SOLUCIONARIO DE LA PRIMERA PRÁCTICA CALIFICADA 2018-1 DE DISPOSITIVOS

ELECTRONICOS (EE411-M)

PROFESOR: Ing. Juan Tisza.

1.- a) ¿Calcular la resistividad del silicio intrínseco a 300K ?

𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝝆= = = =
𝝈 𝒆(𝒏𝝁𝒏 + 𝒑𝝁𝒉 ) 𝒆𝒏𝒊 (𝝁𝒏 + 𝝁𝒉 ) 𝟏, 𝟔. 𝟏𝟎 . 𝟏, 𝟓𝟒. 𝟏𝟎𝟏𝟎 (𝟏𝟑𝟓𝟎 + 𝟒𝟕𝟓)
−𝟏𝟗

𝟏
𝝆= = 𝟐𝟐𝟐𝟑𝟖𝟎 Ω − 𝒄𝒎
𝟏, 𝟔. 𝟏𝟎−𝟏𝟗 . 𝟏, 𝟓𝟒. 𝟏𝟎𝟏𝟎 (𝟏𝟑𝟓𝟎 + 𝟒𝟕𝟓)

b)¿Si se añade una impureza donadora en una proporción de un atomos por 𝟏𝟎𝟖 atomos de
silicio hallar la resistividad en ohmios-cm?

Sabemos por tablas que la densidad atómica o molecular del silicio es 5.𝟏𝟎𝟐𝟐 1/𝒄𝒎𝟑

Luego:
𝟓.𝟏𝟎𝟐𝟐
𝑵𝑫 = 𝟏𝟎𝟖
= 𝟓. 𝟏𝟎𝟏𝟒 𝑵𝑨 ≅ 𝟎

𝑵𝑫 ≫ 𝟐𝒏𝒊
Entonces:

n =𝑵𝑫 = 𝟓. 𝟏𝟎𝟏𝟒
𝟏 𝟏 𝟏
𝝆= = = = 𝟐𝟔, 𝟑𝟏𝟓𝟖 Ω − 𝒄𝒎
𝝈 𝒆𝒏𝝁𝒏 𝟏, 𝟔. 𝟏𝟎 . 𝟓. 𝟏𝟎𝟏𝟒 . 𝟒𝟕𝟓
−𝟏𝟗

2.Consideramos una muestra de AsGa cuya geometria es un cilindro de 50 um de largo ,

con un radio de 5um.

b)Calcular la resistencia (en funcion de la temperatura ) entre los extremos del cilindro
.Dibujar la respuesta .

𝑳 𝟓.𝟏𝟎−𝟑 𝟔𝟑𝟔𝟔,𝟐
𝑹=𝝆 =𝝆 = 𝝆. 𝟔𝟑𝟔𝟔, 𝟐 =
𝝅𝒓𝟐 𝝅(𝟓.𝟏𝟎−𝟒 )𝟐 𝝈

𝟔𝟑𝟔𝟔, 𝟐 𝟔𝟑𝟔𝟔, 𝟐 𝟔𝟑𝟔𝟔, 𝟐

𝑹= = =
𝝈 𝒆𝒏𝒊 (𝝁𝒏 + 𝝁𝒉 ) 𝟏, 𝟔. 𝟏𝟎−𝟏𝟗 . (𝟖𝟓𝟎𝟎 + 𝟒𝟎𝟎). 𝒏𝒊

𝟒, 𝟒𝟕. 𝟏𝟎𝟏𝟖 𝟒, 𝟒𝟕. 𝟏𝟎𝟏𝟖 𝟒, 𝟒𝟕. 𝟏𝟎𝟏𝟖

𝑹= = 𝟑 𝑬𝒈
= 𝟑 𝟏.𝟒𝟒
𝒏𝒊 𝟏𝟒 𝟐 𝟐.𝟖,𝟔𝟐.𝟏𝟎−𝟓 .𝑻
𝑨𝒐 𝑻𝟐 𝒆𝟐𝑲𝑻 𝟒, 𝟐𝟓. 𝟏𝟎 𝑻 𝒆

𝟏𝟎𝟓𝟏𝟕. 𝟔
𝑹= 𝟑 𝟖𝟑𝟓𝟐.𝟔𝟕
𝑻𝟐 𝒆 𝑻