UNIDAD DE GESTIÓN DE TECNOLOGÍAS

TECNOLOGIA ELECTROMECANICA

FUNDAMENTOS DE ELECTRONICA INDUSTRIAL

Alumno:

Docente:

Nrc:
 UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS-
ESPE
UNIDAD DE GESTIÓN DE TECNOLOGÍAS

DEPARTAMENTO: ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

CARRERA:TECNOLOGÍA
ELECTROMECÁNICA

CONSULTA

TEMA
Dispositivos semiconductores de potencia
RESUMEN
Todos los dispositivos semiconductores utilizados en Electronica de potencia se pueden
clasificar en tres grandes grupos de acuerdo con su grado de controlabilidad.
Dispositivos no controlados : en este grupo se encuentran los Diodos.Los estados de
conducción o cierre (ON) y bloqueo o abertura(OFF) dependen del circuito de potencia.
Por tanto , estos dispositivos no disponen de ningún terminal de control externo. ( Briozzo,
2008, pág. 30)

La electrónica puede clasificarse, según el tipo de procesamiento de la señal, en

tres áreas básicas: analógica, digital y de potencia. La electrónica analógica tata
principalmente de la operación física y eléctrica y de las aplicaciones de dispositivos
semiconductores utilizados como amplificadores de señal. La electrónica digital trata
la aplicación de los dispositivos electrónicos como conmutadores o llaves
controladas funcionando solo en dos estados: encendido(ON) o apagado (OFF)

La electrónica de potencia trata sobre la operación y aplicaciones de dispositivos

electrónicos utilizados para el control y conversión de la potencia eléctrica.
 Históricamente, los primeros dispositivos para aplicaciones de potencia (ignitrón,
tiratrón) se utilizaron desde principios del siglo XX hasta la década de 1950, a partir de la
cual se desarrollaron ampliamente los dispositivos de estado sólido, Figura 1. En el año
1956 se desarrolló en los Laboratorios Bell el tiristor o SCR. Desde entonces se
perfeccionaron gran cantidad de dispositivos aplicables en esta área de la electrónica. (
Briozzo, 2008, pág. 32)

Figura :(Subestación y elementos de corte)

Fuente:( Briozzo, 2008, pág. 31)

MARCO TEORICO
Diodo
Componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la corriente eléctrica
a través de él en un solo sentido, bloqueando el paso si la corriente circula en sentido contrario, no
solo sirve para la circulación de corriente eléctrica sino que este la controla y resiste. Esto hace
que el diodo tenga dos posibles posiciones: una a favor de la corriente (polarización directa) y otra
en contra de la corriente (polarización inversa)

Figura :(Diodo en su forma natural)

Fuente: ( ( Briozzo, 2008, pág. 35))
Transistor
Dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en respuesta
a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.

Figura :(Tipos de transistores)

Fuente: ( ( Briozzo, 2008, pág. 37))
Rectificador controlado de silicio
El rectificador controlado de silicio es un tipo de tiristor formado por cuatro capas de material
semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unión de Tiratrón y
Transistor.

Figura :(SCR)
Fuente: (https://es/wiki/SCR)
TRIAC
Un TRIAC o Tríodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la familia de
los tiristores. La diferencia con un tiristor convencional es que éste es unidireccional y el TRIAC
es bidireccional. De forma coloquial podría decirse que el TRIAC es un interruptor capaz de
conmutar la corriente alterna.
 Figura :(TRIAC)
Fuente: (https://es/wiki/TRIACs)
Transistor IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada es un dispositivo semiconductor que generalmente se
aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee
las características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de
alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada
FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo.

Figura :(Transistor IGBT)

Fuente: (https://es/wiki/Tipos_de_transistores)
Transistor BJT
Dispositivo formado por dos uniones y que tiene tres terminales (llamados emisor, base y
colector). Hay dos tipos, npn y pnp:

Figura :(Transistor tipo BJT)

Fuente: (https://es/wiki/Tipos_de_transistores)
 Mosfet
Dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y amplificación de señales. El
nombre completo, Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) se debe a la constitución del propio transistor.

Figura :(Mosfet)
Fuente: (https://es/wiki/Mosfet)

APLICACIONES
Diodo
 Estabilizador de tensión
 Circuito de control ON – OFF
 Indicadores
 Rectificador de media onda
 Rectificador de onda completa
Transistor
 Para interrumpir la tensión
 Para amplificar la tensión
Rectificador controlado de silicio
 Control de motores de CC
 Relés de estado sólido
 Control de motores de CA
 Sistemas de control de iluminación
TRIAC
 Interruptor estático serie de media onda
  Control de fase de resistencia variable de media onda
 Regulador del cargador de batería
 Sistema de iluminación de emergencia

Transistor IGBT
 Interruptor crepuscular
 Regulador de intensidad luminosa
Transistor BJT
 Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)
 Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de radiofrecuencia)
Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de alimentación
conmutadas, control de lámparas, modulación por anchura de impulsos PWM)
 Detección de radiación luminosa (fototransistores)
Mosfet
 Resistencia controlada por tensión.
 Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc)
 Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

BIBLIOGRAFIA/LINKOGRAFIA

Briozzo, C. (2008). Dispositivos semiconductores para la Electronica de Potencia. Panama: EDITSS.

https://issuu.com/sanchezdiaz/docs/dispositivos_semiconductores

http://orga.blog.unq.edu.ar/wp-content/uploads/sites/71/2015/06/Dispositivos-de-potencia.pdf

https://es/wiki/SCR