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INGENIERÍA ELECTRONICA
FISICA DE SEMICONDUCTORES
Noviembre 2015
Índice de contenido
INTRODUCCIÓN .......................................................................................................... 4
5.1 TRANSISTORES SCR ........................................................................................... 5
CARACTERÍSTICAS ...................................................................................................... 5
APLICACIONES DEL SCR ............................................................................................. 6
5.2 TRANSISTORES UJT ............................................................................................ 7
APLICACIONES DEL UJT .............................................................................................. 8
5.3 TRANSISTORES DIAC .......................................................................................... 9
PRINCIPIO DE OPERACIÓN Y CURVA CARACTERÍSTICA .................................................. 10
APLICACIONES .......................................................................................................... 11
TIPOS DE DIAC:........................................................................................................ 12
5.4 TRANSISTORES TRIAC ...................................................................................... 12
CARACTERÍSTICAS .................................................................................................... 12
CURVA CARACTERÍSTICA ........................................................................................... 13
APLICACIONES .......................................................................................................... 14
5.5 TRANSISTOR PUT (PROGRAMMMABLE UNIUNION TRANSISTOR) ............... 14
CONCLUSIONES ....................................................................................................... 19
REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS ........................................................................... 20
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Índice de figuras
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Introducción
Familia de los transistores (scr, diac, triac, ujt, put). En este caso un transistor es
un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador. El término transistor hace referencia a
“resistencia de transferencia”.
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Desarrollo
Características
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Si la IG disminuye, el voltaje ánodo-cátodo aumenta. (B y A, y el voltaje ánodo-
cátodo VB y VA).Concluyendo, al disminuir la corriente de compuerta IG, el
voltaje ánodo-cátodo tenderá a aumentar antes de que el SCR conduzca (On,
esté activo). (Fig. 2).
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Por lo anteriormente señalado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones,
entre ellas están las siguientes:
Controles de relevador.
Circuitos de retardo de tiempo.
Fuentes de alimentación reguladas.
Interruptores estáticos.
Controles de motores.
Recortadores.
Inversores.
Ciclo conversores.
Cargadores de baterías.
Circuitos de protección.
Controles de calefacción.
Controles de fase.
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En la Fig. 4. Se muestra el aspecto de una de las curvas características de un
UJT. Vp (punto Q1) nos indica la tensión pico que hay que aplicar al emisor para
provocar el estado de encendido del UJT (recordar que V p = V1 + 0,7). Una vez
superada esta tensión, la corriente del emisor aumenta (se hace mayor que Ip),
provocándose el descebado del UJT cuando la corriente de mantenimiento es
inferior a la de mantenimiento Iv (punto Q2).
Una de las aplicaciones del UJT más común es como generador de pulsos en
diente de sierra. Estos pulsos resultan muy útiles para controlar el disparo de la
puerta de TRIACS y SCR.
Al aplicar una tensión VCC al circuito serie R-C, formada por la resistencia variable
RS y el condensador CS, dicho condensador comienza a cargarse. Como este
condensador está conectado al emisor, cuando se supere la tensión intrínseca,
el UJT entrará en conducción. Debido a que el valor óhmico de la resistencia R1
es muy pequeño, el condensador se descargará rápidamente, y en el terminal
de B1 aparecerá un impulso de tensión. Al disminuir la corriente de descarga del
condensador, sobre el emisor del UJT, por debajo de la de mantenimiento, éste
se desceba y comienza otro nuevo ciclo de carga y descarga del condensador.
Así, se consigue que en el terminal de la base 1 aparezca una señal pulsante en
forma de diente de sierra, que puede utilizarse para controlar los tiempos de
disparo de un SCR o de un TRIAC.
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Para regular el tiempo de disparo es suficiente con modificar el valor óhmico de
la resistencia variable RS, ya que de ésta depende la constante de tiempo de
carga del condensador. (Fig. 5).
Los DIAC son una clase de transistores, y se usan normalmente para disparar
los triac. Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados ánodo y
cátodo. (Fig. 6). Actúa como un interruptor bidireccional el cual se activa cuando
el voltaje entre sus terminales alcanza el voltaje de ruptura, dicho voltaje puede
estar entre 20 y 36 volts según la referencia.
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Un DIAC es un elemento semiconductor utilizado normalmente en el control
de potencia, lo que significa que servirá para controlar electrónicamente el paso
de corriente eléctrica
La curva ilustra esta característica. (Fig. 7) Una vez que tiene lugar la ruptura, la
corriente fluye en una dirección que depende de la polaridad del voltaje en las
terminales. El dispositivo se apaga cuando la corriente cae abajo del valor de
retención.
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Ilustración 7 Curva característica del DIAC
Aplicaciones
Controles de relevador.
Circuitos de retardo de tiempo.
Fuentes de alimentación regulada.
Interruptores estáticos.
Controles de motores.
Recortadores.
Inversores.
Ciclo-conversores.
Cargadores de baterías.
Circuitos de protección.
Controles de calefacción.
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Tipos de DIAC:
Características
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Cuando el voltaje es más positivo en MT2, la corriente fluye de MT2 a MT1 en
caso contrario fluye de MT1 a MT2. (Fig. 8). En ambos casos el TRIAC se
comporta como un interruptor cerrado. Cuando el TRIAC deja de conducir no
puede fluir corriente entre las terminales principales sin importar la polaridad del
voltaje externo aplicado por tanto actúa como un interruptor abierto.
Curva característica
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Aplicaciones
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Ilustración 10 Circuito equivalente al PUT
𝐕𝐛𝐛 ∗ 𝐑𝐛𝟏
𝐕𝐠 = = 𝐧𝐕𝐛𝐛
𝐑𝐛𝟏 + 𝐑𝐁𝟐
𝐕𝐚𝐤 = 𝐕𝐝 + 𝐕𝐠 =. 𝟕 + 𝐧𝐕𝐛𝐛
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Mientras la tensión de Vak no alcance el Vp, el Put estará abierto, lo cual
ocasiona que los niveles de corriente sean muy bajos. Una vez que alcance el
nivel Vp, el dispositivo entrara en conducción presentando una baja impedancia
y por lo tanto un elevado flujo de corriente.
Una característica importante de este dispositivo es que tiene una región o zona
de trabajo de resistencia negativa. Cuando la tensión entre ánodo y cátodo, Vak,
supere la tensión Vp (la cual es programada mediante el resistor Rb1 y Rb2), el
dispositivo entra en conducción con lo cual cae la tensión Vk y aumenta la
corriente.
Esto ocurre hasta que se llega a la tensión de valle (Vv), en la cual es un punto
estable de operación. Así se obtiene la región de resistencia negativa, donde se
delimita entre los puntos Vp y Vv. (Fig. 12).
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la fuente de tensión externa y divisor resistivo, aplicado en la compuerta. Estos
parámetros quedan definidos.
𝐑𝟏 × 𝐕𝟏 𝐑𝟏 × 𝐑𝟐
𝐕𝐬 = 𝐲 𝐑𝐠 =
𝐑𝟏 + 𝐑𝟐 𝐑𝟏 + 𝐑𝟐
𝟏 𝐕𝐬 𝐑𝟐
𝐓= = (𝐑 × 𝐂 × 𝐥𝐧) ( ) = (𝐑 × 𝐂 × 𝐥𝐧)(𝟏 + )
𝐟 𝐕𝐬 − 𝐕𝐩 𝐑𝟏
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𝐕𝐛𝐛 − 𝐕𝐩 𝐕𝐛𝐛 − 𝐕𝐯
𝐑𝐦á𝐱 = 𝒚 𝐑𝐦í𝐧 =
𝐈𝐩 𝐈𝐯
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Conclusiones
Cada transistor trabaja de diferente forma, tiene una composición P-N diferente y por lo
tanto su funcionalidad cambia, pueden ser bastante parecidos sin embargo no lo son.
Los transistores UJT, SCR y PUT son bastante parecidos sin embargo cambia su
estructura P-N, en cambio con el TRIAC y DIAC son transistores de corriente alterna
que también su estructura está dada P-N sin embargo la forma en cómo se traslada la
corriente también es diferente ya que es unidireccional o bidireccional.
Uno de los cuales tiene una característica similar es el PUT ya que este su estructura
P-N no es lo diferente si no, su comportamiento en la Rbb y Vp ya que estos se pueden
controlar de manera externa.
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Referencias Bibliográficas
http://www.udb.edu.sv/udb/archivo/guia/electronica-
tecnologico/electronica-de-potencia/2013/i/guia-6.pdf
https://books.google.com.mx/books?id=wpRRNiq5V1EC&pg=PA955&dq
=transistor+put&hl=es&sa=X&ved=0CCMQ6AEwAWoVChMIlP7joJ-
YyQIVwTwmCh2FdQhk#v=onepage&q=transistor%20put&f=false
http://www.dirind.com/dae/monografia.php?cla_id=7
http://www.unicrom.com/Tut_transistor_ujt.asp
http://www.reocities.com/SiliconValley/Orchard/2753/put/put.html
http://potencia.eie.fceia.unr.edu.ar/TIRISTORES 3.pdf
https://apuntesdeelectronica.files.wordpress.com/2011/10/17-
dispositivos-de-disparo-ujt-y-put.pdf
https://apuntesdeelectronica.files.wordpress.com/2011/10/17-
dispositivos-de-disparo-ujt-y-put.pdf
https://books.google.com.mx/books?id=H-
irtU49BOkC&pg=PA187&lpg=PA187&dq=transistor+put+explicacion+se
ncilla&source=bl&ots=Fau-
b_Mq3B&sig=qVee4UIoKIiJzXQUagp6mJvR32Y&hl=es&sa=X&ved=0C
DwQ6AEwB2oVChMImOeVm_aYyQIViXY-Ch3JRQTY -
v=onepage&q&f=false
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