que en cada
estado hay energía disponible hasta que está lleno de electrones, y por encima de todos los estados están vacíos.

A temperaturas superiores a 0 K, existe cierta probabilidad de estados por encima del nivel de Fermi para ser llenados.
Por ejemplo, a T = T1, en la (Figura. 3-14) hay una cierta probabilidad f (E) que los estados anteriores Ef se llenen, y
hay una probabilidad correspondiente [1 – f (E)] que indica cuantos están vacíos. La función de Fermi es simétrica
respecto a Ef en todas las temperaturas (Prob. 3.4), es decir, la probabilidad f (Ef – ΔE) que un estado ΔE anterior Ef
esté colmado es la misma que la probabilidad [1 – f (Ef – ΔE)] que un estado ΔE abajo esté Ef vacío. La simetría de la
distribución de estados de Ef vacío y lleno, hace que el nivel de Fermi sea un punto de referencia natural en los cálculos
de las concentraciones de electrones y agujeros en los semiconductores.

En la aplicación de la distribución de Fermi-Dirac a los semiconductores, hay que recordar que f (E) es la probabilidad
de ocupación de un estado disponible en E. Así, si no hay ningún estado disponible en E (por ejemplo, en la banda
prohibida de un semiconductor), no existe la posibilidad de encontrar un electrón allí. La mejor manera de visualizar la
relación entre f (E) y la estructura de bandas es girando el diagrama f (E) contra E en su lado de manera que la escala E
corresponde a las energías de la banda de diagrama (Fig. 3.15). Para el material intrínseco sabemos que la
concentración de huecos en la banda de valencia es igual a la concentración de electrones en la banda de conducción.
Por lo tanto, el nivel de Fermi Ef) debe estar en el centro de la brecha de banda en material intrínseco.
Figura 3-14 La distribución de la función Fermi-Dirac.

(a) material intrínseco;

(b) material tipo N;
(c) material tipo P.

Figura 3-15 La función de distribución de Fermi se aplica a los semiconductores:

Ya que f (E) es simétrico alrededor de, la probabilidad de electrones “cola” de f (E) que se extiende en la banda de
conducción de la (Figura 3.15a) es simétrico con la cola probabilidad agujero [1– f (E)] en la banda de valencia. La
función de distribución tiene valores dentro del intervalo de banda entre, pero no existen estados de energía disponible,
y no hay resultados de ocupación de electrones de f (E) en este intervalo.

Las colas en f (E) están exagerados en (Figura 3-l5) a efectos ilustrativos. En realidad, la probabilidad de los valores de
Ev y Ec son bastante pequeñas para material intrínseco a temperaturas razonables. Por ejemplo, en Si a 300 K, n = pi ≈
1010/cm3, mientras que las densidades de los estados disponibles en Ev y Ec están en el orden de 1019 /cm3. Así, la
probabilidad de ocupación f (E) de un estado individual en la banda de conducción y la probabilidad orificio [1 – f (E)]
para un estado en la banda de valencia son bastante pequeñas. Debido a la densidad relativamente grande de n estados
cada banda, los pequeños cambios en f (E) puede dar lugar a cambios significativos en la concentración de portadores.
En el material de tipo n existe una alta concentración de electrones en la banda de conducción en comparación con la
concentración de huecos en la banda de valencia (Figura. 3-10). Así, en material de tipo n de la función de distribución
f(E) debe estar por encima de su posición intrínseca en la escala de energía (fig. 3-15b) Puesto que f(E) mantiene su
forma para una temperatura determinada, la mayor concentración de electrones en Ec en material de tipo n implica a
una concentración agujero correspondientemente más pequeña en Eν.

Nos damos cuenta de que el valor de f (E) para cada nivel de energía en la banda de conducción (y por tanto la
concentración de electrones en total n0) aumenta a Ef medida que se acerca al Ec. Así, la diferencia de energía (Ec – Ef)
da una medida de n; vamos a expresar esta relación matemáticamente en la siguiente sección.

Para el material de tipo p del nivel de Fermi se encuentra cerca de la banda de valencia (Figura. 3 - 15c) de tal manera
que la [1 – f(E)] por debajo de Ev la cola es mayor que la f (E) por encima de Ec. El valor de (Ef – Ev) indica la
intensidad de tipo p es el material.

Por lo general es inconveniente para dibujar f(E) vs E en cada diagrama banda de energía para indicar el electrón y el
agujero de distribución. Por lo tanto, es una práctica común simplemente para indicar la posición de Ef la banda en los
diagramas. Esta información es suficiente, ya que para una temperatura determinada la posición de Ef las distribuciones
implica en la (Figura. 3-15).

1.2.4 La posición del nivel de Fermi

Si se conocen las concentraciones de equilibrio n0 y o Y las aproximaciones de Boltzmann son válidas, las expresiones
1.9 y 1.10 permiten hallar la posición del nivel de Fermi:

Un caso especial es el del semiconductor intrínseco. En ese semiconductor n0 = P0 = n,; su nivel de Fermi se denomina
Ef. Sumando las dos expresiones que proporcionan Ef en 1.14, y teniendo en cuenta que el semiconductor es
intrínseco, resulta

Ese resultado indica que el nivel de Fermi del semiconductor intrínseco está aproximadamente en la mitad de la banda
prohibida, ya que al ser N y N muy parecidos, el logaritmo de su cociente es cercano a cero.

Si las expresiones 1.14 se aplican a un semiconductor intrínseco, se puede aislar N y N. en función de E y n,.
Sustituyendo esos valores en las aproximaciones de Boltzmann 1.9 Y 1.10, resultan las siguientes expresiones
alternativas

que permiten relacionar las concentraciones de equilibrio con (E1— Efi). En un semiconductor N, E1 debe estar en la
mitad superior de la banda prohibida., ya que n0 es superior a n,; viceversa, en un semiconductor P, Ef está en la mitad
inferior. Nótese que en equilibrio térmico Ef es constante, mientras que Efi está siempre situado en el centro de la
banda prohibida.

vcl de Fermi sólo está definido en equilibrio térmico. Cuando el semiconductor está fuera de ese , se utilizan los
denominados cuasiniveles de Fermi, Efn y Eni, que permiten mantener el o de las ecuaciones 1.16 bajo esas
condiciones:

les la posición del nivel de Fermi a 300 K en una muestra de silicio dopada con NA = 1015 cm3? i(300 K) = 1.510
cm3, kBT= 0.025 eV.
ando 1.16 resulta p = NA = 10’ = nexp[(E0 — E)/k8TJ. Operando resulta E0 — Ef = 0.2 77 eV. b que E5 está en la
mitad de la banda, Efi — E = 1.1 e V/2 0.55 eV. Por lo tanto, Ef — E = JeV—0.277eV= 0.272 eV.

3.3.2 Electrón y Huecos Concentraciones en el Equilibrio

La función de distribución de Fermi se puede usar para calcular las concentraciones de electrones y huecos en un
semiconductor, si las densidades de estados disponibles en la bandas de valencia y de conducción son conocidos. Por
ejemplo, la concentración de electrones en la banda de conducción está

= (3-12)

donde N(E) es la densidad de estados (cm –3) en la energía y rango dE. El subíndice 0 es utilizado con el electrón y el
agujero de símbolos concentración (n0, p0) indica las condiciones de equilibrio. El número de electrones por unidad de
volumen en el rango de energía es dE el producto de la densidad de estados y la probabilidad de ocupación f(E). Así, la
concentración total de electrones es la integral sobre toda la banda de conducción, como en la ecuación. (3-12). La
función N(E) se puede calcular utilizando la mecánica cuántica y el principio de exclusión de Pauli.

N(E) es proporcional a E½, por lo que la densidad de estados en los aumentos de la banda de conducción con la energía
del electrón. Por otra parte, la función de Fermi se vuelve extremadamente pequeña para grandes energías. El resultado
es que el producto f(E)N(E) disminuye rápidamente por encima de Ec, y muy pocos electrones ocupan los estados de
energía muy por encima del borde de la banda de conducción. Del mismo modo, la probabilidad de encontrar un estado
de vacío (agujero) en la banda de valencia [1-f(E)] disminuye rápidamente por debajo Eν, y la mayoría de los agujeros
ocupan los estados cercanos a la parte superior de la banda de valencia. Este efecto se demuestra en la (Figura. 3-16),
que muestra la densidad de estados disponibles, la función de Fermi, y por el número de electrones y huecos que
ocupan los estados de energía disponibles en la bandas de conducción y de valencia en el equilibrio térmico (i.e., es
decir, sin excitaciones excepto energía térmica). Para agujeros, aumentando los puntos de energía en la (Figura. 3-16),
ya que E la escala se refiere a la energía de los electrones.

Figura 3-16

Diagrama esquemático banda, la densidad de estados, la distribución de Fermi-Dirac, y las concentraciones de

portadores para (a) intrínseca, (b) de tipo n, y (c) p semiconductores tipo en equilibrio térmico.
Figura 3-16

Diagrama esquemático banda, la densidad de estados, la distribución de Fermi-Dirac, y las concentraciones de

portadores para (a) intrínseca, (b) de tipo n, y (c) p semiconductores tipo en equilibrio térmico.

El resultado de la integración de la ecuación. (3-12) es la misma que la que se obtiene si se representan todos los
estados de electrones distribuidos en la banda de conducción por una densidad efectiva de estados Nc localizados en el
borde de la banda de conducción Ec. Por lo tanto, la banda de conducción concentración de electrones es simplemente
la densidad efectiva de estados en la que la probabilidad de ocupación en Ec: *

n0 = Nc f(Ec) (3-13)

* La expresión sencilla para conseguir en la ecuación. (3-13 es el resultado directo de la integración de la ecuación. (3-12), como
en el Apéndice IV. Las ecuaciones (3-15) y (3-19) correctamente incluyen los efectos de la conducción y valencia bandas de los
términos de densidad-o-estados.
En esta expresión se asume el nivel de Fermi , se encuentra por lo menos varios kT por debajo de la banda de
conducción. A continuación, el término exponencial es grande en comparación con la unidad, y la función de Fermi

puede simplificarse como se

= ≈ (3-14)

Desde kT a temperatura ambiente es sólo 0,026 eV, esto es generalmente una buena aproximación. Con esta condición
de la concentración de electrones en la banda de conducción está

(3-15)

La densidad efectiva de estados se muestra en el Anexo IV para ser

(3-16)

Dado que las cantidades de la ecuación. (3-16) son conocidos, los valores de se pueden tabular como una función de la
temperatura. Como la ecuación. (3-15) indica, al aumentar la concentración de electrones como se acerca a la banda
de conducción. Este es el resultado que podría predecir a partir de (Figura. 3-15b).

Por argumentos similares, la concentración de huecos en la banda de valencia está

(3-17)

Dónde está la densidad efectiva de estados en la banda de valencia. La probabilidad de encontrar un estado de vacío

es en

1- =1 - ≈ (3-18)

Para los más grandes por kT varios. A partir de estas ecuaciones, la concentración del agujero en la banda de
valencia está
(3.19)

La densidad efectiva de estados en la banda de valencia reducida al borde de la banda es

(3-20)

Como era de esperar a partir de la (Figura 3-15c), la ecuación (3.19) predice que la concentración de huecos aumenta

a medida que se mueve más cerca de la banda de valencia.

El electrón y el agujero de las concentraciones predichas por las ecuaciones. (3-15) y (3-19) son válidos si el material
es intrínseco o dopado, a condición de equilibrio térmico se mantiene. Así, para material intrínseco, se encuentra en

un nivel intrínseco cerca del nivel de la banda prohibida (Figura.3-15a), y son el electrón intrínseca y concentracio-
nes agujero
, (3-21)

El producto de y en el equilibrio es constante ti para un material particular y de la temperatura, incluso si el

dopaje es variada:

( )= =
(3-22a)

( )= (3-22b)

El electrón intrínseca y las concentraciones de los orificios son iguales (ya que los portadores se crean en pares), = ,
por lo que la concentración intrínseca es

= (3-23)

El producto constante de electrones y las concentraciones de los orificios en la ecuación. (3-22) puede ser escrito
convenientemente como

(3-24)
Esta es una relación importante, y lo vamos a utilizar ampliamente en los cálculos posteriores. La concentración
intrínseca para el Si a temperatura ambiente es de aproximadamente ni =1,5 × 1010 cm–3. Comparando las Ecuaciones.
(3-21) y (3-23), se observa que el nivel intrínseco es el centro del espacio de banda ( )si las

densidades efectivas de estados y son iguales. Generalmente hay alguna diferencia en la masa efectiva de los

electrones y los huecos, sin embargo, y y son ligeramente diferentes como las Ecuaciones. (3-16) y (3-20)

indican. El nivel intrínseco es desplazado desde el centro de la banda prohibida, más de GaAs que para Ge o Si
(Tabla 3-l).

Otra forma conveniente de escribir las ecuaciones. (3-15) y (3-19)

(3-25a) (3-25b)
Se obtiene por la aplicación de la ecuación. (3-21). Esta forma de las ecuaciones que indica directamente la
concentración de electrones es n cuando está en el nivel intrínseco, y que , aumenta exponencialmente a

medida que el nivel de Fermi se aleja de , hacia la banda de conducción. Del mismo modo, la concentración de
huecos varía de a valores más grandes como se mueve desde hacia la banda de valencia. Dado que estas
ecuaciones revelan las características cualitativas de la concentración de portadores tan directamente, que son
particularmente convenientes para recordar.
Ejemplo 3-4
Una muestra de Si está dopado con átomos / ¿Cuál es la concentración de huecos en equilibrio a 300 K?

Donde está , con relación a ?

Solución

Dado que, ,podemos aproximar = y

= = =2.25 ×

De la ecuación. (3-25a), tenemos

- = kT ln = 0.0259 In = 0.407 ev

3.3.3 Dependencia de la Temperatura de las Concentraciones de Portadores

La variación de la concentración de portadores con la temperatura está indicada por la ecuación. (3-25). Inicialmente,
la variación de y con T parece relativamente sencillo en estas relaciones. El problema se complica, sin embargo,

por el hecho de que tiene una fuerte dependencia de la temperatura [Ecuación. (3-23)] y que también puede
variar con la temperatura. Comencemos por examinar la concentración de portadores intrínsecos. Mediante la
combinación de las ecuaciones. (3-23), (3-16), y (3-20) se obtiene

(T) = 2( ) ( ) (3-26)
La dependencia de la temperatura exponencial domina (T), y un espacio de vs. T aparece casi lineal (Figura.
3-17). * En esta figura podemos descuidar las variaciones T 3/2debidas a la dependencia de la función de densidad de
los estados y el hecho de que varía algo con la temperatura. ** El valor a cualquier temperatura es un número

definido para un semiconductor dado, y es conocida por la mayoría de los materiales. Por lo tanto podemos tomar

como dado en el cálculo la ecuación. (3-25).

Con y T dada, las incógnitas en la ecuación. (3-25) son las concentraciones de portadores y la posición del nivel
de Fermi familiar suyo. Una de estas dos cantidades se indicará si el otro se encuentra. Si la concentración del vehículo
se mantiene a un valor determinado, como en el material fuertemente dopada extrínseca, se puede obtener a partir de
______________
* Al representar cantidades tales como la concentración de portadores, que implican un factor de Boltzmann, es común
utilizar un estado de temperatura inversa. Esto permite que le sean exponencial de 1 / T para aparecer en la trama lineal
semilogarítmico. Al leer estos grafos, recuerde que la temperatura aumenta de derecha a izquierda.

Si ** para el espacio de banda varía desde alrededor de 1,11 eV a 300 K hasta aproximadamente 1,16 eV a 0 K.

§ Cuidado hay que tener para usar unidades consistentes en estos cálculos. Por ejemplo, si una energía tal como se
expresa en electrón voltios (eV), debe ser multiplicado por q (1,6 xc) para convertir a julios si k es en J / K, como
alternativa, se pueden mantener en eV y el valor de k en eV / K se puede utilizar. A 300 K se puede utilizar kT =

0,0259 eV y en eV.

Figura 3-17

Concentración de portadores intrínsecos para Ge, Si, GaAs y como una función de la temperatura inversa. Los valores
de temperatura de las habitaciones valores de temperatura están marcadas para referencia.
Ecuación. (3-25). La dependencia de la temperatura de la concentración de electrones en un semiconductor dopado
puede ser visualizado como se muestra en la (Figura. 3-18). En este ejemplo, Si está dopado tipo n con una
concentración de donador de . A temperaturas muy bajas (grande 1 / T), insignificantes EHPs intrínsecas
existen, y los electrones donantes están unidos a los átomos donadores. A medida que la temperatura se eleva, estos
electrones son donados a la banda de conducción, y a aproximadamente 100 K (1000 / T = 10), todos los átomos
donantes son ionizados. Este intervalo de temperatura se denomina la región de ionización.

Una vez que los donantes están ionizados, la banda de conducción concentración de electrones es

, ya que un electrón se obtiene para cada átomo donante. Cuando cada electrón extrínseca

disponible ha sido transferido a la banda de conducción, es prácticamente constante con la temperatura hasta que la

concentración de portadores intrínsecos se hace comparable a la concentración extrínseca . Finalmente, a

temperaturas más elevadas es mucho mayor que , y dominar los portadores intrínsecos. En la mayoría de los
dispositivos con los que es deseable controlar la concentración de portadores por dopaje en lugar de por generación
térmica EHP. Así, por lo general se dopa el material de tal manera que el rango extrínseca se extiende más allá de la
temperatura más alta a la que el dispositivo se va a utilizar.

Figura 3-18

Concentración de portadores vs inversa temperatura de Si dopado con.

3.3.4 Compensación y Neutralidad de Carga Espacial

Cuando el concepto de dopaje se introdujo, asumimos que el material que contiene o bien, los donantes o

aceptores, de modo que las concentraciones de portadores o , respectivamente, para el tipo n o de

tipo p material. Si sucede a menudo, sin embargo, que un semiconductor contiene tanto los donantes y aceptores. Por
ejemplo, la (Figura. 3-19) ilustra un semiconductor para que tanto los donantes y receptores están presentes,
pero. El predominio de los donantes hace que el material de tipo n, y el nivel de Fermi es por lo tanto en la parte
superior de la brecha de la mano. Puesto que está muy por encima del nivel aceptor, este nivel está esencialmente

lleno de electrones. Sin embargo, con, encima , no podemos esperar

Figura 3-19

La compensación en un semiconductor de tipo n.

Una concentración de huecos en la banda de valencia acorde con la concentración de aceptor. De hecho, el llenado
de los estados se produce a expensas de los electrones donados banda de conducción. El mecanismo puede ser
visualizado como sigue: adoptar un estado aceptor se llena con una banda de valencia de electrones como se describe
en la (Figura 3-11), con un agujero resultante en la banda de valencia. Este agujero se llena a continuación por
recombinación con uno de los electrones de conducción de la banda. La extensión de esta lógica de todos los átomos
aceptores, esperamos que la concentración resultante de los electrones en la banda de conducción a ser en
lugar de la total . Este proceso se denomina compensación. Mediante este proceso es posible comenzar con un

semiconductor de tipo n y añadir aceptores de hasta = y no hay electrones donados permanecen en la banda de

conducción - . En dicho material compensado, = = y la conducción intrínseca se obtiene. Con

aceptor adicional dopaje del semiconductor se convierte en tipo p con una concentración de agujero esencialmente -

La relación exacta entre el electrón, agujero, donante, y las concentraciones de aceptor puede ser obtenida conside-
rando las exigencias de neutralidad de carga espacial. Si el material es permanecer electrostáticamente neutra, la suma
de las cargas positivas (huecos y los átomos ionizados donantes) debe equilibrar la suma de las cargas negativas
(electrones y los átomos ionizados aceptor):

(3-27)

Así, en la figura 3-19 la concentración de electrones en la red de la banda de conducción está

) (3-28)

Si el material está dopado de tipo n ( y todas las impurezas están ionizadas, se puede aproximar la ecuación

(3-28) por. - .

Dado que el semiconductor intrínseco en sí es electrostáticamente neutro y los átomos dopantes que añadir también son
neutrales, el requisito de la ecuación. (3-27) se debe mantener en equilibrio. El electrón y el agujero de las
concentraciones y el nivel de Fermi ajustar de tal manera que las ecuaciones (3-27) y (3-25) se satisfacen.

3.4 DERIVA DE COMPAÑÍAS EN LOS CAMPOS ELÉCTRICOS Y MAGNÉTICOS

El conocimiento de concentraciones de portadores en forma de un sólido es necesario para calcular el flujo de corriente
en presencia de campos eléctricos o magnéticos. Además los valores de n y p, debemos ser capaces de tener en cuenta
las colisiones de los portadores de carga con la red y con las impurezas. Estos procesos afectarán a la facilidad con la
que los electrones y agujeros pueden fluir a través del cristal, es decir, su movilidad dentro del sólido. Como cabría
esperar, estos procesos de colisión y la dispersión dependen de la temperatura, que afecta el movimiento térmico de los
átomos de la red y de la velocidad de los portadores.

3.4.1 Conductividad y Movilidad

Los portadores de carga en forma de un sólido están en movimiento constante, incluso en el equilibrio térmico. A
temperatura ambiente, por ejemplo, el movimiento térmico de un electrón individual puede visualizarse como la
dispersión aleatoria de átomos de la red, impurezas, otros electrones, y defectos (Figura. 3-20). Puesto que la dispersión
es aleatoria, no hay movimiento neto del grupo de n electrones /cm 3 durante cualquier período de tiempo. Esto no es
cierto de un electrón individual, por supuesto. La probabilidad de que el electrón en la (Figura. 3.20) de regresar a su
punto de partida después de algún tiempo t es insignificantemente pequeño. Sin embargo, si un gran número de
electrones se considera (e, g, 10 16 cm–3 en un semiconductor de tipo n), no habrá ninguna dirección preferida de
movimiento para el grupo de electrones y sin flujo de corriente neto.

Figura 3.20

Movimiento térmico de un electrón en un sólido.

Si un campo eléctrico se aplica en la dirección x, cada electrón experimenta una fuerza neta -� desde el campo.
Esta fuerza puede ser insuficiente para alterar apreciablemente la ruta de acceso aleatorio de un electrón individual; el
efecto cuando se promedian sobre todos los electrones, sin embargo, es un movimiento neto del grupo en la dirección
x. Si es la componente x de la cantidad de movimiento total del grupo, la fuerza del campo en el que los n

electrones / es

−�� =� /�� (3.29)

Inicialmente, la ecuación. (3-29) parece indicar una aceleración continua de los electrones en la dirección-x-. Este no es
el caso, sin embargo, debido a la aceleración neta de la ecuación. (3.29) está justo equilibrio en estado estacionario de
las deceleraciones de los procesos de colisión. Así, mientras que el campo estable € x sí produce una progresión neta p–x,
la tasa neta de cambio del momento cuando las colisiones se incluyen debe ser cero en el caso del flujo de corriente de
estado estacionario.

Para determinar la tasa total de cambio de momento de las colisiones, hay que investigar las probabilidades de colisión
más de cerca. Si las colisiones son verdaderamente aleatorias, habrá una probabilidad constante de colisión en

cualquier momento para cada electrón. Consideremos un grupo de electrones en el tiempo t = 0 y definir N(t) como

el número de electrones que no han sufrido una colisión por el tiempo t. La tasa de disminución de N(t) en cualquier
tiempo t es proporcional al número de la izquierda no dispersada en el instante t.

(3-30)

Donde � -1 es una constante de proporcionalidad.

La solución de la ecuación. (3-30) es una función exponencial

N(t) = (3-31)

Y representa el tiempo medio entre eventos de dispersión, * llamado el tiempo libre medio. La probabilidad de que

cualquier electrón tiene una colisión en el intervalo de tiempo dt es dt / . Así, el cambio diferencial en debido a
colisiones en el tiempo dt es

(3-32)

La velocidad de cambio de debido efecto de desaceleración de colisiones es

 Colision = - (3-33)

La suma de los efectos de aceleración y desaceleración debe ser cero para el estado de equilibrio.

Tomando la suma de las Ecuaciones. (3-29) y (3-33). Tenemos

- - nq = 0 (3-34)

-
La suma de los efectos de aceleración y desaceleración debe ser cero para el estado de equilibrio.

{ = -q (3-35)

Donde los corchetes angulares indican un promedio sobre todo el grupo de electrones. Como se espera para el estado
de equilibrio, la ecuación. (3-35) indica que los electrones tienen en promedio una velocidad constante negativa neta en
la dirección x:

{ }= =- (3-36)

En realidad, los electrones individuales se mueven en muchas direcciones por movimiento térmico durante un período
de tiempo dado, pero la Ecuación. (3 - 36) nos dice que la red de deriva de un electrón promedio en respuesta al campo
eléctrico. La velocidad de deriva del descrito por la ecuación. (3-36) es generalmente mucho menor que la velocidad
aleatoria debido al movimiento térmico .

La densidad de corriente resultante de esta red de deriva es sólo el número de electrones que cruzan una unidad de área

por unidad de tiempo(n{ } ) multiplicado por la carga del electrón (-q):

= - qn{ }

(3-37)

* Las ecuaciones (3-30) y (3-31) son típicas de los eventos domina por procesos aleatorios, y las formas de estas
ecuaciones se producen con frecuencia en muchas ramas de la física y la ingeniería. Por ejemplo, en la desintegración
radiactiva de los isótopos inestables nucleares N0, los nucleidos atenúan exponencialmente con un tiempo de vida
media. Otros ejemplos se encuentran en este, incluyendo la absorción de la luz en un semiconductor y la
recombinación de EHPS exceso.

Utilizando la ecuación (3-36) para la velocidad promedio. Obtenemos

(3-38)

Así, la densidad de corriente es proporcional al campo eléctrico, como se espera de

La ley de Ohm
 Donde (3-39)

La conductividad puede ser escrita

(3-40)

La cantidad , llamada la movilidad de los electrones, se describe la facilidad con la que deriva electrones en el
material. La movilidad es una cantidad muy importante en la caracterización de materiales semiconductores y en el
desarrollo de dispositivos.

La movilidad se define en la ecuación. (3-40) se puede expresar como la velocidad de partícula deriva media por
campo eléctrico unidad Comparando las ecuaciones (3-36) y (3-40), tenemos

(3-41)

Las unidades de la movilidad son (cm / s) / (V / cm) = / V-s, como Ecuación. (3-41) sugiere. El signo negativo en
los resultados de definición en un valor positivo de la movilidad, ya que la deriva electrones opuestos al campo. La
densidad de corriente se puede escribir en términos de movilidad como

(3-42)

Esta derivación se ha basado en la suposición de que la corriente se transporta principalmente por los electrones. Para
la conducción de agujero cambiamos n por p,-q a +q. y a dónde está la movilidad de los
agujeros. Si los electrones y huecos participar, hay que modificar la ecuación (3-42) para
(3-43)

Los valores de y , se dan para muchos de los materiales semiconductores comunes en el Apéndice III, de acuerdo

con la ecuación. (3-40), los parámetros que determinan la movilidad son m * y la media de tiempo libre . Masa
efectiva es una característica de la estructura de bandas del material, como se describe por la ecuación. (3-3). Así que
esperamos que sea pequeña en el mínimo T fuertemente curvado de la banda de conducción GaAs (Fig. 3-6), con el

resultado de que es muy alta. En una banda más gradual curva, una mayor m* en el denominador de la ecuación. (3-
40) conduce a un valor más pequeño de la movilidad. Es razonable esperar que las partículas más ligeras sean más
móviles que las partículas más pesadas (que son satisfactorios. Puesto que el valor del sentido común de la masa
efectiva no es siempre aparente). El otro parámetro para determinar la movilidad es el variable tiempo entre eventos de
dispersión . En la sección 3.4.3 veremos que esto es de principalmente por la temperatura y la concentración de
impurezas en el semiconductor

3.4.2 Derivada y Resistencia

Echemos un vistazo más de cerca a la deriva de los electrones y los huecos. Si la barra de semiconductor de la (Figura
3-21) contiene dos tipos de soporte, Ecuación. (3-43) da la conductividad del material. La resistencia de la barra es
luego

R= = (3-44)

Donde p es la resistividad (Ω-cm). El mecanismo físico de la deriva portador requiere que los orificios de la barra de
movimiento como un grupo en la dirección del campo eléctrico y que los electrones se mueven como un grupo en la
dirección opuesta. Tanto el electrón y el agujero de los componentes de la corriente están en la dirección del campo €,
ya que la corriente convencional es positiva en la dirección del flujo de huecos y opuesta a la dirección del flujo de
electrones. La corriente de deriva descrito por la ecuación. (3-43) es constante a lo largo de la barra. Una pregunta
válida surge, por lo tanto, sobre la naturaleza del electrón y el flujo de agujero en los contactos y en el circuito externo.
Hay que especificar que los contactos con la barra de la (Figura. 3-21) son óhmicos, lo que significa que son perfectos
fuentes y sumideros de ambos tipos de portadoras y no tienen tendencia especial para inyectar o recoger electrones o
agujeros.

Si consideramos que la corriente es transportada por el circuito externo de electrones, no hay ningún problema en la
visualización de los electrones que fluyen en la barra en un extremo y sale por el otro (siempre opuesta a I). Así, para
cada electrón dejando el extremo izquierdo (x = 0) de la barra en la (Figura 3-21), hay un electrón correspondiente de
entrar en x = L, de modo que la concentración de electrones en la barra permanece constante a n. Pero, ¿qué pasa con
los agujeros en los contactos? Como un orificio alcanza el contacto óhmico en x = L, se recombina con un electrón, que
debe ser suministrada a través del circuito externo. En este agujero desaparece un agujero correspondiente debe
aparecer en x = 0 para mantener la neutralidad de carga espacial. Es razonable considerar la fuente de este hoyo como
la generación de una EHP en x = 0, con el orificio fluye hacia la barra y el electrón que fluye en el circuito externo.

Figura 3-21

Deriva de electrones y huecos en un semiconductor bar.

Ejemplo 3-5 Encuentra la resistividad de Ge intrínseco a 300 K.

Solución Desde el Apéndice III, = 3900 y = 1900 /V-s para Ge intrínseco.

Así, puesto que ,

σi = q(μe + μh) ni = 1,602 × 10–19 (5800)(2,5 × 1013)
= 2,32 ×10–2 (Ω·cm)–1
= 43 Ω·cm
3.4.3 Efectos de la Temperatura y de Dopaje de la Movilidad

Los dos tipos básicos de mecanismos que influyen en la dispersión de electrones y la movilidad del agujero son la
dispersión aparente y la dispersión impura. En la aparente dispersión un habitáculo que se desplace a través del cristal
es dispersada por la vibración de la aparente, resultante de la temperatura. * La frecuencia de los eventos de dispersión
tales aumenta al aumentar la temperatura, ya que la agitación térmica en el enrejado se hace mayor. Por lo tanto,
debemos esperar que la movilidad a disminuir a medida que se calienta la muestra (Figura. 3-22). Por otra parte, la
dispersión de defectos cristalinos tales como impurezas ionizadas se convierte en el mecanismo dominante a bajas
temperaturas. Puesto que los átomos de la red cristalina se enfriador menos agitado, dispersión de celosía es menos
importante, sin embargo, el movimiento térmico de los portadores es también más lenta.

Figura 3-22

Dependencia de la temperatura aproximada de movilidad tanto con celosía y dispersión de impureza

__________________
* Colectivos vibraciones de los átomos en el cristal se llaman fotones. Así, la dispersión de celosía también conocida
como dispersión de fotones.

Dado que un vehículo que se mueve lentamente es probable que se dispersen más fuertemente por una interacción con
un ion cargado que es un vehículo con un mayor impulso, eventos de dispersión de impurezas causar una disminución
en la movilidad con la temperatura decreciente. Como la (Figura. 3-22) indica, las dependencias de temperatura
aproximadas son para la dispersión de impurezas. Dado que la probabilidad de dispersión de la ecuación. (3-32) es
inversamente proporcional al tiempo libre medio y por lo tanto a la movilidad, las noblezas debido a dos o más
mecanismos de dispersión añadir inversamente:

= + + ……. (3-45)

Como resultado, el mecanismo de su valor más bajo la movilidad domina, como se muestra en la (figura. 3-22).

Figura 3-23

Variación de la movilidad con la concentración total de impureza de dopaje ( ) para Ge, Si, GaAs y a 300K.
Como aumenta la concentración de impurezas, los efectos de la dispersión impureza se sentía a temperaturas más altas.
Por ejemplo, la movilidad de electrones de silicio intrínseco a 300 K es 1350 /(V-s). Con una concentración de

donador de dopaje , sin embargo, Así, la presencia de los donantes ionizados

introduce una cantidad significativa de dispersión de impureza. Este efecto se ilustra en la

(Figura. 3-23), que muestra la variación de la movilidad con la concentración de dopaje a temperatura ambiente.

3.4.4 Efectos de Alto Campo

Una suposición implícita en la deducción de la ecuación. (3-39) fue que la ley de Ohm es válida en los procesos de
transporte de deriva. Es decir, se supuso que la corriente de deriva es proporcional al campo eléctrico y que la constante
de proporcionalidad ( ) no es una función del campo E. Este supuesto es válido en un amplio intervalo de E. Sin

embargo, los grandes campos eléctricos (> V/ cm) puede causar la velocidad de deriva y por lo tanto la corriente J

= -qn para exhibir una dependencia sublineal en el campo eléctrico. Esta dependencia de en E es un ejemplo de un
efecto transportador caliente que implica que la velocidad de arrastre portador es comparable a la velocidad térmica
.

En muchos casos un límite superior que se alcanza la velocidad de deriva para vehículo en un campo de alta (Figura.3-
24). Este límite se produce cerca de la velocidad térmica media (≃ cm / s) y representa el punto en el que se
transfiere energía agregada impartida por el campo a la red en lugar de aumentar la velocidad del vehículo. El resultado
de esta dispersión de velocidad limitada es una corriente bastante constante en campo alto. Este comportamiento es
típico de Si, Ge, y algunos otros semiconductores. Sin embargo, hay otros efectos importantes en algunos materiales,
por ejemplo, en el capítulo 12 veremos una disminución en la velocidad de los electrones en campos elevados para
GaAs y ciertos otros materiales, lo que resulta en la conductividad negativo y las inestabilidades actuales en la muestra.
Otro importante campo alto efecto es la multiplicación de avalancha, que discutiremos en la Sección 5.4.2.

Figura 3-24

La saturación de la velocidad de deriva de electrones en los altos campos eléctricos para el Si.

3.4.5 El Efecto Hall

Si un campo magnético se aplica perpendicular a la dirección en la que deriva agujeros en un bar de tipo p, la
trayectoria de los orificios tiende a ser desviada (Figura. 3-25). Usando la notación vectorial, la fuerza total sobre un
único agujero debido a los campos eléctricos y magnéticos es

F = q(E + v x ) (3-46)

En la dirección y la fuerza es

) (3-47)

El resultado importante de la ecuación. (3-47) es que a menos que un campo eléctrico es establecido a lo largo de la
anchura de la barra, cada agujero se experimenta una fuerza neta (y por lo tanto una aceleración) en la dirección-y-
debido a que el producto. Hay tanto, para mantener un flujo en estado estacionario de los agujeros hacia abajo la

longitud de la barra, el campo eléctrico sólo debe equilibrar el producto :

 (3-48)

De modo que la fuerza neta es cero. Físicamente, este campo eléctrico se establece cuando el campo magnético

cambia la distribución agujero ligeramente en la dirección-y-. Una vez que el campo eléctrico se hace tan grande

como ninguna fuerza lateral neto es experimentado por los agujeros como se deriva a lo largo de la barra. El

establecimiento del campo eléctrico que se conoce como el efecto Hall, y el voltaje resultante se
llama la tensión de Hall. Si utilizamos la expresión derivada de la ecuación. (3-37) para la velocidad de deriva (con + q
y para los agujeros), el campo se convierte en

, (3-48)

Figura 3-25
El efecto Hall

Así, el campo Hall es proporcional al producto de la densidad de corriente y la densidad de flujo magnético. La
constante de proporcionalidad se denomina coeficiente de Hall. Una medición de la tensión de Hall para un campo
magnético de corriente conocida y se obtiene un valor para la concentración de huecos

(3-50)

Puesto que todas las cantidades en el lado derecho de la ecuación. (3-50) se puede medir, el efecto Hall puede usó para
dar valores muy precisos para la concentración de portadores.

Si una medición de la resistencia R está hecho, la muestra de la resistividad p puede él calculado:

p (Ω-cm)= (3-51)
Dado que la conductividad = 1 / p está dada por q , la movilidad es simplemente la relación del coeficiente de
Hall y la resistividad:

( 3-52)

Las mediciones del coeficiente de Hall y la resistividad en una gama de temperaturas de parcelas de rendimiento de
concentración mayoría portador y la movilidad frente a la temperatura. Tales mediciones son extremadamente útiles en
el análisis de los materiales semiconductores. Aunque la discusión aquí se ha relacionado con material de tipo p, se
obtienen resultados similares para el material de tipo n. Un valor negativo de q se utiliza para los electrones, y la
tensión de Hall y coeficiente de Hall son negativos. De hecho, la medición de la señal de la tensión de Hall es una
técnica común para determinar si una muestra desconocida es de tipo p o tipo n.

Ejemplo 3.6

Una muestra de silicio se dopa con átomos de fósforo átomos/ . ¿Qué se puede esperar a la medida de su

resistencia? ¿Qué tensión de Hall se puede esperar en una muestra de 100 de grosor si

= 1 mA y

SOLUCIÓN desde (Figura.3-23), la movilidad es de 700 por lo tanto la conductividad es

= (1.6 x ) (700)( ) = 11.2 (Ω

El coeficiente de Hall es

=- 62.5

De la ecuación. (3-49), o podríamos utilizar la ecuacion. (3-52). El voltaje Hall es

= (-62.5 =-62.5µV

3.5 Invariancia del Nivel de Fermi en el Equilibrio

En este capítulo hemos hablado de los semiconductores homogéneos, sin variación en el dopaje y sin uniones entre
materiales distintos. En los capítulos siguientes vamos a examinar los casos en los que el dopaje no uniforme se
produce en un semiconductor dado, o uniones ocurren entre diferentes semiconductores o un semiconductor y un
metal. Estos casos son cruciales para los distintos tipos de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos hechos en los
semiconductores. En previsión de esas conversaciones, un concepto importante debe establecerse aquí con respecto a
las exigencias de equilibrio. Este concepto puede resumirse observando que hay discontinuidad o gradiente puede
surgir en el nivel de equilibrio de Fermi .

Para demostrar esta afirmación, consideremos dos materiales en contacto íntimo de manera que los electrones pueden
moverse entre los dos (fig. 3-26). Estos pueden ser, por ejemplo, semiconductores disímiles, n-y tipo p regiones, un
metal y un semiconductor, o simplemente dos regiones adyacentes de un semiconductor dopado no uniforme. Cada
material se describe por una función de distribución de Fermi-Dirac y alguna distribución de estados de energía
disponibles que los electrones pueden ocupar.

No hay corriente y por lo tanto, no hay transporte neto de carga, en el equilibrio térmico. Tampoco hay una
transferencia neta de energía. Por lo tanto, para cada energía E en la fig. 3-26 ninguna transferencia de electrones de un
material a 2 debe ser exactamente equilibrada por la transferencia opuesto de electrones frente a 2. Dejaremos que la
densidad de estados en energía E en el material se llama y en el material 2 se….

Figura 3-26.

Dos materiales que están en contacto íntimo en el equilibrio. Dado que el movimiento neto de electrones es cero, el
nivel de equilibrio de Fermi debe ser constante a lo largo.

Lo llamaremos N2 (E). En energía E de la tasa de transferencia de electrones de 1 a 2 es oportuno a número de estados

de campo E en el material a 1 veces el número de estados vacíos en E en el material 2

Tasa de 1 a 2 n (E) f1 (E). N2 (E) ¨ [1-F2 (E)] (3-53)

Donde F (E) es la probabilidad de un estado al llenado en cada materia de Fermi-Dirac función de distribución dada
por la ecuación (3-10) de manera similar

Tasa de 2 a 1 N2 (E) F2(E).N1 (E)[1-F1(E )] (3-54)

En el equilibrio de estos debe ser igual

N1 ( E ) F1 ( E ). N2 ( E) [1- F2 ( E) ] )= N2 ( E) F2 (E) . N1 ( E ) [1- F1 (E ) (3-55)

Reordenando los términos, tenemos a la energía E

N1F1N2- N1F1N2F2=N2F2N1-N2F2N1F1(3-56)

Que permita

F1 ( E )=F2 (E ) QUE ES [1 +e] = [1+e] (3-57)

Por lo tanto, llegamos a la conclusión del E f1 = EF2.Es decir, no hay discontinuidad en el nivel de equilibrio de
Fermi. mkore generaly, podemos afirmar que el nivel de Femi en equilibrio debe ser constante a través de los
materiales en intimatew contac. una forma de decir esto es que no existe gradiente en el nivel Femi en el equilibrio.

(3-58)
Vamos a hacer un uso considerable de este resultado en el capítulo siguiente.