Introduccin a la Tecnologa de los Computadores. T1-1 Introduccin a la Tecnologa de los Computadores.

T1-2

TEMA 1. Principios Bsicos de Semiconductores Para estudiar las propiedades de conduccin de los semiconductores se utiliza el
modelo de Bandas de Energa, basado en la aglomeracin de los diferentes
CONDUCTORES, AISLANTES Y SEMICONDUCTORES. niveles de energa de los orbitales atmicos. Se forman tres tipos de bandas:

Una de las propiedades caractersticas de los materiales es la resistividad (),

que es la inversa de la conductividad (). En funcin del valor de dicha
propiedad los materiales son:
Banda de Electrones de
SEMICONDUCTORES 10-2 Valencia (BV)
CONDUCTORES 10-6 Banda de Electrones de
AISLANTES 104 Conduccin (BC)
Banda Prohibida (BP) o
DIFERENCIAS PRINCIPALES gap

SEMICONDUCTORES CONDUCTORES
Tienen dos tipos de portadores Tienen un solo tipo de portador
Huecos Electrones
Electrones Al aumentar la temperatura
Al aumentar la temperatura aumenta la resistividad
La distancia que define la periodicidad de una red cristalina, determina el grado
disminuye la resistividad
de interaccin entre los electrones de los orbitales externos (valencia), de modo
que las Bandas de Conduccin y de Valencia pueden adoptar diferentes
configuraciones, dependiendo si quedan separadas por una Banda Prohibida, o si
Los SEMICONDUCTORES son slidos cristalinos con enlaces covalentes.
resultan solapadas, as como por el grado de ocupacin de los orbitales
Podemos distinguir:
contenidos en cada capa. As, si la distancia de cristalizacin se correspondiese
Elementales: Si, Ge.
con r1 las Bandas de Conduccin y de Valencia quedaran separadas por una
Compuestos: AsGa, PGa, OZn, y otras aleaciones.
Banda Prohibida de valor Eg (energa del gap). Estos materiales no son
La estructura cristalina del Si, base de la inteligencia artificial, es idntica a la
conductores de modo espontneo. Si el valor de Eg supera los 2 eV, el material
del C, base de la inteligencia humana; se trata de la estructura diamantina: tiende a ser aislante, ya que resultar difcil conseguir que algn electrn de la
Banda de Valencia salte a la Banda de Conduccin para que facilite el
Representacin tridimensional Representacin bidimensional
movimiento de carga.
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TIPOS DE SEMICONDUCTORES

Los Semiconductores Intrnsecos son aquellos materiales que presentan una

conductividad nula a bajas temperaturas, pero que pueden ser dbilmente
conductores a temperatura ambiente, debido a que la anchura de la Banda
Prohibida no es elevada, lo que hace que la resistividad del material, con ser alta
no sea infinita. Algunos de los semiconductores intrnsecos, o en estado de
mxima pureza ms conocidos son el Silicio (Si), el Germanio (Ge), o el
Si la Banda de Conduccin y la Banda de Valencia quedan separadas por Arseniuro de Galio (AsGa). La tabla muestra la anchura de la Banda Prohibida
distancias energticas de alrededor de 1 eV, como es el caso del Si, algunos para los mismos.
estados en la Banda de Conduccin pueden ser ocupados por electrones que
hayan saltado desde la Banda de Valencia (esto significa que se han salido de su
posicin de enlace habitual, o que han roto el enlace), y en este caso el material
ser dbilmente conductor, pero slo a partir de una cierta temperatura, ya que a
0K el material ser totalmente aislante. A este tipo de materiales se le denomina
Semiconductores.

En este tipo de semiconductor existe un equilibrio entre el nmero de electrones

libres (n) y el nmero de huecos libres (p)

Si la distancia de cristalizacin corresponde al caso r2 da lugar a un

solapamiento de la Banda de Conduccin y la de Valencia, y en este caso los
electrones pueden moverse con total libertad, pues romper un enlace para
conducir requiere muy poca energa, y a temperaturas fuera de los 0K esto
sucede de forma natural. Este material es de tipo Conductor. Es posible para un
conductor, que las Bandas de Conduccin y de Valencia se hallen separadas,
pero la Banda de Conduccin tenga parte de sus estados ocupados. Los semiconductores extrnsecos, son aquellos en que se ha introducido un
elemento contaminante, llamado impureza, generalmente del grupo III o V de la
tabla peridica, que cambia drsticamente las propiedades de conduccin del
material intrnseco, reduciendo enormemente la resistividad del mismo. Se
distinguen dos tipos de semiconductores extrnsecos:

TIPO P (n < p)
TIPO N (n > p)
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Si el material contaminante es del tipo III (B, Al, Ga, In), los tomos de dicho
material completan solamente tres enlaces covalentes, quedando un enlace
covalente incompleto, que puede ser completado por un electrn de un orbital
vecino de un tomo de Si con una pequea aportacin de energa del entorno. Si obtencin de un dispositivo semiconductor llamado diodo de unin.
esto sucede, se genera un hueco. La consecuencia de impurificar con este tipo de
materiales, llamados aceptadores, es la aparicin de un hueco por cada tomo
de impureza introducido en el cristal. El semiconductor tiene entonces un exceso
de huecos (n < p). Se trata de un tipo p.
EC
EF
EV
LA UNIN P-N
Se trata de la unin de un semiconductor tipo p y uno de tipo n. Su fruto ser la
Desde el punto de vista de su forma de operacin, el dispositivo semiconductor
ms simple y fundamental es el diodo; todos los dems dispositivos pueden
entenderse en base a su funcionamiento.
Cuando un semiconductor de tipo n y otro del tipo p se unen, las
concentraciones inicialmente desiguales de electrones y huecos dan lugar a una
trasferencia de electrones a travs de la unin desde el lado p al n y de huecos
desde el lado n al p. Como resultado, se crea una doble capa de carga en la unin
semejante a la de un condensador de placas paralelas, siendo negativo el lado p
y positivo el lado n.
Ya que esta regin se ha vaciado de carga libre se le denomina regin de
vaciamiento, (o regin de carga espacial, o regin de transicin).

Si la impureza es del grupo V (P, As, Sb) se completaran los cuatro enlaces
covalentes con los cuatro tomos vecinos de Si, sobrando un electrn dbilmente
ligado, que podra pasar a la Banda de Conduccin. Este tipo de material recibe
el nombre de donador y al existir un exceso de electrones (n > p) el
_ +
semiconductor es del tipo n.
En atencin a las bandas de energa EF debe ser constante, con lo que se produce
una curvatura de las bandas de energa. Esta curvatura implica la aparicin de un
EC campo elctrico hacia la izquierda, y como consecuencia una variacin de
potencial en la zona de transicin, el potencial de contacto Vbi.
EF

EC
EV EF
EC
EF
EV

Al aplicarle a la un semiconductor EV
una excitacin externa, se logra un N N K = 1.381 x 10-23 J/K
flujo ordenado de los electrones y de Vbi VT ln d 2 a
ni T = 300 K
los huecos. Son los electrones libres q = 1.602 x 10-19 C
los que realmente se mueven, pero el KT
sentido de la corriente elctrica, por VT VT (T=300K) = 0.0259 V
q ni (T=300K)= 1.45 x 10-10 cm-3
convenio, se toma en sentido
contrario.
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