MARCO TEORICO

La fotorresistencia o LDR(Light-Dependent-Resistor) es un componente

fotosensible a la luz. A diferencia de la resistencia fija donde el valor
óhmico no varía, la fotorresistencia tiene la particularidad de variar su valor
óhmico en función de la luz que incide sobre ella, cuanto más luz recibe
más bajo es su valor óhmico y cuanto menos luz recibe más alto es su valor
óhmico.

El LDR es fabricado con materiales de estructura cristalina, y utiliza sus

propiedades fotoconductoras.
Los cristales utilizados más comunes son: sulfuro de cadmio y seleniuro de
cadmio.

Principales características de las fotorresistencias:

1.- Los valores típicos varían entre 1 MΩ, o más, en la oscuridad y 100 Ω
con luz brillante.
2.- Disipación máxima, (50 mW-1W).
3.- Voltaje máximo (600V).
4.- Respuesta Espectral.
5.- El tiempo de respuesta típico de un LDR está en el orden de una décima
de segundo.

Ventajas de las fotorresistencias:

1.- Alta sensibilidad (debido a la gran superficie que puede abarcar).

2.- Fácil empleo.
3.- Bajo costo.
4.- No hay potencial de unión.
5.- Alta relación resistencia luz-oscuridad.

Desventajas de las fotorresistencias:

1.- Respuesta espectral estrecha.

2.- Efecto de histéresis.
3.- Estabilidad por temperatura baja para los materiales más rápidos. La
variación del valor de la resistencia tiene cierto retardo, diferente si se pasa
de oscuro a iluminado o de iluminado a oscuro. Esto limita a no usar los
LDR en aplicaciones en las que la señal luminosa varía con rapidez.
4.- Respuesta lenta en materiales estables.
5.- Falta de linealidad entre resistencia e iluminación.
Comparador con amplificador
operacional: Ganancia en lazo abierto
Un Amplificador Operacional puede ser utilizado para determinar cual de
dos señales en sus entradas es mayor. (se utiliza como comparador). Basta
con que una de estas señales sea ligeramente mayor para que cause que la
salida del amplificador operacional sea máxima, ya sea positiva (+Vsat) o
negativa (-Vsat).

Esto se debe a que el operacional se utiliza en lazo abierto (tiene ganancia

máxima). La ganancia de un amplificador operacional es de 200,000 o más
y la fórmula de la señal de salida es: Vout = AOL (V1 – V2), donde:

 Vout = tensión de salida

 AOL = ganancia de amplificador operacional en lazo abierto
(200,000 o más)
 V1 y V2 = tensiones de entrada (las que se comparan)

Vout no puede exceder la tensión de saturación del amplificador

operacional, sea esta saturación negativa o positiva. normalmente este valor
es aproximadamente unos 2 voltios menor que el valor de la fuente (V+ ó
V- )
Del gráfico se ve que el valor de la entrada en V2 es mayor que la de V1
(que se utiliza como referencia y tiene un valor fijo), hasta que en un
momento t1, V2 cambia y ahora es menor que V1. Como V2 está
conectado a la entrada no inversora del operacional, la salida (Vout) está en
saturación positiva, hasta que llega a t1, en donde la salida ahora está en
saturación negativa.

El comparador no inversor

En este comparador la tensión de referencia se aplica a la entrada inversora,

y la señal a detectar será aplicada a la entrada no inversora. La tensión de
referencia puede ser positiva o negativa.

 Si la señal a detectar tenga una tensión superior a la tensión de

referencia, la salida será una tensión igual a +Vsat (tensión de
saturación positiva).
 Si la señal de entrada tiene una tensión inferior a la señal de
referencia, la salida será igual a -Vsat (tensión de saturación
negativa)

El comparador inversor

En este comparador la tensión de referencia se aplica a la entrada no

inversora, y la señal a detectar será aplicada a la entrada inversora. La
tensión de referencia puede ser positiva o negativa.
  Si la señal a detectar tenga una tensión superior a la tensión de
referencia, la salida será una tensión igual a -Vsat (tensión de
saturación negativa).
 Si la señal de entrada tiene una tensión inferior a la señal de
referencia, la salida será igual a +Vsat (tensión de saturación
positiva).

Transistor
El Transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término
"transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de
transferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los
enseres domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadores,
reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, lavadoras,
automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo,
computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos
de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas

artificialmente (contaminadas con materiales específicos en cantidades
específicos) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite
portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está
intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores
(base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo
controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el
diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a
diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos
pasivos. Su funcionamiento sólo puede explicarse mediante mecánica
cuántica.

De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es

función amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor
sólo gradúa la corriente que circula a través de sí mismo, si desde una
fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga
por el "colector", según el tipo de circuito que se utilice. El factor de
amplificación logrado entre corriente de base y corriente de colector, se
denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son
particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector
Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de
calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos
parámetros tales como corriente de base, tensión Colector Emisor, tensión
Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas básicos
para utilización analógica de los transistores son emisor común, colector
común y base común.

Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores

FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se
inyecta en el terminal de "base" para modular la corriente de emisor o
colector, sino la tensión presente en el terminal de puerta o reja de control y
gradúa la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenador.
De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenador (D)
será función amplificada de la Tensión presente entre la Puerta (Gate) y
Fuente (Source). Su funcionamiento es análogo al del triodo, con la
salvedad que en el triodo los equivalentes a Puerta, Drenador y Fuente son
Reja, Placa y Cátodo.

Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la

integración a gran escala que disfrutamos hoy en día, para tener una idea
aproximada pueden fabricarse varios miles de transistores interconectados
por centímetro cuadrado y en varias capas superpuestas.