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n
Éste circuito opera alimentado por una fuente de corriente
R1
VCE 1 VBE
R2
Tener en cuenta
que VBE
depende de la
corriente de
colector
Variación de la tensión VCE en función de la corriente I1
R1 = R2 = 1KW
R
VCE 1 1 VBE
R2
Zona activa
del
transistor
Zona corte
VCE R1 R2 I 1 del
transistor
Variación de la tensión VCE en función de la corriente I1
y las resistencias R1 y R2
R1 R2
Impedancia del multiplicador
R1 = R2 = 1KW
VCE
z I 1 10mA 10 Ω
I 1
Impedancia del multiplicador como sistema realimentado
Realimentador
I CQ 10 mA
f
gm 0,4A / V
ZO 300
VA 100 V
RPI 750 Ω
RO 10 KΩ
1
f
R1
ZO
zO
RO // R1
8Ω
1 a f 1 gm R // R R // R // R 1
O 1 1 2 PI
R1
Impedancia del multiplicador en función de la frecuencia
Zona
capacitiva
Zona
inductiva
Zona
resistiva
ZO 10,8 Ω
Impedancia del multiplicador en función de la frecuencia
Corrección con capacitor
Zona
resistiva
5nF
10nF
20nF
ZO 10,8 Ω Zona
capacitiva
Variación de la tensión del multiplicador con la
temperatura R = R = 1KW
1 2
27ºC
3,4mV/ºC
37ºC
Mejoramiento del multiplicador de VBE para independizarlo
aún más de la corriente de polarización
R1
VCE 1 VBE I C R3
R2
Tener en cuenta
que VBE
depende de la
corriente de
colector
Variación de la tensión VCE en función de la corriente I1
y la resistencia de colector R3
R3=0W
R3=10W
R3=20W
R3=30W
R3=40W
R1 R2 1KΩ