TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO (MOSFET)

1. INTRODUCCIÓN.
A los transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente como FET (Field
Effect Transistor) y entre ellos podemos distinguir dos grandes tipos:

 Transistor de Efecto de Campo de Unión: JFET (Junction Field Effect Transistor)

 Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido - Semiconductor: MOSFET (Metal

Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

Vamos a comenzar el estudio de este tipo de transistores viendo algunas de las

principales analogías y diferencias existentes entre los transistores FET y los BJT.
En primer lugar, la principal diferencia entre ambos radica en el hecho de que el
transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que los transistores
FET son dispositivos controlados por tensión. En ambos casos, la corriente del circuito
de salida es controlada por un parámetro del circuito de entrada, en un caso el nivel de
corriente y en el otro el nivel de tensión aplicada.
En los transistores FET se crea un campo eléctrico que controla la anchura del camino
de conducción del circuito de salida sin que exista contacto directo entre la magnitud
controlada (corriente) y la magnitud controladora (tensión).
Una diferencia importante entre ambos tipos de transistores consiste en que mientras
que los transistores BJT son bipolares, es decir, en la corriente intervienen los dos tipos
de portadores (electrones y huecos), los transistores FET son unipolares, en los que el
nivel de conducción dependerá únicamente de un único tipo de portadores: de los
electrones en los de canal n y de los huecos en los de canal p.
Una de las características más importantes de los FETs es su alta impedancia de
entrada con niveles que pueden varias desde uno hasta varios cientos de megaóhmios,
muy superiores a la que presentan los transistores bipolares que presentan impedancias
de entrada del orden de unos pocos kiloóhmios. Esto proporciona a los FET una posición
de ventaja a la hora de ser utilizados en circuitos amplificadores.
Sin embargo, el transistor BJT presenta mayor sensibilidad a los cambios en la señal
aplicada, es decir, la variación de la corriente de salida es mayor en los BJT que en los
FET para la misma variación de la tensión aplicada. Por ello, típicamente, las ganancias
de tensión en alterna que presentan los amplificadores con BJT son mucho mayores
que las correspondientes a los FET.
En general los FET son más estables con la temperatura y, normalmente, más pequeños
en construcción que los BJT, lo que les hace particularmente útiles en circuitos
integrados (sobre todo los MOSFET).
Una característica importante de los FET es que se pueden comportar como si se
tratasen de resistencias o condensadores, lo que posibilita la realización de circuitos
utilizando única y exclusivamente transistores FET.
2. DESCRIPCIÓN
MOSFET
La palabra MOS significa "Metal Oxido Semiconductor", y hace referencia a un tipo de
estructura muy usada en electrónica, donde se usa un óxido como dieléctrico o aislante.
La palabra FET significa Transistor de efecto de campo, es decir transistores que
conducen por un campo eléctrico, parecido a un condensador.
Conclusión: un MOSFET es un transistor de efecto de campo por medio de un
semiconductor óxido que se usa como dieléctrico. De otra forma, es un transistor
(conduce o no conduce la corriente) en el que se utiliza un campo eléctrico para controlar
su conducción y que su dieléctrico es un metal de óxido.
Un sistema para procesar y almacenar información es a partir de interruptores eléctricos.
Un interruptor puede tener dos estados abierto o cerrado, cuando un interruptor está
abierto las cargas no pueden circular sin embargo cuando están cerradas pueden
circular.
Para almacenar grandes cantidades de información es necesario poder fabricar los
interruptores tan pequeños como sea posible. De manera que en un micro chip puedan
integrarse cientos o miles de ellos. Este interruptor minúsculo es el MOSFET

El sustrato de partida del que se fabrica el MOSFET es un material semiconductor; el

silicio, uno de los elementos más abundantes en la corteza terrestre. Las ventajas de
utilizar un material semiconductor son:
 La capacidad de modificar su capacidad de conducción mediante la adición
controlada de átomos de impurezas.
  La posibilidad de tener partículas con distinto signo de carga eléctrica en función
del tipo de impureza que se añada( electrones: carga negativa y huecos: carga
positiva)
 Posibilidad de obtener distintas regiones de impurezas en un mismo trozo de
silicio conductor de tamaño muy pequeño

Si fabricamos una estructura alternando los dos tipos de impurezas, aislamos regiones
con distintos tipos de carga eléctrica. Esta estructura presenta barreras entre las
distintas regiones que impiden que las cargas de un terminal alcancen al otro de esta
forma no se tendría corriente eléctrica.

El terminal de puerta consiste de un materia muy buen conductor de la corriente

eléctrica, separada del semiconductor separada mediante una delgada capa aislante.
Ventajas
 Los MOSFET al ser controlados por voltaje la corriente que consumen es muy
poca.
 Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una
impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del
orden de los nanos amperios.
 Debido a su composición es posible hacer transistores MOSFET tamaño muy
inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de medio nanómetro).
 Gran capacidad de integración y almacenamiento.
 La velocidad de conmutación es muy alta, siendo del orden de los
nanosegundos.
 3. Tipos y simbología de transistores Mosfet
Mosfet de enriquecimiento CANAL N
Se trata de una estructura MOS de cuatro terminales en la que el substrato
semiconductor es de tipo p poco dopado. A ambos lados de la interfase Oxido-
Semiconductor se han practicado difusiones de material n, fuertemente dopado (n+).

Simbología
Los símbolos más habituales utilizados para la representación en circuitos de los
MOSFET de enriquecimiento del canal N aparecen representados a continuación:
 Mosfet de enriquecimiento CANAL P
Responde a una estructura dual de la del MOS de canal N: intercambian la regiones
dopadas n por regiones dopadas p y viceversa. En este caso el canal se forma
gracias a la existencia de cargas positivas libres (huecos, p+). El funcionamiento es
similar. Es necesario colocar el substrato a la tensión más positiva, formándose el
canal para valores de vGB (vGS) negativo, atrayendo a cargas p+. La corriente de
drenador-fuente, ISD, se origina si vDS < 0.

Simbología:
Los símbolos más habituales utilizados para la representación en circuitos de los
MOSFET de enriquecimiento del canal P aparecen representados a continuación:

Mosfet de empobrecimiento o deplexión CANAL N

La estructura MOS es similar a la de enriquecimiento. No obstante, durante el proceso
de fabricación se ha añadido una implantación n + en la región del canal (definida por
W y L). Esta modificación permite incrementar el número de cargas negativas en el canal
(e- ). De este modo puede existir corriente entre el drenador y la fuente para valores de
vGS nulos e inclusive negativos (equivalentes a la existencias de tensiones umbrales
negativas).
Simbología:
Los símbolos más habituales utilizados para la representación en circuitos de los
MOSFET de empobrecimiento son los que aparecen representados en la figura

Mosfet de empobrecimiento o deplexión CANAL P

Es similar al MOS de canal N de empobrecimiento, pero complementario respecto de la
funcionalidad de las regiones N y P, así como del signo de las tensiones y sentido de
las intensidades
Simbología:
Los símbolos más habituales utilizados para la representación en circuitos de los
MOSFET de acumulación son los que aparecen representados en la figura

4. FUNCIONAMIENTO:

 PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO:
Un transistor de Mosfet presenta en su estructura 3 terminales. El Mosfet
conduce corriente eléctrica entre dos de sus terminales (Sumidero y Drenaje)
cuando aplicamos tensión en el otro terminal (Gate). Es un interruptor que se
activa por tensión. Recuerda que un transistor pnp o npn (basados en la
unión pn) hace lo mismo, pero la diferencia es que en los npn o pnp la
conducción se produce cuando le llega una pequeña corriente a la base, en el
mosfet es por tensión, se activa cuando ponemos a una tensión mínima en la
compuerta del transistor llamada Gate.
1) Efecto de campo producido por dos placas metálicas paralelas
conectados a una fuente de voltaje externa separado por un dieléctrico
(simulando que es aire) para evitar el corto circuito.

2) La placa superior se va a cargar con carga positiva y la inferior con

negativa produciendo líneas de campo eléctrico de positivas hacia
negativas.
 3) Aumentamos el voltaje y la densidad del campo eléctrico aumentará de
positivas a negativas.

Será igual si invertimos el sentido de la fuente la placa superior será negativa y la

inferior positiva y al aumentar el voltaje aumentará la densidad del campo eléctrico del
mismo.

4) En la parte superior al aplicar un voltaje positivo el metal se carga

positivamente, en la parte del semiconductor se presenta un Silicio Tipo
P quiere decir que los portadores mayoritarios son los huecos que se
encuentran a una temperatura térmica.

METAL
ÓXIDO

SEMICONDUCTOR

5) Al aumentar el voltaje aparece un región verde que recibe el nombre de

carga espacial, los huecos que estaban uniformemente comienzan a
hacer desplazados hacia la parte inferior dejando descubierto las
impurezas aceptoras que se representa con el signo ( – ).
 6) Al colocar el voltaje de 6 V ó más aparece una región de color naranja
llamada canal, en donde los electrones se desplazan a la parte superior
en dirección a la placa metálica y los huecos se desplazan para la parte
inferior.

7) Se cambió de un Silicio Tipo P a uno de Tipo N, eso nos permite

generar un canal de conducción de corriente en donde los electrones
son portadores mayoritarios que van a permitir un flujo de corriente en
la superficie del semiconductor.

 TRANSISTOR MOSFET EN UN CIRCUITO:

8) Se debe aprovechar el exceso de electrones para ello se genera por

elementos fisicoquímicos dos regiones “n” que están conectados a dos
terminales S y D con el objetivo de unirlas por el canal.

9) Al poner la tensión umbral (Vt) a 6 V ó más se creará un canal de

electrones y unirá las “n”. Colocando un voltaje externo Vds al
aumentarlo se creara un flujo de corriente que en este caso seria 1.28
mA.
 10) Si sigo aumentando el canal seguiremos enriqueciendo la corriente va en
aumento en este caso a 14 mA. Cuando es menos de 6 V no hay canal
ni corriente.

11) Si aumentamos el potencial de VDS a 4 V para arriba da como resultado

32 mA y ya no varía. Es decir ya no depende del voltaje externo si no del
voltaje de control (VGS).

 REGIONES DE OPERACIONES MOSFET:

 REGIÓN DE CORTE: El transistor se comporta como un elemento
resistivo no lineal controlado por tensión. Condición:
*VGS<VTH
* Intensidad ID=0

 REGIÓN LINEAL: Al polarizarse la puerta con una tensión mayor que la

tensión de umbral, se crea una región de agotamiento en la región que
separa la fuente y el drenador. Si esta tensión crece lo suficiente,
aparecerán portadores minoritarios (huecos en PMOS, electrones en
NMOS) en la región de agotamiento, que darán lugar a un canal de
conducción. Condiciones:
-VGS>VTH
 -VGD < VTH VGS < VTH+VDS
• Intensidad:

• Donde K es una constante que

depende del material y de las dimensiones del transistor
• me es la movilidad de los electrones, que depende del material y la
temperatura
• W, L son la anchura y la longitud del canal. Factores geométricos que
dependen del diseño del transistor.
• C'OX es la capacidad por unidad de superficie del condensador que
forman el metal de la puerta con el canal. Depende fuertemente del
espesor del óxido de puerta.
 REGIÓN SATURACIÓN: Cuando la tensión entre drenador y fuente
supera cierto límite, el canal de conducción bajo la puerta sufre un
estrangulamiento en las cercanías del drenador y desaparece. La
corriente que entra por el drenador y sale por la fuente no se interrumpe,
ya que es debida al campo eléctrico entre ambos, pero se hace
independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.
Condiciones:
-VGS > VTH
-VGD > VTH VGS > VTH+VDS

• Intensidad:

5. APLICACIONES DEL TRANSITOR DE EFECTO DE CAMPO MOSFET

El Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (Transitor Metal-Oxido-
Semiconductor de Efecto de Campo) o por sus siglas MOSFET usa un aislante
(normalmente SiO2).
La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS,
consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. Las
aplicaciones de MOSFET más comunes son:

 Inversor Lógico Digital CMOS o Inversor MOSFET  Es un interruptor cuya

función es la de cambiar en su salida el nivel del voltaje de su entrada entre los
definidos como lógico ALTO Y lógico BAJO.
 Compuerta Lógica Básica  Una compuerta lógica es un dispositivo electrónico
con una función booleana es decir que suman, multiplican, niegan o afirman,
incluyen o excluyen según sus propiedades lógicas. Las computadoras emplean
es sistema binario cuyos dígitos son el 0 y 1. Algunas compuertas son AND, OR,
NOT, NAND, NOR
  Celdas Básicas de memoria
Se basan en transistores MOSFET para lograr una alta densidad y las podemos
clasificar de la siguiente manera

Los microprocesadores y microcontroladores necesitan de algunos tipos de memoria

bien definidos:

 Memoria para el almacenamiento temporario de Datos comúnmente

llamada RAM “Random Access Memory”.
 Memoria para el almacenamiento permanente de Programas (firmware)
que han ido evolucionando con la tecnología desde las ROM “Read Only
Memory”, pasando por las PROM “Programmable ROM” & EPROM
“Erasable PROM”, para actualmente recurrir a las Flash.
 Memoria para el almacenamiento cuasi permanente de Parámetros de
Configuración del Programa comúnmente conocidas como EEPROM o
E2PROM “Electricaly EPROM”.
Transitor Bipolar  es un dispositivo electrónico de estado sólido que permite aumentar
la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través
de sus terminales.

Ventajas con respecto a transistores bipolares

La principal aplicación de los MOSFET está en los circuitos integrados PMOS, NMOS y
CMOS, debido a las siguientes ventajas de los transistores de efecto de campo con
respecto a los transistores bipolares:

 Consumo en modo estático muy bajo.

 Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).
 Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
 Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una
impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta se
expresa en nano amperios.
 Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, lo que
conlleva a un ahorro de superficie.
 La velocidad de conmutación es muy alta, siendo expresada en nanosegundos.
 Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta
frecuencias y baja potencia.