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Como hemos visto los semiconductores constituyen uno de los tipos mayes de materiales
solidos cristalinos por eso el interés en la electrónica es fundamental ya que una buena parte
de los componentes electrónicos, principalmente los activos están constituidos sobre la base
de estos.
Semiconductores intrínsecos
Debemos distinguir acá desde un punto de vista tecnológico los denominados extrínsecos.
Un semiconductor extrínseco es por definición un semiconductor puro tanto en su
composición como en su estructura. En su composición el semiconductor es puro porque está
constituido básicamente por un solo tipo de átomo grupo 4 como el silicio o el germanio) no
obstante también podemos permitir como semiconductor intrínseco aquellos constituidos
como compuestos semiconductores como carbono – silicio, carbono-germanio, carbono-silicio-
germanio o cierto comportamiento intermetálico generalmente grupo 3 y 5
Se comportarán estos últimos como semiconductores intrínsecos propiamente dicho cuando el
número de átomos de una u otra especie que componen un compuesto sean iguales o
similares
Distribución de portadores
No sólo se requiere describir la probabilidad de ocupación de los estados sino también de
escribir la distribución de estados. Buscamos una función de densidad de distribución que
describa la cantidad de estados por intervalo de energía. En un sistema clásico esperamos que
haya estabilidad energética en cualquier intervalo energía, por más pequeño que sea. La
densidad de distribución sería una función continua de la energía. Pero eso no puede
esperarse de un sistema cuántico ya que desde el mismo átomo sabemos que los estados
responder a reglas discretas. A lo sumo podemos esperar que, si el intervalo de energía
observado es suficientemente grande con respecto al tamaño de la desratización, podemos
aplicar herramientas de cálculo continuo similares a como computaríamos en un problema
clásico. Precisamente en la teoría de bandas se observa un conjunto denso de estados
disponibles dentro de una banda que parece como si fuera un conjunto infinito de estados de
intervalo de energía, es decir una banda continua, sin embargo, al fin de cualquier
consideración los estados son discretos.
Desde el punto de vista matemático un grupo de estados discretos deberían computarse
mediante una sumatoria mientras que un grupo de estados continuos se computaría mediante
una integral. Basado en lo dicho podemos esperar que exista una herramienta continua, una
integral que aproxime cálculo discreto cuando es lo suficientemente grande con respecto al
diferencial de energía considerando se.
Un diferencial de energía puede ser tan pequeño como uno quisiera.
Se requiere más allá de lo anterior algún principio del cual podamos deducir la cantidad de
estados. En para encontrar dicho principio consideraremos la diferencia entre una partícula
clásica y una particular cuántica en el denominado espacio de estados.
1
Primeramente, definamos el concepto de estado más apropiado en un sistema clásico en un
estado energético es un conjunto de valores que definen completamente la energía del
sistema en un instante determinado; en una evolución del sistema en su caso una particular,
recorrerá distintos estados energéticos que siguen las ecuaciones de Euler. En cualquier
instante de tiempo el estado de una partícula queda definido por su posición y velocidad o más
genéricamente coordenadas generalizadas (por su posición e impulsó “P” el impulso de es m.V
). En un sistema clásico de una particular la cantidad de grados de libertad posible son seis;
tren de velocidad y tres e impulsó si ahora consideramos un sistema de n partículas que no
tenga restricciones entre sí tendrá seis n grados de libertad.
A medida que incorporamos restricciones en el sistema de partículas el número de grados de
libertad se reduce por ejemplo en un sólido cada particular está restringida a mantener una
distancia con respecto a las otras en lo que resulta que el solidos tiene tres grados de
desplazamiento, tres de rotación y tres de velocidad igual a nueve grados.
Son los cristales de silicio o germanio que forma una estructura tetraédrica similar a la
del carbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el
plano por simplicidad.
Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la
energía necesaria para saltar a la banda de conducción dejando el correspondiente hueco en
la banda de valencia.3 Las energías requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12 eV y
0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.
El proceso inverso también se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el
estado energético correspondiente en la banda de conducción a un hueco en la banda de
valencia, liberando así energía. Este fenómeno se conoce como "recombinación". A una
determinada temperatura, las velocidades de creación de pares e-h, y de recombinación se
igualan, de modo que la concentración global de electrones y huecos permanece constante.
Sea "n" la concentración de electrones (cargas negativas) y "p" la concentración de huecos
(cargas positivas), se cumple entonces que:3
ni = n = p
donde ni es la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva de la temperatura
y del elemento en cuestión. La densidad o concentración intrínseca de portadores es muy baja.
Este método es utilizado para la obtención de silicio monocristalino mediante un cristal semilla
depositado en un baño de silicio. Es de amplio uso en la industria electrónica para la obtención
de wafers u obleas, destinadas a la fabricación de transistores y circuitos integrados.
2
Para tener una idea de la funcionalidad que tiene este proceso en la industria
microelectrónica, basta señalar que cada circuito integrado creado a partir de estas obleas
miden 8mm de lado, esto hace que de cada oblea se obtengan de 120 a 130 circuitos. Cada
oblea es tratada de forma que todos los circuitos se hacen a la vez, pasando por el mismo
proceso en el mismo instante.
3
prácticamente libres que se desplazan en contra del campo eléctrico), en la banda de valencia,
el proceso más bien debería describirse como el movimiento de huecos a favor del campo
eléctrico. Notemos que en ambos casos la corriente es en el sentido del campo eléctrico. Lo
sorprendente de este razonamiento es que en la banda de conducción el transporte se debe a
la carga negativa libre, mientras que en la banda de valencia, a cargas positivas libres.
Evidentemente esto nos dice que tanto el electrón como el hueco dentro del material
sólido se comportan como “cuasi partículas”, o dicho de otro modo, el electrón y el hueco
constituyen auténticamente un par partícula-antipartícula. Esto implica así mismo que hay que
dotar de masa eficaz no sólo al electrón, sino también al hueco.
Si a la carga del hueco le asignamos el valor de carga del electrón, pero con signo
positivo, la masa eficaz del hueco deberá ser positiva. Si contrariamente, le asignamos al hueco
la misma carga del electrón (mismo valor y mismo signo), la masa eficaz del hueco debería ser
negativa. Desde el punto de vista energético ambas representaciones son posibles y
totalmente equivalentes, pero desde el punto de vista de la conducción eléctrica (en donde
estamos interesados en el transporte de carga), nos conviene utilizar la primera
representación.
Las masas eficaces del electrón y del hueco son distintas, y dependen del material
considerado y de la temperatura. Esta característica pone en pie de igualdad al electrón y al
hueco, cuestión que experimentalmente está probada, o al menos no se contradice con los
resultados del efecto Hall.
𝐽⃗ = 𝐽⃗𝑛 + 𝐽⃗𝑝
Donde:
(𝑐) (𝑑)
𝐽⃗𝑛 = 𝐽⃗𝑛 + 𝐽⃗𝑛
{ (𝑐) (𝑑)
𝐽⃗𝑝 = 𝐽⃗𝑝 + 𝐽⃗𝑝
Corrientes de corrimiento
Está claro que los electrones en la banda de conducción se comportan de forma similar a la
manera en que lo hacen en un metal; consecuentemente:
(𝑐)
𝐽⃗𝑛 = 𝑞𝑛𝜇𝑛 ℰ⃗ = 𝜎𝑛 ℰ⃗
Simétricamente, dado que el hueco es la antipartícula del electrón, habrá que hablar
de una corriente de corrimiento de huecos formalmente idéntica.
4
(𝑐)
𝐽⃗𝑝 = 𝑞𝑝𝜇𝑝 ℰ⃗ = 𝜎𝑝 ℰ⃗
Corriente de difusión
Definiremos la corriente de difusión como el flujo de cargas debido al gradiente de
concentración. Por ejemplo, ubicándonos en la banda de valencia y suponiendo que en algún
punto de la pieza semiconductora (o aislante) hubiera mayor concentración de portadores que
en el resto de la misma.
𝑑𝑝
⃗⃗𝑝 =
∇ 𝑥
⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝑥 0
(𝑑)
𝐽⃗𝑝 = −𝑞𝐷𝑝 ⃗∇⃗𝑝
Notemos que ahora, si bien el movimiento en ambos casos es en contra del gradiente
de concentración, la corriente de difusión resulta ser negativa para los huecos y positiva para
los electrones.
5
Corriente Total
De esta forma nos queda:
𝐽⃗𝑛 = 𝑞𝑛𝜇𝑛 ℰ⃗ + 𝑞𝐷𝑛 ∇
⃗⃗𝑛
{
𝐽⃗𝑝 = 𝑞𝑝𝜇𝑝 ℰ⃗ − 𝑞𝐷𝑝 ∇
⃗⃗𝑝
ℰ⃗ = −∇
⃗⃗𝑉
Consideremos ahora una única dirección con el fin de simplificar el análisis (dirección del eje 𝑥)
y se tiene que ℰ⃗ = − d𝑉⁄𝑑𝑥. Por lo tanto:
𝑑𝑉 𝑑𝑝
−𝑞𝑝𝜇𝑝 − 𝑞𝐷𝑝 =0
𝑑𝑥 𝑑𝑥
Despejando se tiene:
𝑑𝑉 𝑑𝑝
−𝑞𝑝𝜇𝑝 = 𝑞𝐷𝑝
𝑑𝑥 𝑑𝑥
−𝑝𝜇𝑝 𝑑𝑉 = 𝐷𝑝 𝑑𝑝
6
𝜇𝑝 𝑑𝑝
− 𝑑𝑉 =
𝐷𝑝 𝑝
Es decir que nos indica cuál es la densidad de probabilidad que un portador tipo 𝑝
tiene de ocupar un cierto nivel de energía (entre 0 y 𝐸 = 𝑞𝑉). El producto 𝑘𝑇 se puede
denominar “energía térmica media de los portadores”.
Efectivamente, si tomamos partículas que no interaccionan entre sí, o lo hacen muy
débilmente (como por ejemplo las moléculas de un gas), éstas siguen la ley de distribución de
Maxwell-Boltzmann, cuya fórmula, aplicada a este caso, es:
𝜇𝑝 𝑞
= = 𝑐𝑡𝑒
𝐷𝑝 𝑘𝑇
𝜇𝑛 𝑞
= = 𝑐𝑡𝑒
𝐷𝑛 𝑘𝑇
Y a su vez que:
𝜇𝑝 𝜇𝑛 𝑞
= =
𝐷𝑝 𝐷𝑛 𝑘𝑇
En pocas palabras, para cierta temperatura, el equilibrio interno del semiconductor exige un
escalamiento entre la constante de difusión y la constante del movimiento. Pero esta relación
sólo se cumple para conductores homogéneos. No se cumple en conductores heterogéneos,
en donde 𝜇⁄𝐷 cambia punto a punto.
De aquí podemos establecer los valores típicos de la constante de difusión en función
de la constante de movilidad, para cierta temperatura.
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CONSTANTES TÍPICAS DE LOS PORTADORES
Electrones Huecos Gap
𝑚𝑛∗
𝜇𝑛 𝐷𝑛 𝑚𝑝∗ 𝜇𝑝 𝐷𝑝 [𝑒𝑉]
Ge 0,55 3900 0,93 0,37 1900 0,44 0,7
Si 1,1 1300 0,31 0,59 480 0,065 1,1
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En principio, el equilibrio implica que estos dos procesos se neutralicen, de manera tal
que la concentración de electrones en la banda de conducción 𝑛0 y la concentración de huecos
en la banda de valencia 𝑝0 se mantienen estables. Por el contrario, en desequilibrio, estas
concentraciones crecerán o decrecerán.
Evidentemente estos no son los únicos procesos que debemos considerar, pero por el
momento descartaremos los otros sobre la hipótesis de que no tienen contribuciones
significativas. Tal sería el caso de un semiconductor puro (ideal), con estructura cristalina
perfectamente homogénea. A este tipo de semiconductor lo llamaremos “semiconductor
intrínseco”, de allí que a este proceso lo denominamos “generación intrínseca”.
Semiconductores extrínsecos
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Procesos de obtención de los semiconductores extrínsecos
Contrariamente a lo que definimos como semiconductor intrínseco, un semiconductor
extrínseco es ante todo un semiconductor con una estructura cristalina no homogénea y
eventualmente impuro, todo lo cual dará como resultado que en equilibrio térmico 𝑛0 no sea
necesariamente igual a 𝑝0 . Pero ello no implica violar el principio de neutralidad de cargas; lo
que implica en caso de desigualdad de las concentraciones es que no solamente hay carga
móvil a considerar, sino también “cargas fijas”. Si las cargas móviles se encuentran en las
bandas de valencia y de conducción, las cargas fijas (átomos ionizados) se encuentran en la
banda prohibida.
Surge de todo ello que los semiconductores extrínsecos pueden producirse por efecto
de inhomogeneidades cristalinas en estructuras compuestas de dos o más átomos, o por la
existencia de átomos de impurezas dentro de un cierto semiconductor intrínseco.
1
Intersticio: Hendidura o espacio, por lo común pequeño, que media entre dos cuerpos o entre dos
partes de un mismo cuerpo.
10
difusión de impurezas a alta temperatura, por crecimiento epitaxial o por implantación iónica.
Las más utilizadas y también las que mayormente son controlables, son las técnicas de difusión
e implantación iónica.
Intermetálicos
También se pueden construir semiconductores anfitriones compuestos del mismo
grupo IV (por ejemplo Si-Ge, Si-C y Ge-C), o en otros casos, compuestos intermetálicos como el
Arseniuro de Galio (ArGa), Sulfuro de Zinc (SZn) o Fosfuro de Galio (GaP). Allí también es
importante construir primeramente un cristal lo más homogéneo posible, considerando que es
un compuesto, y luego proceder a contaminar con impurezas de los grupos III y V o de los
grupos II y VI.
Generación extrínseca
A temperatura ambiente, en la mayoría de los semiconductores hay pocos portadores
producidos por “generación intrínseca”; esto es, por la rotura de pares hueco-electrón en la
banda de valencia. Sin embargo, sí hay una importante cantidad de portadores (electrones y/o
huecos) producidos por “generación extrínseca”; esto es, por la excitación (ionización) de los
átomos donores o aceptores, lo que permite introducir un desequilibrio en la población de
electrones de la banda de conducción con respecto a la de huecos en la banda de valencia, en
uno u otro sentido. Notar que la ionización de los átomos conserva la neutralidad eléctrica sin
aportar a la conducción, haciendo de esta forma que la población de portadores móviles sea
mayoritaria en términos de electrones (𝑛 > 𝑝) para el tipo 𝑛, o de huecos (𝑝 > 𝑛) para el tipo
𝑝.
Tipos, impurezas
Los semiconductores pueden ser de dos tipos, según cuál sea su tipo de impureza.
Impurezas donoras
Se agrega una impureza pentavalente con una concentración 𝑁𝑑 mucho mayor que 𝑛𝑖 a
temperatura ambiente (300°K).
𝑁𝑑 ≫ 𝑛𝑖
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La impureza trata de ligarse covalentemente con cuatro átomos vecinos del cristal, que
son los átomos más cercanos, y logra la realización de las ligaduras correspondientes, para lo
cual utiliza 4 de sus 5 electrones.
Impurezas aceptoras
Se agrega una impureza trivalente con una concentración 𝑁𝑎 mucho mayor que 𝑛𝑖 a
temperatura ambiente (300°K).
𝑁𝑎 ≫ 𝑛𝑖
La impureza trata de ligarse covalentemente con cuatro átomos vecinos del cristal, que
son los átomos más cercanos. Como solamente puede unirse con tres, puesto que la impureza
tiene 3 electrones de valencia, queda una ligadura faltante.
La ligadura faltante puede ser llenada con facilidad por otro electrón ligado
proveniente de un átomo de semiconductor. Esa ligadura rota es en realidad un estado
permitido vacío (hueco o laguna) que fue introducido por el átomo de impureza aceptora
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(porque acepta un electrón). Es decir que la energía de ionización de este átomo de impureza,
al estar dentro del semiconductor, es mucho menor que la de éste, e incluso menor aún que la
necesaria para ionizar un átomo donor.
Así, a temperatura ambiente hay suficiente energía térmica como para entregar esa
cantidad de energía en cualquier condición, lo que hace que las impurezas estén casi todas
ionizadas a temperatura ambiente. Es decir que tendremos un número igual de lagunas de
valencia que de impurezas ionizadas.
Nótese que por medio del agregado de impurezas trivalentes, hemos agregado lagunas
sin agregar electrones. Llamaremos a estas impurezas “aceptoras” porque cada una acepta un
electrón. Cada electrón ligado que pasó a ocupar un estado del nivel aceptor, dejó una laguna
sin que se creara el correspondiente electrón. El efecto neto es generar lagunas en la banda de
valencia.
Por generar mayor cantidad de lagunas que de electrones, se llama “extrínseco tipo 𝑝”,
o simplemente “tipo 𝑝”. Es decir que:
𝑝0 > 𝑛0
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exclusión de Pauli, los niveles se desdoblan generando una banda permitida dentro de la
banda prohibida del cristal.
Si las bandas de las impurezas son muy anchas debido a su alta concentración, pueden
solaparse con las de conducción o de valencia, y el semiconductor se denomina “degenerado”
o “semimetal”.
Efecto Hall:
Es el efecto que se presenta cuando un cristal se pone simultáneamente en presencia de
campos eléctricos y magnéticos (lo que se logra sumergiendo dentro de un campo magnético a
una pastilla que es recorrida por una corriente eléctrica). Su utilidad práctica aparece casi
exclusivamente en cristales semiconductores.
Este efecto permite demostrar que el modelo clásico que dio lugar a la definición del
electrón y de la laguna como herramienta para estudiar el movimiento cuántico de los
electrones libres y ligados, es correcto; que el electrón tiene carga negativa y la laguna positiva;
y que no se puede explicar el movimiento de una laguna hacia adelante como el de un electrón
ligado hacia atrás. Nos provee una herramienta para la determinación experimental de la
movilidad y para estudiar la naturaleza de los semiconductores.
Dado el siguiente circuito:
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La batería 𝐸 proporciona una corriente 𝐼𝑥 , que al circular por la pastilla de
semiconductor, determina en ella una densidad de corriente 𝐽𝑥 . Es decir que la batería hace
que exista un campo eléctrico ℰ⃗𝑥 en el interior de la pastilla. Se analizará el experimento con
un cristal tipo 𝑛 y luego con uno tipo 𝑝.
Cristal tipo n
Esta fuerza desplaza a los electrones hacia la cara frontal, produciendo en ella una
acumulación de los mismos. El desplazamiento de electrones dejó en descubierto átomos de
impurezas donoras ionizados positivamente, que permanecen en la cara trasera.
Esta distribución de cargas en la pastilla semiconductora actúa como un dipolo de
cargas, que queda en evidencia por la diferencia de potencial que acusa el voltímetro. Este
proceso da lugar a un campo eléctrico transversal ℰ⃗𝑦 de sentido +𝑦. Dicho campo da lugar a
una fuerza eléctrica que actúa sobre los electrones:
𝐹⃗𝑒𝑦 = −𝑞ℰ⃗𝑦
Esta fuerza eléctrica 𝐹⃗𝑒𝑦 tiene sentido opuesto a la fuerza magnética 𝐹⃗𝑚𝑦 . A medida
que se acumulan más cargas, la fuerza eléctrica se incrementa hasta que alcanza el valor de la
magnética, compensándose ambas entre sí. En estas condiciones se cumple que:
𝐹⃗𝑚𝑦 = −𝐹⃗𝑒𝑦
⃗⃗𝑧 ) = −(−𝑞ℰ⃗𝑦 )
−𝑞(𝑣⃗𝑛𝑥 × 𝐵
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Esta es la relación que deben cumplir entre sí los campos aplicados sobre la partícula y
la velocidad de la misma para que no se produzca ninguna desviación en su trayectoria.
Cristal tipo p
Se parte del supuesto que las lagunas tienen existencia física como partículas de carga
positiva.
El campo eléctrico ℰ⃗𝑥 desplaza a las lagunas con velocidad 𝑣⃗𝑝𝑥 , en el mismo sentido
que la corriente 𝐼𝑥 .
La inducción magnética 𝐵 ⃗⃗𝑧 produce en las lagunas una fuerza magnética 𝐹⃗𝑚𝑦 que será:
𝐹⃗𝑚𝑦 = 𝑞(−𝑣⃗𝑝𝑥 × 𝐵
⃗⃗𝑧 )
Aunque ahora las cargas sean de signo contrario, por desplazarse en sentido contrario
a los electrones, hay una compensación de signos, por lo que la fuerza magnética sobre estos
portadores también será en el sentido +𝑦.
Esta fuerza desplaza a las lagunas hacia la cara frontal, produciendo en ella una
acumulación de las mismas. El desplazamiento de lagunas dejó en descubierto átomos de
impurezas aceptoras ionizadas negativamente, que permanecen en la cara trasera.
Esta distribución de cargas en la pastilla semiconductora actúa también como un
dipolo de cargas, que queda en evidencia por la diferencia de potencial que acusa el
voltímetro, que es en sentido contrario, y que da lugar a un campo eléctrico transversal ℰ⃗𝑦 de
sentido −𝑦. Dicho campo da lugar a una fuerza eléctrica que actúa sobre los electrones:
𝐹⃗𝑒𝑦 = 𝑞(−ℰ⃗𝑦 )
Si bien el campo está en sentido contrario al de la pastilla tipo 𝑛, al ser ahora cargas
positivas, la fuerza eléctrica 𝐹⃗𝑒𝑦 nuevamente tiene sentido opuesto a la fuerza magnética 𝐹⃗𝑚𝑦 .
Cuando las fuerzas se compensan:
𝐹⃗𝑚𝑦 = −𝐹⃗𝑒𝑦
⃗⃗𝑧 ) = −𝑞(−ℰ⃗𝑦 )
𝑞(−𝑣⃗𝑝𝑥 × 𝐵
Se llega exactamente a lo mismo que en el caso anterior. Es decir que la condición que
hace que la trayectoria sea rectilínea, es la misma tanto para electrones como para lagunas.
-------o-------
Por medio del efecto Hall se demuestra que las lagunas son efectivamente partículas
clásicas con carga positiva, ya que si se las interpreta como un movimiento retrógrado de
electrones, los mismos, por corresponder a cargas negativas, para el material tipo 𝑝 se
moverían en el sentido de la fuerza magnética, y nuevamente cargarían las caras del cristal en
el mismo sentido que en el del material tipo 𝑛, cosa que no ocurre así.
Es decir que el efecto Hall no solo es importante desde el punto de vista práctico, sino
también teórico, en particular porque demuestra que el transporte de carga eléctrica se puede
realizar efectivamente a través de huecos y electrones, colocando en pie de igualdad al
electrón y al hueco como cuasi partículas, al menos en lo que concierne a los mecanismos de
conducción eléctrica.
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Concentración de portadores
Evaluemos ahora cuál es la concentración de portadores en los semiconductores
intrínsecos.
Consideremos primeramente los posibles estados energéticos de los portadores:
𝑝2
Electrones en la BC 𝐸𝑛 = 𝐸𝐵𝐶 + 2𝑚∗
𝑛
𝑝2
Huecos en la BV 𝐸𝑝 = 𝐸𝐵𝑉 − ∗
2𝑚𝑝
∞
2 𝑑𝑝𝑥 𝑑𝑝𝑦 𝑑𝑝𝑧
𝑛0 = 3 ∭
ℎ 1 + 𝑒 (𝐸−𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇
−∞
∞
2 𝑑𝑝𝑥 𝑑𝑝𝑦 𝑑𝑝𝑧
𝑛0 = 3 ∭ 2 ∗
ℎ 1 + 𝑒 𝐵𝐶 +𝑝 ⁄2𝑚𝑛 −𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇
(𝐸
−∞
∞
2 𝑑𝑝𝑥 𝑑𝑝𝑦 𝑑𝑝𝑧
𝑛0 = 3 ∭ ∗
ℎ 1 + 𝑒 𝐵𝐶 −𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇 𝑒 𝑝 ⁄2𝑚𝑛 𝑘𝑇
(𝐸 2
−∞
Esta integral no tiene una solución exacta conocida, aunque sí es posible resolverla
numéricamente de forma aproximada conociendo los parámetros 𝐸𝐵𝐶 , 𝐸𝑓 y 𝑘𝑇.
No obstante, nos interesa encontrar aquí una aproximación teórica de gran
importancia, que es la concentración débil de portadores (concentración diluida), válida para
temperaturas bajas, o al menos no muy elevadas. Esta suposición se basa sobre la premisa de
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que, dado el gap ∆𝐸 de un semiconductor y la temperatura ambiente 𝑇 no muy elevada, hay
pocos portadores en la banda de conducción y en la banda de valencia. Como ya se vio en la
unidad anterior, esto implica que 𝐸 − 𝐸𝑓 ≫ 𝑘𝑇, lo que significa que la función de Fermi-Dirac
puede aproximarse por la función de Maxwell-Boltzmann:
1
𝑓𝐹𝐷 (𝐸) = ≅ 𝑒 −(𝐸𝑓−𝐸)⁄𝑘𝑇
(𝐸𝑓 −𝐸)⁄𝑘𝑇
1+𝑒
∞ ∞ ∞
2 2 ∗ 2 ∗ 2 ∗
𝑛0 ≅ 3 𝑒 −(𝐸𝐵𝐶 −𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇 ∫ 𝑒 −𝑝𝑥 ⁄2𝑚𝑛 𝑘𝑇 𝑑𝑝𝑥 ∫ 𝑒 −𝑝𝑦 ⁄2𝑚𝑛 𝑘𝑇 𝑑𝑝𝑦 ∫ 𝑒 −𝑝𝑧 ⁄2𝑚𝑛 𝑘𝑇 𝑑𝑝𝑧
ℎ
−∞ −∞ −∞
∞
Como podemos apreciar, nos quedan tres integrales de la forma ∫−∞ 𝑒 −𝑢 𝑑𝑢
multiplicadas entre sí, denominadas “Integrales de Gauss”, y que valen √𝜋. Más precisamente,
analizando una de ellas y haciendo cambio de variables:
𝑢2 = 𝑝𝑥2 ⁄2𝑚𝑛∗ 𝑘𝑇
∞
∗
2 ∗ | 𝑢 = 𝑝𝑥 ⁄√2𝑚𝑛 𝑘𝑇 |
∫ 𝑒 −𝑝𝑥 ⁄2𝑚𝑛 𝑘𝑇 𝑑𝑝𝑥 ⇒ ⇒
|𝑑𝑢 = 𝑑𝑝𝑥 ⁄√2𝑚𝑛∗ 𝑘𝑇|
−∞
𝑑𝑝𝑥 = √2𝑚𝑛∗ 𝑘𝑇𝑑𝑢
∞ ∞
−𝑢2 2
⇒ ∫𝑒 √2𝑚𝑛∗ 𝑘𝑇𝑑𝑢 = √2𝑚𝑛∗ 𝑘𝑇 ∫ 𝑒 −𝑢 𝑑𝑢 = √2𝑚𝑛∗ 𝑘𝑇√𝜋 = √2𝑚𝑛∗ 𝑘𝑇𝜋
−∞ −∞
Notar que los límites de integración de los extremos de −∞ a ∞ implican todas las
posibles velocidades que tienen las partículas, siempre que permanezcan dentro de la banda
respectiva. Este cálculo no considera velocidades máximas admisibles para estar dentro de la
banda, como por ejemplo, el caso de un electrón que resulte emitido fuera del material por
superar la velocidad de escape (Termoemisión o emisión termoiónica – Ley de Richardson-
Dushman). En este último caso se produce, en consecuencia, un error por exceso.
Reemplazando y considerando que las tres integrales que se multiplican son idénticas,
nos queda:
2 3
𝑛0 ≅ 3 𝑒 −(𝐸𝐵𝐶 −𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇 √2𝜋𝑚𝑛∗ 𝑘𝑇
ℎ
𝑛0 ≅ 𝑁𝐶 𝑒 −(𝐸𝐵𝐶 −𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇
donde:
⁄2
2 ∗
3 2𝜋𝑚𝑛∗ 𝑘𝑇 3
𝑁𝐶 = 3 √2𝜋𝑚𝑛 𝑘𝑇 = 2 ( )
ℎ ℎ2
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es la cantidad de estados disponibles en la banda de conducción.
Se observa que la forma de la ley no es otra que la de Maxwell-Boltzmann, admitiendo
que los electrones tienen una energía promedio 𝐸𝐵𝐶 − 𝐸𝑓 ; además, 𝑁𝐶 representa la
concentración (cantidad) de estados disponibles en la banda de conducción, cuyo valor es del
orden de 1019 1⁄𝑐𝑚3 a temperatura ambiente, tanto en el silicio como en el germanio.
La cantidad de estados depende, como vemos, de la temperatura ambiente elevada a
la 3/2, es decir 𝑇 3⁄2.
Considerando que el hueco es una antipartícula del electrón (comportamiento
antisimétrico), debe aplicarse la función de Fermi-Dirac complementaria. Resulta claramente
que para la banda de valencia:
3
2 ∗ 𝑘𝑇 𝑒 −(𝐸𝑓 −𝐸𝐵𝑉 )⁄𝑘𝑇 = 𝑁 𝑒 −(𝐸𝑓 −𝐸𝐵𝑉 )⁄𝑘𝑇
𝑝0 = √2𝜋𝑚𝑝 𝑉
ℎ3
Notemos que ahora se encuentra bajo la raíz 3/2 la masa eficaz del hueco 𝑚𝑝∗ , que
aunque es distinta de la masa eficaz del electrón 𝑚𝑛∗ , aún pueden considerarse
aproximadamente del mismo orden, por lo que 𝑁𝑉 ≅ 𝑁𝐶 .
𝑛0 = 𝑝0
Esto es así ya que el único proceso considerado en el equilibrio que aporta portadores
es la rotura y recombinación de pares hueco-electrón (aparecen y desaparecen siempre de a
pares). Igualando las respectivas concentraciones nos queda:
𝑛0 = 𝑝0
𝐸𝐵𝐶 − 𝐸𝑓 ≅ 𝐸𝑓 − 𝐸𝐵𝑉
𝐸𝐵𝐶 + 𝐸𝐵𝑉 ≅ 𝐸𝑓 + 𝐸𝑓
19
𝐸𝐵𝐶 + 𝐸𝐵𝑉
𝐸𝑓 ≅
2
A los fines prácticos podemos considerar que el nivel de Fermi se encuentra a la mitad
de la banda prohibida.
20
Supongamos que describimos una situación particular de equilibrio con el medio
ambiente con las siguientes magnitudes:
𝑁𝑑 Concentración de átomos donores en el nivel donor
𝑁𝑎 Concentración de átomos aceptores en el nivel aceptor
𝑛𝑑 Concentración de átomos donores no ionizados
𝑛𝑎 Concentración de átomos aceptores no ionizados
𝑛 Concentración de electrones en la banda de conducción
𝑝 Concentración de huecos en la banda de valencia
En virtud de lo anterior y a fin de mantener la neutralidad eléctrica, se tendrá en un
semiconductor tipo 𝑛:
𝑛 = 𝑝 + (𝑁𝑑 − 𝑛𝑑 )
Y en un semiconductor tipo 𝑝:
𝑝 = 𝑛 + (𝑁𝑎 − 𝑛𝑎 )
En general, es posible que haya ambos tipos de contaminación con distintos niveles de
concentración, de modo que:
𝑛 − 𝑝 = 𝑛0 − 𝑝0 = (𝑁𝑑 − 𝑛𝑑 ) − (𝑁𝑎 − 𝑛𝑎 )
Esta ecuación nos dice también que es posible neutralizar, y hasta invertir, el tipo
extrínseco, recontaminando. Esto es doblemente importante en el proceso de fabricación, ya
que permite neutralizar impurezas no deseadas o realizar distintas capas semiconductoras
por sucesivas contaminaciones. El límite es que la concentración total de impurezas sea aún lo
suficientemente pequeña para no desnaturalizar la estructura del semiconductor intrínseco.
Cuando ello ocurre (cuando se desnaturaliza), se produce los denominados “semiconductores
degenerados” (es un semiconductor sobrecontaminado).
De esto surge que en un semiconductor tipo 𝑛, a temperatura suficientemente
elevada, pero aun dentro de las típicas del rango ambiental normal, los electrones que habrá
serán solo aquellos producidos por los átomos donores o por las diferencias entre las
concentraciones donoras y aceptoras; de igual forma, pero en sentido inverso, para un
semiconductor tipo 𝑝.
En un semiconductor tipo 𝑛 con 𝑇~𝑇𝑎𝑚𝑏
𝑁𝐶
Temperaturas normales: 𝐸𝑓 = 𝐸𝐵𝐶 − 𝑘𝑇 ln 𝑁
𝑑 −𝑁𝑎
Tipo 𝑛
𝐸𝑑 +𝐸𝐵𝐶 𝑁𝐶
Temperaturas bajas: 𝐸𝑓 ≅ 2
− 𝑘𝑇 ln 𝑁
𝑑 −𝑁𝑎
21
𝑁𝐶
Temperaturas normales: 𝐸𝑓 = 𝐸𝐵𝑉 + 𝑘𝑇 ln 𝑁
𝑎 −𝑁𝑑
Tipo 𝑝
𝐸𝐵𝑉 +𝐸𝑎 𝑁𝐶
Temperaturas bajas: 𝐸𝑓 ≅ 2
+ 𝑘𝑇 ln 𝑁
𝑎 −𝑁𝑑
Estas ecuaciones nos dicen que en un semiconductor no degenerado ocurre tal que: si
es 𝑛, en él se encuentra el nivel de Fermi en la mitad superior de la banda prohibida, y si en 𝑝,
se encuentra en la mitad inferior de la banda prohibida.
Para muy bajas temperaturas la posición del nivel de Fermi está situada entre 𝐸𝐵𝐶 y 𝐸𝑑
(tipo 𝑛), o entre 𝐸𝑎 y 𝐸𝐵𝑉 (tipo 𝑝). Al aumentar la temperatura, y a medida que se agota el
proceso de excitación de generación extrínseca y empieza a prevalecer la generación
intrínseca, el nivel de Fermi se desplaza en ambos casos hacia el centro de la banda:
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conocer la población de los mayoritarios y la condición de conservación de la concentración
intrínseca, que se debe cumplir si no hemos alterado la estructura del semiconductor
intrínseco anfitrión (es decir, si no es degenerado), de modo que:
𝑛𝑖2 (𝑛)
𝑝0𝑛 ≅ ⟶ (𝑛0𝑛 ≅ 𝑁𝑑 )
𝑁𝑑
𝑛𝑖2 (𝑝)
𝑛0𝑝 ≅ ⟶ (𝑝0𝑝 ≅ 𝑁𝑎 )
{ 𝑁𝑎
- Relación p⁄n
Recordar que:
𝑛0 = 𝑁𝐶 𝑒 −(𝐸𝐵𝐶 −𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇
{
𝑝0 = 𝑁𝑉 𝑒 −(𝐸𝑓 −𝐸𝐵𝑉 )⁄𝑘𝑇
Y considerando que 𝑁𝐶 ≅ 𝑁𝑉 :
𝑝
= 𝑒 (𝐸𝐵𝐶 +𝐸𝐵𝑉 −2𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇
𝑛
Pero como el nivel de Fermi en un material intrínseco es 𝐸𝑓𝑖 = (𝐸𝐵𝐶 + 𝐸𝐵𝑉 )⁄2:
𝑝
= 𝑒 2(𝐸𝑓𝑖−𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇
𝑛
- Relación p. n
Evaluando ahora 𝑝. 𝑛 con las mismas consideraciones:
23
Pero 𝐸𝐵𝐶 − 𝐸𝐵𝑉 = 𝐸𝑔 , por lo que:
2
𝑝𝑛 = 𝑛𝑖2 = 𝑁𝐶 𝑁𝑉 𝑒 −𝐸𝑔⁄𝑘𝑇 = (𝐶𝑇 3⁄2 ) 𝑒 −𝐸𝑔 ⁄𝑘𝑇
-------o-------
Con estos resultados podemos ahora estimar también las poblaciones mayoritarias en
función de la concentración intrínseca:
En un material tipo 𝑝:
𝑝
= 𝑒 2(𝐸𝑓𝑖−𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇
𝑛
𝑝 𝑝
( ) = 𝑒 2(𝐸𝑓𝑖 −𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇
𝑛 𝑝
𝑝2
= 𝑒 2(𝐸𝑓𝑖−𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇
𝑛𝑖2
𝑝2 = 𝑛𝑖2 𝑒 2(𝐸𝑓𝑖 −𝐸𝑓)⁄𝑘𝑇
Por lo tanto:
𝑛0𝑛 = 𝑛𝑖 𝑒 (𝐸𝑓−𝐸𝑓𝑖)⁄𝑘𝑇
Estas son las ecuaciones con las que se diseñan los semiconductores.
24
La distribución de estados 𝑆(𝐸) es proporcional al impulso de los portadores:
𝑆(𝐸) = 𝑎𝑝
Pero como:
𝑝 = √2𝑚∆𝐸 = √2𝑚(𝐸 − 𝐸𝐵𝐶 )
𝑛(𝐸) = 𝑆(𝐸)𝑓𝐹𝐷 (𝐸) = 𝑎√2𝑚(𝐸 − 𝐸𝐵𝐶 )𝑓𝐹𝐷 (𝐸) = 𝑎√2𝑚√𝐸 − 𝐸𝐵𝐶 𝑓𝐹𝐷 (𝐸)
′ (𝐸)
𝑝(𝐸) = 𝑏 ′ √𝐸𝐵𝑉 − 𝐸𝑓𝐹𝐷
′ (𝐸)
Donde 𝑓𝐹𝐷 es la función complementaria de Fermi-Dirac.
Teniendo en cuenta esto, podemos construir el siguiente diagrama para un
semiconductor tipo 𝑛:
Efectos de la temperatura
Hasta aquí la temperatura se mantuvo constante, pero si la misma varía, la ecuación
𝑛𝑖2 (𝑇) = 𝑛0 𝑝0 indica una variación exponencial. A continuación se muestra el caso de un
cristal de Ge tipo 𝑛 con una concentración de impurezas donoras 𝑁𝑑 :
25
En la zona 1 (0-30°K) las impurezas todavía no están totalmente ionizadas, por lo que
la presencia de esas impurezas no significa presencia de electrones libres en el cristal. Es la
zona de ionización de impurezas.
En la zona 2 (30-300°K) casi todas las impurezas se han ionizado y se cumple que
𝑛0𝑛 ≅ 𝑁𝑑 − 𝑁𝑎 . Es una zona de comportamiento extrínseco.
En la zona 3 (más de 300°K) la alta temperatura provoca la rotura de ligaduras en
cantidades cada vez mayor, produciéndose portadores (tanto electrones como lagunas), en
cantidades tales que llegan a enmascarar a los electrones provocados por las impurezas 𝑁𝑑 . Es
una zona de comportamiento intrínseco.
Es evidente que todos los semiconductores normales deben trabajar en la zona 2,
donde muchas propiedades del semiconductor son independientes de la temperatura.
La zona inferior es una región de generación extrínseca que hace que aumente la
conductividad hasta un punto en el que la totalidad de los átomos de impureza se encuentran
ionizados. Dependiendo del tipo de impureza y de las concentraciones, esta temperatura se
sitúa en el orden de los -10°C.
Superada esta temperatura mínima sobreviene una región térmica en la que no hay
aumento de la cantidad de portadores debido a que aún no tienen suficiente energía los
átomos del cristal para romper pares hueco-electrón. El aumento de la temperatura entonces
provoca un descenso de la conductividad, como ocurre en los metales. Esta región operativa es
la región normal de trabajo de los dispositivos electrónicos. La región se prolonga hasta una
26
temperatura 𝑇𝑚𝑎𝑥 que depende del gap (𝐸𝑔 ⁄𝑘), que para el silicio se encuentra entre los
125°C y 150°C.
Pasada esta temperatura máxima comienza la generación intrínseca, y por lo tanto un
nuevo aumento de la conductividad. Este aumento es importante y puede conducir
rápidamente a la destrucción del dispositivo si se encuentra en funcionamiento por la
aparición de “puntos calientes” (ruptura secundaria). Por ello, la temperatura máxima 𝑇𝑚𝑎𝑥
debe entenderse también como un límite operativo de preservación del semiconductor.
𝐸𝑔
𝑇𝑚𝑎𝑥 ≅
𝑘
27
Hay que distinguir aquí otra clase de trampas, que son de carácter transitorio y que se
deben a la irregularidad cristalina, particularmente la debida a la irregularidad de la superficie
del semiconductor, denominadas “trampas superficiales”. Estas trampas, así como capturan
portadores móviles y muy eventualmente pueden aportar a la recombinación, son más bien
localidades en donde se alojan transitoriamente portadores móviles que desaparecen del flujo
de portadores, pero que luego pueden volver a ser reintegrados, contribuyendo así a la
fluctuación estadística del número de electrones y huecos libres (una de las causas del ruido
electrónico en los semiconductores).
Otro contribuyente a la recombinación indirecta es a través de un tercer tipo de
trampas, situadas energéticamente más o menos en el centro de la banda prohibida, y que son
producidas por la existencia de otro tipo de átomos contaminantes, particularmente los
metales preciosos como el oro y la plata. Estas trampas se denominan “centros de
recombinación”, y a diferencia de las trampas superficiales, tienen un tiempo de retención
más prolongado, favoreciendo así la recombinación al ionizarse positiva o negativamente (si
una trampa de este tipo captura un electrón, se ioniza negativamente, transformándose luego
en una trampa de huecos y viceversa).
28
𝑛 = 𝑛0 + 𝛿𝑛
{
𝑝 = 𝑝0 + 𝛿𝑝
𝑛𝑛 ≅ 𝑛0𝑛
Tipo 𝑛
𝑝𝑛 = 𝑝0𝑛 + 𝛿𝑝
𝑛𝑝 = 𝑛0𝑝 + 𝛿𝑛
Tipo 𝑝
𝑝𝑝 ≅ 𝑝0𝑝
Si las excitaciones son débiles, podemos linealizar esta función, considerando nada
más que el término de primer grado de la serie de Taylor que la describe:
𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇) = 𝑟(𝑡)𝑛𝑝
Desarrollando 𝑛𝑝:
29
𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇) = 𝑟(𝑡)𝑛0 𝑝0 + 𝑟(𝑡)𝑛0 𝛿𝑝 + 𝑟(𝑡)𝑝0 𝛿𝑛 + 𝑟(𝑡)𝛿𝑛𝛿𝑝
𝑟(𝑡)𝑛0 𝑝0 = 𝐺𝑇
𝛿𝑝
Tipo 𝑛 ⟶ 𝑅𝑛 (𝑛, 𝑝, 𝑇) ≅ 𝐺𝑇 + 𝑟(𝑡)𝑛0𝑛 𝛿𝑝 = 𝐺𝑇 +
𝜏𝑝𝑛
𝛿𝑝
Tipo 𝑝 ⟶ 𝑅𝑝 (𝑛, 𝑝, 𝑇) ≅ 𝐺𝑇 + 𝑟(𝑡)𝑝0𝑝 𝛿𝑛 = 𝐺𝑇 +
{ 𝜏𝑛𝑝
Donde:
1
𝜏𝑝𝑛 =
𝑟(𝑡)𝑛0𝑛
1
𝜏𝑛𝑝 =
𝑟(𝑡)𝑝0𝑝
Son constantes de tiempo del proceso de desequilibrio, definido por la vida media de
los portadores minoritarios.
ecuación de la continuidad.
Para describir el comportamiento espacio-temporal de las concentraciones de portadores en
un semiconductor, se requiere plantear una ecuación diferencial en derivadas parciales. El
principio que aplicaremos para deducir esta ecuación diferencial en derivadas parciales es la
30
conservación de la carga eléctrica; por tal motivo hablamos de una ecuación diferencial de
continuidad, o simplemente ecuación de continuidad, que describe la conservación de la carga
punto a punto en el interior del semiconductor. Tomemos un diferencial de volumen tan
pequeño como se quiera (siempre mayor al volumen de incertidumbre) y describamos el
balance de carga en dicho elemento diferencial; como la carga está asociada directamente a la
cantidad de portadores (huecos o electrones) podemos hablar también de la conservación de
las poblaciones.
Sea entonces 𝑝 la concentración de portadores positivos (huecos) en un diferencial de
volumen (𝑑𝑉).
𝑑𝑝 = 𝑝 ⋅ 𝑑𝑉
𝑃 = ∫ 𝑝𝑑𝑉
𝑉
Esta población puede variar punto a punto por distintos motivos; la variación de la
población en el tiempo será:
𝜕𝑃 𝜕 𝜕𝑝
= ∫ 𝑝𝑑𝑉 = ∫ 𝑑𝑉
𝜕𝑡 𝜕𝑡 𝜕𝑡
𝑉 𝑉
Para poder intercambiar los signos de derivada e integral, consideramos que 𝑝 es una
variable continua en el espacio y en el tiempo (suponemos un medio continuo).
Las causas de la variación pueden ser las siguientes:
1. La desaparición de portadores por la recombinación dentro del interior del elemento
diferencial. Tomamos aquí la función de recombinación:
𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇)
𝐺 = 𝐺𝑇 + 𝑔
31
debida a la excitación externa. La velocidad de generación de concentración debida al
aporte externo de portadores está dada por:
𝐺𝑇 = 𝑟(𝑡)𝑛0 𝑝0
3. Consideremos ahora los portadores que emigran del elemento diferencial, en pocas
palabras, los que componen el flujo de portadores ϕ𝑝 hacia el exterior del elemento
𝑑𝑉.
Lógicamente, este flujo se debe a una cierta densidad de corriente 𝐽⃗𝑝 , y es tal que:
1
ϕ𝑝 = ∫ 𝐽⃗ 𝑛⃗⃗𝑑𝑆
𝑞 𝑝
𝑆
-------o-------
De esta forma, las causas 1, 2 y 3 deben igualarse a la variación total de portadores en
el siguiente balance:
𝜕𝑝 1
∫ 𝑑𝑉 = ∫{𝑟(𝑡)𝑛0 𝑝0 + 𝑔}𝑑𝑉 − ∫ 𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇)𝑑𝑉 − ∫ ∇ ⋅ 𝐽⃗𝑝 𝑑𝑉
𝜕𝑡 𝑞
𝑉 𝑉 𝑉 𝑉
32
El volumen 𝑉 de control es el mismo para todas las integrales, y a su vez es arbitrario,
de modo que la igualdad solo se verifica si el balance se extiende a los integrandos. Así nos
queda:
𝜕𝑝 1
= 𝑟(𝑡)𝑛0 𝑝0 + 𝑔 − 𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇) − ∇ ⋅ 𝐽⃗𝑝
𝜕𝑡 𝑞
𝜕𝑝𝑛 𝛿𝑝𝑛 1
= 𝑔𝑝 − − ∇ ⋅ 𝐽⃗𝑝
𝜕𝑡 𝜏𝑝 𝑞
𝜕𝑛𝑝 𝛿𝑛𝑝 1
= 𝑔𝑛 − + ∇ ⋅ 𝐽⃗𝑛
𝜕𝑡 𝜏𝑛 𝑞
Y además:
𝐽⃗𝑛 = 𝑞𝑝𝜇𝑛 ℰ⃗ + 𝑞𝐷𝑛 ⃗∇⃗𝑛
Donde:
1
𝜏𝑝 =
𝑟(𝑡)𝑛0
1
𝜏𝑛 =
𝑟(𝑡)𝑝0
33
Ecuación de difusión de los portadores minoritarios inyectados en
régimen estacionario y en régimen impulsivo.
La solución completa de los sistemas de ecuaciones puede ser más o menos complicada, y
mucho más aún si consideramos menos heterogéneo al semiconductor y excitaciones no
necesariamente tan débiles. Además, se requeriría definir cómo sería la generación externa.
Para evitar un análisis genérico que no aportaría las verdaderas claves del comportamiento
dinámico de un semiconductor, sólo analizaremos dos casos simples que nos darán una idea
del mismo.
El primer caso se refiere a la inyección estacionaria de portadores desde una de las
caras de la pieza semiconductora, y en el segundo caso analizaremos una inyección impulsiva
(por ejemplo, provocada por un flash lumínico), también efectuada desde una de las caras.
El primer caso representa una situación frecuente, la cual se da por ejemplo en una
juntura, o cuando se ilumina de forma uniforme y permanente un sector del cristal; aquí se
manifestará el comportamiento espacial típico.
El segundo caso es menos frecuente en la práctica, aunque no menos importante
teóricamente, ya que manifestará el comportamiento típico en el tiempo.
En un caso arbitrario de excitación, considerando una aproximación lineal, tendremos
un comportamiento mixto en el que deberán manifestarse simultáneamente las características
espaciales y temporales antes vistas.
Inyección estacionaria
Consideraremos una pieza semiconductora donde una de sus caras está sometida a
una inyección estacionaria de portadores minoritarios, por ejemplo, de huecos en un material
tipo 𝑛. La misma puede producirse por la iluminación uniforme y permanente en una de sus
caras.
Esperamos que con esta acción en la cara en donde se registra la generación, el exceso
de portadores producidos por dicha inducción decrezca a lo largo del eje 𝑥; los otros ejes (𝑦, 𝑧)
no intervienen en el problema.
Tomemos el par de ecuaciones que definen el problema y procedamos a realizar las
simplificaciones correspondientes. La ecuación de la continuidad de las lagunas en un material
tipo 𝑛 es:
𝜕𝑝𝑛 𝛿𝑝𝑛 1
= 𝑔𝑝 − − ∇ ⋅ 𝐽⃗𝑝
𝜕𝑡 𝜏𝑝 𝑞
Si bien los fotones penetran una cierta distancia determinada (por la naturaleza del
cristal y la longitud de onda de la luz incidente), es válido considerar la aproximación en la cual
los portadores se generan sólo sobre la cara de la barra. Es decir que en todo el volumen de la
barra:
34
𝛿𝑝𝑛 1
𝑔𝑝 = 0 ∀𝑥 ≠ 0 ∴ + ∇ ⋅ 𝐽⃗𝑝 = 0 ⟶ Ecuación de continuidad
𝜏𝑝 𝑞
Ahora describamos apropiadamente la divergencia de 𝑛𝑝 . En general, lo que
deberíamos hacer es aplicar escalarmente el operador nabla a la ecuación de corriente, es
decir, sobre las dos componentes (la de corrimiento y la de difusión):
35
El gráfico nos muestra que el proceso de recombinación se produce principalmente en
la zona inmediata a la cara de inyección, la cual está caracterizada por una constante de
relajación denominada “Longitud de difusión”. A una distancia equivalente a 5 veces 𝐿𝑝
podemos considerar que la concentración del material es directamente la concentración de
equilibrio a la temperatura 𝑇0 de equilibrio. 𝐿𝑝 es del orden de 1 cm o menos en el Silicio y en
el Germanio, y es del orden de 10-2 cm en el Arseniuro de Galio, lo que le da a este último una
mayor velocidad y lo hace más eficiente para dispositivos de alta frecuencia.
𝑔𝑝 = 0 ∀𝑡 ≠ 0
∇ ⋅ 𝐽⃗𝑝 = 0 ∀𝑥 = 𝑥0
Esto implica que:
ℰ⃗ = 0
Entonces:
36
𝑑𝑝𝑛 𝛿𝑝𝑛
=−
𝑑𝑡 𝜏𝑝
Si se tiene en cuenta que 𝑝𝑛0 = 𝑐𝑡𝑒 por tratarse de un medio homogéneo, y que
además:
𝑑 𝑑𝑝𝑛
𝛿𝑝𝑛 = 𝑝𝑛 − 𝑝𝑛0 ⇒ 𝛿𝑝𝑛 =
𝑑𝑡 𝑑𝑡
𝑑 𝛿𝑝𝑛
𝛿𝑝𝑛 = −
𝑑𝑡 𝜏𝑝
Por lo tanto:
𝑝𝑛 (𝑡) = 𝛿𝑝𝑛 (0)𝑒 −𝑡⁄𝜏𝑝 + 𝑝𝑛0
37
Caracterización dinámica
Según lo ya visto, se hará un breve comentario acerca del tiempo de vida media y de la
longitud de difusión.
Longitud de difusión.
Es una constante de longitud de la ley exponencial que rige la distribución de los excesos de
portadores, sobre un eje determinado, y que está determinada por la difusión de los mismos.
Representa la distancia promedio que recorren los portadores antes de recombinarse.
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