TIPOS DE RECOMBINACION ELECTRONICA
Samuel Chimborazo
sam_jmlr@hotmail.com
Abstract-- In the present article an investigation is
presented about the three types of electronic
recombination in semiconductors, which are very
important in the process of photoelectric generation.
Keywords: Semiconductors, energy, band, electrons,
carriers.
I. INTRODUCCION
Los portadores libres excitados por estímulos externos no
permanecen indefinidamente en ese estado, ya que existen
diversos mecanismos que tienden a hacerlos volver al
estado inicial. Son los llamados mecanismos de
recombinación.
Con el tiempo, los electrones pierden energía y se
estabilizan de nuevo a la banda de valencia,
recombinándose con un hueco.
Hay tres tipos de recombinación; Radiativa, Shockley-
Read-Hall y Auger. Las recombinaciones Auger y
Shockley-Read-Hall dominan en las células solares
basadas en silicio. Entre otros factores, la recombinación
se asocia con la vida útil del material, y por lo tanto la de
la célula solar. A continuación, se detalla cada uno de estos
tipos de recombinaciones.
II. RECOMBINACION RADIATIVA
La recombinación radiactiva es el mecanismo de
recombinación dominante en los semiconductores de
banda prohibida de energía directa. La luz producida por
un diodo emisor de luz (LED) es el ejemplo más evidente
de recombinación radiactiva en un dispositivo
semiconductor. Las células de concentración y espaciales
se hacen típicamente de materiales de banda prohibida
directa (GaAs etc) y, entonces, la recombinación
radiactiva domina. Sin embargo, la mayoría de las células
solares terrestres están hechas de silicio, que es un
semiconductor de banda prohibida indirecta y la
recombinación radiactiva es extremadamente baja y
generalmente despreciada. Las características clave de
recombinación radiactiva son:
 En la recombinación radiactiva, un electrón de la
banda de conducción combina directamente con
un agujero en la banda de valencia, liberando un
fotón; y
 El fotón emitido tiene una energía similar a la
banda prohibida y, por tanto, está sólo débilmente
absorbido de manera que puede salir del
semiconductor.
Figura 1. Recombinacion radiativa.
III. RECOMBINACION AUGER
Existe un proceso físico conocido como el efecto de
ionización de impacto por el cual un electrón de alta
energía colisiona con un átomo, dando suficiente energía
a uno de los electrones del átomo para romper su enlace y
crear un par de electrón-agujero.El efecto Auger es solo
el proceso inverso de este ; en este tipo de recombinación,
el exceso de energía emitido por un electrón que se
recombina con un agujero se le da a un segundo electrón
(en cualquiera de las bandas) en lugar de simplemente
emitir la energía como un fotón. El electrón recién
excitado cede su energía adicional en una serie de
colisiones con el enrejado , relajándose hasta el borde de
la banda. Por lo tanto, este efecto es el resultado de las
interacciones entre múltiples partículas, incluidos
múltiples electrones y un agujero. Debido a que este
proceso se basa en la capacidad de los portadores de carga
para intercambiar energía, la probabilidad de
recombinación Auger aumenta con una mayor
concentración de portadores de carga. Para un proceso de
orificio de electrones, esperamos que el mecanismo de
reacción sea proporcional ap 2 ny para un proceso de
orificio de electrón-electrón que será proporcional
a n 2 p (donde n y p son el electrón y el orificio).
concentraciones respectivamente). Las tasas de
recombinación, R E para electrones y R H para agujeros,
están dadas por:
𝑅𝐸 = 𝐵𝑛2 𝑝
𝑅𝐻 = 𝐵𝑝2 𝑛
donde B es el coeficiente Auger basado en el
material. Además, podemos usar las tasas de
recombinación para obtener una vida τ Aug para ambos
electrones y agujeros:
 𝑝 1
𝜏𝐸,𝐴𝑢𝑔 = =
𝑅𝐸 𝐵𝑛2
La velocidad a la que un se mueve en el nivel de
𝑛 1 energía en la zona prohibida depende de la
𝜏𝐻,𝐴𝑢𝑔 = = distancia del nivel de energía introducido desde
𝑅𝐻 𝐵𝑝2
cualquiera de los bordes de la banda. Por lo tanto,
Hay una forma para las vidas que también incluye la si una energía se introduce cerca de cualquiera de
contribución del operador minoritario, sin embargo, es los bordes de la banda, la recombinación es menos
esta forma previa para el operador mayoritario del material probable que el electrón es probable que ser re-
que es más prominente. Incluyendo el término para la emitido a la borde de la banda de conducción en
contribución de la banda de operadores minoritarios, lugar de recombinarse con un agujero que se
tenemos: mueve en el mismo estado de energía de la banda
de valencia. Por esta razón, los niveles de energía
1 cerca de mediados de brecha son muy eficaces
𝜏𝐸,𝐴𝑢𝑔 = para la recombinación.
𝐵𝑛2 + 𝐶𝑛𝑝

1
𝜏𝐻,𝐴𝑢𝑔 =
𝐵𝑝2 + 𝐶𝑛𝑝

donde C es una constante también dependiendo del

material.

Figura 3. Shockley-read-hall recombinacion

Después de un largo análisis de la dinámica involucrada

en este proceso, vemos que la tasa de recombinación RT
involucrada con las trampas depende del volumen de los
defectos de captura y de la energía del nivel de captura:

𝑛𝑝 − 𝑛2 𝑖
𝑅𝑇 =
𝜏ℎ0 (𝑛 + 𝑛1) + 𝜏𝑒0 (𝑝 + 𝑝1)
Figura 2. Recombinación Auger
donde n y p son las concentraciones de electrones y
IV. RECOMBINACION SHOCKLEY- agujeros respectivamente, ni es la "concentración de
READ-HALL portador intrínseco", y τh0 y τe0 son parámetros de
duración (para agujeros y electrones respectivamente)
La recombinación a través de defectos, también llamado cuyos valores dependen del tipo de trampa y la densidad
Shockley-Read-Hall o, no se produce en un material de volumen de la captura Defectos2. Las cantidades n1 y
perfectamente puro, sin defectos. La recombinación SRH p1 son parámetros que introducen la dependencia de la
es un proceso de dos pasos. Los dos pasos involucrados en velocidad de recombinación en el nivel de energía de
la recombinación SRH son: captura Eτ de la siguiente manera:

 En la recombinación radiactiva, un electrón de 𝐸𝑡 − 𝐸𝑐

𝑛1 = 𝑁𝐶 exp ( )
la banda de conducción combina directamente 𝑘𝑇
con un agujero en la banda de valencia,
liberando un fotón; y 𝐸𝑣 − 𝐸𝑡
𝑝1 = 𝑁𝑣 exp ( )
 El fotón emitido tiene una energía similar a la 𝑘𝑇
banda prohibida y, por tanto, está sólo
débilmente absorbido de manera que puede 𝑛1𝑝1 = 𝑛2 𝑖
salir del semiconductor.
 V. CONCLUSIONES
Con la investigación, ahora ya se tiene un concepto claro
de lo que es un proceso de recombinación, por lo tanto, se
puede decir que cualquiera de los electrones que existen
en la banda de conducción están en un estado meta-estable
y, finalmente, se estabilizarán a una posición de menor
energía en la banda de valencia. Cuando esto ocurre, se
debe mover a un estado vacío de la banda de valencia. Por
lo tanto, cuando el electrón se estabiliza hacia abajo en la
banda de valencia, también elimina de manera efectiva un
agujero.

Los tres tipos de recombinación investigados son de

mucha importancia en el momento de la generación
fotovoltaica, sin este proceso no seria posible utilizarla en
distintas aplicaciones hoy en día .

VI. BIBLIOGRAFIA

[1] Goetzberger, Adolf et.al. Crystalline Silicon Solar

Cells. Chichester: John Wiley & Sons Ltd., 1998.

[2] Green, Martin A. Solar Cells: Operating Principles,

Technology, and System Applications. Englewood Cliffs:
Prentice-Hall, Inc., 1982.