APLICACIÓN TEÓRICA Y PRÁCTICA DEL MODELO DE EBERS-MOLL A UN BJT DEBIDAMENTE

POLARIZADO

Se realizará la aplicación de este modelo mediante un circuito con BJT con la configuración de emisor
común.

Modelo BJT Vbb(V) Vcc(V) Rb(KΩ) Rc(Ω)

BC-548B 12 12 470 220

Rc
C
Q1 220Ω
Rb
B
BC548B VCC
470kΩ 12 V
VBB E
12 V

Se procede a analizar el circuito en las 3 regiones de trabajo del transistor:

REGION ACTIVA:

Analizando la 1ra malla:

VBB=VBE+IbRb
VBB − VBE
Ib =
Rb
VBE ≈0.7 V
12 − 0.7
Ib =
470K
Ib=24.04µA

Analizando la 2da malla:

VCC=VCE+IcRc

VCC =VCE+ βIbRc

Considerando: β=Ic/Ib=290 (Hoja de datos BC-548B)

Ic=290Ib

Ic=290(24.04µA)

Ic=6.97Ma

VCE=VCC-IcRc

VCE=12-(6.97mA)(220Ω)

VCE=10.46 V

REGION DE CORTE:

Condición Inicial: Ib=0

VBB − VBE
0=
Rb
VBB=VBE

Sii Ib=0, Ic=0

VCC =VCE+ (0)Rc

VCC =VCE

REGION DE SATURACION:

La saturacion en un BJT se logra cuando Ic se vuelve máxima,luego en la ecuacion:

VCC=VCE+IcRc, haciendo VCE=0

Vcc
Ic(sat)=
Rc
12
Ic(sat) 
220
Ic(sat)  54.54mA

Ic(sat)
β=
Ib(sat)
54.54mA
290=
Ib(sat)
Ib(sat)=0.18mA
Se sabe que el parametro beta varia acorde a la temperatura y la corriente del colector, por lo tanto para
asegurar que nos encontremos en la zona de saturacion, se acostumbra quintuplicar el valor de la corriente de
base.

Ib(sat)=0.9mA
Recapitulando:

REGION/PARAMETRO ACTIVA CORTE SATURACION

Ib 24.04µA 0 0.9mA
Ic 6.97mA 0 54.54mA
VCE 10.46 V 12 0

Según el modelo de Ebers-Moll, el BJT queda de la siguiente forma:

Ecuaciones de Ebers-Moll:
VBE
VT
Is VBC
Ic=Is(e -1)- (e VT -1)
αi
Is VBE VBC
Ie= (e VT -1)-Is(e VT -1)
αD
Is VBE Is VBC
Ib= VT
(e -1)+ (e VT -1)
βD βi
Al tratarse de un analisis del BJT en DC , se pueden realizar transformaciones a estas ecuaciones para su
aplicación practica.
VBC
e VT ,donde el valor de VBC es negativo ademas de el voltaje termico:

donde k es la constante de Boltzmann (1,38066·10-23 J/K), T la temperatura absoluta(K) y (qe) la carga

del electrón. De este modo, a 20 ℃ como temperatura a nivel de ambiente, VT =25mV
VBC
VT
La expresion e , entonces se interpreta como una relacion exponencial elevada a una potencia negativa de
valores pequeños, por lo tanto, despreciable con respecto a la expresion original. Una vez analizado tal parte
tenemos:
 VBE
VT
Is
Ic=Is(e -1)+
αi
Is VBE
Ie= (e VT -1)+Is
αD
Is VBE Is
Ib= (e VT -1)-
βD βi
Tomando como factor comun a Is:
VBE
1
Ic=Is(e VT -1+ )
αi
VBE
VT
e 1
Ie=Is( +1- )
αD αD
VBE
e VT 1 1
Ib=Is( -  )
βD βi βD
Tomemos en cuenta las relaciones entre los parametros alfa y beta para realizar aproximaciones

α
β=
1-α
0< α <1, β >100

1
1
αi
1
1
αD
1
0
βD
1
0
βi

Finalmente obtenemos :
VBE
Ic=Is(e VT )
Is VBE
Ie= (e VT )
αD
Is VBE
Ib= (e VT )
βD
De donde:

Ic:Corriente de colector

Ib:Corriente de base

Ie:Corriente de emisor

Is:Corriente de saturacion en inversa

βD:Parametro de ganancia bheta

αD:Parametro de ganancia alpha

VBE:Tension union base-emisor

VT:Voltaje termico
-15
Para el transistor en analisis se considera Is=5x10 A

Reemplazamos datos en cada una de las ecuaciones mostradas con los resultados obtenidos teoricamente:

REGION ACTIVA:

Corriente de colector Ic:

VBE
Ic=Is(e VT )
0.7
15 0.025
Ic=(5x10 )(e )
Ic=7.23mA

Corriente de base Ib:

Is VBE
Ib= (e VT )
βD
5 x1015 0.025
0.7
Ib= (e )
290
Ib=24.93μA
Corriente de emisor Ie:

Is VBE
Ie= (e VT )
αD
αD
βD=
1-αD
αD
290=
1-αD
αD=0.99
0.7
5x10-15 0.025
Ie= (e )
0.99
Ie=7.3mA
ANALISIS EXPERIMENTAL DEL TRANSISTOR BJT BC-548B

Rc
C
Q1 220Ω
Rb
B
BC548B VCC
470kΩ 12 V
VBB E
12 V

MATERIALES EMPLEADOS:

 Transistor BJT NPN BC-548B

 Resistor 220 ohm
 Resistor 470K
 2 Fuentes regulables 0-30V 1A
 2 Multimetros
 PARAMETRO DE Rb Rc VCC VBB hFE
MEDICION
VALOR 470K 220ohm 12v 12v 290
TEORICO
VALOR 474K 218ohm 11.98v 11.95v 390
EXPERIMENTAL

Se escogio nuevamente la configuración de emisor común para la presente experiencia, teniendo disposición
de los materiales a utilizar se procede con el armado del circuito de prueba, obteniendo los siguientes datos:

REGION ACTIVA:

IB 21uA

IC 7.56mA

VBE 0.66V

VCE 9.58V

REGION DE CORTE:

Condición Inicial: Ib=0

VBB − VBE
0=
Rb
VBB=VBE

Sii Ib=0, Ic=0

VCC =VCE+ (0)Rc

VCC =VCE

REGION DE SATURACION:

VCC=VCE+IcRc, haciendo VCE=0, esta suposición es solo matemática ya que esta comprobado que
experimentalmente es imposible hacer VCE=0, esto quiere decir que en la juntura colector-emisor en la
región de saturación aun existe caída de tensión, aunque es minima y en algunos casos despreciable.

Vcc
Ic(sat)=
Rc
11.98
Ic(sat) 
218
Ic(sat)  54.95mA
 Ic(sat)
β=
Ib(sat)
54.95mA
390=
Ib(sat)
Ib(sat)=0.14mA
Como convención multiplicamos por 5 el valor de la corriente de base para asegurar que efectivamente nos
encontremos en la región de saturación, esto es: Ib=0.7mA,luego en la ecuación de la primera malla:

VBB-VCE
Ib=
Rb
11.95-0.66
0.7mA=
Rb
Rb=16.12KΩ
Elegimos un valor comercial para Rb, en este caso Rb=15K, entonces tenemos:

IB 0.73mA

ICsat 54.34mA

VBE 0.66V

VCE 0.13V

Ahora aplicamos las ecuaciones de Ebers-Moll analizando en el punto de operación del transistor (region
-14
activa), experimentalmente se verifica que Is=2.6x10 A

REGION ACTIVA:

Corriente de colector Ic:

VBE
VT
Ic=Is(e )
0.66
Ic=(2.6x1014 )(e 0.025 )
Ic=7.59mA

Corriente de base Ib:

Is VBE
Ib= (e VT )
βD
2.6 x1014 0.025
0.66
Ib= (e )
390
Ib=19.46μA
Corriente de emisor Ie:

Is VBE
Ie= (e VT )
αD
αD
βD=
1-αD
αD
390=
1-αD
αD=0.99
0.66
2.6x10-14 0.025
Ie= (e )
0.99
Ie=7.66mA
Se cumple la relacion

Ie  Ib+Ic

COMPARACION DE RESULTADOS EN LA REGION ACTIVA:

METODO/PARAMETROS TEORICO EXPERIMENTAL %ERROR

DE MEDICION
IB (uA) 24.04 21 12.6

IC (mA) 6.97 7.56 8.4

IE (mA) 6.99 7.58 8.4

METODO/PARAMETROS EBERS-MOLL EBERS-MOLL %ERROR

DE MEDICION TEORICO EXPERIMENTAL
IB (uA) 24.93 19.46 21.9

IC (mA) 7.23 7.59 4.9

IE (mA) 7.3 7.66 4.9

Representacion grafica del punto de operación o punto Q del transistor

Para representar experimentalmente el punto Q o punto de operación del transistor se ubico los puntos de
intersección en la familia de curvas del transistor en las abcisas y ordenadas , las cuales corresponden a VCE
e Ic respectivamente, el punto nos indica claramente que nos encontramos en la zona activa y la funcion que
cumple el transistor en esta zona es basicamente de amplificacion.