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2. EFECTO HALL
Se conoce como efecto Hall a la aparición de un campo eléctrico por
separación de cargas, en el interior de un conductor por el que circula una
corriente en presencia de un campo magnético con componente perpendicular
al movimiento de las cargas. Este campo eléctrico (campo Hall) es perpendicular
al movimiento de las cargas y a la componente perpendicular del campo
magnético aplicado. Lleva el nombre de su primer modelador, el físico
estadounidense Edwin Hebert Hall (1855-1938).
6. TECNICAS DE MEDICION
Sin duda, la técnica de medición más utilizada para la determinación de los
portadores de carga y resistividad en un semiconductor es la técnica de Van Der
Paw. Es conocida también como técnica de cuatro puntas.
7. APLICACIÓN DEL EFECTO HALL
Los sensores de Efecto Hall permiten medir:
El efecto Hall fue descubierto por Edwin Hall en 1879. Este efecto se aprecia
cuando por una lámina conductora o semiconductora se hace circular una
corriente y se coloca en presencia de un campo magnético. Las cargas que están
circulando experimentan una fuerza magnética 𝐹 = 𝑞(𝑣 × 𝐵) y son desplazadas
hacia uno de los bordes de la lámina. Esto hace que aparezca un exceso de
carga negativa en uno de los bordes en tanto que en el otro aparece un exceso
de carga positiva, lo que provoca que aparezca un campo eléctrico E, que a su
vez ejerce una fuerza de carácter eléctrico sobre las cargas. Esta fuerza
eléctrica, actúa en la misma dirección pero en sentido contrario a la magnética
(ver Figura). La acumulación de cargas continua hasta que el campo eléctrico se
hace suficientemente grande como para que la fuerza eléctrica compense a la
magnética. Esta situación se caracteriza por la diferencia de potencial que
aparece entre los bordes denominada voltaje Hall, si I es la Intensidad de
corriente, B el campo magnético, n la densidad de portadores, q su carga y del
𝐼𝐵
ancho de la lámina, el potencial se puede escribir como: 𝑉𝐻𝑎𝑙𝑙 = 𝑛𝑞𝑑
𝑝𝑒 2
𝜎𝐻 =
𝑞ℎ
4. Función antisimétrica.
1 1 1
𝐴 = (𝐵 × 𝑟) = 𝐵(𝑥𝑦 − 𝑦𝑥) = 𝐵𝑟∅
2 2 2
1 ℎ𝜕 𝑒𝑥𝐵 2 ℎ𝜕 𝑒𝑦𝐵 2
[ ( − ) +( − ) − 𝜀] 𝜑(𝑟) = 0
2𝑚 𝑖𝜕𝑦 2𝑐 𝑖𝜕𝑥 2𝑐
2ℎ𝑐
𝑙𝐵 = √
𝑒𝐵
Los valores del factor de llenado fraccionarios con denominador impar producen
gaps de energía (creados por la propia interacción electrón-electrón dentro del
mismo nivel).
1 𝑒 2
𝐻(𝑞) = [𝑝 + 𝐴]
2𝑚 𝑐
𝑞∅0 𝑞ℎ𝑐
𝑎 = −( )𝑦 = −( )𝑦
𝑙𝑦 𝑒𝑙𝑦
∇×𝐴 =0
El Hamiltoniano queda de la forma:
2
1 𝑒 𝑒 ∅0 𝜕𝐻(𝑞)
𝐻(𝑞) = (𝑝 + 𝐴 − 𝑞 𝑦) 𝐽∝
2𝑚 𝑐 𝑐 𝑙𝑦 𝜕𝑞
𝑒 𝑒 𝑒 ∅0 𝑒𝑙𝑦 𝜕𝐻(𝑞)
𝐽𝑦 (𝑟, 𝑞) = − (𝑝 + 𝐴 − 𝑞 𝑦) 𝑦 =
𝑚 𝑐 𝑐 𝑙𝑦 ℎ 𝑑𝑞
∅ 1
𝐴(𝑟) = 𝑈
2𝜋 𝑟 𝜑
20. SPIN
Hasta ahora hemos considerado que el grado de libertad del spin estaba
congelado y los spines se alineaban con el campo magnético sin coste
alguno de energía.
21. CONCLUSIÓN
CICLO: IV