Tiristores PDF

UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.
ELECTRICA
3-1 Tiristores
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TIRISTORES
Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores que se utilizan en los
circuitos conversores de potencia eléctrica controlada. Compiten en algunas
aplicaciones, con los transistores de potencia. Actúan como interruptores de corriente
eléctrica, con característica “biestable” por un proceso interno regenerativo, que lo hace
pasar de un estado “no conductor”, a un estado “conductor”.
En comparación con los transistores, desde el punto de vista de su actuación como
interruptor de corriente eléctrica, los tiristores tienen menores perdidas por conducción
en estado “encendido” y tienen mayores especificaciones para el manejo de la potencia
eléctrica a convertir. Los transistores, en cambio, tienen en gral, mejor prestación
durante la conmutación, por su mayor velocidad y menor perdida de conmutación.
Existen una gran variedad de dispositivos semiconductores denominados “tiristores”,
con dos, tres y hasta cuatro terminales externos. Por ejemplo el tiristor convencional,
denominado “SCR” (rectificador controlado de silicio), tiene tres terminales, dos de los
cuales los emplea para conducir la corriente eléctrica a convertir, y el tercer terminal se
lo utiliza para “encender” el dispositivo (pasaje al estado conductor). La operación
inversa, o sea el bloqueo de la corriente controlada, solo se logra por acción natural
(cruce por cero de la corriente por el cambio de polaridad del voltaje), o por acción
forzada de circuitos de conmutación auxiliares.
El “GTO” es un tiristor que tiene implementada la función de “encendido y apagado”
mediante una compuerta que se le aplican pulsos positivos (para encendido) y pulsos
negativos (para apagado), respecto al terminal “cátodo”.
Previo al análisis del funcionamiento interno de estos dispositivos, veremos primero el
circuito básico y funcionamiento de rectificador controlado de media onda.
Circuito
De
disparo
En el dibujo se aprecia al “SCR” con sus tres terminales Ánodo, cátodo y compuerta
(gate). La corriente principal circula entre ánodo y cátodo. La tensión de disparo o
control, se aplica entre la compuerta y el cátodo. Esta última tensión, como veremos, es
generalmente de tipo pulsante, generada por un circuito electrónico especial,
denominado “circuito de disparo”.
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Apunte de cátedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ELECTRICA
3-1 Tiristores
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Para interpretación del funcionamiento, resulta conveniente graficar las tensiones
eléctricas intervinientes en el circuito, en función del tiempo.
Vs
0 t1 t2 t3 t4 t5
Vgc
t
Vac
SCR SCR
conduce no conduce SCR
conduce
VL
En el intervalo de tiempo entre 0 y t1, el SCR tiene aplicada una tensión positiva entre
ánodo y cátodo (directa), no conduciendo corriente, por lo que : vL= 0 y vac= vs.
En “t1”, el circuito de disparo aplica un pulso de corriente a la compuerta, haciendo que
el SCR pase al estado de conducción. La tensión vac cae a una valor próximo a 1 volt y
aparece un voltaje en la carga vL= vs- vac ≈ vs. Cuando la tensión de alimentación pasa
por cero (t2) y si la corriente de carga esta en fase, esta también cae a cero, lo que hace
que el SCR se “apague” y deje de conducir. La tensión en sus extremos se eleva
haciéndose negativa y de valor vac = vs ; vl = 0. Posteriores disparos durante el
semiciclo negativo de la tensión de entrada (t3), no logran encender al SCR. En el
próximo semiciclo positivo, en t4, al aplicarle otro pulso en la compuerta, nuevamente
el SCR comienza a conducir corriente hasta el cruce por cero (t5).
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3-1 Tiristores
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Caracteristicas de los tiristores
Básicamente están formados por una estructura semiconductora de cuatro capas “pnpn”
con tres junturas J1 , J2 , J3, como muestra el siguiente dibujo:
Ánodo
(A)
A
P
Puerta J1
(GP) N
J2
P
G
J3
N
C
(C)
cátodo
Cuando al ánodo se le aplica tensión positiva respecto al cátodo, las junturas J1 y J3 se

polarizan directamente y la juntura J2 inversamente. Entre ambos terminales fluye una
pequeña corriente. Se dice que el tiristor esta en estado de “bloqueo directo” o
desactivado. Si aumentamos la tensión ánodo-cátodo (vac), la juntura “J2” entra en
ruptura por avalancha (vac = VBO), denominado “voltaje de ruptura directo”. Por el
tiristor circulara una gran corriente, solo limitada por la carga conectada al circuito. Se
dice que el tiristor entro en estado de “conducción directo o activado”. En esta
condición, vac≈1 volt. La corriente se mantendrá circulando, solo si esta supera un
valor, denominado “corriente de retención o enganche”.
Cuando se aplica una tensión negativa en el ánodo respecto al cátodo, J1 y J3 se
polarizan inversamente, y J2 se polariza directamente. En esta condición, la junturas J1
y J3, se comportan como dos diodos conectados en serie, soportando una tensión
inversa, por lo que circulara una pequeña corriente de fuga entre ánodo y cátodo
(corriente inversa). Se dice que en esta condición, el tiristor esta en estado de “bloqueo
inverso”, similar a un diodo polarizado inversamente.
La activación de un tiristor, haciendo vac > VBO, lo puede destruir. En la práctica
vac < VBO y para activarlo, se le aplica un voltaje positivo a la compuerta “G”, respecto
al cátodo. Una vez activado, puede quedar en esta condición (por un mecanismo de
realimentación interna positiva), siempre y cuando la corriente de ánodo supere el valor
de la corriente “mínima de retención o enganche” (ia> iL). Dadas estas condiciones, la
tensión de compuerta se puede retirar, sin afectar el ultimo estado “conductor” del
tiristor .
El tiristor, en el estado conductor, se comporta en forma similar a la de un diodo
polarizado directamente y ya no hay control sobre el dispositivo.
El estado de bloqueo directo se logra, como dijimos, mediante la conmutación natural
de la tensión de alimentación a un valor negativo o mediante circuitos especiales de
apagado del tiristor; todos ellos actuando sobre la corriente de ánodo para que su valor
se haga menor a la de “mínima de mantenimiento” (ia < iH).
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Modelo del tiristor con dos transistores bipolares:
La acción regenerativa, por realimentación positiva, que hace que el tiristor pase del
estado de bloqueo directo al estado conductor, se puede demostrar utilizando un
circuito equivalente con dos transistores bipolares como se muestra en la figura
siguiente:
Ánodo
(A)
P
J1
Puerta
(G) N
N
J2
P J2
P
J3
N
(C)
cátodo
A continuación vamos a analizar este modelo aplicado a un circuito básico formado por
los dos transistores bipolares una impedancia de carga y una fuente de alimentación.
Con este circuito, vamos a calcular analíticamente la corriente de ánodo iA, en función
de los parámetros eléctricos de ambos transistores. Como caso general, consideraremos
dos puertas, una en la base del transistor npn y la otra en la base del transistor pnp.
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3-1 Tiristores
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La corriente de colector “IC”,de un transistor bipolar, se relaciona en gral con la
corriente de emisor “IE” y la corriente de fuga de la juntura colector-base, “ICBO” como:
IC = αIE + ICBO
Donde α ≈ IC/ IE representa la ganancia de corriente en base común

Para nuestro caso la corriente de colector “IC1” del transistor Q1 resulta:
IC1 = α1IA + ICBO1 (1)

Donde α1 es la ganancia de corriente e ICBO1 es la corriente de fuga para Q1.
De la misma manera para Q2:
IC2 = α2IC + ICBO2 (2)

Por otra parte, de acuerdo al circuito tenemos:
IA = IC1 + IB1 (3)
IB1 = IC2 + IGN (4)
IC = IGP + IA - IGN (5) igualdad que sale de las corrientes entrantes es igual a las
corrientes salientes.
Con las expresiones anteriores despejamos la corriente de ánodo, resultando:
IA =[ ICBO1 + ICBO2 + (1- α2)IGN + α2. IGP ] / [1- (α1+α2) ]
1) Si en la ecuación anterior hacemos IGN = IGP = 0 , es decir no hay activación por

compuerta, la corriente de ánodo vale:
IA = ICBO1 + ICBO2 En este caso α1 =α2 ≈ 0 dado que IE ≈ 0
2) Si hacemos IGN = 0 e IGP ≠ 0 o sea tenemos activación por la compuerta del

transistor npn (corriente de base entrante) comienza a producirse la realimentación
interna positiva , dado que aumenta la corriente de colector de Q2 que a su vez es
corriente de base de Q1 y por efecto de amplificación aumenta su corriente de emisor
(corriente de ánodo del tiristor); de la misma forma aumenta la corriente de colector de
Q1 y esta corriente alimenta nuevamente la base de Q2 y así sucesivamente hasta que
ambos transistores pasan a la saturación. En la formula el crecimiento de la corriente de
ánodo se nota al aumentar las ganancias de corrientes de los transistores por efecto del
aumento de las corrientes de emisor de los transistores, según la
grafica:
α
1
0,8
0,6
0,4
0,2
10-3 10-2 10- 1 IE[mA]
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Cuando α1 + α2 = 1 el denominador de la formula se hace cero y la corriente del ánodo

del tiristor se hace infinita. En la práctica, queda limitada por el circuito externo
3) Si hacemos IGP = 0 e IGN ≠ 0 o sea tenemos activación por la compuerta del

transistor pnp (corriente de base saliente) comienza a producirse el mismo efecto de
realimentación pero en este caso requerirá mayor corriente de compuerta dado que en la
expresión de la corriente de ánodo el termino de IGN en el numerador, esta afectado por
(1-α2).
Condiciones transitorias en el tiristor:

Bajo condiciones transitorias de tensión en sus extremos principales, las capacitancias
de las junturas J1, J2, J3, influyen en el comportamiento del tiristor.
Cj1 y Cj3 son capacidades de almacenamiento o difusión, para una juntura polarizada
directamente. Cj2, es la capacidad de la carga espacial o de transición, para una juntura
polarizada inversamente. Si el tiristor esta en bloqueo directo, un rápido crecimiento del
voltaje aplicado entre los extremos ánodo-cátodo, provocará un flujo de corriente a
través de los capacitores de las junturas.. La corriente que pasa por el capacitor Cj2
vale:
Ij2 = d(qj2) / dt = d(Cj2.Vj2) / dt = Vj2.dCj2/dt + Cj2.dVj2/dt
Como vemos, si dVj2/dt es grande, también lo será Ij2, dando lugar a un incremento de
las corrientes de fuga ICBO1 y ICBO2 d la juntura J2 de los transistores, provocando un
incremento de la corriente de ánodo y, por realimentación, α1 y α2 se incrementan,
causando la conducción del tiristor en forma indeseable. Además, si esta corriente
capacitiva es muy grande, puede destruirlo.
Activacion del tiristor
Los tiristores pueden activarse, o sea incrementar su corriente de ánodo, por diversas
formas:
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1) Accion termica: Si la temperatura del tiristor es alta, se incrementan las corrientes
ICBO1 y ICBO2 por generación de portadores minoritarios (electrón-huecos), aumentando
los valores de α1 y α2. Cuando α1 +α2 = 1, por acción regenerativa el tiristor se activa.
En consecuencia es necesario limitar la temperatura máxima de funcionamiento para
evitar esta condición no deseada. Los fabricantes suministran los valores máximos de
temperatura de funcionamiento.
2) Accion de la luz: Si se permite que la luz llegue a las junturas del tiristor (J2),
aumentaran los portadores minoritarios electrón-huecos, aumentando las corrientes =
ICBO1 y ICBO2 , hasta provocar la activación. Este mecanismo se utiliza para activar
tiristores que trabajan en convertidores para alta tensión, utilizando fibras ópticas para
su activación y aislamiento eléctrico del circuito generador de los pulsos de disparo.
(Tiristores activados por luz LASCR).
3) Aumento de la tension aplicada: Si la tensión directa aplicada Vac (ánodo-cátodo)

resulta mayor que VBO, (tensión máxima de bloqueo directo), por efecto “avalancha”,
aumenta ICBO1 y ICBO2 hasta la activación por acción regenerativa, con probabilidad de
destrucción. Esto limita la máxima tensión directa aplicada.
4) Variación de la tension aplicada (dv/dt): Esta acción produce un aumento de las

corrientes capacitivas de las junturas del tiristor, suficientes para activarlo. Un valor alto
de estas corrientes, puede ser destructivo. Los fabricantes establecen los límites de dv/dt
que pueden soportar los tiristores.
5) Accion del transistor Q2 ò por corriente de compuerta: Es el método normal para

activarlo; se logra aplicando un voltaje positivo a la compuerta respecto al cátodo, que
provocara la circulación de la corriente “IGP”, dando lugar a la acción regenerativa
interna en el tiristor . La activación para el “SCR” se logra con voltajes de bloqueo
directo (ánodo positivo respecto al cátodo)
Caracteristica tension-corriente entre anodo y catodo para el SCR
ia
Corriente mínima
De enganche IL
Características
Corriente mínima Con corriente
De mantenimiento de compuerta
IH Ig1>Ig2>ig3
Voltaje de
Ruptura inversa
vac
Corriente de fuga VBO
Inversa Voltaje de
Ruptura directo
para Ig =0
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3-1 Tiristores
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Se observa que en el primer cuadrante, tenemos las características directas. Si
aumentamos la tensión “vac” al principio la corriente directa es insignificante. Cuado
llegamos a la zona limite de bloqueo directo (VBO) la corriente comienza a aumentar y
la tensión a disminuir; en este momento comienza la realimentación interna del tiristor,
donde se manifiesta una característica de resistencia “negativa”. Durante este periodo, el
dispositivo “transita por esta zona “, hasta llegar a una zona con característica de
resistencia positiva, el tiristor podrá quedar con determinados valores de corriente y
tensión, dependiente de la tensión externa de alimentación y la resistencia de carga. Esto
se puede lograr, si la corriente anódica supere el valor mínimo de enganche o retención
(IL). Cuando la corriente anódica comienza a disminuir, a partir de un valor mínimo (iH),
el dispositivo vuelve al estado de bloqueo directo. Las características directas, se
modifican (líneas de trazos) de acuerdo con el valor de la corriente inyectada en la
compuerta. En este caso vemos que aumentando la corriente en la compuerta, la tensión
de bloqueo directo, disminuye.
Característica tensión- corriente en la compuerta del SCR
Los tiristores tienen limitaciones en tensión, corriente y disipación máxima de

compuerta. Veamos por ejemplo la característica tensión –corriente de la compuerta del
SCR:
Curvas límites de una familia de SCR

vg Recta de carga
Punto de operación
VGG Curva para un SCR especifico
Disipación máxima
con pulsos de disparo
Disipación promedio o
disparo con cc
VGG/Rs. ig
Zona de disparo
inseguro
Los fabricantes suministran una zona limitada por dos curvas donde se puede ubicar el
punto de operación. La recta de carga, del circuito de disparo, debe ubicarse por debajo
de la hipérbola de máxima disipación promedio, si se lo dispara con tensión continua; si
se lo dispara con pulsos, la recta de carga se podra ubicar debajo de la máxima
hipérbola de disipación instantánea Por ejemplo si PGpromedio=0,5 vatios y PGmax= 10
vatios, entonces se podrá disparar al SCR con pulsos con una potencia máxima de 10
watios con una duración de tp=0, 5 mseg., con un periodo de 10 mseg., dado que la
potencia promedio, no supera los 0,5 vatios.
En la zona rayada, no es conveniente que cruce la recta de carga del circuito de disparo,
dado que el encendido, depende de la temperatura lo que lo hace inseguro.
PGpromedio= 1/T.∫0tp Pmax. dt = 1/T . Pmax.tp = (1/10) .10 .0,5 = 0,5 vatios.
La relación tp / T se le denomina relación de ciclo de disparo.
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Características de activación del SCR
Entre el momento de aplicación del pulso de disparo en la compuerta del tiristor, hasta
que la corriente de ánodo llegue a su valor final, establecido por el circuito externo, se
produce un retardo, denominado “tiempo de encendido”(ton). Este tiempo, esta definido
como el intervalo de tiempo que transcurre entre el 10% de la corriente de compuerta en
estado estable (0,1.IG) y el 90% de la corriente de ánodo, en estado de encendido
(0,9IA).
iA
IA
0,9.IA
0,1.IA
0
t
iG
IG
0,1.IG
t
0
td tr
ton
td: tiempo de retraso, comprendido entre 0,1.IG y 0,1.IA.
tr: tiempo de subida, comprendido entre 0,1.IA y 0,9.IA.
ton = td + tr : tiempo de encendido.
Cuando se diseña el circuito de control, se deben tener en cuenta, los siguientes puntos:
1) Se debe eliminar la señal de compuerta una vez que el tiristor se activo; con esto se
logra disminuir la perdida de potencia en la compuerta.
2) Cuando el tiristor esta con polarizacion inversa, no debe haber señal de compuerta,
dado que puede dañarlo por aumento de la corriente de fuga.
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3-1 Tiristores
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3) El ancho del pulso de compuerta “tp” debe ser mayor que el tiempo requerido para
que el tiristor se active o sea que la corriente de ánodo llegue por encima de la corriente
de enganche o retención, tp > ton.
Características de desactivación del SCR
Para desactivar un tiristor, debemos reducir la corriente de ánodo por debajo de la de

mantenimiento (IH). Esto se puede lograr en forma natural, por el cambio de polaridad
de la tensión externa de alimentación, o por métodos de conmutación forzosa, por
medio de circuitos auxiliares. Una vez lograda que la corriente este por debajo de la
mínima de mantenimiento, es necesario esperar un tiempo relativamente largo, de
manera tal que todos los portadores de carga en exceso, en las cuatro capas se eliminen;
caso contrario, el tiristor volverá a activarse, cuando se le aplique una tensión directa,
sin necesidad de aplicar una señal de compuerta. De ocurrir esto ultimo, por
sobrepasarse la frecuencia de conmutación máxima del dispositivo, se pierde el control
de la potencia convertida.
IA
trr trc
Vac
tq
trr : Corresponde al tiempo de recuperación inversa de las junturas J1 y J3.
trc : Corresponde al tiempo de recuperación inversa de la juntura J2.
Qrr : Es la carga de recuperación inversa durante el proceso de desactivación ;

representa el área encerrada por la corriente (área rayada). Su valor depende del tipo de
tiristor, de la corriente previa a la conmutación y de la velocidad de reducción de la
corriente.
Los fenómenos de activación y desactivación, producen perdidas de potencia.
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3-1 Tiristores
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Protección contra la di/dt en los tiristores
El inconveniente de la “di/dt” es similar al caso de los diodos semiconductores. Los

tiristores requieren un tiempo para dispersar toda la corriente en forma uniforme a
través de las junturas. Si la di/dt, toma un valor muy alto, pueden producirse puntos
calientes, debido a las altas densidades de corriente que pueden hacer fallar al tiristor.
La solución para este caso, es colocar una inductancia en serie con el dispositivo como
se muestra en el siguiente circuito:
En este circuito practico con carga inductiva, Dm actúa como diodo volante para
recuperar energía magnética. Este diodo conduce cuando el tiristor T1 esta cortado o
desactivado. Cuando T1 se activa, Dm sigue conduciendo inversamente (durante su
proceso de conmutación al estado de bloqueo) por lo que Vs ≈ Ls. Di/dt . Por lo tanto
conociendo el valor máximo que puede soportar el semiconductor respecto a di/dt (el
fabricante suministra su valor), podemos determinar el valor de la inductancia de
protección como: Ls ≥ Vs / (di/dt).
El capacitor C2 se coloca para absorber la energía almacenada en Ls, cuando Dm se
bloquea después de su conducción y asi evitar una sobre tensión sobre el tiristor. La
resistencia R2 cumple la misión de disipar la energía y amortiguar el transitorio del
circuito Ls C2.
Protección contra la dv/dt
Para que la tensión aplicada no supere la máxima variación permitida del tiristor, suele
conectarse en paralelo con el dispositivo, una red RC en serie. De esta manera, la carga
del capacitor, limita la velocidad de crecimiento del voltaje en los extremos del
dispositivo. Para su cálculo, consideramos la carga del capacitor con la tensión externa
de alimentación
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Vac
0,632.Vs
t
t=τ=RsCs
Calculamos la variación de la tensión de carga del capacitor para el tiempo igual a la

constante de carga τ = Rs.Cs
dv/dt = 0,632.Vs /τ = 0,632.Vs / Rs.Cs despejamos :
Rs.Cs = 0,632.Vs / dv/dt(max)
El valor de Hrs., se determina como Rs = Vs / IAD siendo IAD la corriente máxima de

descarga del capacitor, que puede soportar el tiristor.
TIPOS DE TIRISTORES
Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por el proceso de difusión. Con técnicas
especiales y estructuras de compuerta, controlan los valores de di/dt, tiempo de
encendido y tiempo de apagado. En gral se los activa con impulsos cortos de excitación
en la compuerta. Para apagarlos, se requieren condiciones especiales de la tensión o
circuitos especiales de apagado. Con el fin e tener un control mas eficiente, tanto en las
condiciones de activación como en la desactivación, se han desarrollado una serie de
dispositivos nuevos que han mejorado notablemente al clásico tiristor “SCR”
Daremos a continuación una clasificación de los diversos tiristores de potencia que
tienen aplicaciones comerciales y una breve descripción de ellos.
1) Tiristores controlados por fase (SCR)
2) Tiristores bidireccionales controlados por fase ( BCT)
3) Tiristores de conmutación rápida (SCR)
4) Rectificadores controlados de silicio foto activados (LASCR)
5) Tiristores de tríodo bidireccional (TRIAC
6) Tiristores de conducción en sentido inverso (RCT)
7) Tiristores de apagado por compuerta (GTO)
8) Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
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3-1 Tiristores
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9) Tiristores de apagado por MOS (MTO)
10) Tiristores de apagado (control) por emisor (ETO)
11) Tiristores conmutados por compuerta integrada (IGCT)
12) Tiristores controlados por MOS (MCT)
13 Tiristores de inducción estática (SITH)
Tiristores controlados por fase (SCR)
Son tiristores de bajo costo, alta eficiencia y especificaciones de alto voltaje y corriente.
Se utilizan en los convertidores de de corriente alterna a corriente continua, a frecuencia
industrial (50 0 60 Hz) o sea, en rectificadores controlados por el método de control por
fase. Se usan en casi todas las transmisiones de CC en alto voltaje (HVDC) y control de
velocidad de motores de CC. Tienen un tiempo de apagado “tq” del orden de los 50 a
100 μseg. Tienen un voltaje en sus extremos en estado activado que varia desde 1,15 V
para 600 V, hasta 2,5 V para tiristores de 4000 V de tensión de bloqueo directo e
inverso. Por ejemplo un tiristor SCR de 1200 V, 5500 A, el voltaje de caída suele ser de
1,25 V.
Los tiristores modernos, suelen tener una compuerta amplificadora como se muestra en
el siguiente esquema.
El encendido se realiza activando el tiristor auxiliar que a su vez amplifica la señal de

compuerta para el tiristor principal. Con esto se logra una simplificación para el circuito
generador de los pulsos de disparo, unas características dinámicas altas con tasas de
“dv/dt” tipicas de 1000V/μseg. y tasas de “di/dt” de 500 A/μseg., obteniéndose con
estos valores, una simplificación del inductor limitante y circuito de protección contra la
dv/dt.
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3-1 Tiristores
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Tiristores bidireccionales controlados por fase (BCT)
Símbolo
del BCT
Equivalencia
A B A con dos SCR
B
Es un dispositivo único, de reciente aparición para el control de alta potencia, que

combina dos tiristores en un mismo encapsulado. Tiene la ventaja de ser mas compacto
simplificando el sistema de enfriamiento, mayor fiabilidad y menor costo final del
convertidor. El comportamiento eléctrico del BCT corresponde a dos tiristores
fabricados en la misma oblea y conectados en antiparalelo. Tiene dos compuertas, una
para activar la corriente en sentido directo (tiristor A) y la otra, para activarla en sentido
inverso (tiristor B). La desactivación se logra por disminución de la corriente anódica
por debajo de la mínima de mantenimiento, similar a los SCR.
Tiene aplicaciones en frecuencia industrial tales como compensadores estáticos de volt-
amperes reactivos (VAR), arrancadores suaves y control de motores. Tienen
especificaciones máximas de tensiones de bloqueo de 6500 V a 1800 A. La máxima
especificación de corriente es de 3000 A a 1800 V.
Tiristores de conmutación rápida (SCR)
Son usados en aplicaciones de conmutación de alta velocidad, con conmutación forzada

con el caso de los convertidores de cc a ca, denominados inversores. Tienen un tiempo
corto de apagado, entre 5 y 50 μseg, dependiendo del intervalo de voltaje. La caída de
voltaje en sus extremos, cuando están activados, es función inversa del tiempo de
encendido (tq). Este tiristor, suele llamársele SCR rápido o “tiristor inversor”.
Estos tiristores, tienen valores altos de dv/dt, de unos 1000 V/μseg y valores de di/dt de
1000 A/μseg. Estos valores altos de dv/dt y di/dt, son importantes para reducir el
tamaño y peso de los componentes auxiliares del circuito de conmutación.
Se disponen de tiristores rápidos con valores de 1800 V de bloqueo directo e inverso y
corriente de 2200 A, con una caída de tensión directa de 1,7 V. Existen tiristores
rápidos con bloqueo inverso (no destructivo ) de unos 10 V, con un tiempo de apagado
muy corto de alrededor de 3 a 5 μseg; a estos últimos, “tiristores asimétricos”(ASCRS).
Tiristores foto activados (LASCR)
Estos tiristores, se activan por radiación de luz directa, en la oblea de silicio, en la zona
de la juntura “J2”. La radiación de luz genera en esta zona (polarizada inversamente,
con tensión de bloqueo directo, en los extremos del tiristor), generando suficiente pares
electrón-huecos que, por el proceso de realimentación, activan al tiristor.
La estructura de la compuerta se diseña de tal forma que proporciona suficiente
sensibilidad para ser activado con fuentes luminosas normales como por ejemplo
radiación luminosa provenientes de fibras ópticas o diodos emisores de luz(LEDS).
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3-1 Tiristores
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Estos tiristores se usan en aplicaciones de alto voltaje y corriente, a frecuencia
industrial, como las conversiones para transmisiones CC de alto voltaje (HVDC) y
compensación de potencia reactiva. Los LASCR, tienen un aislamiento eléctrico
completo entre la fuente de radiación de activación y el circuito conversor que trabaja a
alta tensión. Las especificaciones eléctricas máximas de estos dispositivos, llegan a
4000 V a 1500 con una potencia de activación, menor de 100 mW. Soportan una dv/dt
de hasta 2000 V/μseg y di/dt de unos 250 A/mseg.
Circuito equivalente
simbolo
Tiristores de tríodo bidireccional (TRIAC)
Es un dispositivo semiconductor de característica biestable, con la particularidad que

puede conducir corriente controlada en ambos sentidos, con tensiones positivas y
negativas, aplicadas a sus terminales principales. La activación, se realiza en forma
similar a los SCR, aplicándoles una tensión eléctrica, de determinada polaridad, al
terminal de compuerta.
Como el triac, puede conducir en ambas direcciones, sus terminales principales, se
denominan T2 y T1, en reemplazo del cátodo y ánodo de los dispositivos
unidireccionales, como el SCR. Estructuralmente, esta constituido de la siguiente
forma:
T2
N N
P
P simbolo
N N Circuito análogo
con dos SCR
T1
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3-1 Tiristores
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Como vemos tenemos en la oblea de silicio, un SCR desde el terminal 2 al terminal 1, y
otro SCR en paralelo, pero conectado desde terminal 1 al terminal 2 (antiparalelo). Las
compuertas de ambos SCR están unidas a una compuerta (G) común.
La característica tensión corriente del triac es la siguiente:
Activado (con ±vG)

2º cuadrante 1º cuadrante
bloqueado
Bloqueado
1º cuadrante 4º cuadrante
Activado (con ±vG)
Si tomamos al Terminal “T1” como referencia, podemos decir que el triac se activa
tanto con tensión positiva o negativa del Terminal “T2” y además el pulso aplicado a la
compuerta respecto al Terminal de referencia (T1) puede ser positivo o negativo. De
esta forma tendremos cuatro posibilidades de disparo a saber:
1) Terminal T2 positivo con pulso en G positivo (1º cuadrante con +VG) I+
1) Terminal T2 positivo con pulso en G negativo (1º cuadrante con -VG) I-
1) Terminal T2 negativo con pulso en G negativo (3º cuadrante con -VG) III-
1) Terminal T2 negativo con pulso en G positivo (2º cuadrante con +VG) III+
En la práctica las sensibilidades al disparo son diferentes. En el primer cuadrante se
logra activar al triac con menor corriente de compuerta, aplicándole un pulso de tensión
positiva. Para el tercer cuadrante la mayor sensibilidad, se logra con un pulso de tensión
negativa, en la compuerta.
Esencialmente el TRIAC no presenta diferencias de funcionamiento con respecto al
SCR. Los regimenes máximos que garantiza el fabricante están determinados por la
temperatura máxima de funcionamiento. Los valores de tensión de bloqueo están
disponibles hasta 1200 V y corrientes máximas de 300 A. La frecuencia máxima de
operación es de 400Hz, con tiempos de conmutación de 200 a 400 μseg.
Los TRIAC, tienen aplicaciones en los convertidores de ca a ca (modifican el valor
eficaz de la tensión alterna) por el método de control por fase. Cuando trabajan con
carga inductiva, debido a que la corriente circula mas allá del cruce por cero de la
tensión de alimentación, cuando la corriente se hace finalmente cero, el TRIAC se
somete a una dv/dt alta debido a que en ese momento la tensión en sus extremos toman
el valor de la tensión externa que en ese momento tiene un valor alto. Por ello es
necesario protegerlo con una red pasiva RC, dado que si no se lo hace, se pierde el
control de potencia y el TRIAC se reactiva inmediatamente sin pulso de disparo.
___________________________________________________________________ 16
3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Tiristores de conducción en sentido inverso (RCT)
Estos tiristores se utilizan en aquellos convertidores que necesitan conducir una

corriente en sentido inverso, por causa de una carga inductiva y para mejorar los
requisitos de apagado del circuito de conmutación. El RCT, esta compuesto en un
mismo encapsulado por SCR y un diodo en antiparalelo, como muestra la figura:
El diodo fija el voltaje de bloqueo inverso en 1 a 2 volt en estado estable; en

condiciones transitorias su valor es de unos 30 volt por las inductancias parásitas
internas. Se disponen de RCT con tensiones de bloque directo de 400 a 2000 V con
corrientes de hasta 500 A. A este dispositivo, también se le suele llamar ASCR o tiristor
asimétrico, con aplicaciones en circuitos específicos.
Tiristores de apagado por compuerta (GTO)
EL GTO, en forma similar a un SCR, se puede activar con una señal pulsante positiva
en la compuerta, pero tiene la posibilidad de apagarlo con una señal negativa aplicada
en la misma compuerta. Los GTO, se pueden construir con especificaciones de tensión
y corrientes parecidas a los SCR, con las siguientes ventajas: 1) No necesitan elementos
auxiliares de conmutación en convertidores que necesitan la conmutación forzada,
reduciendo el costo peso y volumen del convertidor. 2) Reducción del ruido acústico y
electromagnético por eliminación de los reactores de conmutación. 3) Desactivación
mas rápida lo que le permite trabajar con frecuencias de conmutación mas elevada.
4) Mayor eficiencia de los convertidores.
En aplicaciones de baja potencia, los GTO también tienen ventajas sobre los transistores
bipolares: 1) Mayor especificación de voltaje de bloqueo. 2) Alta relación de corriente
pico controlable a corriente promedio. 3) Alta relación de corriente pico de sobrecarga y
la corriente promedio. (10:1) 4) Alta ganancia entre la corriente en el estado activo y la
corriente de compuerta necesaria para su activación (1:600). 5) Señal pulsante de corta
duración en compuerta para su activación y desactivación a diferencia del transistor
bipolar que requiere señal permanente en estado activo.
A continuación veremos el corte transversal del GTO, su símbolo y su circuito
equivalente:
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3-1 Tiristores
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Ánodo
n+
n
n+
Símbolo
Cátodo Compuerta
(C) (G)
A diferencia del SCR, el GTO tiene una capa adicional “n+” cerca del ánodo, que forma
un circuito de apagado entre la compuerta y el cátodo, en paralelo con la compuerta de
encendido. El circuito equivalente es similar al SCR, excepto por su mecanismo de
apagado interno. La activación se logra con un pulso de corriente entrante, aplicado
entre la compuerta y el cátodo. Para lograr la realimentación interna que lo lleve al
estado activo o encendido, el pulso de corriente entrante debe cumplir especificaciones,
dadas por el fabricante, respecto al gradiente de elevación, corriente máxima y duración
del impulso.
El apagado se logra haciendo pasar un gran pulso de corriente entre el cátodo y la
compuerta (corriente saliente de la compuerta), para apartar suficientes portadores de
carga del cátodo, que correspondería al emisor del transistor Q2 (transistor npn, en el
circuito equivalente) para cortarlo y de esa manera sacar al transistor Q1 de la acción
regenerativa. Con esta acción, el transistor Q1 queda con la base abierta y el GTO
vuelve al estado desactivado o no conductor. De la misma forma, el pulso de corriente
de apagado debe cumplir con las especificaciones dadas por el fabricante.
Respecto a la corriente de encendido del ánodo, esta debe ser por lo menos del 1% del
pulso de activación, para asegurarse que la compuerta mantenga la retención del estado
activo. Durante el apagado, la corriente de ánodo, tiene una larga “cola residual de
apagado” por lo que se debe esperar un tiempo especificado, hasta que se haya disipado
la carga residual del ánodo y se pueda, nuevamente activarlo. En la próxima figura se
muestra las especificaciones que debe cumplir el pulso positivo de encendido, como así
también la forma típica de la corriente de ánodo en función del pulso negativo de
apagado.
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3-1 Tiristores
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0,8 IGM
diG/dt Pulso de corriente
0,5 IGM de activación del GTO
IGM
0,1 IGM IG
tGM
I ánodo
Corriente de ánodo,
tGQ(1) en función del pulso
negativo de apagado de
tGQ(2) compuerta del GTO
IGQ(2)
- IG
IGQ(1)
En la próxima figura mostramos el circuito simplificado de apagado del GTO:
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3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Como el GTO necesita una corriente elevada de apagado (aprox. 1/6. IA), es común usar
un capacitor para proporcionar la corriente necesaria en la compuerta para apagarlo. El
inductor se coloca para limitar el valor de di/dt de la corriente de la compuerta
circulando por S1, R2, R1 y L. Se debe seleccionar el voltaje de suministro VGS al
circuito de compuerta para alcanzar el valor necesario de apagado. Los valores de R1 y
R2 se minimizan.
Durante el periodo de apagado, que comienza después que la cola de corriente de ánodo
llega a cero, la compuerta en el caso ideal, debería permanecer con polarizacion inversa,
para asegurar la máxima especificación de bloqueo. Esta polarizacion inversa se puede
obtener ya sea manteniendo cerrado “S1”, durante el periodo de no conducción, o
usando un circuito de mayor impedancia “S2” y R3, siempre y cuando exista un voltaje
negativo mínimo.
En el caso de una falla de los circuitos de auxiliares de apagado, la compuerta puede
permanecer en condición de polarización inversa, y el GTO podrá no bloquear la
tensión. Para asegurar que se mantenga un voltaje de bloqueo en el dispositivo, de debe
aplicar una resistencia mínima de compuerta “RGC” especificada por el fabricante.
Para la condición de apagado, los GTO tienen baja ganancia, normalmente seis, lo que
requiere un pulso de corriente elevado para desactivarlo. La caída de voltaje en sus
extremos, es mayor que los SCR; por ejemplo para un GTO de 1200 V y 550 A, su
caída de tensión es de 3,4 volt.
En algunas aplicaciones, los GTO necesitan un diodo rápido conectado en antiparalelo;
en este caso, no necesitan tener capacidades de bloqueo de voltaje inverso. Con
modificaciones en la capa interna “n”, se logran “GTO asimétricos” en un solo
encapsulado.
Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
Un tiristor FET-CTH, esta compuesto, en un solo encapsulado, de un tiristor

convencional del tipo SCR y un transistor MOSFET. Este último cuando se le aplica un
voltaje en su compuerta, conduce la corriente de disparo o activación del tiristor. La
tensión necesaria aplicable al MOSFET para el disparo, es de unos 3 volt.
Este dispositivo, tiene alta velocidad de conmutación y altos valores de di/dt y dv/dt.
La siguiente figura, muestra el circuito equivalente del FET-CTH:
El encendido es por tensión eléctrica, pero no se puede apagar, salvo por la conmutación
natural o forzosa. Tiene aplicaciones cuando se debe usar disparo óptico para dar
aislamiento eléctrico entre la señal de control y la del circuito convertidor.
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3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Tiristor de apagado por MOS (MTO)
El MTO es una combinación de un GTO y un MOSFET, que juntos mejoran las

capacidades de apagado del GTO. Vimos que en este último, necesitamos una corriente
inversa considerable para cortar la corriente de emisor del transistor npn y de esta
manera eliminar la realimentación con el transistor pnp para así desactivar al GTO. En
el caso del MTO, el transistor MOS, que esta conectado entre la base y emisor del
transistor bipolar npn, hace caer la tensión base emisor por debajo del umbral y de esta
manera éste transistor deja de conducir, eliminando la realimentación.
La estructura es parecida al GTO, conservando las ventajas de alto voltaje (hasta 10Kv)
y elevada corriente (4000 A), con aplicaciones de gran potencia (1 a 20 MVA).El MTO
se apaga mas rápidamente que el GTO y casi se eliminan las perdidas asociadas a las
cargas de almacenamiento. También tienen una mayor dv/dt y en forma parecida al
GTO, tienen una larga cola de corriente de apagado.
Ánodo
n+
n
n+ Símbolo
Circuitos equivalentes
cátodo
Compuerta
Compuerta de apagado
de encendido
Tiristores de apagado por emisor (ETO)
El ETO es un dispositivo hibrido compuesto por un MOS y un GTO, en el que se

combinan las ventajas de ambos semiconductores. Tiene dos compuertas, una normal
para activarlo y otra, con un MOSFET conectado en serie, para apagarlo. Su estructura
y circuito equivalente, se muestra en la siguiente figura:
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3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Ánodo
p Símbolo
n
activac.
p
G1
n desact.
G2
Cátodo
Circuito
equivalente
La activación se logra aplicando voltajes positivos a las compuertas 1 y 2; de esta

manera el MOSFET de canal P se mantiene en condición de bloqueado y el MOSFET
de canal N conduce, permitiendo un flujo de corriente a la compuerta del GTO. Esta
corriente inicia el proceso de realimentación interna la realimentación haciendo que el
GTO conduzca y asi el ETO pasa al estado de conducción o activación.
El apagado se logra aplicando un voltaje negativo a la compuerta 2, apagando el
MOSFET de canal N ; la corriente principal se desvía del cátodo (emisor del transistor
bipolar npn del GTO) , hacia la base a través del MOSFET de canal P, deteniendo el
proceso de realimentación interna y apagando o desactivando al ETO.
En forma parecida al GTO, el ETO también tiene una cola larga de la corriente de
ánodo, al final del apagado, por lo que se debe esperar para el siguiente encendido, hasta
que la corriente residual, del lado del ánodo, se haya disipado por el proceso de
recombinación.
Se disponen de estos dispositivos con tensiones de bloqueo directo e inverso de valores
de hasta 6 KV y corrientes de hasta 4000 A.
Tiristores conmutados por compuerta integrada (IGCT)
En el IGCT, se integran un tiristor conmutado por compuerta (GCT) y un activador de

compuerta en tarjeta de circuito impreso multicapa. El GCT, es un GTO de
conmutación permanente con un pulso de corriente de compuerta muy rápido y de valor
muy alto, prácticamente del mismo valor que toma la corriente de cátodo y la lleva a la
compuerta en aproximadamente en 1 μseg para asegurar un apagado rápido.
La estructura interna de GCT y su circuito equivalente, es parecido al GTO, como se
muestra en la siguiente figura, que además tiene un diodo integrado en paralelo:
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3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Ánodo
p+
n+
n
Lado
Lado del
del diodo
GTO n-
p p
n+
Compuerta
Cátodo
Circuito
equivalente
T.C.I
El encendido del IGCT es similar al GTO, aplicando una corriente de encendido a la

compuerta. Para apagarlo, se recurre a una tarjeta de circuito impreso multicapa de
compuerta que aplica un pulso de apagado de subida rápida, por ejemplo una corriente
de 4 KA/μsg, con solo un voltaje de 20 volt de compuerta –cátodo. Con esta variación
de la corriente de compuerta, el transistor npn, del lado del cátodo, se apaga en su
totalidad en menos de aprox. 1 μseg. y de hecho el transistor pnp al quedar su base
abierta , también se apaga y el IGCT se desactiva. Debido a la muy corta duración del
pulso, el consumo de compuerta se reduce al mínimo.
Tiristores controlados por MOS (MCT)

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3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
En un MCT, se combinan las propiedades de un tiristor regenerativo de cuatro capas,

con una estructura de compuerta MOS. En forma similar al transistor bipolar de
compuerta aislada (IGBT), se logran las ventajas de los transistores bipolares con las de
efecto de campo; el conjunto resulta en una mejoría respecto a un tiristor con un par de
MOSFET, que lo activan y lo desactivan. Existen varios dispositivos de estas
estructuras MCT; solamente analizaremos una de ellas, el MCT de canal “p” de mayor
difusión. En la próxima figura representaremos su estructura interna:
Ánodo
oxido oxido
Compuerta S2 n+ S1 Compuerta
n+
MOSFET MOSFET
M2 M1
de canal n p p+ p de canal p
D2 E2
C1 C1
B2 B2
n
B1
p- C2
n+ E1
metal
Cátodo Esquema estructural

del MCT de canal p
El proceso de construcción de este dispositivo, es complejo, por lo que solamente nos

remitiremos a su circuito eléctrico equivalente, formado por dos transistores bipolares,
uno npn, el otro pnp y dos transistores de efecto de campo MOS, uno de canal n y otro
de canal p, conectados como muestra la siguiente figura:
___________________________________________________________________ 24
3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Ánodo
Compuerta
Cátodo
Símbolo
Circuito eléctrico
equivalente
Debido a que la estructura del MCT es de tipo NPNP, diferente a un SCR normal que es
del tipo PNPN, el ánodo se utiliza como Terminal de referencia, con respecto al cual se
aplican las señales de compuerta para su activación y desactivación.
El encendido de un MCT de canal p que esta en el estado de bloqueo directo (anodo
positivo respecto al cátodo) se puede realizar aplicando un pulso negativo, respecto al
ánodo. En el circuito eléctrico equivalente, vemos que esta acción, hace conducir al
MOS de canal p (M1) y de esta manera, a través de sus terminales drenaje-surtidor,
inyectan una corriente en la base del transistor bipolar npn que inicia la realimentación
interna entre los transistores bipolares Q1 y Q2. El MCT pasa al estado activo.
El MCT permanece en el estado activo, hasta que se invierta la polaridad de la tensión
Ánodo-cátodo, que gaga disminuir su corriente, o aplicando un pulso de apagado en su
compuerta.
El proceso de apagado de un MCT, de canal p, es el siguiente: Si aplicamos un pulso
positivo en la compuerta, respecto al ánodo, este pulso, hace conducir brevemente al
MOS de canal n (M2), lo que hace bajar su tensión drenaje-surtidor. Como estos
últimos terminales están conectados a la juntura base-emisor de Q1, cuando esta tensión
cae por debajo de la tensión umbral, entonces este ultimo transistor, deja de conducir
corriente, abriendo la base de Q2 y de esta manera, se anula la realimentación interna.
El MCT pasa al estado desactivado.
___________________________________________________________________ 25
3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Para un MCT de canal n, la activación se hace con un pulso positivo aplicado a la

compuerta, respecto al cátodo y la desactivación, se realiza aplicando un pulso a la
compuerta de polaridad negativa, respecto al cátodo.
El MCT puede ser operado como dispositivo controlado por compuerta si la corriente
controlada, no supera el valor especificado. Para corrientes mayores, el apagado de un
MCT, debe realizarse de la misma manera que un SCR normal (por conmutación de la
tensión en sus extremos o conmutación forzosa).
Los anchos de pulso de compuerta no son críticos, con corrientes menores a la
especificada. Para corrientes mayores, el ancho del pulso, debe ser mayor. En muchos
circuitos convertidores, como por ejemplo los inversores, se aplican pulsos continuos de
compuerta, tanto en el apagado como en el encendido, para evitar falsos disparos en el
control del MCT.
Los MCT tienen las siguientes características eléctricas:
1) Tiene baja caída de tensión en sentido directo durante su estado conductor.
2) Tienen un corto tiempo de activación, normalmente 0,4μseg. y un corto tiempo de
apagado de aproximadamente 1,25 μseg, por ejemplo para un MCT de 500 V y 300 A.
3) Tiene bajas perdidas por conmutación.
4) Baja capacidad de bloqueo de la tensión inversa.
5) Alta impedancia de entrada en su compuerta lo que simplifica bastante el circuito
generador de pulsos de excitación de compuerta.
6) Puede conectarse en paralelo para conmutar grandes corrientes, con pocas
desviaciones de las especificadas.
7) No puede utilizarse un transformador de pulsos si se necesita un pulso continuo para
evitar falsas excitaciones.
La estructura del MCT se reparte en toda la superficie del dispositivo, lo que le permite
el encendido y apagado rápido con bajas perdidas por conmutación. La potencia o
energía para su activación y desactivación es baja y el retardo debido al almacenamiento
de cargas, también es muy bajo. Todas estas condiciones, lo aproximan como el
dispositivo de retención, ideal, para ser usado en los convertidores de energía eléctrica.
Tiristores de inducción estática (SITH)
El SITH, llamado también diodo controlado-limado (FCD), fue introducido por Tezner
en la década de 1960. Es un dispositivo de portadores minoritarios por lo cual tiene baja
resistencia o baja caída de tensión en sus extremos cuando esta activo o conduciendo la
corriente. Tiene grandes velocidades de conmutación de 1 a 6 μseg, co capacidades de
dv/dt y di/dt elevadas. Se lo puede fabricar para soportar tensiones elevadas de hasta
2500 V con corrientes de hasta 500 A.
Este dispositivo, tiene una alta sensibilidad al proceso de fabricación y pequeñas
perturbaciones en su manufactura, producen grandes cambios en sus características.
Con la llegad de la tecnología de carburo de silicio (SiC) se ha fabricado un SITH con
una tensión de bloqueo directo de 300 V.
En la siguiente figura, se representa un corte transversal de este dispositivo, su símbolo
y su circuito eléctrico equivalente:
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3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Ánodo
p+
J1
Base n
J2
Compuerta p+
J3
canal
J4 n+
Ánodo
Cátodo
Esquema estructural Compuerta
Cátodo
Símbolo
El funcionamiento de este dispositivo es el siguiente: Se enciende con un pulso de

tensión positivo entre compuerta y cátodo. Esto inicia la conducción de corriente en el
diodo pin (p+nn+), que inyecta electrones del cátodo (n+) a la base “n”, entre la
compuerta (p+) y el cátodo (n+), que se difunden por el canal, modulando su
resistividad, haciéndolo mas conductor. Cuando estos electrones llegan a la juntura
“J1”, el ánodo (p+), comienza a inyectar huecos en la base , proporcionando la corriente
de base del transistor Q2. Al aumentar la corriente de base, Q2 pasa a la saturación,
haciendo que la juntura “J2” se polarice directamente y provocando que el SITH, se
active completamente, todo esta acción, en un periodo muy breve.
La compuerta (p+) y la región del canal, toma la forma de un transistor de efecto de
campo de juntura (JFET), proporcionando la corriente de base del transistor Q1(p+n p+).
Debido al alto contenido de dopantes de la compuerta p+, no pasan electrones a la
compuerta. Una parte de la corriente de huecos pasan por la compuerta p+ y por el canal
directamente al cátodo. El resto de la corriente de huecos pasa por la compuerta p+ hacia
el canal, como corriente de compuerta del JFET en modo bipolar (BMFET). La corta
distancia entre cátodo y compuerta da como resultado una concentración uniforme y
grande de portadores en esa región, haciendo que la caída de tensión sea despreciable.
El apagado del SITH, se logra aplicando a la compuerta un pulso negativo de voltaje.
Esto provoca una capa de agotamiento en torno a la compuerta, creando una barrera de
potencial en el canal, que lo hace mas angosto, eliminando el exceso de portadores. Si el
voltaje, aplicado a la compuerta es suficientemente grande, el canal queda desprovisto
de portadores de carga, anulando la corriente entre el ánodo y cátodo, desactivando al
SITH.
___________________________________________________________________ 27

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UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.

Cuando al ánodo se le aplica tensión positiva respecto al cátodo, las junturas J1 y J3 se

Donde α ≈ IC/ IE representa la ganancia de corriente en base común

IC1 = α1IA + ICBO1 (1)

IC2 = α2IC + ICBO2 (2)

IA =[ ICBO1 + ICBO2 + (1- α2)IGN + α2. IGP ] / [1- (α1+α2) ]

1) Si en la ecuación anterior hacemos IGN = IGP = 0 , es decir no hay activación por

IA = ICBO1 + ICBO2 En este caso α1 =α2 ≈ 0 dado que IE ≈ 0

2) Si hacemos IGN = 0 e IGP ≠ 0 o sea tenemos activación por la compuerta del

10-3 10-2 10- 1 IE[mA]

Cuando α1 + α2 = 1 el denominador de la formula se hace cero y la corriente del ánodo

3) Si hacemos IGP = 0 e IGN ≠ 0 o sea tenemos activación por la compuerta del

Condiciones transitorias en el tiristor:

Activacion del tiristor

3) Aumento de la tension aplicada: Si la tensión directa aplicada Vac (ánodo-cátodo)

4) Variación de la tension aplicada (dv/dt): Esta acción produce un aumento de las

5) Accion del transistor Q2 ò por corriente de compuerta: Es el método normal para

Caracteristica tension-corriente entre anodo y catodo para el SCR

Característica tensión- corriente en la compuerta del SCR

Los tiristores tienen limitaciones en tensión, corriente y disipación máxima de

Curvas límites de una familia de SCR

Características de activación del SCR

td: tiempo de retraso, comprendido entre 0,1.IG y 0,1.IA.

tr: tiempo de subida, comprendido entre 0,1.IA y 0,9.IA.

ton = td + tr : tiempo de encendido.

Características de desactivación del SCR

Para desactivar un tiristor, debemos reducir la corriente de ánodo por debajo de la de

trr : Corresponde al tiempo de recuperación inversa de las junturas J1 y J3.

trc : Corresponde al tiempo de recuperación inversa de la juntura J2.

Qrr : Es la carga de recuperación inversa durante el proceso de desactivación ;

El inconveniente de la “di/dt” es similar al caso de los diodos semiconductores. Los

Protección contra la dv/dt

Calculamos la variación de la tensión de carga del capacitor para el tiempo igual a la

dv/dt = 0,632.Vs /τ = 0,632.Vs / Rs.Cs despejamos :

Rs.Cs = 0,632.Vs / dv/dt(max)

El valor de Hrs., se determina como Rs = Vs / IAD siendo IAD la corriente máxima de

1) Tiristores controlados por fase (SCR)

2) Tiristores bidireccionales controlados por fase ( BCT)

3) Tiristores de conmutación rápida (SCR)

4) Rectificadores controlados de silicio foto activados (LASCR)

5) Tiristores de tríodo bidireccional (TRIAC

6) Tiristores de conducción en sentido inverso (RCT)

7) Tiristores de apagado por compuerta (GTO)

8) Tiristores controlados por FET (FET-CTH)

10) Tiristores de apagado (control) por emisor (ETO)

11) Tiristores conmutados por compuerta integrada (IGCT)

12) Tiristores controlados por MOS (MCT)

13 Tiristores de inducción estática (SITH)

Tiristores controlados por fase (SCR)

El encendido se realiza activando el tiristor auxiliar que a su vez amplifica la señal de

Es un dispositivo único, de reciente aparición para el control de alta potencia, que

Tiristores de conmutación rápida (SCR)

Son usados en aplicaciones de conmutación de alta velocidad, con conmutación forzada

Tiristores foto activados (LASCR)

Tiristores de tríodo bidireccional (TRIAC)

Es un dispositivo semiconductor de característica biestable, con la particularidad que

Activado (con ±vG)

Estos tiristores se utilizan en aquellos convertidores que necesitan conducir una

El diodo fija el voltaje de bloqueo inverso en 1 a 2 volt en estado estable; en

Tiristores de apagado por compuerta (GTO)

En la próxima figura mostramos el circuito simplificado de apagado del GTO:

Tiristores controlados por FET (FET-CTH)

Un tiristor FET-CTH, esta compuesto, en un solo encapsulado, de un tiristor