Capítulo

Cap tu o 11::
Osciladores de microondas

Definición: Es un sistema electrónico que genera una señal de RF sin

necesidad de qquee eexista
ista una
na eexcitación
citación alterna a la entrada.
entrada
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Tema 11: Osciladores en microondas
Microondas-11- 1
 ÍNDICE

• Índice.
• I t d ió definición
Introducción: d fi i ió de
d osciladores.
il d
• Principios generales del diseño de osciladores.
• Osciladores de un p
puerto de resistencia negativa.
g
– Condiciones de estabilidad de las oscilaciones.
• Osciladores de dos puertos.
– Condiciones de diseño de osciladores basados en transistores.
– Osciladores basados en resonadores dieléctricos.
• Co c us o es.
Conclusiones.

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Microondas-11- 2
 INTRODUCCIÓN: DEFINICIÓN DE OSCILADORES

• Definición: es un sistema electrónico que genera una señal periódica en su salida

sin necesidad de aplicar una señal alterna a la entrada.
entrada
• Idealmente un oscilador generará una corriente de la siguiente forma:
i (t ) = A ⋅ cos(ω0 ⋅ t ) = A ⋅ cos(2π ⋅ f 0 ⋅ t )
• En la práctica tanto la amplitud A como la frecuencia f0 fluctúan alrededor de
sus valores medios.
– U
Una fl
fluctuación
t ió ruidosa
id en la
l amplitud
lit d que generalmente
l t tiene
ti una potencia
t i
pequeña.
– Una segunda fluctuación denominada ruido de fase.
– Los criterios para hacer el diseño del oscilador serán:
• Fijar los niveles de A y f0
• Minimización del ruido de fase.
• En las circunstancias anteriores, ajustar la frecuencia de oscilación.

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Microondas-11- 3
 INTRODUCCIÓN: DEFINICIÓN DE OSCILADORES (II)

• Fundamentos:
– La señal alterna de salida se obtiene a ppartir de la energía
g continua de ppolarización
del dispositivo.
– Podría definirse el oscilador como: un circuito que transforma la energía continua en
energía
g alterna.
– La señal alterna se puede estudiar en el dominio del tiempo o de la frecuencia.
• Componentes:
– U
Un elemento
l de
d resistencia
i i negativa,
i típicamente
í i un dispositivo
di i i activo
i que puede
d ser
un diodo o un transistor.
– Una estructura resonante pasiva que fuerza una oscilación sinusoidal.
– Una estructura de acoplamiento entre las dos anteriores.
• Elementos activos utilizados: Alimentación DC
– Dispositivos de dos terminales:
RF
• Diodo GUNN: ruido de fase pequeño.
• Diodo IMPATT: potencia de salida alta y buena eficiencia.
OSCILADOR
– Dispositivos de tres terminales: BJT y FET.
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CLASIFICACIÓN DE OSCILADORES

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PARÁMETROS CARACTERÍSTICOS DE UN
OSCILADOR

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PROPIEDADES DE LOS RESONADORES TÍPICOS

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Microondas-11- 7
 PRINCIPIOS BÁSICOS DEL DISEÑO DE
OSCILADORES
• Principio: se parte de la aproximación de la teoría clásica de control con puertos
de entrada y salida
salida. Posteriormente se pasará a dispositivos de un puerto (mejor
aproximación en frecuencias de microondas ya que en ocasiones la
realimentación se puede hacer dentro del mismo elemento activo).
• Valores en la expresión anterior:
– A: ganancia del elemento activo.
– L(s): función de transferencia del limitador de salida del amplificador (en numerosos
modelos suele omitirse)
– H(s) función de realimentación.
H(s)

Vi (s) Vo (s)
+ A L(s)

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Microondas-11- 8
 PRINCIPIOS BÁSICOS DEL DISEÑO DE
OSCILADORES

V0 (s ) = A ⋅ L(s ) ⋅ [Vi (s ) + H (s ) ⋅ V0 (s )] V0 (s ) A
V0 (s ) A ⋅ L (s )
=
= sin limitador Vi (s ) 1 − A ⋅ H (s )
Vi (s ) 1 − A ⋅ L(s ) ⋅ H (s )
Los polos del sistema están dados por:

1 − A ⋅ L(s ) ⋅ H (s ) = 0
Para la condición de régimen estacionario, los polos están
en el eje imaginario y la condición de oscilación viene dada
por la condición de Barkhausen:

⎧Re[A ⋅ L( jω0 ) ⋅ H ( jω0 )] = 1

⎨
⎩Im[A ⋅ L( jω0 ) ⋅ H ( jω0 )] = 0
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 OSCILADORES DE UN PUERTO DE RESISTENCIA
NEGATIVA

Esquema circuital • Un oscilador puede considerarse como un

dispositivo de un puerto de “resistencia
resistencia
negativa”.
Xin(I,w) • Entran en juego dos impedancias:
XL(w) – Impedancia
I d i deld l dispositivo
di iti

Z in (I , ω ) = Rin (I , ω ) + jX in (I , ω )
RL Rin((I,w))
• D Depende
d dde lla corriente
i y en menor
medida de la frecuencia.
– Impedancia de carga del circuito a la que
se transfiere la energía de la oscilación:
Define la capacidad de oscilación
Z L (ω ) = RL + jX L (ω )
⎧ RL (ω ) + Rin (I , ω ) = 0
• Depende de la frecuencia de sintonía
[Z L (ω ) + Z in (I , ω )]⋅ I = 0 ⇒ ⎨ • Condición de oscilación: I≠0 en la
⎩ X L (ω ) + X in (I , ω ) = 0 frecuencia de microondas en ausencia de
Define la frecuencia de oscilación señal de microondas
microondas.
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Microondas-11- 10
 OSCILADORES DE UN PUERTO DE RESISTENCIA
NEGATIVA

• Segunda forma de definir la condición de oscilación:

Z L − Z 0 − Z in − Z 0 Z in + Z 0 1
ΓL = = = = ⇒
Z L + Z 0 − Z in + Z 0 Z in − Z 0 Γin
⎧ ΓL ⋅ Γin = 1
⇒ ΓL ⋅ Γin = 1 ⇒ ⎨
⎩arg(ΓL ) + arg(Γin ) = 2nπ
• Condición de arranque: globalmente la resistencia total debe satisfacer

RT (I , ω ) = RL + Rin (I , ω ) < 0
– La Rin tiene que ser menos negativa hasta alcanzar I0 (amplitud de oscilación) a la
frecuencia w0.
– A las condiciones anteriores hay que añadir una condición de estabilidad de la
oscilación.

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Microondas-11- 11
 OSCILADORES DE UN PUERTO DE RESISTENCIA
NEGATIVA

• Consideraciones finales sobre la

condición
di ió de
d oscilación:
il ió Incrementos iguales de frecuencia
– La dependencia de Zin(I,w) con w es ZL(w)
pequeña por lo que pondremos Zin(I)
– Se
S van a representar
t gráficamente
áfi t las
l dos
d
curvas: Zin(I) y ZL(w)
• Interpretación de la curva:
– Para una corriente I dada el valor de -Zin(I)
–Zin(I) indica el punto de trabajo.
– En régimen permanente el punto de Incrementos iguales
g de I
intersección de ambas curvas indica
el punto de trabajo o punto de la
oscilación (I0, w0)

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Microondas-11- 12
 CONDICIONES DE ESTABILIDAD DE LA OSCILACIÓN
DE UN OSCILADOR (I)
()

• Definición:
D fi i ió se di
dice que una oscilación
il ió es estable
bl cuandod cualquier
l i variación
i ió que
se produzca en los parámetros de la oscilación (I,w), los efectos en dichos
parámetros deberán compensarse de forma que no haya desplazamientos en el
valor de la oscilación (I0 ,w0).
• Cuantificación del parámetro de estabilidad de la oscilación:
– Desarrollo de ZT (I,w)
(I w) en serie de Taylor y extracción de condiciones.
condiciones
– A partir de la representación de las curvas del elemento activo y de la carga.

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Microondas-11- 13
 CONDICIONES DE ESTABILIDAD DE LA OSCILACIÓN
DE UN OSCILADOR (II)
( )
• Desarrollo de la primera de las condiciones:
– Definición: Si una oscilación es estable,, una variación de ((I,w)
, ) en un sentido debe
conducir a un incremento de los parámetros en sentido contrario que compense la
variación anterior.
– Definición de la frecuencia compleja
p j en el plano
p de Laplace:
p
Z T (I , s ) = Z L (s ) + Z in (I , s ) = 0
– Se hace un desarrollo en serie de Taylor alrededor de (I0 ,s0)
∂Z ∂Z
Z T ( I , s ) = Z T ( I 0 , s0 ) + T ⋅ δs + T ⋅ δI = 0
∂s I 0 , s0 ∂I I 0 , s0
∂Z T ∂Z
= − j T ; s0 = j ω 0 ; Z T ( I 0 , s 0 ) = 0
∂s ∂ω
– Veamos qué ocurre si hay una variación en la frecuencia compleja
∂Z T ⎛ ∂Z T ⎞ ⎛ ∂Z T* ⎞
− − j ⋅⎜ ⎟ ⋅ ⎜⎜ ⎟⎟
∂I I 0 , s0 ⎝ ∂I ⎠ ⎝ ∂ω ⎠ ⋅ δI
δs = δα + j ⋅ δβ = ⋅ δI =
∂Z T ∂Z T
2

∂s I 0 , s0 ∂ω
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Microondas-11- 14
 CONDICIONES DE ESTABILIDAD DE LA OSCILACIÓN
DE UN OSCILADOR (III)
( )

Si la variación es tal que δI>0, la compensación de dicha variación deberá hacer δα<0

I ⎧ ∂Z T ∂Z T* ⎫ ∂RT ∂X T ∂X T ∂RT
⇒ Im⎨ ⋅ ⎬<0⇒ ⋅ − ⋅ >0
RL ⎩ ∂I ∂ω ⎭ ∂I ∂ω ∂I ∂ω
∂R ∂X L ∂RL
pero : L = = =0
∂I ∂I ∂ω
Rin ∂Rin ∂ ( X L + X in ) ∂X in ∂ (Rin )
⋅ − ⋅ >0
∂I ∂ω ∂I ∂ω

Termino positivo Termino positivo pero pequeño

∂ ( X L + X in ) L ⋅ω
>> 0 ⇒ ↑↑⇒ Q ↑↑
∂ω R

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 CONDICIONES DE ESTABILIDAD DE LA OSCILACIÓN
DE UN OSCILADOR (IV)
( )
• Desarrollo de la segunda de las condiciones:
– Definición: supongamos
p g qque la corriente,, I,, sufre un incremento δI sobre el valor de
régimen permanente. Si δI disminuye con el tiempo, el punto de intersección entre las
curvas de impedancia del elemento y del circuito será estable. Recíprocamente si δI
aumenta con el tiempo, el punto será inestable.
– La figura muestra las curvas de las impedancias con los ángulos Ψ de ZL(w) y θ de –Zin(I)
ZL(w)

Ψ
-Zin(I)
θ
I0, w0

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 CONDICIONES DE ESTABILIDAD DE LA OSCILACIÓN
DE UN OSCILADOR (V)
( )
• Para que una oscilación sea estable en un punto (I0, w0) se tiene que verificar:
∂Z (I )
I 0 ⋅ in 0 ⋅ Z 'T (ω0 ) sin
i (θ + Ψ ) > 0
∂I
• Esto supone que el seno tiene que ser positivo y el ángulo 0º<(θ+Ψ)<180º
• Teorema: Para que un punto de trabajo sea estable, el ángulo medido en sentido
horario entre la dirección marcada por la flecha de la curva de impedancia del
elemento y la marcada por
p la flecha de la curva de impedancia
p del circuito,,
debe ser menor de 180º.
ZL(w)

Ψ
-Zin((I))
θ
I0, w0

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Microondas-11- 17
 CONDICIONES DE OSCILACIÓN PARA REDES
DE N PUERTAS (I)
• Ecuaciones de la red activa: B=[S]A
• Ecuaciones de la red pasiva de sintonía: B
B’=[S’]A
[S ]A
• Si se ven las redes se puede poner: B’=A; B=A’
• Si se ponen todas las ecuaciones en función de A’ que es la excitación de la red
pasiva: A’= [S][S’]A’ ó ([S][S’]-[I])A’=0
• Dado que A’≠0, para que el sistema anterior tenga solución es necesario que
det([S][S ] [I]) det(M) 0.
det([S][S’]-[I])=det(M)=0
a1 a’1
b1 b’1

ai a’i Red pasiva de

Red activa de
bi b’i sintonía
N puertos
N puertos
aN a’N
bN bb’N

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Microondas-11- 18
 CONDICIONES DE OSCILACIÓN PARA REDES DE N
PUERTAS (II): particularización para redes de 2 puertas
• La matriz S de la red activa y de la red pasiva vienen dadas por:
⎡ s11 s12 ⎤ ⎡ΓL 0 ⎤ ⎡ s11 ⋅ ΓL − 1 s12 ⋅ ΓT ⎤
S=⎢ ⎥; S ' = ⎢ 0 Γ ⎥ ⇒ det
d ⎢ ⎥=0
⎣ 21 22 ⎦
s s ⎣ T⎦ ⎣ 21 L
s ⋅ Γ s 22 ⋅ ΓT − 1⎦
• De donde se obtienen las dos ecuaciones siguientes (que se satisfacen a la vez):
1 s ⋅s ⋅Γ 1 s ⋅ s ⋅Γ
= s11 + 12 21 T ⇒ ΓL ⋅ Γin = 1; = s22 + 12 21 L ⇒ ΓT ⋅ Γout = 1
ΓL 1 − s22 ⋅ ΓT ΓT 1 − s11 ⋅ ΓL

ZL ZT
Red de a1 Transistor a2 Red de
carga,
ΓL Γin [S] Γout ΓT terminación
sintonía
b1 Zout b2
Zin
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Tema 11: Osciladores en microondas
Microondas-11- 19
 OSCILADORES A TRANSISTOR: CONFIGURACIONES

• Los osciladores se pueden clasificar atendiendo al tipo de resonador al que se

conectan: basados en resonador dieléctrico (DROs),
(DROs) osciladores con resonadores
con líneas de transmisión, osciladores sintonizados con YIG, VCOs y
osciladores con filtros SAW.
• Tipos de osciladores:
– Configuración serie como se muestra en la figura de la izquierda.
– Configuración paralelo como se muestra en la figura de la derecha.
derecha

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Microondas-11- 20
 DESCRIPCIÓN DE UN TRANSISTOR COMO
RED DE TRES PUERTOS
• Un transistor es una red de tres puertos aunque los fabricantes, en pequeña señal,
dan parámetros de dos puertos para una configuración en emisor común.
• Los parámetros dados por el fabricante no suelen ser válidos para el diseño de un
oscilador. Esto es así porque la configuración no suele ser de emisor común o hay
elementos reactivos conectados para aumentar el carácter inestable,
inestable hay que
transformar los parámetros.
• El proceso para la obtención de los parámetros S en la configuración dada es:
– Transformación de los parámetros de dos puertos en configuración de emisor común a
una matriz de parámetros de tres puertos.
– Transformación de la matriz de tres puertos a una nueva matriz de dos puertos
– La matriz de tres puertos tiene las siguientes propiedades:
• El terminal 1 es la base (puerta), el 2 el colector (drenador) y el 3 el emisor (surtidor)
• En la matriz de 3 puertos todos 3los elementos no son independientes ya que la suma
de las filas y columnas es 1. ∑ sˆij = 1; j = 1,2,3
i =1
3

∑ sˆ
j =1
ij = 1; i = 1,2,3
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Tema 11: Osciladores en microondas
Microondas-11- 21
 DESCRIPCIÓN DE UN TRANSISTOR COMO
RED DE TRES PUERTOS
• Matriz de tres puertos • Parámetros de la expresión anterior:
⎡ b1 ⎤ ⎡ sˆ11 sˆ12 sˆ13 ⎤ ⎡ a1 ⎤ ⎡ a1 ⎤ σ = s11 + s12 + s21 + s22
⎢b ⎥ = ⎢ sˆ ⎥ ⋅ ⎢a ⎥ = [S ] ⋅ ⎢a ⎥ σ 11 = 1 − s11 − s12
sˆ sˆ
⎢ 2 ⎥ ⎢ 21 22 23 ⎥ ⎢ 2 ⎥ 3×3 ⎢ 2 ⎥ σ 12 = 1 − s11 − s21
σ 22 = 1 − s22 − s21
⎢⎣b3 ⎦⎥ ⎣⎢ sˆ31 sˆ32 sˆ33 ⎦⎥ ⎣⎢ a3 ⎦⎥ ⎣⎢ a3 ⎥⎦ σ 21 = 1 − s22 − s12
• Dependencia entre los parámetros [S ]3×3 • Transformar en la nueva red de dos
3 3 puertas (supongamos que se conecta
∑ sˆ ij = 1; j = 1,2,3 ⇒ ∑ sˆij = 1; i = 1,2,3
una carga de coeficiente Γ al emisor)
i =1 j =1
sˆ ⋅ sˆ sˆ ⋅ sˆ
s11 = sˆ11 − 13 31−1 s12 = sˆ12 − 13 32−1
• Expresiones de los parámetros [S ]3×3en sˆ33 − Γ sˆ33 − Γ
función de los dados sˆ23 ⋅ sˆ31 sˆ23 ⋅ sˆ32
s21 = s21 −
ˆ −1
s22 = s22 −
ˆ −1
σ 11 ⋅ σ 12 σ 11 ⋅ σ 21 2σ 11 ˆ
s 33 − Γ ˆ
s 33 − Γ
sˆ11 = s11 + sˆ12 = s12 + sˆ13 =
4 −σ 4 −σ 4 −σ
σ ⋅σ σ ⋅σ 2σ 22
sˆ21 = s21 + 22 12 sˆ22 = s22 + 22 21 sˆ23 =
4 −σ 4 −σ 4 −σ
2σ 12 2σ 21 σ
sˆ31 = sˆ32 = sˆ33 =
4 −σ 4 −σ 4 −σ
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Tema 11: Osciladores en microondas
Microondas-11- 22
 OSCILADORES A TRANSISTOR

• Se llega a un dispositivo equivalente de un puerto una vez que se carga un

transistor en configuración
g INESTABLE por p una cargag (en
( dicha región).
g )
• Se buscan configuraciones de transistor con gran inestabilidad, típicamente puerta
común o surtidor común (cargado por elementos reactivos). El proceso es:
– S
Selección
l ió de d la
l carga inestable
i t bl en ell plano
l ΓT.
– Adaptar la carga ZL a Zin. Como se han utilizado parámetros de pequeña señal resulta:
Rin
RL = − ; X L = − X in
3 Dispositivo equivalente de un puerto
ZL ZT
Red de a1 a2
Transistor Red de
carga,
ΓL Γin [S] Γout ΓT terminación
sintonía
i t í
b1 Zout b2
Zin
i
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Tema 11: Osciladores en microondas
Microondas-11- 23
 OSCILADOR A TRANSISTOR: ejemplo, Pozar 11.9

• Se quiere diseñar un oscilador a 4 GHz

en una configuración en puerta común
con una inductancia en serie de 5 nH
para aumentar la inestabilidad. Defina
ell oscilador
il d sabiendo
bi d la l matrizi S. S
Solución
• Datos: matriz S en puerta común
⎡0.72 −116 º 0.0357 º ⎤
S=⎢ ⎥
⎣ 2.60 76 º 0.73 −54 º ⎦

• Matriz S con inductancia a partir de la

transformación de 2 a 3 terminales y
luego a la nueva red de 2 (transistor
más bobina)
⎡2.18−35 º 1.2618 º ⎤
S=⎢ ⎥
⎣ 2. 75 96 º 0 .52155 º ⎦

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Tema 11: Osciladores en microondas
Microondas-11- 24
 OSCILADOR A TRANSISTOR: ejemplo, Pozar 11.9

Solución, continuación.
• Obtención
Ob ió dde lla circunferencia
i f i de
d
estabilidad en el plano ΓT

CT =
(s' 22 − Δ '⋅s '11
*
) *

= 1.0833º RT =
s'12 ⋅ss'21
= 0.665
2 2 2 2
s '22 − Δ ' s'22 − Δ'

• Se elige un ΓT que haga | Γin| >>1

ΓT = 0.59 −104 º ⇒ Z T = 20 − j 35
• Se calcula Γin y después la carga ZL
s '12 ⋅s '21 ⋅ΓT
Γin = s '11 + = 3.96 − 2.4 º
1 − s '22 ⋅ΓT
Rin
ZL = − − jX in = 28 + j1.9
3

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Tema 11: Osciladores en microondas
Microondas-11- 25
 OSCILADORES CON RESONADOR
DIELÉCTRICO (DROs) (I)
• Como se demostró anteriormente la estabilidad del oscilador depende del alto
factor de calidad del resonador asociado.
– En el caso de elementos concentrados o líneas de transmisión dicho factor es bajo.
– Aumenta cuando se utilizan cavidades, pero son difíciles de integrar.
– Las cavidades dieléctricas supera las dificultades anteriores ya que tienen factores de
calidad de hasta varios miles y son fáciles de integrar.
• Un resonador dieléctrico se acopla por proximidad a una línea microstrip.
– Se acopla al campo magnético desbordado en la línea microstrip.
– Por ello, el circuito equivalente del acoplamiento es serie.
– El acoplamiento
p depende
p de la separación
p entre el DR y la línea.

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Tema 11: Osciladores en microondas
Microondas-11- 26
 OSCILADORES CON RESONADOR
DIELÉCTRICO (DROs) (II)
• Impedancia de un resonador serie
N ⋅R
2
R 1
Z ini = ;Q = ; ωo = ; Δω = ω − ωo
1 + j ⋅ 2Q⎛⎜ Δω ⎞⎟ ωo ⋅ L LC
⎝ ωo ⎠
• Definición del factor de acoplamiento entre el resonador y2 la línea de
alimentación del oscilador Q R (ωo L ) N R
s= = = ; RL = 2 Z 0 ;
Qext RL (N ωo L ) 2 Z 0
2

El coeficiente de reflexión vale Γ =

(Z0 + N 2 R)− Z0 N 2R s
•
(Z 0 + N 2 R ) + Z 0 = 2Z 0 + N 2 R = 1 + s
• Ejemplo de DRO basado en configuración paralela y serie

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Tema 11: Osciladores en microondas
Microondas-11- 27
 CONCLUSIONES

• Se ha abordado el diseño de osciladores en microondas

• Se ha comenzado con los principios básicos de oscilación basados en un
dispositivo de “resistencia
resistencia negativa
negativa” de un solo puerto
puerto.
• Se han enunciado las condiciones básicas para una oscilación estable.
• Se ha ggeneralizado para
p osciladores basados en redes de dos puertos.
p

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Tema 11: Osciladores en microondas
Microondas-11- 28
 BIBLIOGRAFÍA

• R. E. Collin, “Foundations for microwave engineering”, segunda edición, 1992,

Wiley.
Wiley
• D. M. Pozar, “Microwave engineering”, tercera edición, 2007, Wiley.
• G. González, “Microwave transistor amplifiers, analysis and design”, segunda
edición, Prentice Hall, 1984.
• I. Bahl, P. Bhartia, “Microwave solid state circuit design”, Segunda Edición,
Wiley 2003.
Wiley, 2003
• A. Delgado, J. Zapata, “Circuitos de alta frecuencia”, ETSIT Universidad
Politécnica de Madrid.

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Tema 11: Osciladores en microondas
Microondas-11- 29