Cuestiones y/o ejercicios propuestos para clase.

1. Para calcular la estructura de bandas en un cristal, se parte de un

hamiltoniano monoelectrónico:

P~ 2
H= + v(~r)
2m
a) Explicar las aproximaciones necesarias para llegar a este hamilto-
niano.
b) Exponer las propiedades de la energı́a y de los estados propios de
dicho hamiltoniano.
c) ¿Qué es eso de las funciones de Félix Bloch?.

Discútase (cientı́ficamente) si los siguientes afirmaciones son correcta o

no:

Dos funciones Bloch que difieran en un vector de red recı́proca son

iguales.
Dos estados propios del hamiltoniano monoelectrónico de un cris-
tal que difieran en un vector de red recı́proca son funciones de
Bloch y son iguales.

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2. Explicar qué significan los siguientes conceptos:
A) Temperatura de degeneración TD . B) Temperatura de Debye θD . C)
Temperatura de Einstein θE .
Explicar y justificar las aproximaciones de Debye y de Einstein ası́ como
la expresión de la densidad de estados de phonones en cada caso.
De acuerdo con las respuestas dadas en relación con dichos conceptos,
dar las expresiones de las densidades de portadores (para los cuales
la densidad de estados g(ω) es conocida) y de fonones (acústicos y
ópticos), justificando las aproximaciones que se pueden realizar para
las siguientes condiciones:

a) Para una temperatura T menor que la temperatura de degenera-

ción, mayor que la temperatura de Debye y menor que la tempe-
ratura de Einstein.
b) Para una temperatura T mayor que la temperatura de degenera-
ción, mayor que la temperatura de Debye y mayor que la tempe-
ratura de Einstein.

2
3. Consideremos un semiconductor, que modelizamos por una banda de
valencia, una banda de conducción y una banda prohibida (Eg = Ec −
Ev ), siendo Ec y Ev el mı́nimo y máximo en la banda de conducción
y en la banda de valencia, respectivamente.
Justificar por qué en el cálculo de las propiedades electrónicas (densi-
dad de portadores, energı́a, corriente ...) en el semiconductor se puede
suponer que cada electrón en banda de valencia o de conducción tiene
una energı́a cuya dependencia en con el vector de onda ~k es cuadrática:
3
X
E(~k) = A(~ko ) + A · (kj − koj ) · (ki − koi )
i,j=1

siendo ~ko el vector correspondiente al extremal en la banda de valencia

o conducción.

Explicar cómo se obtienen y diferenciar los siguientes conceptos

masa efectiva, masa longitudinal/tranversal, masa de densidad de
estados.
Justificar qué aproximaciones se pueden hacer en la estadı́stica de
electrones y de huecos.
Se impurifica el semiconductor con una densidad ND de impurezas
donoras de tipo hidrogenoide (isoelectrónica con el semiconductor)
Justificar la posición del nivel de Fermi a T = 0 K y cómo se calcula
a T6= 0 K ¿Qué es eso de la temperatura de impurificación Ti ?