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1 DESARROLLO HISTORICO

 1879, Edwing Hall descubre el efecto Hall Clásico.


 1980, Klaus von Klitzing observó que bajo ciertas condiciones, el voltaje
Hall, en lugar de aumentar proporcionalmente con la intensidad del
campo, crecía a saltos, o escalones: el efecto Hall se había cuantizado.
 1985, Klaus von Klitzing recibe el Nobel.
 1982, Tsui y Störmer, de los Laboratorios Bell, decidieron indagar la región
de campos ultra altos con GaAs (T=-269ºC).→Efecto Hall Cuántico
Fraccionario.
 1983, Laughlin, demostró los electrones en un campo magnético dejan de
comportarse como partículas individuales y forman un estado colectivo
cuántico → líquido cuántico →quasi-partículas que lo componen tienen un
tercio de la carga del electrón.
 1998, Tsui, Störmer y Laughlin reciben el Nobel

2. EFECTO HALL
Se conoce como efecto Hall a la aparición de un campo eléctrico por
separación de cargas, en el interior de un conductor por el que circula una
corriente en presencia de un campo magnético con componente perpendicular
al movimiento de las cargas. Este campo eléctrico (campo Hall) es perpendicular
al movimiento de las cargas y a la componente perpendicular del campo
magnético aplicado. Lleva el nombre de su primer modelador, el físico
estadounidense Edwin Hebert Hall (1855-1938).

En épocas contemporáneas (1985) el físico alemán Klaus Von Klitzing y sus


colaboradores descubrieron el hoy conocido como efecto hall cuántico, lo que
les valió la obtención del premio Nobel de Física en 1985. En 1998, se otorgó un
nuevo premio Nobel de Física a los profesores Laughlin, Stromer, y Tsui por el
descubrimiento de un nuevo fluido cuántico con excitaciones de carga
fraccionarias. Este nuevo efecto ha traído grandes problemas a los físicos
teóricos y actualmente constituye uno de los campos de investigación de mayor
interés y actualidad en toda la física del estado sólido.
3. EXPLICACION CUALITATIVA DEL EFECTO HALL CLASICO
Cuando por un material conductor o semiconductor, circula una corriente
eléctrica, y estando este mismo material en el seno de un campo magnético, se
comprueba que aparece una fuerza magnética en los portadores de carga que
los reagrupa dentro del material, esto es, los portadores de carga se desvían y
agrupan a un lado del material conductor o semiconductor, apareciendo así una
variación de potencial en el conductor lo cual origina un campo eléctrico
perpendicular al campo magnético y al propio campo eléctrico generado por la

batería ( ). Este campo eléctrico es el denominado campo Hall ( ), y


ligado a él aparece la tensión Hall, que se puede medir mediante el voltímetro de
la figura.
En el caso de la figura, se tiene una barra de un material desconocido y se quiere
saber cuáles son sus portadores de carga. Para ello, mediante una batería se
hace circular por la barra una corriente eléctrica. Una vez hecho esto, se
introduce la barra en el seno de un campo magnético uniforme y perpendicular
a la tableta.
Aparecerá entonces una fuerza magnética sobre los portadores de carga, que
tenderá a agruparlos a un lado de la barra, apareciendo de este modo una
tensión Hall y un campo eléctrico Hall entre ambos lados de la barra.
Dependiendo de si la lectura del voltímetro es positiva o negativa, y conociendo
la dirección del campo magnético y del campo eléctrico originado por la batería,
se puede deducir si los portadores de carga de la barra de material desconocido
son las cargas positivas o las negativas.
En la figura de al lado se ve como el material tiene dos zonas: la de la izquierda
y la de la derecha. En una zona, los portadores son huecos y en los otros
electrones.
4. EXPLICACION CUANTITATIVA DEL EFECTO HALL CLASICO
Sea el material por el que circula la corriente con una velocidad v al que se le
aplica un campo magnético B. Al parecer una fuerza magnética, los portadores
de carga se agrupan en una región del material, ocasionando la aparición de una
tensión y por lo tanto de un campo eléctrico E en la misma dirección. Este campo
ocasiona a su vez la aparición de una fuerza eléctrica de dirección contraria.
LA FISICA CLASICA DEL EFECTO HALL
Se sabe que un campo magnético actúa sobre las cargas en movimiento (fuerza
de Lorentz).
Una corriente I que atraviesa un material consiste en cargas (electrones) que se
desplazan (en dirección contraria a la corriente) con una velocidad que se
denomina v. Si se sumerge esa corriente de electrones en un campo
magnético B, cada uno de los electrones que forman la corriente estará
sometidos a la fuerza de Lorenz Fm = -e.v^B (como en el dibujo se cambió la
dirección de v, ya que se está considerando un electrón, no debería considerarse
el signo negativo de la carga). Donde -e corresponde a la carga de un
electrón, v el vector velocidad del electrón y B el vector campo magnético
aplicado

La dirección de la fuerza será perpendicular al plano formado por v y B (ya que


es resultado del producto vectorial de ambos y provocará un desplazamiento de
electrones en esa dirección.
Como consecuencia se tendrá una concentración de cargas negativas sobre uno
de los lados del material y un déficit de cargas negativas en el lado opuesto. Esta
distribución de cargas genera una diferencia de potencial entre ambos lados, la
tensión de Hall VH, y un campo eléctrico EH.
Este campo eléctrico que genera a su vez una fuerza eléctrica sobre los
electrones dada por la ley de coulomb, Fe = -e . EH, que actúa en dirección
contraria que la fuerza de Lorentz. El equilibrio se alcanzará cuando la suma de
las dos, de lo cual se deduce que en el equilibrio el valor del campo Hall es: EH =
-v^B.
5. DESCRIPCION
Se va a ver cómo, la fuerza de Lorentz sobre las partículas cargadas que circulan
por una lámina, genera un potencial eléctrico debido a la acumulación de cargas
en los bordes de la lámina.

6. TECNICAS DE MEDICION
Sin duda, la técnica de medición más utilizada para la determinación de los
portadores de carga y resistividad en un semiconductor es la técnica de Van Der
Paw. Es conocida también como técnica de cuatro puntas.
7. APLICACIÓN DEL EFECTO HALL
Los sensores de Efecto Hall permiten medir:

 La movilidad de una partícula cargada eléctricamente (electrones,


lagunas, etc.)
 Los campos magnéticos (teslameros)
 La intensidad de corrientes eléctricas (sensores de corriente de efecto
Hall)
 También permiten la elaboración de sensores o detectores de posición sin
contacto, utilizados particularmente en el automóvil, para detectar la
posición de un árbol giratorio (árbol de levas, caja de cambios, paliers,
etc.)
 Se encuentran también sensores de efecto Hall bajo las teclas de los
teclados de los instrumentos de música modernos (órganos, órganos
digitales, sintetizadores) evitando así el desgaste que sufren los contactos
eléctricos tradicionales
 Se encuentran sensores de efecto Hall en el codificador de un motor de
CD
 Los motores de Efecto Hall (HET) son aceleradores de plasma de gran
eficacia.
8. FUNDAMENTO TEÓRICO

El efecto Hall fue descubierto por Edwin Hall en 1879. Este efecto se aprecia
cuando por una lámina conductora o semiconductora se hace circular una
corriente y se coloca en presencia de un campo magnético. Las cargas que están
circulando experimentan una fuerza magnética 𝐹 = 𝑞(𝑣 × 𝐵) y son desplazadas
hacia uno de los bordes de la lámina. Esto hace que aparezca un exceso de
carga negativa en uno de los bordes en tanto que en el otro aparece un exceso
de carga positiva, lo que provoca que aparezca un campo eléctrico E, que a su
vez ejerce una fuerza de carácter eléctrico sobre las cargas. Esta fuerza
eléctrica, actúa en la misma dirección pero en sentido contrario a la magnética
(ver Figura). La acumulación de cargas continua hasta que el campo eléctrico se
hace suficientemente grande como para que la fuerza eléctrica compense a la
magnética. Esta situación se caracteriza por la diferencia de potencial que
aparece entre los bordes denominada voltaje Hall, si I es la Intensidad de
corriente, B el campo magnético, n la densidad de portadores, q su carga y del
𝐼𝐵
ancho de la lámina, el potencial se puede escribir como: 𝑉𝐻𝑎𝑙𝑙 = 𝑛𝑞𝑑

La polarización depende de si las cargas que se están moviendo son positivas o


negativas. En los conductores lo que se están desplazando son electrones, por
lo que la situación coincide con la representada en la figura. Por el contrario, en
el caso de algunos semiconductores lo que se tiene es una corriente de huecos
lo que es equivalente a tener cargas positivas en movimiento. El signo del
potencial permite conocer el tipo de portador.

9. EFECTO HALL CUANTICO


Aparecen efectos inesperados en sistemas de 2 dimensiones a bajas
temperaturas y bajo fuertes campos magnéticos.

1. La resistividad Hall deja de variar continuamente y se cuantiza:



𝜌𝐻 = 𝑅𝐻 =
𝑖𝑒 2
i = 1, 2,3………. (Aunque i también puede ser un número fraccionario)

2. En los plateaus de la resistividad Hall, la corriente fluye sin disipación, lo


que es lo mismo:
𝜌𝑥𝑥 = 0
10. COMO EXPLICAR ESTE FENOMENO
 Incompresibilidad del sistema→gap de energía que separa el estado
fundamental del 1º nivel excitado

 En el efecto Hall cuántico (EHC) entero el gap de energía se debe a la


energía cinética y en el fraccionario a la interacción entre los e-

 Existe desorden (impurezas en el material) que produce un rango de


estados localizados, en los cuales puede hallarse la energía de Fermi →
explicación de los plateaus de Ρh.

 No existe una división clara entre el EHC entero y el fraccionario, la


existencia de uno u otro depende del desorden, de la temperatura, de la
intensidad de B.

11. EXPLICACION EFECTO CUANTICO HALL ENTERO

 Niveles de Landau completamente llenos. ν≡nº entero (degenerados) y


entre ellos existen gaps de energía (incomprensibilidad).

 Existen dos tipos de estados: extendidos (conducen corriente) y


localizados (no conducen corriente). (Estados de los niveles de Landau
→onda plana→extendidos.)

 Existencia de impurezas (estados localizados) que se encuentran entre


los gaps de energías de los niveles de Landau. →Desorden (vital para
explicar el efecto hall cuántico entero)

 Cuando la energía de Fermi se halla en un gap de energía (a) y (b) la


resistencia Hall no puede aumentar de su valor cuantizado →plateaus

 Cuando la energía de Fermi se halla en un nivel de Landau (c) es posible


cambiar el voltaje y la resistencia aumenta en un valor finito (escalón)

 Mientras la densidad de estados crece (o disminuye el campo magnético),


los estados localizados son ocupados gradualmente (aquellos que se
hallan en el gap) mientras la ocupación de los estados extendidos no sufre
ningún cambio. De este modo, como los estados localizados no conducen
corriente no hay cambio alguno en la resistencia Hall, mientras que la
densidad de estados crece (región del plateau).

 Por el mismo motivo en el gap no hay disipación, de modo que


desaparece la resistividad longitudinal. (Diagonal del tensor).
12. EFECTO HALL CUANTICO FRACCIONARIO

 El efecto Hall cuántico fraccionario se observa en sistemas muy limpios


(no hay apenas impurezas) sometidos a campos magnéticos muy
intensos, a muy bajas temperaturas.

 En este caso el gap de energía es causado por la interacción electrón-


electrón.

 El desorden tiene el efecto contrario al que tenía en efecto Hall cuántico


entero.

 En este efecto la conductividad transversal sigue la forma:

𝑝𝑒 2
𝜎𝐻 =
𝑞ℎ

Donde p y q son números enteros y q es casi siempre impar

13. FUNCION DE ONDA DE LAUGHLIN


 Sistema de N electrones interactuantes.

 Campo magnético suficientemente grande → interacción entre electrones


poco importante comparada con la ωC.

Descripción del sistema→ función de onda colectiva formada por funciones de


onda de una partícula en el nivel fundamental de Landau.
No hay energía suficiente para que la probabilidad de transición a niveles
superiores de Landau sea relevante.

14. CONDICIONES DE LA FUNCIÓN DE ONDA DE LAUGHLIN


1. Función de many-body→incluye todas las partículas.

2. Incluye el efecto de interacción electrón electrón.

3. Autoestado del primer nivel de Landau.

4. Función antisimétrica.

5. Autoestado del operador Lz


15. FUNCIÓN DE ONDA LAUGHLIN
Trabajamos en un gauge rotacionalmente invariante alrededor del eje z:

1 1 1
𝐴 = (𝐵 × 𝑟) = 𝐵(𝑥𝑦 − 𝑦𝑥) = 𝐵𝑟∅
2 2 2

Ecuación de Schrödinger para e libres:

1 ℎ𝜕 𝑒𝑥𝐵 2 ℎ𝜕 𝑒𝑦𝐵 2
[ ( − ) +( − ) − 𝜀] 𝜑(𝑟) = 0
2𝑚 𝑖𝜕𝑦 2𝑐 𝑖𝜕𝑥 2𝑐

Si definimos la longitud magnética:

2ℎ𝑐
𝑙𝐵 = √
𝑒𝐵

Los valores del factor de llenado fraccionarios con denominador impar producen
gaps de energía (creados por la propia interacción electrón-electrón dentro del
mismo nivel).

Para q= 1 se puede comprobar que la función de onda corresponde a un


determinante de Slater. Pero para q= 3, 5, 7,… también tenemos funciones de
onda que describen bien el sistema.

16. IMPORTANCIA DE LAS IMPUREZAS

 La muestra debe de estar mucho más limpia que en el IQHE.

 Si comenzamos añadir impurezas → los plateus correspondientes a ν


fraccionarios se fusionan.

 Si continuamos adicionando → los plateus correspondientes a ν enteros


sufren un ensanchamiento

 Si seguimos sumando más impurezas → desaparece el efecto Hall


Cuántico por completo.→ Sistema clásico
17. CARGA FRACCIONARIA

Se demuestra que las funciones de onda de Laughlin para números de q


fraccionarios con denominador impar son excitaciones colectivas del sistema con
carga fraccionaria e*=νe.

18. ALGUNAS PARADOJAS DEL MODELO

1 𝑒 2
𝐻(𝑞) = [𝑝 + 𝐴]
2𝑚 𝑐

En principio este Hamiltoniano no debería proporcionar corriente. No hay campo


eléctrico aplicado.
Introducimos un potencial ficticio

𝑞∅0 𝑞ℎ𝑐
𝑎 = −( )𝑦 = −( )𝑦
𝑙𝑦 𝑒𝑙𝑦

Dicho potencial no corresponde a ningún campo magnético

∇×𝐴 =0
El Hamiltoniano queda de la forma:
2
1 𝑒 𝑒 ∅0 𝜕𝐻(𝑞)
𝐻(𝑞) = (𝑝 + 𝐴 − 𝑞 𝑦) 𝐽∝
2𝑚 𝑐 𝑐 𝑙𝑦 𝜕𝑞

Entonces la corriente es:

𝑒 𝑒 𝑒 ∅0 𝑒𝑙𝑦 𝜕𝐻(𝑞)
𝐽𝑦 (𝑟, 𝑞) = − (𝑝 + 𝐴 − 𝑞 𝑦) 𝑦 =
𝑚 𝑐 𝑐 𝑙𝑦 ℎ 𝑑𝑞

Si un estado lleva corriente la derivada debe ser ≠0 y el espectro de autovalores


depender del potencial ficticio pero habíamos dicho que los. Estados no podían
transportar corriente.
19. EFECTO AHARANOV-BOHM

Originado por la aparición del potencial vector A en H, en vez de la inducción B.


Supongamos un sistema de electrones atravesado por un solenoide muy fino
que produce un campo magnético constante en el interior y cero fuera. Siendo el
potencial fuera del solenoide:

∅ 1
𝐴(𝑟) = 𝑈
2𝜋 𝑟 𝜑
20. SPIN

 Hasta ahora hemos considerado que el grado de libertad del spin estaba
congelado y los spines se alineaban con el campo magnético sin coste
alguno de energía.

 Valores de ε y m* apropiados→ energía de Zeeman << que las energías


típicas del problema.

 El spin es gobernado por la interacción e-e.

21. CONCLUSIÓN

Efectivamente el efecto del potencial vector que no produce inducción magnética


es una fase extra en la función de onda que nos cambia las condiciones de
contorno de nuestro problema, pero no cambia el espectro y por lo tanto las
partículas no transportan corriente.
UNIVERSIDAD NACIONAL DE PIURA
Facultad De Ingeniería De Minas
Escuela Profesional De Ingeniería De Minas

TEMA: EFECTO HALL

CURSO: FISICA III

PROFESOR: JOSE NOE VALDIVIA RODAS

ALUMNO: JOSE CARLOS NEIRA FARFAN

CICLO: IV

FECHA: PIURA 10 DE ENERO DE 2017

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