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Tema 5 – Transistores (I)

Transistor bipolar

José San Martín


Tema 5 – Transistores
• Índice

5.1 Transistor bipolar.


– Estructura, características y formas de funcionamiento
del transistor bipolar.
– Curvas características y zonas de funcionamiento.
– El transistor bipolar en la zona activa.
– El transistor bipolar en corte y saturación.

Física 2
Tema 5 – Transistor bipolar
• En el tema anterior se han visto componentes de 2
terminales, los diodos, con una curva característica V-I.
Los componentes de 3 terminales tienen 3 pares de
posibles curvas características V-I.

• Deberemos definir la curva V-I de entrada y la curva V-


I de salida. La curva característica V-I de salida es un
conjunto de curvas en función de uno de los
parámetros de entrada.

• La característica v-i de los dos terminales principales


puede manipularse modificando la variable de entrada
aplicada al tercer terminal.

Física 3
Tema 5 – Transistor bipolar

Física 4
Tema 5 – Transistor bipolar
• El transistor es un dispositivo semiconductor que
cumple tres funciones principales: amplificador,
conmutador y control.

• El término "transistor" es la contracción en inglés de


transfer resistor. Actualmente se los encuentra
prácticamente en todos los electrodomésticos de uso
diario.

• A partir del transistor se ha llegado a muchas otras


invenciones basadas en semiconductores, incluyendo
el circuito integrado gracias a los cuales son posibles
los ordenadores modernos. Un circuito integrado
contiene millones de transistores miniaturizados.
Física 5
Tema 5 – Transistor bipolar
• Sustituyeron a las antiguas válvulas vacío.

• Permitieron la construcción de receptores de


radio portátiles que se llamaron "transistores",
televisores que se encendían en segundos,
televisores en color...

• Antes de aparecer los transistores, los


aparatos a válvulas tenían que trabajar con
tensiones bastante altas por tanto con gran
consumo y sin posibilidad de ser portátiles.
Física 6
Tema 5 – Transistor bipolar

• El transistor es un dispositivo controlado


por corriente y del que se obtiene
corriente amplificada.

• En el diseño de circuitos a los


transistores se les considera un elemento
activo, a diferencia de los resistores,
capacitores e inductores que son
elementos pasivos.

Física 7
Tema 5 – Transistor bipolar
• Tomando como ejemplo el transistor bipolar, tiene tres
zonas de dopaje: emisor, base y colector.

• Está construido con un sustrato de silicio y tres partes


dopadas artificialmente que forman dos uniones
bipolares.

• El emisor que emite portadores, fuertemente dopado,


el colector que los recibe y la tercera, que está
intercalada entre las dos primeras, modula el paso de
dichos portadores (base), ligeramente dopada,
mediante una corriente que regula el proceso.

• Veremos transistores bipolares npn.


Física 8
Tema 5 – Transistor bipolar
• Un transistor tiene dos uniones: una entre el emisor y
la base y otra entre la base y el colector. Es similar a
dos diodos contrapuestos, con todas sus
características.

• El diodo inferior se denomina el diodo emisor-base.


• El diodo superior se denomina diodo colector-base.

• Los diodos contrapuestos de la estructura que estamos


analizando tienen una barrera de 0,7 V cada uno.

• Si se conectan fuentes de tensión externas para


polarizar al transistor, se obtienen corrientes a través
de las diferentes partes del transistor.

Física 9
Tema 5 – Transistor bipolar
Corrientes en un Transistor

• De manera simplificada, la corriente que circula por el


"colector" IC es función amplificada de la que se inyecta
en el "emisor" IE, pero el transistor sólo gradúa la
corriente que circula a través de sí mismo, si desde
una fuente de corriente continua se alimenta la "base"
IB para que circule la carga por el "colector", según el
tipo de circuito que se utilice.

• El factor de amplificación logrado entre corriente de


base y corriente de colector, se denomina Beta del
transistor.

Física 10
Tema 5 – Transistor bipolar

IC: corriente de colector.


IB: corriente de base.
IE: corriente de emisor.
VBE: tensión base-emisor.
VCE: tensión colector emisor.

Física 11
Tema 5 – Transistor bipolar
Corrientes en un Transistor

• Como el emisor es la fuente de electrones, su corriente


es mayor que las demás.

• Casi todos los electrones del emisor circulan hacia el


colector; por lo tanto, la corriente del colector es
aproximadamente igual a IE.

• La corriente de base es muy pequeña


comparativamente (aprox. Menor que el 1 por 100 de
la corriente del colector). Normalmente despreciable
frente a las otras en términos generales.

Física 12
Tema 5 – Transistor bipolar
• Por tanto sabemos que:

• Asi pues definimos el parámetro alfa de continua como:

• Siendo el parámetro beta (ganancia de corriente):

• Por tanto:

Física 13
Tema 5 – Transistor bipolar

• Ejemplo transistor MOSFET

Física 14
Tema 5 – Transistor bipolar

Física 15
Tema 5 – Transistor bipolar
Clasificación de transistores

• BJT: Fuente de corriente (salida) controlada


por corriente (entrada). Ganancia de corriente.
Terminales: Base, Emisor y Colector

• FET: Fuente de corriente (salida) controlada


por tensión (entrada). Transconductancia (gm).
Terminales: Puerta, Drenador y Fuente

Física 16
Tema 5 – Transistor bipolar

Física 17
Tema 5 – Transistor bipolar

Física 18
Tema 5 – Transistor bipolar

Física 19
Tema 5 – Transistor bipolar
– Formas de funcionamiento del transistor
bipolar.

Física 20
Tema 5 – Transistor bipolar
.

Física 21
Tema 5 – Transistor bipolar
• Ejemplo: Transistor bipolar BJT
Curva característica V-I de entrada Curva
característica V-I de salida

Conjunto de curvas dependiendo del parámetro de


entrada IB (Curvas paramétricas).

La relación IB con VBE es


exactamente la de un diodo,
como tal unión p-n

Física 22
Tema 5 – Transistor bipolar
La relación se realiza mediante curvas
paramétricas, de acuerdo a cada valor de IB.

Física 23
Tema 5 – Transistor bipolar
Cada una de las zonas marcadas de la curva
característica anterior implica un comportamiento
diferente para el transistor.

La zona central, zona activa, es la zona de trabajo


normal del transistor, estando el diodo emisor
polarizado en directa y el diodo colector en inversa.

La zona de ruptura, para la que el transistor no esta


diseñado y que puede conllevar un comportamiento
inesperado y la destrucción del transistor.

La zona de saturación, parte ascendente de la curva


en la que el diodo colector no tiene el suficiente voltaje
para recoger todos los electrones inyectados en la
base.
Física 24
Tema 5 – Transistor bipolar
• En un transistor hay dos uniones p-n (base-emisor y
base-colector), cada una es un diodo pero al estar en
contacto se produce un efecto nuevo, el efecto
“transistor”.

• El estado global del transistor depende de la


polarización (directa o inversa) de las dos uniones.

Física 25
Tema 5 – Transistor bipolar
• Estructura: Emisor muy dopado. Base muy fina y
poco dopada.

• Con la unión Base-Emisor polarizada directamente


(VBE > VT) los electrones (mayoritarios) alcanzan
el Colector a través de la Base muy fina.

• La unión Base-Colector se polariza inversamente,


de manera que ayuda al movimiento de los
electrones provenientes del Emisor (minoritarios en
una unión p-n polarizada en inversa).

• Función de Amplificación: IC = β ⋅ I B
Física 26
Tema 5 – Transistor bipolar

Física 27
Tema 5 – Transistor bipolar

Física 28
Tema 5 – Transistor bipolar

Física 29
Tema 5 – Transistor bipolar
Curvas características
• configuración en emisor común: puerto de entrada B,
E; puerto de salida C, E.

a) Característica de entrada (iB vs vBE)


La función que liga la corriente de entrada con el
voltaje de entrada es la de un diodo

Física 30
Tema 5 – Transistor bipolar
La unión Base-Emisor es una unión p-n:
 ηVVBE   ηVVBE 
I B = I B 0  e − 1 = (1 − α )I E 0  e − 1
T T

   
   
Vamos a necesitar una tensión mínima para
polarizar esa unión de 0,7 V.

Como vimos, de acuerdo al circuito de


entrada: I > 0; ⇒ Activa − Saturación
B

I B = 0; ⇒ Corte
Física 31
Tema 5 – Transistor bipolar
Curvas características

b) Característica de salida (iC vs vCE)


vCE< vCE SAT saturación,
iC = iC (vCE,iB)
vCE> vCE SAT zona activa,
iC = iC (iB)

Física 32
Tema 5 – Transistor bipolar
La salida depende de la IB:

I B > 0; ⇒ Activa − Saturación IC = β ⋅ I B


I B = 0; ⇒ Corte I C = 0;
• La potencia disipada limita el área de operación segura:

Ptranst = VCE ⋅ I C ≤ Pmax


• En la zona activa la IC no es plana, tiene una ligera
pendiente positiva (0,01-0,05mA/V).

Física 33
Tema 5 – Transistor bipolar

Regiones de funcionamiento

• Una unión p-n si se polariza en directa (V>Vf) da lugar


a corrientes de difusión considerables. Si se polariza
en inversa la corriente es despreciable.

a) Región de corte, dos uniones en inversa, corrientes


muy pequeñas vBE< 0,7 vBC< 0,7

Circuito equivalente del transistor en estado de corte

Física 34
Tema 5 – Transistor bipolar

Circuito equivalente del transistor en estado de corte

Física 35
Tema 5 – Transistor bipolar
b) Región activa,
– vBE> 0,7
– vBC< 0,7

• Cuando los e pasan del emisor a la base por


difusión se sienten atraídos por el campo
externo que hay entre base y colector ,
atraviesan la base y llegan hasta el colector
(los huecos a la inversa).

• La corriente de base viene dada por el voltaje


vbe. La corriente de colector es proporcional a
la de base iC=β iB =>Amplificación)
Física 36
Tema 5 – Transistor bipolar

Circuito equivalente del transistor en activa

Física 37
Tema 5 – Transistor bipolar
c) Región de saturación

– vBE >0,7
– vBC > 0,7

• El emisor inyecta electrones a la base, estos


electrones ya no son atraídos por el colector,
por lo que la corriente de colector disminuye
considerablemente.

• iB > 0; iC < β iB
Física 38
Tema 5 – Transistor bipolar
.Circuito equivalente del transistor en activa

Física 39
Tema 5 – Transistor bipolar
Potencia de disipada en el transistor

• Resolviendo el circuito básico planteado se


obtiene la relación:
VCE = VCC − I C ⋅ RC
• Podemos calcular la disipación del transistor
(aproximada) según:

Pdiodo = VCE ⋅ I C

• Es esta la potencia la que hace que aumente la


temperatura de la unión del diodo de colector. A
mayor potencia mayor temperatura en la unión.

Física 40
Tema 5 – Transistor bipolar
Ej. :Resolver el siguiente circuito.

Física 41
Tema 5 – Transistor bipolar
10 − 0 , 7
IB = 6
= 9 ,3 µ A
10
IC = β ⋅ I B = 300 ⋅ 9 , 3 µ A = 2 , 79 mA

−3
10 − 2 ⋅ 10 3 ( 2 , 79 ⋅ 10 ) − V CE = 0

V CE = 4 , 42 V
0 < V CE < 10 Luego la suposición era correcta

Ptrans = V BE ⋅ I B + V CE ⋅ I C
Física 42
Tema 5 – Transistor bipolar
Obtención del punto de operación.

La recta de carga es:

VBB = i B ⋅ RB + VBE

• Para el caso de VBE=0


VBB
iB =
RB
• Para el caso de iB=0

VBB = VBE
Física 43
Tema 5 – Transistor bipolar
Obtención del punto de operación.

• El punto de operación será la intersección de la recta de carga con


la curva que corresponde con el valor de iB que proporciona la curva
característica de entrada.

VCC = iC ⋅ RC + VCE
• Para el caso de VCE=0
VCC
iC =
RC

• Para el caso de iC=0


VCC = VCE

Física 44
Tema 5 – Transistor bipolar

Modelo equivalente trabajando en Corriente Continua-CC.

En la zona activa se cumplirá:

iC = β ⋅ i B
i E = iC + i B

Física 45
Tema 5 – Transistor bipolar
Comportamiento en corriente alterna-CA.

Ej.: Amplificador inversor de tensión. Emisor común.

Polarización CC.

V BB = i B ⋅ R B + V BE
VCC = iC ⋅ RC + VCE

Amplificación de valor tensión CA.


Valor β de ganancia de tensión y corriente.
Alta impedancia de entrada y de salida

Física 46
Tema 5 – Transistor bipolar
Comportamiento en corriente alterna-CA.

Ej.: Seguidor de tensión. Colector común.

Polarización CC.

VBB = iB ⋅ RB + VBE − iE ⋅ RE

VCC = iE ⋅ RE + VCE

Amplificación de corriente CA.


Sin ganancia de tensión (sí corriente y P).
Realimentación negativa de la V de salida en serie con la entrada.
Alta impedancia de entrada y de salida

Física 47
Tema 5 – Transistor bipolar
Comportamiento en corriente alterna-CA.

Ej.: Amplificador de tensión. Base común.

Polarización CC.

VBB = iB ⋅ RB + VBE + VE

VCC = iE ⋅ RE + VCE + VE

Amplificación de tensión.
Baja impedancia de entrada y de salida

Física 48