1 Materiales y Estructura

INTRODUCCIÓN A LA
CIENCIA DE MATERIALES
Resumen elaborado de Imágenes tomadas de: Askeland D., The
Science and Engineering of Materials, Sixth Edition.
2
Elaborado: Ing. Patricio Riofrío. MsC.

3

4

Evolución de productos y materiales
 Porqué se evolucionó del bronce al hierro, de la
madera al aluminio, de la madera al plástico, del
acero a la fibra de carbono en ciertos productos.
 Porqué no se evolucionó (aún) de la madera a la
fibra de carbono (autos comerciales)
 Desempeño, costo, facilidad de fabricación.
7

Familias de materiales
8

9

10

Qué es la Ciencia e Ingeniería de
11
Materiales
 El objetivo es mejorar los materiales existentes y
desarrollar materiales para que tengan el mejor
desempeño en una aplicación particular.
 La ingeniería y ciencia de materiales es un campo
interdisciplinario que trata y controla la composición y
estructura de los materiales a diferente escala para
controlar sus propiedades a través de la síntesis y
procesamiento.
 La ciencia de materiales se focaliza en la relación entre la
estructura, la síntesis, el procesamiento y la propiedades.
 La ingeniería de materiales se enfoca en transformar los
materiales en aparatos y estructuras.
12
 Tetraedro
de la
ciencia e
ingeniería
de
materiales

13
Clasificación
de los
Materiales

14
Clasificación
Funcional
de los
Materiales

Clasificación de los materiales basada
15
en la estructura
 Sin orden
 Orden de corto
alcance
 Orden la largo
alcance
 Cristalinos
 Amorfos
 De único cristal
 Policristalinos
 Alotrópicos
 Polimórficos
ENLACES ATÓMICOS Y
MOLECULARES
Resumen elaborado de Imágenes tomadas de: Askeland D., The
Science and Engineering of Materials, Sixth Edition.
Nivel o escala de la Rango de
estructura tamaño
1 atomic structure 1 A (10-10 m)
17 2 short range atomic 1 a 10 A

arrangement
3 long range atomic 10 nm
arrangement
4 nanoestructure 10-9 a 10-7m

(1 a 100 nm)
5 microestructure >10-7 a 10-4
(0.1 a 100 um)
6 macrostructure >10-4 m
(>100um)

18

Estructura del Átomo
19
 Números Cuánticos
 Valencia
 Electronegatividad
 Tabla periódica

Energía de enlace
20

Enlaces atómicos y moleculares
21

Electronegatividad
22

Enlace metálico
23
 Buenos conductores de la
electricidad
 Buena ductilidad
 Buena resistencia
 Alto punto de fusión
 Buena reflectividad
 Alta conductividad del calor
 Ejemplos: todos los metales

Enlace covalente
24

Propiedades del enlace covalente
25
 Alta resistencia y dureza

 Alto punto de fusión
 Baja ductilidad
 Baja conductividad eléctrica y térmica
 Ejemplos típicos: Diamante, Carburo de silicio SiC,
Nitruro de Silicio Si3N4, Nitruro de boro BN,
enlaces primarios de polímeros.

Enlace Iónico
26
Materiales duros, frágiles

Propiedades del enlace iónico
27
 Enlace fuerte
 Materiales frágiles y duros
 No tiene electrones libres no conducen la
electricidad, en soluciones pueden conducir la
electricidad.
 Ejemplos típico: Cloruro de sodio

Enlace de Van der Waals
28

Enlaces Mixtos
29

Tipos de enlaces en los materiales
30
 Metales: Enlace metálico

 Cerámicos: Enlaces iónicos y covalentes
 Polímeros: Enlaces covalentes y de Van der Waals
 Compuestos: varios enlaces.

Formas alotrópicas del Carbono
31
Diferentes arreglos de
los átomos.
 Diamante
 Grafito
 Grafeno
 Nanotubos de
carbono
 Fullerenos
“BUCKYBALLS”

http://www.youtube.com/watch?v=Pgt5y3za_J
o
32

ARREGLOS ATÓMICOS Y
IÓNICOS
34
 Los arreglos atómicos y iónicos determinan la

microestructura y las propiedades de los
materiales.
 Diferenciar los materiales desde el punto de vista
de los arreglos permite entender y predecir el
comportamiento y las propiedades a nivel
macroscópico

Clasificación de los materiales según el
35
arreglo atómico
 Sin orden o
arreglo.
 Arreglo de corto
rango y
 Arreglo de largo
rango
 Amorfos
 Cristalinos

Cristalinos: Único cristal y policristal
36

Sin orden o arreglo
37
 Gases monoatómicos o plasma no tienen ningún orden o

arreglo.
 SRO El orden o arreglo se extiende a unos pocos átomos o
iones. Agua, vidrio, y polímeros.
 LRO el orden y arreglo de átomos se extiende a escalas
mayores a 100nm. Los átomos y iones exhiben un patrón
que se repite en tres dimensiones. Estos materiales se
designan como materiales cristalinos. Metales,
semiconductores, y algunos polímeros son materiales
cristalinos. Pueden ser de único cristal o policristalinos. Las
propiedades difieren de dirección en dirección.
 Los amorfos son aquellos que exhiben SRO, pueden ser
vidrios, polímeros y hasta metales. Los amorfos pueden
tener cierto grado de cristalinidad.
38

Estructuras Cristalinas y Celdas unitarias
39
 Un material cristalino se caracteriza por un patrón de

repetición tridimensional de átomos o iones: la celda unitaria.
 Existen 14 posibles arreglos tridimensionales de átomos. Estos
se conocen como las redes de Bravais.
 Se distinguen los puntos de las redes como los lugares en los
que se ubican los átomos o iones.
 La celda unitaria conserva las propiedades de toda la red
de un cristal sea únicoElaborado:
o policristalino.
Ing. Patricio Riofrío. MsC.
Redes de Bravais
40

Redes de Bravais
41

Parámetros de las
redes
42

Número de átomos por celda
43
 Átomos en las esquinas contribuyen con 1/8,

 Átomos en las caras contribuyen con ½
 Átomos en el cuerpo contribuyen con 1
 N átomos= n1(1/8) + n2 (1/2) + n3(1)
Tamaño de celda como función del
44
radio atómico o iónico.

Densidad y factor de
45
empaquetamiento
 Densidad = M/V
 M = (numero de atomos/celda )* masa atómica
 NA= 6.022x1023 atomos/mol

Transformaciones Polifórmicas y
46
Alotrópicas
 Los materiales pueden
tener más de una
estructura cristalina
esto es lo que se
denomina alotropía o
polimorfismo
dependiendo de si son
elementos puros o
compuestos
respectivamente.

Transformaciones Polifórmicas y
47
Alotrópicas
 En el caso del hierro a
temperatura ambiente es
BCC a altas temperaturas
pasa a la forma FCC, esto
provoca cambios en las
propiedades y permite
tratamientos térmicos.
 Otros ejemplos son el SiO2
y ZrO2 que pueden
fracturarse en las
transformaciones debido al
cambio de volumen y su
fragilidad
Posiciones, Direcciones y Planos en
48
Celdas
 Es importante para el
estudio de las celdas
unitarias determinar las
ubicaciones de los átomos,
las direcciones y planos de
concentración de átomos o
iones. Por ejemplo los
metales se deforman
plásticamente más
fácilmente en la direcciones
compactas de forma similar
las propiedades magnéticas
electrónicas y mecánicas son
dependientes de la
orientación de la red
cristalina Elaborado: Ing. Patricio Riofrío. MsC.
Determinación de
49
Posiciones, Direcciones y Planos.
 En el caso general una
celda tiene
dimensiones ao, bo y
co. Considerando los
ejes formando ángulos
rectos ao se orienta en
x, bo en y, co en z. La
ubicación de atómos
hace referencia a
múltiplos o submúltiplos
de los valores de la
celda. Elaborado: Ing. Patricio Riofrío. MsC.
Determinación de Posiciones,
50
Direcciones y Planos.
 Una dirección dentro de una
celda unitaria se determina
ubicando la base de la flecha en
el orígen y la punta hasta
encontrar coordenadas enteras.
 También se puede usar
coordenadas fraccionarias y
multiplicar por el mcd.
 Las direcciones se especifican
entre [ ]. Para números negativos
el signo va sobre el número.
 Para direcciones que no pasan
por el orígen se trazan paralelas
al orígen
 Las familias de planos van
entre<>
Determinación de
51
Posiciones, Direcciones y Planos.
 En el caso de planos los índices
se establecen entre parentesis
(). El procedimiento es:
 Elegir un plano que no pase por
el orígen que sea paralelo y
equivalente al que se desea.
 Establecer las intersecciones del
plano con x,y,z como multiplos
de ao, bo, co.
 Tomar los recíprocos y eliminar
las fracciones.
 Las familias de planos se
establecen entre {}.
 Si no corta es infinito.
Índices de Miller.
52
 El conjunto de números de
direcciones y planos se
llaman índices de Miller.
 Se pueden establecer
densidades planares y
direccionales como el
número de átomos en una
área o longitud de la celda
unitaria.

Planos y direcciones compactas y
53
sistemas de deslizamiento
 Son sistemas de deslizamiento las combinaciones de
planos y direcciones compactas en los que se
produce el deslizamiento.

Comportamiento
Isotrópico y Anisotrópico
54
 Se refiere a las variaciones de

las propiedades según las
diferentes direcciones.
 Un material anisotrópico es aquel
cuyos propiedades dependen de
la dirección en que son medidas
mientras en un isotrópico no
existe variación.
 El módulo de elasticidad es
variable con la dirección de la
celda. Un material policristalino
promedia el módulo de
elasticidad y resulta isótropo a
nivel macroscópico. Elaborado: Ing. Patricio Riofrío. MsC.
Estructuras Características
55

Ejemplos de densidades, índices de
56
Miller.
 BCC:
 FCC:
 Cúbico Simple:
 HCP:

IMPERFECCIONES DE LAS
REDES CRISTALINAS
58
 Los defectos e imperfecciones en los arreglos cristalinos

tienen un gran efecto en las propiedades de los materiales
 DEFECTOS PUNTUALES
 DEFECTOS DE LÍNEA
 DEFECTOS DE SUPERFICIE
Aunque se habla de defectos estos pueden ser deseables y de
utilidad según los materiales y aplicaciones.
El Rubí es un cristal de alúmina (incoloro) con adición de cromo.
El acero es hierro con carbono que incrementa la resistencia
mecánica.
Las adiciones de P y B permite la fabricación de semiconductores
de silicio.
El cobre puro es un excelente conductor de la electricidad.

DEFECTOS PUNTUALES:
59

Defectos Puntuales: Vacancias
60
 Concentración de vacancias
 hv número de vacancias por cm3

 h número de átomos por cm3
 Qv energía para producir 1 mol de vacancias J/mol
 R cte universal de los gases 8.314 J/mol K
 T temperatura en K

DEFECTOS PUNTUALES:
61
Defectos Intersticiales
 Los átomos intersticiales incrementan la resistencia
de los materiales.
 Los átomos intersticiales permanecen constantes con
la Temperatura.
 Debido al pequeño tamaño del átomo de carbono
(0.071 nm) este puede incluirse en las estructuras
BCC y FCC en porcentaje de 1 y 8.9 %.

DEFECTOS PUNTUALES:
62
Defectos Substitucionales.
 Los defectos substitucionales puede ser impurezas o
elementos de aleación.
 Ejemplos: P o B en Silicio, cobre en níquel, también
se usa en cerámicos.
 La posibilidad de formar defectos substitucionales
depende del radio y la valencia.

Defectos de Línea:
Dislocaciones
63
 De borde
 De tornillo
 Mixtas

Dislocaciones: movimiento
64

Dislocaciones: movimiento
65

Dislocaciones
66
 Se producen en la solidificación y cuando se

deforman plásticamente el material.
 Son de mayor influencia en metales.
 La deformación plástica es primariamente el
resultado del movimiento y propagación de las
dislocaciones.
 Existen gran cantidad de dislocaciones en los
metales 106 a 1012 cm/cm3
 Las dislocaciones se mueven si el esfuerzo cortante
resuelto iguala al esfuerzo cortante crítico.
Deslizamiento
67
 El deslizamiento se produce en los planos y direcciones

más compactos (aquellos con mayor densidades
atómica y lineal)
 En los cristales FCC el deslizamiento se presenta en
planos 111 y direcciones 110, en los HCP en planos
0001 y dirección 110, en los BCC en las direcciones
111 mientras no existen planos de máxima densidad
por lo que no existe preferencia en cuanto a los planos.
 El deslizamiento es provocado por un esfuerzo cortante.
 Cada cristal tiene un esfuerzo cortante crítico
(constante) al cual se produce el deslizamiento
68
 En una probeta de cristal único puede necesitarse

diferentes esfuerzos de tensión para producir
deslizamiento (fluencia) debido a que los planos y
direcciones compactos están orientados de forma
diferente.
 Si se conocen las orientaciones (λ, φ)de los planos y
direcciones compactas es posible calcular el
esfuerzo cortante crítico.

Ley de Schmid: el deslizamiento se
69 produce si existe esfuerzo cortante

Ejemplo: cristales de magnesio
70
muestra g/mm2 ф λ
1 200 45 54
2 230 30 66
3 400 60 66
4 1000 70 76

Importancia de las dislocaciones y
71
deslizamiento
 Las dislocaciones explican la menor resistencia de los
metales en comparación a la que deberían tener debido
solo a los enlaces atómicos (de 1000 a 10000 veces
menor).
 El deslizamiento explica la ductilidad de los metales.
Metales, sin dislocaciones o con pocas dislocaciones son
frágiles.
 Se puede controlar las propiedades mecánicas (aumentar) si
se evita el movimiento de las dislocaciones esto se produce
al introducir obstáculos al movimiento de las dislocaciones.
 Las propiedades de electrónicas y ópticas dependen de la
presencia y número de dislocaciones.
 La densidad de las dislocaciones aumenta con la
deformación plástica del material.
Defectos de Superficie
72
 Son los límites, bordes o planos que separan un

material en regiones.
 SUPERFICIE
DEL MATERIAL
 BORDES DE GRANO
 DEFECTOS DE EMPAQUETAMIENTO
 BORDES DE IMAGEN
 BORDES DE DOMINIOS

Limites de grano
73
 Los límites de grano son zonas de mayor energía

Efecto del Tamaño de grano
74
 Se controla las propiedades mecánicas por el

tamaño de grano, menor tamaño significa mas
límites de grano y por tanto mayor resistencia.
 σ en Mpa, d mm,
 K en Mpa/mm (-1/2)

Tamaño de grano
75
 El método de la ASTM determina el número de

granos por pulgada cuadrada en una
fotomicrografía a 100x dado por:
 N= 2 n-1 n es el tamaño de grano.
 Cuando se usa otra magnificación se usa la relación
 1( 100x/Mx)^2 = f (in2)
 NM/f = N (granos/ in2)
 Relación entre d y n ?

Twin
76
bordes

Importancia de los defectos
77
 Defectos como dislocaciones, defectos puntuales y

bordes grano modifican el movimiento de dislocaciones.
Se requiere mayor energía y esfuerzo para mover
dislocaciones en la vecindad de defectos.
 Se puede controlar la resistencia de los materiales
mediante el tipo y cantidad de defectos. Hay tres
mecanismos de endurecimiento:
 Endurecimiento por deformación
 Endurecimiento por solución sólida
 Endurecimiento por el tamaño de grano

Ejemplos y ejercicios
78
 Límite de fluencia
 Tamaño de grano

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INTRODUCCIÓN A LA

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Elaborado: Ing. Patricio Riofrío. MsC.

Elaborado: Ing. Patricio Riofrío. MsC.

Elaborado: Ing. Patricio Riofrío. MsC.

Elaborado: Ing. Patricio Riofrío. MsC.

Elaborado: Ing. Patricio Riofrío. MsC.

Elaborado: Ing. Patricio Riofrío. MsC.

Elaborado: Ing. Patricio Riofrío. MsC.

Elaborado: Ing. Patricio Riofrío. MsC.

Elaborado: Ing. Patricio Riofrío. MsC.

17 2 short range atomic 1 a 10 A

4 nanoestructure 10-9 a 10-7m

Elaborado: Ing. Patricio Riofrío. MsC.

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 Alta resistencia y dureza

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Materiales duros, frágiles

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 Metales: Enlace metálico

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 Los arreglos atómicos y iónicos determinan la

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 Gases monoatómicos o plasma no tienen ningún orden o

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 Un material cristalino se caracteriza por un patrón de

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 Átomos en las esquinas contribuyen con 1/8,

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 Se refiere a las variaciones de

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Elaborado: Ing. Patricio Riofrío. MsC.

 Los defectos e imperfecciones en los arreglos cristalinos

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 hv número de vacancias por cm3

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Elaborado: Ing. Patricio Riofrío. MsC.

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 Se producen en la solidificación y cuando se

 El deslizamiento se produce en los planos y direcciones

 En una probeta de cristal único puede necesitarse