Electrónica Análoga I

2017-I
Facultad de Ingeniería
Departamento de Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Guía de laboratorio No. 2:

DIODOS: CARACTERÍSTICAS Y APLICACIONES

En esta guía se realiza un primer acercamiento a los dispositivos semiconductores mediante el estudio del compor-
tamiento de diferentes referencias de diodos ante escenarios de variación de frecuencia y temperatura.
Duración: Una semana

1. Objetivos
1.1. Objetivo general
Determinar las características básicas de los diodos semiconductores como la relación tensión-corriente, los tiempos
de recuperación inversa y sus aplicaciones.

1.2. Objetivos específicos

Obtener experimentalmente la curva característica del diodo en polarización directa.
Determinar los parámetros del diodo asociados a su curva característica.
Visualizar los tiempos de respuesta de diferentes tipos de diodos.
Comprender el funcionamiento del fotodiodo mediante un circuito propuesto.

2. Instrumentos requeridos
Generador de señales.
Osciloscopio de doble traza.

2 Multímetros.
Dos sondas.
Fuente Dual.
Diodos 1N4004, 1N4148, leds y fotodiodo.

Cautín
Termocupla

3. Desarrollo de la práctica
A lo largo de esta guía se describen las actividades sugeridas para realizar previo al día de la práctica y durante
su ejecución. Una lectura completa de la guía le permitirá estimar el tiempo total y los recursos necesarios para
desarrollarla completamente

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3.1. Previo al día de la práctica

Consulte las hojas de datos de los diodos 1N4004 y 1N4148 y verifique los valores de referencia de tensión y tem-
peratura, las curvas características de Id vs Vd , etc.

Investigue y agregue en la bitácora el funcionamiento de un fotodiodo.

Para el desarrollo de la práctica tenga en cuenta los siguientes conceptos:

En la clase teórica se establecieron los principios necesarios para la compresión del funcionamiento de la unión
P-N, también se explicó la ecuación aproximada 1, mediante la cual se describe el comportamiento estático del
diodo como función de variables físicas y constructivas del mismo.
Vd
I = Is (e ηVT ) (1)

En donde Is es la corriente inversa de saturación, η es un parámetro constante llamado coeficiente de emisión y

siempre está en entre 1 y 2, VT es el llamado voltaje térmico y es igual a KT /q, en donde K es la constante de
Boltzman (1,3810−23 J/K), T es la temperatura en grados Kelvin, y q es la carga del electrón (1,6 ∗ 10−19 C).
El tiempo de recuperación inversa (trr ) es el tiempo que tarda el diodo en recuperar su función de corte después
de haber estado en conducción, es decir, es el tiempo que tarda la señal en rectificarse tras el cruce por cero en
el flanco negativo de la señal de entrada.

Tiempo de almacenamiento (ts ): Es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la corriente hasta llegar
al pico negativo.
Tiempo de caída (tf ): Es el tiempo transcurrido desde el momento en que la corriente empieza a tender a cero,
hasta el momento en que esta se anula totalmente. En la práctica se suele considerar hasta el instante en que la
corriente alcanza 10 % IR (Corriente inversa).
El tiempo de recuperación inversa (trr ): Es la suma de ts y tf . Los tiempos anteriormente descritos son ilustrados
en la figura 1.

Figura 1: Visualización del tiempo de recuperación de un diodo.

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3.1.1. Cálculos
Para el circuito de la Figura 2, calcule R1 para que la corriente ID = Imax = 50mA.

3.1.2. Simulación
Simule el circuito mostrado en la Figura 2 con cada uno de los diodos solicitados (1N4004 y 1N4148). Varíe la
fuente de tensión DC entre 0 y 25 V realizando incrementos en la corriente de 5 mA aproximadamente. A partir
de los resultados obtenidos construya la curva característica Id vs Vd .
Simule el circuito de la Figura 3 con cada uno de los diodos solicitados (1N4004 y 1N4148) y obtenga el tiempo
de recuperación inversa, es decir el tiempo que tarda la corriente en tender a 0 A cuando el diodo se polariza en
inverso. Compare los resultados con las hojas de datos.

3.1.3. Montajes
Implemente los circuitos de las Figuras 2, 3 y 4 en protoboard.

Figura 2: Circuito para caracterización del diodo

Figura 3: Circuito para visualización del tiempo de recuperación inversa

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Figura 4: Circuito para caracterización del fotodiodo

3.2. El día de la práctica

Cada sesión de la práctica tiene una duración de 90 minutos, por lo que se recomienda seguir el procedimiento en
los tiempos sugeridos para garantizar la realización completa de la práctica.

3.2.1. Procedimiento
Variando lentamente, desde 0V, la tensión de la fuente DC en el circuito de la figura 2, obtenga un buen número
de parejas de valores (Vd ,Id ) hasta llegar a I = Imax (corriente máxima dada por el diseño inicial, recuerde que
este valor debe ser menor a 50 mA). Por ejemplo, una forma de hacerlo es haciendo incrementos de 5 mA.
Grafique los datos adquiridos en un papel milimetrado de Id (eje y) contra Vd (eje x).
Obtenga de manera aproximada a partir de las curvas trazadas con los datos (ver figura 5): La tensión polarización
umbral directa y la resistencia dinámica del diodo. Compare los resultados con los valores consignados por el
fabricante en la hoja de datos.
Realice un gráfico en escala semi-logarítmica ubicando la corriente en el eje logarítmico y la tensión en el eje
decimal. Teniendo en cuenta que el resultado será una curva con comportamiento lineal, obtenga los parámetros
de la ecuación y = K ∗ x + Y0 de dicha curva. Se dará cuenta que con la gráfica será fácil obtener los valores Y0
y K y por lo tanto, calcular los parámetros Is y η presentes en la ecuación característica.
Acerque el cautín al diodo 1N4004 y observe su comportamiento ante variaciones de temperatura. Repita el
procedimiento descrito anteriormente manteniendo, en lo posible, constante la distancia entre el diodo y el
cautín.
Tiempo dispuesto para el procedimiento: 50 minutos
Utilice el circuito mostrado en la Figura 3 para visualizar el tiempo de recuperación inversa de cada uno de los
diodos. Varíe la frecuencia de la señal de alimentación y verifique el comportamiento de cada diodo en bajas y
altas frecuencias.
Utilice el circuito mostrado en la Figura 4 para encontrar una relación entre la tensión del fotodiodo y la distancia
entre el componente emisor y el componente receptor. Determine la distancia mínima en la cual el fotodiodo se
encuentra activo.
Tiempo dispuesto para el procedimiento: 40 minutos

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Figura 5: Curva característica del diodo en polarización directa (azul), recta de carga y punto de polarización para el
cálculo de resistencia dinámica.

4. Preguntas sugeridas
En el circuito de la Figura 2, ¿qué ocurre con la resistencia cuando circula la corriente máxima (con la fuente
en 25 V)?
¿Cuáles son las consecuencias de cambiar de polaridad la fuente que alimenta el circuito de la Figura 2?
¿Por qué es necesario alimentar el circuito de la Figura 3 con una señal cuadrada?

¿Qué pasa con los tiempos de recuperación inversa si se varía la resistencia R1 ?

¿Los resultados obtenidos concuerdan con los valores suministrados por el fabricante?
¿Qué cambio obtuvo al variar la temperatura en la primera parte de la práctica? ¿Este cambio era predecible?
Justifique su respuesta.

5. Evaluación
Se evaluará el trabajo realizado durante la práctica y previo a ésta de acuerdo con los criterios que defina el docente.

Referencias
Para el desarrollo de este práctica se sugiere consultar:

Manuales y Hojas de Datos de los equipos de laboratorio.

A. S. Sedra y K. C. Smith, Microelectronic Circuits Revised Edition, 5ta ed, Oxford University Press, Inc., 2007.

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D. Neamen, Microelectronics: Circuit Analysis and Design, 4ta ed, McGraw-Hill Higher Education, 2009.
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Circuit Lab - Simulador online de circuitos www.circuitlab.com

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