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SEMICODUCTORES
Los dispositivos de estado slido son elementos pequeos pero verstiles que pueden
ejecutar una gran variedad de funciones de control en los equipos electrnicos. Al igual
que otros dispositivos electrnicos, son capaces de controlar casi instantneamente el
movimiento de cargas elctricas.
Se los utiliza como rectificadores, detectores, amplificadores, osciladores, conmutadores,
mezcladores, moduladores, etc.
Su peso y tamao son reducidos, son de construccin slida y muy resistente
mecnicamente lo que los hace libres de microfonismos y se los puede fabricar de manera
que sean inmunes a severas condiciones ambientales.
Materiales semiconductores
Resistividad
Estructura atmica
2da Capa
3er Capa
cleo
1er Capa
Fig.1 Atomo de Aluminio
La teora electrnica explica que los tomos de todos los elementos estn constituidos de
forma similar a la del aluminio:
un ncleo formado por protones y neutrones y girando alrededor de l, distribuidos
en capas y cada uno en su rbita, (esta de forma elptica), un nmero de electrones
igual al nmero de protones.
Por ser la carga elctrica de los ELECTROES EGATIVA y la de los PROTOES
POSITIVA y adems contar el tomo con la misma cantidad de cada uno de ellos, estas
cargas se compensan entre s dando como resultado un estado de carga elctrica neutra
en el tomo.
Por estar la materia formada por tomos, tambin es neutra en su estado normal, es
decir est equilibrada elctricamente.
Si fuera posible observar un grupo de tomos que conforman una molcula de aluminio, se
vera que los electrones situados en la capa ms externa (cantidad = 3) y que estn
dbilmente ligados al ncleo, no permanecen constantemente en el mismo tomo, sino que
errticamente algunos de ellos saltan de tomo a tomo, por esta razn se los denomina
Electrones Libres.
La razn de la dbil ligazn de estos electrones con el ncleo se debe a que la tercera capa a
la que pertenecen no se encuentra completa, es decir tiene un dficit de electrones. Esta es
una caracterstica propia de los materiales coductores.
3er Capa
- -
- -
- - -
-
-
- -
6P
6 - -
-
-
-
29 P -
35
- - - -
- -
- -
1er Capa 2da Capa -
-
Fig. 2 Atomo de carbono (C) - -
-
Peso atmico = 12 1er Capa 1er Capa -
mero atmico = 6 - -
4ta Capa -
-
Siendo n el nmero de capa, contando a partir del ncleo, para la que se desea
conocer la mxima cantidad de electrones que puede contener.
Como se ha descripto, los electrones en un tomo se sitan en sucesivas capas a partir del
ncleo:
o puede formarse una nueva capa hasta que la anterior no haya completado la
cantidad de electrones que le corresponde. Un tomo es estable, o sea que no se
combina qumica ni elctricamente con otros tomos cuando su capa exterior se
encuentra completa.
Los electrones de la capa exterior son los que pueden combinarse qumica o
elctricamente con los electrones de otros tomos, estos electrones son denominados
ELECTROES de VALECIA.
- -
- - - - -
- +
+9 +9
-
- -
- - - -
-
- -
- -
-
-
- -
-
-
+9 +9
- -
-
-
- -
- -
-
-
Electrones covalentes
Fig. 4 - Al compartir un electrn de su capa exterior dos tomos de Fluor forman una
molcula de Fluor (F2).
+11
+9
3 4
+11 +9
Si Si Si
Si Si Si
Si Si Si
La estructura tal como se observa en Fig. 6 no tiene electrones dbilmente unidos al ncleo,
por lo tanto el elemento conforma un mal conductor. Para poder separar las ligaduras
covalentes y proveer as electrones libres para la conduccin de corriente elctrica, seria
necesario aplicar altas temperaturas o campos elctricos intensos al material.
Otra manera de alterar la estructura cristalina y obtener as electrones libres, consiste
en agregar pequeas cantidades de otros elementos que tengan una estructura
atmica diferente.
Mediante el agregado de cantidades muy pequeas de otros elementos, llamados
Impurezas, es posible modificar y controlar las propiedades elctricas bsicas de
los materiales semiconductores. La relacin entre Impurezas y material
semiconductor es del orden de una parte en diez millones.
Si
Electrn excedente
Si As Si
Arsnico: 33 electrones
1er capa : 2 electrones
Si
Atomo de impureza 2da capa : 8 electrones
(Arsnico: As) 3ra capa : 18 electrones
4ta capa : 5 electrones
Los elementos de impureza ms utilizados que se agregan a los cristales de silicio para
proveer los electrones excedentes incluyen al Fsforo (P), el Arsnico (As) y el
Antimonio (Sb).
Cuando se agregan al silicio estos elementos, el material resultante es denominado
Tipo debido a que los electrones libres excedentes tienen carga negativa. Debe
hacerse notar, sin embargo, que la carga negativa de estos electrones se equilibra con
una carga positiva equivalente situada en el ncleo de los tomos de impureza, por lo
tanto el material sigue siendo neutro elctricamente.
Si B Si
Boro : 5 electrones
Si
Atomo de impureza 1er capa: 2 electrones
(Boro: B) 2da capa: 3 electrones
Cuando se unen dos pastillas de materiales semiconductores, una Tipo y otra Tipo P, tal
como se muestra en la Fig. 9, se produce un fenmeno singular pero muy importante en la
zona en la que se ponen en contacto los dos materiales, denominada Juntura P-.
Cuando se forma una juntura P-, algunos de los electrones libres del material Tipo se
difunden a travs de la juntura hacia el material Tipo P, combinndose con las lagunas de
este material. Estos electrones al abandonar el material dejan huecos o lagunas en l, de
modo que si observamos la Fig. 9 B se podra interpretar que los electrones se mueven
del material al P y las lagunas del P al . La energa trmica es la que produce esta
llamada Corriente de Difusin.
Como resultado del proceso de difusin, se produce una Diferencia de Potencial a travs
de la Regin de Carga Espacial. Esta diferencia de potencial puede representarse, tal
como se muestra en la Fig. 10, como una batera imaginaria conectada a travs de la juntura
P-N.
P
- +N
- +
Fig. 10
El smbolo de batera se utiliza simplemente para ilustrar los efectos elctricos internos de
la juntura, el potencial que representa por supuesto no es mensurable directamente.
Esta diferencia de potencial forma una barrera denominada Barrera de Energa la cual
impide que se sigan difundiendo electrones a travs de juntura. En efecto, los electrones del
material Tipo que tienden a seguir difundindose a travs de la juntura son repelidos por
la carga negativa inducida en el material Tipo P, mientras que las lagunas del material Tipo
P son repelidas por la carga positiva inducida en el material Tipo . Esta diferencia de
potencial o barrera de energa impide por lo tanto una interaccin total entre los dos tipos
de materiales, preservando as las diferencias en sus caractersticas.
Cuando se conecta una batera a una juntura P-N, la intensidad de corriente que circular
por la juntura ser dependiente del nivel de tensin aplicada y de la polaridad con que se
conecte la batera a la juntura.
Circulacin de electrones
Circulacin de electrones
P P
-- ++
A B
Fig. 11
Intensidad de corriente
directa(mA)
Polarizacin inversa
Volts 0 mV
100 200 300 400 500 600 mV
Polarizacin directa
Intensidad de corriente
A)
inversa (
Fig. 12 - Curva caracterstica Tensin de Polarizacin vs. Corriente de una juntura P-
Sentido de circulacin de la
corriente a travs del diodo
Fig. 13 - Diodo
Fig. 14
Como se puede apreciar en la Fig. 14, la C.C. rectificada obtenida, es una C.C. pulsante con
un rizado o ripple muy grande. Este puede ser suavizado colocando un condensador en
paralelo con la carga RL. Este condensador es denominado comnmente condensador de
filtro. (Fig. 15)
Fig. 15
Fig. 16
En un rectificador de Media Onda, la frecuencia de la C.A. de rizado es la misma que
la frecuencia de la C.A. de alimentacin. En este caso (Figs. 14 y 15), es de 50 Hz..
Fig. 17
R1 R1
R2 R2
R1
R2
Fig. 18
Smbolo esquemtico
El diodo Zener se representa en los esquemas con el siguiente smbolo: en cambio el diodo
normal no presenta esa curva en las puntas:
Voltaje zener: el diodo est polarizado en forma inversa, obsrvese que la corriente tiene un
valor casi nulo mientras que el voltaje se incrementa rpidamente, en este ejemplo fue con
17 voltios.
Resistencia Zener Un diodo zener, como cualquier diodo, tiene cierta resistencia interna en
sus zonas P y N; al circular una corriente a travs de ste se produce una pequea cada de
tensin de ruptura.
En otras palabras: si un diodo zener est funcionando en la zona zener, un aumento en la
corriente producir un ligero aumento en la tensin. El incremento es muy pequeo,
generalmente de una dcima de voltio.
Los diodos Zener mantienen la tensin entre sus terminales prcticamente constante en un
amplio rango de intensidad y temperatura, cuando estn polarizados inversamente, por ello,
este tipo de diodos se emplean en circuitos estabilizadores o reguladores de la tensin tal y
como el mostrado en la figura.
Eligiendo la resistencia R y las caractersticas del diodo, se puede lograr que la tensin en
la carga (RL) permanezca prcticamente constante dentro del rango de variacin de la
tensin de entrada VS.
22 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Para elegir la resistencia limitadora R adecuada hay que calcular primero cul puede ser su
valor mximo y mnimo, despus elegiremos una resistencia R que se adecue a nuestros
clculos.
Donde:
1. Rmin es el valor mnimo de la resistencia limitadora.
2. Rmax es el valor mximo de la resistencia limitadora.
3. Vsmax es el valor mximo de la tensin de entrada.
4. Vsmin es el valor mnimo de la tensin de entrada.
5. Vz es la tensin Zener.
6. ILmin es la mnima intensidad que puede circular por la carga, en ocasiones, si la
carga es desconectable, ILmin suele tomar el valor 0.
7. ILmax es la mxima intensidad que soporta la carga.
8. Izmax es la mxima intensidad que soporta el diodo Zener.
9. Izmin es la mnima intensidad que necesita el diodo zener para mantenerse dentro de
su zona zener o conduccin en inversa (1mA).
La resistencia que elijamos, debe estar comprendida entre los dos resultados que hemos
obtenido.
La resistencia de carga del circuito (RL) debe cumplir la siguiente formula:
Los diodos Zener generan ruido. Por esa caracterstica, son usados en los generadores de
ruido y puentes de ruido.
Dentro de los regmenes especificados para cada tipo, los rectificadores de avalancha
controlada pueden absorber sin grandes riesgos aumentos grandes de energa, como los
que se producen como consecuencia de la conmutacin rpida de los circuitos
inductivos.
Recopilado de:
K A K A
K= ctodo A= nodo Banda de identificacin
del ctodo
K A A K
Anodo
Banda de identificacin
del ctodo
Ctodo
Una comprobacin rpida del estado de un diodo puede ser realizada por medio de un
multmetro digital que posea la funcin Medicin de Diodos.
1.
Anodo Ctodo
En las Fig.1 y Fig.2 se puede apreciar como utilizar un multmetro digital que contenga la
funcin medicin de diodos.
Se ha seleccionado por medio de la llave selectora la funcin Medicin de Diodos, luego se
ha conectado la punta positiva del multmetro al ANODO del diodo y la negativa al
CATODO (Fig.1).
Al ser conectadas las puntas de esta forma, el diodo queda polarizado correctamente
para conducir, por tener aplicado el polo positivo de la fuente interna del multmetro
al AODO y el negativo de dicha fuente al CATODO.
o olvidar que para que un diodo conduzca su AODO debe ser ms positivo que el
CATODO. En un diodo de SILICIO (que son los que se estn tratando) la diferencia
de potencial AODO/CATODO para plena conduccin debe ser de 0,6 volts.
Todo diodo que al ser comprobado utilizando este sistema arroje un valor de
tensin comprendido entre 0,5 y 0,7 volts, puede ser considerado en buen estado
por lo que hace al estado de su juntura al ser polarizada en el sentido directo o de
conduccin.
Se observa en la Fig.2 que se han invertido las conexiones de las puntas del
multmetro, o sea que la punta positiva se ha conectado al CATODO y la negativa al
AODO. Ahora la juntura del diodo ha sido polarizada inversamente, por lo tanto el
diodo no conduce y en el display no se presenta ninguna lectura vlida.
En el caso del multmetro utilizado en el ejemplo, el display presenta en este caso la
lectura 1., en otros se presenta OL., etc.
Si alguna tensin es medida, por ejemplo 1,6 volts o 2,5 volts, no cabe ninguna
duda que el diodo testeado tiene fugas muy importantes en el sentido inverso de
Una lectura de 500 a 600 ohms es normal para diodos de pequea y media
potencia.
En diodos de mayor potencia como los utilizados en alternadores de automotores,
dicha resistencia es algo menor, alrededor de 400 ohms.
Los diodos de silicio muestran elevada resistencia de fuga que puede llegar hasta
1000 megohms. Un valor normal en diodos de potencia para alternadores de
automotores en buen estado es de 10 a 20 megohms.
El colector, que capta la mayora de los portadores de carga emitidos por el emisor.
TRASISTOR P TRASISTOR PP
Fig. 19
Fig. 20
Aplicamos ahora un voltaje E2 (de mayor nivel que E1) entre el emisor y el colector. (Fig.
(Fig.21)
Ms del 95% de los electrones emitidos por el emisor circularn por el colector
atrados por el positivo de E2. De esto fcilmente se deduce que un 5% o menos de los
electrones que circulan por el emisor circulan por la base.
Las corrientes que fluyen a travs de los tres terminales de transistor son denominados:
IB = Corriente de Base
IE = Corriente de Emisor
IC = Corriente de Colector
32 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Para un transistor PNP la polaridad de las fuentes debe ser invertida, pero su
funcionamiento es igual al NPN. (Fig. 22).
Decamos anteriormente que a lo sumo un 5% de los electrones que circulan por el emisor
llegan a circular por la base, la relacin:
hfe = 50 ~ 500
Los transistores de potencia tienen factores de amplificacin mucho menores, generalmente
comprendidos entre:
hfe = 10 ~ 20
El transistor es representado generalmente tal como se ve en la Fig. 23, o tambin como se
lo representa en la Fig. 19.
La flecha del emisor indica la direccin de circulacin de la corriente cuando el transistor est
funcionando. Tenga en cuenta que esta indicacin obedece a la circulacin de corriente teniendo en
cuenta el sentido convencional (no electrnico), o sea de Positivo a negativo.
33 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
En la Fig. 24A se plantea un transistor NPN al que se polariza su Base con respecto al
Emisor por medio de una fuente VB-E cuya tensin es ajustable entre 0V y 1,5V. El
Colector se alimenta a travs de una resistencia de 1 Kohm, con una fuente fija VCC de
10V, conectada entre Colector y Emisor.
En la Fig. 24B vemos como vara la corriente de base IB, en funcin de la tensin de
polarizacin directa del diodo B-E.
Veamos como vara la corriente de colector IC, en funcin de la variacin de la corriente de
base IB.
Como se vio en la pgina anterior, para que exista una corriente a travs del colector, debe
estar circulando corriente entre emisor y base, producto esta corriente del nivel de la
tensin de polarizacin B-E. Recordemos como se relacionan ambas corrientes:
Asumiendo que:
la tensin de polarizacin Base-Emisor para la que la corriente de base es de 100A, punto
en el que el transistor est saturado, es de:
Cuando VBE sea menor que 0,6V, VC ser mayor que 5V.
Cuando VBE sea mayor que 0,6V, VC ser menor que 5V.
Cuando VBE vara, VC tambin vara. pero en sentido contrario. (Fig. 26)
Hasta ahora se utilizaron dos fuentes de C.C. distintas. Una de ellas para
obtener la tensin de polarizacin base-emisor (VBE) deseada y la otra
para establecer la tensin de alimentacin emisor-colector (VCC).
En la prctica una sola fuente es utilizada.
Ganancia de Tensin
A = 190
Fig. 31
Como norma general, la cada de tensin en dicha resistencia se elige de modo que sea la
dcima parte de la tensin de alimentacin.
Fig. 33
Ganancia de Tensin
A = 131
Fig. 35
Fig. 36
A = 200 veces
Respuesta a Frecuencias = plana entre 20Hz y 150KHz
Los resistores de 300 y 200 insertados en los emisores del primer transistor y el
segundo, respectivamente, al no estar bypasados por un condensador introducen una
realimentacin negativa para la C.A., esta realimentacin mejora el factor de distorsin.
En la Fig. 37 se muestra, en la pantalla del osciloscopio, las seales de Entrada y
Salida del circuito
42 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
ChA = Voltaje de la Seal de Entrada
20 mVpp
ChB = Voltaje de la Seal de Salida
4 Vpp
Fig. 37
Observe que las seales de Entrada y Salida se encuentran en fase, esto es debido a que
al existir dos etapas se produce una doble inversin de la seal de entrada.
Fig. 38
ChA = Voltaje de la Seal de Entrada
20 mVpp
ChB = Voltaje de la Seal de Salida
5 Vpp
Fig. 39
La base del transistor est puesta a masa para la corriente alternada de la seal a travs del
condensador de 100F, de ah que esta configuracin reciba el nombre de Base Comn.
Fig. 40
Ganancia = 0,99
Fig. 41
En este ltimo tipo de configuracin, la Seal de Entrada que se desea amplificar se aplica
a la Base del transistor.
La Seal de Salida se obtiene a travs del Emisor.
El Colector se encuentra a masa para la corriente alternada pues est directamente
conectado al positivo de la fuente de alimentacin. De ah que reciba el nombre de Colector
Comn.
Este montaje presenta una Resistencia de Entrada muy alta, comprendida entre 50K y
500K, mientras que la Impedancia de Salida es muy baja, entre 10 y 100.
La amplificacin de corriente es media, entre 10 y 100.
La amplificacin de tensin es menor que la unidad.
Su ganancia en potencia est comprendida entre 10 y 100.
No presenta ningn defasaje entre las seales de Entrada y Salida.
Gracias a las Impedancias de Entrada y Salida de este tipo de etapa, es que es muy utilizado
como Adaptador de Impedancias. Adapta muy bien etapas de Alta Impedancia de Salida
con etapas de Baja Impedancia de Entrada.
El transistor en conmutacin
En este tipo de utilizacin, el transistor solamente puede tomar dos estados
Saturado o al Corte
O = 1 = 5V.
Como ya sabemos esto se traduce en el colector del transistor en los siguientes estados:
tOFF-O
El tiempo que tarda en pasar del estado de Saturacin al de Corte, se denomina:
tO-OFF
Observando la Fig.45, podemos ver como a su vez estos tiempos se subdividen en otros
dos:
tOFF-O = td + tr
tO-OFF = ts + tf
td Delay Time: en el cambio de Corte a Saturacin, es el tiempo que transcurre desde
que aparece la seal en la base, Vs, hasta que la tensin de colector, VC, cae al 90% de la
tensin de fuente, VCC.
tr Rise Time: en el cambio de Corte a Saturacin, es el tiempo que tarda en caer la
tensin de colector, VC, desde el 90% al 10% de la tensin de fuente, VCC.
ts Storage Time: en el cambio de Saturacin a Corte, es el tiempo transcurrido entre la
49 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
desaparicin de la seal, Vs, y el paso de la tensin de colector, VC, de 0% al 10% de la
tensin de fuente, VCC.
tf Fall Time: en el cambio de Saturacin a Corte, es el tiempo que tarda la tensin de
colector, VC, en pasar del 10% al 90% de la tensin de fuente, VCC.
Fig. 46
Fig. 47
51 JORGE ALBERTO GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA
Amplificador en Clase B
Si en el circuito bsico de un amplificador en Clase A que se planteo inicialmente, Fig. 28;
Pg. 35, se elimina la resistencia RA que forma parte del divisor de tensin que polariza la
base del transistor, se tiene un Amplificador Polarizado en Clase B. (Fig. 42)
Fig. 42
Fig. 43
Como se puede apreciar en las Figs. 43 y 44 que muestran la pantalla del osciloscopio, el
transistor en estas condiciones, al tener la base al mismo potencial que el emisor, recin
comienza a conducir cuando el nivel de la seal aplicada en base supera la barrera de
potencial del diodo base-emisor, es decir alrededor de los 600 mVp (tensin de pico de la
seal) y solamente logra amplificar parte del hemiciclo positivo.
Fig. 45
G: terminal de puerta.
D: terminal de drenador o drenaje.
S: terminal de surtidor o fuente.
En este caso el valor de tensin que identifica el lmite en el cual se pasa de conduccin a
corte se llama tensin umbral (Vt). Si Vgs es mayor que este valor, el transistor MOSFET
est conduciendo; mientras que si es menor no conduce.
La curva caracterstica de salida relaciona la intensidad por el drenador (Id) con la tensin
existente entre los terminales del drenador y el surtidor (Vds).
Todos estos valores que marcan los lmites de ruptura del transistor unipolar vienen
referenciados en las hojas de caractersticas (DATA-BOOK) proporcionadas por el
fabricante.
Transistores IGBT
El transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo de compuerta
aislada.
Tiene una estructura interna similar a la de un MOSFET, pero en el lado del drenador
(colector) tiene una juntura P-N, la cual inyecta portadores minoritarios (lagunas) en el
canal cuando el IGBT est en conduccin. De esta manera se reduce significativamente
la disipacin de potencia.
Debido a la capa adicional tipo P, el IGBT tiene en la zona entre el colector y el emisor una
estructura de cuatro capas.
La adicin de esta capa Tipo P, introduce un nuevo transistor parsito que con el NPN
inherente a la estructura de un MOSFET, conforma un Tiristor parsito, el cul en caso de
ser activado puede destruir al IGBT, este fenmeno se elimina constructivamente.
Las dos estructuras que existen son:
1) De perforacin (PT punch through)
2) NPT (non punch through)
Un solo IGBT puede llegar a manejar hasta 1200V y 400A a una frecuencia de
conmutacin de hasta 20KHz.
Su aplicacin est creciendo rpidamente en potencias intermedias como propulsores de
motores de Corriente Continua y Corriente Alternada, UPS, relay de estado slido, etc.
En automocin se utilizan por ejemplo en PCM, como drivers de bobinas de encendido y
drivers de inyectores. Tambin como drivers de motores de enfriamiento de radiadores.