ELECTRONICA DE POTENCIA

ESCUELA POLITÉCNICA DEL

EJÉRCITO

INFORME UJT

MATERIA: ELECTRONICA DE
POTENCIA

NOMBRES: ALEXADRA CEVALLOS

FERNANDA NARANJO
PABLO BETANCOURT

CURSO: 7º D

FECHA: 2010-11-30

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ESCUELA POLITECNICA DEL EJÉRCITO

ELECTRONICA DE POTENCIA

OBJETIVOS

Objetivos generales:

 Diseñar e implementar un oscilador de relajación con un UJT.

Objetivos Específicos:
 Determinar el comportamiento del UJT en las diferentes etapas del mismo, observando cómo
influye el valor del potenciómetro.
 Obtener una frecuencia de 500Hz mediante la manipulación del potenciómetro.
 Comprender el funcionamiento y formas de onda asociadas del disparo sincronizado con UJT,
mediante la simulación y montaje.
 Obtener el error cometido mediante la comprobación de los valores calculados, con los valores
prácticos obtenidos en el laboratorio.

MARCO TEORICO

El transistor UJT

El transistor de uni-unión (unijunction transistor) o UJT está constituido por dos regiones con tres
terminales externos: dos bases y un emisor. En la figura aparece la estructura física de este dispositivo. El
emisor está fuertemente dopado con impurezas p y la región n débilmente dopado con n. Por ello, la
resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10KΩestando el emisor
abierto).

El modelo equivalente representado en la figura está constituido por un diodo que excita la unión de dos
resistencias internas, R1 y R2, que verifican RBB=R1+R2. Cuando el diodo no conduce, la caída de
tensión en R1 (V1) se puede expresar como

en donde VB2B1 es la diferencia de tensión entre las bases del UJT y es el factor de división de tensión
conocido como relación intrínseca. El modelo de este dispositivo utilizando transistores se muestra en la
figura c, cuya estructura es muy similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conducción los
transistores la caída de tensión en R1 es muy baja. El símbolo del UJT se muestra en la figura d.

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Transistor UJT. a) Estructura física, b) modelo equivalente,

c) circuito equivalente y d) símbolo.

Funcionamiento de un UJT

El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR. En la gráfica se describe las características

eléctricas de este dispositivo a través de la relación de la tensión de emisor (VE) con la corriente de emisor
(IE). Se definen dos puntos críticos: punto de pico o peak-point (VP, IP) y punto de valle o valley-point
(VV, IV), ambos verifican la condición de dVE/dIE=0. Estos puntos a su vez definen tres regiones de
operación: región de corte, región de resistencia negativa y región de saturación, que se detallan a
continuación:

Características eléctricas de un UJT.

Región de corte. En esta región, la tensión de emisor es baja de forma que la tensión intrínseca
mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que
VE<VP e IE < IP. Esta tensión de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuación

donde la VF varia entre 0.35 V a 0.7 V con un valor típico de 0.5 V.

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Región de resistencia negativa. Si la tensión de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor,
es decir, VE=VP entonces el diodo entra en conducción e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente
la resistencia R1 debido a procesos de recombinación. Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye
su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). En
esta región, la corriente de emisor está comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE< IV).

Región de saturación. Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y
tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relación lineal de muy baja resistencia entre la tensión
y la corriente de emisor. En esta región, la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE >
IV). Si no se verifica las condiciones del punto de valle, el UJT entrara de forma natural a la región de
corte.

En la figura también se observa una curva de tipo exponencial que relaciona la VE y la IE cuando la base
B2 se encuentra al aire (IB2=0). Esta curva tiene una forma similar a la característica eléctrica de un
diodo y representa el comportamiento del diodo de emisor.

MATERIALES

 1 Potenciómetro de 5KΩ
 1 Resistencia de 12KΩ
 1 Resistencia de 47Ω
 1 Resistencia de 1KΩ
 1 Capacitor de 0.1uF
 Fuente DC de 20-25V
 1 UJT 2N2646
 Osciloscopio
 Puntas de osciloscopio(x1)

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PROCEDIMIENTO

1. Armar el siguiente circuito:

2. Variar el valor del potenciómetro hasta conseguir una frecuencia de 500Hz

3. Ver las formas de onda en el capacitor y en la resistencia R3 de 47 Ω

SIMULACIONES

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1
=

= |9.40 − 11.50 | = 2.1

1
= = 476
2.1

=7

GRAFICOS DE LA PRACTICA

GRAFICAS P1 EN EL CAPACITOR

Al variar el potenciómetro se obtuvo diferentes valores de frecuencias como las siguientes graficas:

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Este fue el valor más cercano a los 500Hz que se pudo obtener, siendo la onda de la señal de la siguiente
manera:

=7

= 485.58

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GRAFICAS P2 EN LA RESISTENCIA R3

Se reemplazó este valor de resistencia constante por un potenciómetro para de igual manera poder
observar las diferentes respuestas de los picos de la señal.

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ERRORES

−
%= ×

Error de frecuencia:

476 − 485.58
%= × 100
476

% = 1.9%

Error Vpp:

7−7
%= × 100
7

% = 0%

CONCLUSIONES

 Se pudo observar que la forma de onda que se obtiene en el capacitor es un diente de sierra que
representa la carga y descarga del capacitor.
 Se pudo observar que la forma de onda obtenida en la resistencia R3 es un tren de pulsos con
picos.
 Se pudo observar que al reemplazar la resistencia del emisor por un potenciómetro se puede
variar el ancho de pulso de la señal mientras que al variar el potenciómetro de la base se varía la
frecuencia y la amplitud de la onda de salida.
 Conectar el transistor UJT correctamente de acuerdo al datasheet para evitar errores en las
mediciones a realizar durante la práctica.
 Verificar que las conexiones se encuentren de acuerdo al circuito a implementar para evitar
daños en los elementos principalmente en el transistor UJT.
 Para empezar a armar el circuito se debe consultar el manual NTE y comprobar que los
elementos soporten la corriente y el voltaje que vamos a utilizar sino estos se pueden quemar y
provocar daños en los equipos.
 Para colocar las puntas de osciloscopio en cualquier punto, es recomendable conectar primero la
tierra, y con ligeros topes conectar el positivo, para comprobar que no se genere ningún
cortocircuito, ya que se está trabajando con valores de voltaje y amperaje considerables.
 Debe tomarse en cuenta que las puntas del osciloscopio se encuentren en la opción x10 para
poder observar los valores ya que si trabajamos con voltajes altos no se podría apreciar
correctamente.
 En el caso de algún daño en los elementos del circuito se puede comprobar midiendo la señal en
puntos específicos para determinar en qué lugar se produjo el error.

BIBLIOGRAFIA

http://www.scribd.com/doc/41470873/Dimer-Con-Triac-y-Transistor-Ujt
http://ccpot.galeon.com/enlaces1737097.html
http://www.angelfire.com/electronic2/electronicaanalogica/ujt.html

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